DE112016004360T5 - Leitfahige streifenmaske zur metallisierung von halbleiterbauelementen - Google Patents

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Abstract

Es werden Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterbauelements und eines dadurch entstehenden Halbleiterbauelements beschrieben. Bei einem Beispiel umfasst das Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterbauelements das Bilden einer Halbleiterregion und das Bilden einer Metallkeimregion über der Halbleiterregion. Das Verfahren kann das Platzieren eines leitfähigen Streifens über einem ersten Abschnitt der Metallregion umfassen, wobei der leitfähige Streifen über der Halbleiterregion gebildet ist. Das Verfahren kann das Bonden eines Kontaktierungsabschnitts des leitfähigen Streifens mit dem ersten Abschnitt der Metallregion umfassen. Das Verfahren kann das Ätzen eines zweiten Abschnitts der Metallregion umfassen, wobei der leitfähige Streifen das Ätzen des ersten Abschnitts der Metallregion verhindert. Bei einem Beispiel kann der leitfähige Streifen eine Beschichtung aufweisen. Bei einem Beispiel kann das Halbleiterbauelement eine Solarzelle sein.

Description

  • HINTERGRUND
  • Halbleiterbauelemente, zum Beispiel photovoltaische Zellen (PV-Zellen), sind unter anderem bekannte elektronische Bauelemente. Photovoltaische Zellen (PV-Zellen), die gemeinhin als Solarzellen bekannt sind, sind Vorrichtungen zur direkten Umwandlung von Sonnenstrahlung in elektrische Energie. Allgemein erzeugt Sonnenstrahlung, die auf die Oberfläche des Substrats einer Solarzelle auftrifft und in das Substrat einer Solarzelle eindringt, Elektron-Loch-Paare im Volumen des Substrats. Die Elektron-Loch-Paare wandern in p- und n-dotierte Regionen im Substrat, wodurch sie eine Spannungsdifferenz zwischen den dotierten Regionen erzeugen. Die dotierten Regionen sind mit den leitfähigen Regionen auf der Solarzelle verbunden, um einen elektrischen Strom von der Zelle an einen externen Stromkreis zu leiten. Wenn PV-Zellen in einer Anlage, wie einem PV-Modul, kombiniert werden, kann die von allen PV-Zellen gesammelte elektrische Energie in Serien und parallelen Anordnungen kombiniert werden, um Energie mit einer bestimmten Spannung und Stromstärke zur Verfügung zu stellen.
  • Die Effizienz beim Herstellen von Halbleiterbauelementen steht in direktem Zusammenhang mit der Kosteneffizienz derartiger Halbleiterbauelemente. Dementsprechend sind Techniken zum Erhöhen der Effizienz von Halbleiterbauelementen oder Techniken zum Erhöhen der Effizienz bei der Fertigung von Halbleiterbauelementen allgemein wünschenswert. Einige Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung erlauben eine erhöhte Effizienz bei der Fertigung von Halbleiterbauelementen, indem neuartige Verfahren zum Fertigen von Halbleiterbauelementen bereitgestellt werden.
  • Figurenliste
    • 1 veranschaulicht eine Ablaufplandarstellung eines beispielhaften Verfahrens zum Fertigen eines Halbleiterbauelements gemäß einigen Ausführungsformen.
    • Die 2 bis 5 veranschaulichen Querschnittsansichten eines beispielhaften Halbleiterbauelements während des Verfahrens von 1 gemäß einigen Ausführungsformen.
    • 6 veranschaulicht ein beispielhaftes Halbleiterbauelement gemäß einigen Ausführungsformen.
    • Die 7 bis 9 veranschaulichen Querschnittsansichten eines weiteren Halbleiterbauelements während des Verfahrens 1 gemäß einigen Ausführungsformen.
    • 10 veranschaulicht ein weiteres beispielhaftes Halbleiterbauelement gemäß einigen Ausführungsformen.
    • 11 veranschaulicht noch ein weiteres beispielhaftes Halbleiterbauelement gemäß einigen Ausführungsformen.
  • DETAILLIERTE BESCHREIBUNG
  • Die folgende detaillierte Beschreibung ist lediglich veranschaulichender Natur und soll nicht die Ausführungsformen des Gegenstands oder Verwendungen derartiger Ausführungsformen einschränken. Das Wort „beispielhaft“, wie hier verwendet, bedeutet „als Beispiel, Fallbeispiel oder der Veranschaulichung dienend“. Alle Realisierungsformen, die hier als beispielhaft beschrieben werden, sind nicht notwendigerweise als bevorzugt oder vorteilhaft gegenüber anderen Realisierungsformen anzusehen. Des Weiteren besteht keine Absicht, durch eine im vorangehenden technischen Gebiet, dem Hintergrund, der Kurzdarstellung oder der folgenden ausführlichen Beschreibung dargelegte ausdrückliche oder stillschweigend eingeschlossene Theorie gebunden zu sein.
  • Diese Patentschrift schließt Bezugnahmen auf „eine bestimmte Ausführungsform“ oder „eine Ausführungsform“ ein. Das Auftreten der Ausdrücke „in einer bestimmten Ausführungsform“ oder „in einer Ausführungsform“ bezieht sich nicht notwendigerweise auf dieselbe Ausführungsform. Bestimmte Merkmale, Strukturen oder Eigenschaften können auf jegliche geeignete Art kombiniert werden, die mit dieser Offenbarung im Einklang steht.
  • Terminologie. Die folgenden Absätze stellen Definitionen und/oder Kontext für Begriffe bereit, die in dieser Offenbarung (einschließlich der beigefügten Patentansprüche) zu finden sind:
  • „Umfassen“/„umfassend“. Dieser Begriff ist erweiterbar. Wie in den beigefügten Ansprüchen verwendet, schließt dieser Begriff eine zusätzliche Struktur oder zusätzliche Schritte nicht aus.
  • „So gestaltet, dass“/„gestaltet, um zu“. Verschiedene Einheiten oder Komponenten können so beschrieben oder beansprucht sein, dass sie „so gestaltet sind, dass“ sie eine Aufgabe oder Aufgaben erfüllen. In derartigen Kontexten wird „so gestaltet, dass“ bzw. „gestaltet, um zu“ verwendet, um eine Struktur zu benennen, indem angegeben wird, dass die Einheiten/Komponenten eine Struktur einschließen, die diese Aufgabe oder Aufgaben während des Betriebs durchführt. Von der Einheit/Komponente als solcher kann gesagt werden, dass sie gestaltet ist, um die Aufgabe durchzuführen, auch wenn die spezifizierte Einheit/Komponente momentan nicht betriebsbereit (d. h. nicht eingeschaltet/aktiv) ist. Das Erwähnen, dass eine Einheit/ein Stromkreis/eine Komponente „gestaltet ist, um“ eine oder mehrere Aufgaben auszuführen, ist ausdrücklich so gedacht, dass sie sich für diese Einheit/diese Komponente nicht auf 35 U.S.C. § 112, Absatz sechs beruft.
  • „Erste“, „zweite“ usw. Wie hierin verwendet, werden diese Begriffe als Bezeichnungen für Substantive genutzt, denen sie vorangehen, und implizieren keine wie auch immer geartete Art einer Ordnung (z. B. räumlich, zeitlich, logisch usw.). Beispielsweise schließt die stillschweigend eingeschlossene Bezugnahme auf einen „ersten“ leitfähigen Streifen nicht zwingend ein, dass dieser leitfähige Streifen der erste leitfähige Streifen in einer Abfolge ist; vielmehr wird der Begriff „erster“ verwendet, um diesen leitfähigen Streifen von einem anderen leitfähigen Streifen (z.B. einem „zweiten“ leitfähigen Streifen) zu unterscheiden.
  • „Auf Grundlage von“. Wie hierin verwendet, wird dieser Begriff verwendet, um einen oder mehrere Faktoren zu beschreiben, die eine Ermittlung beeinflussen. Dieser Begriff schließt zusätzliche Faktoren nicht aus, die eine Ermittlung beeinflussen können. Das heißt, dass eine Ermittlung ausschließlich auf diesen Faktoren oder mindestens teilweise auf diesen Faktoren beruhen kann. Betrachtet werden soll der Ausdruck „A auf Grundlage von B ermitteln“. Während B ein Faktor sein kann, der die Ermittlung von A beeinflusst, schließt ein derartiger Ausdruck nicht aus, dass die Ermittlung von A auch auf C beruhen kann. In anderen Fällen kann A ausschließlich auf Grundlage von B ermittelt werden.
  • „Gekoppelt“ - Die folgende Beschreibung bezieht sich auf Elemente oder Knoten oder Merkmale, die miteinander „gekoppelt“ sind. Wie hierin verwendet, bedeutet „gekoppelt“, solange nicht ausdrücklich anderweitig angegeben, dass ein Element/Knoten/Merkmal direkt oder indirekt mit einem anderen Element/Knoten/Merkmal verbunden ist (oder direkt oder indirekt mit einem anderen Element/Knoten/Merkmal kommuniziert), und zwar nicht notwendigerweise mechanisch.
  • „Hemmen“ - Wie hierin verwendet, wird „hemmen“ zur Beschreibung eines Reduktion- oder Verminderungseffekts verwendet. Wenn ein Bestandteil oder Merkmal als einen Vorgang, eine Bewegung oder einen Zustand hemmend beschrieben wird, kann der Bestandteil bzw. das Merkmal das Ergebnis bzw. die Wirkung oder die zukünftige Beschaffenheit vollständig unterbinden. Ferner kann „hemmen“ auch eine Reduzierung oder Abschwächung der Wirkung, Leistung und/oder des Effekts bezeichnen, die bzw. der ansonsten auftreten könnte. Dementsprechend muss, wenn ein Bestandteil, Element oder Merkmal als ein Ergebnis oder eine Beschaffenheit hemmend bezeichnet wird, der Bestandteil, das Element oder Merkmal das Ergebnis bzw. die Beschaffenheit nicht in vollständigem Umfang verhindern oder beseitigen.
  • Zusätzlich kann eine bestimmte Terminologie in der folgenden Beschreibung auch allein zum Zwecke der Bezugnahme verwendet werden und soll somit nicht einschränkend sein. Zum Beispiel beziehen sich Begriffe wie „oberer/obere/oberes“, „unterer/untere/unteres“, „oberhalb/über“ und „unterhalb/unter“ auf Richtungen in den Zeichnungen, auf die Bezug genommen wird. Begriffe wie „vorn“, „hinten“, „rückseitig“, „seitlich“, „extern“ und „intern“ beschreiben die Ausrichtung und/oder die Lage von Abschnitten der Komponente in einem konsistenten, jedoch beliebigen Bezugsrahmen an, was durch Bezugnahme auf den Text und die zugehörigen Zeichnungen klargemacht wird, die die erörterte Komponente beschreiben. Eine derartige Terminologie kann die vorstehend speziell erwähnten Wörter, Ableitungen davon und Wörter mit ähnlicher Bedeutung einschließen.
  • In der folgenden Beschreibung werden zahlreiche konkrete Einzelheiten dargelegt, wie beispielsweise konkrete Arbeitsschritte, um ein umfassendes Verständnis von Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung zu ermöglichen. Es wird für den Fachmann ersichtlich sein, dass Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung ohne diese konkreten Einzelheiten ausgeführt werden können. In anderen Fällen werden allgemein bekannte Techniken nicht im Detail beschrieben, um die Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung nicht unnötigerweise zu verschleiern.
  • Diese Spezifikation beinhaltet eine Beschreibung eines beispielhaften Verfahrens zum Herstellen einer Halbleiterbauelements, gefolgt von beispielhaften Halbleiterbauelementen, die mithilfe der beschriebenen Verfahren gebildet werden. Bei einem Beispiel können die Halbleiterbauelemente unter anderem Solarzellen sein, wie sie in den folgenden 2 bis 10 beschrieben sind. Verschiedene Beispiele werden in der gesamten Beschreibung bereitgestellt. Obwohl viele der Beispiele im Zusammenhang mit Rückkontaktsolarzellen gezeichnet und beschrieben sind, können die hier beschriebenen Strukturen und Techniken gleichermaßen für Frontkontaktsolarzellen gelten.
  • Unter Bezugnahme auf 1 ist gemäß einigen Ausführungsformen ein Verfahren zum Bilden eines Halbleiterbauelements veranschaulicht. Bei verschiedenen Ausführungsformen kann das Verfahren aus 1 zusätzliche (oder weniger) Blöcke beinhalten als veranschaulicht. Zum Beispiel kann bei einigen Ausführungsformen vor dem Bilden einer Metallkeimregion eine Halbleiterregion in oder auf einer Vorder- oder Rückseite des Halbleiterbauelements gebildet werden.
  • Unter Bezugnahme auf 2 und die entsprechende Operation 102 des Ablaufplans von 1 kann gemäß einigen Ausführungsformen eine Metallregion 220 über einer Oberfläche 215 des Halbleiterbauelements 200 gebildet werden. Bei einer Ausführungsform kann das Halbleiterbauelement 200 ein Substrat 202 beinhalten. Bei einer Ausführungsform kann das Halbleiterbauelement 200 eine Vorderseite 204 aufweisen, die im Normalbetrieb der Sonne zugewandt ist, und eine Rückseite 206 gegenüber der Vorderseite 204. Bei einem Beispiel ist das Halbleiterbauelement 200 eine Solarzelle.
  • Bei einer Ausführungsform kann eine dielektrische Region 213 über der Oberfläche 215 des Substrats 202 gebildet sein, wie gezeigt. Bei einer Ausführungsform kann die dielektrische Region 213 Siliciumoxid und/oder andere Oxide beinhalten. Bei einer Ausführungsform kann eine Kontaktöffnung 216 in der dielektrischen Region 213 wie gezeigt gebildet sein, und infolgedessen kann die Metallregion 220 auf der Oberfläche 215 des Substrats 202 innerhalb der Kontaktöffnung 216 gebildet sein. Bei einem Beispiel kann die Kontaktöffnung 216 unter anderem durch Laserablation und/oder durch einen Masken- und Ätzprozess gebildet werden.
  • Bei einer Ausführungsform kann das Substrat 202 ein Siliciumsubstrat sein. Bei einigen Ausführungsformen kann das Siliciumsubstrat vor der Bildung der Metallregion 220 gereinigt, poliert, planarisiert und/oder gedünnt oder anderweitig bearbeitet werden. Bei einer Ausführungsform kann das Siliciumsubstrat ein monokristallines oder multikristallines Siliciumsubstrat sein. Bei einer Ausführungsform kann das Siliciumsubstrat ein Siliciumsubstrat vom N-Typ oder P-Typ sein.
  • Bei einer Ausführungsform kann vor der Bildung der Metallregion 220 eine Halbleiterregion in oder über dem Substrat 202 gebildet werden. Bei einem Beispiel kann eine erste Halbleiterregion 212 eine n-dotierte Region beinhalten. Bei einem Beispiel kann eine zweite Halbleiterregion 214 eine p-dotierte Region beinhalten. Bei einer Ausführungsform können die erste und zweite Halbleiterregion 212, 214 im Substrat 202 vorliegen. Bei einer Ausführungsform können die erste und zweite Halbleiterregion 212, 214 über dem Substrat 202 gebildet sein. Bei einem Beispiel können die erste und zweite Halbleiterregion 212, 214 dotierte Polysiliciumregionen sein. Bei einer Ausführungsform können die dotierten Polysiliciumregionen über dem Substrat gebildet sein. Bei einer Ausführungsform kann eine dielektrische Region (z.B. ein Tunneloxid) zwischen den dotierten Polysiliciumregionen und dem Substrat gebildet sein. Bei einer Ausführungsform können die Halbleiterregionen 212, 214 auf der Rückseite 206 des Halbleiterbauelements 200 gebildet sein, wie in 2 gezeigt. Bei einigen Ausführungsformen können stattdessen eine oder mehrere Halbleiterregionen auf der Vorderseite 204 des Halbleiterbauelements 200 gebildet sein. Bei einem Beispiel kann eine erste Halbleiterregion auf der Rückseite des Halbleiterbauelements 200 gebildet sein und/oder eine zweite Halbleiterregion kann auf der Vorderseite des Halbleiterbauelements 200 gebildet sein. Bei einigen Ausführungsformen kann eine Metallregion über einer Halbleiterregion auf der Vorderseite des Halbleiterbauelements gebildet sein. Bei einem Beispiel können eine erste Metallregion über einer ersten Halbleiterregion auf der Rückseite und/oder eine zweite Metallregion über einer zweiten Halbleiterregion auf der Vorderseite der Solarzelle gebildet sein. Somit kann bei einigen Beispielen eine Vielzahl von Halbleiter- und/oder Metallregionen (z.B. 2 oder mehr) verwendet werden.
  • Bei einer Ausführungsform kann die Metallregion 220 unter anderem Aluminium (z.B. eine Aluminiumregion), Aluminium/Si, Nickel, Kupfer, Titan, Wolfram und/oder Legierungen davon beinhalten. Bei einer Ausführungsform kann die Metallregion 220 unter anderem durch flächendeckende Abscheidung, Sputtern, durch Drucktechniken (z.B. Siebdruck, Tintenstrahldruck und/oder Spin-Coating) gebildet werden. Bei einer Ausführungsform kann die Metallregion 220 eine Dicke 221 in einem Bereich von 50 bis 1000 Nanometern aufweisen. Bei einer Ausführungsform kann die Metallregion 220 eine Dicke 221 von über 1000 Nanometern (z.B. 2000 Nanometer) aufweisen.
  • Bei einer Ausführungsform kann die Vorderseite 204 des Halbleiterbauelements 200 eine strukturierte Oberfläche 203 sein, wie in 2 gezeigt. Bei einer Ausführungsform wird ein Nassätzmittel auf Hydroxidbasis verwendet, um mindestens einen Abschnitt der strukturierten Oberfläche 203 zu bilden und/oder freiliegende Abschnitte des Substrats 202 zu strukturieren. Eine strukturierte Oberfläche kann eine mit einer regelmäßig oder unregelmäßig geformten Oberfläche sein. Bei einem Beispiel kann eine regelmäßig geformte Oberfläche eine glatte und/oder planarisierte Oberfläche sein. Bei einem Beispiel kann eine unregelmäßig geformte Oberfläche eine raue, unebene und/oder nicht planare Oberfläche sein. Bei einer Ausführungsform kann die strukturierte Oberfläche 203 an der Vorderseite 204 der Solarzelle 200 konfiguriert sein, um einfallendes Licht zu streuen, wobei das von der Vorderseite 204 der Solarzelle 200 gestreute Licht die Menge des von der Vorderseite 204 reflektierten Lichts verringern und somit die Menge des an der Vorderseite 204 der Solarzelle 200 gesammelten Lichts erhöhen kann.
  • Unter Bezugnahme auf 3 und die entsprechende Operation 104 des Ablaufplans von 1 kann gemäß einigen Ausführungsformen ein leitfähiger Streifen 230 über einem ersten Abschnitt 222 der Metallregion 220 platziert werden. Bei einer Ausführungsform kann der leitfähige Streifen 230 über dem ersten Abschnitt 222 der Metallregion 220 angeordnet sein, wobei der leitfähige Streifen 230 wie gezeigt im Wesentlichen parallel zu den Halbleiterregionen 212, 214 angeordnet sein kann. Bei einem Beispiel kann ein Bildverarbeitungssystem verwendet werden, um den leitfähigen Streifen 230 über dem ersten Abschnitt 222 der Metallregion 220 auszurichten, wobei die Platzierung im Wesentlichen parallel zu einer der Halbleiterregionen 212, 214 erfolgt. Bei einer Ausführungsform kann der leitfähige Streifen 230 ein leitfähiger Draht, ein leitfähiges Band, eine leitfähige vorgeschnittene Folie oder ein leitfähiger Folienstreifen sein. Bei einem Beispiel kann der leitfähige Streifen 230 neben anderen Beispielen Kupfer, Nickel, Aluminium und/oder Legierungen davon beinhalten. Bei einem Beispiel kann der leitfähige Streifen 230 ein Kupferdraht oder eine Aluminiumfolie sein. Bei einer Ausführungsform kann der leitfähige Streifen 230 eine Dicke 231 in einem Bereich von 50 bis 1200 Nanometern aufweisen. Bei einer Ausführungsform kann der leitfähige Streifen 230 eine Dicke 231 von über 1200 Nanometern (z.B. 2000 Nanometer) aufweisen. Bei einer Ausführungsform kann das Verhältnis der Dicke 231 das Zweifache, Zehnfache oder Hundertfache oder mehr der Dicke 221 betragen. Bei einer Ausführungsform kann ein zweiter Abschnitt 224 der Metallregion 220 freigelegt sein, z.B. keinen leitfähigen Streifen über diesem Abschnitt aufweisen. Wie in 3 gezeigt, ist ein jeweiliger leitfähiger Streifen 230 über jeder der Halbleiterregionen 212 und 214 ausgerichtet. Bei einer Ausführungsform kann eine Vielzahl von leitfähigen Streifen über der Metallregion angeordnet sein. Bei einem Beispiel können ein erster und ein zweiter leitfähiger Streifen über der Metallregion angeordnet sein. Bei einem Beispiel können der erste und zweite leitfähige Streifen über im Wesentlichen derselben Halbleiterregion platziert (z.B. über Halbleiterregionen mit derselben Polarität angeordnet) sein. Bei einigen Beispielen kann der zweite leitfähige Streifen über einer zweiten, anderen Halbleiterregion als der erste leitfähige Streifen platziert (z.B. über Halbleiterregionen mit unterschiedlichen Polaritäten angeordnet) sein.
  • Bei einigen Ausführungsformen kann ein erster leitfähiger Streifen auf der Vorderseite 204 und/oder der Rückseite 206 des Halbleiterbauelements 200 platziert sein. Bei einem Beispiel kann ein erster leitfähiger Streifen über einer ersten Halbleiterregion platziert sein, die auf der Rückseite des Halbleiterbauelements 200 angeordnet ist, und/oder ein zweiter leitfähiger Streifen kann über einer zweiten Halbleiterregion platziert sein, die auf der Vorderseite 204 des Halbleiterbauelements 200 angeordnet ist. Bei einigen Ausführungsformen können eine erste und eine zweite Metallregion zwischen dem ersten und zweiten leitfähigen Streifen und der ersten bzw. zweiten Halbleiterregionen gebildet sein.
  • Unter Bezugnahme auf 4 und die entsprechende Operation 106 des Ablaufplans von 1 kann ein Bondingprozess durchgeführt werden, um einen Kontaktierungsabschnitt 232 des leitfähigen Streifens 230 mit dem ersten Abschnitt 222 der Metallregion 220 zu verbinden. Bei einer Ausführungsform beinhaltet der Bondingprozess ein elektrisches Verbinden des leitfähigen Streifens 230 mit der Metallregion 220. Wie gezeigt kann der Kontaktierungsabschnitt 232 ein Abschnitt des leitfähigen Streifens 230 sein, der in Kontakt mit dem ersten Abschnitt 222 der Metallregion 220 steht, z.B. in flächiger Berührung. Bei einer Ausführungsform kann der Kontaktierungsabschnitt 232 durch flächiges Inkontaktbringen des ersten Abschnitts 222 der Metallregion 220 das Ätzen am ersten Abschnitt 222 der Metallregion 220 (z.B. während eines nachfolgenden Ätzprozesses) hemmen, während Lufteinschlüsse oder Lücken zwischen dem leitfähigen Streifen 230 und der Metallregion 220 das Ätzen in diesen Regionen ermöglichen können.
  • Bei einer Ausführungsform kann der Bondingprozess der Operation 106 das Anlegen einer Kraft 240 an den Kontaktierungsabschnitt des leitfähigen Streifens 230 umfassen, um den leitfähigen Streifen 230 mit der Metallregion 220 elektrisch zu verbinden. Bei einem Beispiel kann wie in 4 gezeigt ein Applikator 242 verwendet werden, um die Kraft 240 an den Kontaktierungsabschnitt des leitfähigen Streifens 230 anzulegen. Bei einem Beispiel kann der Applikator 242 eine Rolle oder eine Rakel sein. Bei einem derartigen Beispiel ermöglicht die Verwendung des Applikators 242, die Kraft gleichmäßig an Kontaktierungsabschnitt 232 des leitfähigen Streifens 230 und den ersten Abschnitt 222 der Metallregion 220 anzulegen. Bei einem Beispiel kann ein Thermokompressionsprozess durchgeführt werden, um den leitfähigen Streifen 230 des Kontaktierungsabschnitts mit der Metallregion 220 elektrisch zu verbinden.
  • Bei einer Ausführungsform kann das Bonden ein Erwärmen des Kontaktierungsabschnitts 232 des leitfähigen Streifens 230 zum elektrischen Verbinden des leitfähigen Streifens 230 mit der Metallregion 220 beinhalten. In einem Beispiel kann Wärme nach, während oder vor dem Anlegen einer Kraft 240 an den Kontaktierungsabschnitt des leitfähigen Streifens 230 angewendet werden. Bei einem Beispiel kann ein Laser verwendet werden, um den Kontaktierungsabschnitt des leitfähigen Streifens zu erwärmen. Bei einem Beispiel kann ein Laser verwendet werden, um den leitfähigen Streifen 230 elektrisch mit der Metallregion 220 zu verbinden. Bei einigen Beispielen kann ein Schweißprozess (z.B. ein Laserschweißprozess) verwendet werden, um den Kontaktierungsabschnitt 232 des leitfähigen Streifens 230 mit dem ersten Abschnitt 222 der Metallregion 220 zu verbinden. Bei einer Ausführungsform kann das Erwärmen induktives Erwärmen und/oder Kontakterwärmen beinhalten.
  • Bei einer Ausführungsform kann der leitfähige Streifen 230 einen leitfähigen Klebstoff beinhalten, der zwischen dem Kontaktierungsabschnitt 232 des leitfähigen Streifens und dem ersten Abschnitt 222 der Metallregion 230 angeordnet ist. Bei einem Beispiel kann der leitfähige Klebstoff eine Lötpaste sein. Bei einer Ausführungsform kann das Bonden ein Erwärmen des leitfähigen Klebstoffs (z.B. Lötpaste) zum elektrischen Verbinden des leitfähigen Streifens 230 mit der Metallregion 220 beinhalten. Bei einer Ausführungsform kann das Erwärmen des leitfähigen Klebstoffs das induktive Erwärmen und/oder Kontakterwärmen beinhalten.
  • Unter Bezugnahme auf 5 und die entsprechende Operation 108 des Ablaufplans von 1 kann gemäß einigen Ausführungsformen ein Ätzprozess durchgeführt werden, um leitfähige Kontakte 234, 236 zu bilden. Bei einem Beispiel kann der zweite Abschnitt 224 der Metallregion 220 von 4 geätzt 225 werden, um die leitfähigen Kontakte 234, 236 zu bilden. Bei einem Beispiel kann das Ätzen 225 einen ersten leitfähigen Kontakt 234 über der ersten Halbleiterregion 212 und einen zweiten leitfähigen Kontakt 236 über der zweiten Halbleiterregion 214 bilden. Bei einem Beispiel kann das Ätzen 225 den ersten leitfähigen Kontakt 234 vom zweiten leitfähigen Kontakt 236 elektrisch trennen. Bei einem Beispiel kann das Ätzen 225 mindestens teilweise das Ätzen des leitfähigen Streifens 230 beinhalten, wie in 5 gezeigt, wobei in Block 108 der leitfähige Streifen 230 das Ätzen des ersten Abschnitts 222 der Metallkeimregion 220 hemmen kann. Bei einem Beispiel können wie gezeigt der erste und zweite leitfähige Kontakt 234, 236 auf der Rückseite 206 des Halbleiterbauelements 200 gebildet sein. Bei einigen Ausführungsformen kann der leitfähige Streifen 230 nicht geätzt werden (z.B. wird die Beschichtung 335 überhaupt nicht geätzt).
  • Bei einigen Ausführungsformen können stattdessen ein oder mehrere leitfähige Kontakte an der Vorderseite des Halbleiterbauelements gebildet sein. Bei einem Beispiel kann ein erster leitfähiger Kontakt über einer ersten Halbleiterregion gebildet sein, die auf der Rückseite des Halbleiterbauelements 200 angeordnet ist, und/oder ein zweiter leitfähiger Kontakt kann über einer zweiten Halbleiterregion gebildet sein, die auf der Vorderseite des Halbleiterbauelements 200 angeordnet ist.
  • Bei einem Beispiel kann der leitfähige Streifen 230 von 4 eine Dicke 331 aufweisen, die größer als eine Dicke 321 der Metallregion 220 ist. Bei demselben Beispiel kann das Ätzen 225 das Ätzen durch die Metallregion 220 mit der Dicke 331 beinhalten, um den ersten leitfähigen Kontakt 234 vom zweiten leitfähigen Kontakt 236 elektrisch zu trennen. Bei demselben Beispiel kann das Ätzen 225 das anteilige Ätzen des leitfähigen Streifens 230 mit der Dicke 331 beinhalten, wobei der leitfähige Streifen 230 das Ätzen des ersten Abschnitts 222 der Metallkernregion 220 hemmt.
  • Bei einer Ausführungsform kann ein erstes Ätzmittel verwendet werden, um durch den zweiten Abschnitt 224 der Metallregion 220 von 4 zu ätzen. Bei einem Beispiel kann das erste Ätzmittel eine Säure mit Oxidationsmitteln (z.B. Wasserstoffperoxid) beinhalten. Bei einigen Beispielen kann das erste Ätzmittel eine Base (z.B. Kaliumhydroxid, Natriumhydroxid) beinhalten. Bei einem Beispiel kann der leitfähige Streifen 230 von 4 eine erste Dicke aufweisen, die größer als eine zweite Dicke der Metallkeimregion 220 ist, und der leitfähige Streifen 230 kann im Wesentlichen dasselbe gleiche Metall wie die Metallregion 220 beinhalten. Bei derselben Ausführungsform kann das erste Ätzmittel konfiguriert sein, um durch die zweite Dicke der Metallregion 220 hindurch zu ätzen und die erste Dicke des leitfähigen Streifens 230 teilweise zu ätzen. Bei einer Ausführungsform kann die Ätzdauer konfiguriert sein, um das Ätzen durch den zweiten Abschnitt 224 der Metallregion 220 und das anteilige Ätzen des leitfähigen Streifens 230 zu ermöglichen. Bei einer Ausführungsform kann eine Ätzdauer konfiguriert sein, um das Ätzen durch den zweiten Abschnitt 224 der Metallregion 220 zu ermöglichen und den leitfähigen Streifen 230 nur teilweise zu ätzen. Bei einigen Ausführungsformen können mehrere Ätzmittel (z.B. ein erstes, zweites usw.) verwendet werden. Bei einem Beispiel kann das erste Ätzmittel verwendet werden, um die Metallregion 220 zu ätzen, die ein erstes Metall beinhaltet, und ein zweites Ätzmittel kann verwendet werden, um den leitfähigen Streifen 230 zu ätzen, der ein zweites, anderes Metall enthält. Bei einer Ausführungsform kann der leitfähige Streifen 230 als partielle Opferätzbarriere bezeichnet werden. Bei einer Ausführungsform können das erste und das zweite Ätzmittel im Wesentlichen dasselbe und/oder insgesamt unterschiedliche Ätzmittel sein (z.B. Säure mit Oxidationsmitteln usw.).
  • Bei einer Ausführungsform können die leitfähigen Kontakte 234, 236 den leitfähigen Streifen 230 und die Metallregion 220 beinhalten. Bei einer Ausführungsform können die leitfähigen Kontakte 234, 236 metallene Kontaktfinger bilden. Bei einer Ausführungsform können die metallenen Kontaktfinger ineinandergreifend sein.
  • 6 zeigt ein beispielhaftes Halbleiterbauelement gemäß einigen Ausführungsformen, das mithilfe der in den 2 bis 5 beschriebenen Verfahren gebildet wurde. Das Halbleiterbauelement kann wie dargestellt eine Solarzelle 200 sein, die eine Vorderseite 204 aufweisen kann, die im Normalbetrieb der Sonne zugewandt ist, und eine Rückseite 206 gegenüber der Vorderseite 204.
  • Bei einer Ausführungsform kann die Vorderseite 204 der Solarzelle 200 eine strukturierte Oberfläche 203 aufweisen, wie in 6 gezeigt. Die strukturierte Oberfläche kann eine mit einer regelmäßig oder unregelmäßig geformten Oberfläche sein. Bei einem Beispiel kann eine regelmäßig geformte Oberfläche eine glatte und/oder planarisierte Oberfläche sein. Bei einem Beispiel kann eine unregelmäßig geformte Oberfläche eine raue, unebene und/oder nicht planare Oberfläche sein. Bei einer Ausführungsform kann die strukturierte Oberfläche 203 an der Vorderseite 204 der Solarzelle 200 konfiguriert sein, um einfallendes Licht zu streuen, wobei das von der Vorderseite 204 der Solarzelle 200 gestreute Licht die Menge des von der Vorderseite 204 reflektierten Lichts verringern und somit die Menge des an der Vorderseite 204 der Solarzelle 200 gesammelten Lichts erhöhen kann. Bei einer Ausführungsform kann eine vordere dielektrische Region 223 über der Oberfläche 203 gebildet sein. Bei einigen Ausführungsformen kann die vordere dielektrische Region 223 neben anderen Oxiden Siliciumoxid beinhalten.
  • Bei einer Ausführungsform kann die Solarzelle 200 ein Substrat 202 beinhalten. Bei einer Ausführungsform kann das Substrat 202 ein Siliciumsubstrat sein. Bei einigen Ausführungsformen kann das Siliciumsubstrat ein mono- oder multikristallines Siliciumsubstrat sein. Bei einer Ausführungsform handelt es sich bei dem Siliciumsubstrat um ein Siliciumsubstrat vom N-Typ oder P-Typ.
  • Bei einer Ausführungsform kann das Substrat 202 auf der Rückseite 206 der Solarzelle 200 eine Halbleiterregion 212, 214 beinhalten. Bei einem Beispiel kann eine erste Halbleiterregion 212 eine n-dotierte Region beinhalten. Bei einem Beispiel kann eine zweite Halbleiterregion 214 eine p-dotierte Region beinhalten. Bei einer Ausführungsform können die erste und zweite Halbleiterregion 212, 214 im Substrat 202 vorliegen. Bei einer Ausführungsform können die erste und zweite Halbleiterregion 212, 214 über dem Substrat 202 angeordnet sein. Bei einem Beispiel können die erste und zweite Halbleiterregion 212, 214 dotierte Polysiliciumregionen sein. Bei einer Ausführungsform können die dotierten Polysiliciumbereiche über dem Substrat 202 auf der Rückseite 206 der Solarzelle 200 angeordnet sein. Bei einer Ausführungsform kann eine dielektrische Region (z.B. ein Tunneloxid) zwischen den dotierten Polysiliciumregionen und dem Substrat angeordnet sein.
  • Bei einer Ausführungsform können leitfähige Kontakte 234, 236 auf den Halbleiterregionen 212, 214 an der Rückseite 206 der Solarzelle 200 angeordnet sein. Bei einem Beispiel kann ein erster leitfähiger Kontakt 234 über der ersten Halbleiterregion 212 angeordnet sein. Bei einem Beispiel kann ein zweiter leitfähiger Kontakt 236 über der zweiten Halbleiterregion 214 angeordnet sein. Bei einem Beispiel können die leitfähigen Kontakte 234, 236 metallene Kontaktfinger sein. Bei einigen Beispielen können die metallenen Kontaktfinger ineinandergreifend sein. Bei einer Ausführungsform ermöglichen die leitfähigen Kontakte 234, 236 Pfade für die Leitung von elektrischem Strom von der ersten und zweiten Halbleiterregion 212, 214 zu einer externen Schaltung. Bei einigen Ausführungsformen können die leitfähigen Kontakte 220, 221 eine Metallregion 220 beinhalten. Bei einer Ausführungsform kann eine dielektrische Region 213 wie dargestellt zwischen der Metallregion 220 und dem Substrat 202 angeordnet sein. Bei einer Ausführungsform kann die dielektrische Region 213 neben anderen Oxiden Siliciumoxid beinhalten. Bei einer Ausführungsform kann die Metallregion 220 unter anderem Aluminium (z.B. eine Aluminiumregion), Aluminium/Si, Nickel, Kupfer, Titan, Wolfram und/oder Legierungen davon beinhalten. Bei einer Ausführungsform kann die Metallregion 220 eine Dicke in einem Bereich von ungefähr 50 bis 1000 Nanometern aufweisen.
  • Bei einer Ausführungsform können die leitfähigen Kontakte 234, 236 einen leitfähigen Streifen 230 beinhalten. Bei einer Ausführungsform kann der leitfähige Streifen 230 wie gezeigt auf der Metallregion 220 angeordnet sein. Bei einer Ausführungsform kann der leitfähige Streifen 224 Kupfer, Nickel, Aluminium, Eisen und/oder Legierungen davon beinhalten. Bei einer Ausführungsform kann der leitfähige Streifen 230 eine Dicke in einem Bereich von ungefähr 60 bis 1200 Nanometern aufweisen.
  • Bei einigen Ausführungsformen können die Metallregion 220 und der leitfähige Streifen 230 dasselbe Metall beinhalten. Bei einem Beispiel können die Metallregion 220 und der leitfähige Streifen 230 jeweils Aluminium beinhalten. Bei einigen Beispielen können das Metall am ersten Abschnitt 222 der Metallkeimregion 220 und das Metall des Kontaktierungsabschnitts 232 im Wesentlichen gleich sein. Zum Beispiel können der erste Abschnitt 222 der Metallregion 220 und der Kontaktierungsabschnitt 232 des leitfähigen Streifens 230 Aluminium oder eine aluminiumhaltige Legierung sein.
  • Bei einer Ausführungsform können die Metallregion 220 und der leitfähige Streifen 230 im Wesentlichen unterschiedlich sein. Bei einem Beispiel kann die Metallregion 220 Aluminium beinhalten, und der leitfähige Streifen 230 kann Eisen oder Stahl beinhalten. Bei demselben Beispiel kann ein Thermokompressionsverfahren verwendet werden, um den leitfähigen Streifen, der Eisen oder Stahl beinhaltet, mit der Metallkeimregion zu verbinden, die Aluminium enthält.
  • Bei einer Ausführungsform kann eine weitere Halbleiterregion auf der Vorderseite 204 der Solarzelle 200 angeordnet sein. Bei einem Beispiel kann die Halbleiterregion eine n- oder p-dotierte Region beinhalten. Bei einer Ausführungsform kann ein weiterer leitfähiger Kontakt auf der Halbleiterregion auf der Vorderseite 204 der Solarzelle 200 angeordnet sein. Bei einer Ausführungsform kann der leitfähige Kontakt auch einen leitfähigen Streifen beinhalten, der mit einer Metallregion verbunden ist, wobei der leitfähige Kontakt auf der Halbleiterregion auf der Vorderseite der Solarzelle 200 angeordnet ist. Bei derselben Ausführungsform kann das Halbleiterbauelement 200 eine Frontkontaktsolarzelle sein.
  • Unter Bezugnahme auf die 7 bis 9 wird ein Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterbauelements gemäß einigen Ausführungsformen gezeigt. Wie gezeigt sind die Verfahren der 7 bis 9 im Wesentlichen den Verfahren der 2 bis 5 ähnlich. Das Verfahren der 7 bis 9 weist ähnliche Bezugsnummern auf Elemente der 2 bis 5 auf, wobei gleiche Bezugsnummern in den Figuren auf ähnliche Elemente verweisen. Bei einer Ausführungsform ist die Struktur des Halbleiterbauelements 300 der 7 bis 9, außer wie nachstehend beschrieben, im Wesentlichen ähnlich der Struktur des Halbleiterbauelements 200 in den 2 bis 5. Sofern nicht speziell in den 7 bis 9 angegeben, gilt die Beschreibung ähnlicher Strukturen in den 2 bis 5 gleichermaßen für die Strukturen der 7 bis 9.
  • Unter Bezugnahme auf 7 und die entsprechende Operation 104 des Ablaufplans von 1 kann gemäß einigen Ausführungsformen ein beschichteter leitfähiger Streifen 330 über einem ersten Abschnitt 322 einer Metallregion 320 platziert werden. Bei einem Beispiel können beschichtete leitfähige Streifen 330 über einer ersten und zweiten Halbleiterregion 312, 314 platziert werden. Bei einer Ausführungsform können die beschichteten leitfähigen Streifen 330 wie gezeigt im Wesentlichen parallel zu den Halbleiterregionen 312, 314 angeordnet sein. Bei einer Ausführungsform kann der beschichtete leitfähige Streifen 330 wie gezeigt einen Metallstreifen 333 mit einer Beschichtung 335 beinhalten. Bei einer Ausführungsform kann die Beschichtung 335 eine Dicke 331 im Bereich von ungefähr 1 bis 10 µm aufweisen. Bei einer Ausführungsform kann die Dicke 331 der Beschichtung 335 größer oder gleich einer Dicke 321 der Metallregion 320 sein. Bei einer Ausführungsform kann die Metallregion 320 eine Dicke ungefähr im Bereich von 50 bis 1000 Nanometern aufweisen. Bei einer Ausführungsform kann die Beschichtung 335 unter anderem Aluminium (z.B. eine Aluminiumregion), Aluminium/Si, Nickel, Kupfer, Titan, Wolfram und/oder Legierungen davon beinhalten. Bei einer Ausführungsform kann die Beschichtung eine Lötpaste beinhalten. Bei einer Ausführungsform kann der Metallstreifen unter anderem Nickel, Kupfer, Eisen und Stahl beinhalten. Bei einer Ausführungsform kann das Verhältnis der Dicke 331 das Zweifache, Zehnfache oder Hundertfache oder mehr der Dicke 321 betragen. Bei einer Ausführungsform kann der beschichtete leitfähige Streifen 330 ein beschichteter leitfähiger Draht, ein beschichtetes Band, eine beschichtete vorgestanzte Folie oder ein beschichteter Folienstreifen sein. Bei einem Beispiel kann der beschichtete leitfähige Streifen 330 ein beschichteter Kupferdraht oder eine beschichtete Aluminiumfolie sein.
  • Bei einigen Ausführungsformen kann ein erster beschichteter leitfähiger Streifen auf der Vorderseite 304 und/oder der Rückseite 306 des Halbleiterbauelements 300 angeordnet sein. Bei einem Beispiel kann ein erster leitfähiger Streifen über einer ersten Halbleiterregion platziert sein, die auf der Rückseite des Halbleiterbauelements 300 angeordnet ist, und/oder ein zweiter leitfähiger Streifen kann über einer zweiten Halbleiterregion platziert sein, die auf der Vorderseite 304 des Halbleiterbauelements 300 angeordnet ist. Bei einigen Ausführungsformen können eine erste und eine zweite Metallregion zwischen dem ersten und zweiten leitfähigen Streifen und der ersten bzw. zweiten Halbleiterregionen gebildet sein. Wie oben erörtert kann eine Vielzahl leitfähiger Streifen (z.B. erste, zweite leitfähige Streifen) verwendet werden.
  • Unter Bezugnahme auf 8 und die entsprechende Operation 106 des Ablaufplans von 1 kann ein Bondingprozess durchgeführt werden, um einen Kontaktierungsabschnitt 332 des beschichteten leitfähigen Streifens 330 mit dem ersten Abschnitt 322 der Metallregion 320 zu verbinden. Bei einer Ausführungsform ist der Bondingprozess von 8 im Wesentlichen dem in 4 beschriebenen Bondingprozess ähnlich. Daher gilt die Beschreibung entsprechender Abschnitte von 4 gleichermaßen für die Beschreibung von 8.
  • Unter Bezugnahme auf 9 und die entsprechende Operation 108 des Ablaufplans von 1 kann gemäß einigen Ausführungsformen ein Ätzprozess durchgeführt werden, um leitfähige Kontakte 334, 336 zu bilden. Bei einer Ausführungsform ist der Ätzprozess von 9 außer wie nachstehend beschrieben im Wesentlichen dem in 5 beschriebenen Ätzprozess ähnlich. Daher gilt die Beschreibung entsprechender Abschnitte von 5 gleichermaßen für die Beschreibung von 9.
  • Bei einem Beispiel können wie gezeigt der erste und der zweite leitfähige Kontakt 334, 336 auf der Rückseite 306 des Halbleiterbauelements 300 gebildet sein. Bei einigen Ausführungsformen können stattdessen ein oder mehrere leitfähige Kontakte, die einen beschichteten leitfähigen Streifen beinhalten, an der Vorderseite des Halbleiterbauelements gebildet sein. Bei einem Beispiel kann ein erster leitfähiger Kontakt über einer ersten Halbleiterregion gebildet sein, die auf der Rückseite des Halbleiterbauelements 300 angeordnet ist, und/oder ein zweiter leitfähiger Kontakt kann über einer zweiten Halbleiterregion gebildet sein, die auf der Vorderseite des Halbleiterbauelements 300 angeordnet ist.
  • Bei einer Ausführungsform kann der beschichtete leitfähige Streifen 330 das Ätzen des ersten Abschnitts 322 der Metallregion 320 hemmen. Bei einem Beispiel kann das Ätzen 325 das Ätzen der Beschichtung 335 des beschichteten leitfähigen Streifens 330 beinhalten, wobei die Beschichtung 335 das Ätzen des ersten Abschnitts 322 der Metallregion 320 in Block 108 hemmen kann. Bei einem Beispiel kann die Beschichtung 335 des beschichteten leitfähigen Streifens 330 von 8 eine erste Dicke 331 aufweisen, die gleich einer zweiten Dicke 321 der Metallkeimregion 220 ist. Bei demselben Beispiel kann das Ätzen 325 das Ätzen durch die Metallregion 320 mit der zweiten Dicke 321 umfassen. Bei demselben Beispiel kann das Ätzen 325 das Ätzen der Beschichtung 335 des beschichteten leitfähigen Streifens 330 mit der ersten Dicke 331 beinhalten, wobei das Ätzen 335 mindestens teilweise den Metallstreifen 333 freilegt. Bei einem Beispiel kann der Metallstreifen 333 mindestens teilweise durch die Beschichtung 335 beschichtet sein (z.B. an der Grenzfläche zwischen dem ersten Abschnitt 322 der Metallkeimregion und dem Kontaktierungsabschnitt 332 des beschichteten leitfähigen Streifens 330. Bei einigen Beispielen kann die Beschichtung 337 im Wesentlichen dasselbe Metall wie die Metallregion 320 beinhalten. Bei einigen Beispielen wird die Beschichtung 335 möglicherweise nicht geätzt (z.B. wird die Beschichtung 335 überhaupt nicht geätzt).
  • Bei einem Beispiel kann das Ätzen 325 mindestens teilweise das Ätzen der Beschichtung 337 des leitfähigen Streifens 330 beinhalten, wobei der beschichtete leitfähige Streifen 330 das Ätzen des ersten Abschnitts 322 der Metallkeimregion 320 in Block 108 hemmen kann. Bei einem Beispiel kann die Beschichtung 337 des beschichteten leitfähigen Streifens 330 von 8 eine Dicke 331 aufweisen, die größer als eine Dicke 321 der Metallregion 320 ist. Bei demselben Beispiel kann das Ätzen 225 das Ätzen durch die Metallregion 320 mit einer zweiten Dicke 321 beinhalten. Bei einem Beispiel kann wie gezeigt das Ätzen 225 den ersten leitfähigen Kontakt 234 von dem zweiten leitfähigen Kontakt 236 elektrisch trennen. Bei einem Beispiel können wie gezeigt der erste und zweite leitfähige Kontakt 334, 336 auf der Rückseite 306 des Halbleiterbauelements 300 gebildet sein. Bei demselben Beispiel kann das Ätzen 225 mindestens teilweise das Ätzen der Beschichtung 337 des leitfähigen Streifens 330 mit einer ersten Dicke 331 beinhalten, wobei die Beschichtung 337 des beschichteten leitfähigen Streifens 330 das Ätzen des ersten Abschnitts 322 der Metallkeimregion 320 hemmt und die erste Dicke 331 größer als die zweite Dicke 321 ist.
  • Bei einer Ausführungsform kann ein erstes Ätzmittel verwendet werden, um durch den zweiten Abschnitt 324 der Metallregion 320 von Figur zu ätzen. Bei einem Beispiel kann das erste Ätzmittel eine Säure mit Oxidationsmitteln (z.B. Wasserstoffperoxid) beinhalten. Bei einigen Beispielen kann das erste Ätzmittel eine Base (z.B. Kaliumhydroxid, Natriumhydroxid) beinhalten. Bei einem Beispiel kann der beschichtete leitfähige Streifen 330 von 8 eine Beschichtung aufweisen, die eine erste Dicke 331 aufweist, die größer als eine zweite Dicke 321 der Metallregion 320 ist. Bei einem Beispiel kann die Beschichtung 337 des beschichteten leitfähigen Streifens 330 im Wesentlichen dasselbe Metall wie die Metallregion 320 beinhalten. Bei einem Beispiel kann das erste Ätzmittel konfiguriert sein, um wie gezeigt durch die zweite Dicke 321 des Metallkernbereichs 220 hindurch zu ätzen und die Beschichtung 337 mit der ersten Dicke 331 des leitfähigen Streifens 330 teilweise zu ätzen. Bei einem Beispiel kann das erste Ätzmittel so konfiguriert sein, dass es wie gezeigt sowohl durch den zweiten Abschnitt 322 der Metallregion 320 hindurch als auch durch die Beschichtung 337 des beschichteten leitfähigen Streifens 330 ätzt. Bei einer Ausführungsform kann eine Ätzdauer konfiguriert sein, um das Ätzen durch den zweiten Abschnitt 324 der Metallregion 320 und das anteilige Ätzen der Beschichtung 337 des beschichteten leitfähigen Streifens 330 zu ermöglichen. Bei einigen Beispielen kann die Ätzdauer so konfiguriert sein, dass sie lang genug ist, um sowohl durch den zweiten Abschnitt 324 der Metallregion 320 als auch durch die Beschichtung 337 des beschichteten leitfähigen Streifens 330 hindurch zu ätzen. Bei einigen Ausführungsformen können mehrere Ätzmittel (z.B. ein erstes, zweites usw.) verwendet werden. Bei einem Beispiel kann das erste Ätzmittel verwendet werden, um die Metallregion 320 zu ätzen, und ein zweites Ätzmittel kann verwendet werden, um die Beschichtung 337 des beschichteten leitfähigen Streifens 330 zu ätzen. Bei einigen Beispielen kann das erste Ätzmittel konfiguriert sein, um die Metallregion 320 zu ätzen, die ein erstes Metall beinhaltet, und ein zweites Ätzmittel kann verwendet werden, um die Beschichtung 337 zu ätzen, die ein zweites, anderes Metall beinhaltet. Bei einer Ausführungsform kann der beschichtete leitfähige Streifen 330 als partielle Opferätzbarriere bezeichnet werden.
  • 10 veranschaulicht ein beispielhaftes Halbleiterbauelement gemäß einigen Ausführungsformen, das mithilfe von Verfahren gebildet ist, die in den 7 bis 9 beschrieben sind. Wie gezeigt kann das Halbleiterbauelement eine Solarzelle 300 sein. Die Solarzelle 300 kann wie gezeigt eine Vorderseite 304 aufweisen, die im Normalbetrieb der Sonne zugewandt ist, und eine Rückseite 306 gegenüber der Vorderseite 304. Bei einer Ausführungsform ist die Solarzelle 300 im Wesentlichen ähnlich der Solarzelle 200 von 6. Wie gezeigt weist die Solarzelle 300 ähnliche Bezugsnummern auf Elemente der Solarzellen von 6 auf, wobei gleiche Bezugsnummern in den Figuren auf ähnliche Elemente verweisen. Bei einer Ausführungsform ist die Struktur der Solarzelle 300, außer wie nachstehend beschrieben, im Wesentlichen ähnlich der Struktur der Solarzelle 200 in 6. Daher gilt die Beschreibung entsprechender Abschnitte von 6 gleichermaßen für die Beschreibung von 10.
  • Bei einer Ausführungsform kann die Solarzelle 300 leitfähige Kontakte 334, 336 beinhalten. Bei einer Ausführungsform beinhalten die leitfähigen Kontakte 334, 336 einen beschichteten leitfähigen Streifen, der auf einer Metallregion 320 angeordnet ist. Bei einem Beispiel können die leitfähigen Kontakte 334, 336 metallene Kontaktfinger sein. Bei einigen Beispielen können die metallenen Kontaktfinger ineinandergreifend sein. Bei einer Ausführungsform kann der beschichtete leitfähige Streifen wie gezeigt einen Metallstreifen 333 mit einer Beschichtung 337 beinhalten. Bei einem Beispiel kann die Beschichtung 337 den Metallstreifen 333 umgeben. Bei einer Ausführungsform kann die Metallregion 320 eine Dicke in einem Bereich von ungefähr 50 bis 1000 Nanometern aufweisen. Bei einer Ausführungsform kann die Beschichtung 337 unter anderem Aluminium (z.B. eine Aluminiumregion), Aluminium/Si, Nickel, Kupfer, Titan, Wolfram und/oder Legierungen davon beinhalten. Bei einer Ausführungsform kann der Metallstreifen 333 unter anderem Nickel, Kupfer, Eisen und Stahl beinhalten. Bei einer Ausführungsform kann das Verhältnis der Dicke der Beschichtung 337 das Doppelte, das Zehnfache oder das Hundertfache oder mehr der Dicke der Metallregion 320 betragen. Bei einer Ausführungsform kann die Beschichtung 337 eine Dicke 331 im Bereich von ungefähr 1 bis 10 µm aufweisen. Bei einer Ausführungsform kann der beschichtete leitfähige Streifen 330 ein beschichteter leitfähiger Draht, ein beschichtetes Band, eine beschichtete vorgestanzte Folie oder ein beschichteter Folienstreifen sein. Bei einem Beispiel kann der beschichtete leitfähige Streifen 330 ein beschichteter Kupferdraht oder eine beschichtete Aluminiumfolie sein.
  • 11 veranschaulicht ein beispielhaftes Halbleiterbauelement gemäß einigen Ausführungsformen, das mithilfe von Verfahren gebildet ist, die in den 7 bis 9 beschrieben sind. Wie gezeigt kann das Halbleiterbauelement eine Frontkontaktsolarzelle 400 sein. Die Solarzelle 400 kann wie gezeigt eine Vorderseite 404 aufweisen, die im Normalbetrieb der Sonne zugewandt ist, und eine Rückseite 406 gegenüber der Vorderseite 404. Bei einer Ausführungsform ist die Solarzelle 400 im Wesentlichen ähnlich der Solarzelle 200 und 300 von 6 und 10. Wie gezeigt weist die Solarzelle 400 ähnliche Bezugsnummern auf Elemente der Solarzellen von 6 und 10 auf, wobei gleiche Bezugsnummern in den Figuren auf ähnliche Elemente verweisen. Bei einer Ausführungsform ist die Struktur der Solarzelle 400, außer wie nachstehend beschrieben, im Wesentlichen ähnlich der Struktur der Solarzelle 200 und 300 in 6 bzw. 7. Bei einem Beispiel kann über der Oberfläche 403 eine vordere dielektrische Region 423 ähnlich der vorderen dielektrischen Region 323 von 10 gebildet sein. Bei einigen Ausführungsformen kann die vordere dielektrische Region 423 neben anderen Oxiden Siliciumoxid beinhalten. Daher gilt die Beschreibung der entsprechenden Abschnitte der 6 und 10 gleichermaßen für die Beschreibung von 11.
  • Bei einer Ausführungsform kann sich eine weitere Halbleiterregion 414 auf der Vorderseite 404 einer Solarzelle 400 befinden. Bei einem Beispiel kann die Halbleiterregion 414 eine n- oder p-dotierte Region beinhalten. Bei einer Ausführungsform kann ein weiterer beschichteter leitfähiger Kontakt 435 auf der Halbleiterregion 414 auf der Vorderseite 404 der Solarzelle 400 angeordnet sein. Bei einer Ausführungsform kann der beschichtete leitfähige Kontakt 435 auch einen leitfähigen Streifen 433 beinhalten, der mit einer Metallregion 420 verbunden ist, wobei der leitfähige Kontakt 435 auf der Halbleiterregion 414 auf der Vorderseite 404 der Solarzelle 400 angeordnet ist. Bei einer Ausführungsform kann der beschichtete leitfähige Streifen 433 eine Beschichtung 437 aufweisen. Bei einigen Ausführungsformen kann der beschichtete leitfähige Streifen 433 mindestens teilweise beschichtet sein.
  • Obwohl vorstehend spezifische Ausführungsformen beschrieben wurden, sollen diese Ausführungsformen den Umfang der vorliegenden Offenbarung nicht einschränken, auch wo nur eine einzige Ausführungsform in Hinblick auf ein bestimmtes Merkmal beschrieben ist. Beispiele für Merkmale, die in der Offenbarung bereitgestellt werden, sollen veranschaulichend und nicht einschränkend sein, sofern dies nicht anders angegeben ist. Die vorstehende Beschreibung soll derartige Alternativen, Modifikationen und Äquivalente einschließen, die für den Fachmann offensichtlich sind, der von dieser Offenbarung profitiert.
  • Der Schutzumfang der vorliegenden Offenbarung schließt alle Merkmale oder Kombinationen von Merkmalen, die hierin (entweder ausdrücklich oder stillschweigend eingeschlossen) offenbart sind, oder jedwede Verallgemeinerung davon ein, unabhängig davon, ob dadurch einzelne oder alle der hierin angesprochenen Probleme abgemildert werden oder nicht. Dementsprechend können während der Verfolgung dieser Anmeldung (oder einer Anmeldung, die diesbezüglich Priorität beansprucht) neue Ansprüche zu jeder derartigen Kombination von Merkmalen formuliert werden. Insbesondere können unter Bezugnahme auf die beigefügten Ansprüche Merkmale von abhängigen Ansprüchen mit jenen der unabhängigen Ansprüche kombiniert werden, und Merkmale entsprechender unabhängiger Ansprüche können in jeder geeigneten Weise und nicht lediglich in den konkreten Kombinationen kombiniert werden, die in den beigefügten Ansprüchen aufgezählt sind.

Claims (39)

  1. Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterbauelements, wobei das Verfahren umfasst: Bilden einer ersten Halbleiterregion; Bilden einer ersten Metallregion über der ersten Halbleiterregion; Platzieren eines ersten leitfähigen Streifens über einem ersten Abschnitt der ersten Metallregion, wobei der erste leitfähige Streifen über der ersten Halbleiterregion gebildet ist; Bonden eines Kontaktierungsabschnitts des ersten leitfähigen Streifens mit dem ersten Abschnitt der ersten Metallregion, um den ersten leitfähigen Streifen mit der ersten Metallregion elektrisch zu verbinden; und Bilden eines ersten leitfähigen Kontakts über der ersten Halbleiterregion, wobei das Bilden ein Ätzen eines zweiten Abschnitts der ersten Metallregion umfasst und wobei der erste leitfähige Streifen ein Ätzen des ersten Abschnitts der ersten Metallregion verhindert.
  2. Verfahren nach Anspruch 1, wobei das Bilden einer ersten Halbleiterregion das Bilden einer ersten Halbleiterregion auf einer Rückseite des Halbleiterbauelements umfasst, wobei die Rückseite so konfiguriert ist, dass sie während des normalen Betriebs der Sonne abgewandt ist.
  3. Verfahren nach Anspruch 1, ferner umfassend: Bilden einer zweiten Halbleiterregion auf einer Vorderseite des Halbleiterbauelements, wobei die Vorderseite so konfiguriert ist, dass sie während des normalen Betriebs der Sonne zugewandt ist; Bilden einer zweiten Metallregion über der zweiten Halbleiterregion; Platzieren eines zweiten leitfähigen Streifens über einem ersten Abschnitt der zweiten Metallregion, wobei der zweite leitfähige Streifen über der zweiten Halbleiterregion gebildet ist; Bonden eines Kontaktierungsabschnitts des zweiten leitfähigen Streifens mit dem ersten Abschnitt der zweiten Metallregion, um den zweiten leitfähigen Streifen mit der zweiten Metallregion elektrisch zu verbinden; und Bilden eines zweiten leitfähigen Kontakts über der zweiten Halbleiterregion, wobei das Bilden ein Ätzen eines zweiten Abschnitts der zweiten Metallregion umfasst und wobei der zweite leitfähige Streifen ein Ätzen des ersten Abschnitts der zweiten Metallkeimregion verhindert.
  4. Verfahren nach Anspruch 1, ferner umfassend: Bilden einer zweiten Halbleiterregion auf einer Rückseite des Halbleiterbauelements, wobei die Rückseite so konfiguriert ist, dass sie während des normalen Betriebs der Sonne abgewandt ist; Bilden einer zweiten Metallregion über der zweiten Halbleiterregion; Platzieren eines zweiten leitfähigen Streifens über einem ersten Abschnitt der zweiten Metallregion, wobei der zweite leitfähige Streifen über der zweiten Halbleiterregion gebildet ist; Bonden eines Kontaktierungsabschnitts des zweiten leitfähigen Streifens mit dem ersten Abschnitt der zweiten Metallregion, um den zweiten leitfähigen Streifen mit der zweiten Metallregion elektrisch zu verbinden; und Bilden eines zweiten leitfähigen Kontakts über der zweiten Halbleiterregion, wobei das Bilden ein Ätzen eines zweiten Abschnitts der zweiten Metallregion umfasst und wobei der zweite leitfähige Streifen ein Ätzen des ersten Abschnitts der zweiten Metallkeimregion verhindert.
  5. Verfahren nach Anspruch 1, wobei das Platzieren eines ersten leitfähigen Streifens über dem ersten Abschnitt der ersten Metallkeimregion das Platzieren eines ersten leitfähigen Drahts, Bandes oder Folienstreifens über dem ersten Abschnitt der ersten Metallregion umfasst.
  6. Verfahren nach Anspruch 1, wobei das Bonden eines Kontaktierungsabschnitts des ersten leitfähigen Streifens mit dem ersten Abschnitt der ersten Metallregion das Anlegen einer Kraft an einen Kontaktierungsabschnitt des ersten leitfähigen Streifens umfasst, um den ersten leitfähigen Streifen mit der ersten Metallregion elektrisch zu verbinden.
  7. Verfahren nach Anspruch 1, wobei das Bonden eines Kontaktierungsabschnitts des ersten leitfähigen Streifens mit dem ersten Abschnitt der ersten Metallregion das Verwenden eines Lasers zum elektrischen Verbinden des ersten leitfähigen Streifens mit der ersten Metallregion umfasst.
  8. Verfahren nach Anspruch 1, wobei das Bonden eines Kontaktierungsabschnitts des leitfähigen Streifens mit dem ersten Abschnitt der Metallregion ein Erwärmen eines Kontaktierungsabschnitts des leitfähigen Streifens umfasst, um den leitfähigen Streifen mit dem Metallkeimbereich elektrisch zu verbinden.
  9. Verfahren nach Anspruch 1, wobei das Bonden eines Kontaktierungsabschnitts des ersten leitfähigen Streifens mit dem ersten Abschnitt der ersten Metallregion ein Erwärmen eines leitfähigen Klebstoffs umfasst, der zwischen dem Kontaktierungsabschnitt des ersten leitfähigen Streifens und dem ersten Abschnitt der ersten Metallregion angeordnet ist, wobei das Erwärmen den ersten leitfähigen Streifen elektrisch mit der ersten Metallregion verbindet.
  10. Verfahren nach Anspruch 9, wobei das Erwärmen eines leitfähigen Klebstoffs, der zwischen dem Kontaktierungsabschnitt des ersten leitfähigen Streifens und dem ersten Abschnitt der ersten Metallregion angeordnet ist, das Erwärmen einer Lötpaste umfasst, die zwischen dem Kontaktierungsabschnitt des ersten leitfähigen Streifens und dem ersten Abschnitt der ersten Metallregion angeordnet ist.
  11. Verfahren nach Anspruch 1, wobei das Bilden eines ersten leitfähigen Kontakts auf der ersten Halbleiterregion das mindestens anteilige Ätzen des ersten leitfähigen Streifens umfasst.
  12. Verfahren nach Anspruch 1, wobei das Bilden einer ersten Metallregion über der ersten Halbleiterregion das Bilden von Aluminium über der ersten Halbleiterregion umfasst.
  13. Verfahren nach Anspruch 1, wobei das Platzieren eines ersten leitfähigen Streifens über dem ersten Abschnitt der ersten Metallregion das Ausrichten von Kupferdraht oder Aluminiumfolie über den ersten Abschnitt der ersten Metallregion umfasst.
  14. Verfahren nach Anspruch 1, wobei das Bilden eines ersten leitfähigen Kontakts auf dem ersten Halbleiterbauelement umfasst: Ätzen eines zweiten Abschnitts der ersten Metallregion, wobei das Ätzen durch die erste Metallregion mit einer ersten Dicke durchgeführt wird; und Ätzen des ersten leitfähigen Streifens mit einer zweiten Dicke, wobei die zweite Dicke größer als die erste Dicke ist und wobei der erste leitfähige Streifen das Ätzen des ersten Abschnitts der ersten Metallregion verhindert.
  15. Verfahren nach Anspruch 1, wobei das Bilden eines ersten leitfähigen Kontakts auf dem ersten Halbleiterbauelement umfasst: Ätzen eines zweiten Abschnitts der ersten Metallregion mit einem ersten Ätzmittel, wobei das erste Ätzmittel konfiguriert ist, durch den zweiten Abschnitt der ersten Metallregion zu ätzen; und Ätzen des ersten leitfähigen Streifens mit dem ersten Ätzmittel, wobei der erste leitfähige Streifen das Ätzen des ersten Abschnitts der ersten Metallregion verhindert.
  16. Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterbauelements, wobei das Verfahren umfasst: Bilden einer ersten und zweiten Halbleiterregion; Bilden einer ersten Metallregion über der ersten Halbleiterregion; Platzieren eines ersten beschichteten leitfähigen Streifens über einem ersten Abschnitt der ersten Metallregion, wobei der erste beschichtete leitfähige Streifen über der ersten Halbleiterregion gebildet ist; und Bonden eines Kontaktierungsabschnitts des ersten beschichteten leitfähigen Streifens mit dem ersten Abschnitt der ersten Metallregion, um den ersten beschichteten leitfähigen Streifen mit der ersten Metallregion elektrisch zu verbinden; und Bilden eines ersten leitfähigen Kontakts über der ersten Halbleiterregion, wobei das Bilden ein Ätzen eines zweiten Abschnitts der ersten Metallregion umfasst und wobei der erste beschichtete leitfähige Streifen ein Ätzen des ersten Abschnitts der ersten Metallregion verhindert.
  17. Verfahren nach Anspruch 16, wobei das Bilden einer ersten Halbleiterregion das Bilden einer ersten Halbleiterregion auf einer Rückseite des Halbleiterbauelements umfasst, wobei die Rückseite so konfiguriert ist, dass sie während des normalen Betriebs der Sonne abgewandt ist.
  18. Verfahren nach Anspruch 16, ferner umfassend: Bilden einer zweiten Halbleiterregion auf einer Vorderseite des Halbleiterbauelements, wobei die Vorderseite so konfiguriert ist, dass sie während des normalen Betriebs der Sonne zugewandt ist; Bilden einer zweiten Metallregion über der zweiten Halbleiterregion; Platzieren eines zweiten beschichteten leitfähigen Streifens über einem ersten Abschnitt der zweiten Metallregion, wobei der zweite beschichtete leitfähige Streifen über der zweiten Halbleiterregion gebildet ist; Bonden eines Kontaktierungsabschnitts des zweiten leitfähigen Streifens mit dem ersten Abschnitt der zweiten Metallregion, um den zweiten beschichteten leitfähigen Streifen mit der zweiten Metallregion elektrisch zu verbinden; und Bilden eines zweiten leitfähigen Kontakts über der zweiten Halbleiterregion, wobei das Bilden ein Ätzen eines zweiten Abschnitts der zweiten Metallregion umfasst und wobei eine Beschichtung des zweiten beschichteten leitfähigen Streifens ein Ätzen des ersten Abschnitts der zweiten Metallkeimregion verhindert.
  19. Verfahren nach Anspruch 16, ferner umfassend: Bilden einer zweiten Halbleiterregion auf einer Rückseite des Halbleiterbauelements, wobei die Rückseite so konfiguriert ist, dass sie während des normalen Betriebs der Sonne abgewandt ist; Bilden einer zweiten Metallregion über der zweiten Halbleiterregion; Platzieren eines zweiten beschichteten leitfähigen Streifens über einem ersten Abschnitt der zweiten Metallregion, wobei der zweite beschichtete leitfähige Streifen über der zweiten Halbleiterregion gebildet ist; Bonden eines Kontaktierungsabschnitts des zweiten leitfähigen Streifens mit dem ersten Abschnitt der zweiten Metallregion, um den zweiten beschichteten leitfähigen Streifen mit der zweiten Metallregion elektrisch zu verbinden; und Bilden eines zweiten leitfähigen Kontakts über der zweiten Halbleiterregion, wobei das Bilden ein Ätzen eines zweiten Abschnitts der zweiten Metallregion umfasst und wobei eine Beschichtung des zweiten beschichteten leitfähigen Streifens ein Ätzen des ersten Abschnitts der zweiten Metallkeimregion verhindert.
  20. Verfahren nach Anspruch 16, wobei das Platzieren eines ersten beschichteten leitfähigen Streifens über dem ersten Abschnitt der Metallregion das Platzieren eines beschichteten leitfähigen Drahts, eines beschichteten Bandes oder eines beschichteten Streifens aus Folie über dem ersten Abschnitt der ersten Metallregion umfasst.
  21. Verfahren nach Anspruch 16, wobei das Bilden eines ersten leitfähigen Kontakts auf dem ersten Halbleiterbauelement das mindestens anteilige Ätzen einer Beschichtung des ersten beschichteten leitfähigen Streifens umfasst.
  22. Verfahren nach Anspruch 16, wobei das Bilden eines ersten leitfähigen Kontakts auf dem ersten Halbleiterbauelement umfasst: Ätzen eines zweiten Abschnitts der ersten Metallregion; und Ätzen einer ersten Beschichtung des ersten beschichteten leitfähigen Streifens, um einen Metallstreifen freizulegen, wobei der Metallstreifen elektrisch mit dem ersten Abschnitt der ersten Metallregion verbunden ist.
  23. Verfahren nach Anspruch 16, wobei das Bilden eines ersten leitfähigen Kontakts auf dem ersten Halbleiterbauelement umfasst: Ätzen des zweiten Abschnitts der ersten Metallregion mit einem ersten Ätzmittel, wobei das erste Ätzmittel konfiguriert ist, durch den zweiten Abschnitt der ersten Metallregion zu ätzen; und Ätzen einer Beschichtung des ersten beschichteten leitfähigen Streifens mit dem ersten Ätzmittel, wobei die Beschichtung und die erste Metallregion im Wesentlichen dasselbe Metall umfassen und wobei das erste Ätzmittel zum Ätzen der Beschichtung und der ersten Metallregion konfiguriert ist.
  24. Verfahren nach Anspruch 16, wobei das Bilden eines ersten leitfähigen Kontakts auf dem ersten Halbleiterbauelement umfasst: Ätzen eines zweiten Abschnitts der ersten Metallregion; und Ätzen einer Beschichtung des ersten beschichteten leitfähigen Streifens, um einen Metallstreifen freizulegen, wobei die Beschichtung und die erste Metallregion im Wesentlichen dasselbe Metall umfassen und wobei das zweite Metall elektrisch mit dem ersten Abschnitt der ersten Metallregion verbunden ist.
  25. Verfahren nach Anspruch 16, wobei das Bilden eines ersten leitfähigen Kontakts auf dem ersten Halbleiterbauelement umfasst: Ätzen eines zweiten Abschnitts der ersten Metallregion, wobei die erste Metallregion Aluminium umfasst; und Ätzen einer Aluminiumbeschichtung des ersten beschichteten leitfähigen Streifens, um einen Metallstreifen freizulegen, wobei der Metallstreifen elektrisch mit dem ersten Abschnitt der ersten Metallregion verbunden ist.
  26. Verfahren nach Anspruch 16, wobei das Ausrichten des ersten beschichteten leitfähigen Streifens über einen ersten Abschnitt der ersten Metallregion das Ausrichten von beschichtetem Kupferdraht oder beschichteter Aluminiumfolie über einem ersten Abschnitt der ersten Metallregion umfasst.
  27. Verfahren nach Anspruch 16, wobei das Bilden eines ersten leitfähigen Kontakts auf dem ersten Halbleiterbauelement umfasst: Ätzen des zweiten Abschnitts der ersten Metallregion mit einer ersten Dicke; und Ätzen einer Beschichtung mit einer zweiten Dicke des ersten beschichteten leitfähigen Streifens, wobei die zweite Dicke im Wesentlichen gleich der ersten Dicke der ersten Metallregion ist und wobei das Ätzen einen elektrisch mit dem ersten Abschnitt der ersten Metallregion verbundenen Metallstreifen freilegt.
  28. Solarzelle, wobei die Solarzelle umfasst: eine erste Halbleiterregion; und einen ersten Metallkontaktfinger, der über der ersten Halbleiterregion angeordnet ist, wobei der erste Metallkontaktfinger umfasst: eine erste Metallregion, die über der ersten Halbleiterregion angeordnet ist; und einen ersten beschichteten leitfähigen Streifen, der über mindestens einem Abschnitt der ersten Metallregion angeordnet ist, wobei der erste beschichtete leitfähige Streifen über der ersten Halbleiterregion gebildet ist.
  29. Solarzelle nach Anspruch 28, wobei die erste Halbleiterregion auf der Rückseite der Solarzelle gebildet ist.
  30. Solarzelle nach Anspruch 28, wobei der erste beschichtete leitfähige Streifen im Wesentlichen dasselbe Metall wie die erste Metallregion umfasst.
  31. Solarzelle nach Anspruch 28, wobei die erste Metallregion Aluminium umfasst.
  32. Solarzelle nach Anspruch 28, wobei der erste beschichtete leitfähige Streifen einen Metallstreifen mit einer Aluminiumbeschichtung umfasst.
  33. Solarzelle nach Anspruch 32, wobei der Metallstreifen ein Kupferdraht ist.
  34. Solarzelle nach Anspruch 28, wobei eine Beschichtung des ersten beschichteten leitfähigen Streifens eine erste Dicke aufweist, die ungefähr gleich einer zweiten Dicke der ersten Metallregion ist.
  35. Solarzelle nach Anspruch 28, wobei der erste beschichtete leitfähige Streifen mindestens teilweise beschichtet ist.
  36. Solarzelle nach Anspruch 28, wobei der erste beschichtete leitfähige Streifen im Wesentlichen parallel zur ersten Halbleiterregion platziert ist.
  37. Solarzelle nach Anspruch 28, ferner umfassend: eine zweite Halbleiterregion; und einen zweiten Metallkontaktfinger, der über der zweiten Halbleiterregion angeordnet ist, wobei der zweite Metallkontaktfinger umfasst: eine zweite Metallregion, die über der zweiten Halbleiterregion angeordnet ist; und einen zweiten beschichteten leitfähigen Streifen, der über der zweiten Metallregion angeordnet ist, wobei der zweite beschichtete leitfähige Streifen über der zweiten Halbleiterregion platziert ist.
  38. Solarzelle nach Anspruch 28, wobei der erste beschichtete leitfähige Streifen ein beschichteter Draht oder eine beschichtete Metallfolie ist.
  39. Solarzelle nach Anspruch 28, wobei der erste beschichtete leitfähige Streifen ein beschichteter Kupferdraht oder eine beschichtete Aluminiumfolie ist.
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