DE112019004175T5 - Electro-optical device, electronic device and control method - Google Patents

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Abstract

Die vorliegende Erfindung realisiert eine Pixelschaltung, die für ein hochpräzises Pixellayout vorteilhaft ist, bei dem die Anzahl von Elementen gering ist. Diese elektrooptische Vorrichtung umfasst eine Pixelschaltung (11), die dafür vorgesehen ist, mit einer Relaisleitung (12-2) und einer Scanleitung (16) in Verbindung zu stehen, und eine Ansteuerschaltung, die die Pixelschaltung ansteuert, wobei die Ansteuerschaltung ausgelegt ist zum Durchführen von Ansteuern zum: Einschalten eines ersten Transistors (WS), eines zweiten Transistors (AZ2) und eines vierten Transistors (AZ1) in einer lichtemittierenden Zeitperiode eines lichtemittierenden Elements (OLED); und, bei Übergang in eine Löschzeitperiode, Schreiben einer Löschleistungsquelle (Vss) in eine Gate-Elektrode eines Ansteuertransistors (Drv) über den ersten Transistor, den zweiten Transistor, einen dritten Transistor (DS) und den vierten Transistor, Ausschalten des dritten Transistors zum Korrigieren einer Schwellenspannung für den Ansteuertransistor, und Anpassen der Spannung der Gate-Elektrode des Ansteuertransistors auf eine Spannung, die die Schwellenspannung wiedergibt.The present invention realizes a pixel circuit which is advantageous for a high-precision pixel layout in which the number of elements is small. This electro-optical device comprises a pixel circuit (11) which is intended to be connected to a relay line (12-2) and a scan line (16), and a control circuit which controls the pixel circuit, the control circuit being designed to perform from driving to: switching on a first transistor (WS), a second transistor (AZ2) and a fourth transistor (AZ1) in a light-emitting time period of a light-emitting element (OLED); and, upon transition to an erase time period, writing an erase power source (Vss) to a gate electrode of a drive transistor (Drv) via the first transistor, the second transistor, a third transistor (DS) and the fourth transistor, turning off the third transistor for correction a threshold voltage for the drive transistor, and adapting the voltage of the gate electrode of the drive transistor to a voltage which represents the threshold voltage.

Description

TECHNISCHES GEBIETTECHNICAL AREA

Die vorliegende Technologie betrifft eine elektrooptische Vorrichtung, eine elektronische Einrichtung und ein Ansteuerverfahren.The present technology relates to an electro-optical device, an electronic device and a driving method.

STAND DER TECHNIKSTATE OF THE ART

Elektrooptische Vorrichtungen, die Elemente mit organischen Leuchtdioden (im Folgenden als OLED bezeichnet) oder dergleichen als lichtemittierende Elemente verwenden, sind bekannt. In den elektrooptischen Vorrichtungen sind Pixelschaltungen, die die lichtemittierenden Elemente, Transistoren oder dergleichen beinhalten, an Schnittpunkten von Scanleitungen und Datenleitungen vorgesehen, um Pixeln zu entsprechen. In der Pixelschaltung liefert der Transistor, wenn ein Datensignal eines Potentials gemäß einem Gradationsniveau von Pixeln an ein Gate des Transistors angelegt wird, einen Strom gemäß einer Gate-Source-Spannung an das lichtemittierende Element, und das lichtemittierende Element emittiert Licht mit einer Luminanz gemäß dem Gradationsniveau.Electro-optical devices using elements with organic light-emitting diodes (hereinafter referred to as OLED) or the like as light-emitting elements are known. In the electro-optical devices, pixel circuits including the light emitting elements, transistors or the like are provided at intersections of scan lines and data lines to correspond to pixels. In the pixel circuit, when a data signal of a potential according to a gradation level of pixels is applied to a gate of the transistor, the transistor supplies a current according to a gate-source voltage to the light-emitting element, and the light-emitting element emits light having a luminance according to the Gradation level.

Wenn eine Schwellenspannung (im Folgenden zweckmäßigerweise als Vth bezeichnet) des in jedem Pixel vorgesehenen Transistors variiert, variiert der durch das lichtemittierende Element fließende Strom, und die Bildqualität verschlechtert sich. Um eine Verschlechterung der Bildqualität zu verhindern, ist es nötig, Variationen von Vth zu kompensieren. Im Falle einer Kompensation ist ein Verfahren bekannt, bei dem eine Drain und das Gate des Transistors mit einer Zuführungsleitung des in jeder Spalte angelieferten Datensignals gekoppelt sind und das Potential auf einen Wert gemäß der Schwellenspannung des Transistors eingestellt wird.When a threshold voltage (hereinafter referred to as Vth for convenience) of the transistor provided in each pixel varies, the current flowing through the light-emitting element varies and the image quality deteriorates. In order to prevent the picture quality from deteriorating, it is necessary to compensate for variations in Vth. In the case of compensation, a method is known in which a drain and the gate of the transistor are coupled to a feed line of the data signal supplied in each column and the potential is set to a value in accordance with the threshold voltage of the transistor.

Da jedoch ein parasitärer Kondensator mit der Zuführungsleitung des Datensignals einhergeht, wird der parasitäre Kondensator auch geladen oder entladen, wenn eine Kompensationsoperation ausgeführt wird. Eine Periode des Kompensationsvorgangs wird um die Zeit verlängert, die zum Laden oder Entladen des parasitären Kondensators erforderlich ist. Wenn außerdem eine Periode der Kompensationsoperation eingestellt wird, ohne die zum Laden oder Entladen des parasitären Kondensators erforderliche Zeit zu berücksichtigen, wird die Kompensation unzureichend.However, since a parasitic capacitor is associated with the lead of the data signal, the parasitic capacitor is also charged or discharged when a compensation operation is performed. A period of the compensation process is extended by the time required to charge or discharge the parasitic capacitor. In addition, if a period of the compensation operation is set without considering the time required for charging or discharging the parasitic capacitor, the compensation becomes insufficient.

Das Patentdokument 1 zielt darauf ab, eine Kompensationsoperation zum Kompensieren von Variationen von Vth schneller zu machen. Eine in Patentdokument 1 offenbarte Ausgestaltung ist eine Schaltungsstruktur mit einer „Relaisleitung“, die mehrere Pixel in einer V-Richtung koppelt und zum Halten von Ladungen zum Zeitpunkt der Korrektur von Vth jedes Pixels verwendet wird, wodurch Ansteuern mit hoher Geschwindigkeit erreicht wird.Patent Document 1 aims to make a compensation operation for compensating for variations in Vth faster. One aspect disclosed in Patent Document 1 is a circuit structure having a “relay line” that couples a plurality of pixels in a V direction and is used to hold charges at the time of correcting Vth of each pixel, thereby achieving high-speed driving.

REFERENZLISTEREFERENCE LIST

PATENTDOKUMENTPATENT DOCUMENT

Patentdokument 1: JP 2016-038425 A Patent Document 1: JP 2016-038425 A

KURZDARSTELLUNG DER ERFINDUNGSUMMARY OF THE INVENTION

DURCH DIE ERFINDUNG ZU LÖSENDE PROBLEMEPROBLEMS TO BE SOLVED BY THE INVENTION

Die Ausgestaltung des Patentdokuments 1 erfordert jedoch sechs MOSFETs und zwei Kondensatoren als Elemente zum Bilden dieser einen Pixelschaltung. Die Ausgestaltung weist eine große Anzahl von Elementen auf, was ein hochauflösendes Layout schwierig macht.However, the configuration of Patent Document 1 requires six MOSFETs and two capacitors as elements for constituting this one pixel circuit. The design has a large number of elements, which makes high definition layout difficult.

Eine Aufgabe der vorliegenden Technologie besteht darin, eine elektrooptische Vorrichtung, eine elektronische Einrichtung und ein Ansteuerverfahren bereitzustellen, die eine Geschwindigkeitserhöhung einer Kompensationsoperation zum Kompensieren von Variationen einer Schwellenspannung eines Transistors, der zum Einstellen einer Lichtemissionsintensität verwendet wird, mit einer geringeren Anzahl von Elementen erreichen können.An object of the present technology is to provide an electro-optical device, an electronic device and a driving method which can achieve an increase in the speed of a compensating operation for compensating for variations in a threshold voltage of a transistor used for adjusting a light emission intensity with a smaller number of elements .

LÖSUNGEN DER PROBLEMESOLUTIONS TO THE PROBLEMS

Die vorliegende Technologie ist eine elektrooptische Vorrichtung, die Folgendes beinhaltet: eine Signalleitung; eine Relaisleitung; eine Scanleitung; eine Leistungszuführungsleitung, die Leistung zum Löschen zuführt; einen Transferkondensator, der zwischen die Signalleitung und die Relaisleitung geschaltet ist; eine Pixelschaltung, die in Verbindung mit der Relaisleitung und der Scanleitung vorgesehen ist; und eine Ansteuerschaltung, die die Pixelschaltung ansteuert, in der
die Pixelschaltung einen Ansteuertransistor mit einer Gate-Elektrode, einem ersten Stromanschluss und einem zweiten Stromanschluss, ein lichtemittierendes Element, das Licht mit einer Luminanz gemäß einer Stärke eines Stroms emittiert, der über den Ansteuertransistor zugeführt wird, einen ersten Transistor, der zwischen die Relaisleitung und die Gate-Elektrode des Ansteuertransistors geschaltet ist, einen zweiten Transistor, der den ersten Stromanschluss des Ansteuertransistors und die Gate-Elektrode des Ansteuertransistors leitet, einen dritten Transistor, der zwischen dem ersten Stromanschluss und einem Anschluss des lichtemittierenden Elements eingefügt ist, und einen vierten Transistor, der zwischen der Leistungszuführungsleitung und dem einen Anschluss des lichtemittierenden Elements eingefügt ist, beinhaltet, und
die Ansteuerschaltung den ersten Transistor, den zweiten Transistor und den vierten Transistor in einer Lichtemissionsperiode des lichtemittierenden Elements einschaltet, um zu einer Löschperiode zu wechseln, und die Leistung zum Löschen über den ersten Transistor, den zweiten Transistor, den dritten Transistor und den vierten Transistor in die Gate-Elektrode des Ansteuertransistors schreibt, und eine Schwellenspannung des Ansteuertransistors durch Ausschalten des dritten Transistors korrigiert und eine Spannung der Gate-Elektrode des Ansteuertransistors so ansteuert, dass die Spannung die Schwellenspannung widerspiegelt.
The present technology is an electro-optic device that includes: a signal line; a relay line; a scan line; a power supply line that supplies power for cancellation; a transfer capacitor connected between the signal line and the relay line; a pixel circuit provided in connection with the relay line and the scanning line; and a drive circuit that drives the pixel circuit in the
the pixel circuit has a drive transistor having a gate electrode, a first power connection and a second power connection, a light-emitting element that emits light with a luminance according to a magnitude of a current supplied via the drive transistor, a first transistor connected between the relay line and the gate electrode of the drive transistor is connected, a second transistor which conducts the first current connection of the drive transistor and the gate electrode of the drive transistor, a third transistor which is connected between the first current connection and a Terminal of the light emitting element is inserted, and a fourth transistor inserted between the power supply line and the one terminal of the light emitting element, and
the drive circuit turns on the first transistor, the second transistor and the fourth transistor in a light emitting period of the light emitting element to change to an erasing period, and the power for erasing through the first transistor, the second transistor, the third transistor and the fourth transistor in the gate electrode of the drive transistor writes, and corrects a threshold voltage of the drive transistor by switching off the third transistor and drives a voltage of the gate electrode of the drive transistor so that the voltage reflects the threshold voltage.

Zusätzlich ist die vorliegende Technologie eine elektronische Einrichtung, die die oben beschriebene elektrooptische Vorrichtung beinhaltet.In addition, the present technology is an electronic device incorporating the above-described electro-optical device.

Darüber hinaus ist die vorliegende Technologie ein Verfahren zum Ansteuern einer elektrooptischen Vorrichtung, die Folgendes beinhaltet: eine Signalleitung; eine Relaisleitung; eine Scanleitung; eine Leistungszuführungsleitung, die Leistung zum Löschen zuführt; einen ersten Kondensator, der zwischen die Signalleitung und die Relaisleitung geschaltet ist; eine Pixelschaltung, die der Relaisleitung und der Scanleitung entsprechend vorgesehen ist; und eine Ansteuerschaltung, die die Pixelschaltung ansteuert,
wobei die Pixelschaltung Folgendes beinhaltet: einen Ansteuertransistor mit einer Gate-Elektrode, einem ersten Stromanschluss und einem zweiten Stromanschluss; ein lichtemittierendes Element, das Licht mit einer Luminanz gemäß einer Stärke eines Stroms emittiert, der über den Ansteuertransistor zugeführt wird; einen ersten Transistor, der zwischen die Relaisleitung und die Gate-Elektrode des Ansteuertransistors geschaltet ist; einen zweiten Transistor, der den ersten Stromanschluss des Ansteuertransistors und die Gate-Elektrode des Ansteuertransistors leitet; einen dritten Transistor, der zwischen dem ersten Stromanschluss und einem Anschluss des lichtemittierenden Elements eingefügt ist; und einen vierten Transistor, der zwischen der Leistungszuführungsleitung und dem einen Anschluss des lichtemittierenden Elements eingefügt ist,
wobei das durch die Ansteuerschaltung durchgeführte Verfahren Folgendes beinhaltet: Einschalten des ersten Transistors, des zweiten Transistors und des vierten Transistors in einer Lichtemissionsperiode des lichtemittierenden Elements, um zu einer Löschperiode zu wechseln, und Schreiben der Leistung zum Löschen über den ersten Transistor, den zweiten Transistor, den dritten Transistor und den vierten Transistor in die Gate-Elektrode des Ansteuertransistors; und Korrigieren einer Schwellenspannung des Ansteuertransistors durch Ausschalten des dritten Transistors und Ansteuern der Gate-Elektrode des Ansteuertransistors mit einer Spannung, so dass die Spannung die Schwellenspannung widerspiegelt.
In addition, the present technology is a method of driving an electro-optical device including: a signal line; a relay line; a scan line; a power supply line that supplies power for cancellation; a first capacitor connected between the signal line and the relay line; a pixel circuit provided corresponding to the relay line and the scanning line; and a drive circuit that drives the pixel circuit,
wherein the pixel circuit includes: a drive transistor having a gate electrode, a first power connection and a second power connection; a light emitting element that emits light having a luminance according to an amount of a current supplied through the drive transistor; a first transistor connected between the relay line and the gate electrode of the drive transistor; a second transistor which conducts the first current connection of the drive transistor and the gate electrode of the drive transistor; a third transistor inserted between the first power terminal and one terminal of the light emitting element; and a fourth transistor inserted between the power supply line and the one terminal of the light emitting element,
wherein the method performed by the drive circuit includes: turning on the first transistor, the second transistor and the fourth transistor in a light emitting period of the light emitting element to change to an erasing period, and writing the power for erasing through the first transistor, the second transistor , the third transistor and the fourth transistor in the gate electrode of the drive transistor; and correcting a threshold voltage of the drive transistor by turning off the third transistor and driving the gate electrode of the drive transistor with a voltage so that the voltage reflects the threshold voltage.

AUSWIRKUNGEN DER ERFINDUNGEFFECTS OF THE INVENTION

Gemäß mindestens einer Ausführungsform kann eine zur Schwellenkorrektur fähige Pixelschaltung mit einer geringeren Anzahl von Elementen erreicht werden. Es sei angemerkt, dass die hier beschriebenen Auswirkungen nicht notwendigerweise limitierend sind und dass jegliche der in der vorliegenden Technologie beschriebenen Auswirkungen oder davon verschiedene Auswirkungen erhalten werden können. Darüber hinaus sollte der Inhalt der vorliegenden Technologie nicht als durch die beispielhaften Auswirkungen in der folgenden Beschreibung limitiert interpretiert werden.According to at least one embodiment, a pixel circuit capable of threshold correction can be achieved with a smaller number of elements. It should be noted that the effects described herein are not necessarily limiting and that any or various effects described in the present technology can be obtained. Furthermore, the content of the present technology should not be interpreted as being limited by the exemplary effects in the following description.

FigurenlisteFigure list

  • 1 ist ein Verbindungsdiagramm einer Ausführungsform einer Pixelschaltung gemäß der vorliegenden Technologie. 1 Figure 13 is a connection diagram of one embodiment of a pixel circuit in accordance with the present technology.
  • 2 ist ein Timingdiagramm zur Beschreibung der Ausgestaltung von 1. 2 FIG. 13 is a timing diagram for describing the embodiment of FIG 1 .
  • 3 ist ein Verbindungsdiagramm eines Beispiels einer herkömmlichen Pixelschaltung. 3 Fig. 13 is a connection diagram of an example of a conventional pixel circuit.
  • 4 ist ein Timingdiagramm zum Beschreiben der herkömmlichen Pixelschaltung. 4th Fig. 10 is a timing chart for describing the conventional pixel circuit.

AUSFÜHRUNGSMODUS DER ERFINDUNGMODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION

Die nachstehend beschriebenen Ausführungsformen sind spezifische Beispiele, die für die vorliegende Technologie geeignet sind, und verschiedene technisch bevorzugte Einschränkungen sind angegeben. Der Schutzumfang der vorliegenden Technologie ist jedoch nicht auf die Ausführungsformen beschränkt, es sei denn, dass eine Aussage, die die vorliegende Technologie einschränkt, in der folgenden Beschreibung angegeben wird.The embodiments described below are specific examples suitable for the present technology, and various technically preferred limitations are given. However, the scope of the present technology is not limited to the embodiments unless a statement that restricts the present technology is made in the following description.

Es sei angemerkt, dass die vorliegende Technologie in der folgenden Reihenfolge beschrieben wird.

  1. <1. Herkömmliche Ausgestaltung>
  2. <2. Eine Ausführungsform der vorliegenden Technologie>
  3. <3. Modifikation>
  4. <4. Anwendungsbeispiel>
It should be noted that the present technology is described in the following order.
  1. <1. Conventional design>
  2. <2. An embodiment of the present technology>
  3. <3. Modification>
  4. <4. Application example>

<Herkömmliche Ausgestaltung><Conventional design>

Vor der Beschreibung einer Ausführungsform der vorliegenden Technologie wird eine herkömmliche Ausgestaltung beschrieben, die in Patentdokument 1 beschrieben ist. 3 veranschaulicht eine herkömmliche Pixelschaltung, und 4 ist ein Timingdiagramm, das einen Betrieb der herkömmlichen Pixelschaltung darstellt. Obwohl nicht dargestellt, umfasst eine elektrooptische Vorrichtung ein Anzeigepanel und eine Steuerschaltung, die einen Betrieb des Anzeigepanels steuert. Das Anzeigepanel beinhaltet eine Vielzahl von Pixelschaltungen und eine Ansteuerschaltung, die die Pixelschaltungen ansteuert. Die Vielzahl von Pixelschaltungen und die in dem Anzeigepanel enthaltene Ansteuerschaltung sind auf einem Siliziumsubstrat ausgebildet, und eine OLED als ein Beispiel für ein lichtemittierendes Element wird für die Pixelschaltung verwendet.Before describing an embodiment of the present technology, a conventional configuration described in Patent Document 1 will be described. 3 illustrated a conventional pixel circuit, and 4th Fig. 13 is a timing chart showing an operation of the conventional pixel circuit. Although not shown, an electro-optical device includes a display panel and a control circuit that controls an operation of the display panel. The display panel includes a plurality of pixel circuits and a drive circuit which drives the pixel circuits. The plurality of pixel circuits and the drive circuit included in the display panel are formed on a silicon substrate, and an OLED as an example of a light emitting element is used for the pixel circuit.

Der Steuerschaltung werden synchron zu einem Synchronisationssignal digitale Bilddaten zugeführt. Die Bilddaten sind Daten, bei denen ein Gradationsniveau eines Pixels eines Bildes, das vom Anzeigepanel angezeigt werden soll, beispielsweise in acht Bit angegeben ist. Zusätzlich ist das Synchronisationssignal ein Signal, das ein vertikales Synchronisationssignal, ein horizontales Synchronisationssignal und ein Punkttaktsignal enthält. Die Steuerschaltung erzeugt auf der Grundlage des Synchronisationssignals verschiedene Steuersignale und führt dem Anzeigepanel die erzeugten Steuersignale zu. Zusätzlich beinhaltet die Steuerschaltung eine Spannungserzeugungsschaltung. Die Spannungserzeugungsschaltung führt dem Anzeigepanel verschiedene Potentiale zu. Weiterhin erzeugt die Steuerschaltung auf der Grundlage der Bilddaten ein analoges Bildsignal.The control circuit is supplied with digital image data in synchronism with a synchronization signal. The image data is data in which a gradation level of a pixel of an image to be displayed on the display panel is indicated in eight bits, for example. In addition, the synchronization signal is a signal including a vertical synchronization signal, a horizontal synchronization signal and a dot clock signal. The control circuit generates various control signals based on the synchronization signal and supplies the generated control signals to the display panel. In addition, the control circuit includes a voltage generating circuit. The voltage generating circuit supplies various potentials to the display panel. Furthermore, the control circuit generates an analog image signal based on the image data.

Das Anzeigefeld enthält eine Anzeigeeinheit und die Ansteuerschaltung, die die Anzeigeeinheit ansteuert. In der Anzeigeeinheit sind Pixelschaltungen, die Pixeln eines anzuzeigenden Bildes entsprechen, in einer Matrix angeordnet. Das heißt, dass in der Anzeigeeinheit Scanleitungen von M Zeilen, die sich in der Figur in horizontaler Richtung (X-Richtung) erstrecken, und sich zusätzlich Signalleitungen von (3N) Spalten, die für jede der drei Spalten gruppiert sind, in der Figur in vertikaler Richtung (Y-Richtung) erstrecken und so vorgesehen sind, gegenüber den jeweiligen Scanleitungen isoliert zu sein, vorgesehen sind. Die Pixelschaltungen sind in einer Matrix aus vertikalen M Zeilen x horizontalen (3N) Spalten angeordnet.The display field contains a display unit and the control circuit that controls the display unit. In the display unit, pixel circuits corresponding to pixels of an image to be displayed are arranged in a matrix. That is, in the display unit, scan lines of M rows extending in the horizontal direction (X direction) in the figure and, in addition, signal lines of (3N) columns grouped for each of the three columns in the figure extend in the vertical direction (Y direction) and are provided so as to be insulated from the respective scan lines. The pixel circuits are arranged in a matrix of vertical M rows x horizontal (3N) columns.

Jede Pixelschaltung weist die gleiche Ausgestaltung auf. Eine Pixelschaltung 11 wird unter Bezugnahme auf 3 beschrieben. Eine Elektrode eines Transferkondensators (erster Kondensator) Cs2 und eine Source oder eine Drain eines fünften Transistors AZ3 sind mit einer Signalleitung 12-1 verbunden. Zusätzlich sind die andere Elektrode des Transferkondensators Cs2 und die andere der Source und der Drain des fünften Transistors AZ3 mit einer Relaisleitung 12-2 verbunden. Das heißt, dass der Transferkondensator Cs2 und der fünfte Transistor AZ3 parallel zueinander zwischen die Signalleitung 12-1 und die Relaisleitung 12-2 geschaltet sind.Each pixel circuit has the same configuration. A pixel circuit 11 is made with reference to 3 described. One electrode of a transfer capacitor (first capacitor) Cs2 and a source or a drain of a fifth transistor AZ3 are with a signal line 12-1 connected. In addition, the other electrode is the transfer capacitor Cs2 and the other of the source and drain of the fifth transistor AZ3 with a relay line 12-2 connected. That is, the transfer capacitor Cs2 and the fifth transistor AZ3 parallel to each other between the signal line 12-1 and the relay line 12-2 are switched.

Zusätzlich ist die Pixelschaltung 11 mit der Relaisleitung 12-2 verbunden. Das heißt, der Pixelschaltung 11 wird über die Signalleitung 12-1 und die Relaisleitung 12-2 ein Gradationspotential gemäß einer designierten Gradation zugeführt.In addition, there is the pixel circuit 11 with the relay line 12-2 connected. That is, the pixel circuit 11 is over the signal line 12-1 and the relay line 12-2 a gradation potential is supplied according to a designated gradation.

Jeder des Pixelkondensators Cs1 und des Transferkondensators Cs2 beinhaltet zwei Elektroden. Ein Gate eines ersten Transistors WS ist mit einer Scanleitung 16 verbunden, und eine Source oder eine Drain des ersten Transistors WS ist mit der Relaisleitung 12-2 verbunden. Zusätzlich ist die andere der Source und der Drain des ersten Transistors WS jeweils mit einem Gate eines Ansteuertransistors Drv und einer Elektrode des Pixelkondensators Cs1 verbunden. Das heißt, der erste Transistor WS ist zwischen das Gate des Ansteuertransistors Drv und eine zweite Elektrode des Transferkondensators Cs2 geschaltet. Dann fungiert der erste Transistor WS als ein Transistor, der die Kopplung zwischen dem Gate des Ansteuertransistors Drv und der zweiten Elektrode des Transferkondensators Cs2 steuert, die mit der Relaisleitung 12-2 verbunden ist.Each of the pixel capacitor Cs1 and the transfer capacitor Cs2 contains two electrodes. A gate of a first transistor WS is with a scan line 16 connected, and a source or a drain of the first transistor WS is with the relay line 12-2 connected. In addition, the other is the source and drain of the first transistor WS each with a gate of a control transistor Drv and an electrode of the pixel capacitor Cs1 connected. That is, the first transistor WS is between the gate of the drive transistor Drv and a second electrode of the transfer capacitor Cs2 switched. Then the first transistor acts WS as a transistor providing the coupling between the gate of the driving transistor Drv and the second electrode of the transfer capacitor Cs2 controls that with the relay line 12-2 connected is.

Eine Source des Ansteuertransistors Drv (zweiter Stromanschluss) ist mit einer Leistungszuführungsleitung 15 verbunden, und eine Drain des Ansteuertransistors Drv (erster Stromanschluss) ist mit einer Source oder einer Drain eines zweiten Transistors AZ2 und einer Source eines dritten Transistors DS verbunden. Ein Potential VCCP, das sich auf einer Hochseite einer Leistungszuführung in der Pixelschaltung 11 befindet, wird der Leistungszuführungsleitung 15 zugeführt. Ein Strom gemäß einer Gate-Source-Spannung des Ansteuertransistors Drv fließt.A source of the drive transistor Drv (second power connection) is with a power supply line 15th connected, and a drain of the drive transistor Drv (first power connection) is to a source or a drain of a second transistor AZ2 and a source of a third transistor DS connected. A potential VCCP that is on a high side of a power supply in the pixel circuit 11 is located, the power supply line 15th fed. A current according to a gate-source voltage of the drive transistor Drv flows.

Der zweite Transistor AZ2 fungiert als ein Schalttransistor, der die Kopplung zwischen dem Gate und der Drain des Ansteuertransistors Drv steuert. Der zweite Transistor AZ2 ist ein Transistor zum Leiten zwischen dem Gate und der Drain des Ansteuertransistors Drv über den ersten Transistor WS.The second transistor AZ2 acts as a switching transistor that provides the coupling between the gate and drain of the drive transistor Drv controls. The second transistor AZ2 is a transistor for conducting between the gate and drain of the drive transistor Drv about the first transistor WS .

Der dritte Transistor DS fungiert als ein Schalttransistor, der die Kopplung zwischen der Drain des Ansteuertransistors Drv und einer Anode einer OLED steuert. Ein Gate eines vierten Transistors AZ1 ist mit einer Steuerleitung verbunden, und dem Gate wird ein Steuersignal zugeführt. Zusätzlich ist eine Drain des vierten Transistors AZ1 mit der Stromversorgungsleitung 13 gekoppelt, die als eine Leitung zum Zuführen von Leistung zum Löschen dient, und wird auf einem Löschpotential Vss gehalten. Das Löschpotential Vss ist eine Spannung, um die OLED in einem gelöschten Zustand zu halten. Der vierte Transistor AZ1 fungiert als ein Schalttransistor, der die Kopplung zwischen der Leistungszuführungsleitung 13 und der Anode der OLED steuert.The third transistor DS acts as a switching transistor that provides the coupling between the drain of the drive transistor Drv and an anode of an OLED. A gate of a fourth transistor AZ1 is connected to a control line, and a control signal is supplied to the gate. In addition, there is a drain of the fourth transistor AZ1 with the power supply line 13th which serves as a line for supplying power for erasure, and is at an erase potential Vss held. The extinguishing potential Vss is a voltage to keep the OLED in an erased state. The fourth transistor AZ1 acts as a switching transistor, the coupling between the power supply line 13th and the anode of the OLED controls.

Ein Steuersignal wird einem Gate des fünften Transistors AZ3 zugeführt. Zusätzlich ist die Source oder die Drain des fünften Transistors AZ3 mit der Relaisleitung 12-2 und über die Relaisleitung 12-2 mit der zweiten Elektrode des Transferkondensators Cs2 und der anderen der Source und der Drain des zweiten Transistors AZ2 verbunden. Zusätzlich ist die andere der Source und der Drain des fünften Transistors AZ3 mit der Signalleitung 12-1 verbunden. Der fünfte Transistor AZ3 fungiert hauptsächlich als ein Schalttransistor, der die Kopplung zwischen der Signalleitung 12-1 und der Relaisleitung 12-2 steuert.A control signal is applied to a gate of the fifth transistor AZ3 fed. In addition, is the source or drain of the fifth transistor AZ3 with the relay line 12-2 and over the relay line 12-2 with the second electrode of the transfer capacitor Cs2 and the other of the source and drain of the second transistor AZ2 connected. In addition, the other is the source and drain of the fifth transistor AZ3 with the signal line 12-1 connected. The fifth transistor AZ3 acts mainly as a switching transistor that provides the coupling between the signal line 12-1 and the relay line 12-2 controls.

Eine Elektrode des Pixelkondensators Cs1 ist mit dem Gate des Ansteuertransistors Drv verbunden, und die andere Elektrode des Pixelkondensators Cs1 ist mit der Leistungszuführungsleitung 15 (Potential VCCP) verbunden. Der Pixelkondensator Cs1 fungiert als ein Haltekondensator, der eine Gate-Source-Spannung des Ansteuertransistors Drv hält. Man beachte, dass als der Pixelkondensator Cs1 ein Kondensator verwendet werden kann, der dem Gate des Ansteuertransistors Drv parasitär ist, oder ein Kondensator, der durch Sandwiching einer Isolierschicht zwischen gegenseitig verschieden leitenden Schichten auf dem Siliziumsubstrat gebildet wird, verwendet werden kann.One electrode of the pixel capacitor Cs1 is to the gate of the drive transistor Drv connected, and the other electrode of the pixel capacitor Cs1 is with the power supply line 15th (Potential VCCP ) connected. The pixel capacitor Cs1 acts as a holding capacitor that has a gate-source voltage of the drive transistor Drv holds. Note that as the pixel capacitor Cs1 a capacitor can be used to connect to the gate of the drive transistor Drv is parasitic, or a capacitor formed by sandwiching an insulating layer between mutually different conductive layers on the silicon substrate can be used.

Die Anode der OLED ist eine Pixelelektrode, die einzeln für jede Pixelschaltung 11 vorgesehen ist. Im Gegensatz dazu ist eine Kathode der OLED eine gemeinsame Elektrode, die gleichermaßen für alle Pixelschaltungen 11 vorgesehen ist, und ein Potential Vcath hält, das auf einer Niederseite der Leistungszuführung in der Pixelschaltung 11 liegt. Die OLED ist ein Element, bei dem eine weiße organische EL-Schicht zwischen der Anode und der lichtdurchlässigen Kathode auf dem Siliziumsubstrat angeordnet ist. Zusätzlich überlappt ein Farbfilter, das einem aus RGB entspricht, eine Emissionsseite (Kathodenseite) der OLED.The anode of the OLED is a pixel electrode that is separate for each pixel circuit 11 is provided. In contrast, a cathode of the OLED is a common electrode that is the same for all pixel circuits 11 is provided, and holds a potential Vcath that is on a low side of the power supply in the pixel circuit 11 lies. The OLED is an element in which a white organic EL layer is arranged between the anode and the translucent cathode on the silicon substrate. In addition, a color filter corresponding to one of RGB overlaps an emission side (cathode side) of the OLED.

Wenn in einer solchen OLED ein Strom von der Anode zur Kathode fließt, werden von der Anode injizierte Löcher und von der Kathode injizierte Elektronen in einer organischen EL-Schicht rekombiniert, und dadurch werden Exzitonen erzeugt und weißes Licht wird erzeugt. Das zu diesem Zeitpunkt erzeugte weiße Licht passiert die Kathode auf einer dem Siliziumsubstrat (Anode) gegenüberliegenden Seite und wird von einem Beobachter nach einer Färbung durch das Farbfilter visuell erkannt.In such an OLED, when a current flows from the anode to the cathode, holes injected from the anode and electrons injected from the cathode are recombined in an organic EL layer, and thereby excitons are generated and white light is generated. The white light generated at this point in time passes the cathode on a side opposite the silicon substrate (anode) and is visually recognized by an observer after it has been colored by the color filter.

Ein Überblick über den Betrieb der herkömmlichen Pixelschaltung wird unter Bezugnahme auf das Ansteuertimingdiagramm von 4 beschrieben. Eine horizontale Scanperiode ist in eine Lichtemissionsperiode, eine Löschperiode, eine Initialisierungsperiode, eine Vth-Korrekturperiode und eine Signalschreibperiode unterteilt. Hinsichtlich der Zeit wird ein Zyklus der Lichtemissionsperiode → der Löschperiode → der Initialisierungsperiode → der Vth-Korrekturperiode → der Signalschreibperiode → der Lichtemissionsperiode wiederholt. 4 veranschaulicht Ein-/Aus-Zustände der Transistoren, die die Pixelschaltung 11 erstellen. Ein hoher Pegel zeigt den Aus-Zustand des Transistors an, und ein niedriger Pegel zeigt den Ein-Zustand des Transistors an. Zusätzlich repräsentiert Gate ein Gate-Potential des Ansteuertransistors Drv.An overview of the operation of the conventional pixel circuit will be given with reference to the drive timing diagram of FIG 4th described. A horizontal scanning period is divided into a light emitting period, an erasing period, an initializing period, a Vth correction period, and a signal writing period. In terms of time, one cycle of the light emission period → the erase period → the initialization period → the Vth correction period → the signal writing period → the light emission period is repeated. 4th illustrates on / off states of the transistors that make up the pixel circuit 11 create. A high level indicates the off-state of the transistor and a low level indicates the on-state of the transistor. In addition, the gate represents a gate potential of the drive transistor Drv .

In der Lichtemissionsperiode ist der dritte Transistor DS eingeschaltet und die Transistoren WS, AZ2, AZ1 und AZ3 sind ausgeschaltet. Infolgedessen führt der Ansteuertransistor Drv der OLED eine Spannung zu, die vom Pixelkondensator Cs1 gehalten wird, d. h. einen Ansteuerstrom gemäß einer Gate-Source-Spannung. Ein Strom gemäß einem Gradationspotential gemäß einer bestimmten Gradation jedes Pixels wird der OLED durch den Ansteuertransistor Drv zugeführt, und die OLED sendet Licht mit einer Luminanz gemäß dem Strom aus. Hier ist in der Lichtemissionsperiode ein Transistor OFS ausgeschaltet und ein Übertragungsgatter 42 ausgeschaltet.In the light emission period is the third transistor DS turned on and the transistors WS , AZ2 , AZ1 and AZ3 are turned off. As a result, the drive transistor leads Drv the OLED is supplied with a voltage that is generated by the pixel capacitor Cs1 is held, that is, a drive current according to a gate-source voltage. A current according to a gradation potential according to a certain gradation of each pixel is supplied to the OLED through the driving transistor Drv is supplied, and the OLED emits light with a luminance according to the current. Here, a transistor OFS is turned off and a transmission gate 42 is turned off in the light emission period.

Ab der Lichtemissionsperiode ist der Transistor DS ausgeschaltet und der Transistor AZ1 eingeschaltet, und die Periode verschiebt sich zur Löschperiode. Infolgedessen wird ein Pfad des Stroms, der der OLED zugeführt wird, blockiert, und dadurch tritt die OLED in einen gelöschten Zustand ein.From the light emission period, the transistor is DS turned off and the transistor AZ1 turned on and the period shifts to the erase period. As a result, a path of the current supplied to the OLED is blocked, and thereby the OLED enters an erased state.

In der nachfolgenden Initialisierungsperiode werden der Transistor OFS, der Transistor WS und der Transistor AZ3, die mit der Signalleitung 12-1 gekoppelt sind, eingeschaltet, und eine Vth-Korrekturreferenzspannung Vofs wird in die Signalleitung 12-1 geschrieben, um eine Initialisierungsoperation durchzuführen. Da der fünfte Transistor AZ3 gleichzeitig eingeschaltet wird, werden die Signalleitung 12-1 und die Relaisleitung 12-2 gekoppelt, und die zweite Elektrode des Transferkondensators Cs2 wird ebenfalls auf ein Anfangspotential eingestellt. Infolgedessen wird der Transferkondensator Cs2 initialisiert.In the subsequent initialization period, the transistor OFS, the transistor WS and the transistor AZ3 that is with the signal line 12-1 are coupled, turned on, and a Vth correction reference voltage Vofs is put into the signal line 12-1 written to perform an initialization operation. Because the fifth transistor AZ3 is turned on at the same time, the signal line will be 12-1 and the relay line 12-2 coupled, and the second electrode of the transfer capacitor Cs2 is also set to an initial potential. As a result, the transfer capacitor becomes Cs2 initialized.

Wenn die oben beschriebene Initialisierungsperiode endet, beginnt die Vth-Korrekturperiode. In der Vth-Korrekturperiode sind die Transistoren WS, AZ2 und AZ1 eingeschaltet und die dritten Transistoren DS und AZ3 sind ausgeschaltet. Zu diesem Zeitpunkt ist das Gate des Ansteuertransistors Drv über den ersten Transistor WS und den zweiten Transistor AZ2 mit dem Drain des Ansteuertransistors Drv verbunden, und ein Drainstrom fließt durch den Ansteuertransistor Drv, wodurch das Gate aufgeladen wird. Das heißt, die Drain und das Gate des Ansteuertransistors Drv sind mit der Relaisleitung 12-2 verbunden. Wenn eine Schwellenspannung des Ansteuertransistors Drv Vth ist, konvergiert ein Potential Vg des Gates des Ansteuertransistors Drv gegen (VCCP-Vth) und die Vth-Korrektur ist abgeschlossen.When the above-described initialization period ends, the Vth correction period begins. The transistors are in the Vth correction period WS , AZ2 and AZ1 turned on and the third transistors DS and AZ3 are turned off. At this point in time, the gate of the drive transistor is Drv about the first transistor WS and the second transistor AZ2 with the drain of the drive transistor Drv connected, and a drain current flows through the drive transistor Drv which charges the gate. That is, the drain and the gate of the Control transistor Drv are with the relay line 12-2 connected. When a threshold voltage of the drive transistor Drv Vth, a potential Vg of the gate of the drive transistor converges Drv against ( VCCP-Vth ) and the Vth correction is complete.

Hier ist, in der Vth-Korrekturperiode, der Transistor OFS eingeschaltet und ein Übertragungsgatter 14 ausgeschaltet. Zu diesem Zeitpunkt ist die Relaisleitung 12-2 kurz und somit wird eine Zeit, die zum Laden oder Entladen eines mit der Relaisleitung 12-2 einhergehenden parasitären Kondensators erforderlich ist, verkürzt und die Vth-Korrekturperiode wird verkürzt.Here, in the Vth correction period, the transistor OFS is on and a transmission gate 14th switched off. At this point the relay line is 12-2 short and thus becomes a time it takes to charge or discharge one with the relay line 12-2 accompanying parasitic capacitor is required is shortened and the Vth correction period is shortened.

Man beachte, dass, da der dritte Transistor DS ausgeschaltet ist, die Drain des Ansteuertransistors Drv elektrisch von der OLED entkoppelt ist. Zusätzlich ist ähnlich wie bei der Initialisierungsperiode der vierte Transistor AZ1 eingeschaltet, und dadurch werden die Anode der OLED und die Leistungszuführungsleitung 13 miteinander gekoppelt, und ein Potential der Anode wird auf das Löschpotential Vss eingestellt.Note that since the third transistor DS is off, the drain of the drive transistor Drv is electrically decoupled from the OLED. In addition, the fourth transistor is similar to the initialization period AZ1 turned on, and thereby the anode of the OLED and the power supply line are turned on 13th coupled to each other, and a potential of the anode becomes the erasing potential Vss set.

Wenn die oben beschriebene Vth-Korrekturperiode endet, beginnt die Schreibperiode. Während der Schreibperiode sind die Transistoren WS und AZ1 in der Pixelschaltung 11 eingeschaltet, wohingegen die Transistoren AZ2, DS und AZ3 ausgeschaltet sind. Während der Schreibperiode ist der Transistor OFS ausgeschaltet und das Übertragungsgatter 14 eingeschaltet. Somit wird einer Elektrode des Transferkondensators Cs2 ein Gradationspotential zugeführt. Dann wird ein Signal, das durch Pegelverschiebung des Gradationspotentials erzeugt wird, dem Gate des Ansteuertransistors Drv zugeführt und in den Pixelkondensator Cs1 geschrieben.When the above-described Vth correction period ends, the write period begins. During the write period the transistors are WS and AZ1 in the pixel circuit 11 turned on, whereas the transistors AZ2 , DS and AZ3 are turned off. During the write period, the transistor OFS is switched off and the transmission gate is switched off 14th turned on. Thus, one electrode of the transfer capacitor Cs2 a gradation potential supplied. Then, a signal generated by level shifting the gradation potential becomes the gate of the drive transistor Drv fed and into the pixel capacitor Cs1 written.

Man beachte, dass, da der dritte Transistor DS ausgeschaltet ist, die Drain des Ansteuertransistors Drv elektrisch von der OLED entkoppelt ist. Zusätzlich ist ähnlich wie bei der Initialisierungsperiode der vierte Transistor AZ1 eingeschaltet, und dadurch werden die Anode der OLED und die Leistungszuführungsleitung 13 miteinander gekoppelt, und das Potential der Anode wird auf das Löschpotential Vss initialisiert. Dann verschiebt sich die Periode zu der oben beschriebenen Lichtemissionsperiode.Note that since the third transistor DS is off, the drain of the drive transistor Drv is electrically decoupled from the OLED. In addition, the fourth transistor is similar to the initialization period AZ1 turned on, and thereby the anode of the OLED and the power supply line are turned on 13th coupled to each other, and the potential of the anode is set to the extinguishing potential Vss initialized. Then the period shifts to the light emission period described above.

<Eine Ausführungsform der vorliegenden Technologie><An embodiment of the present technology>

In der oben beschriebenen herkömmlichen Pixelschaltung 11 wird die Vth-Korrekturoperation ausgeführt, während der erste Transistor WS an ist. Somit wird eine Spannung für die Vth-Korrektur nicht nur in den Pixelkondensator Cs1 geschrieben, sondern auch in einen parasitären Kondensator Cp der Relaisleitung 12-2. Die Relaisleitung 12-2 wird von einer Vielzahl von Pixeln gemeinsam genutzt, und ein Kapazitätswert ändert sich entsprechend der Anzahl der gemeinsam genutzten Pixel. Wenn die Anzahl der gemeinsam genutzten Pixel verringert wird, wird der Kapazitätswert verringert, eine Vth-Korrekturgeschwindigkeit kann erhöht werden, und der Betrieb ist für Hochgeschwindigkeitsansteuerung vorteilhaft. Da andererseits die Anzahl der Transistoren und der kapazitiven Elemente acht Elemente umfassen muss, besteht ein Nachteil darin, dass die Anzahl der Elemente groß ist und ein hochauflösendes Layout behindert wird.In the conventional pixel circuit described above 11 the Vth correction operation is performed while the first transistor WS is on. Thus, a voltage for Vth correction does not become only in the pixel capacitor Cs1 written, but also in a parasitic capacitor Cp of the relay line 12-2 . The relay line 12-2 is shared by a plurality of pixels, and a capacitance value changes according to the number of the shared pixels. When the number of shared pixels is decreased, the capacity value is decreased, a Vth correction speed can be increased, and the operation is advantageous for high-speed driving. On the other hand, since the number of transistors and capacitive elements must be eight elements, there is a disadvantage that the number of elements is large and high resolution layout is hindered.

Die vorliegende Technologie stellt eine Pixelschaltung bereit, die die Anzahl von Elementen reduziert, während eine Funktion der Pixelschaltung beibehalten wird. 1 ist ein Schaltbild einer Ausführungsform der vorliegenden Technologie. Die Ausführungsform weist eine Ausgestaltung auf, in der der fünfte Transistor AZ3 in der Schaltungsausgestaltung von 3 entfernt ist. Zusätzlich wird über einen Transistor RST eine vorbestimmte Spannung rst an die Signalleitung 12-1 angelegt. Ein Steuersignal wird einem Gate des Transistors RST zugeführt.The present technology provides a pixel circuit that reduces the number of elements while maintaining a function of the pixel circuit. 1 Figure 3 is a circuit diagram of one embodiment of the present technology. The embodiment has a configuration in which the fifth transistor AZ3 in the circuit design of 3 away. In addition, a predetermined voltage rst is applied to the signal line via a transistor RST 12-1 created. A control signal is supplied to a gate of the transistor RST.

2 veranschaulicht ein Ansteuertiming der Ausführungsform der vorliegenden Technologie. In einer Lichtemissionsperiode ist ein dritter Transistor DS eingeschaltet und die Transistoren WS, AZ1 und AZ2 sind ausgeschaltet. Infolgedessen führt ein Ansteuertransistor Drv einer OLED eine Spannung zu, die von einem Pixelkondensator Cs1 gehalten wird, d. h. einen Ansteuerstrom gemäß einer Gate-Source-Spannung. Ein Strom gemäß einem Gradationspotential gemäß einer bestimmten Gradation jedes Pixels wird der OLED durch den Ansteuertransistor Drv zugeführt, und die OLED sendet Licht mit einer Luminanz gemäß dem Strom aus. Hier ist in der Lichtemissionsperiode der Transistor RST ausgeschaltet und ein Übertragungsgatter 42 ist ausgeschaltet. 2 Fig. 10 illustrates a drive timing of the embodiment of the present technology. There is a third transistor in one light emission period DS turned on and the transistors WS , AZ1 and AZ2 are turned off. As a result, a drive transistor leads Drv an OLED to a voltage that is generated by a pixel capacitor Cs1 is held, that is, a drive current according to a gate-source voltage. A current according to a gradation potential according to a certain gradation of each pixel is supplied to the OLED through the driving transistor Drv is supplied, and the OLED emits light with a luminance according to the current. Here, in the light emission period, the transistor RST is off and a transmission gate 42 is off.

In der Lichtemissionsperiode sind der erste Transistor WS, der vierte Transistor AZ1, der zweite Transistor AZ2 und der Transistor RST eingeschaltet und die Periode verschiebt sich in einen gelöschten Zustand. Gleichzeitig wird zur Vorbereitung der Vth-Korrektur ein Löschpotential Vss einer Leistungszuführungsleitung 13 über den Transistor AZ2, den Transistor DS und den Transistor AZ1 geschrieben.In the light emission period are the first transistor WS , the fourth transistor AZ1 , the second transistor AZ2 and the transistor RST is turned on and the period shifts to an erased state. At the same time, an erasure potential is used in preparation for the Vth correction Vss a power supply line 13th about the transistor AZ2 , the transistor DS and the transistor AZ1 written.

Hier wird das Löschpotential Vss auf eine Spannung eingestellt, so dass der Ansteuertransistor Drv zur Vorbereitung für die Vth-Korrektur eingeschaltet wird, während die OLED gelöscht wird.This is where the extinguishing potential Vss set to a voltage so that the drive transistor Drv is turned on in preparation for Vth correction while the OLED is being cleared.

Hier wird, wenn eine Spannung zum Einschalten der Transistoren AZ1, AZ2 und DS als V Low bezeichnet wird und eine Schwellenspannung der Transistoren AZ1, AZ2 und DS Vth (AZ1) = Vth (AZ2) = Vth (DS) = Vth ist, eine Gate-Spannung Vg des Ansteuertransistors Drv durch die folgenden Gleichungen ausgedrückt.Here is when a voltage to turn on of the transistors AZ1 , AZ2 and DS is referred to as V Low and a threshold voltage of the transistors AZ1 , AZ2 and DS Vth (AZ1) = Vth (AZ2) = Vth (DS) = Vth, a gate voltage Vg of the drive transistor Drv expressed by the following equations.

Wenn Vss < | Vth | + V _ Low ,  Vg = | Vth | + V _ Low

Figure DE112019004175T5_0001
When Vss < | Vth | + V _ Low , Vg = | Vth | + V _ Low
Figure DE112019004175T5_0001
Wenn Vss | Vth | + V _ Low ,  Vg = Vss
Figure DE112019004175T5_0002
When Vss | Vth | + V _ Low , Vg = Vss
Figure DE112019004175T5_0002

Danach wird der dritte Transistor DS ausgeschaltet, um eine Vth-Korrekturperiode zu starten. Wenn der dritte Transistor DS ausgeschaltet ist, ist eine Drain des Ansteuertransistors Drv von der OLED entkoppelt. Das Gate des Ansteuertransistors Drv konvergiert gegen (VCCP-Vth) und die Vth-Korrekturperiode ist abgeschlossen.After that the third transistor DS turned off to start a Vth correction period. When the third transistor DS is off, is a drain of the drive transistor Drv decoupled from the OLED. The gate of the drive transistor Drv converges to (VCCP-Vth) and the Vth correction period is completed.

Nach der Vth-Korrekturperiode verschiebt sich die Periode zu einer Schreibperiode. In der Schreibperiode ist der erste Transistor WS eingeschaltet, ist der dritte Transistor DS ausgeschaltet, ist der vierte Transistor AZ1 eingeschaltet und der dritte Transistor AZ3 und der Transistor RST sind ausgeschaltet. Wenn eine Vsig-Spannung von VCCP zu (VCCP-Vsig) übergeht, geht eine Gate-Spannung zu der durch den folgenden Ausdruck ausgedrückten über:After the Vth correction period, the period shifts to a writing period. The first transistor is in the write period WS turned on, the third transistor is DS off, the fourth transistor is AZ1 turned on and the third transistor AZ3 and the transistor RST are turned off. When a Vsig voltage of VCCP transitions to (VCCP-Vsig), a gate voltage transitions to that expressed by the following expression:

VCCP Vth Vdata × Cs 2 / ( Cs 1 + Cs 2 )

Figure DE112019004175T5_0003
VCCP - Vth - Vdata × Cs 2 / ( Cs 1 + Cs 2 )
Figure DE112019004175T5_0003

Somit wird die Gate-Spannung des Ansteuertransistors Drv zu einer Spannung, die Vth wiedergibt, und Vth wird zum Zeitpunkt der Lichtemission aufgehoben. Danach werden der erste Transistor WS und der vierte Transistor AZ1 ausgeschaltet und der dritte Transistor DS wird eingeschaltet, um zur Lichtemissionsperiode zu wechseln.Thus, the gate voltage of the drive transistor Drv to a voltage representing Vth, and Vth is canceled at the time of light emission. After that become the first transistor WS and the fourth transistor AZ1 turned off and the third transistor DS is turned on to switch to the light emission period.

Wie oben beschrieben, kann die Vth-Korrekturoperation ähnlich wie bei der herkömmlichen Ausgestaltung durchgeführt werden, selbst wenn der Transistor AZ3 aus der herkömmlichen Ausgestaltung mit sechs Transistoren und zwei Kondensatoren entfernt wird, um die Ausgestaltung mit fünf Transistoren und zwei Kondensatoren auszubilden, indem ein Ansteuertiming eingestellt wird, bei dem eine Vth-Korrekturvorbereitungsspannung aus Vss geschrieben wird. Das heißt, dass in der Pixelschaltung der vorliegenden Technologie die Vth-Korrekturvorbereitungsspannung nicht von der Signalleitung in der Vorbereitung für die Vth-Korrektur geschrieben wird, sondern eine Leistungszuführung, die mit einer Anode der OLED, die als ein lichtemittierendes Element dient, über einen Schalttransistor gekoppelt ist, verwendet wird. Da die Anzahl der Elemente auf diese Weise reduziert werden kann, kann eine Pixelschaltung erreicht werden, die für ein hochauflösendes Pixellayout vorteilhaft ist.As described above, the Vth correcting operation can be performed similarly to the conventional embodiment even if the transistor AZ3 is removed from the conventional six-transistor, two-capacitor configuration to form the five-transistor, two-capacitor configuration by setting a drive timing at which a Vth correction preparation voltage is written from Vss. That is, in the pixel circuit of the present technology, the Vth correction preparation voltage is not written from the signal line in preparation for Vth correction, but a power supply connected to an anode of the OLED serving as a light emitting element via a switching transistor coupled is used. Since the number of elements can be reduced in this way, a pixel circuit advantageous for a high definition pixel layout can be achieved.

<Modifikation><modification>

Im Obigen wurde hier eine spezifische Beschreibung der Ausführungsformen der vorliegenden Technologie gegeben. Die vorliegende Technologie ist jedoch nicht auf jegliche oben beschriebene Ausführungsform beschränkt, und verschiedene Modifikationen, die auf einer technischen Idee der vorliegenden Technologie basieren, können vorgenommen werden. Zum Beispiel sind verschiedene Modifikationen, wie sie unten beschrieben sind, möglich. Zusätzlich können ein oder mehrere Aspekte der Modifikationen, wie nachstehend beschrieben, optional ausgewählt und passend kombiniert werden. Zusätzlich können die Ausgestaltungen, Verfahren, Schritte, Formen, Materialien, numerischen Werte und dergleichen in den oben beschriebenen Ausführungsformen miteinander kombiniert werden, ohne vom Kern der vorliegenden Technologie abzuweichen.In the above, a specific description has been given of the embodiments of the present technology. However, the present technology is not limited to any embodiment described above, and various modifications based on a technical idea of the present technology can be made. For example, various modifications as described below are possible. In addition, one or more aspects of the modifications as described below can be optionally selected and combined as appropriate. In addition, the configurations, methods, steps, shapes, materials, numerical values and the like in the above-described embodiments can be combined with one another without departing from the core of the present technology.

In den oben beschriebenen Ausführungsformen sind die Transistoren alle P-Kanal-Transistoren, können jedoch alle N-Kanal-Transistoren sein. Zusätzlich können P-Kanal-Transistoren und N-Kanal-Transistoren nach Bedarf kombiniert werden.In the embodiments described above, the transistors are all P-channel transistors, but may all be N-channel transistors. In addition, P-channel transistors and N-channel transistors can be combined as required.

In den oben beschriebenen Ausführungsformen wird ein Beispiel beschrieben, in dem eine OLED, die als lichtemittierendes Element dient, als ein elektrooptisches Element verwendet wird, wobei das elektrooptische Element aber auch ein Element sein kann, das Licht mit einer Luminanz gemäß einem Strom emittiert, wie z B. eine anorganische Leuchtdiode oder eine Leuchtdiode (LED).In the above-described embodiments, an example is described in which an OLED serving as a light-emitting element is used as an electro-optic element, but the electro-optic element may also be an element that emits light having a luminance according to a current such as e.g. an inorganic light-emitting diode or a light-emitting diode (LED).

<Anwendungsbeispiel><Application example>

Als nächstes wird eine elektronische Einrichtung beschrieben, auf die eine elektrooptische Vorrichtung gemäß den Ausführungsformen oder dergleichen oder das Anwendungsbeispiel angewendet wird. Die elektrooptische Vorrichtung eignet sich zur Verwendung in hochauflösenden Displays mit kleinen Pixeln. Daher kann eine Anzeigevorrichtung wie ein Head-mounted Display, eine intelligente Brille, ein Smartphone oder ein elektronischer Sucher einer Digitalkamera als die elektronische Einrichtung verwendet werden.Next, an electronic device to which an electro-optical device according to the embodiments or the like or the application example is applied will be described. The electro-optic device is suitable for use in high resolution displays with small pixels. Therefore, a display device such as a head-mounted display, smart glasses, a smartphone, or an electronic viewfinder of a digital camera can be used as the electronic device.

Man beachte, dass die vorliegende Technologie auch die folgenden Ausgestaltungen aufweisen kann.Note that the present technology can also have the following configurations.

  1. (1) Eine elektrooptische Vorrichtung, die Folgendes beinhaltet:
    • eine Signalleitung;
    • eine Relaisleitung;
    • eine Scanleitung;
    • eine Leistungszuführungsleitung, die Leistung zum Löschen zuführt;
    • einen Transferkondensator, der zwischen die Signalleitung und die Relaisleitung geschaltet ist;
    • eine Pixelschaltung, die der Relaisleitung und der Scanleitung entsprechend vorgesehen ist; und
    • eine Ansteuerschaltung, die die Pixelschaltung ansteuert,
    wobei die Pixelschaltung Folgendes beinhaltet:
    • einen Ansteuertransistor mit einer Gate-Elektrode, einem ersten Stromanschluss und einem zweiten Stromanschluss,
    • ein lichtemittierendes Element, das Licht mit einer Luminanz gemäß einer Stärke eines Stroms emittiert, der über den Ansteuertransistor zugeführt wird,
    • einen ersten Transistor, der zwischen die Relaisleitung und die Gate-Elektrode des Ansteuertransistors geschaltet ist,
    • einen zweiten Transistor, der den ersten Stromanschluss des Ansteuertransistors und die Gate-Elektrode des Ansteuertransistors leitet,
    • einen dritten Transistor, der zwischen dem ersten Stromanschluss und einem Anschluss des lichtemittierenden Elements eingefügt ist, und
    • einen vierten Transistor, der zwischen der Leistungszuführungsleitung und dem einen Anschluss des lichtemittierenden Elements eingefügt ist, und
    • die Ansteuerschaltung
    • den ersten Transistor, den zweiten Transistor und den vierten Transistor in einer Lichtemissionsperiode des lichtemittierenden Elements einschaltet, um zu einer Löschperiode zu wechseln, und die Leistung zum Löschen über den ersten Transistor, den zweiten Transistor, den dritten Transistor und den vierten Transistor in die Gate-Elektrode des Ansteuertransistors schreibt, und
    • eine Schwellenspannung des Ansteuertransistors durch Ausschalten des dritten Transistors korrigiert und eine Spannung der Gate-Elektrode des Ansteuertransistors so ansteuert, dass die Spannung die Schwellenspannung widerspiegelt.
    (1) An electro-optic device that includes:
    • a signal line;
    • a relay line;
    • a scan line;
    • a power supply line that supplies power for cancellation;
    • a transfer capacitor connected between the signal line and the relay line;
    • a pixel circuit provided corresponding to the relay line and the scanning line; and
    • a control circuit that controls the pixel circuit,
    wherein the pixel circuit includes:
    • a control transistor with a gate electrode, a first power connection and a second power connection,
    • a light emitting element that emits light having a luminance according to a magnitude of a current supplied through the driving transistor,
    • a first transistor which is connected between the relay line and the gate electrode of the control transistor,
    • a second transistor which conducts the first current connection of the control transistor and the gate electrode of the control transistor,
    • a third transistor inserted between the first power terminal and one terminal of the light emitting element, and
    • a fourth transistor inserted between the power supply line and the one terminal of the light emitting element, and
    • the control circuit
    • turns on the first transistor, the second transistor and the fourth transistor in a light emitting period of the light emitting element to change to an erasing period, and the power for erasing through the first transistor, the second transistor, the third transistor and the fourth transistor into the gate -Electrode of the control transistor writes, and
    • corrects a threshold voltage of the control transistor by switching off the third transistor and controls a voltage of the gate electrode of the control transistor in such a way that the voltage reflects the threshold voltage.
  2. (2) Die elektrooptische Vorrichtung gemäß (1), in der die Leistung zum Löschen so eingestellt ist, dass der Ansteuertransistor während der Löschperiode eingeschaltet ist, während das lichtemittierende Element gelöscht wird.(2) The electro-optical device according to (1), in which the power for erasing is set so that the driving transistor is turned on during the erasing period while the light-emitting element is being erased.
  3. (3) Die elektrooptische Vorrichtung gemäß (1) oder (2), ferner beinhaltend einen Pixelkondensator mit einer Elektrode, die mit der Gate-Elektrode des Ansteuertransistors gekoppelt ist, und einer anderen Elektrode, die mit einer Spannungszuführungsleitung gekoppelt ist, wobei der Pixelkondensator eine Gate-Source-Spannung des Ansteuertransistors hält.(3) The electro-optical device according to (1) or (2), further comprising a pixel capacitor having an electrode which is coupled to the gate electrode of the drive transistor, and another electrode which is coupled to a voltage supply line, wherein the pixel capacitor is a Gate-source voltage of the control transistor holds.
  4. (4) Eine elektronische Einrichtung, die Folgendes beinhaltet:
    • die elektrooptische Vorrichtung gemäß (1).
    (4) An electronic device that includes:
    • the electro-optical device according to (1).
  5. (5) Ein Verfahren zum Ansteuern einer elektrooptischen Vorrichtung, die Folgendes beinhaltet:
    • eine Signalleitung;
    • eine Relaisleitung;
    • eine Scanleitung;
    • eine Leistungszuführungsleitung, die Leistung zum Löschen zuführt;
    • einen ersten Kondensator, der zwischen die Signalleitung und die Relaisleitung geschaltet ist;
    • eine Pixelschaltung, die der Relaisleitung und der Scanleitung entsprechend vorgesehen ist; und
    • eine Ansteuerschaltung, die die Pixelschaltung ansteuert,
    • wobei die Pixelschaltung Folgendes beinhaltet:
      • einen Ansteuertransistor mit einer Gate-Elektrode, einem ersten Stromanschluss und einem zweiten Stromanschluss;
      • ein lichtemittierendes Element, das Licht mit einer Luminanz gemäß einer Stärke eines Stroms emittiert, der über den Ansteuertransistor zugeführt wird;
      • einen ersten Transistor, der zwischen die Relaisleitung und die Gate-Elektrode des Ansteuertransistors geschaltet ist;
      • einen zweiten Transistor, der den ersten Stromanschluss des Ansteuertransistors und die Gate-Elektrode des Ansteuertransistors leitet;
      • einen dritten Transistor, der zwischen dem ersten Stromanschluss und einem Anschluss des lichtemittierenden Elements eingefügt ist; und
      • einen vierten Transistor, der zwischen der Leistungszuführungsleitung und dem einen Anschluss des lichtemittierenden Elements eingefügt ist,
    • wobei das durch die Ansteuerschaltung durchgeführte Verfahren Folgendes beinhaltet:
      • Einschalten des ersten Transistors, des zweiten Transistors und des vierten Transistors in einer Lichtemissionsperiode des lichtemittierenden Elements, um zu einer Löschperiode zu wechseln, und Schreiben der Leistung zum Löschen über den ersten Transistor, den zweiten Transistor, den dritten Transistor und den vierten Transistor in die Gate-Elektrode des Ansteuertransistors; und
      • Korrigieren einer Schwellenspannung des Ansteuertransistors durch Ausschalten des dritten Transistors und Ansteuern der Gate-Elektrode des Ansteuertransistors mit einer Spannung, so dass die Spannung die Schwellenspannung widerspiegelt.
    (5) A method of driving an electro-optical device that includes:
    • a signal line;
    • a relay line;
    • a scan line;
    • a power supply line that supplies power for cancellation;
    • a first capacitor connected between the signal line and the relay line;
    • a pixel circuit provided corresponding to the relay line and the scanning line; and
    • a control circuit that controls the pixel circuit,
    • wherein the pixel circuit includes:
      • a drive transistor having a gate electrode, a first power connection and a second power connection;
      • a light emitting element that emits light having a luminance according to an amount of a current supplied through the drive transistor;
      • a first transistor connected between the relay line and the gate electrode of the drive transistor;
      • a second transistor which conducts the first current connection of the drive transistor and the gate electrode of the drive transistor;
      • a third transistor inserted between the first power terminal and one terminal of the light emitting element; and
      • a fourth transistor inserted between the power supply line and the one terminal of the light emitting element,
    • wherein the method performed by the control circuit includes:
      • Turning on the first transistor, the second transistor and the fourth transistor in a light emitting period of the light emitting element to change to an erasing period, and writing the power for erasing through the first transistor, the second transistor, the third transistor and the fourth transistor to the Gate electrode of the drive transistor; and
      • Correcting a threshold voltage of the drive transistor by switching off the third transistor and driving the gate electrode of the drive transistor with a voltage so that the voltage reflects the threshold voltage.
  6. (6) Das Verfahren zum Ansteuern der elektrooptischen Vorrichtung gemäß (5), bei dem die Leistung zum Löschen so eingestellt ist, dass der Ansteuertransistor während der Löschperiode eingeschaltet ist, während das lichtemittierende Element gelöscht wird.(6) The method of driving the electro-optical device according to (5), wherein the power for erasing is set so that the driving transistor is turned on during the erasing period while the light-emitting element is being erased.
  7. (7) Das Verfahren zum Ansteuern der elektrooptischen Vorrichtung gemäß (5) oder (6), bei dem die Pixelschaltung ferner einen Pixelkondensator mit einer Elektrode, die mit der Gate-Elektrode des Ansteuertransistors gekoppelt ist, und eine andere Elektrode, die mit einer Spannungszuführungsleitung gekoppelt ist, wobei der Pixelkondensator eine Gate-Source-Spannung des Ansteuertransistors hält, beinhaltet.(7) The method for driving the electro-optical device according to (5) or (6), in which the pixel circuit further comprises a pixel capacitor having one electrode which is coupled to the gate electrode of the drive transistor, and another electrode which is connected to a voltage supply line is coupled, wherein the pixel capacitor holds a gate-source voltage of the drive transistor, includes.

BezugszeichenlisteList of reference symbols

1111
PixelschaltungPixel circuit
12-112-1
SignalleitungSignal line
12-212-2
RelaisleitungRelay line
13, 1513, 15
LeistungszuführungsleitungPower supply line
1414th
ÜbertragungsgatterTransmission gate
1616
ScanleitungScan line
VCCPVCCP
LeistungszuführungsleitungPower supply line
Drv, WS, AZ2, DS, AZ1, AZ3Drv, WS, AZ2, DS, AZ1, AZ3
Transistortransistor
Cs1Cs1
PixelkondensatorPixel capacitor
Cs2Cs2
TransferkondensatorTransfer capacitor
VssVss
LöschpotentialExtinguishing potential

ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNGQUOTES INCLUDED IN THE DESCRIPTION

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Zitierte PatentliteraturPatent literature cited

  • JP 2016038425 A [0006]JP 2016038425 A [0006]

Claims (7)

Elektrooptische Vorrichtung, umfassend: eine Signalleitung; eine Relaisleitung; eine Scanleitung; eine Leistungszuführungsleitung, die Leistung zum Löschen zuführt; einen Transferkondensator, der zwischen die Signalleitung und die Relaisleitung geschaltet ist; eine Pixelschaltung, die der Relaisleitung und der Scanleitung entsprechend vorgesehen ist; und eine Ansteuerschaltung, die die Pixelschaltung ansteuert, wobei die Pixelschaltung Folgendes beinhaltet: einen Ansteuertransistor mit einer Gate-Elektrode, einem ersten Stromanschluss und einem zweiten Stromanschluss, ein lichtemittierendes Element, das Licht mit einer Luminanz gemäß einer Stärke eines Stroms emittiert, der über den Ansteuertransistor zugeführt wird, einen ersten Transistor, der zwischen die Relaisleitung und die Gate-Elektrode des Ansteuertransistors geschaltet ist, einen zweiten Transistor, der den ersten Stromanschluss des Ansteuertransistors und die Gate-Elektrode des Ansteuertransistors leitet, einen dritten Transistor, der zwischen dem ersten Stromanschluss und einem Anschluss des lichtemittierenden Elements eingefügt ist, und einen vierten Transistor, der zwischen der Leistungszuführungsleitung und dem einen Anschluss des lichtemittierenden Elements eingefügt ist, und die Ansteuerschaltung den ersten Transistor, den zweiten Transistor und den vierten Transistor in einer Lichtemissionsperiode des lichtemittierenden Elements einschaltet, um zu einer Löschperiode zu wechseln, und die Leistung zum Löschen über den ersten Transistor, den zweiten Transistor, den dritten Transistor und den vierten Transistor in die Gate-Elektrode des Ansteuertransistors schreibt, und eine Schwellenspannung des Ansteuertransistors durch Ausschalten des dritten Transistors korrigiert und eine Spannung der Gate-Elektrode des Ansteuertransistors so ansteuert, dass die Spannung die Schwellenspannung widerspiegelt.An electro-optical device comprising: a signal line; a relay line; a scan line; a power supply line that supplies power for cancellation; a transfer capacitor connected between the signal line and the relay line; a pixel circuit provided corresponding to the relay line and the scanning line; and a drive circuit which drives the pixel circuit, wherein the pixel circuit includes: a control transistor with a gate electrode, a first power connection and a second power connection, a light emitting element that emits light having a luminance according to a magnitude of a current supplied through the driving transistor, a first transistor which is connected between the relay line and the gate electrode of the control transistor, a second transistor which conducts the first current connection of the control transistor and the gate electrode of the control transistor, a third transistor inserted between the first power terminal and one terminal of the light emitting element, and a fourth transistor inserted between the power supply line and the one terminal of the light emitting element, and the control circuit turns on the first transistor, the second transistor and the fourth transistor in a light emitting period of the light emitting element to change to an erasing period, and the power for erasing through the first transistor, the second transistor, the third transistor and the fourth transistor into the gate -Electrode of the control transistor writes, and corrects a threshold voltage of the control transistor by switching off the third transistor and controls a voltage of the gate electrode of the control transistor in such a way that the voltage reflects the threshold voltage. Elektrooptische Vorrichtung nach Anspruch 1, wobei die Leistung zum Löschen so eingestellt ist, dass der Ansteuertransistor während der Löschperiode eingeschaltet ist, während das lichtemittierende Element gelöscht wird.Electro-optical device according to Claim 1 wherein the power for erasing is set so that the drive transistor is turned on during the erasing period while the light emitting element is being erased. Elektrooptische Vorrichtung nach Anspruch 1, ferner umfassend einen Pixelkondensator mit einer Elektrode, die mit der Gate-Elektrode des Ansteuertransistors gekoppelt ist, und einer anderen Elektrode, die mit einer Spannungszuführungsleitung gekoppelt ist, wobei der Pixelkondensator eine Gate-Source-Spannung des Ansteuertransistors hält.Electro-optical device according to Claim 1 , further comprising a pixel capacitor having one electrode coupled to the gate electrode of the drive transistor and another electrode coupled to a voltage supply line, the pixel capacitor holding a gate-source voltage of the drive transistor. Elektronische Einrichtung, umfassend die elektrooptische Vorrichtung nach Anspruch 1.Electronic device comprising the electro-optical device according to Claim 1 . Verfahren zum Ansteuern einer elektrooptischen Vorrichtung, die Folgendes beinhaltet: eine Signalleitung; eine Relaisleitung; eine Scanleitung; eine Leistungszuführungsleitung, die Leistung zum Löschen zuführt; einen ersten Kondensator, der zwischen die Signalleitung und die Relaisleitung geschaltet ist; eine Pixelschaltung, die der Relaisleitung und der Scanleitung entsprechend vorgesehen ist; und eine Ansteuerschaltung, die die Pixelschaltung ansteuert, wobei die Pixelschaltung Folgendes beinhaltet: einen Ansteuertransistor mit einer Gate-Elektrode, einem ersten Stromanschluss und einem zweiten Stromanschluss; ein lichtemittierendes Element, das Licht mit einer Luminanz gemäß einer Stärke eines Stroms emittiert, der über den Ansteuertransistor zugeführt wird; einen ersten Transistor, der zwischen die Relaisleitung und die Gate-Elektrode des Ansteuertransistors geschaltet ist; einen zweiten Transistor, der den ersten Stromanschluss des Ansteuertransistors und die Gate-Elektrode des Ansteuertransistors leitet; einen dritten Transistor, der zwischen dem ersten Stromanschluss und einem Anschluss des lichtemittierenden Elements eingefügt ist; und einen vierten Transistor, der zwischen der Leistungszuführungsleitung und dem einen Anschluss des lichtemittierenden Elements eingefügt ist, wobei das durch die Ansteuerschaltung durchgeführte Verfahren Folgendes umfasst: Einschalten des ersten Transistors, des zweiten Transistors und des vierten Transistors in einer Lichtemissionsperiode des lichtemittierenden Elements, um zu einer Löschperiode zu wechseln, und Schreiben der Leistung zum Löschen über den ersten Transistor, den zweiten Transistor, den dritten Transistor und den vierten Transistor in die Gate-Elektrode des Ansteuertransistors; und Korrigieren einer Schwellenspannung des Ansteuertransistors durch Ausschalten des dritten Transistors und Ansteuern der Gate-Elektrode des Ansteuertransistors mit einer Spannung, so dass die Spannung die Schwellenspannung widerspiegelt.A method of driving an electro-optic device that includes: a signal line; a relay line; a scan line; a power supply line that supplies power for cancellation; a first capacitor connected between the signal line and the relay line; a pixel circuit provided corresponding to the relay line and the scanning line; and a control circuit that controls the pixel circuit, wherein the pixel circuit includes: a drive transistor having a gate electrode, a first power connection and a second power connection; a light emitting element that emits light having a luminance according to an amount of a current supplied through the drive transistor; a first transistor connected between the relay line and the gate electrode of the drive transistor; a second transistor which conducts the first current connection of the drive transistor and the gate electrode of the drive transistor; a third transistor inserted between the first power terminal and one terminal of the light emitting element; and a fourth transistor inserted between the power supply line and the one terminal of the light emitting element, wherein the method carried out by the control circuit comprises the following: Turning on the first transistor, the second transistor and the fourth transistor in a light emitting period of the light emitting element to change to an erasing period, and writing the power for erasing through the first transistor, the second transistor, the third transistor and the fourth transistor into the Gate electrode of the drive transistor; and Correcting a threshold voltage of the drive transistor by switching off the third transistor and driving the gate electrode of the drive transistor with a voltage so that the voltage reflects the threshold voltage. Verfahren zum Ansteuern der elektrooptischen Vorrichtung nach Anspruch 5, wobei die Leistung zum Löschen so eingestellt ist, dass der Ansteuertransistor während der Löschperiode eingeschaltet ist, während das lichtemittierende Element gelöscht wird.Method for controlling the electro-optical device according to Claim 5 wherein the power for erasing is set so that the drive transistor is turned on during the erasing period while the light emitting element is being erased. Verfahren zum Ansteuern der elektrooptischen Vorrichtung nach Anspruch 5, wobei die Pixelschaltung ferner einen Pixelkondensator mit einer Elektrode, die mit der Gate-Elektrode des Ansteuertransistors gekoppelt ist, und eine andere Elektrode, die mit einer Spannungszuführungsleitung gekoppelt ist, der Pixelkondensator eine Gate-Source-Spannung des Ansteuertransistors hält, beinhaltet.Method for controlling the electro-optical device according to Claim 5 wherein the pixel circuit further includes a pixel capacitor having one electrode coupled to the gate electrode of the drive transistor and another electrode coupled to a voltage supply line, the pixel capacitor holding a gate-source voltage of the drive transistor.
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