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Technisches Gebiet
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Ein Aspekt der vorliegenden Erfindung betrifft ein Leistungsspeichermodul.
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Technischer Hintergrund
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Als ein Leistungsspeichermodul des Stands der Technik ist eine Bipolarbatterie, die eine Bipolarelektrode hat, in der eine positive Elektrode an einer Fläche der Elektrodenplatte ausgebildet ist und eine negative Elektrode an einer anderen Fläche der Elektrodenplatte ausgebildet ist, bekannt. Beispielsweise hat eine Bipolarbatterie, die in Patentliteratur 1 offenbart ist, Folgendes: einen Elektrodenschichtverbund, in dem eine Vielzahl von Bipolarelektroden geschichtet sind; und ein Zellengehäuse (Dichtungskörper), der aus Polypropylen ausgebildet ist und an einer Seitenfläche des Elektrodenschichtverbunds vorgesehen ist. Eine Polypropylenschicht ist in einem Randabschnitt der Bipolarelektrode vorgesehen, und die Bipolarelektrode und das Zellengehäuse sind durch integrales Formen über die Polypropylenschicht in fester Weise fixiert. Als eine Folge kann eine elektrolytische Lösung abgedichtet werden.
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Zitierungsliste
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Patentliteratur
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[Patentliteratur 1] Japanische ungeprüfte Patentveröffentlichung Nr. 2005-135764
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Zusammenfassung der Erfindung
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Technisches Problem
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In dem vorstehend beschriebenen Leistungsspeichermodul ist eine Negativelektrodenanschlusselektrode, die eine Elektrodenplatte hat, in der eine negative Elektrode an einer inneren Fläche ausgebildet ist, an einem Ende des Elektrodenschichtverbunds in einer Schichtungsrichtung angeordnet. Die Elektrodenplatte der Negativelektrodenanschlusselektrode ist mit dem Dichtungskörper gedichtet. Wenn die elektrolytische Lösung aus einer alkalischen wässrigen Lösung ausgebildet ist, kann, aufgrund eines sogenannten Alkali-Kriechphänomens, die elektrolytische Lösung zu der Elektrodenplatte der Negativelektrodenanschlusselektrode übertragen werden, kann durch den Dichtungskörper und die Elektrodenplatte hindurchgehen, und kann zu einer Außenflächenseite der Elektrodenplatte entweichen.
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Ein Aspekt der vorliegenden Erfindung wurde gemacht, um das vorstehend beschriebene Problem zu lösen, und er sieht ein Leistungsspeichermodul vor, in dem ein Entweichen einer elektrolytischen Lösung unterdrückt werden kann.
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Lösung des Problems
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Ein Leistungsspeichermodul gemäß einem Aspekt der vorliegenden Erfindung hat einen Elektrodenschichtverbund, in dem Bipolarelektroden geschichtet sind, und einen Dichtungskörper, der aus einem Harz ausgebildet ist. Die Bipolarelektrode hat eine Elektrodenplatte, eine positive Elektrode, die an einer Fläche der Elektrodenplatte vorgesehen ist, und eine negative Elektrode, die an einer anderen Fläche der Elektrodenplatte vorgesehen ist. Der Dichtungskörper ist an einer Seitenfläche des Elektrodenschichtverbunds vorgesehen, um einen Randabschnitt der Bipolarelektrode zu umgeben. Der Dichtungskörper hat einen ersten Harzabschnitt und einen zweiten Harzabschnitt. Der erste Harzabschnitt ist an den Randabschnitt der Bipolarelektrode geschweißt. Der zweite Harzabschnitt umgibt den ersten Harzabschnitt von einer äußeren Seite entlang der Seitenfläche. Ein vom Formschwindungsfaktor des ersten Harzabschnitts ist niedriger als ein Formschwindungsfaktor des zweiten Harzabschnitts.
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In dem Leistungsspeichermodul hat der Dichtungskörper, der aus einem Harz ausgebildet ist, den ersten Harzabschnitt, der an den Randabschnitt der Bipolarelektrode geschweißt ist. Wenn der erste Harzabschnitt an den Randabschnitt der Bipolarelektrode geschweißt ist, ändert sich der Zustand des ersten Harzabschnitts von einem geschmolzenen Zustand zu einem verfestigten Zustand, derart, dass der erste Harzabschnitt verfestigt wird und schrumpft. Als eine Folge wird ein Spalt zwischen dem Randabschnitt der Bipolarelektrode und dem ersten Harzabschnitt ausgebildet, und dieser Spalt kann als ein Durchgang einer elektrischen Lösung funktionieren. In dem Leistungsspeichermodul ist der Formschwindungsfaktor des ersten Harzabschnitts niedriger als der Formschwindungsfaktor des zweiten Harzabschnitts. Deshalb wird der vorstehend beschriebene Spalt unwahrscheinlich im Vergleich zu einem Fall ausgebildet, in dem der Formschwindungsfaktor des ersten Harzabschnitts gleich zu dem Formschwindungsfaktor des zweiten Harzabschnitts ist. Demzufolge kann das Entweichen der elektrolytischen Lösung unterdrückt werden.
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Ein Leistungsspeichermodul gemäß einem Aspekt der vorliegenden Erfindung hat einen Elektrodenschichtverbund, in dem Bipolarelektroden geschichtet sind, und einen Dichtungskörper, der aus einem Harz ausgebildet ist. Die Bipolarelektrode hat eine Elektrodenplatte, eine positive Elektrode, die an einer Fläche der Elektrodenplatte vorgesehen ist, und eine negative Elektrode, die an einer anderen Fläche der Elektrodenplatte vorgesehen ist. Der Dichtungskörper ist an einer Seitenfläche des Elektrodenschichtverbunds vorgesehen, um einen Randabschnitt der Bipolarelektrode zu umgeben. Der Dichtungskörper hat einen ersten Harzabschnitt und einen zweiten Harzabschnitt. Der erste Harzabschnitt ist an den Randabschnitt der Bipolarelektrode geschweißt. Der zweite Harzabschnitt umgibt den ersten Harzabschnitt von einer äußeren Seite entlang der Seitenfläche. Eine Schmelzviskosität des ersten Harzabschnitts ist höher als eine Schmelzviskosität des zweiten Harzabschnitts.
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In dem Leistungsspeichermodul hat der Dichtungskörper, der aus einem Harz ausgebildet ist, den ersten Harzabschnitt, der an den Randabschnitt der Bipolarelektrode geschweißt ist. Wenn die Fluidität des geschmolzenen ersten Harzabschnitts niedrig ist, ist es unwahrscheinlich, dass der erste Harzabschnitt entlang der Flächenform des Randabschnitts der Bipolarelektrode angeordnet wird, während er an den Randabschnitt der Bipolarelektrode geschweißt wird. Als eine Folge wird ein Spalt zwischen dem Randabschnitt der Bipolarelektrode und dem ersten Harzabschnitt ausgebildet, und dieser Spalt kann als ein Durchgang einer elektrolytischen Lösung funktionieren. In dem Leistungsspeichermodul ist die Schmelzviskosität des ersten Harzabschnitts niedriger als die Schmelzviskosität des zweiten Harzabschnitts. Deshalb hat der geschmolzene erste Harzabschnitt eine hohe Fluidität im Vergleich zu einem Fall, in dem die Schmelzviskosität des ersten Harzabschnitts gleich zu der Schmelzviskosität des zweiten Harzabschnitts ist. Somit ist es wahrscheinlich, dass der erste Harzabschnitt entlang der Flächenform des Randabschnitts der Bipolarelektrode angeordnet wird. Deshalb ist es unwahrscheinlich, dass der vorstehend beschriebene Spalt ausgebildet wird. Demzufolge kann das Entweichen der elektrolytischen Lösung unterdrückt werden.
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In dem vorstehend beschriebenen Leistungsspeichermodul kann die Schmelzviskosität des ersten Harzabschnitts 4,5g/10min oder höher und niedriger als 100g/10min sein. In diesem Fall kann die Gestaltung, in der die Schmelzviskosität des ersten Harzabschnitts höher ist als die Schmelzviskosität des zweiten Harzabschnitts, leicht realisiert werden.
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In dem vorstehend beschriebenen Leistungsspeichermodul kann die Schmelzviskosität des zweiten Harzabschnitts 1,0g/10min oder niedriger sein. In diesem Fall kann die Gestaltung, in der die Schmelzviskosität des ersten Harzabschnitts höher ist als die Schmelzviskosität des zweiten Harzabschnitts, leicht realisiert werden.
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Ein Leistungsspeichermodul gemäß einem Aspekt der vorliegenden Erfindung hat einen Elektrodenschichtverbund, in dem Bipolarelektroden geschichtet sind, und einen Dichtungskörper, der aus einem Harz ausgebildet ist. Die Bipolarelektrode hat eine Elektrodenplatte, eine positive Elektrode, die an einer Fläche der Elektrodenplatte vorgesehen ist, und eine negative Elektrode, die an einer anderen Fläche der Elektrodenplatte vorgesehen ist. Der Dichtungskörper ist an einer Seitenfläche des Elektrodenschichtverbunds vorgesehen, um einen Randabschnitt der Bipolarelektrode zu umgeben. Der Dichtungskörper hat einen ersten Harzabschnitt und einen zweiten Harzabschnitt. Der erste Harzabschnitt ist an den Randabschnitt der Bipolarelektrode geschweißt. Der zweite Harzabschnitt umgibt den ersten Harzabschnitt von einer äußeren Seite entlang der Seitenfläche. Ein Schmelzpunkt des ersten Harzabschnitts ist niedriger als ein Schmelzpunkt des zweiten Harzabschnitts.
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In dem Leistungsspeichermodul hat der Dichtungskörper, der aus einem Harz ausgebildet ist, den ersten Harzabschnitt, der an den Randabschnitt der Bipolarelektrode geschweißt ist. Wenn der erste Harzabschnitt nach einem Schweißen gekühlt wird, wärmeschrumpft der erste Harzabschnitt gemäß dem Änderungsbetrag einer Temperatur. Als eine Folge wird ein Spalt zwischen dem Randabschnitt der Bipolarelektrode und dem ersten Harzabschnitt ausgebildet, und dieser Spalt kann als ein Durchgang einer elektrolytischen Lösung funktionieren. In dem Leistungsspeichermodul ist der Schmelzpunkt des ersten Harzabschnitts niedriger als der Schmelzpunkt des zweiten Harzabschnitts. Deshalb kann das Schweißen des ersten Harzabschnitts bei einer niedrigen Temperatur im Vergleich zu einem Fall durchgeführt werden, in dem der Schmelzpunkt des ersten Harzabschnitts gleich zu dem Schmelzpunkt des zweiten Harzabschnitts ist. Als eine Folge verringert sich die erreichte Temperatur des ersten Harzabschnitts. Deshalb, wenn der erste Harzabschnitt nach einem Schweißen gekühlt wird, verringert sich der Änderungsbetrag einer Temperatur und der Betrag einer Wärmeschrumpfung des ersten Harzabschnitts kann verringert werden. Deshalb wird der vorstehend beschriebene Spalt unwahrscheinlich ausgebildet. Demzufolge kann das Entweichen der elektrolytischen Lösung unterdrückt werden.
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In dem vorstehend beschriebenen Leistungsspeichermodul kann der erste Harzabschnitt aus einem statistischen Polypropylen ausgebildet sein. Beispielsweise hat das statistische Polypropylen einen niedrigeren Schmelzpunkt als Homopropylen. Demzufolge kann in diesem Fall die Gestaltung, in der der Schmelzpunkt des ersten Harzabschnitts niedriger ist als der Schmelzpunkt des zweiten Harzabschnitts, realisiert werden.
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In dem vorstehend beschriebenen Leistungsspeichermodul kann ein Elastizitätsmodul des zweiten Harzabschnitts höher sein als ein Elastizitätsmodul des ersten Harzabschnitts. In diesem Fall kann eine Stoßwiderstandsfähigkeit des Leistungsspeichermoduls gegenüber einem äußeren Stoß im Vergleich zu einem Fall verbessert werden, in dem der Elastizitätsmodul des zweiten Harzabschnitts gleich zu dem Elastizitätsmodul des ersten Harzabschnitts ist.
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In dem vorstehend beschriebenen Leistungsspeichermodul kann der Elastizitätsmodul des ersten Harzabschnitts 100 MPa oder höher und 1000 MPa oder niedriger sein. In diesem Fall kann die Gestaltung, in der der Elastizitätsmodul des zweiten Harzabschnitts höher ist als der Elastizitätsmodul des ersten Harzabschnitts, leicht realisiert werden.
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In dem vorstehend beschriebenen Leistungsspeichermodul kann der Elastizitätsmodul des zweiten Harzabschnitts 1000 MPa oder höher sein. In diesem Fall kann die Gestaltung, in der der Elastizitätsmodul des zweiten Harzabschnitts höher ist als der Elastizitätsmodul des ersten Harzabschnitts, leicht realisiert werden.
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In dem vorstehend beschriebenen Leistungsspeichermodul kann der zweite Harzabschnitt aus modifiziertem Polyphenylenether ausgebildet sein. Modifiziertes Polyphenylenether hat einen hohen Elastizitätsmodul. Demzufolge kann in diesem Fall die Gestaltung, in der der Elastizitätsmodul des zweiten Harzabschnitts höher ist als der Elastizitätsmodul des ersten Harzabschnitts, leicht realisiert werden.
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In dem vorstehend beschriebenen Leistungsspeichermodul kann der Randabschnitt aufgeraut sein. In diesem Fall sind, in dem Randabschnitt, die Bipolarelektrode und der erste Harzabschnitt umschlungen. Deshalb ist, selbst wenn ein Spalt zwischen der Bipolarelektrode und dem ersten Harzabschnitt ausgebildet ist und als ein Durchgang der elektrolytischen Lösung funktioniert, die Länge eines Pfads, durch den die elektrolytische Lösung hindurch entweicht, länger im Vergleich zu einem Fall, in dem der Randabschnitt nicht aufgeraut ist.
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Demzufolge kann das Entweichen der elektrolytischen Lösung unterdrückt werden.
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Vorteilhafte Wirkungen der Erfindung
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Gemäß einem Aspekt der vorliegenden Erfindung kann ein Leistungsspeichermodul vorgesehen werden, in dem das Entweichen einer elektrolytischen Lösung unterdrückt werden kann.
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Figurenliste
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- 1 ist eine schematische Schnittansicht, die ein Ausführungsbeispiel einer Leistungsspeichervorrichtung zeigt.
- 2 ist eine schematische Schnittansicht, die eine innere Gestaltung des Leistungsspeichermoduls von 1 zeigt.
- 3 ist eine schematische Schnittansicht, die eine Fügegrenzfläche zwischen einer Elektrodenplatte und einem ersten Harzabschnitt zeigt.
- 4 ist eine vergrößerte schematische Schnittansicht, die einen Teil von 2 zeigt.
- 5 ist eine schematische Schnittansicht, die einen Spalt zeigt.
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Beschreibung von Ausführungsbeispielen
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Nachstehend werden die Details eines Ausführungsbeispiels der vorliegenden Erfindung mit Bezug auf die begleitenden Zeichnungen beschrieben. In der Beschreibung sind die gleichen Komponenten oder Komponenten, die die gleichen Funktionen haben, mit den gleichen Bezugszeichen bezeichnet, und die Beschreibung von diesen wird nicht wiederholt.
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1 ist eine schematische Schnittansicht, die ein Ausführungsbeispiel einer Leistungsspeichervorrichtung zeigt. Beispielsweise wird eine Leistungsspeichervorrichtung 1, die in 1 gezeigt ist, als Batterien von verschiedenen Fahrzeugen, wie einem Gabelstapler, einem Hybridfahrzeug oder einem elektrischen Fahrzeug, verwendet. Die Leistungsspeichervorrichtung 1 hat: einen Leistungsspeichermodulschichtverbund 2, der eine Vielzahl von Leistungsspeichermodulen 4 hat, die geschichtet sind; und ein Bindebauteil 3, das eine Bindelast auf den Leistungsspeichermodulschichtverbund 2 in einer Schichtungsrichtung aufbringt.
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Der Leistungsspeichermodulschichtverbund 2 hat eine Vielzahl (in dem vorliegenden Ausführungsbeispiel drei) von Leistungsspeichermodulen 4; und eine Vielzahl (in dem vorliegenden Ausführungsbeispiel vier) von leitenden Platten 5. Das Leistungsspeichermodul 4 ist beispielsweise eine Bipolarbatterie, die eine Bipolarelektrode 14 hat, die nachstehend beschrieben ist, und hat eine rechteckige Form aus Sicht von der Schichtungsrichtung. Das Leistungsspeichermodul 4 ist beispielsweise eine Sekundärbatterie, wie eine Nickel-Metall-Hybridsekundärbatterie, oder eine Lithiumionensekundärbatterie oder ein elektrischer Doppelschichtkondensator. In der folgenden Beschreibung wird eine Nickel-Metall-Hybridsekundärbatterie als ein Beispiel verwendet.
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Leistungsspeichermodule 4 und 4, die in der Schichtungsrichtung benachbart zueinander sind, sind durch die leitende Platte 5 miteinander elektrisch verbunden. Die leitenden Platten 5 sind zwischen den Leistungsspeichermodulen 4 und 4, die in der Schichtungsrichtung benachbart zueinander sind, bzw. an äußeren Seiten der Leistungsspeichermodule 4, die an Schichtungsenden positioniert sind, angeordnet. Ein Positivelektrodenanschluss 6 ist mit einer leitenden Platte 5 verbunden, die an der äußeren Seite des Leistungsspeichermoduls 4 angeordnet ist, das an dem Schichtungsende positioniert ist. Ein Negativelektrodenanschluss 7 ist mit einer anderen leitenden Platte 5 verbunden, die an der äußeren Seite des Leistungsspeichermoduls 4 angeordnet ist, das an dem Schichtungsende positioniert ist. Beispielsweise erstrecken sich der Positivelektrodenanschluss 6 und der Negativelektrodenanschluss 7 von Randabschnitten der leitenden Platte 5 in eine Richtung, die die Schichtungsrichtung schneidet. Die Leistungsspeichervorrichtung 1 wird durch den Positivelektrodenanschluss 6 und den Negativelektrodenanschluss 7 aufgeladen und entladen.
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In jeder der leitenden Platten 5 sind eine Vielzahl von Strömungspfaden 5a vorgesehen, durch die hindurch ein Kältemittel, wie Luft, strömt. Beispielsweise erstreckt sich jeder der Strömungspfade 5a parallel zu einer Richtung senkrecht zu der Schichtungsrichtung und der Richtung, in der sich der Positivelektrodenanschluss 6 und der Negativelektrodenanschluss 7 erstrecken. Durch Zirkulation des Kältemittels durch die Strömungspfade 5a hindurch, hat die leitende Platte 5 eine Funktion als ein Verbindungsbauteil, das die Leistungsspeichermodule 4 und 4 elektrisch verbindet, und eine Funktion als eine Wärmeableitungsplatte, die Wärme ableitet, die von dem Leistungsspeichermodul 4 erzeugt wird. In dem Beispiel von 1 ist die Fläche der leitenden Platte 5 geringer als die Fläche des Leistungsspeichermoduls 4 aus Sicht von der Schichtungsrichtung. Von dem Standpunkt des Verbesserns einer Wärmeableitung her, kann die Fläche der leitenden Platte 5 mehr als oder gleich wie die Fläche des Leistungsspeichermoduls 4 sein.
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Das Bindebauteil 3 hat ein Paar Endplatten 8 und 8, einen Befestigungsbolzen 9 und eine Mutter 10. Der Leistungsspeichermodulschichtverbund 2 ist zwischen dem Paar von Endplatten 8 und 8 in der Schichtungsrichtung angeordnet. Der Befestigungsbolzen 9 und die Mutter 10 befestigen die Endplatten 8 und 8. Die Endplatte 8 ist eine rechteckige Metallplatte, die eine größere Fläche hat als die Fläche des Leistungsspeichermoduls 5 und der leitenden Platte 5 aus Sicht von der Schichtungsrichtung. Ein Film F, der elektrisch-isolierende Eigenschaften hat, ist an einer inneren Fläche (Fläche an der Seite des Leistungsspeichermodulschichtverbunds 2) der Endplatte 8 vorgesehen. Die Endplatte 8 und die leitende Platte 5 sind durch den Film F voneinander isoliert.
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In einem Randabschnitt der Endplatte 8 ist ein Einsetzloch 8a an einer Position an der weiter äußeren Seite als der Leistungsspeichermodulschichtverbund 2 vorgesehen. Der Befestigungsbolzen 9 ist von dem Einsetzloch 8a von einer Endplatte 8 in das Einsetzloch 8a einer anderen Endplatte 8 eingesetzt. Die Mutter 10 ist in einen distalen Endabschnitt des Befestigungsbolzens 9 geschraubt, der von dem Einsetzloch 8a der anderen Endplatte 8 vorsteht. Als eine Folge sind das Leistungsspeichermodul 4 und die leitende Platte 5 zwischen den Endplatten 8 und 8 angeordnet, um eine Einheit als der Leistungsspeichermodulschichtverbund 2 auszubilden. Eine Bindelast ist auf den Leistungsspeichermodulschichtverbund 2 in der Schichtungsrichtung aufgebracht.
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Als nächstes wird eine Gestaltung des Leistungsspeichermoduls 4 in größerem Detail beschrieben. 2 ist eine schematische Schnittansicht, die eine innere Gestaltung des Leistungsspeichermoduls 4 zeigt. Wie in der Zeichnung gezeigt ist, hat das Leistungsspeichermodul 4 einen Elektrodenschichtverbund 11 und einen Dichtungskörper 12, der aus einem Harz ausgebildet ist, das den Elektrodenschichtverbund 11 abdichtet.
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In dem Elektrodenschichtverbund 11 sind eine Vielzahl von Bipolarelektroden 14 geschichtet, wobei ein Separator 13 zwischen diesen angeordnet ist. In diesem Beispiel stimmt eine Schichtungsrichtung D des Elektrodenschichtverbunds 11 mit der Schichtungsrichtung des Leistungsspeichermodulschichtverbunds 2 überein. Der Elektrodenschichtverbund 11 hat eine Seitenfläche 11a, die sich in der Schichtungsrichtung D erstreckt. Die Bipolarelektrode 14 hat eine Elektrodenplatte 15, eine positive Elektrode 16, die an einer ersten Fläche 15a der Elektrodenplatte 15 vorgesehen ist, und eine negative Elektrode 17, die an einer zweiten Fläche 15b der Elektrodenplatte 15 vorgesehen ist. Die positive Elektrode 16 ist eine Positivelektrodenaktivmaterialschicht, die durch Aufbringen eines Positivelektrodenaktivmaterials ausgebildet ist. Die negative Elektrode 17 ist eine Negativelektrodenmaterialschicht, die durch Aufbringen eines Negativelektrodenaktivmaterials ausgebildet ist. In dem Elektrodenschichtverbund 11 ist die positive Elektrode 16 von einer Bipolarelektrode 14 der negativen Elektrode 17 einer anderen Bipolarelektrode 14 zugewandt, die benachbart zu dieser in der Schichtungsrichtung D angeordnet ist, wobei der Separator 13 zwischen diesen angeordnet ist. In dem Elektrodenschichtverbund 11 ist die negative Elektrode 17 von einer Bipolarelektrode 14 der positiven Elektrode 16 einer anderen Bipolarelektrode 14 zugewandt, die benachbart zu dieser in der Schichtungsrichtung D ist, wobei der Separator 13 zwischen diesen angeordnet ist.
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Eine Negativelektrodenanschlusselektrode 18 ist an einem Ende des Elektrodenschichtverbunds 11 in der Schichtungsrichtung D angeordnet, und eine Positivelektrodenanschlusselektrode 19 ist an einem anderen Ende des Elektrodenschichtverbunds 11 in der Schichtungsrichtung D angeordnet. Die Negativelektrodenanschlusselektrode 18 hat die Elektrodenplatte 15 und die negative Elektrode 17, die an der zweiten Fläche 15b der Elektrodenplatte 15 vorgesehen ist. Die negative Elektrode 17 der Negativelektrodenanschlusselektrode 18 ist der positiven Elektrode 16 der Bipolarelektrode 14 an einem Ende in der Schichtungsrichtung D zugewandt, wobei der Separator 13 zwischen diesen angeordnet ist. Eine leitende Platte 5, die benachbart zu dem Leistungsspeichermodul 4 ist, ist mit der ersten Fläche 15a der Elektrodenplatte 15 der Negativelektrodenanschlusselektrode 18 in Kontakt. Die Positivelektrodenanschlusselektrode 19 hat die Elektrodenplatte 15 und die positive Elektrode 16, die an der ersten Fläche 15a der Elektrodenplatte 15 vorgesehen ist. Eine weitere leitende Platte 5, die benachbart zu dem Leistungsspeichermodul 4 ist, ist mit der zweiten Fläche 15b der Elektrodenplatte 15 der Positivelektrodenanschlusselektrode 19 in Kontakt. Die positive Elektrode 16 der Positivelektrodenanschlusselektrode 19 ist der negativen Elektrode 17 der Bipolarelektrode 14 an einem anderen Ende in der Schichtungsrichtung D zugewandt, wobei der Separator 13 zwischen diesen angeordnet ist.
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Die Elektrodenplatte 15 ist aus Metall ausgebildet und ist beispielsweise eine Nickelplatte oder eine nickelplattierte Stahlplatte. Die Elektrodenplatte 15 ist eine rechteckige Metallfolie, die aus Nickel ausgebildet ist. Ein Randabschnitt (Randabschnitt der Bipolarelektrode 14) 15c der Elektrodenplatte 15 hat eine Form eines rechteckigen Rahmens. Der Randabschnitt 15c ist eine Nichtaufbringungsregion, auf die das Positivelektrodenaktivmaterial und das Negativelektrodenaktivmaterial nicht aufgebracht sind. Beispiele des Positivelektrodenaktivmaterials, das die positive Elektrode 16 ausbildet, umfassen Nickelhydroxid. Beispiele des Negativelektrodenaktivmaterials, das die negative Elektrode 17 ausbildet, umfassen eine Wasserstoffspeicherlegierung. In dem vorliegenden Ausführungsbeispiel ist eine Region, wo die negative Elektrode 17 an der zweiten Fläche 15b der Elektrodenplatte 15 ausgebildet ist, geringfügig größer als eine Region, wo die positive Elektrode 16 an der ersten Fläche 15a der Elektrodenplatte 15 ausgebildet ist.
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Der Separator 13 ist beispielsweise in einer Form einer dünnen Platte ausgebildet. Beispiele des Separators 13 umfassen einen porösen Film, der aus einem Polyolefinharz, wie Polyethylen (PE) oder Polypropylen (PP), ausgebildet ist, und ein Gewebe oder Faservlies, das aus Polypropylen, Polyethylenterephthalat (PET), Methylcellulose oder dergleichen ausgebildet ist. Der Separator 13 kann ein Separator sein, der mit einem Venylidenfluoridharzverbund verstärkt ist. Der Separator 13 ist nicht auf eine Form einer dünnen Platte beschränkt und kann eine Form einer Tasche haben.
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Beispielsweise ist der Dichtungskörper 12 in einer rechteckigen zylindrischen Form unter Verwendung eines isolierenden Harzes ausgebildet. Der Dichtungskörper 12 ist an der Seitenfläche 11a des Elektrodenschichtverbunds 11 vorgesehen, um den Randabschnitt 15c zu bedecken. Der Dichtungskörper 12 hält den Randabschnitt 15c an der Seitenfläche 11a. Der Dichtungskörper 12 hat einen ersten Harzabschnitt 21, der an den Randabschnitt 15c geschweißt ist, und einen zweiten Harzabschnitt 22, der den ersten Harzabschnitt 21 von einer äußeren Seite entlang der Seitenfläche 11a umgibt. Aus Sicht von der Schichtungsrichtung D hat der erste Harzabschnitt 21 eine Form eines rechteckigen Rahmens und ist fortlaufend über den gesamten Umfang des Randabschnitts 15c hinweg vorgesehen. Der erste Harzabschnitt 21 ist an den Randabschnitt 15c der Elektrodenplatte 15 an der Seite der ersten Fläche 15a geschweißt. Der erste Harzabschnitt 21 ist durch beispielsweise Ultraschallwellen oder Wärme geschweißt. Der erste Harzabschnitt 21 ist ein Film, der eine vorbestimmte Dicke (Länge in der Schichtungsrichtung D) hat. Eine Endfläche der Elektrodenplatte 15 ist von dem ersten Harzabschnitt 21 exponiert. Ein Teil an der inneren Seite des ersten Harzabschnitts 21 ist zwischen den Randabschnitten 15c der Elektrodenplatten 15 positioniert, die in der Schichtungsrichtung D benachbart zueinander sind. Ein Teil an der äußeren Seite des ersten Harzabschnitts 21 steht von der Elektrodenplatte 15 zu der äußeren Seite vor. Der Teil der äußeren Seite des ersten Harzabschnitts 21 ist in dem zweiten Harzabschnitt 22 verdeckt. Die ersten Harzabschnitte 21 und 21, die in der Schichtungsrichtung D benachbart zueinander sind, sind voneinander getrennt.
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Der zweite Harzabschnitt 22 ist an der äußeren Seite des Elektrodenschichtverbunds 11 und des ersten Harzabschnitts 21 vorgesehen und bildet eine äußere Wand (Gehäuse) des Leistungsspeichermoduls 4. Der zweite Harzabschnitt 22 ist durch beispielsweise Spritzgießen unter Verwendung eines Harzes ausgebildet und erstreckt sich über die gesamte Länge des Elektrodenschichtverbunds 11 in der Schichtungsrichtung D hinweg. Der zweite Harzabschnitt 22 ist ein zylindrischer Abschnitt, der sich in der Schichtungsrichtung D als eine Achsenrichtung erstreckt. Der zweite Harzabschnitt 22 bedeckt eine äußere Fläche des ersten Harzabschnitts 21, die sich in der Schichtungsrichtung D erstreckt. Der zweite Harzabschnitt 22 wird an die äußere Fläche des ersten Harzabschnitts 21 beispielsweise durch Wärme während eines Spritzgießens geschweißt.
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Der zweite Harzabschnitt 22 dichtet die Bipolarelektroden 14 und 14, die in der Schichtungsrichtung D benachbart zueinander sind, die Negativelektrodenanschlusselektrode 18 und die Bipolarelektrode 14, die in der Schichtungsrichtung D benachbart zueinander sind, bzw. die Positivelektrodenanschlusselektrode 19 und die Bipolarelektrode 14 ab, die in der Schichtungsrichtung D benachbart zueinander sind. Als eine Folge sind Innenräume V, die luftdicht unterteilt sind, zwischen den Bipolarelektroden 14 und 14, die in der Schichtungsrichtung D benachbart zueinander sind, zwischen der Negativelektrodenanschlusselektrode 18 und der Bipolarelektrode 14, die in der Schichtungsrichtung D benachbart zueinander sind, bzw. zwischen der Positivelektrodenanschlusselektrode 19 und der Bipolarelektrode 14, die in der Schichtungsrichtung D benachbart zueinander sind, ausgebildet. Die Innenräume V nehmen eine elektrolytische Lösung (nicht gezeigt) auf, die aus beispielsweise einer alkalischen wässrigen Lösung gebildet ist, wie einer wässrigen Kalilaugenlösung. Die elektrolytische Lösung ist in den Separator 13, die positive Elektrode 16 und die negative Elektrode 17 imprägniert.
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Beispiele eines Harzmaterials zum Ausbilden des ersten Harzabschnitts 21 umfassen ein thermoplastisches Polyolefinharz wie Polypropylen (PP) und ein thermoplastisches Elastomer. Beispiele des Polypropylens umfassen Homopropylen, Blockpolypropylen (Propylen-Ethylen-Blockcopolymer) und statistisches Polypropylen (statistisches Propylen-Ethylen-Copolymer). Beispiele des thermoplastischen Elastomers umfassen ein Stoffgemisch aus Polypropylen und Ethylen-Propylen-Gummi (EPDM) und ein Stoffgemisch aus Polypropylen und Styrolgummi. Beispiele eines Harzmaterials zum Ausbilden des zweiten Harzabschnitts 22 umfassen modifiziertes Polyphenylenether (modifiziertes PPE) (ZYLON (eingetragener Handelsname)).
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Das Harzmaterial zum Ausbilden des ersten Harzabschnitts 21 und das Harzmaterial zum Ausbilden des zweiten Harzabschnitts 22 sind miteinander kompatibel. Deshalb können der erste Harzabschnitt 21 und der zweite Harzabschnitt 22 durch Schweißen aneinander gebondet werden. Da die elektrolytische Lösung stark alkalisch ist, sind der erste Harzabschnitt 21 und der zweite Harzabschnitt 22 aus Harzmaterialien ausgebildet, die eine starke alkalische Widerstandsfähigkeit haben.
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Ein Formschwindungsfaktor (Verfestigungsschwindungsrate) des ersten Harzabschnitts 21 ist niedriger als ein Formschwindungsfaktor des zweiten Harzabschnitts 22. Der Formschwindungsfaktor des ersten Harzabschnitts 21 ist beispielsweise 0,4 oder höher und 1,8 oder niedriger. Der Formschwindungsfaktor des zweiten Harzabschnitts 22 ist beispielsweise 2,0 oder höher. Der Formschwindungsfaktor des zweiten Harzabschnitts 22 kann beispielsweise 2,5 oder höher sein. Der Formschwindungsfaktor wird gemäß den Standards von JIS K 7152 erhalten.
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Eine Schmelzviskosität (Schmelzfließrate (MFR)) des ersten Harzabschnitts 21 ist höher als eine Schmelzviskosität des zweiten Harzabschnitts 22. Die Schmelzviskosität des ersten Harzabschnitts 21 ist beispielsweise 4,5g/10min oder höher und niedriger 100g/10min. Die Schmelzviskosität des ersten Harzabschnitts 21 ist beispielsweise 5g/10min oder höher und 7,5g/10min oder niedriger. Die Schmelzviskosität des zweiten Harzabschnitts ist beispielsweise 1,0g/10min oder niedriger. Die Schmelzviskosität des zweiten Harzabschnitts 22 ist beispielsweise 0,5g/10min oder niedriger. Die Schmelzviskosität wird gemäß den Standards von ISO 1133 erhalten.
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Ein Schmelzpunkt des ersten Harzabschnitts 21 ist niedriger als ein Schmelzpunkt des zweiten Harzabschnitts 22. Um die Gestaltung umzusetzen, kann der erste Harzabschnitt 21 aus statistischem Polypropylen ausgebildet sein. Beispielsweise hat das statistische Polypropylen einen niedrigeren Schmelzpunkt als Homopropylen. Deshalb kann die Gestaltung, in der der Schmelzpunkt des ersten Harzabschnitts niedriger ist als der Schmelzpunkt des zweiten Harzabschnitts, realisiert werden. Der Schmelzpunkt des ersten Harzabschnitts 21 ist beispielsweise niedriger als 165°C. Der Schmelzpunkt des ersten Harzabschnitts 21 kann beispielsweise 145°C oder höher und 160°C oder niedriger sein. Der Schmelzpunkt des zweiten Harzabschnitts 22 ist beispielsweise 165°C oder höher.
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Ein Elastizitätsmodul (Zugmodul) des zweiten Harzabschnitts 22 ist höher als ein Elastizitätsmodul des ersten Harzabschnitts 21. Um die Gestaltung umzusetzen, kann der zweite Harzabschnitt 22 aus modifiziertem Polyphenylenether ausgebildet sein. Da modifiziertes Polyphenylenether einen hohen Elastizitätsmodul hat, kann die Gestaltung, in der der Elastizitätsmodul des zweiten Harzabschnitts 22 höher ist als der Elastizitätsmodul des ersten Harzabschnitts 21, leicht realisiert werden. Der Elastizitätsmodul des ersten Harzabschnitts 21 ist beispielsweise 100 MPa oder höher und 1000 MPa oder niedriger. Der Elastizitätsmodul des ersten Harzabschnitts 21 kann beispielsweise 580 MPa oder höher und 837 MPa oder niedriger sein. Der Elastizitätsmodul des zweiten Harzabschnitts 22 ist beispielsweise 1000 MPa oder höher. Der Elastizitätsmodul des zweiten Harzabschnitts 22 kann beispielsweise 1500 MPa oder höher sein. Um die Gestaltung umzusetzen, in der der Elastizitätsmodul des ersten Harzabschnitts 21 580 MPa oder höher und 837 MPa oder niedriger ist, kann der erste Harzabschnitt 21 aus Polypropylen ausgebildet sein.
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3 ist eine schematische Schnittansicht, die eine Fügegrenzfläche zwischen der Elektrodenplatte und dem ersten Harzabschnitt zeigt. Wie in der gleichen Zeichnung gezeigt ist, ist die Fläche der Elektrodenplatte 15 aufgeraut. Hier ist die gesamte Fläche der Elektrodenplatte 15, einschließlich der ersten Fläche 15a, der zweiten Fläche 15b und den Endflächen, die in 2 gezeigt sind, aufgeraut. Die Fläche der Elektrodenplatte 15 ist beispielsweise durch Ausbilden einer Vielzahl von Vorsprüngen 15p durch Elektroplattieren aufgeraut. Wenn die Elektrodenplatte 15 aufgeraut ist, wie vorstehend beschrieben ist, dann dringt in der Fügegrenzfläche zwischen der Elektrodenplatte 15 und dem ersten Harzabschnitt 21 der geschmolzene erste Harzabschnitt 21 in ausgesparte Abschnitte ein, die durch Aufrauen ausgebildet sind, derart, dass die Ankerwirkung gezeigt wird. Als eine Folge kann eine Bindungsfestigkeit zwischen der Elektrodenplatte 15 und dem ersten Harzabschnitt 21 verbessert werden. Wenn wenigstens der Randabschnitt 15c der ersten Fläche 15a aufgeraut ist, kann die Wirkung des Verbesserns einer Bindungsfestigkeit erhalten werden. Der Vorsprung 15p hat beispielsweise eine Form, bei der sich der Durchmesser von einer proximalen Endseite zu einer distalen Endseite erhöht. In diesem Fall hat eine Querschnittsform zwischen den Vorsprüngen 15p und 15p, die benachbart zueinander sind, eine Hinterschnittform, und somit wird die Ankerwirkung wahrscheinlich erhalten. Da 3 ein schematisches Diagramm ist, sind die Form, die Dichte und dergleichen des Vorsprungs 15p nicht auf diejenigen beschränkt, die in 3 gezeigt sind.
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Als nächstes wird ein Verfahren zum Herstellen des vorstehend beschriebenen Leistungsspeichermoduls 4 beschrieben. Das Verfahren zum Herstellen des Leistungsspeichermoduls 4 umfasst einen Primärformschritt, einen Schichtungsschritt, einen Sekundärformschritt und einen Injektionsschritt. Zuerst werden in dem Primärformschritt eine vorbestimmte Anzahl von Bipolarelektroden 14 und ein Paar aus der Negativelektrodenanschlusselektrode 18 und der Positivelektrodenanschlusselektrode 19 bereitgestellt, und der erste Harzabschnitt 21 wird an den Randabschnitt 15c von jeder der Elektrodenplatten 15 an der Seite der ersten Fläche 15a geschweißt.
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In dem Schichtungsschritt wird der Elektrodenschichtverbund 11 durch Schichten der Bipolarelektroden 14, der Negativelektrodenanschlusselektrode 18 und der Positivelektrodenanschlusselektrode 19, wobei der Separator 13 zwischen diesen angeordnet ist, derart ausgebildet, dass der erste Harzabschnitt 21 zwischen den Randabschnitten 15c der Elektrodenplatten 15 angeordnet ist. In dem Sekundärformschritt wird der zweite Harzabschnitt 22 ausgebildet, um den ersten Harzabschnitt 21 zu umgeben, durch Anordnen des Elektrodenschichtverbunds 11 in einer Form (nicht gezeigt) zum Spritzgießen und Einspritzen des geschmolzenen Harzes in die Form. Als eine Folge wird der Dichtungskörper 12 an der Seitenfläche 11a des Elektrodenschichtverbunds 11 ausgebildet. In dem Injektionsschritt wird eine elektrolytische Lösung L (siehe 4) in den Innenraum V zwischen den Bipolarelektroden 14 und 14 nach dem Sekundärformschritt injiziert. Als eine Folge wird das Leistungsspeichermodul 4 erhalten.
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Die Leistungsspeichervorrichtung 1, die in 1 gezeigt ist, wird durch einen Schritt des Schichtens des erhaltenen Leistungsspeichermoduls 4 und der leitenden Platte 5, um den Leistungsspeichermodulschichtverbund 2 auszubilden, einen Schritt des Bindens des Leistungsspeichermodulschichtverbunds 2 mit dem Bindebauteil 3 und dergleichen erhalten.
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Als nächstes werden die Wirkungen des Leistungsspeichermoduls 4 mit Bezug auf 4 und 5 beschrieben. 4 ist eine vergrößerte schematische Schnittansicht, die einen Teil von 2 zeigt. 5 ist eine schematische Schnittansicht, die einen Spalt zeigt.
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In dem Leistungsspeichermodul 4 kann, aufgrund eines sogenannten Alkali-Kriechphänomens, die elektrolytische Lösung L zu der Elektrodenplatte 15 der Negativelektrodenanschlusselektrode 18 übertragen werden, kann durch den ersten Harzabschnitt 21 des Dichtungskörpers 12 und der Elektrodenplatte 15 hindurchgehen und kann zu der Seite der ersten Fläche 15a der Elektrodenplatte 15 entweichen. In 4 ist ein Bewegungspfad der elektrolytischen Lösung L bei dem Alkali-Kriechphänomen durch einen Pfeil A gekennzeichnet. Aufgrund eines elektrochemischen Faktors, eines Fluidphänomens und dergleichen tritt dieses Alkali-Kriechphänomen auf, wenn die Leistungsspeichervorrichtung 1 geladen wird, entladen wird und keine Last aufnimmt. Das Alkali-Kriechphänomen tritt auf, wenn Durchgänge eines Negativelektrodenpotenzials, Wasser und die elektrolytische Lösung L unabhängig vorhanden sind. Um das Alkali-Kriechphänomen zu unterdrücken, wird davon ausgegangen, dass eine Gegenmaßnahme gegen das Durchgehen der elektrolytischen Lösung L erfordert ist.
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In dem Leistungsspeichermodul 4 hat der Dichtungskörper 12, der aus einem Harz ausgebildet ist, den ersten Harzabschnitt 21, der an den Randabschnitt 15c geschweißt ist. Wenn der erste Harzabschnitt 21 an den Randabschnitt 15c geschweißt wird, ändert sich der Zustand des ersten Harzabschnitts 21 von einem geschmolzenen Zustand zu einem verfestigten Zustand derart, dass der erste Harzabschnitt 21 sich verfestigt und schrumpft. Als eine Folge wird, wie in 5 gezeigt ist, ein Spalt W zwischen der Elektrodenplatte 15 und dem ersten Harzabschnitt 21 ausgebildet, und dieser Spalt W kann als der Durchgang der elektrolytischen Lösung L funktionieren. Andererseits ist in dem Leistungsspeichermodul 4 der Formschwindungsfaktor des ersten Harzabschnitts 21 niedriger als der Formschwindungsfaktor des zweiten Harzabschnitts 22. Deshalb wird der vorstehend beschriebene Spalt W unwahrscheinlich ausgebildet im Vergleich zu einem Fall, in dem der erste Harzabschnitt 21 aus dem gleichen Harzmaterial wie das des zweiten Harzabschnitts 22 ausgebildet ist, derart, dass der Formschwindungsfaktor des ersten Harzabschnitts 21 gleich zu dem Formschwindungsfaktor des zweiten Harzabschnitts 22 ist. Somit kann das Entweichen der elektrolytischen Lösung L unterdrückt werden. Als eine Folge kann beispielsweise eine Korrosion der leitenden Platte 5, die benachbart zu der Negativelektrodenanschlusselektrode 18 angeordnet ist, oder ein Kurzschluss zwischen der Negativelektrodenanschlusselektrode 18 und dem Bindebauteil 3 oder dergleichen unterdrückt werden. Deshalb kann die Zuverlässigkeit verbessert werden.
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In dem Leistungsspeichermodul 4, wenn der erste Harzabschnitt 21 nach einem Schweißen gekühlt wird, wärmeschrumpft der erste Harzabschnitt 21 gemäß dem Änderungsbetrag einer Temperatur. Wenn sich der Änderungsbetrag einer Temperatur erhöht, erhöht sich der Betrag einer Wärmeschrumpfung linear. Im Gegensatz zu einem Verfestigungsschrumpfen tritt ein Wärmeschrumpfen nicht nur in einem tatsächlich geschmolzenen Abschnitt des ersten Harzabschnitts 21 auf, sondern auch in einem nicht geschmolzenen Abschnitt, der nahe des geschmolzenen Abschnitts positioniert ist. Aufgrund des Wärmeschrumpfens wird, wie in 5 gezeigt ist, der Spalt W zwischen der Elektrodenplatte 15 und dem ersten Harzabschnitt 21 ausgebildet, und dieser Spalt W kann als der Durchgang der elektrolytischen Lösung L funktionieren. Andererseits ist in dem Leistungsspeichermodul 4 der Schmelzpunkt des ersten Harzabschnitts 21 niedriger als der Schmelzpunkt des zweiten Harzabschnitts 22. Demzufolge kann das Schweißen des ersten Harzabschnitts 21 bei einer niedrigeren Temperatur im Vergleich zu einem Fall durchgeführt werden, in dem der erste Harzabschnitt 21 aus dem gleichen Harzmaterial wie das des zweiten Harzabschnitts 22 ausgebildet ist, derart, dass der Schmelzpunkt des ersten Harzabschnitts 21 gleich zu dem Schmelzpunkt des zweiten Harzabschnitts 22 ist. Als eine Folge verringert sich die erreichte Temperatur des ersten Harzabschnitts 21. Deshalb, wenn der erste Harzabschnitt 21 nach einem Schweißen gekühlt wird, verringert sich der Änderungsbetrag einer Temperatur und der Betrag eines Wärmeschrumpfens des ersten Harzabschnitts 21 kann verringert werden. Als eine Folge wird der vorstehend beschriebene Spalt W unwahrscheinlich ausgebildet. Demzufolge kann das Entweichen der elektrolytischen Lösung L unterdrückt werden.
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Darüber hinaus kann in der Gestaltung, in der der Schmelzpunkt des ersten Harzabschnitts 21 niedriger ist als der Schmelzpunkt des zweiten Harzabschnitts 22, die Menge von Wärme, die zu dem ersten Harzabschnitt 21 während eines Schweißens des ersten Harzabschnitts 21 eingeleitet wird, verringert werden, was eine Energieersparnis realisiert. Des Weiteren kann eine Zeitspanne, für die die Temperatur des ersten Harzabschnitts 21 den Schmelzpunkt erreicht, verringert werden, was eine Produktivität verbessert.
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In dem Leistungsspeichermodul 4, wenn die Fluidität des geschmolzenen ersten Harzabschnitts 21 niedrig ist, wird der erste Harzabschnitt 21 unwahrscheinlich entlang der Flächenform des Randabschnitts 15c angeordnet, während er an den Randabschnitt 15c geschweißt wird. Insbesondere ist die Fläche der Elektrodenplatte 15 durch Ausbilden einer Vielzahl von Vorsprüngen 15p aufgeraut. Deshalb werden, wie in 5 gezeigt ist, die ausgesparten Abschnitte zwischen den benachbarten Vorsprüngen 15p nicht mit dem ersten Harzabschnitt 21 gefüllt, derart, dass der Spalt W ausgebildet ist, und dieser Spalt W kann als ein Durchgang der elektrolytischen Lösung L funktionieren. Andererseits ist in dem Leistungsspeichermodul 4 die Schmelzviskosität des ersten Harzabschnitts 21 niedriger als die Schmelzviskosität des zweiten Harzabschnitts 22. Demzufolge hat der geschmolzene erste Harzabschnitt 21 eine hohe Fluidität im Vergleich zu einem Fall, in dem der erste Harzabschnitt 21 aus dem gleichen Harzmaterial wie das des zweiten Harzabschnitts 22 ausgebildet ist, derart, dass die Schmelzviskosität des ersten Harzabschnitts 21 gleich zu der Schmelzviskosität des zweiten Harzabschnitts 22 ist. Deshalb dringt der erste Harzabschnitt 21 in die ausgesparten Abschnitte zwischen den benachbarten Vorsprüngen 15p ein und wird in diese gefüllt. In dieser Weise wird der erste Harzabschnitt 21 entlang der Flächenform des Randabschnitts 15c angeordnet. Deshalb wird der vorstehend beschriebene Spalt W unwahrscheinlich ausgebildet. Somit kann das Entweichen der elektrolytischen Lösung L unterdrückt werden.
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In dem Leistungsspeichermodul 4 ist der Elastizitätsmodul des zweiten Harzabschnitts 22 höher als der Elastizitätsmodul des ersten Harzabschnitts 21. Demzufolge kann die Festigkeit des zweiten Harzabschnitts 22 im Vergleich zu einem Fall verbessert werden, in dem der zweite Harzabschnitt 22 aus dem gleichen Harzmaterial wie das des ersten Harzabschnitts 21 ausgebildet ist, derart, dass der Elastizitätsmodul des zweiten Harzabschnitts 22 gleich zu dem Elastizitätsmodul des ersten Harzabschnitts 21 ist. Der zweite Harzabschnitt 22 bildet die äußere Wand des Leistungsspeichermoduls 4 aus. Demzufolge kann eine Stoßwiderstandsfähigkeit des Leistungsspeichermoduls 4 gegenüber einem äußeren Stoß verbessert werden.
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Die Fläche der Elektrodenplatte 15 ist durch Ausbilden einer Vielzahl von Vorsprüngen 15p aufgeraut. Demzufolge sind die Elektrodenplatte 15 und der erste Harzabschnitt 21 umschlungen. Als eine Folge ist eine Bindungsfestigkeit zwischen der Elektrodenplatte 15 und dem ersten Harzabschnitt 21 verbessert.
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Darüber hinaus, selbst wenn der Spalt W zwischen der Elektrodenplatte 15 und dem ersten Harzabschnitt 21 ausgebildet ist und als ein Durchgang der elektrolytischen Lösung L funktioniert, ist die Länge eines Pfads, durch den die elektrolytische Lösung L entweicht, länger im Vergleich zu einem Fall, in dem die Elektrodenplatte 15 nicht aufgeraut ist. Demzufolge kann das Entweichen der elektrolytischen Lösung L weiter unterdrückt werden.
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Die vorliegende Erfindung ist nicht auf das vorstehend beschriebene Ausführungsbeispiel beschränkt und verschiedene Modifikationen können gemacht werden.
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Das Leistungsspeichermodul 4 muss nur wenigstens eine von der Gestaltung, in der der Formschwindungsfaktor des ersten Harzabschnitts 21 niedriger ist als der Formschwindungsfaktor des zweiten Harzabschnitts 22, der Gestaltung, in der die Schmelzviskosität des ersten Harzabschnitts 21 höher ist als die Schmelzviskosität des zweiten Harzabschnitts 22, und der Gestaltung haben, in der der Schmelzpunkt des ersten Harzabschnitts 21 niedriger ist als der Schmelzpunkt des zweiten Harzabschnitts 22.
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Beispielsweise kann, solange das Leistungsspeichermodul 4 die Gestaltung hat, bei der der Formschwindungsfaktor des ersten Harzabschnitts 21 niedriger ist als der Formschwindungsfaktor des zweiten Harzabschnitts 22, die Schmelzviskosität des ersten Harzabschnitts 21 gleich zu der Schmelzviskosität des zweiten Harzabschnitts 22 sein, oder der Schmelzpunkt des ersten Harzabschnitts 21 kann gleich zu dem Schmelzpunkt des zweiten Harzabschnitts 22 sein. Beispielsweise solange das Leistungsspeichermodul 4 die Gestaltung hat, in der die Schmelzviskosität des ersten Harzabschnitts 21 höher ist als die Schmelzviskosität des zweiten Harzabschnitts 22, kann der Formschwindungsfaktor des ersten Harzabschnitts 21 gleich zu dem Formschwindungsfaktor des zweiten Harzabschnitts 22 sein, oder der Schmelzpunkt des ersten Harzabschnitts 21 kann gleich zu dem Schmelzpunkt des zweiten Harzabschnitts 22 sein. Solange beispielsweise das Leistungsspeichermodul 4 die Gestaltung hat, bei der der Schmelzpunkt des ersten Harzabschnitts 21 niedriger ist als der Schmelzpunkt des zweiten Harzabschnitts 22, kann der Formschwindungsfaktor des ersten Harzabschnitts 21 gleich zu dem Formschwindungsfaktor des zweiten Harzabschnitts 22 sein, oder die Schmelzviskosität des ersten Harzabschnitts 21 kann gleich zu der Schmelzviskosität des zweiten Harzabschnitts 22 sein.
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Die Oberfläche der Elektrodenplatte 15 ist nicht notwendigerweise aufgeraut. Der erste Harzabschnitt 21 muss nur an den Randabschnitt 15c geschweißt sein. Der erste Harzabschnitts 21 kann an den Randabschnitt 15c geschweißt sein, um beispielsweise nicht nur die erste Fläche 15a der Elektrodenplatte 15 sondern auch die Endfläche der Elektrodenplatte 15 zu bedecken. In diesem Fall, da der erste Harzabschnitt 21 auch an die Endfläche der Elektrodenplatte 15 geschweißt ist, kann das Entweichen der elektrolytischen Lösung L weiter unterdrückt werden.
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Bezugszeichenliste
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- 4:
- Leistungsspeichermodul
- 11:
- Elektrodenschichtverbund
- 11a:
- Seitenfläche
- 12:
- Dichtungskörper
- 14:
- Bipolarelektrode
- 15:
- Elektrodenplatte
- 15a:
- erste Fläche
- 15b:
- zweite Fläche
- 15c:
- Randabschnitt
- 16:
- positive Elektrode
- 17:
- negative Elektrode
- 21:
- erster Harzabschnitt
- 22:
- zweiter Harzabschnitt
- D:
- Schichtungsrichtung
