DE1190678B - Piezowiderstands-Material - Google Patents

Piezowiderstands-Material

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Publication number
DE1190678B
DE1190678B DEW32458A DEW0032458A DE1190678B DE 1190678 B DE1190678 B DE 1190678B DE W32458 A DEW32458 A DE W32458A DE W0032458 A DEW0032458 A DE W0032458A DE 1190678 B DE1190678 B DE 1190678B
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
piezoresistive
silicon
germanium
composition
piezoresistance
Prior art date
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Pending
Application number
DEW32458A
Other languages
English (en)
Inventor
William Gardner Pfann
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
AT&T Corp
Original Assignee
Western Electric Co Inc
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Filing date
Publication date
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    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C22METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
    • C22CALLOYS
    • C22C28/00Alloys based on a metal not provided for in groups C22C5/00 - C22C27/00
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11BINFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B5/00Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
    • G11B5/02Recording, reproducing, or erasing methods; Read, write or erase circuits therefor
    • G11B5/09Digital recording
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03KPULSE TECHNIQUE
    • H03K17/00Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
    • H03K17/04Modifications for accelerating switching

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  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Pressure Sensors (AREA)

Description

  • Piezowiderstands-Material Die Erfindung betrifft ein neues Piezowiderstands-Material, welches eine wertvolle und unerwartete Piezowiderstands-Empfindlichkeit hat. Dieses Material eignet sich insbesondere für Vorrichtungen zur Belastungsmessung und Belastungsanzeige.
  • Bei den herkömmlichen bekannten Piezowiderstands-Halbleitern handelt es sich um Einkristallkörper, welche anisotrope Piezowiderstands-Wirkungen haben und somit entsprechend einervorgeschriebenenkristallographischen Orientierung benutzt werden, die so gewählt ist, daß einhoher Piezowiderstands-Koeffizient besteht. Vorrichtungen, die solche herkömmlichen Materialien verwenden, müssen daher kristallographisch in genauer Weise orientiert sein, um die gewünschte Empfindlichkeit zu erhalten. Da polykristalline Körper aus solchen Materialien unregelmäßig orientiert sind, so hat in der einschlägigen Technik die Auffassung bestanden, daß polykristalline Materialien eine allgemein geringfügige oder nutzlose Piezowiderstands-Charakteristik haben.
  • Es ist nunmehr ein Halbleitermaterial gefunden, welches im wesentlichen isotropen Piezowiderstand aufweist. Bei Verwendung dieses neuen Piezowiderstands-Materials braucht auf die Kristallorientierung gar nicht mehr geachtet zu werden; jeder Kristallschnitt kann mit gleichem Vorzug Verwendung finden. Darüber hinaus sind polykristalline Körper aus diesem Material ebenso wirksam wie Körper aus Einkristall, und beide Arten ergeben eine bedeutsame isotrope Piezowiderstands-Empfindlichkeit.
  • Bei dem erfindungsgemäßen Piezowiderstands-Material handelt es sich um die Halbleiterlegierung mit n-Typ-Leitfähigkeit aus 13 bis 19 % Silizium, Rest Germanium. Bei diesen und allen folgenden Prozentangaben handelt es sich um Atomprozente.
  • Die für die Erfindung bevorzugte Piezowiderstands-Zusammensetzung ist angenähert 16,6 % Silizium und 83,40/0 Germanium. Diese Zusammensetzung liefert eine ungewöhnliche Isotropie und besitzt die folgenden Piezowiderstands-Koeffizienten.
    .Zllll - Q11 = -50 - 10-12 dyn/Cm2,
    1T1122 =Z12 = -I-23 - 10-12 dyn/cm2,
    A212 = 1744 = -67 ' 10-12 dyn/cm2.
    Es können jedoch Abweichungen von dieser optimalen Zusammensetzung in jeder Richtung vorgenommen werden, ohne daß die Vorteile der vorliegenden Erfindung verlorengehen. Beispielsweise bleiben bei einer Zusammensetzung aus 19 % Silizium und 81% Germanium oder bei der Zusammensetzung von 13 % Silizium und 87 % Germanium mehr als 50 0/0 der Isotropie erhalten. Bei 18% Silizium und 820/0 Germanium oder bei 1501, Silizium und 85% Germanium bleiben mehr als 60 % der Isotropie erhalten. Demgemäß soll die Erfindung Piezowiderstands-Zusammensetzungen mit 13 bis 19 % Silizium und Rest Germanium und vorzugsweise 15 bis 18 % Silizium, Rest Germanium, umfassen.
  • Theoretisch wird jede Zusammensetzung mit spezifischem n-Typ-Widerstand für die Zwecke der Erfindung brauchbar sein. Es ist jedoch für eine konsistente und vorausbestimmbare Empfindlichkeit wünschenswert, einen spezifischen Widerstandswert zu haben, welcher einen n-Typ-Leitmechanismus gewährleistet.
  • Demgemäß umfaßt der bevorzugte Bereich spezifische Widerstandswerte zwischen 0,005 und 20 Ohm - cm.
  • Die in diese Bereiche fallenden Legierungszusammensetzungen können nach irgendeiner geeigneten, an sich bekannten Technik hergestellt werden.
  • Die Zusammensetzungen nach vorliegender Erfindung sind insbesondere gut geeignet zur Verwendung in Halbleiter-Lastelementen oder Belastungsmessern. Ein spezielles Beispiel eines solchen Lastelements ist in der Zeichnung veranschaulicht. Die Zeichnung zeigt ein Piezowiderstands-Halbleiter-Lastelement unter Verwendung des neuen Piezowiderstands-Materials, welches das wesentliche Merkmal der Erfindung darstellt. Die Zeichnung veranschaulicht einen Körper 10, der unter Druckbeanspruchung steht, die von den Belastungsgliedern 11 und 12 ausgeübt wird. Um die Größe der Beanspruchung in dem Körper 10 oder das Ausmaß der Entspannung dieses Körpers unter einer ausgeübten Beanspruchung zu messen, ist ein Meßgerät 13 zwischen dem Prüfkörper und der Last angeordnet. Entsprechend der Erfindung ist das Meßgerät 13 aus der bereits erläuterten Halbleiter-Legierungszusammensetzung gewonnen. Die Hauptebenen des Meßkörpers sind von Metallkontakten 14 und 15 begrenzt, welche mit Zuführungen 16 und 17 ausgestattet sind, um die Piezowiderstands-Messung zu ermöglichen. Die Widerstandsänderung wird an dem Galvanometer 18 angezeigt oder registriert.
  • Ein Lastelement aus einem Kristall der Zusammensetzung aus 16,60/, Silizium und 83,40/, Germanium und mit den ungefähren Abmessungen von 1 - 1 - 0,1 cm liefert bei Anwendung entsprechend dem dargestellten Ausführungsbeispiel für alle Kristallschnitte im wesentlichen die gleiche Piezowiderstands-Empfindlichkeit. Eine n-Typ-Legierung mit dieser bevorzugten Zusammensetzung und einem spezifischen Widerstand von etwa 10 Ohm - cm zeigt eine parallel zur Beanspruchung gemessene Widerstandsänderung, die durch die folgende Gleichung wiedergegeben wird. wobei Q die Beanspruchungsgröße in dyn/cm2, P den Widerstand bei der Beanspruchung Null und de die Widerstandsänderung bedeutet. Diese Beziehung gilt für jede gewählte Kristallorientierung.
  • Für eine ähnliche Piezowiderstands-Vorrichtung, welche ein typisches bekanntes Piezowiderstands-Material enthält, z. B. p-Typ-Silizium, kann die Änderung der Piezowiderstands-Empfindlichkeit für zwei spezielle Beanspruchungsrichtungen aus folgenden Beziehungen entnommen werden. Mit anderen Worten: Lediglich durch die Änderung des Kristallschnittes von [100] zu [111] ergibt sich eine Änderung hinsichtlich der Piezowiderstands-Empfindlichkeit entsprechend einem Faktor 14: 1. Da es sich hierbei um eine Winkelabweichung von nur 54° handelt, so ist verständlich, daß der Kristallschnitt gewöhnlicher Piezowiderstands-Halbleiter äußerst kritisch ist.
  • Das erläuterte Ausführungsbeispiel betrifft eine Einkristall-Legierungs-Zusammensetzung. Es ist jedoch für den Fachmann klar, daß, da diese Zusammensetzung keine Piezowiderstands-Anisotropie besitzt, ein polykristalliner Körper die gleiche Piezowiderstands-Funktion ausübt und Koeffizienten der gleichen Größe liefert.

Claims (4)

  1. Patentansprüche: 1. Piezowiderstands-Element aus Halbleitermaterial mit isotropem Piezowiderstand, dadurch gekennzeichnet, daß das Halbleitermaterial aus einer Legierung von 13 bis 19 Atomprozent Silizium, Rest Germanium mit n-Typ-Leitfähigkeit besteht.
  2. 2. Piezowiderstands-Element nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Siliziumanteil 15 bis 18 Atomprozent beträgt..
  3. 3. Piezowiderstands-Element nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß es aus 16,6 Atomprozent Silizium und 83,4 Atomprozent Germanium besteht.
  4. 4. Halbleiterbelastungsmesser, gekennzeichnet durch seine Ausstattung mit einem Piezowiderstandselement nach einem der Ansprüche 1 bis 3.
DEW32458A 1962-06-20 1962-06-20 Piezowiderstands-Material Pending DE1190678B (de)

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