DE1805708U - SEMI-CONDUCTOR ARRANGEMENT. - Google Patents

SEMI-CONDUCTOR ARRANGEMENT.

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DE1805708U DET10693U DET0010693U DE1805708U DE 1805708 U DE1805708 U DE 1805708U DE T10693 U DET10693 U DE T10693U DE T0010693 U DET0010693 U DE T0010693U DE 1805708 U DE1805708 U DE 1805708U
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"Halbleiteranordnung" : z s : = : = : = : s : = : == : : = : ======= : === : = : Die Neuerung betrifft eine Halbleiteranordnung, insbesondere Mesatransistor, bei der die Flächenbegrenzung der Kollektor- sperrschicht durch Ätzeinwirkung erfolgt."Semiconductor device" : zs: =: =: =: s: =: ==:: =: =======: ===: =: The innovation relates to a semiconductor arrangement, in particular Mesatransistor, in which the area limitation of the collector barrier layer takes place through the action of etching.

Unter der Bezeichnung"Mesatransistor"versteht man bekanntlich eine Halbleiteranordnung, bei der die Basiszone durch Eindiffusion kontrastierender Störstellen hergestellt und die Ausdehnung der Kollektorsperrschicht durch einen ätzprozeß bestimmt wird. Da eine Plächenbegrenzung bei Diffusionsvorgängen nicht oder nur schwer möglich ist, muß die durch Diffusion entstandene Sperrschicht, die in ihrer Größe zunächst der Kristallausdehnung entspricht, aus Kapazitätsgründen in ihrer Flächenausdehnung begrenzt werden, Eine solche Begrenzung erzielt man bekanntlich durch Einwirkung eines Ätzmittels, wobei der nicht abzuätzende Teil durch geeignete Mittel abgedeckt wird ; zur Abdeckung der nicht abzuätzenden Teile eignen sich z. B. Paraffine. Bei den für "Mesatransistoren"gebrechlichen Abmessungen ist aber eine Begrenzung des nicht abzuätzenden Teiles sehr schwierig, da die kleinen Abmessungen eine Abdeckung erschweren Gemäß der Neuerung wird nun vorgeschlagen, daß ein Ringbasisanschluß aus säurebeständigem Material verwendet wird, dessen Außendurchmesser die Größe der Kollektorsperrschicht bestimmt.As is well known, the term "mesa transistor" is understood to mean a Semiconductor arrangement in which the base zone is formed by diffusion of contrasting impurities produced and the expansion of the collector barrier layer determined by an etching process will. Since a surface limitation in diffusion processes is not possible or only with difficulty is, the barrier layer created by diffusion must first of all be larger in size corresponds to the size of the crystal, for reasons of capacity in terms of its surface area It is well known that such a limitation is achieved through action an etchant, the part not to be etched being covered by suitable means will ; to cover the parts not to be etched are e.g. B. Paraffins. at the fragile dimensions for "mesa transistors" is a limitation of the not to be etched part very difficult because the small dimensions make a cover difficult According to the innovation, it is now proposed that a ring base connection Made of acid-proof material, the outer diameter of which is the size the collector barrier layer.

Die Neuerung bringt den Vorteil, daß der Basisanschluß zugleich als Ätzbegrenzung dient und somit eine Abdeckung nicht mehr erforderlich ist. Andererseits hat ein Ringbasisanschluß auch bei "Mesatransistoren"den von anderen Anordnungen bereits bekannten Vorteil geringen Basiswiderstandes und wirkt sich daher vorteilhafter aus als der bisher bei"Mesatransistoren"übliche Basisanschluß, der darin besteht, daß der Basisstreifen bzw. die Legierungskontakte sperrschichtfrei auf die Halbleiteroberfläche aufgebracht werden. Natürlich muß der Pingbmsanschluß dann aus einem Material bestehen, welches von den üblichen Ätzmitteln nicht angegriffen wird. Ein geeignetes Material ist z. B. Gold, welches zur Erzielung eines niedrigen Basiswiderstandes bei n-Halbleiterkristallen beispielsweise mit Antimon und bei p-Halbleiterkristallen mit Galliunn i ert ist.The innovation has the advantage that the base connection is also used as a Etch limitation is used and thus a cover is no longer required. on the other hand a ring base connection also has that of other arrangements with "mesa transistors" already known advantage of low base resistance and is therefore more advantageous than the base connection that has been customary for "mesa transistors" up to now, which consists of that the base strip or the alloy contacts on the semiconductor surface without a barrier layer be applied. Of course, the pingbms connection must then consist of a material which is not attacked by the usual caustic agents. A suitable material is z. B. Gold, which is used to achieve a low base resistance in n-type semiconductor crystals for example with antimony and in p-semiconductor crystals with Galliunn i ert.

Wird die Verbindung zwischen Basisring und Halbleiterkörper nicht durch Thermokompression, sondern durch Legieren hergestellt, so muß allerdings ein Ring verwendet werden, der nur oberflächlich mit einer Goldschicht versehen ist. Ein Basisring ganz aus Gold würde den Nachteil haben, daß beim Legierungsprozess zuviel Halbleitermaterial gelöst wird. Als Drahtkern eignen sich z. B.The connection between the base ring and the semiconductor body will not produced by thermocompression, but by alloying, so must be a Ring can be used, which is only superficially provided with a gold layer. A base ring all off Gold would have the disadvantage of being in the alloying process too much semiconductor material is dissolved. As a wire core z. B.

Molybdän, Aluminium oder Nickel.Molybdenum, aluminum or nickel.

Die Neuerung soll an einem Ausführungsbeispiel näher erläutert werden. . Die Figur'zeigt einen"Mesatransistor"mit einem ringförmigen Basisanschluß 1. Der Anschluß ist, wie Fig. 2 zeigt, durch eine ! l an vier Stellen (S) erfolgste Thermokompression auf die eindif- fundierte Schichtjsperrschichtfrei aufgebracht. Da das Halblei- tergrundmaterial 2 im Ausführungsbeispiel aus p-Material bestehen soll und die eindiffundierte Schicht 3 aus n-Material, ist der aus Gold bestehende Basisring 1 mit Antimon dotiert. Die Ätzabtragung erfolgt entlang den @ Linien 4. Um die Innenfläche des Goldringes vor einem Ätzangriff zu schützen, muß nach Anbringung des Goldbasisringes die Innenfläche des Ringes mit Picíin ausgegossen werden. Der Kollektoranschluß 5 ist ein Legierungskontakt, der durch die dünne eindiffundierte n-Schicht durchlegiert ist und das p-Material sperrschichtfrei kontaktiert. Der Emitter 6 ist konzentrisch in der Mitte des Basisringes 1 angeordnet und stellt ebenfalls einen Legierungskon- takt dar, der allerdings die Basiszone nirh+ enerischichtfrei kontaktiert, sondern dr'ri ist, daß ? ir' r : sehen Emitter-und Basistone erforderliche Sperrschicht ergibt.The innovation is to be explained in more detail using an exemplary embodiment will. . The figure shows a "mesa transistor" with an annular Base connection 1. The connection is, as FIG. 2 shows, through a ! l at four points (S) the most successful thermocompression on the dif- Well-founded layer-barrier-free applied. Since the semi- If the base material 2 in the exemplary embodiment is to consist of p-material and the diffused-in layer 3 consists of n-material, the base ring 1 made of gold is doped with antimony. The etching is removed along the @ lines 4. In order to protect the inner surface of the gold ring from etching, the inner surface of the ring must be filled with picin after the gold base ring has been attached. The collector connection 5 is an alloy contact which is alloyed through through the thin diffused n-layer and makes contact with the p-material without a barrier layer. The emitter 6 is arranged concentrically in the middle of the base ring 1 and also represents an alloy con- takt, which, however, has no + energy layer in the base zone contacted but dr'ri is that? ir 'r: see emitter and base tone results in required barrier layer.

Da es sich beim Mesatransistor um einen Hochfrequenztransistor handelt, hat die n-Diffusionsschicht 3 ein Leitfähigkeitsgefälle.Since the mesa transistor is a high frequency transistor, the n-diffusion layer 3 has a conductivity gradient.

Um eine Vorstellung von den gebräuchlichen Abmessungen zu erhalten, sei noch angeführt, dar der Außendurchmesser des Basisringanschlusses beispielsweise 360/u betragen kann. Die inmitten des Basisringanschlusses befindliche Emitterlegierungspille hat einen Durchmesser von etwa 100, u. Der Durchmesser des verwendeten den Drahtes beträgt 50/u und die in/etwa 100 m starken Halbleiterkörper eindiffundierte Schicht hat im Ausführungsbeispiel eine Tiefe von 8 u.To get an idea of the common dimensions, it should also be mentioned that the outer diameter of the base ring connection is for example Can be 360 / u. The emitter alloy pill located in the middle of the base ring connector has a diameter of about 100 u. The diameter of the wire used is 50 / u and the layer diffused into / about 100 m thick semiconductor body has a depth of 8 u in the embodiment.

Claims (7)

S c h u t z a n s p r ü c h e
1) Halbleiteranordnung, insbesondere Mesatransistor, bei der die Flächenbegrenzung der Kollektorsperrschicht durch Ätzeinwirkung erfolgt, gekennzeichnet durch die Verwendung eines aus säurebeständigem Material bestehenden Ringbasisanschlußes, dessen Außendurchmesser die Größe der Hollektorsperrschicht bestimmt. Protection claims
1) Semiconductor arrangement, in particular mesa transistor, in which the area of the collector barrier layer is delimited by the action of etching, characterized by the use of a ring base connection made of acid-resistant material, the outer diameter of which determines the size of the collector barrier layer. 2) Halbleiteranordnung nach Anspruch 1, : dadurch gekennzeichnet, daß der Ringbasisanschluß durch Thermokompression mit dem Halbleiter verbunden ist.2) semiconductor arrangement according to claim 1, characterized in, that the ring base terminal is connected to the semiconductor by thermocompression. 3) Halbleiteranordnung nach den Ansprüchen 1 und 2, dadurch ge- kennzeichnet, daß der Ringb'="''r<''h'''' ?. R an mindestens drei Stel-
len mit dem Halbleiter verbunden ist. 3) semiconductor arrangement according to claims 1 and 2, characterized in indicates that the ringb '= "''r<''h''''?. R in at least three places
len is connected to the semiconductor. 4) Halbleiteranordnung nach den Ansprüchen 1 bis 3, dadurch kennzeichnet, daß der Ringbasisanschluß aus Gold bent.4) semiconductor arrangement according to claims 1 to 3, characterized in that the ring base connection made of gold bent. 5) Halbleiteranordnung nach den Ansprüchen 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß dem Gold zur Erzielung eines sperrschichtfreien Kontaktes entsprechend dem Leitfähigkeitstyp des Halbleiterkörpers Gallium oder Antimon zugesetzt ist.5) semiconductor arrangement according to claims 1 to 4, characterized in that that the gold to achieve a barrier layer-free contact according to the conductivity type of the semiconductor body gallium or antimony is added. 6) Halbleiteranordnung nach Anspruch'1, dadurch gekennzeichnet, daß der Ringbasisansuhluß durch Legieren mit dem Halbleiter verbunden ist.6) Semiconductor arrangement according to Claim 1, characterized in that that the ring base compound is bonded to the semiconductor by alloying. 7) Halbleiteranordnung nach den Ansprüchen 1 und 6, dadurch gekennzeichnet, daß der Ringbasisanschluß aus einem mit Gold überzogenen Draht besteht. 8) Halbleiteranordnung nach den jsprüchen 1, 6 und 7 : "urch gekennzeichnet, daß der Draht aus Molybdän, Aluminium oder -.'1'-'- besteht.
7) Semiconductor arrangement according to claims 1 and 6, characterized in that the ring base connection consists of a wire coated with gold. 8) Semiconductor arrangement according to claims 1, 6 and 7: "urch characterized that the wire is made of molybdenum, aluminum or -. '1'-'- consists.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1151323B (en) * 1959-08-11 1963-07-11 Rca Corp Semiconductor component with a disk-shaped semiconductor body with at least one plateau-like elevation and method for its production

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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DE1151323B (en) * 1959-08-11 1963-07-11 Rca Corp Semiconductor component with a disk-shaped semiconductor body with at least one plateau-like elevation and method for its production

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