DE1197723B - Verfahren zur Herstellung von Masken fuer die Massenherstellung von Halbleiter-bauelementen - Google Patents
Verfahren zur Herstellung von Masken fuer die Massenherstellung von Halbleiter-bauelementenInfo
- Publication number
- DE1197723B DE1197723B DEJ19533A DEJ0019533A DE1197723B DE 1197723 B DE1197723 B DE 1197723B DE J19533 A DEJ19533 A DE J19533A DE J0019533 A DEJ0019533 A DE J0019533A DE 1197723 B DE1197723 B DE 1197723B
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- etchant
- sheet
- etched
- metal sheet
- metal
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 14
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 13
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 13
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 17
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 17
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 8
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 claims description 4
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 claims description 4
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 claims description 2
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000012153 distilled water Substances 0.000 claims description 2
- 239000004922 lacquer Substances 0.000 claims 3
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 description 3
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 3
- 238000004080 punching Methods 0.000 description 2
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 230000001788 irregular Effects 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- 239000002966 varnish Substances 0.000 description 1
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
- H01L21/308—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching using masks
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23F—NON-MECHANICAL REMOVAL OF METALLIC MATERIAL FROM SURFACE; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL; MULTI-STEP PROCESSES FOR SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL INVOLVING AT LEAST ONE PROCESS PROVIDED FOR IN CLASS C23 AND AT LEAST ONE PROCESS COVERED BY SUBCLASS C21D OR C22F OR CLASS C25
- C23F1/00—Etching metallic material by chemical means
- C23F1/02—Local etching
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23F—NON-MECHANICAL REMOVAL OF METALLIC MATERIAL FROM SURFACE; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL; MULTI-STEP PROCESSES FOR SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL INVOLVING AT LEAST ONE PROCESS PROVIDED FOR IN CLASS C23 AND AT LEAST ONE PROCESS COVERED BY SUBCLASS C21D OR C22F OR CLASS C25
- C23F1/00—Etching metallic material by chemical means
- C23F1/02—Local etching
- C23F1/04—Chemical milling
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01H—ELECTRIC SWITCHES; RELAYS; SELECTORS; EMERGENCY PROTECTIVE DEVICES
- H01H11/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of electric switches
- H01H11/04—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of electric switches of switch contacts
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/06—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- ing And Chemical Polishing (AREA)
Description
- Verfahren zur Herstellung von Masken für die Massenherstellung von Halbleiterbauelementen Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung von Masken für die Massenherstellung von Halbleiterbauelementen, bei dem in ein Metallblech, z. B. aus Molybdän, durch ein flüssiges oder gasförmiges Ätzmittel Löcher eingeätzt werden.
- Halbleiteranordnungen für Hochfrequenzzwecke weisen gewöhnlich derart kleine Abmessungen auf, daß es aus wirtschaftlichen Gründen nicht vertretbar ist, die einzelnen Verfahrensschritte zur Herstellung der Halbleiteranordnung für jedes Bauelement gesondert durchzuführen. Es sind daher Massenherstellungsverfahren entwickelt worden, die es ermöglichen. jeden Verfahrensschritt gleichzeitig für zahlreiche Halbleiteranordnungen durchzuführen. Man verwendet zu diesem Zweck z. B. Masken, die entsprechend der gewünschten Form und Größe jeder einzelnen Halbleiteranordnung unterteilt sind und auf eine größere Halbleiterscheibe aufgelegt werden können, so daß mit Hilfe der Masken an den dafür vorgesehenen Stellen der Halbleiteranordnungen die gewünschte Behandlung, z. B. durch Einwirkung eines Ätzmittels oder durch Aufdampfen einer Metall- oder Legierungsschicht, wirksam werden kann.
- Die Masken kann man auf mechanischem Wege durch geeignete Stanzwerkzeuge herstellen. Wegen der geringen Abmessungen der zu bearbeitenden Halbleiteranordnungen muß die Maske jedoch außerordentlich genau gearbeitet sein, so daß die Herstellung derartiger Stanzwerkzeuge auf große Schwierigkeiten stößt. Eine weitere Möglichkeit zur Herstellung der Masken besteht darin, daß man die gewünschten Löcher in den Masken durch Einwirkung eines Ätzmittels herstellt, indem man zuvor die Teile der Maske, die stehen bleiben sollen, durch ein gegenüber dem Ätzmittel beständiges Wachs abgdeekt hat. Bei diesem Verfahren wird jedoch die Genauigkeit der Masken dadurch beeinträchtigt, daß das Ätzmittel das Material des Maskenbleches nicht nur senkrecht in seiner Einwirkungsrichtung angreift, sondern auch auf die seitlichen Teile einwirkt, so daß gegebenenfalls die abgedeckten Teile von unten her angegriffen und die vorgesehene Abmessung der Löcher nicht eingehalten werden kann.
- Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung von maßgenauen Masken für die Massenherstellung von Halbleiterbauelementen, bei dem in ein Metallblech, z. B. aus Molybdän, durch ein Ätzmittel Löcher eingeätzt werden. Sie vermeidet die Nachteile, die die üblichen Ätzverfahren beeinträchtigen, indem erfindungsgemäß die Teile des Metallbleches, die von dem Ätzmittel nicht angegriffen werden sollen, auf einander gegenüberliegenden Stellen der beiden Oberflächen des Metallbleches durch ein ätzbeständiges Mittel abgedeckt und die freien Teile des Metallbleches durch kurzzeitige Einwirkung eines Ätzmittels bis zu einer geringen Tiefe von etwa 5 K, angeätzt werden, dann die Ätzung unterbrochen wird, hierauf die eine Oberfläche des Metallbleches, auf der es auf die Maßhaltigkeit der ausgeätzten Stellen ankommt, vollkommen mit einer ätzbeständigen Schicht überzogen und anschließend nur von der anderen Seite des Metallbleches aus, auf der es auf die Maßhaltigkeit nicht ankommt, bis zum Durchbruch zur ersteren Seite weitergeätzt wird.
- Das Verfahren wird im folgenden an Hand der Zeichnung näher erläutert.
- Die F i g. 1 bis 4 sind Querschnitte durch einen Maskenabschnitt und geben die einzelnen Verfahrensschritte wieder. In der Zeichnung sind aus Gründen der Anschaulichkeit die einzelnen Teile nicht maßstabsgetreu, sondern stark vergrößert dargestellt.
- F i g. 1 zeigt einen Teil des Maskenbleches 1 im Querschnitt mit den Abdeckflecken 2 aus einem ätzbeständigen Mittel.
- Die zwischen den Abdeckflecken 2 befindlichen Stellen 3 der Maske sollen von dem Ätzmittel angegriffen werden und stellen die spätere Abmessung der Löcher dar. Als Maskenblech eignet sich z. B. Molybdän.
- Die Abdeckung der Oberfläche des Bleches kann mit Hilfe der photolithographischen Technik erreicht werden. Die beiden Oberflächen werden mit einem lichtempfindlichen Lack überzogen und dann durch eine geeignete Vorlage so belichtet, daß nach dem Entwickeln an den Stellen, an denen die Löcher eingeätzt werden sollen, der Photolack herausgelöst worden ist. Die beiden Oberflächen werden so abgedeckt und belichtet, daß sich die stehengebliebenen Teile des Photolackes an den beiden Oberflächen genau einander gegenüberliegen.
- Das Maskenblech 1 mit den Abdeckflecken 2 wird dann in ein geeignetes Ätzmittel, z. B. Salpetersäure, gegeben, das auf die freien Stellen des Bleches einwirkt. Nach einer Weiterbildung der Erfindung hat sich die Verwendung eines gasförmigen Ätzmittels in einigen Fällen als zweckmäßig erwiesen. Gemäß der Erfindung läßt man das Ätzmittel nur so lange einwirken, bis eine Schicht von etwa 5 #t des Maskenbleches abgetragen ist. Dieser Schritt ist in F i g. 2 dargestellt. Das Maskenblech weist auf beiden Seiten an den freien Stellen Vertiefungen von etwa 5 1, auf. wegen der kurzen Einwirkungszeit des Ätzmittels und der geringen Tiefe sind .die Ränder der Vertiefungen praktisch . senkrecht ausgebildet, da das Ätzmittel noch nicht genügend Zeit hatte, abweichend von der bevorzugten Richtung nach unten und oben auch seitlich einzuwirken. Die Abmessung der Vertiefungen wird zweckmäßig durch Kontrolle der Einwirkungsdauer des Ätzmittels bei konstanter Temperatur empirisch ermittelt.
- Um die Einwirkung des Ätzmittels schnell zu unterbrechen, wird die Maske aus dem Ätzbad in destilliertes oder deionisiertes Wasser getaucht und somit das Ätzmittel von den Oberflächen entfernt. Anschließend wird die eine Oberfläche mit den angeätzten Vertiefungen vollständig mit einem ätzbeständigen Wachs 6 (F i g. 3) überzogen. Man kann dazu z. B. Pizein verwenden.
- Die so vorbereitete Maske wird wiederum der Einwirkung eines Ätzmittels ausgesetzt, das nunmehr nur noch von der anderen nicht mit dem ätzbeständigen Wachs 6 bedeckten Seite her angreifen kann. Man läßt das Ätzmittel so lange einwirken, bis die Verbindung mit der gegenüberliegenden Seite hergestellt ist. Dieser Zeitpunkt kann ebenfalls durch Kontrolle der Ätzdauer oder auch durch visuelle Beobachtung bestimmt werden. Man kann mit bloßem Auge beobachten, wenn die andere Seite erreicht ist, da sich das Wachs 6 von dem umgebenden Metall gut abhebt.
- In F i g. 3 ist dargestellt, wie das Ätzmittel das Maskenblech von der unteren Oberfläche aus angreift und dabei die durch den Photolack 2 abgedeckten Teile an der unteren Oberfläche des Bleches teilweise unterläuft, so daß der ursprünglich festgelegte Lochdurchmesser der Maske überschritten wird. Das gleiche würde an der anderen Oberfläche geschehen, wenn an dieser Stelle das Ätzmittel ebenfalls einwirken könnte. Wenn man den Ätzvorgang unterbrich%--sobald,die Verbindung mit der abgedeckten Seite hergestellt ist, so erhält man nach Entfernen der Abdeckschichten 2 und 6 eine Maske, deren Löcher im Querschnitt denen der F i g. 4 entsprechen. Auf der unteren Oberfläche sind die Löcher vergrößert und auch unregelmäßig ausgebildet. Auf der oberen Oberfläche ist die Begrenzung der Löcher jedoch durch die in dem ersten Ätzprozeß entstandenen Vertiefungen bestimmt. Diese weisen praktisch senkrechte Wände bis zu einer Tiefe von 5 R, auf. Man hat damit eine Folie vorliegen, an deren einer Oberfläche die Löcher den genau vorgeschriebenen Durchmesser aufweisen. Für die Verwendung der Maske zum Abdecken einer Halbleiterscheibe ist es aber vollkommen ausreichend, wenn eine Seite der Maske die gewünschten Abmessungen genau aufweist.
Claims (5)
- Patentansprüche: 1. Verfahren zur Herstellung von maßgenauen Masken für die Massenherstellung von Halbleiterbauelementen, bei dem in ein Metallblech, z. B. aus Molybdän, durch ein Ätzmittel Löcher eingeätzt werden, dadurch gekennzeichnet, daß die Teile des Metallbleches (1), die von dem Ätzmittel nicht angegriffen werden sollen, auf einander gegenüberliegenden Stellen der beiden Oberflächen des Metallbleches durch ein ätzbeständiges Mittel (2) abgedeckt und die freien Teile (3) des Metallbleches durch kurzzeitige Einwirkung des Ätzmittels bis zu einer geringen. Tiefe von etwa 5 #L angeätzt werden, dann die Ätzung unterbrochen wird, hierauf die eine Oberfläche des Metallbleches, auf der es auf die Maßhaltigkeit der ausgeätzten Stellen ankommt, vollkommen mit einer ätzbeständigen Schicht (6) überzogen und anschließend nur von der anderen Seite des Metallbleches aus, auf der es auf die Maßhaltigkeit nicht ankommt, bis zum Durchbruch zur ersten Seite weitergeätzt wird.
- 2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß ein gasförmiges Ätzmittel verwendet wird.
- 3. Verfahren nach den Ansprüchen 1 und 2, dadurch gekennzeichnet, daß nach der kurzzeitigen Einwirkung des Ätzmittels auf die beiden. Oberflächen des Metallbleches mit destilliertem oder deionisiertem Wasser gespült wird.
- 4. Verfahren nach den Ansprüchen 1 und 2, dadurch gekennzeichnet, daß die erforderliche Einwirkungsdauer des Ätzmittels bei konstanter Temperatur bestimmt wird.
- 5. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß zum Herstellen der Abdeckflecken (2) das Metallblech (1) mit einer Schicht eines lichtempfindlichen Lackes überzogen, der Lack durch eine geeignete Vorlage belichtet und anschließend entwickelt wird und nach dem Entwickeln an den Stellen, die von dem Ätzmittel angegriffen werden sollen, der Lack herausgelöst wird.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DEJ19533A DE1197723B (de) | 1961-03-04 | 1961-03-04 | Verfahren zur Herstellung von Masken fuer die Massenherstellung von Halbleiter-bauelementen |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DEJ19533A DE1197723B (de) | 1961-03-04 | 1961-03-04 | Verfahren zur Herstellung von Masken fuer die Massenherstellung von Halbleiter-bauelementen |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE1197723B true DE1197723B (de) | 1965-07-29 |
Family
ID=7200031
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DEJ19533A Pending DE1197723B (de) | 1961-03-04 | 1961-03-04 | Verfahren zur Herstellung von Masken fuer die Massenherstellung von Halbleiter-bauelementen |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
DE (1) | DE1197723B (de) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3518134A (en) * | 1967-08-14 | 1970-06-30 | Stanford Research Inst | Gaseous etching of molybdenum |
DE3210044A1 (de) * | 1981-03-20 | 1982-09-30 | Sony Corp., Tokyo | Schalterbetaetigungsfeld |
-
1961
- 1961-03-04 DE DEJ19533A patent/DE1197723B/de active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3518134A (en) * | 1967-08-14 | 1970-06-30 | Stanford Research Inst | Gaseous etching of molybdenum |
DE3210044A1 (de) * | 1981-03-20 | 1982-09-30 | Sony Corp., Tokyo | Schalterbetaetigungsfeld |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE2624832C3 (de) | Verfahren zum Herstellen von Lackmustern | |
DE2628099A1 (de) | Verfahren zum herstellen einer maske | |
DE3039110C2 (de) | ||
DE10051890A1 (de) | Halbleiterwaferteilungsverfahren | |
DE2754396A1 (de) | Verfahren zum herstellen von duennfilmmustern | |
EP0003276B1 (de) | Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung von Durchbrüchen (Löchern) in Glasplatten, vorzugsweise mit feinsten Strukturen | |
DE2024608C3 (de) | Verfahren zum Ätzen der Oberfläche eines Gegenstandes | |
DE1771950B1 (de) | Verfahren zum partiellen aetzen von chrom insbesondere zur herstellung photolithographischer masken | |
DE2532048A1 (de) | Verfahren zum herstellen eines mit oeffnungen versehenen werkstuecks | |
DE3337300A1 (de) | Verfahren zum herstellen integrierter halbleiterschaltkreise | |
DE1197723B (de) | Verfahren zur Herstellung von Masken fuer die Massenherstellung von Halbleiter-bauelementen | |
DE1765608B1 (de) | Verfahren zum entfernen einer schichtfoermigen auflage von der oberflaeche eines werkstuecks | |
DE2452326A1 (de) | Verfahren zur herstellung einer aetzmaske mittels energiereicher strahlung | |
DE2225366A1 (de) | Verfahren zum Entfernen von Vor Sprüngen an Epitaxie Schichten | |
DE3225206C1 (de) | Verfahren zum einseitigen Ätzen von Platten | |
DE1546014A1 (de) | Verfahren zum AEtzen von Metallschichten mit laengs der Schichtdicke unterschiedlicher Zusammensetzung | |
EP0168706A1 (de) | Verfahren zum Herstellen von masshaltigen Titanstrukturen | |
DE893147C (de) | Verfahren und Apparat zur Tiefaetzung, vorzugsweise von Klischees | |
DE1644012B2 (de) | Verfahren zum eindiffundieren von dotierungsstoff aus der gasphase in eine lokal mit einer siliciumnitridschicht maskierte halbleiteroberflaeche | |
DE3618768C1 (en) | Process for producing punching steel sheets, in particular paper-punching steel sheets | |
DE19609202B4 (de) | Photomaske zur Strukturierung einer Supraleiterschicht, Supraleiterschicht und Verfahren zur Bestimmung des Ausmaßes einer Unterätzung bei der Strukturierung einer Supraleiterschicht | |
DE1154327B (de) | Verfahren zur Herstellung von Mikromasken | |
DE478776C (de) | Verfahren zur Herstellung bildrichtiger Druckformen mit Hilfe von Halogensilber-Kolloidschichten | |
DE2558335C3 (de) | Verfahren zum Ätzen von Öffnungen in dünnen Metallbändern | |
DE3138362C2 (de) |