DE1188733B - Semiconductor arrangement cooled by a Peltier element - Google Patents

Semiconductor arrangement cooled by a Peltier element

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DE1188733B
DE1188733B DES71459A DES0071459A DE1188733B DE 1188733 B DE1188733 B DE 1188733B DE S71459 A DES71459 A DE S71459A DE S0071459 A DES0071459 A DE S0071459A DE 1188733 B DE1188733 B DE 1188733B
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DE
Germany
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peltier element
semiconductor arrangement
semiconductor
glass bulb
semiconductor device
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Pending
Application number
DES71459A
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German (de)
Inventor
Dr Rer Nat Walter Haenlein
Dipl-Ing Zoltan Egey
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Siemens AG
Original Assignee
Siemens AG
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Filing date
Publication date
Application filed by Siemens AG filed Critical Siemens AG
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    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/34Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
    • H01L23/38Cooling arrangements using the Peltier effect
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10NELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N10/00Thermoelectric devices comprising a junction of dissimilar materials, i.e. devices exhibiting Seebeck or Peltier effects
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00

Description

Durch ein Peltier-Element gekühlte Halbleiteranordnung Die Erfindung betrifft eine auf der Verbindungsbrücke der kalten Verbindungsstelle eines Peltier-Elements in gutem Wärmekontakt befestigte und mit dem Peltier-Element zusammen in einem Behälter untergebrachte Halbleiteranordnung.Semiconductor device cooled by a Peltier element. The invention relates to one on the connecting bridge of the cold junction of a Peltier element attached in good thermal contact and together with the Peltier element in a container housed semiconductor device.

Anordnungen dieser Art sind bekannt. Bei ihnen sind Halbleiter und Peltier-Element in elektrisches Isoliermaterial eingebettet und in einem Metallgehäuse untergebracht. Die elektrische Verbindungsbrücke des Peltier-Elements liegt unmittelbar an einer Elektrode des Halbleiters.Arrangements of this type are known. With them are semiconductors and Peltier element embedded in electrical insulating material and in a metal housing housed. The electrical connection bridge of the Peltier element lies directly at one electrode of the semiconductor.

Durch die Erfindung soll eine thermisch und elektrisch unabhängige Anordnung geschaffen werden. Dies wird dadurch erreicht, daß der Behälter ein evakuierter Glaskolben ist, dessen innere Oberfläche verspiegelt ist, daß die Halbleiteranordnung von dem Peltier-Element elektrisch isoliert ist, und daß die der Halbleiteranordnung durch das Peltier-Element entzogene Wärme über Steckerstifte des Glaskolbens an die Fassung weitergegeben und dort - gegebenenfalls über Kühler - abgegeben wird.The invention is intended to be thermally and electrically independent Arrangement are created. This is achieved by making the container an evacuated one Glass bulb, the inner surface of which is mirrored, that the semiconductor device is electrically isolated from the Peltier element, and that that of the semiconductor device Heat extracted by the Peltier element is applied to the plug pins of the glass bulb the version is passed on and delivered there - if necessary via cooler.

Die vorliegende Anordnung ist in konstruktiv einfacher Weise gegen thermische Beeinflussung geschützt, und zwar durch den evakuierten Glaskolben gegen Konvektionswärme und durch Innenverspiegelung des Glaskolbens gegen Strahlungswärme. Die elektrische Entkopplung der Kühlvorrichtung gegenüber dem zu kühlenden Schaltelement, das an vorgegebener Stelle in eine Schaltung zu fügen ist und dann ein bestimmtes Potential besitzt, wird durch eine Isolation zwischen Peltier-Element und Halbleiter bewirkt. Hierdurch erhält man ein Bauelement, das unabhängig von der Umgebung ist, in der es verwendet werden soll. Die durch das Peltier-Element entzogene Wärme wird in konstruktiv besonders einfacher Weise über Steckerstifte des Glaskolbens abgegeben. Die Stromversorgung des Peltier-Elements erfolgt in üblicher Weise.The present arrangement is against in a structurally simple manner Protected against thermal influences by the evacuated glass bulb Convection heat and by mirroring the inside of the glass bulb against radiant heat. The electrical decoupling of the cooling device from the switching element to be cooled, that is to be added to a given position in a circuit and then a specific one Potential is achieved by an insulation between the Peltier element and the semiconductor causes. This results in a component that is independent of the environment, in which it is to be used. The heat extracted by the Peltier element is given in a structurally particularly simple manner via plug pins of the glass bulb. The Peltier element is supplied with power in the usual way.

In F i g. 1 ist eine durch ein Peltier-Element gekühlte Halbleiterdiode und in F i g. 2 ein durch ein Peltier-Element gekühlter Transistor, beide als Ausführungsbeispiele gemäß der Erfindung, dargestellt.In Fig. 1 is a semiconductor diode cooled by a Peltier element and in FIG. 2 a transistor cooled by a Peltier element, both as exemplary embodiments according to the invention.

In F i g. 1 ist die Halbleiterdiode mit 1 bezeichnet; sie ist durch die Isolationsschicht 2 elektrisch getrennt von der Brücke 3 zwischen der kalten Verbindungsstelle des Peltier-Elements. Das Peltier-Element besteht in diesem Beispiel aus zwei Halbleiterschenkeln 4 und 4'. Diese ganze Anordnung ist in einen Glaskolben 5 mit Fuß und Steckerstiften 6 und 9 eingeschmolzen. Der Kolben 5 trägt innen eine Verspiegelung 7. Mit 8 und 8' sind Verbindungsleitungen zur Diode bezeichnet, die zu den äußeren Steckerstiften 9 führen, während in diesem Ausführungsbeispiel das Peltier-Element unmittelbar auf den inneren (mittleren) Steckerstiften 6 aufgebaut ist. Der Kolben 5, in die die Halbleiteranordnung und das Peltier-Element eingebaut sind, wird durch einen nicht gezeigten Pumpstengel evakuiert und dann abgeschmolzen.In Fig. 1, the semiconductor diode is denoted by 1; she is through the insulation layer 2 electrically separated from the bridge 3 between the cold Connection point of the Peltier element. The Peltier element consists in this example from two semiconductor legs 4 and 4 '. This whole arrangement is in a glass flask 5 with foot and connector pins 6 and 9 melted down. The piston 5 carries an inside Mirror coating 7. With 8 and 8 'connecting lines to the diode are referred to, the lead to the outer connector pins 9, while in this embodiment the Peltier element built directly on the inner (middle) connector pins 6 is. The piston 5, in which the semiconductor device and the Peltier element are installed is evacuated through an exhaust tube (not shown) and then melted off.

In F i g. 2 ist ein durch ein Peltier-Element gekühlter Transistor dargestellt. Mit 11 ist der Transistor bezeichnet. Die Bezugszeichen 2, 3, 4, 5, 6, 7 und 9 haben dieselbe Bedeutung wie in F i g.1. Mit 8, 8' und 12 sind Zuleitungen vom Transistor zu den drei Steckerstiften 9, 9 und 13 bezeichnet.In Fig. 2 is a transistor cooled by a Peltier element shown. The transistor is denoted by 11. The reference numerals 2, 3, 4, 5, 6, 7 and 9 have the same meaning as in Fig. 1. With 8, 8 'and 12 are supply lines from the transistor to the three connector pins 9, 9 and 13.

Claims (3)

Patentansprüche: 1. Auf der Verbindungsbrücke der kalten Verbindungsstelle eines Peltier-Elements in gutem Wärmekontakt befestigte und mit dem Peltier-Element zusammen in einem Behälter untergebrachte Halbleiteranordnung, insbesondere ein Transistor, dadurch gekennzeichnet, daß der Behälter ein evakuierter Glaskolben ist, dessen innere Oberfläche verspiegelt ist, daß die Halbleiteranordnung von dem Peltier-Element elektrisch isoliert ist und daß die der Halbleiteranordnung durch das Peltier-Element entzogene Wärme über Steckerstifte des Glaskolbens an die Fassung weitergegeben und dort - gegebenenfalls über Kühler- abgegeben wird`. Claims: 1. On the connecting bridge of the cold junction of a Peltier element in good thermal contact and attached to the Peltier element Semiconductor arrangement housed together in a container, in particular a Transistor, characterized in that the container is an evacuated glass bulb whose inner surface is mirrored that the semiconductor device of the Peltier element is electrically isolated and that the semiconductor device through the Peltier element withdrawn Heat through the plug pins of the glass bulb is passed on to the socket and delivered there - if necessary via a cooler. 2. Halbleiteranordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das Peltier-Element vom Betriebsstrom der Halbleiteranordnung durchflossen wird. 2. Semiconductor arrangement according to claim 1, characterized in that the Peltier element is traversed by the operating current of the semiconductor arrangement. 3. Halbleiteranordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß -das Peltier-Element von einem Hilfsstrom durchflossen wird. In Betracht gezogene Druckschriften: Deutsche Auslegeschriften Nr.1006 531, 1080690. 3. Semiconductor arrangement according to claim 1, characterized in that an auxiliary current flows through the Peltier element. Considered publications: German Auslegeschriften Nos. 1006 531, 1080690.
DES71459A 1960-11-29 1960-11-29 Semiconductor arrangement cooled by a Peltier element Pending DE1188733B (en)

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Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1006531B (en) * 1954-07-29 1957-04-18 Gen Electric Asymmetrically conductive semiconductor device
DE1080690B (en) * 1956-12-31 1960-04-28 Minnesota Mining & Mfg Cooling device for a temperature-sensitive crystal arrangement accommodated within a housing

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1006531B (en) * 1954-07-29 1957-04-18 Gen Electric Asymmetrically conductive semiconductor device
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