DE112021003777T5 - Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterelements - Google Patents

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Abstract

Das Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterelements umfasst einen Laserbearbeitungsschritt, bei dem ein Konvergenzpunkt aus Laserlicht in einem Objekt gebildet wird, das einen Halbleiter enthält, und der Konvergenzpunkt wird in Bezug auf das Objekt entlang einer Linie relativ bewegt, die sich in einer kreisförmigen Form erstreckt, wenn man sie von einer Z-Richtung aus betrachtet, die sich mit einer Einfallsfläche des Laserlichts in dem Objekt schneidet, um dadurch einen modifizierten Bereich und einen Riss, der sich von dem modifizierten Bereich entlang der Linie in dem Objekt erstreckt, zu bilden; und einen Trennschritt, bei dem nach dem Laserbearbeitungsschritt ein Teil des Objekts unter Verwendung des modifizierten Bereichs und des Risses als eine Grenze getrennt wird, wodurch ein Halbleiterelement aus dem Objekt gebildet wird.

Description

  • Technisches Gebiet
  • Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterelements.
  • Stand der Technik
  • In der Patentliteratur 1 wird eine Laservereinzelungsvorrichtung beschrieben. Die Laservereinzelungsvorrichtung umfasst einen Tisch, der einen Wafer bewegt, einen Laserkopf, der den Wafer mit Laserlicht bestrahlt, und eine Steuereinheit, die jede Einheit steuert. Der Laserkopf umfasst eine Laserlichtquelle, die Bearbeitungslaserlicht zur Bildung eines modifizierten Bereichs innerhalb des Wafers aussendet, einen dichroitischen Spiegel und eine Konvergenzlinse, die nacheinander auf einem optischen Pfad des Bearbeitungslaserlichts angeordnet sind, und eine AF-Vorrichtung.
  • Zitationsliste
  • Patentliteratur
    • Patentliteratur 1: Japanisches Patent Nr. 5 743 123
    • Patentliteratur 2: Ungeprüfte japanische Patentveröffentlichung Nr. 2006- 24 840
  • Zusammenfassung der Erfindung
  • Technisches Problem
  • Auf dem oben beschriebenen Wafer kann eine Abschrägung Am außenumfangsabschnitt gebildet werden, zum Beispiel, um den Wafer zu halten und gleichzeitig die Vorder- und Rückseiten beim Transport zu schützen. In der Patentliteratur 2 wird ein Verfahren zum Anfasen eines GaP-Wafers beschrieben. Bei diesem Verfahren wird ein scheibenförmiger Diamantschleifstein mit einer Schleifnut an der Außenkante mit hoher Geschwindigkeit gedreht, und der GaP-Wafer wird mit niedriger Geschwindigkeit gedreht, während der Randendabschnitt der Seitenfläche des GaP-Wafers in Kontakt mit der Nut des Diamantschleifsteins gebracht wird, wodurch der Randendabschnitt geschliffen wird. Daher ist es üblicherweise notwendig, eine Schleifvorrichtung getrennt von der Laserbearbeitungsvorrichtung, wie sie in Patentschrift 1 beschrieben ist, zu verwenden, um eine Fase auf einem Wafer zu bilden. Daher ist es auf dem zuvor erwähnten technischen Gebiet von Bedeutung, die Fasenbildung durch Laserbearbeitung zu ermöglichen.
  • Somit ist es eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung, ein Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterelements bereitzustellen, das in der Lage ist, ein Halbleiterelement mit einer Fase durch Laserbearbeitung zu bilden.
  • Problemlösung
  • Ein Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterelements gemäß der vorliegenden Erfindung umfasst: umfassend: einen Laserbearbeitungsschritt des Bildens eines Konvergenzpunktes eines Laserlichts in einem Objekt, das einen Halbleiter enthält, während der Konvergenzpunkt in Bezug auf das Objekt entlang einer Linie relativ bewegt wird, die sich in einer kreisförmigen Form erstreckt, wenn sie von einer Z-Richtung aus betrachtet wird, die sich mit einer Einfallsfläche des Laserlichts in dem Objekt schneidet, wodurch ein modifizierter Bereich und ein Riss, der sich von dem modifizierten Bereich entlang der Linie in dem Objekt erstreckt, gebildet werden; und einen Trennschritt, bei dem nach dem Laserbearbeitungsschritt ein Teil des Objekts unter Verwendung des modifizierten Bereichs und des Risses als Grenze abgetrennt wird, um dadurch ein Halbleiterelement aus dem Objekt zu bilden, wobei der Laserbearbeitungsschritt einen ersten Bearbeitungsschritt des relativen Bewegens des Konvergenzpunktes in Bezug auf das Objekt entlang der Linie umfasst, wodurch ein erster modifizierter Bereich entlang der Linie als der modifizierte Bereich und ein erster Riss, der sich von dem ersten modifizierten Bereich als der Riss erstreckt, gebildet werden, in dem ersten Bearbeitungsschritt der erste Riss gebildet wird, der in Bezug auf die Z-Richtung in einer Schnittebene, die die Linie schneidet, geneigt ist, und im Trennschritt das Halbleiterelement mit einer durch den ersten Riss definierten schrägen Oberfläche als äußere Seitenfläche gebildet wird.
  • Bei dieser Herstellung wird der Konvergenzpunkt des Laserlichts in Bezug auf das Objekt entlang der kreisförmig verlängerten Linie relativ bewegt, wodurch der modifizierte Bereich und der Riss entlang der Linie im Objekt gebildet werden. Zu diesem Zeitpunkt wird der erste Riss, der in Bezug auf die Z-Richtung geneigt ist und sich mit der Einfallsfläche des Laserlichts schneidet, in der Schnittebene gebildet, die die Linie schneidet. Dann wird ein Teil des Objekts unter Verwendung eines Risses, der den ersten Riss als Begrenzung einschließt, abgetrennt, wodurch das Halbleiterelement gebildet wird. Als Ergebnis kann das Halbleiterelement mit der durch den ersten Riss definierten schrägen Fläche als äußere Seitenfläche erhalten werden. Diese schräge Fläche kann beispielsweise als Abschrägung zum Halten des Halbleiterelements (ohne Kontakt mit der Vorder- und Rückseite) beim Transport des Halbleiterelements verwendet werden, während die Vorder- und Rückseite (eine Fläche, die der Einfallsfläche des Laserlichts entspricht, und eine Fläche auf der gegenüberliegenden Seite) des Halbleiterelements geschützt werden. Auf diese Weise kann das Halbleiterelement mit einer Fase durch Laserbearbeitung hergestellt werden.
  • Bei dem Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterelements gemäß der vorliegenden Erfindung wird eine Vielzahl von Linien in das Objekt eingebracht, und im Laserbearbeitungsschritt kann der Konvergenzpunkt entlang jeder der Vielzahl von Linien relativ bewegt werden, wodurch der modifizierte Bereich und der Riss entlang jeder der Vielzahl von Linien gebildet werden, und im Trennschritt kann ein Teil des Objekts entlang jeder der Vielzahl von Linien getrennt werden, wodurch eine Vielzahl von Halbleiterelementen aus dem Objekt gebildet wird. Die Fase kann an jedem Halbleiterelement ausgebildet werden, auch wenn die mehreren Halbleiterelemente auf diese Weise aus einem Objekt hergestellt werden.
  • Bei dem Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterelements gemäß der vorliegenden Erfindung kann das Objekt in Z-Richtung gesehen eine kreisförmige Außenform haben, und in das Objekt kann eine Linie festgelegt werden, die in Z-Richtung gesehen konzentrisch zur Außenform des Objekts ist. In diesem Fall wird ein Halbleiterelement aus einem Objekt hergestellt, aber auch in diesem Fall kann eine Fase an dem Halbleiterelement ausgebildet werden.
  • Bei dem Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterelements gemäß der vorliegenden Erfindung kann der Laserbearbeitungsschritt einen zweiten Bearbeitungsschritt des relativen Bewegens des Konvergenzpunktes in Bezug auf das Objekt entlang der Linie umfassen, wodurch ein zweiter modifizierter Bereich auf der Seite der Einfallsfläche in Bezug auf den ersten Riss als der modifizierte Bereich gebildet wird, und des Bildens eines zweiten Risses, der sich von dem zweiten modifizierten Bereich in Richtung des ersten Risses als der Riss erstreckt, wobei in dem ersten Bearbeitungsschritt der erste Riss, der in Bezug auf die Z-Richtung geneigt ist, in der Schnittebene so gebildet wird, dass er sich von einer Bezugslinie, die durch einen Mittelpunkt der Linie verläuft, entfernt, wenn er sich in Richtung der Einfallsfläche ausbreitet, und im zweiten Bearbeitungsschritt der zweite Riss, der entlang der Z-Richtung verläuft, in der Schnittebene gebildet wird. In diesem Fall kann ein Halbleiterelement mit der durch den ersten Riss definierten schrägen Fläche und der durch den zweiten Riss definierten vertikalen Fläche als äußere Seitenflächen gebildet werden.
  • Bei dem Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterelements gemäß der vorliegenden Erfindung kann der Laserbearbeitungsschritt einen dritten Bearbeitungsschritt des relativen Bewegens des Konvergenzpunktes in Bezug auf das Objekt entlang der Linie umfassen, wodurch ein dritter modifizierter Bereich auf der Seite der Einfallsfläche in Bezug auf einen Schnittpunkt des ersten Risses und des zweiten Risses als der modifizierte Bereich gebildet wird, und des Bildens eines dritten Risses, der sich von dem dritten modifizierten Bereich zu dem zweiten Riss als der Riss erstreckt, und wobei im dritten Bearbeitungsschritt der dritte Riss, der in Bezug auf die Z-Richtung geneigt ist, derart in der Schnittebene gebildet wird, dass er sich der Bezugslinie nähert, wenn er sich der Einfallsfläche nähert. In diesem Fall kann ein Halbleiterelement mit der durch den ersten Riss definierten geneigten Fläche, der durch den zweiten Riss definierten vertikalen Fläche und einer weiteren durch den dritten Riss definierten geneigten Fläche als äußere Seitenflächen gebildet werden.
  • Bei dem Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterelements gemäß der vorliegenden Erfindung kann der Laserbearbeitungsschritt einen zweiten Bearbeitungsschritt des relativen Bewegens des Konvergenzpunktes in Bezug auf das Objekt entlang der Linie umfassen, wodurch ein zweiter modifizierter Bereich auf der Seite der Einfallsfläche in Bezug auf den ersten Riss als der modifizierte Bereich gebildet wird, und ein zweiter Riss gebildet wird, der sich von dem zweiten modifizierten Bereich in Richtung des ersten Risses als der Riss erstreckt, wobei in dem ersten Bearbeitungsschritt der erste Riss, der in Bezug auf die Z-Richtung geneigt ist, derart in der Schnittebene gebildet werden kann, dass er sich einer Bezugslinie nähert, die durch den Mittelpunkt der Linie verläuft, wenn sie sich der Einfallsfläche nähert, und im zweiten Bearbeitungsschritt der zweite Riss, der entlang der Z-Richtung verläuft, in der Schnittebene gebildet werden kann. In diesem Fall kann ein Halbleiterelement mit der durch den ersten Riss definierten schrägen Fläche und der durch den zweiten Riss definierten vertikalen Fläche als äußere Seitenflächen gebildet werden.
  • Das Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterelements gemäß der vorliegenden Erfindung kann ferner einen Schleifschritt des Schleifens des Objekts entlang der Z-Richtung umfassen, um den modifizierten Bereich von dem Objekt zwischen dem Laserbearbeitungsschritt und dem Trennschritt zu entfernen. Alternativ kann das Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterelements gemäß der vorliegenden Erfindung ferner den Schleifschritt des Schleifens des Halbleiterelements entlang der Z-Richtung umfassen, um den modifizierten Bereich von dem Halbleiterelement nach dem Trennschritt zu entfernen. In diesem Fall kann das Halbleiterelement, aus dem der modifizierte Bereich entfernt wurde, erhalten werden.
  • Bei dem Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterelements gemäß der vorliegenden Erfindung kann der erste Verarbeitungsschritt einen ersten Bildungsschritt umfassen, bei dem der Konvergenzpunkt relativ entlang der Linie bewegt wird, während eine Position des Konvergenzpunktes in der Z-Richtung auf eine erste Z-Position eingestellt wird, wodurch ein vierter modifizierter Bereich als der erste modifizierte Bereich gebildet wird, und einen zweiten Bildungsschritt des relativen Bewegens des Konvergenzpunktes entlang der Linie, während eine Position des Konvergenzpunktes in der Z-Richtung auf eine zweite Z-Position eingestellt wird, die näher an der Einfallsfläche ist als die erste Z-Position, wodurch ein fünfter modifizierter Bereich als der erste modifizierte Bereich gebildet wird, und Bilden des ersten Risses, der sich von dem fünften modifizierten Bereich aus erstreckt, wobei in dem ersten Bildungsschritt eine Position des Konvergenzpunktes in einer Y-Richtung, die sich mit einer X-Richtung schneidet, die eine Richtung ist, in der der Konvergenzpunkt relativ bewegt wird, und der Z-Richtung auf eine erste Y-Position eingestellt werden kann, und in dem zweiten Bildungsschritt eine Position des Konvergenzpunktes in der Y-Richtung auf eine zweite Y-Position eingestellt werden kann, die von der ersten Y-Position verschoben ist, während das Laserlicht so moduliert wird, dass eine Strahlform des Konvergenzpunkts in einer YZ-Ebene, die die Y-Richtung und die Z-Richtung einschließt, eine geneigte Form aufweist, die in der Verschiebungsrichtung zumindest auf der Seite der Einfallsfläche in Bezug auf den Mittelpunkt des Konvergenzpunktes geneigt ist, wodurch der erste Riss so gebildet wird, dass er in der Verschiebungsrichtung in der YZ-Ebene geneigt ist. In diesem Fall kann die geneigte erste Bruchstelle bzw. Riss in geeigneter Weise durch Laserbearbeitung gebildet werden.
  • Vorteilhafte Auswirkungen der Erfindung
  • Gemäß der vorliegenden Erfindung kann das Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterelements, bei dem ein Halbleiterelement mit einer Fase durch Laserbearbeitung gebildet werden kann, bereitgestellt werden.
  • Figurenliste
    • 1 ist ein schematisches Diagramm, das eine Konfiguration einer Laserbearbeitungsvorrichtung gemäß einer Ausführungsform zeigt.
    • 2 ist ein schematisches Diagramm, das die Konfiguration einer Laserbestrahlungseinheit aus 1 zeigt.
    • 3 ist eine Ansicht, die eine in 2 dargestellte 4f-Linseneinheit zeigt.
    • 4 ist eine Ansicht, die einen in 2 dargestellten Raumlichtmodulator zeigt.
    • 5 ist eine Querschnittsansicht eines Objekts zur Erläuterung der Kenntnisse über die Bildung von geneigten Rissen.
    • 6 ist eine Querschnittsansicht eines Objekts zur Erläuterung der Kenntnisse über die Bildung von geneigten Rissen.
    • 7 ist eine Ansicht, die die Strahlform eines konvergierenden Laserlichtpunktes zeigt.
    • 8 ist eine Ansicht, die den Versatz eines Modulationsmusters zeigt.
    • 9 ist ein Querschnittsfoto, das einen Zustand zeigt, in dem ein geneigter Riss entstanden ist.
    • 10 ist eine schematische Draufsicht auf das Objekt.
    • 11 ist eine Querschnittsfotografie, die einen Zustand der geneigt verlaufenden Rissbildung zeigt.
    • 12 ist eine Querschnittsaufnahme, die einen Zustand der geneigt verlaufenden Rissbildung zeigt.
    • 13 ist eine Ansicht, die ein Beispiel für ein Modulationsmuster zeigt.
    • 14 ist eine Ansicht, die eine Intensitätsverteilung auf einer Eintrittspupillenebene einer Sammellinse und eine Strahlform des Konvergenzpunktes zeigt.
    • 15 ist eine Ansicht, die die Strahlform des Konvergenzpunktes und die Beobachtungsergebnisse einer Intensitätsverteilung des Konvergenzpunktes zeigt.
    • 16 ist eine Ansicht, die ein Beispiel für ein Modulationsmuster zeigt.
    • 17 ist eine Ansicht, die ein weiteres Beispiel für ein asymmetrisches Modulationsmuster zeigt.
    • 18 ist eine Ansicht, die eine Intensitätsverteilung auf der Eintrittspupillenebene der Sammellinse und die Strahlform des Konvergenzpunktes zeigt.
    • 19 ist eine Ansicht, die ein Beispiel für das Modulationsmuster und die Bildung eines Konvergenzpunktes zeigt.
    • 20 ist eine Ansicht, die ein Objekt gemäß einer ersten Ausführungsform zeigt.
    • 21 ist eine Ansicht, die einen Laserbearbeitungsschritt gemäß der ersten Ausführungsform zeigt.
    • 22 ist eine Ansicht, die ein aus dem Objekt erhaltenes Halbleiterelement zeigt.
    • 23 ist eine Ansicht, die ein aus dem Objekt erhaltenes Halbleiterelement zeigt.
    • 24 ist eine Ansicht, die ein Objekt gemäß einer zweiten Ausführungsform zeigt.
    • 25 ist eine Ansicht, die einen Laserbearbeitungsschritt gemäß der zweiten Ausführungsform zeigt.
    • 26 ist eine Ansicht, die einen Trennschritt gemäß der zweiten Ausführungsform zeigt.
    • 27 ist eine Ansicht, die ein aus dem Objekt erhaltenes Halbleiterelement zeigt.
    • 28 ist eine Querschnittsansicht, die eine Modifikation des Laserbearbeitungsschritts zeigt.
    • 29 ist eine Querschnittsansicht, die eine weitere Modifikation des Laserbearbeitungsschritts zeigt.
    • 30 ist eine Draufsicht, die ein Objekt gemäß der Modifikation zeigt.
    • 31 ist eine Ansicht, die ein Objekt gemäß einer dritten Ausführungsform zeigt.
    • 32 ist eine Ansicht, die einen Laserbearbeitungsschritt gemäß der dritten Ausführungsform zeigt.
    • 33 ist eine Ansicht, die einen Laserbearbeitungsschritt gemäß der dritten Ausführungsform zeigt.
    • 34 ist eine Ansicht, die einen Schleifschritt gemäß der dritten Ausführungsform zeigt.
  • Beschreibung der Ausführungsformen
  • Nachfolgend wird eine Ausführungsform unter Bezugnahme auf die Zeichnungen im Detail beschrieben. In den Zeichnungen sind gleiche oder sich entsprechende Elemente mit den gleichen Bezugszeichen versehen, und es wird auf redundante Beschreibungen verzichtet. Darüber hinaus kann jede Zeichnung ein orthogonales Koordinatensystem angeben, das durch eine X-Achse, eine Y-Achse und eine Z-Achse definiert ist.
  • [Überblick über die Laserbearbeitungsvorrichtung und die Laserbearbeitung]
  • 1 ist ein schematisches Diagramm, das eine Konfiguration einer Laserbearbeitungsvorrichtung gemäß einer Ausführungsform zeigt. Wie in 1 dargestellt, umfasst die Laserbearbeitungsvorrichtung 1 einen Tisch 2, eine Laserbestrahlungseinheit 3, Antriebseinheiten (Bewegungseinheiten) 4 und 5 und eine Steuereinheit 6. Die Laserbearbeitungsvorrichtung 1 ist eine Vorrichtung zur Bildung eines modifizierten Bereichs 12 in einem Objekt 11 durch Bestrahlung des Objekts 11 mit Laserlicht L.
  • Der Tisch 2 trägt das Objekt 11, indem er zum Beispiel einen am Objekt 11 befestigten Film hält. Der Tisch 2 ist um eine Achse parallel zur Z-Richtung drehbar, die als Drehachse dient. Der Tisch 2 kann sowohl in X-Richtung als auch in Y-Richtung bewegt werden. Die X-Richtung und die Y-Richtung sind eine erste horizontale Richtung bzw. eine zweite horizontale Richtung, die sich gegenseitig schneiden (orthogonal zueinander), und die Z-Richtung ist eine vertikale Richtung.
  • Die Laserbestrahlungseinheit 3 konvergiert das Laserlicht L, das transparent ist, in dem Objekt 11 und bestrahlt das Objekt 11 mit dem Laserlicht L. Wenn das Laserlicht L innerhalb des Objekts 11, das von dem Tisch 2 getragen wird, konvergiert wird, wird das Laserlicht L insbesondere in einem Bereich absorbiert, der einem Konvergenzpunkt C (z. B. einem Mittelpunkt Ca, der später beschrieben wird) des Laserlichts L entspricht, und der modifizierte Bereich 12 wird innerhalb des Objekts 11 gebildet. Obwohl später im Detail beschrieben, ist der Konvergenzpunkt C ein Bereich innerhalb eines vorbestimmten Bereichs von einer Position, an der die Strahlintensität des Laserlichts L am höchsten ist, oder eine Schwerpunktposition der Strahlintensität.
  • Der modifizierte Bereich 12 ist ein Bereich, der sich von den ihn umgebenden nicht modifizierten Bereichen in Dichte, Brechungsindex, mechanischer Festigkeit und anderen physikalischen Eigenschaften unterscheidet. Beispiele für den modifizierten Bereich 12 sind ein geschmolzener verarbeiteter Bereich, ein Rissbereich, ein Bereich mit dielektrischem Durchbruch und ein Bereich mit Brechungsindexänderung. In dem modifizierten Bereich 12 kann ein Riss bzw. eine Bruchstelle gebildet werden, der sich von dem modifizierten Bereich 12 zur Einfallsseite des Laserlichts L und zur gegenüberliegenden Seite davon erstreckt. Ein solcher modifizierter Bereich 12 und ein Riss werden zum Beispiel zum Schneiden des Objekts 11 verwendet.
  • Wenn beispielsweise der Tisch 2 entlang der X-Richtung bewegt wird und der Konvergenzpunkt C relativ zum Objekt 11 entlang der X-Richtung bewegt wird, wird eine Vielzahl von modifizierten Flecken 12s gebildet, die in einer Reihe entlang der X-Richtung angeordnet sind.
  • Ein modifizierter Fleck 12s wird durch Bestrahlung mit einem Laserlichtimpuls L gebildet. Eine Reihe modifizierter Bereiche 12 ist ein Satz aus der Vielzahl der in einer Reihe angeordneten modifizierten Flecken 12s. Benachbarte modifizierte Flecken 12s können miteinander verbunden oder voneinander getrennt sein, je nach der relativen Bewegungsgeschwindigkeit des Konvergenzpunktes C in Bezug auf das Objekt 11 und der Wiederholungsfrequenz des Laserlichts L.
  • Die Antriebseinheit 4 umfasst eine erste Bewegungseinheit 41, die den Tisch 2 in einer Richtung in einer Ebene bewegt, die die Z-Richtung schneidet (orthogonal dazu), und eine zweite Bewegungseinheit 42, die den Tisch 2 in einer anderen Richtung in der Ebene bewegt, die die Z-Richtung schneidet (orthogonal dazu). Beispielsweise bewegt die erste Bewegungseinheit 41 den Tisch 2 entlang der X-Richtung, und die zweite Bewegungseinheit 42 bewegt den Tisch 2 entlang der Y-Richtung. Darüber hinaus dreht die Antriebseinheit 4 den Tisch 2 um die Achse parallel zur Z-Richtung, die als Drehachse dient. Die Antriebseinheit 5 trägt die Laserbestrahlungseinheit 3. Die Antriebseinheit 5 bewegt die Laserbestrahlungseinheit 3 entlang der X-Richtung, der Y-Richtung und der Z-Richtung. Wenn der Tisch 2 und/oder die Laserbestrahlungseinheit 3 bewegt werden, während der Konvergenzpunkt C des Laserlichts L gebildet wird, wird der Konvergenzpunkt C in Bezug auf das Objekt 11 relativ bewegt. Das heißt, die Antriebseinheiten 4 und 5 sind Bewegungseinheiten, die den Tisch 2 und/oder die Laserbestrahlungseinheit 3 bewegen, so dass sich der Konvergenzpunkt C des Laserlichts L relativ zu dem Objekt 11 bewegt.
  • Die Steuereinheit 6 steuert den Betrieb des Tisches 2, der Laserbestrahlungseinheit 3 und der Antriebseinheiten 4 und 5. Die Steuereinheit 6 weist eine Verarbeitungseinheit, eine Speichereinheit und eine Eingabeempfangseinheit (nicht dargestellt) auf. Die Verarbeitungseinheit ist als Computervorrichtung mit einem Prozessor, einem Langzeitspeicher, einem Kurzzeitspeicher, einer Kommunikationsvorrichtung und dergleichen konfiguriert. In der Verarbeitungseinheit führt der Prozessor eine Software (Programm) aus, die in den Speicher oder ähnliches eingelesen wird, und steuert das Lesen und Schreiben von Daten in den Langzeitspeicher und den Kurzzeitspeicher sowie die Kommunikation durch die Kommunikationsvorrichtung. Die Speichereinheit ist z.B. eine Festplatte oder ähnliches und speichert verschiedene Daten. Die Eingabeempfangseinheit ist eine Schnittstelleneinheit, die verschiedene Informationen anzeigt und Eingaben der verschiedenen Informationen von einem Benutzer empfängt. Die Eingabeempfangseinheit bildet eine grafische Benutzeroberfläche (GUI).
  • 2 ist ein schematisches Diagramm, das eine Konfiguration der in 1 dargestellten Laserbestrahlungseinheit zeigt. 2 zeigt eine virtuelle Linie A, die eine Ebene der Laserbearbeitung anzeigt. Wie in 2 dargestellt, hat die Laserbestrahlungseinheit 3 eine Lichtquelle 31, einen Raumlichtmodulator 7, eine Sammellinse 33 und eine 4f-Linseneinheit 34. Die Lichtquelle 31 gibt das Laserlicht L z. B. durch ein Impulsoszillationsverfahren ab. Alternativ kann die Laserbestrahlungseinheit 3 auch ohne die Lichtquelle 31 auskommen und so konfiguriert sein, dass das Laserlicht L von außerhalb der Laserbestrahlungseinheit 3 eingeleitet wird. Der Raumlichtmodulator 7 moduliert das von der Lichtquelle 31 abgegebene Laserlicht L. Die Sammellinse 33 konvergiert das durch den Raumlichtmodulator 7 modulierte und vom Raumlichtmodulator 7 ausgegebene Laserlicht L in Richtung des Objekts 11.
  • Wie in 3 dargestellt, hat die 4f-Linseneinheit 34 ein Paar von Linsen 34A und 34B, die entlang eines optischen Pfades des Laserlichts L vom Raumlichtmodulator 7 zur Sammellinse 33 angeordnet sind. Das Linsenpaar 34A und 34B bildet ein beidseitig telezentrisches optisches System, in dem eine Modulationsfläche 7a des Raumlichtmodulators 7 und die Eintrittspupillenebene (Pupillenebene) 33a der Sammellinse 33 in einer Abbildungsbeziehung stehen. Bei dieser Konfiguration wird ein Bild des Laserlichts L auf der Modulationsfläche 7a des Raumlichtmodulators 7 (ein Bild des durch den Raumlichtmodulator 7 modulierten Laserlichts L) auf die Eintrittspupillenebene 33a der Sammellinse 33 übertragen (gebildet). Fs in der Figur bezeichnet eine Fourier-Ebene.
  • Wie in 4 dargestellt, ist der Raumlichtmodulator 7 ein räumlicher Lichtmodulator (SLM) aus reflektierendem Flüssigkristall auf Silizium (LCOS). Der Raumlichtmodulator 7 wird durch Laminieren einer Treiberschaltungsschicht 72, einer Pixelelektrodenschicht 73, eines Reflexionsfilms 74, eines Ausrichtungsfilms 75, einer Flüssigkristallschicht 76, eines Ausrichtungsfilms 77, eines transparenten leitenden Films 78 und eines transparenten Substrats 79 in dieser Reihenfolge auf ein Halbleitersubstrat 71 gebildet.
  • Das Halbleitersubstrat 71 ist z. B. ein Siliziumsubstrat. Die Treiberschaltungsschicht 72 bildet eine aktive Matrixschaltung auf dem Halbleitersubstrat 71. Die Pixelelektrodenschicht 73 umfasst eine Vielzahl von Pixelelektroden 73a, die in einer Matrix entlang der Fläche des Halbleitersubstrats 71 angeordnet sind. Jede Pixelelektrode 73a besteht z. B. aus einem Metallmaterial wie Aluminium. An jede Pixelelektrode 73a wird von der Treiberschaltungsschicht 72 eine Spannung angelegt.
  • Der Reflexionsfilm 74 ist zum Beispiel ein dielektrischer Mehrschichtfilm. Der Ausrichtungsfilm 75 ist auf der Fläche der Flüssigkristallschicht 76 auf der Seite des Reflexionsfilms 74 vorgesehen, und der Ausrichtungsfilm 77 ist auf der Fläche der Flüssigkristallschicht 76 auf der dem Reflexionsfilm 74 gegenüberliegenden Seite vorgesehen. Jeder der Ausrichtungsfilme 75 und 77 ist beispielsweise aus einem Polymermaterial wie Polyimid gebildet, und eine Kontaktfläche jedes der Ausrichtungsfilme 75 und 77 mit der Flüssigkristallschicht 76 wird beispielsweise einer Reibbehandlung unterzogen. Die Ausrichtungsfilme 75 und 77 ordnen Flüssigkristallmoleküle 76a, die in der Flüssigkristallschicht 76 enthalten sind, in einer bestimmten Richtung an.
  • Der transparente leitfähige Film 78 ist auf der Fläche des transparenten Substrats 79 auf der Seite des Ausrichtungsfilms 77 vorgesehen und ist der Pixelelektrodenschicht 73 gegenüber der Flüssigkristallschicht 76 und anderen zugewandt. Das transparente Substrat 79 ist z. B. ein Glassubstrat. Der transparente leitfähige Film 78 besteht beispielsweise aus einem lichtdurchlässigen und leitfähigen Material wie ITO. Das transparente Substrat 79 und der transparente leitfähige Film 78 ermöglichen es, dass das Laserlicht L diese durchdringen kann.
  • In dem Raumlichtmodulator 7, der wie zuvor beschrieben konfiguriert ist, wird, wenn ein das Modulationsmuster anzeigendes Signal von der Steuereinheit 6 in die Treiberschaltungsschicht 72 eingegeben wird, eine dem Signal entsprechende Spannung an jede Pixelelektrode 73a angelegt, und ein elektrisches Feld wird zwischen jeder Pixelelektrode 73a und dem transparenten leitenden Film 78 gebildet. Wenn das elektrische Feld gebildet wird, ändert sich in der Flüssigkristallschicht 76 die Anordnungsrichtung der Flüssigkristallmoleküle 76a in jedem Bereich, der jeder Pixelelektrode 73a entspricht, und der Brechungsindex ändert sich in jedem Bereich, der jeder Pixelelektrode 73a entspricht. In diesem Zustand wird das Modulationsmuster auf der Flüssigkristallschicht 76 angezeigt. Das Modulationsmuster dient zur Modulation des Laserlichts L.
  • Das heißt, wenn das Laserlicht L von außen durch das transparente Substrat 79 und den transparenten leitfähigen Film 78 in die Flüssigkristallschicht 76 eintritt, von dem Reflexionsfilm 74 reflektiert wird und von der Flüssigkristallschicht 76 durch den transparenten leitfähigen Film 78 und das transparente Substrat 79 nach außen emittiert wird, während das Modulationsmuster auf der Flüssigkristallschicht 76 angezeigt wird, wird das Laserlicht L in Übereinstimmung mit dem auf der Flüssigkristallschicht 76 angezeigten Modulationsmuster moduliert. Wie zuvor beschrieben, ist es gemäß dem Raumlichtmodulator 7 möglich, das Laserlicht L zu modulieren (zum Beispiel die Intensität, Amplitude, Phase, Polarisation und dergleichen des Laserlichts L zu modulieren), indem das auf der Flüssigkristallschicht 76 anzuzeigende Modulationsmuster entsprechend eingestellt wird. Es sollte beachtet werden, dass die in 3 dargestellte Modulationsfläche 7a beispielsweise die Flüssigkristallschicht 76 ist.
  • Wie zuvor beschrieben, tritt das von der Lichtquelle 31 ausgegebene Laserlicht L durch den Raumlichtmodulator 7 und die 4f-Linseneinheit 34 in die Konvergenzlinse 33 ein und wird durch die Konvergenzlinse 33 in dem Objekt 11 konvergiert, wodurch der modifizierte Bereich 12 und ein von dem modifizierten Bereich 12 ausgehender Riss an dem Konvergenzpunkt C in dem Objekt 11 gebildet werden. Ferner steuert die Steuereinheit 6 die Antriebseinheiten 4 und 5, um den Konvergenzpunkt C in Bezug auf das Objekt 11 relativ zu bewegen, so dass der modifizierte Bereich 12 und der Riss entlang der Bewegungsrichtung des Konvergenzpunktes C gebildet werden.
  • [Beschreibung der Kenntnisse über die Bildung schräg verlaufender Risse]
  • Hier wird die Bewegungsrichtung (Bearbeitungsverlaufsrichtung) des Konvergenzpunktes C zu diesem Zeitpunkt als die X-Richtung definiert. Ferner wird eine Richtung, die sich mit (orthogonal zu) einer ersten Fläche 11a schneidet, die eine Einfallsfläche des Laserlichts L im Objekt 11 ist, als die Z-Richtung definiert. Eine Richtung, die sich mit der X-Richtung und der Z-Richtung schneidet (orthogonal dazu), wird als Y-Richtung definiert. Die X-Richtung und die Y-Richtung sind Richtungen entlang der ersten Fläche 11a. Die Z-Richtung kann als optische Achse der Sammellinse 33 oder als optische Achse des Laserlichts L definiert werden, das durch die Sammellinse 33 auf dem Objekt 11 konvergiert.
  • Wie in 5 dargestellt, besteht die Anforderung, einen Riss zu bilden, der entlang einer Linie D, die in Bezug auf die Z-Richtung und die Y-Richtung geneigt ist (hier eine Linie D, die in einem vorbestimmten Winkel θ zur Y-Richtung geneigt ist), in einer Schnittebene, die die X-Richtung schneidet, die die Bearbeitungsverlaufsrichtung ist (YZ-Ebene E, die die Y-Richtung und die Z-Richtung enthält). Die Erkenntnisse des Erfinders über eine solche geneigt verlaufende Rissbildung werden anhand von Bearbeitungsbeispielen beschrieben.
  • Es werden modifizierte Bereiche 12a und 12b als modifizierter Bereich 12 gebildet. Infolgedessen sind ein Riss 13a, der sich von dem modifizierten Bereich 12a erstreckt, und ein Riss 13b, der sich von dem modifizierten Bereich 12b erstreckt, verbunden, um einen Riss 13 zu bilden, der sich geneigt entlang der Linie D erstreckt. Hier wird zunächst, wie in 6 dargestellt, ein Konvergenzpunkt C1 gebildet, wobei die erste Fläche 11a des Objekts 11 als die Einfallsfläche des Laserlichts L verwendet wird, während ein Konvergenzpunkt C2 gebildet wird, wobei die erste Fläche 11a als die Einfallsfläche des Laserlichts L auf der Seite verwendet wird, die näher an der ersten Fläche 11a liegt als der Konvergenzpunkt C1. Zu diesem Zeitpunkt ist der Konvergenzpunkt C2 gegenüber dem Konvergenzpunkt C1 in Z-Richtung um einen Abstand Sz und in Y-Richtung um einen Abstand Sy verschoben. Der Abstand Sz und der Abstand Sy entsprechen zum Beispiel der Steigung der Linie D.
  • Unterdessen wird, wie in 7 dargestellt, die Strahlform des Konvergenzpunktes C (zumindest der Konvergenzpunkt C2) in einer YZ-Ebene E in eine geneigte Form geformt, die in der Verschiebungsrichtung in Bezug auf die Z-Richtung (hier zur negativen Seite in der Y-Richtung) zumindest auf der ersten Fläche 11a-Seite in Bezug auf den Mittelpunkt Ca des Konvergenzpunktes C geneigt ist, indem das Laserlicht L mit dem Raumlichtmodulator 7 moduliert wird. Im Beispiel von 7 wird eine Bogenform gebildet, die in der Y-Richtung in Bezug auf die Z-Richtung auf der Seite der ersten Fläche 11a in Bezug auf den Mittelpunkt Ca zur negativen Seite hin geneigt ist und auch auf der Seite gegenüber der ersten Fläche 11a in Bezug auf den Mittelpunkt Ca zur negativen Seite in der Y-Richtung in Bezug auf die Z-Richtung geneigt ist. Es sollte beachtet werden, dass sich die Strahlform des Konvergenzpunktes C in der YZ-Ebene E auf eine Intensitätsverteilung des Laserlichts L am Konvergenzpunkt C in der YZ-Ebene E bezieht.
  • Wenn, wie zuvor beschrieben, mindestens zwei Konvergenzpunkte C1 und C2 in Y-Richtung verschoben werden und die Strahlform von mindestens dem Konvergenzpunkt C2 (hier beide Konvergenzpunkte C1 und C2) in eine geneigte Form gebracht wird, kann der geneigt verlaufende Riss 13 gebildet werden, wie in 8(a) dargestellt. Es ist zu beachten, dass die Konvergenzpunkte C1 und C2 gleichzeitig gebildet werden können, indem das Laserlicht L beispielsweise mit der Steuerung des Modulationsmusters des Raumlichtmodulators 7 verzweigt wird, um den modifizierten Bereich 12 und den Riss 13 zu bilden (multifokale Bearbeitung), oder der modifizierte Bereich 12b und der Riss 13b können durch Bilden des Konvergenzpunktes C2 gebildet werden, nachdem der modifizierte Bereich 12a und der Riss 13a durch Bilden des Konvergenzpunktes C1 gebildet worden sind (Bearbeitung in einem einmaligen Durchgang (Single-Pass-Processing)).
  • Zusätzlich kann, wie in 8 (b) dargestellt, ein weiterer modifizierter Bereich 12c zwischen dem modifizierten Bereich 12a und dem modifizierten Bereich 12b eingefügt werden, um einen längeren schrägen Riss 13 zu bilden, indem ein weiterer Konvergenzpunkt zwischen dem Konvergenzpunkt C1 und dem Konvergenzpunkt C2 gebildet wird.
  • Als nächstes werden die Kenntnisse zur Bildung der Strahlform des Konvergenzpunktes C in der YZ-Ebene E in eine geneigte Form beschrieben. Zunächst wird die Definition des Konvergenzpunktes C näher erläutert. Hier ist der Konvergenzpunkt C ein Bereich innerhalb eines vorbestimmten Bereichs vom Mittelpunkt Ca (zum Beispiel ein Bereich von ± 25 µm vom Mittelpunkt Ca in Z-Richtung). Wie zuvor beschrieben, ist der Mittelpunkt Ca eine Position, an der die Strahlintensität am höchsten ist, oder eine Schwerpunktposition der Strahlintensität. Die Schwerpunktposition der Strahlintensität ist beispielsweise eine Position, an der sich der Schwerpunkt der Strahlintensität auf der optischen Achse des Laserlichts L in einem Zustand befindet, in dem keine Modulation durch ein Modulationsmuster zur Verschiebung der optischen Achse des Laserlichts L, wie z. B. ein Modulationsmuster zur Verzweigung des Laserlichts L, durchgeführt wird. Die Position, an der die Strahlintensität am höchsten ist, und die Position des Schwerpunkts der Strahlintensität können wie folgt ermittelt werden. Das heißt, das Objekt 11 wird mit dem Laserlicht L in einem Zustand bestrahlt, in dem die Leistung des Laserlichts L so weit verringert ist, dass der modifizierte Bereich 12 im Objekt 11 nicht gebildet wird (niedriger als der Verarbeitungsschwellenwert). Gleichzeitig wird das reflektierte Licht des Laserlichts L von der Fläche des Objekts 11, die der Einfallsfläche des Laserlichts L gegenüberliegt (hier die zweite Fläche 11b), von einer Kamera für eine Vielzahl von Positionen F1 bis F7 in der Z-Richtung fotografiert, wie beispielsweise in 15 dargestellt. Auf diese Weise können die Position, an der die Strahlintensität am höchsten ist, und die Position des Schwerpunkts anhand des erhaltenen Bildes ermittelt werden. Der modifizierte Bereich 12 wird in der Nähe des Mittelpunktes Ca gebildet.
  • Es gibt ein Verfahren, das das Modulationsmuster verschiebt, um die Strahlform am Konvergenzpunkt C in eine geneigte Form zu bringen. Genauer gesagt werden verschiedene Muster wie ein Verzerrungskorrekturmuster zur Korrektur der Verzerrung der Wellenfront, ein Gittermuster zur Verzweigung des Laserlichts, ein Spaltmuster, ein Astigmatismusmuster, ein Koma-Aberrationsmuster und ein sphärisches Aberrationskorrekturmuster auf dem Raumlichtmodulator 7 angezeigt (ein Muster, in dem diese überlagert sind, wird angezeigt). Wie in 9 dargestellt, kann die Strahlform des Konvergenzpunktes C durch Verschieben eines sphärischen Aberrationskorrekturmusters Ps angepasst werden.
  • Im Beispiel von 9 ist auf der Modulationsfläche 7a ein Mittelpunkt Pc des Musters zur Korrektur der sphärischen Aberration Ps zur negativen Seite in Y-Richtung um einen Versatzbetrag Oy1 in Bezug auf einen Mittelpunkt Lc (des Strahlflecks) des Laserlichts L versetzt. Wie zuvor beschrieben, wird die Modulationsfläche 7a durch die 4f-Linseneinheit 34 auf die Eintrittspupillenebene 33a der Sammellinse 33 übertragen. Daher ist der Versatz auf der Modulationsfläche 7a ein Versatz zur positiven Seite in Y-Richtung auf der Eintrittspupillenebene 33a. Das heißt, auf der Eintrittspupillenebene 33a ist der Mittelpunkt Pc des Musters zur Korrektur der sphärischen Aberration Ps um einen Versatzbetrag Oy2 vom Mittelpunkt Lc des Laserlichts L und dem Mittelpunkt der Eintrittspupillenebene 33a (der hier mit dem Mittelpunkt Lc zusammenfällt) zur positiven Seite in Y-Richtung versetzt.
  • Wie zuvor beschrieben, wird die Strahlform des Konvergenzpunktes C des Laserlichts L in eine bogenförmige, geneigte Form verformt, wie in 7 dargestellt, indem das sphärische Aberrationskorrekturmuster Ps versetzt wird. Der Versatz des sphärische Aberrationskorrekturmusters Ps, wie zuvor beschrieben, entspricht der Bildung einer Koma-Aberration im Laserlicht L. Daher kann die Strahlform des Konvergenzpunktes C geneigt werden, indem das Koma-Aberrationsmuster, mit dem eine Koma-Aberration im Laserlicht L gebildet wird, in das Modulationsmuster des Raumlichtmodulators 7 aufgenommen wird. Als Koma-Aberrationsmuster kann ein Muster verwendet werden, das dem neunten Term des Zernike-Polynoms (der Y-Komponente der Koma-Aberration dritter Ordnung) entspricht, bei dem die Koma-Aberration in Y-Richtung auftritt.
  • Nachfolgend werden die Kenntnisse über die Beziehung zwischen der Kristallinität des Objekts 11 und dem Riss 13 beschrieben. 10 ist eine schematische Draufsicht auf das Objekt. Hier ist das Objekt 11 ein Siliziumwafer (t 775 µm, <100>, 1 Ω · cm) mit einer Kerbe 11d. Für das Objekt 11 zeigt 11(a) ein erstes Bearbeitungsbeispiel, bei dem die X-Richtung, die die Bearbeitungsverlaufsrichtung ist, mit einer 0° (100)-Ebene ausgerichtet ist, 11 (b) zeigt ein zweites Bearbeitungsbeispiel, bei dem die X-Richtung mit 15° ausgerichtet ist, 12(a) zeigt ein drittes Bearbeitungsbeispiel, bei dem die X-Richtung mit 30° ausgerichtet ist, und 12(b) zeigt ein viertes Bearbeitungsbeispiel, bei dem die X-Richtung mit einer 45° (100)-Ebene ausgerichtet ist. In jedem Bearbeitungsbeispiel wird der Winkel θ der Linie D von der Y-Richtung in der YZ-Ebene auf 71° festgelegt.
  • Darüber hinaus wird in jedem Bearbeitungsbeispiel eine Bearbeitung in einem einmaligen Durchgang (Single-Pass-Processing) durchgeführt, bei der der Konvergenzpunkt C1 im ersten Durchgang relativ in X-Richtung bewegt wird, um den modifizierten Bereich 12a und den Riss 13a zu bilden, und dann wird der Konvergenzpunkt C2 im zweiten Durchgang relativ in X-Richtung bewegt, um den modifizierten Bereich 12b und den Riss 13b zu bilden. Die Verarbeitungsbedingungen für den ersten und den zweiten Durchgang sind wie folgt. Es sollte beachtet werden, dass CP unten die Intensität der Lichtkonvergenzkorrektur angibt und ein Koma (LBA Versatz Y) den Versatzbetrag des sphärischen Aberrationskorrekturmusters Ps in Y-Richtung in Pixeleinheiten des Raumlichtmodulators 7 angibt.
  • <Erster Durchgang>
  • Position in Z-Richtung: 161 µm
    • CP: -18
    • Leistung: 2 W
    • Geschwindigkeit: 530 mm/s
    • Frequenz: 80 kHz
    • Koma (LBA-Versatz Y): -5
    • Position in Y-Richtung: 0
  • <Zweiter Durchgang>
    • Position in Z-Richtung: 151 µm
    • CP: -18
    • Leistung: 2 W
    • Geschwindigkeit: 530 mm/s
    • Frequenz: 80 kHz
    • Koma (LBA-Versatz Y): -5
    • Position in Y-Richtung: 0,014 mm
  • Wie in 11 und 12 dargestellt, kann der Riss 13 in jedem Fall entlang der Linie D, die um 71° in Bezug auf die Y-Richtung geneigt ist, gebildet werden. Das heißt, der Riss 13, der sich geneigt entlang der gewünschten Linie D erstreckt, kann unabhängig vom Einfluss der (110)-Ebene, der (111)-Ebene, der (100)-Ebene und dergleichen, die die Hauptspaltungsebenen des Objekts 11 sind, gebildet werden, das heißt, unabhängig von der Kristallstruktur des Objekts 11.
  • Die Steuerung der Strahlform zur Bildung des schräg verlaufenden Risses 13 auf diese Weise ist nicht auf das obige Beispiel beschränkt. Als nächstes wird ein weiteres Beispiel für die Bildung der Strahlform in eine geneigte Form beschrieben. Wie in 13(a) dargestellt, kann das Laserlicht L durch ein Modulationsmuster PG1 moduliert werden, das asymmetrisch in Bezug auf eine Achse Ax entlang der X-Richtung ist, die die Bearbeitungsverlaufsrichtung ist, um die Strahlform des Konvergenzpunktes C in eine geneigte Form zu bringen. Das Modulationsmuster PG1 umfasst ein Gittermuster Ga auf der negativen Seite in der Y-Richtung in Bezug auf die Achse Ax entlang der X-Richtung, das durch den Mittelpunkt Lc des Strahlflecks des Laserlichts L in der Y-Richtung verläuft, und umfasst einen Nicht-Modulationsbereich Ba auf der positiven Seite in der Y-Richtung in Bezug auf die Achse Ax. Mit anderen Worten, das Modulationsmuster PG1 enthält das Gittermuster Ga nur auf der positiven Seite in Y-Richtung in Bezug auf die Achse Ax. Es sollte beachtet werden, dass 13(b) eine Ansicht ist, die erhalten wird, indem das Modulationsmuster PG1 von 13(a) so umgedreht wird, dass es der Eintrittspupillenebene 33a der Sammellinse 33 entspricht.
  • 14(a) zeigt eine Intensitätsverteilung des Laserlichts L auf der Eintrittspupillenebene 33a der Sammellinse 33. Wie in 14(a) dargestellt, fällt ein durch das Gittermuster Ga modulierter Teil des auf den Raumlichtmodulator 7 einfallenden Laserlichts L nicht auf die Eintrittspupillenebene 33a der Sammellinse 33 unter Verwendung des Modulationsmusters PG1. Infolgedessen kann, wie in 14(b) und 15 dargestellt, die Strahlform des Konvergenzpunktes C in der YZ-Ebene E eine geneigte Form sein, die vollständig in einer Richtung in Bezug auf die Z-Richtung geneigt ist.
  • Das heißt, in diesem Fall ist die Strahlform des Konvergenzpunktes C zur negativen Seite in der Y-Richtung in Bezug auf die Z-Richtung auf der Seite der ersten Fläche 11a in Bezug auf den Mittelpunkt Ca des Konvergenzpunktes C geneigt und ist zur positiven Seite in der Y-Richtung in Bezug auf die Z-Richtung auf der Seite gegenüber der ersten Fläche 11a in Bezug auf den Mittelpunkt Ca des Konvergenzpunktes C geneigt. Jede Ansicht in 15(b) zeigt eine Intensitätsverteilung in einer XY-Ebene des Laserlichts L an jeder der in 15(a) dargestellten Positionen F1 bis F7 in Z-Richtung und ist ein tatsächliches Beobachtungsergebnis durch eine Kamera. Der schräg verlaufende Riss 13 kann auch dann gebildet werden, wenn die Strahlform des Konvergenzpunktes C auf dieselbe Weise wie im obigen Beispiel gesteuert wird.
  • Ferner können die in 16 dargestellten Modulationsmuster PG2, PG3 und PG4 auch als asymmetrische Modulationsmuster in Bezug auf die Achse Ax angenommen werden. Das Modulationsmuster PG2 umfasst den Nicht-Modulationsbereich Ba und das Gittermuster Ga, die in einer Richtung weg von der Achse Ax auf der negativen Seite in der Y-Richtung in Bezug auf die Achse Ax sequentiell angeordnet sind, und umfasst den Nicht-Modulationsbereich Ba auf der positiven Seite in der Y-Richtung in Bezug auf die Achse Ax. Das heißt, das Modulationsmuster PG2 umfasst das Gittermuster Ga auf einem Teil eines Bereichs auf der negativen Seite in der Y-Richtung in Bezug auf die Achse Ax.
  • Das Modulationsmuster PG3 umfasst den Nicht-Modulationsbereich Ba und das Gittermuster Ga, die sequentiell in einer Richtung weg von der Achse Ax auf der negativen Seite in der Y-Richtung in Bezug auf die Achse AX angeordnet sind, und umfasst den Nicht-Modulationsbereich Ba und das Gittermuster Ga, die sequentiell in einer Richtung weg von der Achse Ax auch auf der positiven Seite in der Y-Richtung in Bezug auf die Achse Ax angeordnet sind. Das Modulationsmuster PG3 wird dadurch gebildet, dass das Verhältnis des Nicht-Modulationsbereichs Ba und des Gittermusters Ga zwischen der positiven Seite in der Y-Richtung und der negativen Seite in der Y-Richtung in Bezug auf die Achse Ax unterschiedlich ausgebildet wird (wodurch der Nicht-Modulationsbereich Ba auf der negativen Seite in der Y-Richtung relativ schmal wird), und somit ist das Modulationsmuster PG3 in Bezug auf die Achse Ax asymmetrisch.
  • Das Modulationsmuster PG4 enthält das Gittermuster Ga auf einem Teil einer Fläche auf der negativen Seite in Y-Richtung in Bezug auf die Achse Ax, wie im Modulationsmuster PG2. In dem Modulationsmuster PG4 ist ein mit dem Gittermuster Ga versehener Bereich auch in X-Richtung teilweise. Das heißt, das Modulationsmuster PG4 umfasst den nicht-modulierten Bereich Ba, das Gittermuster Ga und den nicht-modulierten Bereich Ba, die in X-Richtung in einem Bereich auf der negativen Seite in Y-Richtung in Bezug auf die Achse Ax nacheinander angeordnet sind. Hier ist das Gittermuster Ga in einem Bereich angeordnet, der eine Achse Ay entlang der Y-Richtung einschließt, die durch den Mittelpunkt Lc des Strahlflecks des Laserlichts L in der X-Richtung verläuft.
  • Mit jedem der zuvor beschriebenen Modulationsmuster PG2 bis PG4 kann die Strahlform des Konvergenzpunktes C eine geneigte Form sein, die in der Y-Richtung in Bezug auf die Z-Richtung zumindest auf der Seite der ersten Fläche 11a in Bezug auf den Mittelpunkt Ca zur negativen Seite geneigt ist. Das heißt, ein asymmetrisches Modulationsmuster, das das Gittermuster Ga enthält, wie die Modulationsmuster PG1 bis PG4 und Modulationsmuster, die nicht auf die Modulationsmuster PG1 bis PG4 beschränkt sind, können verwendet werden, um die Strahlform des Konvergenzpunktes C so zu steuern, dass sie zur negativen Seite in der Y-Richtung in Bezug auf die Z-Richtung zumindest auf der Seite der ersten Fläche 11a in Bezug auf den Mittelpunkt Ca geneigt ist.
  • Ferner ist das asymmetrische Modulationsmuster zur Formung der Strahlform des Konvergenzpunktes C in eine geneigte Form nicht auf das Muster unter Verwendung des Gittermusters Ga beschränkt. 17 ist eine Ansicht, die ein weiteres Beispiel für ein asymmetrisches Modulationsmuster zeigt. Wie in 17(a) dargestellt, enthält ein Modulationsmuster PE ein elliptisches Muster Ew auf der negativen Seite in Y-Richtung in Bezug auf die Achse Ax und ein elliptisches Muster Es auf der positiven Seite in Y-Richtung in Bezug auf die Achse Ax. 17(b) ist eine Ansicht, die durch Umkehrung des Modulationsmusters PE von 17(a) erhalten wird, so dass es der Eintrittspupillenebene 33a der Sammellinse 33 entspricht.
  • Wie in 17(c) dargestellt, ist jedes der elliptischen Muster Ew und Es ein Muster zum Formen der Strahlform des Konvergenzpunktes C in der XY-Ebene einschließlich der X-Richtung und der Y-Richtung in eine elliptische Form mit der X-Richtung als Längsrichtung. Die Intensität der Modulation ist jedoch unterschiedlich zwischen dem elliptischen Muster Ew und dem elliptischen Muster Es. Genauer gesagt ist die Intensität der Modulation durch das elliptische Muster Es höher als die Intensität der Modulation durch das elliptische Muster Ew. Das heißt, der Konvergenzpunkt Cs, der durch das mit dem elliptischen Muster Es modulierte Laserlicht L gebildet wird, hat eine elliptische Form, die in X-Richtung länger ist als der Konvergenzpunkt Cw, der durch das mit dem elliptischen Muster Ew modulierte Laserlicht L gebildet wird. Dabei ist das elliptische Muster Es mit relativ hoher Intensität auf der negativen Seite in Y-Richtung in Bezug auf die Achse Ax angeordnet.
  • Wie in 18(a) dargestellt, kann die Strahlform des Konvergenzpunktes C in der YZ-Ebene E eine geneigte Form sein, die zur negativen Seite in der Y-Richtung in Bezug auf die Z-Richtung auf der Seite der ersten Fläche 11a in Bezug auf den Mittelpunkt Ca durch Verwendung des Modulationsmusters PE geneigt ist. Insbesondere in diesem Fall ist die Strahlform des Konvergenzpunktes C in der YZ-Ebene E zur negativen Seite in der Y-Richtung in Bezug auf die Z-Richtung auch auf der Seite gegenüber der ersten Fläche 11a in Bezug auf den Mittelpunkt Ca geneigt, und somit ist die Strahlform vollständig bogenförmig. Jede Ansicht in 18(b) zeigt eine Intensitätsverteilung in der XY-Ebene des Laserlichts L an jeder der in 18(a) dargestellten Positionen H1 bis F8 in der Z-Richtung und ist ein tatsächliches Beobachtungsergebnis durch die Kamera.
  • Ferner ist das Modulationsmuster zur Formung der Strahlform des Konvergenzpunktes C in eine geneigte Form nicht auf das zuvor beschriebene asymmetrische Muster beschränkt. Ein Beispiel für ein solches Modulationsmuster ist, wie in 19 dargestellt, ein Muster zum Modulieren des Laserlichts L, um Konvergenzpunkte C1 an einer Vielzahl von Positionen in der YZ-Ebene E zu bilden und den Konvergenzpunkt C mit einer geneigten Form (einschließlich der Vielzahl von Konvergenzpunkten C1) vollständig aus der Vielzahl von Konvergenzpunkten C1 zu bilden. Ein solches Modulationsmuster kann z. B. auf der Grundlage eines Axicon-Linsenmusters gebildet werden. Bei Verwendung des Modulationsmusters kann der modifizierte Bereich 12 selbst auch geneigt in der YZ-Ebene E gebildet werden. Daher kann in diesem Fall der geneigt verlaufende Riss 13 genau entsprechend einer gewünschten Neigung gebildet werden. Andererseits ist bei Verwendung des Modulationsmusters die Länge des Risses 13 im Vergleich zu den anderen zuvor beschriebenen Beispielen tendenziell kürzer. Daher kann die gewünschte Bearbeitung durch die selektive Verwendung verschiedener Modulationsmuster entsprechend einer Anforderung durchgeführt werden.
  • Der Konvergenzpunkt C1 ist beispielsweise ein Punkt, an dem nicht moduliertes Laserlicht konvergiert wird. Wie zuvor beschrieben, ist es nach dem Wissen des vorliegenden Erfinders möglich, den schrägen Riss 13 so zu verlängern, dass er in der Y-Richtung in Bezug auf die Z-Richtung geneigt ist, indem mindestens zwei modifizierte Bereiche 12a und 12b in der YZ-Ebene E in der Y-Richtung und der Z-Richtung gegeneinander verschoben werden und die Strahlform des Konvergenzpunktes C in eine geneigte Form in der YZ-Ebene geformt wird.
  • In den Fällen, in denen der Versatz des sphärischen Aberrationskorrekturmusters verwendet wird, das Koma-Aberrationsmuster verwendet wird und das elliptische Muster zur Steuerung der Strahlform verwendet wird, kann eine Bearbeitung mit hoher Energie durchgeführt werden, verglichen mit dem Fall, in dem das Beugungsgittermuster verwendet wird, um einen Teil des Laserlichts zu schneiden. Darüber hinaus sind diese Fälle effektiv, wenn der Schwerpunkt auf der Bildung des Risses liegt. Bei Verwendung des Koma-Aberrationsmusters kann die Strahlform nur einiger der Konvergenzpunkte bei der multifokalen Bearbeitung geneigt sein. Wenn das Axicon-Linsenmuster verwendet wird, ist die Verwendung anderer Muster im Vergleich zu anderen Mustern wirksam, wenn der Schwerpunkt auf der Bildung des modifizierten Bereichs liegt.
  • [Erste Ausführungsform]
  • Als nächstes wird ein Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterelements und einer Laserbearbeitungsvorrichtung gemäß einer ersten Ausführungsform beschrieben. Zunächst erfolgt ein Überblick. 20 ist eine Ansicht, die ein Objekt gemäß der ersten Ausführungsform zeigt. 20(a) ist eine Draufsicht, und 20(b) ist eine Querschnittsansicht entlang der Linie XXb-XXb in 20(a). Das in 20 dargestellte Objekt 11 umfasst beispielsweise einen Halbleiter. Das Objekt 11 ist beispielsweise ein Halbleiterwafer (z. B. ein Siliziumwafer). Das Objekt 11 umfasst eine erste Fläche 11a und eine zweite Fläche 11b, die der ersten Fläche 11a gegenüberliegt. Hier wird eine Vielzahl von Halbleiterelementen 50 gebildet, indem das Objekt 11 in eine Gitterform geschnitten wird. Zu diesem Zweck werden mehrere Linien A, die parallel zur ersten Fläche 11a und zur zweiten Fläche 11b verlaufen, als geplante Schnittlinien in das Objekt 11 gitterförmig eingestellt. Die Linien A sind z.B. virtuelle Linien.
  • Hier sind ein Linienpaar Aa1 und Aa2 und ein Linienpaar Ab1 und Ab2 der Linien A dargestellt. Die Linien Aa1 und Aa2 verlaufen in einer Richtung parallel zueinander, bei Betrachtung der Z-Richtung. Die Linien Ab1 und Ab2, die sich mit den Linien Aa1 und Aa2 schneiden, verlaufen in einer Richtung parallel zueinander, bei Betrachtung aus der Z-Richtung. In diesem Fall wird das Objekt 11 von dem Tisch 2 so getragen, dass die erste Fläche 11a zur Seite der Sammellinse 33 zeigt.
  • Gemäß der vorliegenden Ausführungsform werden der modifizierte Bereich 12 und der Riss 13 entlang jeder der Linien A gebildet, indem das Objekt 11 mit dem Laserlicht L bestrahlt wird, während der Konvergenzpunkt C des Laserlichts L entlang jeder der Linien A relativ bewegt wird. Das heißt, hier ist die X-Richtung als Bearbeitungsverlaufsrichtung definiert. In der vorliegenden Ausführungsform wird der Riss 13, der in der Y-Richtung in Bezug auf die Z-Richtung geneigt ist, in einer Schnittebene (YZ-Ebene E) gebildet, die die X-Richtung, die die Bearbeitungsverlaufsrichtung ist, schneidet (orthogonal dazu). In 20(b) wird eine gewünschte Richtung, in der sich der Riss 13 erstreckt, durch eine Linie D angezeigt. Die Linien D, die in der YZ-Ebene E nebeneinanderliegen, sind so geneigt, dass sie sich voneinander entfernen, wenn sie von der zweiten Fläche 11b zur ersten Fläche 11 a verlaufen. Das heißt, in der vorliegenden Ausführungsform sind die in Y-Richtung aneinander angrenzenden Risse 13 schräg ausgebildet, so dass sie sich voneinander entfernen, wenn sie von der zweiten Fläche 11b zur ersten Fläche 11a verlaufen.
  • Als nächstes wird das Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterelements und der Laserbearbeitungsvorrichtung gemäß der vorliegenden Ausführungsform im Einzelnen beschrieben. Bei diesem Herstellungsverfahren wird zunächst das zuvor beschriebene Objekt 11 vorbereitet, und das Objekt 11 wird von dem Tisch 2 so gehalten, dass die erste Fläche 11a der Seite der Sammellinse 33 zugewandt ist und die Linien Aa1 und Aa2 entlang der X-Richtung verlaufen.
  • In diesem Zustand wird zunächst ein Laserbearbeitungsschritt auf einer Linie Aa1 der Konvergenz des Laserlichts L (Laserlicht L1 und L2) in dem Objekt 11 durchgeführt, um den Konvergenzpunkt C (Konvergenzpunkte C1 und C2) des Laserlichts L zu bilden, während der Konvergenzpunkt C in Bezug auf das Objekt 11 in der X-Richtung relativ bewegt wird, wodurch eine Laserbearbeitung in dem Objekt 11 durchgeführt wird.
  • Genauer gesagt wird in dem Laserbearbeitungsschritt, wie in 21 dargestellt, ein erster Bildungsschritt durchgeführt, bei dem der Konvergenzpunkt C1 entlang der Linie Aa1, die sich in der X-Richtung erstreckt, relativ bewegt wird, während eine Position des Konvergenzpunktes C1 in der Z-Richtung, die die erste Fläche 11a schneidet, die die Einfallsfläche des Laserlichts L1 in dem Objekt 11 ist, auf eine erste Z-Position Z1 eingestellt wird, wodurch der modifizierte Bereich 12a und der Riss 13a, der sich von dem modifizierten Bereich 12a in dem Objekt 11 erstreckt, gebildet werden. Im ersten Bildungsschritt wird eine Position des Konvergenzpunktes C1 in der Y-Richtung entlang der ersten Fläche 11a, die sich mit der X-Richtung schneidet, auf eine erste Y-Position Y1 eingestellt.
  • Zusätzlich wird in dem Laserbearbeitungsschritt ein zweiter Bildungsschritt durchgeführt, bei dem der Konvergenzpunkt C2 entlang der Linie Aa1 in der X-Richtung relativ bewegt wird, während eine Position des Konvergenzpunkts C2 des Laserlichts L2 in der Z-Richtung auf eine zweite Z-Position Z2 eingestellt wird, die näher an der ersten Fläche 11a (Einfallsfläche) liegt als die erste Z-Position Z1 des Konvergenzpunkts C1 in dem ersten Bildungsschritt, wodurch der modifizierte Bereich 12b und der Riss 13b, der sich von dem modifizierten Bereich 12b erstreckt, gebildet werden. Im zweiten Bildungsschritt wird eine Position des Konvergenzpunktes C2 in der Y-Richtung auf eine zweite Y-Position Y2 eingestellt, die gegenüber der ersten Y-Position Y1 des Konvergenzpunktes C1 verschoben ist. Außerdem wird in dem zweiten Bildungsschritt das Laserlicht L2 so moduliert, dass die Strahlform des Konvergenzpunktes C2 in der YZ-Ebene E, die die Y-Richtung und die Z-Richtung einschließt, eine geneigte Form hat, die in der Verschiebungsrichtung zumindest auf der Seite der ersten Fläche 11a in Bezug auf den Mittelpunkt des Konvergenzpunktes C2 geneigt ist. Somit ist der Riss 13b so geformt, dass er in der Verschiebungsrichtung in der YZ-Ebene E geneigt ist. Es sollte beachtet werden, dass ein Abstand Sy (Verschiebungsbetrag) zwischen dem Konvergenzpunkt C1 und dem Konvergenzpunkt C2 in der Y-Richtung kleiner ist als ein Abstand in der Y-Richtung zwischen den beiden in der Y-Richtung benachbarten Linien Aa1 und Aa2.
  • Hier wird sowohl im ersten als auch im zweiten Bildungsschritt das Laserlicht L1 so moduliert, dass die Strahlform des Konvergenzpunktes C1 in der YZ-Ebene E, die die Y-Richtung und die Z-Richtung einschließt, eine geneigte Form hat, die in der Verschiebungsrichtung zumindest auf der Seite der ersten Fläche 11a in Bezug auf den Mittelpunkt des Konvergenzpunktes C1 geneigt ist. Wie zuvor beschrieben, sind der Riss 13a und der Riss 13b verbunden, und der Riss 13, der sich geneigt durch die modifizierten Bereiche 12a und 12b erstreckt, wird gebildet. Der Riss 13 kann die erste Fläche 11a und/oder die zweite Fläche 11b des Objekts 11 erreichen oder auch nicht (die Bedingung des Erreichens kann entsprechend dem gewünschten Bearbeitungsmodus eingestellt werden).
  • Die Laserbearbeitungsschritte, einschließlich des ersten Bildungsschritts und des zweiten Bildungsschritts, können zum Beispiel durch die Steuereinheit 6 der Laserbearbeitungsvorrichtung 1 durchgeführt werden, die jede Einheit der Laserbearbeitungsvorrichtung 1 steuert. Das heißt, in der Laserbearbeitungsvorrichtung 1 gemäß der vorliegenden Ausführungsform steuert die Steuereinheit 6 den Raumlichtmodulator 7 und die Antriebseinheiten 4 und 5, um einen ersten Bildungsschritt, bei dem der Konvergenzpunkt C1 entlang der in der X-Richtung verlängerten Linie Aa1 relativ bewegt wird, während die Position des Konvergenzpunktes C1 in der Z-Richtung auf die erste Z-Position Z1 eingestellt wird, wodurch der modifizierte Bereich 12a und der Riss 13a in dem Objekt 11 gebildet werden, und einen zweiten Bildungsschritt, bei dem der Konvergenzpunkt C2 entlang der Linie Aa1 relativ bewegt wird, während die Position des Konvergenzpunktes C2 in der Z-Richtung an der zweiten Z-Position Z2 eingestellt wird, die näher an der ersten Fläche 11a ist als die erste Z-Position Z1, wodurch der modifizierte Bereich 12b und der Riss 13b gebildet werden, durchzuführen.
  • Darüber hinaus stellt die Steuereinheit 6 im ersten Bildungsschritt die Position des Konvergenzpunktes C1 in der Y-Richtung an der ersten Y-Position Y1 ein. Im zweiten Bildungsschritt stellt die Steuereinheit 6 die Position des Konvergenzpunktes C2 in der Y-Richtung an der zweiten Y-Position Y2 ein, die von der ersten Y-Position Y1 verschoben ist, und moduliert das Laserlicht L2 so, dass die Strahlform des Konvergenzpunktes C2 in der YZ-Ebene E eine geneigte Form hat, die in der Verschiebungsrichtung zumindest auf der Seite der ersten Fläche 11a in Bezug auf den Mittelpunkt des Konvergenzpunktes C2 geneigt ist, indem sie das Modulationsmuster steuert, das auf dem Raumlichtmodulator 7 angezeigt wird. Sowohl im ersten als auch im zweiten Bildungsschritt moduliert die Steuereinheit 6 das Laserlicht L1 so, dass die Strahlform des Konvergenzpunktes C1 in der YZ-Ebene E, die die Y-Richtung und die Z-Richtung einschließt, eine geneigte Form hat, die in der Verschiebungsrichtung zumindest auf der Seite der ersten Fläche 11a in Bezug auf die Mitte des Konvergenzpunktes C1 geneigt ist. Es sollte beachtet werden, dass das Modulationsmuster zur Formung der Strahlform in eine geneigte Form wie zuvor beschrieben ist.
  • Das heißt, das Modulationsmuster kann hier ein Koma-Aberrationsmuster enthalten, um dem Laserlicht L eine Koma-Aberration zu verleihen, und zumindest in dem zweiten Bildungsschritt kann die Steuereinheit 6 die Größe der Koma-Aberration durch das Koma-Aberrationsmuster steuern, wodurch eine erste Mustersteuerung zum Formen der Strahlform des Konvergenzpunktes C2 in eine geneigte Form durchgeführt wird. Wie zuvor beschrieben, ist das Aufbringen der Koma-Aberration auf das Laserlicht L gleichbedeutend mit dem Ausgleich eines sphärischen Aberrationskorrekturmusters.
  • Daher kann das Modulationsmuster hier das sphärische Aberrationskorrekturmuster Ps zur Korrektur der sphärischen Aberration des Laserlichts L enthalten, und zumindest in dem zweiten Bildungsschritt kann die Steuereinheit 6 den Mittelpunkt Pc des sphärischen Aberrationskorrekturmusters Ps in der Y-Richtung in Bezug auf den Mittelpunkt der Eintrittspupillenebene 33a der Sammellinse 33 versetzen, wodurch eine zweite Mustersteuerung zur Formung der Strahlform des Konvergenzpunktes C2 in eine geneigte Form durchgeführt wird.
  • Alternativ kann die Steuereinheit 6 im zweiten Bildungsschritt veranlassen, dass ein Modulationsmuster, das in Bezug auf die Achse Ax entlang der X-Richtung asymmetrisch ist, auf dem Raumlichtmodulator 7 angezeigt wird, wodurch eine dritte Mustersteuerung zum Formen der Strahlform des Konvergenzpunktes C2 in eine geneigte Form durchgeführt wird. Bei dem bezüglich der Achse Ax asymmetrischen Modulationsmuster kann es sich um die Modulationsmuster PG1 bis PG4 einschließlich des Gittermusters Ga handeln, oder um das Modulationsmuster PE einschließlich der elliptischen Muster Es und Ew (oder um beide).
  • Das heißt, das Modulationsmuster kann hier ein elliptisches Muster Es und Ew enthalten, um die Strahlform des Konvergenzpunktes C in der XY-Ebene in eine elliptische Form zu formen, die die X-Richtung als eine Längsseite hat, und in dem zweiten Bildungsschritt, die Steuereinheit 6 veranlassen kann, dass das Modulationsmuster PE auf dem Raumlichtmodulator 7 so angezeigt wird, dass die Intensität der elliptischen Muster Es und Ew asymmetrisch in Bezug auf die Achse Ax entlang der X-Richtung ist, wodurch eine vierte Mustersteuerung zum Formen der Strahlform des Konvergenzpunktes C2 in eine geneigte Form durchgeführt wird.
  • Ferner kann die Steuereinheit 6 im zweiten Bildungsschritt veranlassen, dass ein Modulationsmuster (z. B. ein zuvor beschriebenes Axicon-Linsenmuster PA) zur Bildung einer Vielzahl von Konvergenzpunkten C, die entlang der Verschiebungsrichtung in der YZ-Ebene E angeordnet sind, auf dem räumlichen Lichtmodulator 7 angezeigt wird, wodurch eine fünfte Mustersteuerung zur Formung der Strahlform des Konvergenzpunktes C2 in eine geneigte Form erfolgt. Die verschiedenen zuvor beschriebenen Muster können beliebig kombiniert und überlagert werden. Das heißt, die Steuereinheit 6 kann die erste Mustersteuerung bis zur fünften Mustersteuerung durch beliebige Kombination durchführen.
  • Der erste Bildungsschritt (erster Bildungsprozess) und der zweite Bildungsschritt (zweiter Bildungsprozess) können gleichzeitig (multifokale Verarbeitung) oder nacheinander (Single-Pass-Bearbeitung) durchgeführt werden. Das heißt, die Steuereinheit 6 kann den zweiten Bildungsschritt nach der Durchführung des ersten Bildungsschrittes auf einer Linie A (zum Beispiel der Linie Aa1) durchführen. Alternativ kann die Steuereinheit 6 gleichzeitig den ersten Bildungsprozess und den zweiten Bildungsprozess auf einer Linie A (z.B. die Linie Aa1) durchführen, die in das Objekt 11 eingestellt ist, indem sie ein Modulationsmuster einschließlich eines Verzweigungsmusters zum Verzweigen des Laserlichts L in das Laserlicht L1 und L2 veranlasst, das auf dem Raumlichtmodulator 7 angezeigt wird.
  • Bei dem Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterelements gemäß der vorliegenden Ausführungsform wird der zuvor beschriebene Laserbearbeitungsschritt für alle Linien A durchgeführt. Somit werden der modifizierte Bereich 12 und der Riss 13 entlang aller Linien A gebildet. Danach wird bei dem Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterelements gemäß der vorliegenden Ausführungsform ein Trennschritt durchgeführt, bei dem ein Teil des Objekts 11 abgetrennt wird, um das Halbleiterelement 50 aus dem Objekt 11 zu bilden.
  • Genauer gesagt wird in dem Trennschritt das Halbleiterelement 50 mit einer Seitenfläche 50s, die eine geneigte Fläche ist, die zumindest durch den Riss 13b definiert ist, durch Abtrennen eines Teils des Objekts 11 unter Verwendung des Risses 13 als Grenze gebildet, wie in 22(a) dargestellt. Hier wird eine Vielzahl von Halbleiterelementen 50 durch Schneiden des Objekts 11 entlang der Linie A unter Verwendung des Risses 13 als Grenze gebildet. Die Seitenfläche 50s ist eine Außenfläche des Halbleiterelements 50 und ist eine Fläche, die eine erste Fläche 50a des Halbleiterelements 50, die ein Teil der ersten Fläche 11a ist, und eine zweite Fläche 50b des Halbleiterelements 50, die ein Teil der zweiten Fläche 11b ist, verbindet und in Bezug auf die Normale der ersten Fläche 50a und der zweiten Fläche 50b geneigt ist.
  • Auf diese Weise wird das Halbleiterelement 50 (siehe 22(a)) erhalten. Das zuvor beschriebene Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterelements umfasst das Laserbearbeitungsverfahren gemäß der vorliegenden Ausführungsform. Das Laserbearbeitungsverfahren gemäß der vorliegenden Ausführungsform umfasst den zuvor beschriebenen Laserbearbeitungsschritt.
  • Wie in 22(b) dargestellt, kann die Vielzahl von Halbleiterelementen 50, die durch das Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterelements gemäß der vorliegenden Ausführungsform erhalten wurden, so gestapelt werden, dass die erste Fläche 50a eines Halbleiterelements 50 und die zweite Fläche 50b eines anderen Halbleiterelements 50 einander gegenüberliegen, um ein gestapeltes Halbleiterelement 50A zu bilden. Dabei ist die Fläche der ersten Fläche 50a größer als die Fläche der zweiten Fläche 50b. Aus diesem Grund wird in dem Halbleiterelement 50A ein Bereich, der nicht von der zweiten Fläche 50b eines anderen Halbleiterelements 50 bedeckt ist (von der zweiten Fläche 50b freigelegt), auf der ersten Fläche 50a eines Halbleiterelements 50 gebildet. Indem der Bereich der ersten Fläche 50a, der nicht von der zweiten Fläche 50b bedeckt ist, als Installationsort eines Drahtes W zum Drahtbonden verwendet wird, können die Halbleiterelemente 50 daher elektrisch miteinander verbunden werden, ohne dass eine interne Struktur, wie beispielsweise eine Durchgangselektrode, verwendet wird.
  • Darüber hinaus werden, wie in 23(a) dargestellt, beispielsweise die mehreren Halbleiterelemente 50 so angeordnet und auf einem Substrat 51 montiert, dass die erste Fläche 50a in dieselbe Richtung weist (durch Kacheln), um ein Halbleiterelement 50B zu bilden. In diesem Fall, da die Seitenflächen 50s der benachbarten Halbleiterelemente 50 entsprechend der Neigung voneinander beabstandet sind, kann eine Störung durch den Vorsprung zwischen den benachbarten Halbleiterelementen 50 vermieden werden, selbst wenn bei der Bildung des Halbleiterelements 50 ein Vorsprung auf der Seitenfläche 50s gebildet wird, und somit kann die Vielzahl von Halbleiterelementen 50 dicht angeordnet werden.
  • Wie in 23(b) dargestellt, kann ferner ein Halbleiterelement 50C als verbleibendes Teil gebildet werden, indem ein Teil 55 im Trennschritt von dem Objekt 11 abgetrennt wird. Genauer gesagt wird in dem Trennschritt das Ätzen entlang des Risses 13 und des modifizierten Bereichs 12 durch Ätzen des Objekts 11 ausgedehnt, so dass das Teil 55 von dem Objekt 11 entfernt werden kann. Als Ergebnis wird das Halbleiterelement 50C mit der Seitenfläche 50s, die die durch den Riss 13 definierte Innenfläche ist, erhalten.
  • Wie in 23(c) dargestellt, kann auch ein abgeschrägtes Halbleiterelement 50D gebildet werden. In diesem Fall wird beispielsweise ein weiterer modifizierter Bereich auf der Seite der ersten Fläche 11a in Bezug auf den modifizierten Bereich 12b und den Riss 13b in dem Laserbearbeitungsschritt gebildet, wodurch ein vertikaler Riss gebildet wird, der sich entlang der Z-Richtung von dem anderen modifizierten Bereich erstreckt, um mit dem Riss 13 verbunden zu werden. Dann wird ein Teil von dem Objekt 11 abgetrennt, wobei der Riss 13 und der vertikale Riss als Grenze in dem Trennschritt verwendet werden, wodurch das Halbleiterelement 50D erhalten wird, das eine Seitenfläche 50s, die eine durch den Riss 13 definierte geneigte Fläche ist, und eine Seitenfläche 50r, die eine durch den vertikalen Riss definierte vertikale Fläche ist, aufweist. Das Halbleiterelement 50D hat eine abgeschrägte Form, da die geneigte Seitenfläche 50s zwischen der Seitenfläche 50r und der ersten Fläche 50a verbunden ist. Dies verhindert Abplatzungen.
  • Wie zuvor beschrieben, wird bei dem Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterelements (Laserbearbeitungsverfahren) und der Laserbearbeitungsvorrichtung 1 gemäß der vorliegenden Ausführungsform der Konvergenzpunkt C1 des Laserlichts L1 entlang der in X-Richtung verlaufenden Linie Aa1 an der ersten Z-Position Z1 relativ bewegt, wodurch der modifizierte Bereich 12a und der Riss 13a gebildet werden. Darüber hinaus wird der Konvergenzpunkt C2 des Laserlichts L2 entlang der Linie Aa1 an der zweiten Z-Position Z2, die näher an der ersten Fläche 11a liegt als die erste Z-Position Z1, relativ bewegt, wodurch der modifizierte Bereich 12b und der Riss 13b gebildet werden. Der Konvergenzpunkt C1 befindet sich an der ersten Y-Position Y1 in der Y-Richtung, wenn der modifizierte Bereich 12a und der Riss 13a gebildet werden, und befindet sich an der zweiten Y-Position Y2, die von der ersten Y-Position Y1 in der Y-Richtung verschoben ist, wenn der modifizierte Bereich 12b und der Riss 13b gebildet werden.
  • Wenn der modifizierte Bereich 12b und der Riss 13b gebildet werden, ist die Strahlform des Konvergenzpunktes C2 in der YZ-Ebene E eine geneigte Form, die in der Verschieberichtung des Konvergenzpunktes C2 zumindest auf der Seite der ersten Fläche 11a in Bezug auf den Mittelpunkt des Konvergenzpunktes C2 geneigt ist. Nach den Erkenntnissen der vorliegenden Erfindung kann zumindest der Riss 13b ein geneigter Riss sein, der in der Verschieberichtung in der YZ-Ebene E geneigt ist, indem der Konvergenzpunkt C2 in Y-Richtung verschoben wird und die Strahlform des Konvergenzpunktes C2 gesteuert wird. Das heißt, es kann ein schräger Riss gebildet werden.
  • Gemäß der Laserbearbeitungsvorrichtung 1 gemäß der vorliegenden Ausführungsform kann die Steuereinheit 6 das Laserlicht L so modulieren, dass die Strahlform des Konvergenzpunktes C1 in der YZ-Ebene E eine geneigte Form hat, die zumindest auf der Seite der ersten Fläche 11a in Bezug auf den Mittelpunkt des Konvergenzpunktes C1 in der Verschiebungsrichtung geneigt ist, wodurch der Riss 13a so geformt wird, dass er in der Verschiebungsrichtung in der YZ-Ebene E geneigt verläuft. Daher ist es möglich, den Riss 13, der sich schräg durch den modifizierten Bereich 12a und den modifizierten Bereich 12b erstreckt, zuverlässig zu bilden.
  • Gemäß der Laserbearbeitungsvorrichtung 1 gemäß der vorliegenden Ausführungsform kann das Modulationsmuster ein Koma-Aberrationsmuster enthalten, um dem Laserlicht L eine positive Koma-Aberration zu verleihen. In diesem Fall kann die Steuereinheit 6 die Größe der Koma-Aberration durch das Koma-Aberrationsmuster im zweiten Bildungsschritt steuern, wodurch die erste Mustersteuerung zum Formen der Strahlform des Konvergenzpunktes C in eine geneigte Form durchgeführt wird. Nach den Erkenntnissen des vorliegenden Erfinders wird in diesem Fall die Strahlform des Konvergenzpunktes C in der YZ-Ebene E bogenförmig ausgebildet. Das heißt, in diesem Fall ist die Strahlform des Konvergenzpunktes C auf der Seite der ersten Fläche 11a in Bezug auf den Mittelpunkt Ca des Konvergenzpunktes C in der Verschiebungsrichtung geneigt, und ist in der Richtung entgegengesetzt zur Verschiebungsrichtung auf der Seite der zweiten Fläche 11b in Bezug auf den Mittelpunkt Ca des Konvergenzpunktes C geneigt. Auch in diesem Fall ist es möglich, einen in Verschieberichtung schräg verlaufenden Riss zu bilden.
  • Zusätzlich kann in der Laserbearbeitungsvorrichtung 1 gemäß der vorliegenden Ausführungsform das Modulationsmuster das sphärische Aberrationskorrekturmuster Ps zur Korrektur der sphärischen Aberration des Laserlichts L enthalten. In diesem Fall kann die Steuereinheit 6 im zweiten Bildungsschritt den Mittelpunkt Pc des sphärischen Aberrationskorrekturmusters Ps in der Y-Richtung in Bezug auf den Mittelpunkt der Eintrittspupillenebene 33a der Sammellinse 33 versetzen, wodurch die zweite Mustersteuerung zur Formung der Strahlform des Konvergenzpunktes C in eine geneigte Form durchgeführt wird. Nach den Erkenntnissen des Erfinders kann auch in diesem Fall die Strahlform des Konvergenzpunktes C in der YZ-Ebene E bogenförmig geformt werden, und es kann ein in Verschiebungsrichtung schräger Riss gebildet werden, wie in dem Fall, in dem das Koma-Aberrationsmuster verwendet wird.
  • Darüber hinaus kann die Steuereinheit 6 in der Laserbearbeitungsvorrichtung 1 gemäß der vorliegenden Ausführungsform im zweiten Bildungsschritt veranlassen, dass auf dem Raumlichtmodulator 7 ein Modulationsmuster angezeigt wird, das in Bezug auf die Achse Ax entlang der X-Richtung asymmetrisch ist, wodurch die dritte Mustersteuerung zur Umformung der Strahlform in eine geneigte Form erfolgt. Nach den Erkenntnissen des vorliegenden Erfinders kann in diesem Fall die gesamte Strahlform des Konvergenzpunktes C in der YZ-Ebene E in der Verschiebungsrichtung geneigt sein. Auch in diesem Fall ist es möglich, einen in Verschieberichtung schräg verlaufenden Riss zu bilden.
  • Darüber hinaus kann in der Laserbearbeitungsvorrichtung 1 gemäß der vorliegenden Ausführungsform das Modulationsmuster die elliptischen Muster Es und Ew enthalten, um die Strahlform des Konvergenzpunktes C in der XY-Ebene, die die X-Richtung und die Y-Richtung einschließt, in eine elliptische Form mit der X-Richtung als Längsseite zu formen. In diesem Fall kann die Steuereinheit 6 in dem zweiten Bildungsschritt veranlassen, dass ein Modulationsmuster auf dem Raumlichtmodulator 7 angezeigt wird, so dass die Intensität der elliptischen Muster Es und Ew asymmetrisch in Bezug auf die Achse Ax entlang der X-Richtung ist, wodurch die vierte Mustersteuerung zum Formen der Strahlform des Konvergenzpunktes C in eine geneigte Form durchgeführt wird. Nach den Erkenntnissen des Erfinders kann auch in diesem Fall die Strahlform des Konvergenzpunktes C in der YZ-Ebene E bogenförmig ausgebildet werden, und es kann ein in der Verschiebungsrichtung schräg verlaufender Riss gebildet werden.
  • Darüber hinaus kann die Steuereinheit 6 in der Laserbearbeitungsvorrichtung 1 gemäß der vorliegenden Ausführungsform in dem zweiten Bildungsschritt veranlassen, dass ein Modulationsmuster zur Bildung der Vielzahl von Konvergenzpunkten C1 auf dem Raumlichtmodulator 7 angezeigt wird, wodurch die fünfte Mustersteuerung zur Formung der Strahlform des Konvergenzpunktes C mit einer Vielzahl von Konvergenzpunkten C1, die entlang der Verschiebungsrichtung in der YZ-Ebene E angeordnet sind, in eine geneigte Form erfolgt. Nach dem Wissen des Erfinders ist es auch in diesem Fall möglich, einen in der Verschieberichtung schräg verlaufenden Riss zu bilden.
  • Gemäß der Laserbearbeitungsvorrichtung 1 gemäß der vorliegenden Ausführungsform kann die Steuereinheit 6 den zweiten Bildungsschritt nach der Durchführung des ersten Bildungsschrittes auf einer Linie Aa1 durchführen, die entlang der X-Richtung im Objekt 11 verläuft. Ein schräger Riss kann auch dann gebildet werden, wenn der erste Bildungsschritt und der zweite Bildungsschritt auf diese Weise getrennt durchgeführt werden. Ferner kann die Steuereinheit 6 in der Laserbearbeitungsvorrichtung 1 gleichzeitig den ersten Bildungsschritt und den zweiten Bildungsschritt auf einer im Objekt 11 festgelegten Linie Aa1 durchführen, indem sie ein Modulationsmuster einschließlich eines Verzweigungsmusters zum Verzweigen des Laserlichts L auf dem Raumlichtmodulator 7 anzeigen lässt. Ein geneigter Riss kann auch gebildet werden, wenn der erste Bildungsschritt und der zweite Bildungsschritt gleichzeitig auf diese Weise durchgeführt werden.
  • [Zweite Ausführungsform]
  • Als nächstes wird ein Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterelements und einer Laserbearbeitungsvorrichtung gemäß einer zweiten Ausführungsform beschrieben. Zunächst erfolgt ein Überblick. 24 ist eine Ansicht, die ein Objekt gemäß der zweiten Ausführungsform zeigt. 24(a) ist eine Draufsicht, und 24(b) ist eine Querschnittsansicht entlang der Linie XXIb-XXIb in 24(a). Das in 24 dargestellte Objekt 11 umfasst beispielsweise einen Halbleiter. Das Objekt 11 ist beispielsweise ein Halbleiterwafer (z. B. ein Siliziumwafer). Das Objekt 11 umfasst eine erste Fläche 11a und eine zweite Fläche 11b, die der ersten Fläche 11a gegenüberliegt. Darüber hinaus umfasst das Objekt 11 einen ersten Bereich 11A, der die erste Fläche 11a einschließt, und einen zweiten Bereich 11B, der die zweite Fläche 11b einschließt.
  • Eine Linie G in der Figur ist eine virtuelle Linie, die eine Grenze zwischen dem ersten Bereich 11A und dem zweiten Bereich 11B anzeigt. Der erste Bereich 11A ist ein geplanter Schleifbereich entlang der ersten Fläche 11a. Hier wird ein kreisförmiges Halbleiterelement 60 aus dem Objekt 11 ausgeschnitten (zweiter Bereich 11B). Zu diesem Zweck werden mehrere, in Z-Richtung gesehen, kreisförmig verlaufende Linien Ac als geplante Schnittlinien im Objekt 11 festgelegt. Die Linien Ac sind z. B. virtuelle Linien.
  • Beispielsweise wird das Objekt 11 von dem Tisch 2 so getragen, dass die erste Fläche 11a der Seite der Sammellinse 33 zugewandt ist. In der vorliegenden Ausführungsform werden der modifizierte Bereich 12 und der Riss 13 entlang jeder der Linien Ac gebildet, indem das Objekt 11 mit dem Laserlicht L bestrahlt wird, während der Konvergenzpunkt C des Laserlichts L entlang jeder der Linien A relativ bewegt wird. Das heißt, hier ist die X-Richtung als Bearbeitungsverlaufsrichtung definiert. In der vorliegenden Ausführungsform wird der Riss 13, der in der Y-Richtung in Bezug auf die Z-Richtung geneigt ist, in einer Schnittebene (YZ-Ebene E) gebildet, die sich mit der X-Richtung, die die Bearbeitungsverlaufsrichtung ist, schneidet (orthogonal dazu).
  • In 24(b) ist eine gewünschte Richtung, in die sich der Riss 13 erstreckt, durch eine Linie D angedeutet. Die in der YZ-Ebene E aneinandergrenzenden Linien D sind so geneigt, dass sie sich voneinander entfernen, wenn sie von der zweiten Fläche 11b zur ersten Fläche 11a verlaufen. Das heißt, in der vorliegenden Ausführungsform sind die in der Y-Richtung in der YZ-Ebene E aneinander angrenzenden Risse 13 schräg ausgebildet, so dass sie sich voneinander entfernen, wenn sie von der zweiten Fläche 11b zur ersten Fläche 11a verlaufen. Mit anderen Worten, in der vorliegenden Ausführungsform ist der Riss 13 in der YZ-Ebene E in Bezug auf die Z-Richtung so geneigt, dass er sich von einer Bezugslinie Az entfernt, die durch den Mittelpunkt der Linie Ac (entlang der Z-Richtung) verläuft, wenn er von der zweiten Fläche 11b zur ersten Fläche 11a verläuft.
  • Es sollte beachtet werden, dass die Neigungsrichtung des Risses umgekehrt sein kann. Das heißt, die Linien D, die in der YZ-Ebene E aneinandergrenzen, können so geneigt sein, dass sie sich von der zweiten Fläche 11b zur ersten Fläche 11a hin annähern. Das heißt, die in der Y-Richtung in der YZ-Ebene E aneinander angrenzenden Risse 13 können geneigt ausgebildet sein, so dass sie sich von der zweiten Fläche 11b zur ersten Fläche 11a hin nähern. Ferner kann mit anderen Worten der Riss 13, der in Bezug auf die Z-Richtung so geneigt ist, dass er sich der Bezugslinie Az nähert, die durch die Mitte der Linie Ac (entlang der Z-Richtung) verläuft, während er von der zweiten Fläche 11b zur ersten Fläche 11 a verläuft, in der YZ-Ebene E gebildet werden. Diese Änderungen in der Neigungsrichtung können willkürlich entsprechend einer Anforderung bezüglich der Form, der Anwendung, der Trennmethode und dergleichen des zu erhaltenden Halbleiterelements ausgewählt werden. Zum Beispiel können die Änderungen, wie später beschrieben (wie in 26(c) dargestellt), in Abhängigkeit davon ausgewählt werden, ob das erhaltene Halbleiterelement 60 von der Seite der ersten Fläche 11a (erste Fläche 60a) oder der zweiten Fläche 11b (zweite Fläche 60b) aufgenommen wird.
  • Als nächstes wird das Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterelements und der Laserbearbeitungsvorrichtung gemäß der vorliegenden Ausführungsform im Einzelnen beschrieben. Bei diesem Verfahren wird zunächst das oben beschriebene Objekt 11 vorbereitet, und das Objekt 11 wird von dem Tisch 2 so gehalten, dass die erste Fläche 11a der Seite der Sammellinse 33 zugewandt ist. In diesem Zustand wird zunächst ein Laserbearbeitungsschritt (ein erster Bearbeitungsschritt) auf einer Linie Ac zur Bildung des Konvergenzpunktes C (Konvergenzpunkte C1 und C2) des Laserlichts L (Laserlicht L1 und L2) im Objekt 11 durchgeführt, während der Konvergenzpunkt C entlang der Linie Ac in Bezug auf das Objekt 11 relativ bewegt wird, wodurch der modifizierte Bereich 12 und der sich vom modifizierten Bereich 12 entlang der Linie Ac im Objekt 11 erstreckende Riss 13 gebildet werden.
  • Genauer gesagt wird in dem Laserbearbeitungsschritt, wie in 25 dargestellt, der erste Bildungsschritt durchgeführt, bei dem der Konvergenzpunkt C1 entlang der Linie Aa1 relativ bewegt wird, während eine Position des Konvergenzpunktes C1 in der Z-Richtung festgelegt wird, die sich mit der ersten Fläche 11a, die die Einfallsfläche des Laserlichts L1 im Objekt 11 ist, an der ersten Z-Position Z1 schneidet, wodurch der modifizierte Bereich (erster modifizierter Bereich und vierter modifizierter Bereich) 12a und der Riss (erster Riss) 13a, der sich von dem modifizierten Bereich 12a im Objekt 11 erstreckt, gebildet werden. Die erste Z-Position Z1 wird im ersten Bereich 11A festgelegt, der ein geplanter Schleifbereich ist. Im ersten Bildungsschritt wird eine Position des Konvergenzpunktes C1 in der Y-Richtung entlang der ersten Fläche 11a, die sich mit der X-Richtung schneidet, auf eine erste Y-Position Y1 eingestellt.
  • Zusätzlich wird in dem Laserbearbeitungsschritt der zweite Bildungsschritt durchgeführt, bei dem der Konvergenzpunkt C2 entlang der Linie Ac in der X-Richtung relativ bewegt wird, während eine Position des Konvergenzpunkts C2 des Laserlichts L2 in der Z-Richtung an der zweiten Z-Position Z2 eingestellt wird, die näher an der ersten Fläche 11a (Auftrefffläche) liegt als die erste Z-Position Z1 des Konvergenzpunkts C1 in dem ersten Bildungsschritt, wodurch der modifizierte Bereich (erster modifizierter Bereich und fünfter modifizierter Bereich) 12b und der sich von dem modifizierten Bereich 12b erstreckende Riss (erster Riss) 13b gebildet werden. Die zweite Z-Position Z2 wird in dem ersten Bereich 11A festgelegt, der ein geplanter Schleifbereich ist. Im zweiten Bildungsschritt wird eine Position des Konvergenzpunktes C2 in der Y-Richtung auf eine zweite Y-Position Y2 eingestellt, die gegenüber der ersten Y-Position Y1 des Konvergenzpunktes C1 verschoben ist. Außerdem wird im zweiten Bildungsschritt das Laserlicht L2 so moduliert, dass die Strahlform des Konvergenzpunktes C2 in der YZ-Ebene E eine geneigte Form hat, die in der Verschiebungsrichtung zumindest auf der Seite der ersten Fläche 11a in Bezug auf die Mitte des Konvergenzpunktes C2 geneigt ist. Der Riss 13b ist also so geformt, dass er in der YZ-Ebene E in der Verschieberichtung geneigt ist.
  • Hier wird sowohl im ersten als auch im zweiten Bildungsschritt das Laserlicht L1 so moduliert, dass die Strahlform des Konvergenzpunktes C1 in der YZ-Ebene E eine geneigte Form hat, die zumindest auf der Seite der ersten Fläche 11a in Bezug auf den Mittelpunkt des Konvergenzpunktes C1 in der Verschieberichtung geneigt ist. Wie oben beschrieben, sind der Riss 13a und der Riss 13b miteinander verbunden, und es wird der Riss 13 gebildet, der sich geneigt durch die modifizierten Bereiche 12a und 12b erstreckt. Im gezeigten Beispiel erreicht der Riss 13 die erste Fläche 11a und die zweite Fläche 11b des Objekts 11, kann sie aber auch nicht erreichen.
  • Der Laserbearbeitungsschritt, der den ersten Bildungsschritt und den zweiten Bildungsschritt umfasst, kann wie in der ersten Ausführungsform beispielsweise durch die Steuereinheit 6 der Laserbearbeitungsvorrichtung 1 durchgeführt werden, die jede Einheit der Laserbearbeitungsvorrichtung 1 steuert. Das heißt, in der Laserbearbeitungsvorrichtung 1 gemäß der vorliegenden Ausführungsform steuert die Steuereinheit 6 den Raumlichtmodulator 7 und die Antriebseinheiten 4 und 5, um einen ersten Bildungsschritt durchzuführen, bei dem der Konvergenzpunkt C1 entlang der Linie Ac relativ bewegt wird, während die Position des Konvergenzpunktes C1 in der Z-Richtung auf die erste Z-Position Z1 eingestellt wird, wodurch der modifizierte Bereich 12a und der Riss 13a in dem Objekt 11 gebildet werden, und einen zweiten Bildungsschritt des relativen Bewegens des Konvergenzpunktes C2 entlang der Linie Ac, während die Position des Konvergenzpunktes C2 in der Z-Richtung an der zweiten Z-Position Z2 eingestellt wird, die näher an der ersten Fläche 11a ist als die erste Z-Position Z1, wodurch der modifizierte Bereich 12b und der Riss 13b gebildet werden.
  • Zusätzlich stellt die Steuereinheit 6 im ersten Bildungsschritt die Position des Konvergenzpunktes C1 in Y-Richtung an der ersten Y-Position Y1 ein. Im zweiten Bildungsschritt stellt die Steuereinheit 6 die Position des Konvergenzpunktes C2 in der Y-Richtung an der zweiten Y-Position Y2 ein, die von der ersten Y-Position Y1 verschoben ist, und moduliert das Laserlicht L2 so, dass die Strahlform des Konvergenzpunktes C2 in der YZ-Ebene E eine geneigte Form hat, die in der Verschiebungsrichtung zumindest auf der Seite der ersten Fläche 11a in Bezug auf den Mittelpunkt des Konvergenzpunktes C2 geneigt ist, indem sie das Modulationsmuster steuert, das auf dem Raumlichtmodulator 7 angezeigt wird. Hier moduliert die Steuereinheit 6 das Laserlicht L1 in ähnlicher Weise, so dass die Strahlform des Konvergenzpunktes C1 in der YZ-Ebene E eine geneigte Form hat, die zumindest auf der Seite der ersten Fläche 11 a in Bezug auf den Mittelpunkt des Konvergenzpunktes C1 in der Verschieberichtung geneigt ist. Es sollte beachtet werden, dass das Modulationsmuster zur Formung der Strahlform in eine geneigte Form wie oben beschrieben ist.
  • Der erste Bildungsschritt (erster Bildungsschritt) und der zweite Bildungsschritt (zweiter Bildungsschritt) können gleichzeitig (multifokale Verarbeitung) oder nacheinander (Single-Pass-Bearbeitung) durchgeführt werden. Das heißt, die Steuereinheit 6 kann den zweiten Bildungsschritt nach der Durchführung des ersten Bildungsschrittes auf einer Linie Ac durchführen. Alternativ kann die Steuereinheit 6 gleichzeitig den ersten Bildungsschritt und den zweiten Bildungsschritt auf einer in das Objekt 11 eingestellten Linie Ac durchführen, indem sie ein Modulationsmuster einschließlich eines Verzweigungsmusters zur Aufteilung des Laserlichts L in das Laserlicht L1 und L2 veranlasst, das auf dem Raumlichtmodulator 7 angezeigt wird.
  • Um die Konvergenzpunkte C1 und C2 relativ in X-Richtung zu bewegen, kann die Steuereinheit 6 beispielsweise die Antriebseinheit 4 steuern, um den Tisch 2 zweidimensional zu bewegen, so dass sich die Konvergenzpunkte C1 und C2 entlang der kreisförmigen Linie Ac in einem Zustand bewegen, in dem die Konvergenzpunkte C1 und C2 auf der Linie Ac positioniert sind, wenn sie aus der Z-Richtung betrachtet werden. Alternativ kann die Laserbestrahlungseinheit 3 durch die Steuereinheit 6, die die Antriebseinheit 5 steuert, so bewegt werden, dass sich die Konvergenzpunkte C1 und C2 entlang der Linie Ac bewegen, die Steuereinheit 6 kann eine Steuerung durchführen, um den Tisch 2 zu drehen, oder die Steuereinheit 6 kann eine Steuerung in Kombination davon durchführen.
  • Wenn die Verarbeitung durch relatives Bewegen der Konvergenzpunkte C1 und C2 entlang der kreisförmigen Linie Ac auf diese Weise durchgeführt wird, ist es möglich, eine Steuerung durchzuführen, um die Konvergenzpunkte C1 und C2 so zu drehen, dass die Konvergenzpunkte C1 und C2 in der XY-Ebene verlängert werden, während die Längsrichtung der Konvergenzpunkte C1 und C2 in Bezug auf die X-Richtung, die die Verarbeitungsfortschrittsrichtung ist, geneigt ist. Beispielsweise können die Konvergenzpunkte C1 und C2 so gedreht werden, dass der Winkel zwischen der Längsrichtung und der X-Richtung ein erster Winkel (+10° bis +35°) in der XY-Ebene ist, und sie können so gedreht werden, dass der Winkel ein zweiter Winkel (-35° bis -10°) ist. Ob der erste Winkel oder der zweite Winkel verwendet wird, kann entsprechend der Beziehung zwischen der Linie Ac und der Kristallorientierung des Objekts 11 gewählt werden. In diesem Fall werden in dem Raumlichtmodulator 7 das Modulationsmuster zur Formung der Strahlform in der YZ-Ebene in eine geneigte Form, wie oben beschrieben, und das Muster zur Formung der Strahlform in der XY-Ebene in eine längliche Form überlagert.
  • Bei dem Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterelements gemäß der vorliegenden Ausführungsform wird der oben beschriebene Laserbearbeitungsschritt für alle Linien Ac durchgeführt. Somit werden der modifizierte Bereich 12 und der Riss 13 entlang aller Linien Ac gebildet. Das heißt, hier werden in dem Laserbearbeitungsschritt der modifizierte Bereich 12 und der Riss 13 entlang jeder der Vielzahl von Linien Ac gebildet, indem der Konvergenzpunkt C entlang jeder der Vielzahl von Linien Ac relativ bewegt wird.
  • Danach wird bei dem Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterelements gemäß der vorliegenden Ausführungsform ein Trennschritt durchgeführt, bei dem ein Teil des Objekts 11 abgetrennt wird, um das Halbleiterelement 60 von dem Objekt 11 zu bilden. Genauer gesagt wird zunächst, wie in den 26(a) und 26(b) dargestellt, ein Schleifschritt zum Schleifen des Objekts 11 von der ersten Flächenseite 11a aus durchgeführt, um den ersten Bereich 11A zu entfernen, bevor der Trennschritt erfolgt. So werden ein Teil des modifizierten Bereichs 12 und ein Teil des Risses 13 zusammen mit dem ersten Bereich 11A entfernt. Darüber hinaus wird eine neue erste Fläche 11c (die Fläche des verbleibenden zweiten Bereichs 11B) auf der der zweiten Fläche 11b gegenüberliegenden Seite gebildet. Das heißt, hier wird zwischen dem Laserbearbeitungsschritt und dem Trennschritt ein Schleifschritt durchgeführt, bei dem das Objekt 11 entlang der Z-Richtung geschliffen wird, um den modifizierten Bereich 12 von dem Objekt 11 zu entfernen.
  • Danach wird, wie in 26(c) dargestellt, eine Kraft auf ein zu trennendes Stück (ein Abschnitt, der dem Halbleiterelement 60 entspricht) von der Seite der zweiten Fläche 11b ausgeübt, und das Stück wird von dem zweiten Bereich 11B getrennt, während eine Außenfläche des Stücks (eine Fläche, die einer Außenfläche 60s des Halbleiterelements 60 entspricht) von einer Spannvorrichtung gehalten wird. Auf diese Weise wird das Halbleiterelement 60 geformt. Das Halbleiterelement 60 umfasst eine erste Fläche 60a, die ein Teil der neuen ersten Fläche 11c ist, und eine zweite Fläche 60b, die ein Teil der zweiten Fläche 11b ist. Die Außenfläche 60s ist eine Fläche, die die erste Fläche 60a und die zweite Fläche 60b verbindet, und ist eine geneigte Fläche, die durch den Riss 13 definiert ist. Die Außenfläche 60s ist in Bezug auf die Normalen der ersten Fläche 60a und der zweiten Fläche 60b geneigt.
  • Der Schleifschritt kann nach dem Trennschritt durchgeführt werden. Das heißt, der Schleifschritt des Entfernens des modifizierten Bereichs 12 von dem Halbleiterelement 60 durch Schleifen des Halbleiterelements 60 entlang der Z-Richtung kann nach dem Trennschritt durchgeführt werden.
  • Das oben beschriebene Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterelements umfasst das Laserbearbeitungsverfahren gemäß der vorliegenden Ausführungsform. Das Laserbearbeitungsverfahren gemäß der vorliegenden Ausführungsform umfasst den oben beschriebenen Laserbearbeitungsschritt.
  • Es sollte beachtet werden, dass in der vorliegenden Ausführungsform ein Element mit einer anderen Form als die des Halbleiterelements 60, wie ein in 27(a) dargestelltes Halbleiterelement 60A oder ein in 27(b) dargestelltes Halbleiterelement 60B, hergestellt werden kann. Im Folgenden wird ein Beispiel für die Herstellung dieser Halbleiterelemente 60A und 60B beschrieben.
  • Das Halbleiterelement 60A umfasst die erste Fläche 60a, die zweite Fläche 60b und die Außenfläche 60s, wie das Halbleiterelement 60. Ferner weist das Halbleiterelement 60A eine Außenfläche 60r auf. Die Außenfläche 60r ist parallel zur Normalen der ersten Fläche 60a und der zweiten Fläche 60b. Die Außenfläche 60s ist mit der zweiten Fläche 60b verbunden, und die Außenfläche 60r ist mit der ersten Fläche 60a verbunden. Somit verbinden die Außenflächen 60s und 60r die erste Fläche 60a und die zweite Fläche 60b.
  • Wenn ein solches Halbleiterelement 60A hergestellt wird, wie in 28 dargestellt, werden zusätzlich zu der oben beschriebenen Bildung des modifizierten Bereichs 12 und des Risses 13 ein modifizierter Bereich (zweiter modifizierter Bereich) 14 und ein Riss (zweiter Riss) 15, der sich entlang der Z-Richtung von dem modifizierten Bereich 14 erstreckt, in dem Objekt 11 gebildet. Das heißt, wenn das Halbleiterelement 60A gebildet wird, umfasst der Laserbearbeitungsschritt einen ersten Bearbeitungsschritt zur Bildung des modifizierten Bereichs 12 und des Risses 13 und einen zweiten Bearbeitungsschritt zur Bildung des modifizierten Bereichs 14 und des Risses 15. Der erste Bearbeitungsschritt ist wie zuvor beschrieben. Das heißt, im ersten Bearbeitungsschritt wird der Konvergenzpunkt C in Bezug auf das Objekt 11 entlang der Linie Ac relativ bewegt, wodurch der modifizierte Bereich 12 entlang der Linie Ac in dem Objekt 11 gebildet wird und der Riss 13 gebildet wird, der sich von dem modifizierten Bereich 12 erstreckt. Der Riss 13 ist in Bezug auf die Z-Richtung so geneigt, dass er sich von der durch die Mitte der Linie Ac (entlang der Z-Richtung) verlaufenden Bezugslinie Az entfernt, wenn er sich in der YZ-Ebene E auf die erste Fläche 11a zubewegt. Im dargestellten Beispiel wird ein weiterer modifizierter Bereich 12c, der zwischen dem modifizierten Bereich 12a und dem modifizierten Bereich 12b liegt, als modifizierter Bereich 12 weiter ausgebildet.
  • Andererseits wird im zweiten Bearbeitungsschritt der Konvergenzpunkt des Laserlichts in Bezug auf das Objekt 11 entlang der Linie Ac relativ bewegt, wodurch der modifizierte Bereich 14 auf der Seite der ersten Fläche 11a in Bezug auf den Riss 13 gebildet wird und der Riss 15 gebildet wird, der sich entlang der Z-Richtung von dem modifizierten Bereich 14 in der YZ-Ebene E in Richtung des Risses 13 und der ersten Fläche 11a erstreckt. Hier erreicht ein Ende des Risses 15 den Riss 13, und das andere Ende des Risses 15 erreicht die erste Fläche 11a. Darüber hinaus werden hier zwei modifizierte Bereiche 14 gebildet, die in Z-Richtung angeordnet sind. In 28(a) ist eine gewünschte Richtung, in die sich der Riss 15 erstreckt (hier die Z-Richtung), durch eine Linie K gekennzeichnet.
  • In einem Zustand, in dem die modifizierten Bereiche 12 und 14 und die Risse 13 und 15 wie oben beschrieben gebildet werden, wird der Trennschritt durchgeführt und ein Teil des Objekts 11 wird unter Verwendung der Risse 13 und 15 als Grenze getrennt, wodurch das Halbleiterelement 60A erhalten wird. Der Riss 13 definiert die Außenfläche 60s des Halbleiterelements 60A, und der Riss 15 definiert die Außenfläche 60r des Halbleiterelements 60A. Im ersten Bearbeitungsschritt kann der Riss 13, der in Bezug auf die Z-Richtung so geneigt ist, dass er sich von der Bezugslinie Az, die durch die Mitte der Linie Ac (entlang der Z-Richtung) verläuft, in Richtung der ersten Fläche 11a bewegt, in der YZ-Ebene E gebildet werden.
  • Das in 27(b) dargestellte Halbleiterelement 60B umfasst die erste Fläche 60a, die zweite Fläche 60b, die Außenfläche 60s und die Außenfläche 60r wie das Halbleiterelement 60A. Außerdem umfasst das Halbleiterelement 60B eine Außenfläche 60m. Die Außenfläche 60m ist eine geneigte Fläche, die in Bezug auf die Normale der ersten Fläche 60a und der zweiten Fläche 60b geneigt ist. Die Neigungsrichtung der Außenfläche 60m ist entgegeneingestellt zur Neigungsrichtung der Außenfläche 60s. In dem Halbleiterelement 60B ist die Außenfläche 60s mit der zweiten Fläche 60b verbunden, die Außenfläche 60m ist mit der ersten Fläche 60a verbunden, und die Außenfläche 60r ist mit der Außenfläche 60s und der Außenfläche 60m verbunden. Somit verbinden die Außenflächen 60s, 60r und 60m die erste Fläche 60a und die zweite Fläche 60b.
  • Wenn ein solches Halbleiterelement 60B hergestellt wird, wie in 29 dargestellt, werden ein modifizierter Bereich (dritter modifizierter Bereich) 16 und ein Riss (dritter Riss) 17, der sich schräg von dem modifizierten Bereich 16 erstreckt, zusätzlich zu der oben beschriebenen Bildung der modifizierten Bereiche 12 und 14 und der Risse 13 und 15 in dem Objekt 11 gebildet. Das heißt, wenn das Halbleiterelement 60B gebildet wird, umfasst der Laserbearbeitungsschritt einen dritten Bearbeitungsschritt zur Bildung des modifizierten Bereichs 16 und des Risses 17 zusätzlich zu dem ersten Bearbeitungsschritt zur Bildung des modifizierten Bereichs 12 und des Risses 13 und dem zweiten Bearbeitungsschritt zur Bildung des modifizierten Bereichs 14 und des Risses 15.
  • Der erste Bearbeitungsschritt und der zweite Bearbeitungsschritt sind wie zuvor beschrieben. Andererseits wird im dritten Bearbeitungsschritt der Konvergenzpunkt des Laserlichts in Bezug auf das Objekt 11 entlang der Linie Ac relativ bewegt, wodurch der modifizierte Bereich 16 auf der Seite der ersten Fläche 11a in Bezug auf den Schnittpunkt des Risses 13 und des Risses 15 gebildet wird und der Riss 17 gebildet wird, der sich von dem modifizierten Bereich 16 in Richtung der Fraktur 15 erstreckt. Der Riss 17 ist in Bezug auf die Z-Richtung so geneigt, dass er sich der Bezugslinie Az nähert, wenn er sich in der YZ-Ebene E auf die erste Fläche 11a hin erstreckt. Wie zuvor beschrieben, verläuft die Neigungsrichtung des Risses 17 in der YZ-Ebene E entgegengesetzt zur Neigungsrichtung des Risses 13. Hier erreicht ein Ende des Risses 17 den Riss 15, und das andere Ende des Risses 17 erreicht die erste Fläche 11a. Darüber hinaus werden hier zwei modifizierte Bereiche 16 gebildet, die in der YZ-Ebene E angeordnet sind. In 29(a) ist eine gewünschte Richtung, in die sich der Riss 17 erstreckt, durch eine Linie K gekennzeichnet.
  • In einem Zustand, in dem die modifizierten Bereiche 12, 14 und 16 und die Risse 13, 15 und 17 wie zuvor beschrieben ausgebildet sind, werden der Schleifschritt und der Trennschritt durchgeführt und ein Teil des Objekts 11 wird unter Verwendung der Risse 13, 15 und 17 als Grenze getrennt, wodurch das Halbleiterelement 60B erhalten wird. Der Riss 13 definiert die Außenfläche 60s des Halbleiterelements 60B, der Riss 15 definiert die Außenfläche 60r des Halbleiterelements 60B, und der Riss 17 definiert die Außenfläche 60m des Halbleiterelements 60B.
  • Ein Teil des Objekts 11, der dem Halbleiterelement 60B entspricht, hat eine Form mit einem relativ großen Durchmesser auf der mittleren Seite in der Z-Richtung. Aus diesem Grund ist es im Trennschritt schwierig, einen Teil, der dem Halbleiterelement 60B entspricht, dem Objekt 11 zu entnehmen, während die Form des Objekts 11 erhalten bleibt. Daher ist in diesem Fall eine Verarbeitung zum Schneiden des Objekts 11 in eine Vielzahl von Teilen vor dem Trennschritt erforderlich. Zu diesem Zweck wird, wie in 30(a) dargestellt, eine Linie As so eingestellt, dass sie von jeder der Linien Ac aus gesehen in Z-Richtung die Außenkante des Objekts 11 erreicht.
  • Die Linie As ist mit der Linie Ac verbunden, so dass das Objekt 11 von der Z-Richtung aus gesehen durch die Linie As und die Linie Ac in mehrere Teile geteilt wird. Vor dem Trennschritt werden der modifizierte Bereich und der Riss entlang der Linie As gebildet. Infolgedessen wird das Objekt 11 im Trennschritt unter Verwendung des modifizierten Bereichs und des entlang der Linie As gebildeten Risses als Grenze geschnitten, wodurch das Halbleiterelement 60B leicht vom Objekt 11 getrennt werden kann.
  • Im obigen Beispiel wurde der Fall beschrieben, dass der Schleifprozess durchgeführt wird, aber der Schleifprozess ist nicht wesentlich. Zum Beispiel werden in der YZ-Ebene die modifizierten Bereiche 12, 14 und 16 in der Z-Richtung gebildet, indem sie entlang der gesamten Z-Richtung des Objekts 11 angeordnet werden, und die Risse 13, 15 und 17 werden durch die modifizierten Bereiche 12, 14 und 16 gebildet. Dann wird das Objekt 11 durch Aufbringen einer äußeren Kraft getrennt, wobei die modifizierten Bereiche 12, 14 und 16 und die Risse 13, 15 und 17 als Grenze verwendet werden, wodurch das Halbleiterelement 60B erhalten wird. Das erhaltene Halbleiterelement 60B enthält modifizierte Bereiche, die an den Außenflächen 60s, 60r und 60m (Teile der modifizierten Bereiche 12, 14 und 16) freiliegen. In diesem Fall kann das Halbleiterelement 60B geätzt werden, um die an den Außenflächen 60s, 60r und 60m freiliegenden modifizierten Bereiche zu entfernen.
  • Wie zuvor beschrieben, kann bei dem Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterelements (Laserbearbeitungsverfahren) und der Laserbearbeitungsvorrichtung 1 gemäß der vorliegenden Ausführungsform zumindest der Riss 13b ein geneigt verlaufender Riss sein, der in der Verschiebungsrichtung in der YZ-Ebene E geneigt ist, indem der Konvergenzpunkt C2 in der Y-Richtung verschoben und die Strahlform des Konvergenzpunkts C2 gesteuert wird, wie in der ersten Ausführungsform. Das heißt, es kann ein schräger Riss gebildet werden.
  • Darüber hinaus wird bei dem Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterelements gemäß der vorliegenden Ausführungsform der Konvergenzpunkt C des Laserlichts L in Bezug auf das Objekt 11 entlang der Linie Ac relativ bewegt, wodurch der modifizierte Bereich 12 und der Riss 13 entlang der Linie Ac im Objekt 11 gebildet werden. Zu diesem Zeitpunkt wird der in Bezug auf die Z-Richtung geneigt verlaufende Riss 13 in der Schnittebene (YZ-Ebene E) gebildet, die sich mit der Linie Ac schneidet. Dann wird ein Teil des Objekts 11 unter Verwendung des Risses 13 als Begrenzung abgetrennt, wodurch das Halbleiterelement 60 entsteht. Als Ergebnis kann das Halbleiterelement 60 mit der durch den Riss 13 definierten geneigten Fläche als Außenfläche 60s erhalten werden. Die geneigte Außenfläche 60s kann beispielsweise als Abschrägung bzw. Fase zum Halten des Halbleiterelements 60 verwendet werden, während die Vorder- und Rückseiten (die erste Fläche 60a und die zweite Fläche 60b) des Halbleiterelements 60 (ohne die Vorder- und Rückseiten zu berühren) zum Zeitpunkt des Transports des Halbleiterelements 60 geschützt werden. Somit kann gemäß dem Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterelements gemäß der vorliegenden Ausführungsform das Halbleiterelement 60 mit Fase durch Laserbearbeitung gebildet werden.
  • Bei dem Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterelements gemäß der vorliegenden Ausführungsform wird die Vielzahl von Linien Ac in das Objekt 11 eingebracht, und im Laserbearbeitungsschritt wird der Konvergenzpunkt C entlang jeder der Vielzahl von Linien Ac relativ bewegt, wodurch der modifizierte Bereich 12 und der Riss 13 entlang jeder der Vielzahl von Linien Ac gebildet werden. Dann wird im Trennschritt ein Teil des Objekts 11 entlang jeder der mehreren Linien Ac getrennt, wodurch die mehreren Halbleiterelemente 60 aus dem Objekt 11 gebildet werden. Die Fase kann in jedem Halbleiterelement 60 auch dann gebildet werden, wenn die Vielzahl von Halbleiterelementen 60 auf diese Weise aus einem Objekt 11 hergestellt wird.
  • Bei dem Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterelements gemäß der vorliegenden Ausführungsform kann der Laserbearbeitungsschritt den zweiten Bearbeitungsschritt umfassen, bei dem der Konvergenzpunkt in Bezug auf das Objekt 11 entlang der Linie Ac relativ bewegt wird, wodurch der modifizierte Bereich 14 auf der Seite der ersten Fläche 11a in Bezug auf den Riss 13 gebildet wird und der Riss 15 gebildet wird, der sich von dem modifizierten Bereich 14 in Richtung des Risses 13 erstreckt. Im ersten Bearbeitungsschritt kann der in Bezug auf die Z-Richtung geneigt verlaufende Riss 13 so geformt werden, dass er sich von der durch die Mitte der Linie Ac verlaufenden Bezugslinie Az entfernt, wenn er in Richtung der ersten Fläche 11a in der YZ-Ebene E verläuft, und im zweiten Bearbeitungsschritt kann der sich entlang der Z-Richtung erstreckende Riss 15 in der YZ-Ebene E gebildet werden. In diesem Fall kann das Halbleiterelement 60A mit der durch den Riss 13 definierten geneigten Fläche (die Außenfläche 60s) und der durch den Riss 15 definierten vertikalen Fläche (die Außenfläche 60r) gebildet werden.
  • Ferner kann bei dem Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterelements gemäß der vorliegenden Ausführungsform der Laserbearbeitungsschritt den dritten Bearbeitungsschritt umfassen, bei dem der Konvergenzpunkt in Bezug auf das Objekt 11 entlang der Linie Ac relativ bewegt wird, wodurch der modifizierte Bereich 16 auf der Seite der ersten Fläche 11a in Bezug auf den Schnittpunkt des Risses 13 und des Risses 15 und des Risses 17, der sich von dem modifizierten Bereich 16 in Richtung des Risses 15 erstreckt, gebildet wird. Im dritten Bearbeitungsschritt kann der Riss 17, der in Bezug auf die Z-Richtung so geneigt ist, dass er sich der Bezugslinie Az nähert, wenn er in Richtung der ersten Fläche 11a verläuft, in der YZ-Ebene E gebildet werden. In diesem Fall kann das Halbleiterelement 60B, das die durch den Riss 13 definierte geneigte Fläche (die Außenfläche 60s), die durch den Riss 15 definierte vertikale Fläche (die Außenfläche 60r) und eine weitere durch den Riss 17 definierte geneigte Fläche (die Außenfläche 60m) enthält, gebildet werden.
  • Bei dem Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterelements gemäß der vorliegenden Ausführungsform umfasst der Laserbearbeitungsschritt den zweiten Bearbeitungsschritt des relativen Bewegens des Konvergenzpunktes in Bezug auf das Objekt 11 entlang der Linie Ac, wodurch der modifizierte Bereich 14 auf der Seite der ersten Fläche 11a in Bezug auf den Riss 13 und der Riss 15, der sich von dem modifizierten Bereich 14 in Richtung des Risses 13 erstreckt, gebildet werden. Im ersten Bearbeitungsschritt kann der Riss 13, der in Bezug auf die Z-Richtung so geneigt ist, dass er sich der Bezugslinie Az nähert, während er sich in Richtung der ersten Fläche 11 a bewegt, in der YZ-Ebene E gebildet werden, und im zweiten Bearbeitungsschritt kann der Riss 15, der sich entlang der Z-Richtung erstreckt, in der YZ-Ebene E gebildet werden. In diesem Fall kann das Halbleiterelement 60A, das die durch den Riss 13 definierte geneigte Fläche (die Außenfläche 60s) und die durch den Riss 15 definierte vertikale Fläche (die Außenfläche 60r) als Außenflächen enthält, gebildet werden.
  • Das Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterelements gemäß der vorliegenden Ausführungsform umfasst ferner den Schleifschritt des Schleifens des Objekts 11 entlang der Z-Richtung, um den modifizierten Bereich 12 und dergleichen von dem Objekt 11 zwischen dem Laserbearbeitungsschritt und dem Trennschritt zu entfernen. Alternativ umfasst das Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterelements gemäß der vorliegenden Ausführungsform ferner den Schleifschritt des Schleifens des Halbleiterelements 60 entlang der Z-Richtung, um den modifizierten Bereich 12 und dergleichen von dem Halbleiterelement 60 nach dem Trennschritt zu entfernen. In diesem Fall kann das Halbleiterelement 60, von dem der modifizierte Bereich 12 entfernt wurde, erhalten werden.
  • Es sollte beachtet werden, dass, wie in 30(b) dargestellt, eine einzelne (kreisförmige) Linie Ac in das Objekt 11 eingestellt werden kann. Hier ist die Außenform des Objekts 11 in Z-Richtung gesehen kreisförmig. Die Linie Ac hat einen kleineren Durchmesser als die Außenform des Objekts 11 in Z-Richtung gesehen. Die Linie Ac ist so in das Objekt 11 eingelassen, dass sie in Z-Richtung gesehen konzentrisch zur Außenform des Objekts 11 ist. In diesem Fall können im Laserbearbeitungsschritt die modifizierten Bereiche 12, 14 und 16 und die Risse 13, 15 und 17 entlang der Linie Ac gebildet werden, indem der Konvergenzpunkt relativ entlang der Linie Ac bewegt wird. Dann kann im Trennschritt ein Teil des Objekts 11 entlang der Linie Ac abgetrennt werden, wodurch ein Halbleiterelement 60 aus dem Objekt 11 gebildet wird. Eine Fase kann in dem Halbleiterelement 60 auch dann gebildet werden, wenn ein Halbleiterelement 60 aus einem Objekt 11 auf diese Weise hergestellt wird.
  • [Dritte Ausführungsform]
  • Als nächstes wird ein Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterelements und einer Laserbearbeitungsvorrichtung gemäß einer dritten Ausführungsform beschrieben. Zunächst erfolgt ein Überblick. 31 ist eine Ansicht, die ein Objekt gemäß der dritten Ausführungsform zeigt. 31(a) ist eine Draufsicht, und 31(b) ist eine Querschnittsansicht entlang der Linie XXXb-XXXb in 31(a). Das in 31 dargestellte Objekt 11 umfasst beispielsweise einen Halbleiter. Das Objekt 11 ist beispielsweise ein Halbleiterwafer (z. B. ein Siliziumwafer). Das Objekt 11 umfasst eine erste Fläche 11a und eine zweite Fläche 11b, die der ersten Fläche 11a gegenüberliegt.
  • Eine Vielzahl von Linien A, die parallel zur ersten Fläche 11a und zur zweiten Fläche 11b verlaufen, werden als geplante Schnittlinien in das Objekt 11 eingebracht. Die Linien A können gitterförmig angeordnet sein, hier sind jedoch mehrere Linien A dargestellt, die sich in einer Richtung parallel zueinander erstrecken. Die Linien A sind z. B. virtuelle Linien. Darüber hinaus umfasst das Objekt 11 einen ersten Bereich 11A mit der ersten Fläche 11a und einen zweiten Bereich 11B mit der zweiten Fläche 11b. Eine Linie G in der Abbildung ist eine virtuelle Linie, die eine Grenze zwischen dem ersten Bereich 11A und dem zweiten Bereich 11B anzeigt. Der erste Bereich 11A ist ein geplanter Schleifbereich.
  • Das Objekt 11 enthält eine Halbleiterstruktur N, die auf der zweiten Fläche 11b ausgebildet ist. Die Halbleiterstruktur N hat eine Struktur, die bewirkt, dass einzelne Halbleiterelemente, die durch Schneiden des Objekts 11 entlang der Linie A erhalten wurden, als Halbleiterelemente dienen. Daher ist die Linie A so eingestellt, dass sie zwischen den Halbleiterstrukturen N verläuft. Das Objekt 11 wird von dem Halteelement T auf der Seite der zweiten Fläche 11b gehalten und von dem Tisch 2 so getragen, dass die erste Fläche 11a der Seite der Sammellinse 33 gegenüberliegt. Das Halteelement T ist z. B. ein elastisches Band.
  • Gemäß der vorliegenden Ausführungsform werden der modifizierte Bereich 12 und der Riss 13 entlang jeder der Linien A gebildet, indem das Objekt 11 mit dem Laserlicht L bestrahlt wird, während der Konvergenzpunkt C des Laserlichts L entlang jeder der Linien A relativ bewegt wird. Das heißt, hier ist die X-Richtung als Bearbeitungsverlaufsrichtung definiert. In der vorliegenden Ausführungsform wird der Riss 13, der einen in der Y-Richtung bezüglich der Z-Richtung geneigten Abschnitt enthält, in einer Schnittebene (YZ-Ebene E) gebildet, die die X-Richtung, die die Bearbeitungsverlaufsrichtung ist, schneidet (orthogonal dazu).
  • Als nächstes wird das Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterelements und der Laserbearbeitungsvorrichtung gemäß der vorliegenden Ausführungsform speziell beschrieben. Wie in 32 dargestellt, wird in diesem Verfahren zunächst das Objekt 11 wie zuvor beschrieben vorbereitet, und das Objekt 11 wird von der Bühne 2 so gehalten, dass die erste Fläche 11a der Seite der Sammellinse 33 zugewandt ist und die Linie A entlang derX-Richtung verläuft. In diesem Zustand wird zunächst ein Laserbearbeitungsschritt auf einer Linie A zur Bildung des Konvergenzpunktes C des Laserlichts L (Konvergenzpunkte C1, C2 und C3 des Laserlichts L1, L2 und L3) im Objekt 11 durchgeführt, während der Konvergenzpunkt C in Bezug auf das Objekt 11 relativ bewegt wird, wodurch eine Laserbearbeitung im Objekt 11 durchgeführt wird.
  • Genauer gesagt wird in dem Laserbearbeitungsschritt der erste Bildungsschritt durchgeführt, bei dem der Konvergenzpunkt C1 relativ entlang der Linie A bewegt wird, die sich in der X-Richtung entlang der ersten Fläche 11a erstreckt, während eine Position des Konvergenzpunktes C1 in der Z-Richtung festgelegt wird, die sich mit der ersten Fläche 11a schneidet, die die Einfallsfläche des Laserlichts L in dem Objekt 11 an der ersten Z-Position Z1 ist, wobei der modifizierte Bereich 12a und der Riss 13a, der sich von dem modifizierten Bereich 12a in dem Objekt 11 erstreckt, gebildet werden, und bei dem der Konvergenzpunkt C3 relativ entlang der Linie A bewegt wird, während eine Position des Konvergenzpunktes C3 in der Z-Richtung an einer ersten Z-Position Z3 eingestellt wird, wodurch der modifizierte Bereich 12c und ein Riss 13c, der sich von dem modifizierten Bereich 12c in dem Objekt 11 erstreckt, gebildet werden.
  • Die erste Z-Position Z3 ist eine Position, die näher an der ersten Fläche 11a liegt als die erste Z-Position Z1. Darüber hinaus ist hier die erste Z-Position Z1 im zweiten Bereich 11B und die erste Z-Position Z3 im ersten Bereich 11A, dem geplanten Schleifbereich, angeordnet. Eine der ersten Z-Positionen Z1 und Z3 kann jedoch beide in den ersten Bereich 11A oder beide in den zweiten Bereich 11B eingestellt werden, oder sie kann willkürlich entsprechend einer Anforderung eingestellt werden, ob die modifizierten Bereiche 12a und 12c nach dem Schleifen des Objekts 11 verlassen werden sollen oder nicht.
  • Wie oben beschrieben, werden bei der vorliegenden Ausführungsform die Konvergenzpunkte C1 und C3 in jeder der mehreren ersten Z-Positionen Z1 und Z3 mit unterschiedlichen Positionen in der Z-Richtung gebildet und im ersten Bildungsschritt relativ bewegt, wodurch mehrere modifizierte Bereiche 12a und 12c gebildet werden, die in der Z-Richtung in der Schnittebene angeordnet sind, die die Linie A (YZ-Ebene E) schneidet, und die Risse 13a und 13c so gebildet werden, dass sie sich durch die mehreren modifizierten Bereiche 12a und 12c erstrecken. Im ersten Bildungsschritt werden die Positionen der Konvergenzpunkte C1 und C3 in der Y-Richtung auf die erste Y-Position Y1 eingestellt, und die Risse 13a und 13c werden so geformt, dass sie entlang der Z-Richtung in derYZ-Ebene E verlaufen und die zweite Fläche 11b erreichen. Diese Risse 13a und 13c verlaufen z. B. entlang der Hauptspaltungsebene des Objekts 11.
  • Als nächstes wird, wie in 33 dargestellt, in einem Laserformungsschritt der zweite Bildungsschritt nach dem ersten Bildungsschritt durchgeführt, bei dem der Konvergenzpunkt C2 entlang der Linie A relativ bewegt wird, während eine Position des Konvergenzpunktes C2 des Laserlichts L2 in der Z-Richtung an der zweiten Z-Position Z2 eingestellt wird, die näher an der ersten Fläche 11a liegt als die erste Z-Position Z3, wodurch der modifizierte Bereich 12b und der Riss 13b, der sich von dem modifizierten Bereich 12b erstreckt, gebildet werden. Da die erste Z-Position Z3 in dem ersten Bereich 11A liegt, der wie oben beschrieben der geplante Schleifbereich ist, wird die zweite Z-Position Z2 ebenfalls in dem ersten Bereich 11A festgelegt. Insbesondere wird hier die zweite Z-Position Z2 so eingestellt, dass der Riss 13b in dem ersten Bereich 11A gebildet wird.
  • Im zweiten Bildungsschritt wird die Position des Konvergenzpunktes C2 in der Y-Richtung auf die zweite Y-Position Y2 eingestellt, die gegenüber der ersten Y-Position Y1 der Konvergenzpunkten C1 und C3 verschoben ist, und der Riss 13b wird so geformt, dass er in Bezug auf die Z-Richtung in der YZ-Ebene E geneigt verläuft. Genauer gesagt wird in dem zweiten Bildungsschritt das Laserlicht L2 so moduliert, dass die Strahlform des Konvergenzpunktes C2 in der YZ-Ebene E eine geneigte Form hat, die in der Verschiebungsrichtung zumindest auf der Seite der ersten Fläche 11a in Bezug auf den Mittelpunkt des Konvergenzpunktes C2 geneigt ist, wodurch er Riss 13b so geformt wird, dass er in der Verschiebungsrichtung in der YZ-Ebene E geneigt ist. Ferner wird im zweiten Bildungsschritt der Riss 13b so geformt, dass er in Bezug auf die Spaltungsebene des Objekts 11 in der YZ-Ebene E geneigt verläuft.
  • Der Laserbearbeitungsschritt, der den ersten Bildungsschritt und den zweiten Bildungsschritt umfasst, kann beispielsweise wie in der ersten Ausführungsform durch die Steuereinheit 6 der Laserbearbeitungsvorrichtung 1 durchgeführt werden, die jede Einheit der Laserbearbeitungsvorrichtung 1 steuert. Das heißt, in der Laserbearbeitungsvorrichtung 1 gemäß der vorliegenden Ausführungsform steuert die Steuereinheit 6 den Raumlichtmodulator 7 und die Antriebseinheiten 4 und 5, um einen ersten Bildungsschritt der relativen Bewegung der Konvergenzpunkte C1 und C3 entlang der Linie A durchzuführen, während die Position der Konvergenzpunkte C1 und C3 in der Z-Richtung auf die ersten Z-Positionen Z1 und Z3 eingestellt wird, wodurch die modifizierten Bereiche 12a und 12c und die Risse 13a und 13c in dem Objekt 11 gebildet werden, und einen zweiten Bildungsschritt des relativen Bewegens des Konvergenzpunktes C2 entlang der Linie A, während die Position des Konvergenzpunktes C2 in der Z-Richtung an der zweiten Z-Position Z2 eingestellt wird, die näher an der ersten Fläche 11a ist als die ersten Z-Positionen Z1 und Z3, wodurch der modifizierte Bereich 12b und der Riss 13b gebildet werden.
  • Darüber hinaus stellt die Steuereinheit 6 im ersten Bildungsschritt die Position des Konvergenzpunktes C1, C3 in Y-Richtung an der ersten Y-Position Y1 ein. Im zweiten Bildungsschritt stellt die Steuereinheit 6 die Position des Konvergenzpunktes C2 in der Y-Richtung an der zweiten Y-Position Y2 ein, die von der ersten Y-Position Y1 verschoben ist, und moduliert das Laserlicht L2 so, dass die Strahlform des Konvergenzpunktes C2 in der YZ-Ebene E eine geneigte Form hat, die in der Verschiebungsrichtung zumindest auf der Seite der ersten Fläche 11a in Bezug auf den Mittelpunkt des Konvergenzpunktes C2 geneigt ist, indem das Modulationsmuster gesteuert wird, das auf dem Raumlichtmodulator 7 angezeigt wird. Es sollte beachtet werden, dass das Modulationsmuster zur Formung der Strahlform in eine geneigte Form wie oben beschrieben ist. Im ersten Formgebungsschritt (erster Formgebungsprozess) kann die Bildung des modifizierten Bereichs 12a und des Risses 13a durch das Laserlicht L1 und die Bildung des modifizierten Bereichs 12c und des Risses 13c durch das Laserlicht L3 gleichzeitig (multifokale Bearbeitung) oder sequentiell (Bearbeitung in einem einmaligen Durchgang (Single-Pass-Processing)) durchgeführt werden.
  • Ferner können der erste Bildungsschritt (der erste Bildungsschritt) und der zweite Bildungsschritt (der zweite Bildungsschritt) gleichzeitig auf einer Linie A durchgeführt werden, die im Objekt 11 festgelegt ist, indem ein Modulationsmuster, das ein Verzweigungsmuster zum Verzweigen des Laserlichts L in das Laserlicht L1, L2 und L3 enthält, auf dem Raumlichtmodulator 7 angezeigt wird. In diesem Fall ist es möglich, nur den Konvergenzpunkt C2 unter den Konvergenzpunkten C1, C2 und C3 in eine geneigte Form zu bringen, indem die Modulationsmuster so kombiniert werden, dass eine Koma-Aberration nur auf dem Laserlicht L2 unter dem Laserlicht L1, L2 und L3 erzeugt wird.
  • Bei dem Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterelements gemäß der vorliegenden Ausführungsform wird der oben beschriebene Laserbearbeitungsschritt für alle Linien A durchgeführt. Infolgedessen werden der modifizierte Bereich 12 und der Riss 13 entlang aller Linien A gebildet, wie in 34(a) dargestellt. Es sollte beachtet werden, dass der Riss 13b und der Riss 13c miteinander verbunden sein können, aber nicht miteinander verbunden sein müssen.
  • Danach wird bei dem Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterelements gemäß der vorliegenden Ausführungsform, wie in 34(b) dargestellt, das Objekt 11 von der Seite der ersten Fläche 11a geschliffen, um den ersten Bereich 11A zu entfernen, wodurch zumindest der geneigt zur Z-Richtung verlaufende Riss 13b vom Objekt 11 entfernt wird. Dabei werden neben dem Riss 13b auch die modifizierten Bereiche 12b und 12c entfernt.
  • Als Ergebnis wird ein Halbleiterelement 70 als verbleibende zweite Fläche 11B erhalten. Das Halbleiterelement 70 umfasst eine zweite Fläche 11b und eine neue erste Fläche 70a, die eine der zweiten Fläche 11b gegenüberliegende Fläche ist und durch Schleifen gebildet wird. In dem Halbleiterelement 70 wird der Riss 13 gebildet, der sich zumindest von der neuen ersten Fläche 70a bis zur zweiten Fläche 11b erstreckt (hier bleibt der modifizierte Bereich 12a erhalten). So kann in einem nachfolgenden Schritt das Halbleiterelement 70 unter Verwendung des Risses 13 als Grenze durch Vergrößern des Halteelements T in eine Vielzahl verschiedener Halbleiterelemente getrennt werden. Das oben beschriebene Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterelements umfasst das Laserbearbeitungsverfahren gemäß der vorliegenden Ausführungsform. Das Laserbearbeitungsverfahren gemäß der vorliegenden Ausführungsform umfasst den oben beschriebenen Laserbearbeitungsschritt.
  • Wie oben beschrieben, kann bei dem Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterelements (Laserbearbeitungsverfahren) und der Laserbearbeitungsvorrichtung 1 gemäß der vorliegenden Ausführungsform zumindest der Riss 13b ein geneigter Riss sein, der in der Verschiebungsrichtung in der YZ-Ebene E geneigt verläuft, indem der Konvergenzpunkt C2 in der Y-Richtung verschoben und die Strahlform des Konvergenzpunkts C2 gesteuert wird, wie in der ersten Ausführungsform. Das heißt, es kann ein geneigter Riss gebildet werden.
  • Bei dem Laserbearbeitungsverfahren gemäß der vorliegenden Ausführungsform werden im ersten Bildungsschritt die Konvergenzpunkte C1 und C3 des Laserlichts L1 und L3 relativ entlang der Linie A in der X-Richtung bewegt, um die modifizierten Bereiche 12a und 12c im Objekt 11 zu bilden und die Risse 13a und 13c zu bilden, die sich von den modifizierten Bereichen 12a und 12c im Objekt 11 erstrecken, um die zweite Fläche 11b des Objekts 11 zu erreichen. Zu diesem Zeitpunkt sind die Positionen der Konvergenzpunkte C1 und C3 in der Z-Richtung als die ersten Z-Positionen Z1 und Z3 definiert. Außerdem werden zu diesem Zeitpunkt die Risse 13a und 13c so ausgebildet, dass sie entlang der Z-Richtung in der YZ-Ebene E verlaufen, die die X-Richtung schneidet.
  • Danach wird im zweiten Bildungsschritt der Konvergenzpunkt C2 relativ entlang der Linie A bewegt, während die Position des Konvergenzpunkts C2 des Laserlichts L2 in der Z-Richtung auf die zweite Z-Position Z2 eingestellt wird, die näher an der ersten Fläche 11a liegt als die ersten Z-Positionen Z1 und Z3, um den modifizierten Bereich 12b und den Riss 13b im Objekt 11 zu bilden. Zu diesem Zeitpunkt ist die Position des Konvergenzpunktes C2 in der Y-Richtung im Vergleich zum ersten Bildungsschritt in die Y-Richtung verschoben, und der Riss 13b wird so geformt, dass er in Bezug auf die Z-Richtung in der YZ-Ebene E geneigt verläuft. Nach dem Wissen des vorliegenden Erfinders kann dies die Ausdehnung des Risses 13c stoppen, wenn der Riss 13c beginnt, sich entlang der Z-Richtung zur Seite der ersten Fläche 11a zu erstrecken, da der Riss 13c mit dem Riss 13b verbunden ist. Daher ist es möglich, die Ausdehnung des Risses 13 gemäß diesem Verfahren zu unterdrücken.
  • Bei dem Laserbearbeitungsverfahren gemäß der vorliegenden Ausführungsform wird der geplante Schleifbereich (der erste Bereich 11A), der die erste Fläche 11a einschließt, im Objekt 11 festgelegt, und im ersten Bildungsschritt wird die erste Z-Position Z1 in einem Bereich festgelegt, der näher an der zweiten Fläche 11b liegt als der geplante Schleifbereich. Im zweiten Bildungsschritt wird dann die zweite Z-Position Z2 so eingestellt, dass der Riss 13b innerhalb des geplanten Schleifbereichs gebildet wird. Infolgedessen wird der Einfluss des geneigt verlaufenden Risses es durch Entfernen des Risses 13b durch Schleifen des geplanten Schleifbereichs verringert.
  • Darüber hinaus wird bei dem Laserbearbeitungsverfahren gemäß der vorliegenden Ausführungsform der Riss 13b im zweiten Bildungsschritt geneigt zur Spaltungsebene des Objekts 11 in der YZ-Ebene E ausgebildet. In diesem Fall ist es möglich, die Ausdehnung des Risses zuverlässiger zu unterdrücken.
  • Ferner werden bei dem Laserbearbeitungsverfahren gemäß der vorliegenden Ausführungsform die Konvergenzpunkte C1 und C3 in jeder der mehreren ersten Z-Positionen Z1 und Z3 mit unterschiedlichen Positionen in der Z-Richtung gebildet und in dem ersten Bildungsschritt relativ bewegt, wodurch mehrere modifizierte Bereiche 12a und 12c gebildet werden, die in der Z-Richtung in der YZ-Ebene E angeordnet sind, und die Risse 13a und 13c so gebildet werden, dass sie sich durch die mehreren modifizierten Bereiche 12a und 12c erstrecken. Folglich kann das dickere Objekt 11 in geeigneter Weise bearbeitet werden, indem die längeren Risse 13a und 13c in der Z-Richtung gebildet werden.
  • Bei dem Laserbearbeitungsverfahren gemäß der vorliegenden Ausführungsform kann der Riss 13a im ersten Bildungsschritt so geformt werden, dass er die zweite Fläche 11b erreicht. Wenn der Riss 13a die zweite Fläche 11b auf diese Weise erreicht, neigt der Riss dazu, dass er unbeabsichtigt ausgedehnt wird, und daher ist es effektiver, eine Ausdehnung des Risses zu unterdrücken.
  • Ferner können bei dem Laserbearbeitungsverfahren gemäß der vorliegenden Ausführungsform der erste Bildungsschritt und der zweite Bildungsschritt gleichzeitig auf einer in das Objekt 11 eingebrachten Linie A durch Verzweigung des Laserlichts L durchgeführt werden.
  • Ferner ist das Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterelements gemäß der vorliegenden Ausführungsform ein Verfahren zur Herstellung des Halbleiterelements 70 aus dem Objekt 11, das einen Halbleiter enthält, bei dem das Objekt 11 von der Seite der ersten Fläche 11a aus geschliffen wird, um zumindest den Riss 13b von dem Objekt 11 zu entfernen, nachdem der Laserbearbeitungsschritt, der in dem oben beschriebenen Laserbearbeitungsverfahren enthalten ist, durchgeführt wurde, wodurch das Halbleiterelement 70 aus dem Objekt 11 gebildet wird. Bei diesem Herstellungsverfahren wird der Laserbearbeitungsschritt des oben beschriebenen Laserbearbeitungsverfahrens durchgeführt. Infolgedessen wird eine unbeabsichtigte Rissausdehnung unterdrückt. Daher wird das Auftreten von Abplatzungen unterdrückt, wenn das Objekt nach dem Laserbearbeitungsschritt geschliffen wird. Darüber hinaus wird der Transport zu einem Ort, an dem das Schleifen durchgeführt wird, erleichtert.
  • Im obigen Beispiel wurde der Fall beschrieben, dass der Riss 13a so geformt wird, dass er die zweite Fläche 11b im ersten Bildungsschritt erreicht. Es kann jedoch sein. Dass der Riss 13a auch die zweite Fläche 11b nicht erreicht. In diesem Fall kann sich der Riss 13a bis zur Seite der zweiten Fläche 11b erstrecken und die zweite Fläche 11b erreichen, wenn der modifizierte Bereich 12b und der Riss 13b im zweiten Bildungsschritt gebildet werden, oder der Riss 13a kann sich bis zur Seite der zweiten Fläche 11b erstrecken und die zweite Fläche 11b erreichen, wenn das Objekt 11 im Schleifschritt geschliffen wird.
  • Im obigen Beispiel wurde der Fall beschrieben, dass der modifizierte Bereich 12b, der als Ausgangspunkt des geneigt zur Z-Richtung verlaufenden Risses 13b dient, näher an der ersten Fläche 11a, die die Einfallsfläche des Laserlichts L ist, liegt als die modifizierten Bereiche 12a und 12c, die als Ausgangspunkt der entlang der Z-Richtung verlaufenden Risse 13a und 13c dienen. Der modifizierte Bereich 12b und der Riss 13b können jedoch näher an der zweiten Fläche 11b liegen als die modifizierten Bereiche 12a und 12c und die Risse 13a und 13c. Das heißt, im zweiten Bildungsschritt kann die zweite Z-Position Z2 in einem Bereich festgelegt werden, der näher an der zweiten Fläche 11b liegt als die erste Z-Position Z1. In diesem Fall wird die Strahlform des Konvergenzpunktes C2 in der YZ-Ebene so gesteuert, dass sie in der Richtung von der zweiten Y-Position Y2 des Konvergenzpunktes C2 zur ersten Y-Position Y1 des Konvergenzpunktes C1 zumindest auf der Seite der ersten Fläche 11a in Bezug auf den Mittelpunkt Ca geneigt ist, wodurch der Riss 13b in der gleichen Richtung in Bezug auf die Z-Richtung geneigt wird.
  • Die obigen Ausführungsformen beschreiben einen Aspekt der vorliegenden Erfindung. Daher kann ein Aspekt der vorliegenden Erfindung beliebig verändert werden, ohne auf die obigen Ausführungsformen beschränkt zu sein.
  • Beispielsweise kann die Anzahl der modifizierten Bereiche 12, die in Z-Richtung in der YZ-Ebene E angeordnet werden, je nach Dicke des Objekts 11, der gewünschten Ausdehnung des Risses 13 und dergleichen beliebig festgelegt werden.
  • Darüber hinaus ist das Modulationsmuster für die Modulation des Laserlichts L nicht auf die obigen Beispiele beschränkt, und es kann jedes Modulationsmuster, das der Strahlform des Konvergenzpunktes C eine geneigte Form geben kann, verwendet werden.
  • Ferner können die obigen Ausführungsformen beliebig miteinander kombiniert oder teilweise durcheinander ersetzt werden. Wenn beispielsweise der modifizierte Bereich 12 und der Riss 13 entlang der kreisförmigen Linie Ac gemäß der zweiten Ausführungsform gebildet werden, kann die Konfiguration zur Unterdrückung der Ausdehnung des Risses 13 gemäß der dritten Ausführungsform angenommen werden.
  • In den obigen Ausführungen wurde ein Beispiel beschrieben, bei dem das Objekt 11 über das Halteelement T, wie z. B. ein Band, gehalten wird, aber das Objekt 11 kann z. B. durch ein Siliziumsubstrat, ein Glassubstrat oder ähnliches gehalten werden, das an dem Objekt 11 befestigt ist. Wenn eine Schaltung oder ähnliches auf einer Fläche des Objekts 11 ausgebildet ist, können die Schaltungsflächen miteinander verbunden werden.
  • Industrielle Anwendbarkeit
  • Es wird ein Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterelements bereitgestellt, das in der Lage ist, ein Halbleiterelement mit einer Fase durch Laserbearbeitung zu bilden.
  • Bezugszeichenliste
    • 1
    Laserbearbeitungsvorrichtung
    4, 5
    Antriebseinheit (Bewegungseinheit)
    6
    Steuereinheit
    7
    Raumlichtmodulator
    11
    Objekt
    11a
    Erste Fläche
    11b
    Zweite Fläche
    12, 12a, 12b, 12c
    Modifizierter Bereich
    13, 13a, 13b, 13c
    Riss
    C, C1, C2, C3
    Konvergenzpunkt
    L, L1, L2, L3
    Laserlicht
    31
    Lichtquelle
    33
    Konvergenzlinse
  • ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
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  • Zitierte Patentliteratur
    • JP 200624840 [0002]

Claims (9)

  1. Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterelements, umfassend: einen Laserbearbeitungsschritt des Bildens eines Konvergenzpunktes von Laserlicht in einem Objekt, das einen Halbleiter enthält, während der Konvergenzpunkt in Bezug auf das Objekt entlang einer Linie relativ bewegt wird, die sich in einer kreisförmigen Form erstreckt, wenn sie von einer Z-Richtung aus betrachtet wird, die sich mit einer Einfallsfläche des Laserlichts in dem Objekt schneidet, wodurch ein modifizierter Bereich und ein Riss, der sich von dem modifizierten Bereich entlang der Linie in dem Objekt erstreckt, gebildet werden; und einen Trennschritt, bei dem nach dem Laserbearbeitungsschritt ein Teil des Objekts unter Verwendung des modifizierten Bereichs und des Risses als Grenze abgetrennt wird, um dadurch ein Halbleiterelement aus dem Objekt zu bilden, wobei der Laserbearbeitungsschritt einen ersten Bearbeitungsschritt des relativen Bewegens des Konvergenzpunktes in Bezug auf das Objekt entlang der Linie umfasst, wodurch ein erster modifizierter Bereich entlang der Linie als der modifizierte Bereich und ein erster Riss, der sich von dem ersten modifizierten Bereich als der Riss erstreckt, gebildet werden, in dem ersten Bearbeitungsschritt der erste Riss gebildet wird, der in Bezug auf die Z-Richtung in einer Schnittebene, die die Linie schneidet, geneigt ist, und im Trennschritt das Halbleiterelement mit einer durch den ersten Riss definierten schrägen Oberfläche als äußere Seitenfläche gebildet wird.
  2. Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterelements nach Anspruch 1, wobei eine Vielzahl der Linien in das Objekt festgelegt werden, in dem Laserbearbeitungsschritt der Konvergenzpunkt relativ entlang jeder der Vielzahl von Linien bewegt wird, wodurch der modifizierte Bereich und der Riss entlang jeder der Vielzahl von Linien gebildet werden, und in dem Trennschritt ein Teil des Objekts entlang jeder der Vielzahl von Linien getrennt wird, wodurch eine Vielzahl von Halbleiterelementen aus dem Objekt gebildet wird.
  3. Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterelements nach Anspruch 1, wobei das Objekt in Z-Richtung gesehen eine kreisförmige Außenform aufweist, und die Linie, die aus der Z-Richtung gesehen konzentrisch zur Außenform des Objekts ist, im Objekt festgelegt wird.
  4. Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterelements nach einem der Ansprüche 1 bis 3, wobei der Laserbearbeitungsschritt umfasst: einen zweiten Bearbeitungsschritt des relativen Bewegens des Konvergenzpunktes in Bezug auf das Objekt entlang der Linie, wodurch ein zweiter modifizierter Bereich auf der Seite der Einfallsfläche in Bezug auf den ersten Riss als der modifizierte Bereich gebildet wird, und des Bildens eines zweiten Risses, der sich von dem zweiten modifizierten Bereich in Richtung des ersten Risses als der Riss erstreckt, wobei in dem ersten Bearbeitungsschritt der erste Riss, der in Bezug auf die Z-Richtung geneigt ist, in der Schnittebene so gebildet wird, dass er sich von einer Bezugslinie, die durch einen Mittelpunkt der Linie verläuft, entfernt, wenn er sich in Richtung der Einfallsfläche ausbreitet, und im zweiten Bearbeitungsschritt der zweite Riss, der entlang der Z-Richtung verläuft, in der Schnittebene gebildet wird.
  5. Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterelements nach Anspruch 4, wobei der Laserbearbeitungsschritt umfasst: einen dritten Bearbeitungsschritt des relativen Bewegens des Konvergenzpunktes in Bezug auf das Objekt entlang der Linie, wodurch ein dritter modifizierter Bereich auf der Seite der Einfallsfläche in Bezug auf einen Schnittpunkt des ersten Risses und des zweiten Risses als der modifizierte Bereich gebildet wird, und des Bildens eines dritten Risses, der sich von dem dritten modifizierten Bereich zu dem zweiten Riss als der Riss erstreckt, und wobei im dritten Bearbeitungsschritt der dritte Riss, der in Bezug auf die Z-Richtung geneigt ist, derart in der Schnittebene gebildet wird, dass er sich der Bezugslinie nähert, wenn er sich der Einfallsfläche nähert.
  6. Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterelements nach einem der Ansprüche 1 bis 3, wobei der Laserbearbeitungsschritt einen zweiten Bearbeitungsschritt des relativen Bewegens des Konvergenzpunktes in Bezug auf das Objekt entlang der Linie umfasst, wodurch ein zweiter modifizierter Bereich auf der Seite der Einfallsfläche in Bezug auf den ersten Riss als der modifizierte Bereich gebildet wird, und ein zweiter Riss gebildet wird, der sich von dem zweiten modifizierten Bereich in Richtung des ersten Risses als der Riss erstreckt, in dem ersten Bearbeitungsschritt der erste Riss, der in Bezug auf die Z-Richtung geneigt ist, derart in der Schnittebene gebildet wird, dass er sich einer Bezugslinie nähert, die durch den Mittelpunkt der Linie verläuft, wenn sie sich der Einfallsfläche nähert, und im zweiten Bearbeitungsschritt der zweite Riss, der entlang der Z-Richtung verläuft, in der Schnittebene gebildet wird.
  7. Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterelements nach einem der Ansprüche 1 bis 6, das ferner umfasst: einen Schleifschritt, bei dem das Objekt entlang der Z-Richtung geschliffen wird, um den modifizierten Bereich von dem Objekt zwischen dem Laserbearbeitungsschritt und dem Trennschritt zu entfernen.
  8. Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterelements nach einem der Ansprüche 1 bis 6, das ferner umfasst: einen Schleifschritt des Schleifens des Halbleiterelements entlang der Z-Richtung, um den modifizierten Bereich von dem Halbleiterelement nach dem Trennschritt zu entfernen.
  9. Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterelements nach einem der Ansprüche 1 bis 5, wobei der erste Bearbeitungsschritt umfasst: einen ersten Bildungsschritt des relativen Bewegens des Konvergenzpunktes entlang der Linie, während eine Position des Konvergenzpunktes in der Z-Richtung auf eine erste Z-Position festgelegt wird, wodurch ein vierter modifizierter Bereich als der erste modifizierte Bereich gebildet wird; und einen zweiten Bildungsschritt des relativen Bewegens des Konvergenzpunktes entlang der Linie, während eine Position des Konvergenzpunktes in der Z-Richtung auf eine zweite Z-Position festgelegt wird, die näher an der Seite der Einfallsfläche liegt als die erste Z-Position, wodurch ein fünfter modifizierter Bereich als der erste modifizierte Bereich gebildet wird, und Bilden des ersten Risses, der sich von dem fünften modifizierten Bereich erstreckt, und wobei in dem ersten Bildungsschritt eine Position des Konvergenzpunktes in einer Y-Richtung, die sich mit einerX-Richtung schneidet, die eine Richtung ist, in der der Konvergenzpunkt relativ bewegt wird, und die Z-Richtung auf eine erste Y-Position festgelegt wird, und in dem zweiten Bildungsschritt eine Position des Konvergenzpunktes in der Y-Richtung auf eine zweite Y-Position eingestellt wird, die von der ersten Y-Position verschoben ist, während das Laserlicht so moduliert wird, dass eine Strahlform des Konvergenzpunktes in einer YZ-Ebene, die die Y-Richtung und die Z-Richtung enthält, eine geneigte Form hat, die in einer Verschiebungsrichtung zumindest auf der Seite der Einfallsfläche in Bezug auf einen Mittelpunkt des Konvergenzpunktes geneigt ist, wodurch der erste Riss so geformt wird, dass er in der Verschiebungsrichtung in der YZ-Ebene geneigt ist.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2023153355A1 (ja) 2022-02-09 2023-08-17 デンカ株式会社 球状シリカ粉末

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006024840A (ja) 2004-07-09 2006-01-26 Sumitomo Metal Mining Co Ltd 燐化ガリウムウェーハのベベリング方法

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS544208A (en) 1977-06-13 1979-01-12 Daido Steel Co Ltd Swelling preventing method of fired composite papts
JP6127526B2 (ja) * 2012-10-29 2017-05-17 三星ダイヤモンド工業株式会社 レーザー加工装置、および、パターン付き基板の加工条件設定方法
JP2014189478A (ja) * 2013-03-28 2014-10-06 Hamamatsu Photonics Kk 強化ガラス板加工方法
JP6605278B2 (ja) * 2015-09-29 2019-11-13 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
JP6876098B2 (ja) * 2019-06-13 2021-05-26 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工装置

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006024840A (ja) 2004-07-09 2006-01-26 Sumitomo Metal Mining Co Ltd 燐化ガリウムウェーハのベベリング方法

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