DE1194506B

DE1194506B - Semiconductor arrangement with flat contact electrodes

Info

Publication number: DE1194506B
Application number: DET20218A
Authority: DE
Inventors: Dr Rer Nat Joachim Thuy
Original assignee: Telefunken Patentverwertungs GmbH
Current assignee: Telefunken Patentverwertungs GmbH
Priority date: 1961-05-27
Filing date: 1961-05-27
Publication date: 1965-06-10

Description

Halbleiteranordnung mit flächenhaften Kontaktelektroden Die Kontaktierung von Halbleiteranordnungen, wie z.B. Transistoren oder Dioden, erfolgt in der Praxis mit Hilfe von Drähten oder bändchenförmigen Elektrodenzuleitungen, die beispielsweise bei legierten Halbleiteranordnungen mit den Emitter-, Kollektor- oder auch Basiskontaktelektroden verlötet werden. Vielfach benutzt man aber auch zur Herstellung einer elektrischen Verbindung mit den Elektroden der Halbleiteranordnungen kleine Blechstreifen. Es werden auch bereits Blechstreifen verwendet, die mit Legierungskontaktelektroden verlötet und an der Kontaktierungsstelle abgewinkelt sind.Semiconductor arrangement with planar contact electrodes The contacting of semiconductor arrangements, such as transistors or diodes, takes place in practice with the help of wires or ribbon-shaped electrode leads, for example in alloyed semiconductor arrangements with the emitter, collector or base contact electrodes be soldered. In many cases, however, it is also used to produce an electrical one Connection with the electrodes of the semiconductor arrangements are small metal strips. It sheet metal strips with alloy contact electrodes are also already used are soldered and angled at the contact point.

Die Erfindung besteht bei einer solchen Halbleiteranordnung mit flächenhaften Kontaktelektroden darin, daß die Abnahmeelektroden streifenförmig und in sich verdreht ausgebildet sind und daß sie mit ihrer Schmalseite auf einer Kontaktelektrode und mit ihrer Breitseite auf einer flächenhaften Unterlage aufliegen.The invention consists in such a semiconductor arrangement with planar Contact electrodes in that the pick-up electrodes are twisted in a strip-like manner are formed and that they are with their narrow side on a contact electrode and lie with their broad side on a flat surface.

Eine solche Kontaktierung von Halbleiteranordnungen ist vor allem dann vorteilhaft, wenn die Abnahmeelektrode mit einer Schicht aus Legierungsmaterial versehen ist, so daß beim Befestigen der Abnahmeelektrode gleichzeitig die Kontaktelektrode durch Legierung entsteht.Such contacting of semiconductor arrangements is above all advantageous when the pickup electrode is covered with a layer of alloy material is provided so that when attaching the pickup electrode at the same time the contact electrode created by alloy.

Es empfiehlt sich, Abnahmeelektroden zu verwenden, die um 90° in sich verdreht sind. In manchen Fällen kann es auch vorteilhaft sein, mehrere Teilstücke der Abnahmeelektroden gegeneinander zu verdrehen.It is recommended to use pick-up electrodes that are 90 ° in are twisted. In some cases it can also be advantageous to have several sections to twist the pick-up electrodes against each other.

Es ist vorteilhaft, die Schmalseite der Abnahmeelektroden mit den Kontaktelektroden zu verlöten, dies empfiehlt sich vor allem bei legierten Elektroden.It is advantageous to connect the narrow side of the pick-up electrodes with the Soldering contact electrodes, this is particularly recommended for alloyed electrodes.

Zur Erleichterung des Ätzprozesses bzw. der Maskierung der Halbleiteroberfläche bei einer auf Teilflächen der Halbleiteroberfläche beschränkten Ätzung empfiehlt es sich, die streifenförmigen Abnahmeelektroden im Bereich der Kontaktierungsstelle zu verjüngen. Dies kann beispielsweise durch schräges Abschneiden mit einer geeigneten Schere erfolgen.To facilitate the etching process or the masking of the semiconductor surface recommended for etching limited to partial areas of the semiconductor surface the strip-shaped pick-up electrodes in the area of the contacting point to rejuvenate. This can be done, for example, by cutting at an angle with a suitable Scissors done.

Die Verwendung von in sich verdrehten Abnahmeelektroden ist lediglich bei Spitzentransistoren bekannt. Dagegen ist es nicht bekannt, mit solchen Abnahmeelektroden flächenhafte, jedoch auf einen kleinen Bereich beschränkte Kontaktelektroden bei Anordnungen vom Flächentyp zu kontaktieren.The use of twisted pickup electrodes is only known for tip transistors. In contrast, it is not known to use such pick-up electrodes flat but limited to a small area contact electrodes Contact arrangements of the area type.

Die Erfindung wird im folgenden am Beispiel eines Mesatransistors näher erläutert.The invention is illustrated below using the example of a mesa transistor explained in more detail.

Ein Mesatransistor besteht gemäß der Figur beispielsweise aus einem Germaniumscheibchen 1., aus dem in der Mitte ein Steg 2 herausgeätzt ist. Das Germaniumscheibchen liegt in der Mulde der Keramikscheibe 3. Die Kontaktierung dieses Steges, der im Ausführungsbeispiel mit einer vordiffundierten Basisschicht 4 versehen ist,- erfolgt mit Hilfe von in sich verdrehten Blechstreifen 5 und 6, die aus vorverbleiten oder vorverzinnten Blechen bestehen. Diese Bleche sind in sich um 90° tordiert und liegen mit der Breitseite auf den Stützflächen 7 der Keramikscheibe 3 auf, während ihre Schneidkanten senkrecht auf dem Steg des Germaniumscheibchens stehen.According to the figure, a mesa transistor consists, for example, of one Germanium disc 1, from which a web 2 is etched out in the middle. The germanium disc lies in the hollow of the ceramic disc 3. The contacting of this web, which is in the Embodiment is provided with a prediffused base layer 4, - takes place with the help of twisted sheet metal strips 5 and 6, which are pre-leaded or pre-tinned sheets exist. These sheets are twisted by 90 ° and lie with the broad side on the support surfaces 7 of the ceramic disc 3, while their The cutting edges are perpendicular to the web of the germanium disc.

Die Kontaktierung gestaltet sich dann besonders einfach, wenn auf den Blechstreifen an der Schneidkante eine definierte Menge Legierungsmaterial aufgebracht wird. In diesem Fall erübrigt sich eine Pillenlegierung, die normalerweise der Befestigung der Elektrodenzuleitungen vorausgeht, da die Legierungszonen gleichzeitig mit der Kontaktierung entstehen.The contact is then particularly easy when on A defined amount of alloy material is applied to the sheet metal strip at the cutting edge will. In this case, there is no need for a pill alloy that normally fixes it the electrode leads precedes, since the alloy zones simultaneously with the Contacting arise.

In Übereinstimmung damit empfiehlt es sich, eine der Elektrodenzuleitungen an der Schneidkante mit einem Überzug von Störstellenmaterial zu versehen, welches den entgegengesetzten Leitungstyp im Mesasteg hervorruft. Die Einlegierung eines solchen Elektrodenbleches 5 in den Mesasteg 2 ergibt dann eine in die diffundierte Basiszone 4 einlegierte Emitterzone. Durch das zweite Elektrodenblech 6 wird dagegen ein nicht sperrender Kontakt mit dem Mesasteg hergestellt, der zur Kontaktierung der Basiszone dient. Bei Verwendung von Elektrodenblechen mit aufgebrachten Legierungsmaterial erfolgen somit Legierung und Kontaktierung in einem Arbeitsgang.In accordance with this, it is recommended to use one of the electrode leads to provide a coating of impurity material on the cutting edge, which causes the opposite type of conduction in the mesa bridge. The inlay of a such electrode sheet 5 in the mesa web 2 then results in a diffused into the Base zone 4 alloyed emitter zone. By contrast, the second electrode sheet 6 a non-blocking contact is made with the mesa bar, which is used for contacting serves as the base zone. When using electrode sheets with applied alloy material alloying and contacting thus take place in one operation.

Die streifenförmigen Elektrodenzuleitungen 5 und 6 sind im Bereich der Auflagefläche auf dem Mesasteg stark verjüngt, wie aus der Figur hervorgeht. Diese Verjüngung wird durch entsprechendes Zuschneiden der Elektrodenzuleitungen mit Hilfe einer Schere erzielt.The strip-shaped electrode leads 5 and 6 are in the area the contact surface on the mesa web is strongly tapered, as can be seen from the figure. This taper is made by cutting the electrode leads accordingly achieved with the help of scissors.

Es besteht natürlich auch die Möglichkeit, die Elektrodenzuleitungen im Gegensatz zum Ausführungsbeispiel, bei dem nur zwei Teilstücke der Elektrodenzuleitungen gegeneinander verdreht sind, mehrmals in sich zu verdrehen.Of course, there is also the option of connecting the electrode leads in contrast to the exemplary embodiment, in which only two sections the electrode leads are twisted against each other, to twist several times in itself.

Claims

Claims: 1. Semiconductor arrangement with planar contact electrodes, in particular flat transistor or flat diode, characterized in that the pickup electrodes are strip-shaped and twisted and that it with its narrow side on a contact electrode and with its broad side on rest on a flat surface.

2. Semiconductor arrangement according to claim 1, characterized in that the pick-up electrodes are twisted by 90 ° C.

3. Semiconductor arrangement according to claim 1 or 2, characterized in that several Sections of the pickup electrodes are twisted against each other.

4. Semiconductor device according to one of claims 1 to 3, characterized in that the pick-up electrodes are provided with a layer of alloy material.

5. Semiconductor device according to one of claims 1 to 4, characterized in that the narrow side of the pick-up electrodes is soldered to the contact electrodes.

6. Semiconductor arrangement according to one of the claims 1 to 5, characterized in that the strip-shaped pick-up electrodes in the area the contact point are tapered. Publications considered: German U.S. Patent No. 896,392; British Patent No. 674 283.