DE112015004962T5 - Anschlusspassstück und Verbinder - Google Patents

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Abstract

Die vorliegende Erfindung zielt darauf ab, ein Anschlusspassstück (10) zur Verfügung zu stellen, welches eine kleinere Anschlusseinsetzkraft als früher aufweist. Das Anschlusspassstück (1) beinhaltet ein Grund- bzw. Trägermaterial (2), welches aus einem Metallmaterial hergestellt ist, und eine plattierende Beschichtung (3), welche eine Oberfläche des Grundmaterials (2) belegt. Die plattierende Beschichtung (3) enthält eine Sn Mutterphase (311) und auf Sn-Pd basierende Partikel (312), welche in der Sn Mutterphase (311) verteilt sind, und beinhaltet eine äußerste Schicht (31), welche eine äußere Oberfläche aufweist, in welcher die Sn Mutterphase (311) und die auf Sn-Pd basierenden Partikel (312) vorhanden sind. Weiter beträgt die Anzahl der auf Sn-Pd basierenden Partikel (312), welche in der äußeren Oberfläche der plattierenden Beschichtung (3) in einem Zustand vorhanden sind, wo nur die Sn Mutterphase (311) entfernt ist, 10 bis 400/500 μm2.

Description

  • Technisches Gebiet
  • Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf ein Anschlusspassstück und auf einen Verbinder.
  • Stand der Technik
  • Ein Anschlusspassstück, welches ein Grund- bzw. Trägermaterial, welches aus einer Cu (Kupfer) Legierung hergestellt ist, und eine Sn (Zinn) plattierende bzw. Plattierbeschichtung beinhaltet, welche Oberflächen des Grundmaterials bedeckt, ist als ein Anschlusspassstück bekannt, welches für die Verbindung bzw. den Anschluss einer elektrischen Schaltung verwendet wird. Anschlusspassstücke treten in verschiedenen Arten auf, wie beispielsweise als Einpasstyp-Anschlüsse, welche auf Enden von Drähten zu crimpen sind, und Plattenanschlüsse, welche auf Leiterplatten zu montieren sind. Diese Anschlusspassstücke können einzeln verwendet werden oder können verwendet werden, indem sie in Verbinder aufgenommen bzw. eingebaut sind.
  • Ein Anschlussmaterial, in welchem eine Ni (Nickel) Plattierschicht, eine Cu Plattierschicht und eine Sn Plattierschicht aufeinanderfolgend auf eine Oberfläche eines Cu Legierungs-Basismaterials laminiert sind bzw. werden, wird häufig als ein Anschlussmaterial verwendet, welches für Anschlusspassstücke verwendet wird (Patentliteratur 1). Jedoch ist, da der Anschluss, welcher in der Patentliteratur 1 beschrieben ist, eine relativ weiche Sn Plattierschicht auf der Oberfläche beinhaltet, ein Reibungskoeffizient hoch, wobei dies ein Problem darstellt, dass eine Einsetzkraft groß zu der Zeit einer Verbindung mit einem zusammenpassenden bzw. abgestimmten Anschluss ist. Insbesondere wird in dem Fall eines Verwendens des Anschlusses durch ein Aufnehmen des Anschlusses in einen Verbinder eine mehrpolige Struktur, welche eine Mehrzahl von Anschlüssen verwendet, in vielen Fällen eingesetzt, weshalb eine Anschlusseinsetzkraft zu einem Ansteigen tendiert, wenn bzw. da die Anzahl der Anschlüsse ansteigt.
  • Um dieses Problem zu lösen, haben die vorliegenden Erfinder eine Technik eines Ausbildens einer eine Legierung enthaltenden Schicht vorgeschlagen, welche aus Sn und Pd (Palladium) hergestellt ist und eine Sn-Pd Legierung auf einem Basismaterial enthält, welche aus Kupfer oder einer Kupferlegierung hergestellt ist (Patentliteratur 2). Ein plattierter Anschluss eines Verbinders, welcher eine derartige Konfiguration aufweist, kann eine Anschlusseinsetzkraft zu der Zeit einer Verbindung mit einem zusammenpassenden Anschluss mehr als früher reduzieren.
  • Literaturliste
  • Patentliteratur
    • Patentliteratur 1: Japanische nicht geprüfte Patentveröffentlichung Nr. 2003-147579
    • Patentliteratur 2: Internationale Veröffentlichung Nr. 2013/168764
  • Zusammenfassung der Erfindung
  • Technisches Problem
  • Als ein Resultat von wiederholten Untersuchungen haben die vorliegenden Erfinder herausgefunden, dass eine Anschlusseinsetzkraft weiter in einem Anschlusspassstück reduziert werden könnte, welches eine eine Legierung enthaltende Schicht beinhaltet, welche eine Sn-Pd Legierung enthält. Spezifisch zielt die vorliegende Erfindung darauf ab, ein Anschlusspassstück zur Verfügung zu stellen, welches eine kleinere Anschlusseinsetzkraft als früher aufweist, indem die Anzahl von Partikeln bzw. Teilchen geregelt bzw. gesteuert wird, welche aus einer auf Sn-Pd basierenden Legierung hergestellt sind.
  • Lösung für das Problem
  • Ein Aspekt der vorliegenden Erfindung ist auf ein Anschlusspassstück gerichtet, mit einem Grund- bzw. Trägermaterial, welches aus einem Metallmaterial hergestellt ist, und einer plattierenden Beschichtung, welche eine Oberfläche des Grundmaterials abdeckt, wobei die plattierende Beschichtung eine Sn Mutter- bzw. Grundphase und auf Sn-Pd basierende Partikel bzw. Teilchen enthält, welche in der Sn Mutterphase verteilt sind, und eine äußerste Schicht einschließt, welche eine äußere Oberfläche aufweist, in welcher die Sn Mutterphase und die auf Sn-Pd basierenden Partikel vorhanden sind, und die Anzahl der auf Sn-Pd basierenden Partikel, welche in der äußeren Oberfläche der plattierenden Beschichtung in einem Zustand vorhanden sind, wo nur die Sn Mutterphase entfernt ist, 10 bis 400/500 μm2 beträgt.
  • Ein anderer Aspekt der vorliegenden Erfindung ist auf einen Verbinder mit dem obigen Anschlusspassstück und einem Gehäuse für ein Halten des Anschlusspassstücks gerichtet.
  • Effekte der Erfindung
  • Das obige Anschlusspassstück schließt die äußerste bzw. am weitesten außen liegende Schicht ein, welche die auf Sn-Pd basierenden Partikel bzw. Teilchen enthält. Die Anzahl der auf Sn-Pd basierenden Partikel, welche in der äußeren Oberfläche der plattierenden Beschichtung bzw. Plattierbeschichtung in dem Zustand vorhanden sind, wo nur die Sn Mutter- bzw. Grundphase entfernt ist, beträgt 10 bis 400/500 μm2. Das obige Anschlusspassstück kann weiter einen Reibungskoeffizienten im Vergleich mit konventionellen Anschlüssen reduzieren und kann dementsprechend eine Anschlusseinsetzkraft reduzieren. Dies ist klar aus Beispielen und Vergleichsbeispielen, welche später beschrieben werden.
  • Weiter kann, da der obige Verbinder das obige Anschlusspassstück beinhaltet, eine Einsetzkraft zu der Zeit eines Verbindens mit einem zusammenpassenden bzw. abgestimmten Verbinder reduziert werden.
  • Kurze Beschreibung der Zeichnungen
  • 1 ist eine Draufsicht auf ein Anschlusspassstück in einer Ausführungsform,
  • 2 ist ein Schnitt entlang von II-II von 1,
  • 3 zeigt ein SEM Bild, welches durch ein Betrachten einer Oberfläche des Anschlusspassstücks in einem Zustand erhalten wird, wo eine Sn Mutterphase entfernt ist,
  • 4 ist eine Vorderansicht eines Verbinders mit Anschlusspassstücken in der Ausführungsform,
  • 5 ist ein Schnitt entlang von V-V von 4,
  • 6 ist eine Draufsicht auf einen Anschluss-Zwischenkörper in der Ausführungsform,
  • 7 zeigt ein SEM Bild, welches durch ein Betrachten einer Oberfläche einer Probe C1 in einem Zustand erhalten wird, wo eine Sn Mutterphase in einem experimentellen Beispiel entfernt ist,
  • 8 ist ein Graph, welcher ein Resultat eines Reibungstests in dem experimentellen Beispiel zeigt,
  • 9 ist ein Graph, welcher maximale Werte von dynamischen Reibungskoeffizienten in 8 aufzeichnet bzw. darstellt, und
  • 10 ist ein Graph, welcher ein Resultat einer Wärme- bzw. Hitzewiderstandsauswertung bzw. -beurteilung in dem experimentellen Beispiel zeigt.
  • Ausführungsform der Erfindung
  • In dem obigen Anschlusspassstück kann das Grund- bzw. Trägermaterial aus verschiedenen leitenden bzw. leitfähigen Metallen ausgewählt werden. Beispielsweise können Cu, Al (Aluminium), Fe (Eisen) und Legierungen, welche diese Metalle enthalten, als das Grundmaterial verwendet werden. Weiter kann das Grundmaterial hergestellt werden, indem geeignet bzw. entsprechend eine Kombination eines Schneidens, Stanzens und Pressformens an einem Drahtmaterial, einem Plattenmaterial oder dgl. angewandt wird, welche aus dem obigen Metall als ein Material hergestellt sind.
  • Die plattierende Beschichtung, welche die Oberfläche des Grundmaterials bedeckt, schließt die äußerste bzw. am weitesten außen liegende Schicht ein, welche die Sn Mutter- bzw. Grundphase und die auf Sn-Pd basierenden Partikel bzw. Teilchen enthält. Die auf Sn-Pd basierenden Partikel sind in einer verteilten Weise in der Sn Mutterphase vorhanden und einige von ihnen sind auf der äußeren Oberfläche der plattierenden Beschichtung freigelegt. Weiter ist bzw. wird die Sn Mutterphase auf verbleibenden Teilen der äußeren Oberfläche der plattierenden Beschichtung freigelegt. Es ist festzuhalten, dass ein natürlicher Oxidfilm aus Sn oder dgl. auf der äußeren Oberfläche der äußersten Schicht bis zu einem derartigen Ausmaß gebildet werden kann, um nicht nachteilig Effekte eines Reduzierens der Anschlusseinsetzkraft und eines Verbesserns einer Lot- bzw. Lötbenetzbarkeit zu beeinflussen.
  • Die Sn Stamm- bzw. Mutterphase ist eine Phase, welche Sn als eine Hauptkomponente enthält. Hier bedeutet die Hauptkomponente ein Element, welches am meisten in einem Atomverhältnis von allen Elementen enthalten ist, welche in der Sn Mutterphase enthalten sind. Die Sn Mutterphase enthält möglicherweise Pd, welches nicht in die auf Sn-Pd basierenden Partikel aufgenommen ist, Elemente, welche das Grundmaterial darstellen bzw. ausbilden, Elemente, welche eine innere Schicht bzw. Schicht darstellen bzw. ausbilden, welche später zu beschreiben ist, unvermeidbare Verunreinigungen und dgl. neben Sn als der Hauptkomponente.
  • Die auf Sn-Pd basierenden Partikel sind Partikel, welche aus einer Legierung hergestellt sind, welche im Wesentlichen bzw. hauptsächlich Sn und Pd, wie beispielsweise PdSn4 enthält. Die auf Sn-Pd basierenden Partikel enthalten möglicherweise Elemente, welche das Grundmaterial darstellen, Elemente, welche die innere Schicht darstellen bzw. aufbauen, welche später zu beschreiben ist, unvermeidbare Verunreinigungen und dgl. neben Sn und Pd als wesentlichen bzw. hauptsächlichen Komponenten.
  • Der Gehalt an Pd in der äußersten Schicht kann eingestellt bzw. festgelegt werden, um unter 20 Atom% zu sein bzw. zu liegen, wenn die Summe von Sn und Pd 100 Atom% ist. Der Gehalt an Pd kann eingestellt bzw. festgelegt werden, um vorzugsweise unter 20 Atom%, bevorzugter 15 Atom% oder weniger, weiter bevorzugt 10 Atom% oder weniger und noch bevorzugter 7 Atom% oder weniger im Hinblick auf eine Einfachheit zu betragen, um die Stabilität eines Kontaktwiderstands und dgl. sicherzustellen. Es ist festzuhalten, dass der Gehalt an Pd eingestellt bzw. festgelegt werden kann, um vorzugsweise 1 Atom% oder mehr, bevorzugter 2 Atom% oder mehr, weiter bevorzugt 3 Atom% oder mehr oder noch bevorzugter 4 Atom% oder mehr im Hinblick auf eine Unterstützung bzw. Förderung einer stabilen Erzeugung von intermetallischen Zusammensetzungen, wie beispielsweise PdSn4, zu sein bzw. zu betragen, welche zu einer Reduktion des Reibungskoeffizienten beitragen.
  • Die plattierende Beschichtung enthält 10 bis 400 auf Sn-Pd basierende Partikel pro 500 μm2 in der äußeren Oberfläche in dem Zustand, wo nur die Sn Mutterphase entfernt ist. Das Anschlusspassstück, welches die auf Sn-Pd basierenden Partikel innerhalb des obigen spezifischen Bereichs enthält, kann die Verformung und ein Eingraben der Sn Mutterphase, eine Anhaftung an einen Sn Plattierfilm des zusammenpassenden bzw. abgestimmten Anschlusses oder dgl. aufgrund des Vorhandenseins der auf Sn-Pd basierenden Partikel unterdrücken, welche härter als die Sn Mutterphase sind. Als ein Resultat kann der Reibungskoeffizient zu der Zeit einer Verbindung mit dem zusammenpassenden Anschluss mehr als bei konventionellen Anschlüssen reduziert werden und dementsprechend kann die Anschlusseinsetzkraft mehr reduziert werden.
  • Wenn die Anzahl der auf Sn-Pd basierenden Partikel in dem obigen Zustand niedriger als 10/500 μm2 ist, ist ein Effekt eines Reduzierens des Reibungskoeffizienten durch die auf Sn-Pd basierenden Partikel unzureichend. Somit ist bzw. wird, um einen ausreichenden Effekt eines Reduzierens des Reibungskoeffizienten zu erhalten, die Anzahl der auf Sn-Pd basierenden Partikel in dem obigen Zustand eingestellt bzw. festgelegt, um 10/500 μm2 oder mehr zu sein bzw. zu betragen. Aus derselben Perspektive ist die Anzahl der auf Sn-Pd basierenden Partikel vorzugsweise 100/500 μm2 oder mehr und bevorzugter 150/500 μm2 oder mehr.
  • Andererseits ist, wenn die Anzahl der auf Sn-Pd basierenden Partikel 400/500 μm2 überschreitet, die Sn Mutterphase, welche in der äußersten Schicht vorhanden ist, unzureichend, weshalb eine elektrische Verbindung mit dem zusammenpassenden Anschluss nicht ausreichend gebildet wird und ein Anstieg des Kontaktwiderstands bewirkt werden kann. Somit ist, um einen ausreichenden Effekt eines Reduzierens des Reibungskoeffizienten zu erhalten, die Anzahl der auf Sn-Pd basierenden Partikel in dem obigen Zustand eingestellt bzw. festgelegt, um 400/500 μm2 oder weniger zu sein bzw. zu betragen. Aus derselben Perspektive ist die Anzahl der auf Sn-Pd basierenden Partikel vorzugsweise 300/500 μm2 oder weniger, bevorzugter 250/500 μm2 oder weniger und weiter bevorzugt 200/500 μm2 oder weniger.
  • Ein Verfahren für ein selektives Ätzen nur der Sn Mutterphase ohne ein Ätzen der auf Sn-Pd basierenden Partikel kann als ein Verfahren für ein Entfernen lediglich der Sn Mutterphase in der äußersten Schicht bzw. Schicht verwendet werden. In diesem Fall kann eine wässrige Lösung, welche durch ein Lösen von Natriumhydroxid und p-Nitrophenol in destilliertem Wasser oder dgl. erhalten wird, beispielsweise als eine Ätzlösung verwendet werden.
  • Das Flächenbesetzungsverhältnis der auf Sn-Pd basierenden Partikel, welche in der äußeren Oberfläche der plattierenden Beschichtung in dem Zustand vorhanden sind, wo nur die Sn Mutterphase entfernt ist bzw. wird, ist bzw. beträgt vorzugsweise 50 bis 80%. Der Reibungskoeffizient kann weiter reduziert werden, indem das Flächenbesetzungsverhältnis innerhalb des obigen spezifischen Bereichs zusätzlich zu einem Einstellen bzw. Festlegen der Anzahl der auf Sn-Pd basierenden Partikel innerhalb des spezifischen Bereichs eingestellt bzw. festgelegt wird. Weiter kann durch ein Festlegen des Flächenbesetzungsverhältnisses innerhalb des obigen spezifischen Bereichs der Kontaktwiderstand zwischen dem Anschlusspassstück und dem zusammenpassenden Anschluss reduziert werden.
  • Die plattierende Beschichtung kann die innere Schicht bzw. Schicht beinhalten, welche zwischen dem Grundmaterial und der äußersten Schicht vorgesehen bzw. vorhanden ist und eine Zusammensetzung verschieden von der äußersten Schicht aufweist. Durch ein Bereitstellen der inneren Schicht ist es möglich, Funktionen und Effekte, wie beispielsweise die Unterdrückung des Auftretens eines Wölbens und eines Abschälens durch ein Verbessern eines unmittelbaren bzw. engen Kontakts zwischen der plattierenden Beschichtung und dem Grundmaterial oder die Unterdrückung einer Verteilung bzw. eines Eindringens des Metalls des Grundmaterials zu der äußersten Schicht zu erhalten.
  • Die Zusammensetzung der inneren Schicht kann geeignet bzw. entsprechend gemäß dem Material des Grundmaterials und Funktionen und Effekten gewählt werden, welche zu erhalten gewünscht werden. Weiter kann die innere Schicht aus nur einer Metallschicht bestehen oder kann aus zwei oder mehr Metallschichten bestehen, welche wechselweise unterschiedliche Zusammensetzungen aufweisen. Beispielsweise können, wenn das Grundmaterial aus Cu oder einer Cu Legierung hergestellt ist, Funktionen und Effekte, wie beispielsweise eine Verbesserung eines unmittelbaren Kontakts und die Dispersion bzw. Verteilung des Metalls des Grundmaterials, welche oben beschrieben ist, erhalten werden, indem die innere Schicht aus Ni (Nickel) oder einer Ni Legierung gebildet wird.
  • Die innere Schicht beinhaltet vorzugsweise eine Ni-Sn Schicht, welche eine Dicke von 0,4 μm aufweist. In diesem Fall kann die Dispersion bzw. das Eindringen des Metalls des Grundmaterials zu der äußersten Schicht effektiv bzw. wirksam durch das Vorhandensein der Ni-Sn Schicht unterdrückt werden. Als ein Resultat kann ein Effekt eines Verbesserns eines Wärme- bzw. Hitzewiderstands erhalten werden und es können beispielsweise Probleme, wie beispielsweise ein Anstieg des Kontaktwiderstands, welcher durch die Dispersion des Metalls des Grundmaterials bewirkt wird, unterdrückt werden. Es ist festzuhalten, dass eine Dicke der Ni-Sn Schicht eine durchschnittliche Dicke der Ni-Sn Schicht ist, welche in einem Gebiet bzw. Feld beobachtet wird, wenn ein Querschnitt der plattierenden Beschichtung unter einer Vergrößerung von 2000 unter Verwendung eines Elektronenmikroskops beobachtet bzw. betrachtet wird.
  • Das obige Anschlusspassstück kann als ein Einpasstyp-Anschluss, ein Plattenanschluss und dgl. konfiguriert bzw. ausgebildet sein, welcher eine bekannte Form bzw. Gestalt aufweist. Der Einpasstyp-Anschluss beinhaltet einen elektrischen Kontaktabschnitt bzw. Abschnitt eines elektrischen Kontakts, welcher konfiguriert ist, um einen zusammenpassenden Anschluss zu kontaktieren, und einen Rohr- bzw. Trommelabschnitt, welcher auf einen Draht zu crimpen ist. In dem Fall eines Konfigurierens des obigen Anschlusspassstücks als ein Einpasstyp-Anschluss kann der Effekt eines Reduzierens der Anschlusseinsetzkraft durch eine plattierende Beschichtung gezeigt werden, wenn wenigstens der elektrische Kontaktabschnitt die plattierende Beschichtung beinhaltet. Weiter kann in einem Einpasstyp-Anschlusspaar, welches aus einem aufzunehmenden bzw. Steckeranschluss und einem aufnehmenden bzw. Buchsenanschluss besteht, der Effekt eines Reduzierens der Anschlusseinsetzkraft gezeigt werden, wenn wenigstens ein Anschluss das obige Anschlusspassstück ist, welches die plattierende Beschichtung aufweist, und es kann die Anschlusseinsetzkraft weiter bzw. mehr reduziert werden, wenn die beiden Anschlüsse die obigen Anschlusspassstücke sind.
  • In dem Fall eines Konfigurierens des obigen Anschlusspassstücks als ein Plattenanschluss kann das Anschlusspassstück verwendet werden, indem es mit einer Leiterplatte verbunden wird, während es in einem Gehäuse gehalten ist bzw. wird, oder es kann verwendet werden, indem es direkt mit der Leiterplatte verbunden bzw. an diese angeschlossen wird. In dem ersteren Fall wird, da eine Mehrzahl von Anschlusspassstücken normalerweise in dem Gehäuse gehalten ist bzw. wird, ein Anstieg der Einsetzkraft, welcher mit einem Anstieg in der Anzahl der Anschlüsse assoziiert bzw. verbunden ist, leicht zu der Zeit einer Verbindung mit einem zusammenpassenden Verbinder unterdrückt. Somit kann der oben erwähnte Effekt eines Reduzierens der Einsetzkraft ausreichend gezeigt werden.
  • Weiter beinhaltet das Anschlusspassstück, welches als ein Plattenanschluss konfiguriert ist, integral bzw. einstückig einen einen Anschluss verbindenden Abschnitt bzw. Anschlussverbindungsabschnitt, welcher elektrisch mit einem zusammenpassenden bzw. abgestimmten Anschluss zu verbinden ist, einen eine Platte verbindenden Abschnitt bzw. Plattenverbindungsabschnitt, welcher elektrisch mit einer Leiterplatte zu verbinden ist, und einen zwischenliegenden Abschnitt, welcher zwischen dem Anschlussverbindungsabschnitt und dem Plattenverbindungsabschnitt vorhanden ist, und es sind bzw. werden wenigstens der Anschlussverbindungsabschnitt und der Plattenverbindungsabschnitt mit der plattierenden Beschichtung bedeckt.
  • Der Plattenanschluss ist bzw. wird normalerweise durch ein Pressbearbeiten eines Plattenmaterials und ein Stanzen des Plattenmaterials in eine Anschlussform bzw. -gestalt hergestellt. Somit ist bzw. wird in dem Fall eines Verwendens eines Plattenmaterials, welches eine Plattierung vorab aufgebracht bzw. angewandt aufweist, ein Basismaterial auf einer Bruchoberfläche freigelegt, welche durch ein Pressbearbeiten gebildet wird. Das Basismaterial, welches auf der Bruchoberfläche auf diese Weise freigelegt wird, kann zu einer Reduktion einer Lotbenetzbarkeit mit dem Resultat führen, dass eine Verbindungszuverlässigkeit bei einem Verbinden bzw. Anschließen des Plattenverbindungsabschnitts und der Leiterplatte durch eine Lot- bzw. Lötverbindung reduziert werden kann. Im Gegensatz dazu kann, da die plattierende Beschichtung nach einem Pressbearbeiten in dem obigen Anschlusspassstück ausgebildet werden kann, eine Reduktion einer Lotbenetzbarkeit, welche durch die Freilegung des Basismaterials bewirkt wird, vermieden werden.
  • Wie dies soeben beschrieben wurde, weist die plattierende Beschichtung eine gute Lotbenetzbarkeit auf und kann den Reibungskoeffizienten während einer gleitenden Bewegung aufgrund des Vorhandenseins der Sn-Pd Basispartikel reduzieren. Somit kann eine Verbindungszuverlässigkeit bei einem Verbinden des Anschlusspassstücks mit der Leiterplatte durch eine Lot- bzw. Lötmittelverbindung weiter verbessert bzw. gesteigert werden, indem die plattierenden Beschichtungen sowohl auf dem Anschlussverbindungsabschnitt als auch auf dem Plattenverbindungsabschnitt vorgesehen sind bzw. werden. Weiter können die plattierenden Beschichtungen aus demselben Material sowohl auf dem Anschlussverbindungsabschnitt als auch auf dem Plattenverbindungsabschnitt vorgesehen werden und es ist nicht notwendig, getrennt eine Plattierung auf den beiden aufzubringen. Somit kann ein Kostenanstieg aufgrund eines Anstiegs in der Anzahl von plattierenden Vorgängen unterdrückt werden. Es ist festzuhalten, dass der zwischenliegende Abschnitt mit der plattierenden Beschichtung bedeckt sein bzw. werden kann oder nicht bedeckt sein kann.
  • Der Plattenverbindungsabschnitt kann einen Presspassabschnitt beinhalten, welcher konfiguriert ist, um in ein Durchtrittsloch der Leiterplatte pressgepasst zu werden und eine elektrische Verbindung mit der Leiterplatte über einen leitenden bzw. leitfähigen Abschnitt auszubilden, welcher in dem Durchtrittsloch vorgesehen ist. Spezifisch kann das Anschlusspassstück als ein Presspassanschluss konfiguriert bzw. ausgebildet sein und der Presspassabschnitt kann mit der plattierenden Beschichtung abgedeckt sein. Der Presspassanschluss ist konfiguriert bzw. aufgebaut, um rückstellfähig den Presspassabschnitt und den leitenden Abschnitt in Kontakt zu bringen, um eine elektrische Verbindung durch ein Presspassen des Presspassabschnitts in das Durchtrittsloch zu bilden. Durch ein Bereitstellen der plattierenden Beschichtung auf dem Presspassabschnitt kann ein Reibungskoeffizient bei einem Presspassen des Presspassabschnitts in das Durchtrittsloch reduziert werden und das Schleifen bzw. Schaben, Abschälen und dgl. der plattierenden Beschichtung auf dem Presspassabschnitt kann unterdrückt werden. Auf diese Weise kann eine gute elektrische Verbindung zwischen dem Presspassabschnitt und der Leiterplatte ausgebildet werden.
  • Weiter kann der obige Verbinder eine Mehrzahl der obigen Anschlusspassstücke beinhalten. Da das obige Anschlusspassstück einen niedrigen Reibungskoeffizienten aufgrund des Vorhandenseins der plattierenden Beschichtung aufweist, wie dies oben beschrieben ist, kann eine Verbindungskraft, welche gemäß einer Erhöhung in der Anzahl der Anschlüsse erhöht wird, effektiv reduziert werden. Somit kann in diesem Fall der Verbinder mit dem zusammenpassenden Verbinder mit einer niedrigen Verbindungskraft verbunden werden.
  • Ausführungsform
  • (Ausführungsform)
  • Eine Ausführungsform des obigen Anschlusspassstücks wird unter Verwendung der Zeichnungen beschrieben. Wie dies in 1 und 2 gezeigt ist, beinhaltet ein Anschlusspassstück 1 ein Grund- bzw. Trägermaterial 2, welches aus einem metallischen bzw. Metallmaterial hergestellt ist, und eine plattierende Beschichtung 3, welche Oberflächen des Grundmaterials 2 bedeckt. Wie dies in 2 gezeigt ist, enthält die plattierende Beschichtung 3 eine Sn Mutterphase 311 und auf Sn-Pd basierende Partikel bzw. Teilchen 312, welche in der Sn Mutterphase 311 verteilt sind, und weist eine am weitesten außen liegende bzw. äußerste Schicht bzw. Schicht 31 auf, welche eine äußere Oberfläche aufweist, in welcher die Sn Mutterphase 311 und die auf Sn-Pd basierenden Partikel 312 vorhanden sind. Weiter ist die Anzahl der auf Sn-Pd basierenden Partikel 312, welche in der äußeren Oberfläche der plattierenden Beschichtung 3 in einem Zustand vorhanden sind, wo nur die Sn Mutterphase 311 entfernt ist bzw. wird (siehe 3), 10 bis 400/500 μm2.
  • Wie dies in 1, 4 und 5 gezeigt ist, beinhaltet das Anschlusspassstück 1 integral bzw. einstückig einen einen Anschluss verbindenden Abschnitt bzw. Anschlussverbindungsabschnitt 11, welcher elektrisch mit einem zusammenpassenden bzw. abgestimmten Anschluss (nicht gezeigt) zu verbinden ist, einen eine Platte verbindenden bzw. Plattenverbindungsabschnitt 12, welcher elektrisch mit einer Leiterplatte 5 zu verbinden ist, und einen zwischenliegenden Abschnitt 13, welcher zwischen dem den Anschluss verbindenden Abschnitt 11 und dem die Platte verbindenden Abschnitt 12 vorhanden ist. Die gesamten Oberflächen wenigstens des den Anschluss verbindenden Abschnitts 11 und des die Platte verbindenden Abschnitts 12 sind bzw. werden mit der plattierenden Beschichtung 3 beschichtet bzw. bedeckt.
  • Weiter ist das Anschlusspassstück 1 dieser Ausführungsform als ein Presspassanschluss konfiguriert bzw. aufgebaut. Spezifisch beinhaltet, wie dies in 1 und 5 gezeigt ist, der die Platte verbindende Abschnitt 12 einen Presspassabschnitt 121, welcher in ein Durchtrittsloch 51 der Leiterplatte 5 presszupassen ist und eine elektrische Verbindung mit der Leiterplatte 5 über einen leitenden bzw. leitfähigen Abschnitt 52 ausbildet, welcher in dem Durchtrittsloch 51 vorgesehen ist. Die detailliertere Konfiguration des Anschlusspassstücks 1 wird gemeinsam mit einem Herstellungsverfahren beschrieben.
  • In diesem Beispiel wurde ein Anschluss-Zwischenkörper 10, welcher in 6 gezeigt ist, durch ein Pressbearbeiten eines Barren- bzw. Stangenmaterials hergestellt, welches aus einer Cu Legierung hergestellt ist. In dem Anschluss-Zwischenkörper 10 ist eine Mehrzahl von stab- bzw. stangenartigen Anschlussabschnitten 11 parallel zueinander angeordnet und benachbarte Anschlussabschnitte 101 sind bzw. werden über einen Träger 102 verbunden. Wie dies später beschrieben ist, bildet der Anschlussabschnitt 101 den Presspassabschnitt 121, wird von dem Träger 102 abgeschnitten und wird das Anschlusspassstück 1, nachdem ein Plattieren durchgeführt wird.
  • Nachfolgend wurde ein Elektroplattieren auf der gesamten Oberfläche des Anschluss-Zwischenkörpers 10 angewandt und ein Ni Plattierfilm, ein Pd Plattierfilm und ein Sn Plattierfilm wurden aufeinanderfolgend auf der Oberfläche laminiert. Dicken des Ni Plattierfilms, Pd Plattierfilms und Sn Plattierfilms können jeweils entsprechend bzw. geeignet innerhalb von Bereichen von 0,5 bis 2 μm, 0,01 bis 0,1 μm und 0,5 bis 3 μm gewählt sein bzw. werden. Weiter können diese Bedingungen eines Elektroplattierens geeignet bzw. entsprechend aus konventionell bekannten Bedingungen ausgewählt werden. In diesem Beispiel wurden die Dicken des Ni Plattierfilms, des Pd Plattierfilms und des Sn Plattierfilms jeweils auf 1 μm, 0,02 μm und 1 μm eingestellt bzw. festgelegt.
  • Nachdem das Elektroplattieren angewandt wurde, wurde der Anschluss-Zwischenkörper 10 erhitzt bzw. erwärmt, um einen Reflow-Prozess durchzuführen, wodurch die plattierende Beschichtung 3 ausgebildet wird. Eine Heiztemperatur in dem Reflow-Prozess kann geeignet bzw. entsprechend innerhalb eines Bereichs von 230 bis 400°C gewählt werden. In dieser Ausführungsform wurde der Anschluss-Zwischenkörper 10 auf eine Temperatur von 350°C für einen Reflow von Ni, Sn und Pd erhitzt bzw. erwärmt. Auf diese Weise wurde die plattierende Beschichtung 3, welche aus einer inneren Schicht bzw. Schicht 32 und der äußersten Schicht bzw. Schicht 31 bestand, auf dem Grundmaterial 2 ausgebildet, wie dies in 2 gezeigt ist.
  • Die innere Schicht 32 dieses Beispiels bestand aus einer Ni Schicht 321 in Kontakt mit dem Grundmaterial 2 und einer Ni-Sn Schicht 322 in Kontakt mit der Ni Schicht 321. Es ist festzuhalten bzw. anzumerken, dass die Ni-Sn Schicht 322 eine Schicht ist, welche durch ein Legieren eines Teils des Ni Plattierfilms und eines Teils des Sn Plattierfilms gebildet wird. Dicken der Ni Schicht 321 und der Ni-Sn Schicht 322 waren 0,8 μm bzw. 0,58 μm.
  • Die äußerste Schicht 31 enthält die Sn Mutterphase 311 und die auf Sn-Pd basierenden Partikel 312, welche in der Sn Mutterphase 311 verteilt sind, und sowohl die Sn Mutterphase 311 als auch die auf Sn-Pd basierenden Partikel bzw. Teilchen 312 wurden auf der äußeren Oberfläche ausgesetzt bzw. freigelegt. Eine Dicke der äußersten Schicht 31 war 0,7 μm.
  • Nachdem der obige Reflow-Prozess durchgeführt wurde, wurde der Anschluss-Zwischenkörper 10 pressbearbeitet und es wurden der den Anschluss verbindende Abschnitt 11 und der die Platte verbindende Abschnitt 12 auf jeden einzelnen bzw. individuellen Anschlussabschnitten 101 ausgebildet. Danach wurde der Anschlussabschnitt 101 von dem Träger 102 durch ein Stanzen abgeschnitten, um das Anschlusspassstück 1 zu erhalten.
  • Das Anschlusspassstück 1 dieses Beispiels, welches auf die obige Weise erhalten wurde, beinhaltet die plattierende Beschichtung 3 auf den gesamten Oberflächen des den Anschluss verbindenden Abschnitts 11 und des die Platte verbindenden Abschnitts 12. Weiter ist bzw. wird in diesem Beispiel die plattierende Beschichtung 3 auch im Wesentlichen auf der gesamten Oberfläche des zwischenliegenden Abschnitts 13 ausgebildet. Es ist festzuhalten, dass, obwohl der zwischenliegende Abschnitt 13 eine Bruchoberfläche aufweist, wo das Grundmaterial 2 in einem Teil freigelegt ist bzw. wird, welches von dem Träger 101 abgeschnitten wird, die Freilegung des Grundmaterials 2 in dem zwischenliegenden Abschnitt 13 nicht nachteilig eine Anschlusseinsetzkraft und eine Verbindungs- bzw. Anschlusszuverlässigkeit in einer Lot- bzw. Lötverbindung beeinflusst.
  • 3 zeigt ein Beispiel eines SEM (Scanning-Ionen-Mikroskop) Bilds der Oberfläche des Anschlusspassstücks 1 in einem Zustand, wo die Sn Mutterphase 311 durch ein Ätzen entfernt wird. Wie dies aus 3 bekannt bzw. ersichtlich ist, waren die auf Sn-Pd basierenden Partikel bzw. Teilchen 312, welche eine im Wesentlichen rechteckige bzw. rechtwinkelige parallelepipedische Form bzw. Gestalt aufweisen, in einer verteilten Weise in der Oberfläche vorhanden, welche die Sn Mutterphase 311 davon entfernt aufweist. Weiter wurde die Ni-Sn Schicht 322, welche durch ein Entfernen der Sn Mutterphase 311 freigelegt wurde, zwischen den auf Sn-Pd basierenden Partikeln 312 beobachtet.
  • Wenn die Anzahl der auf Sn-Pd basierenden Partikel 312, welche pro 500 μm2 vorhanden waren, basierend auf dem erhaltenen SEM Bild gezählt wurde, wurde bestätigt, dass 153 auf Sn-Pd basierende Partikel 312 pro 500 μm2 vorhanden waren. Weiter war, wenn eine Binarisierung basierend auf einem Kontrast an dem SEM Bild angewandt wurde und ein Flächenbesetzungsverhältnis der auf Sn-Pd basierenden Partikel 312 aus dem erhaltenden binarisierten Bild berechnet wurde, das Flächenbesetzungsverhältnis der auf Sn-Pd basierenden Partikel 312 65%. Es ist festzuhalten, dass ein Kontrast-Schwellwert in der Binarisierung derart eingestellt bzw. festgelegt wurde, dass die Umrisse der auf Sn-Pd basierenden Partikel 312 in dem binarisierten Bild im Wesentlichen mit denjenigen der auf Sn-Pd basierenden Partikel 12 in dem SEM Bild übereinstimmen.
  • Das Anschlusspassstück 1 dieses Beispiels ist konfiguriert, um an bzw. bei einem Verbinder 4 anwendbar zu sein, welcher in einem Kraftfahrzeug zu installieren ist. Der Verbinder 4 beinhaltet eine Mehrzahl von Anschlusspassstücken 1 und ein Gehäuse 41 für ein Halten der Anschlusspassstücke 1. Die Anschlusspassstücke 1 sind bzw. werden in eine L-Form in einem Zustand gebogen, in welchem sie in dem Gehäuse 41 gehalten sind.
  • Das Gehäuse 41 ist aus einem synthetischen bzw. Kunstharz hergestellt, Aufnahmen 413 für ein Aufnehmen von zusammenpassenden bzw. abgestimmten Verbindern (nicht gezeigt) zu der Zeit einer Verbindung sind bzw. werden auf einer Vorderseite ausgebildet und Rückwände 412 sind bzw. werden integral bzw. einstückig auf den Rückseiten der Aufnahmen 413 ausgebildet. Die Anschlusspassstücke 1 sind bzw. werden in dem Gehäuse 41 gehalten, indem sie in Anschluss-Presspasslöcher 411 pressgepasst werden, welche auf der Rückwand 412 des Gehäuses 41 ausgebildet sind, wobei die den Anschluss verbindenden Abschnitte 11 vorne sind bzw. stehen.
  • Wie dies in 1 gezeigt ist, ist bzw. wird der den Anschluss verbindende Abschnitt 11 dieses Beispiels in eine Dorn- bzw. Flachsteckerform ausgebildet und in einen rohrförmigen einpassenden Abschnitt eines zusammenpassenden Anschlusses eingesetzt, um eine elektrische Verbindung zu bilden. Der zwischenliegende Abschnitt 13 ist bzw. wird derart ausgebildet, dass ein Paar von rückhaltenden Abschnitten 131 und ein Paar von positionierenden Abschnitten 132 in einer Breitenrichtung an einem Endteil auf der Seite des den Anschluss verbindenden Abschnitts 11 vorragen. Ränder bzw. Kanten der rückhaltenden Abschnitte 131 nahe zu einer Spitze sind verjüngt, so dass das Anschlusspassstück 1 in das Anschlusseinsetzloch 411 pressgepasst werden kann, wobei der den Anschluss verbindende Abschnitt 11 vorne liegt, und gegenüberliegende Ränder bzw. Kanten sind bzw. stehen normal bzw. senkrecht, um zurückgehalten zu werden. Weiter sind Ränder bzw. Kanten der positionierenden Abschnitte 132 nahe zu der Spitze normal bzw. senkrecht und an einem Rand- bzw. Kantenteil des Anschluss-Einsetzlochs 411 verriegelt, wenn das Anschlusspassstück 11 pressgepasst wird, wodurch das Anschlusspassstück 1 positioniert wird. Weiter ist bzw. wird der zwischenliegende Abschnitt 13 in eine ”L” Form bzw. Gestalt gebogen, nachdem er in dem Anschluss-Einsetzloch 411 verriegelt ist.
  • Weiter ist der die Platte verbindende Abschnitt 12 dieses Beispiels mit dem Presspassabschnitt 121 ausgebildet. Der Presspassabschnitt 121 ist ausgebildet, um sich im Wesentlichen gekrümmt bzw. gebogen zu wölben, und die äußere Oberfläche davon beinhaltet ein Paar von Kontaktstücken 122, welche konfiguriert sind, um den leitenden bzw. leitfähigen Abschnitt 52 des Durchtrittslochs 51 zu kontaktieren, und einen rückstellfähig oder plastisch verformbaren dünnen Abschnitt 123, welcher zwischen den Kontaktstücken 122 vorgesehen ist, und weist eine verjüngte Spitze auf. Ein maximaler Durchmesser des Presspassabschnitts 121 ist größer als ein innerer bzw. Innendurchmesser des leitenden bzw. leitfähigen Abschnitts 52 in dem Durchtrittsloch 51. Der Presspassabschnitt 121 wird radial geschoben bzw. gedrückt und komprimiert, während der dünne Abschnitt 123 komprimiert und deformiert bzw. verformt wird, wodurch er in das Durchtrittsloch 51 pressgepasst wird, um elektrisch mit dem leitfähigen Abschnitt 52 verbunden zu werden. Es ist festzuhalten, dass ein Paar von ein Betätigungselement anordnenden Abschnitten 124, mit welchen ein presspassendes Betätigungselement bzw. Werkzeug (nicht gezeigt) in Kontakt bei einem Presspassen des Presspassabschnitts 121 in das Durchtrittsloch 51 gebracht wird, ausgebildet ist, um in der Breitenrichtung auf einer Basisendseite des Presspassabschnitts 121 vorzuragen.
  • Als nächstes werden Funktionen und Effekte des Anschlusspassstücks 1 dieses Beispiels beschrieben.
  • Das Anschlusspassstück 1 beinhaltet die äußerste Schicht 31, welche die auf Sn-Pd basierenden Partikel bzw. Teilchen 312 enthält. Die Anzahl der auf Sn-Pd basierenden Partikel 312, welche in der äußeren Oberfläche der plattierenden Beschichtung 3 in dem Zustand vorhanden sind, wo nur die Sn Mutterphase 311 entfernt ist bzw. wird, ist bzw. beträgt 10 bis 400/500 μm2. Somit kann das Anschlusspassstück 1 weiter einen Reibungskoeffizienten gegenüber konventionellen Anschlüssen reduzieren und kann demgemäß eine Anschlusseinsetzkraft reduzieren. Weiter kann, da der Verbinder 4 die Anschlusspassstücke 1 beinhaltet, welche einen geringen Reibungskoeffizienten aufweisen, eine Einsetzkraft zu der Zeit einer Verbindung mit dem bzw. an dem zusammenpassenden Verbinder reduziert werden.
  • Weiter beinhaltet das Anschlusspassstück 1 integral bzw. einstückig den den Anschluss verbindenden Abschnitt 11, welcher elektrisch mit dem zusammenpassenden Anschluss zu verbinden ist, den die Platte verbindenden Abschnitt 12, welcher elektrisch mit der Leiterplatte 5 zu verbinden ist, und den zwischenliegenden Abschnitt 13, welcher zwischen dem den Anschluss verbindenden Abschnitt 11 und dem die Platte verbindenden Abschnitt 12 vorgesehen ist, und es sind wenigstens der den Anschluss verbindende Abschnitt 11 und der die Platte verbindende Abschnitt 12 mit der plattierenden Beschichtung 3 bedeckt bzw. beschichtet. Darüber hinaus beinhaltet der die Platte verbindende Abschnitt 12 den Presspassabschnitt 121, welcher in das Durchtrittsloch 51 der Leiterplatte 5 presszupassen ist und eine elektrische Verbindung mit der Leiterplatte 5 über den leitenden bzw. leitfähigen Abschnitt 52 ausbildet, welcher in dem Durchtrittsloch 51 vorgesehen ist. Somit kann ein Reibungskoeffizient bei einem Presspassen des Presspassabschnitts 12 in das Durchtrittsloch 51 reduziert werden und das Schaben, Abschälen und dgl. der plattierenden Beschichtung 3 in dem Presspassabschnitt 121 kann unterdrückt werden. Auf diese Weise kann eine gute elektrische Verbindung an bzw. mit der Leiterplatte 5 ausgebildet werden.
  • (Experimentelles Beispiel)
  • Dieses Beispiel ist ein Beispiel eines Messens des Reibungskoeffizienten des Anschlusspassstücks 1 in der Ausführungsform. In diesem Beispiel wurde ein Plattenmaterial aus einer Cu Legierung als das Grundmaterial 2 verwendet und die plattierende Beschichtung 3 wurde auf der Oberfläche durch ein Verfahren ähnlich zu demjenigen der Ausführungsform ausgebildet, wodurch eine Probe E1 hergestellt wurde. Weiter wurde eine Probe E2 durch ein Ändern der Heiztemperatur in dem Reflow-Prozess auf 320°C in dem Verfahren der Ausführungsform hergestellt.
  • Weiter wurden zwei Proben C1, C2 als zwei Arten von Vergleichsbeispielen für einen Vergleich mit den Proben E1 und E2 hergestellt. Die Probe C1 ist eine Probe, welche durch ein Verfahren ähnlich zu demjenigen der Ausführungsform derart hergestellt wurde, dass die Heiztemperatur in dem Reflow-Prozess auf 300°C geändert wurde. Weiter ist die Probe C2 eine Probe, welche äquivalent zu einem konventionellen durch Sn Reflow plattierten Glied ist und durch ein aufeinanderfolgendes Ausbilden eines Ni Plattierfilms, welcher eine Dicke von 1 μm aufweist, und eines Sn Plattierfilms, welcher eine Dicke von 1 μm aufweist, auf der Oberfläche des Plattenmaterials der Cu Legierung und nachfolgend ein Anwenden des Reflow-Prozesses hergestellt wurde.
  • Ähnlich zu dem Beispiel E1 wurden die äußersten Schichten 31, welche aus der Sn Mutterphase 311 und den auf Sn-Pd basierenden Partikeln 312 bestehen, auf den Oberflächen der Proben E2 und C1 ausgebildet. 7 zeigt ein SEM Bild der Oberfläche der Probe C1 in einem Zustand, wo nur die Sn Mutterphase 311 durch ein Ätzen entfernt ist. Wie dies aus 7 bekannt ist, wurde die innere Schicht 32 in der Probe C1 mit den dicht ausgebildeten auf Sn-Pd basierenden Partikeln 312 bedeckt.
  • Wenn die Anzahl der auf Sn-Pd basierenden Partikel 312, welche pro 500 μm2 vorhanden sind, basierend auf einem SEM Bild (nicht gezeigt) der Probe E2 gezählt wurde, wurde bestätigt, dass 203 auf Sn-Pd basierende Partikel 312 pro 500 μm2 vorhanden waren. Weiter war bzw. betrug, wenn die Binarisierung basierend auf einem Kontrast an dem SEM Bild angewandt und ein Flächenbesetzungsverhältnis der auf Sn-Pd basierenden Partikel 312 aus dem erhaltenen binarisierten Bild berechnet wurde, das Flächenbesetzungsverhältnis der auf Sn-Pd basierenden Partikel 312 in der Probe E2 75%. Weiter war eine Dicke der Ni-Sn Schicht in der Probe E2 0,45 μm.
  • Wenn die Anzahl der auf Sn-Pd basierenden Partikel 312, welche pro 500 μm2 vorhanden waren, basierend auf dem SEM Bild der Probe C1 gezählt wurde, wurde bestätigt, dass 466 auf Sn-Pd basierende Partikel 312 pro 500 μm2 vorhanden waren. Weiter war bzw. betrug, wenn die Binarisierung basierend auf einem Kontrast an dem SEM Bild angewandt wurde und ein Flächenbesetzungsverhältnis der auf Sn-Pd basierenden Partikel 312 aus dem erhaltenen binarisierten Bild berechnet wurde, das Flächenbesetzungsverhältnis der auf Sn-Pd basierenden Partikel 312 in der Probe C1 87%. Weiter war eine Dicke der Ni-Sn Schicht in der Probe C1 0,32 μm.
  • Da die Probe C2 mit keinem Pd Plattierfilm bei einem Anwenden eines Elektroplattierens auf dem Anschluss-Zwischenkörper 10 versehen wurde, wurden die auf Sn-Pd basierenden Partikel 312 nicht nach dem Reflow-Prozess gebildet. Es ist festzuhalten, dass eine Dicke der Ni-Sn Schicht in der Probe C2 0,24 μm war bzw. betrug.
  • <Reibungstest>
  • Ein Reibungstest wurde in der folgenden Prozedur unter Verwendung der vier erhaltenen Arten bzw. Typen von Proben durchgeführt. Zuerst wurde ein Teil der Probe E1 abgeschnitten und ein Pressbearbeiten wurde an einem erhaltenen plattenartigen Glied angewandt, um ein zusammenpassendes bzw. abgestimmtes Glied herzustellen, welches einen halbkugelförmigen geprägten Abschnitt beinhaltet, welcher einen Radius von 1 mm aufweist. Nachfolgend wurde jede Probe in Kontakt mit dem halbkugelförmigen geprägten Abschnitt des zusammenpassenden Glieds gebracht und eine Last bzw. Belastung von 3 N wurde zwischen den beiden angewandt bzw. aufgebracht. Dann wurde, während diese Last beibehalten wurde, der halbkugelförmige geprägte Abschnitt bei einer Geschwindigkeit von 6 mm/s relativ zu der Probe bewegt und ein dynamischer Reibungskoeffizient der Probe wurde gemessen.
  • 8 und 9 zeigen ein Messresultat betreffend die Reibungskoeffizienten der Proben E1, E2, C1 und C2. Es ist festzuhalten, dass eine vertikale Achse von 8 den Reibungskoeffizienten repräsentiert und eine horizontale Achse einen Bewegungsabstand des halbkugelförmigen geprägten Abschnitts repräsentiert bzw. darstellt. Weiter repräsentiert eine vertikale Achse von 9 einen maximalen Wert des dynamischen Reibungskoeffizienten jeder Probe und es repräsentiert eine horizontale Achse die Anzahl der auf Sn-Pd basierenden Partikel 312.
  • Wie dies aus 8 und 9 bekannt bzw. ersichtlich ist, kann verstanden werden, dass die Proben E1 und E2 einen geringeren Reibungskoeffizienten als die Proben C1 und C2 aufweisen und dass die Probe E1 einen niedrigsten Reibungskoeffizienten von allen vier Arten von Proben aufweist. Weiter kann, wie dies aus 9 bekannt bzw. ersichtlich ist, der maximale Wert des Reibungskoeffizienten der Probe E1 um etwa 45% reduziert werden und es kann der maximale Wert des Reibungskoeffizienten der Probe E2 um etwa 35% auf der Basis der Probe C1 reduziert werden.
  • Von den Proben E1 und E2 wird angenommen, dass sie fähig sind, den Reibungskoeffizienten mehr als die Proben C1 und C2 zu reduzieren, da die Anzahl der auf Sn-Pd basierenden Partikel 312, welche in der äußersten Schicht 31 der plattierenden Beschichtung 3 enthalten sind, und das Flächenbesetzungsverhältnis der auf Sn-Pd basierenden Partikel 312, nachdem die Sn Mutterphase entfernt ist bzw. wird, innerhalb der obigen spezifischen Bereiche liegen.
  • Spezifisch weisen, wenn beispielsweise 3 und 7 verglichen werden, die einzelnen auf Sn-Pd basierenden Partikel 312, welche in der Probe E1 enthalten sind, einen größeren Teilchendurchmesser als die auf Sn-Pd basierenden Partikel 312 auf, welche in der Probe C1 enthalten sind, und Abstände zwischen benachbarten auf Sn-Pd basierenden Partikel 312 der Probe E1 tendieren dazu, länger zu sein. Somit kann abgeschätzt bzw. beurteilt werden, dass sich die auf Sn-Pd basierenden Partikel 312, welche in der Probe E1 enthalten sind, in Kontakt mit der inneren Schicht 32 (Bezugszeichen 312a in 2) bei einem höheren Verhältnis befinden. Daher wird von der Probe E1 angenommen, dass sie derart ist, dass eine Kontaktlast bzw. -belastung, welche zu der Zeit einer Verbindung mit dem zusammenpassenden Anschluss oder dgl. aufgebracht bzw. angewandt wird, leicht auf das Grundmaterial 2 über die auf Sn-Pd basierenden Partikel 312 und die innere Schicht 32 übertragen wird. Als ein Resultat des Obigen kann die Probe E1 die Verformung und Abrasion bzw. den Abrieb der äußersten Schicht 31 unterdrücken und kann dementsprechend den Reibungskoeffizienten reduzieren. Weiter wird von der Probe E2 auch angenommen, dass sie fähig ist, den Reibungskoeffizienten aus demselben Grund wie die Probe E1 zu reduzieren.
  • Andererseits wird, wenn die Anzahl der auf Sn-Pd basierenden Partikel 312 exzessiv bzw. übermäßig groß wie in der Probe C1 wird, eine große Anzahl von feinen auf Sn-Pd basierenden Partikeln 31 ausgebildet. Somit wird von einem Verhältnis der auf Sn-Pd basierenden Partikel 312b, welche nicht in Kontakt mit der inneren Schicht 32 (siehe 2) sind bzw. stehen, angenommen, dass es höher als in den Proben E1 und E2 ist. Derartige auf Sn-Pd basierende Partikel 312 sind weniger effektiv bzw. wirksam bei einem Unterdrücken der Deformation und Abrasion der Sn Mutterphase 311, wenn eine Kontaktlast angewandt bzw. aufgebracht wird, da die weiche Sn Mutterphase 311 zwischen den auf Sn-Pd basierenden Partikeln 312 und dem Grundmaterial 2 vorhanden ist. Daher wird von der Probe C1 angenommen, dass sie einen höheren Reibungskoeffizienten als die Proben E1 und E2 aufweist.
  • Wie dies oben beschrieben ist, kann verstanden werden, dass die auf Sn-Pd basierenden Partikel 312 dazu tendieren, kleiner in einem Teilchendurchmesser zu werden, wenn bzw. da die Anzahl davon, welche in der äußeren Oberfläche enthalten ist, ansteigt. Somit können durch ein Regeln bzw. Steuern der Anzahl der auf Sn-Pd basierenden Partikel 312 innerhalb des obigen spezifischen Bereichs die auf Sn-Pd basierenden Partikel 312 einer geeigneten Größe ausgebildet werden und als ein Resultat kann angenommen werden, dass ein Effekt eines Reduzierens des Reibungskoeffizienten erhältlich ist.
  • Es ist festzuhalten, dass das Verfahren für ein Regeln bzw. Steuern der Anzahl der auf Sn-Pd basierenden Partikel 312 nicht notwendigerweise gegenwärtig definiert ist, wobei jedoch bestätigt wird, dass der Teilchendurchmesser der auf Sn-Pd basierenden Partikel 312 ansteigt und die Anzahl der auf Sn-Pd basierenden Partikel 312, welche in der äußersten Schicht enthalten sind, leicht innerhalb des obigen spezifischen Bereichs geregelt bzw. gesteuert wird, wenn die Heiztemperatur in dem Reflow-Prozess erhöht wird. Somit ist es bevorzugt, die Heiztemperatur in dem Reflow-Prozess zu erhöhen, um die Anzahl der auf Sn-Pd basierenden Partikel 312 innerhalb des obigen spezifischen Bereichs zu regeln bzw. zu steuern. Spezifisch ist es bevorzugt, den Reflow-Prozess bei 290 bis 400°C durchzuführen.
  • <Wärmewiderstands-Evaluierung>
  • Ein Wärmewiderstandstest wurde in der folgenden Prozedur unter Verwendung der obigen vier Arten von erhaltenen Proben durchgeführt. Zuerst wurde ein Kontaktwiderstand in einem Zustand gemessen, wo die Probe in Kontakt mit einem Goldfühler gehalten wird. Nachfolgend wurde die Probe auf eine Temperatur von 120°C für 120 Stunden erhitzt bzw. erwärmt. Nachdem das Erhitzen abgeschlossen war, wurde die Probe auf eine Raumtemperatur abgekühlt und es wurde ein Kontaktwiderstand in dem Zustand, wo die Probe in Kontakt mit dem Goldfühler gehalten wurde, gemessen.
  • 10 zeigt ein Resultat einer Wärmewiderstands-Evaluierung bzw. -Auswertung. Es ist festzuhalten, dass eine vertikale Achse von 10 eine Anstiegsgröße (mΩ) des Kontaktwiderstands repräsentiert, welche durch ein Subtrahieren eines Werts des Kontaktwiderstands, welcher vor einem Erwärmen gemessen wird, von einem Wert des Kontaktwiderstands erhalten wird, welcher nach einem Erwärmen gemessen wird. Weiter repräsentiert eine horizontale Achse von 10 eine Dicke (μm) der Ni-Sn Schicht jeder Probe.
  • Wie dies aus 10 bekannt bzw. ersichtlich ist, wiesen die Proben E1 und E2 eine geringere Anstiegsmenge bzw. -größe des Kontaktwiderstands als die Proben C1 und C2 auf und konnten einen Anstieg des Kontaktwiderstands unterdrücken. Wie dies soeben beschrieben wurde, kann ein Wärmewiderstand des erhaltenen Anschlusspassstücks mehr durch ein Ausbilden der plattierenden Beschichtung, welche die Ni-Sn Schicht beinhaltet, welche eine Dicke von 0,4 μm oder größer aufweist, auf dem Grundmaterial verbessert werden.
  • Obwohl die Ausführungsform der vorliegenden Erfindung im Detail oben beschrieben wurde, ist die vorliegende Erfindung nicht auf die obige Ausführungsform beschränkt bzw. begrenzt und es können verschiedene Änderungen durchgeführt werden, ohne von dem Wesen der vorliegenden Erfindung abzuweichen.
  • Beispielsweise kann das Anschlusspassstück 1 direkt auf der Leiterplatte 5 montiert werden, ohne in dem Gehäuse 41 des Verbinders 4 gehalten zu werden. Weiter kann der die Platte verbindende Abschnitt 12 in dem Anschlusspassstück 1 in der Form eines Stifts bzw. Zapfens vorliegen, um gelötet und verbunden zu werden. Weiter kann das Anschlusspassstück 1 als ein Einpasstyp-Anschluss, wie beispielsweise ein aufzunehmender bzw. Steckeranschluss oder ein aufnehmender bzw. Buchsenanschluss konfiguriert sein.

Claims (6)

  1. Anschlusspassstück, umfassend: ein Grund- bzw. Trägermaterial, welches aus einem Metallmaterial hergestellt ist; und eine plattierende Beschichtung, welche eine Oberfläche des Grundmaterials abdeckt, wobei: die plattierende Beschichtung eine Sn Mutter- bzw. Grundphase und auf Sn-Pd basierende Partikel enthält, welche in der Sn Mutterphase verteilt sind, und eine äußerste Schicht einschließt, welche eine äußere Oberfläche aufweist, in welcher die Sn Mutterphase und die auf Sn-Pd basierenden Partikel vorhanden sind; und die Anzahl der auf Sn-Pd basierenden Partikel, welche in der äußeren Oberfläche der plattierenden Beschichtung in einem Zustand vorhanden sind, wo nur die Sn Mutterphase entfernt ist, 10 bis 400/500 μm2 beträgt.
  2. Anschlusspassstück nach Anspruch 1, wobei ein Flächenbesetzungsverhältnis der auf Sn-Pd basierenden Partikel, welche in der äußeren Oberfläche in dem Zustand vorhanden sind, wo nur die Sn Mutterphase entfernt ist, 50 bis 80% beträgt.
  3. Anschlusspassstück nach Anspruch 1 oder 2, wobei die plattierende Beschichtung eine innere Schicht einschließt, welche zwischen dem Grundmaterial und der äußersten Schicht vorgesehen ist und eine Zusammensetzung verschieden von der äußersten Schicht aufweist, und die innere Schicht eine Ni-Sn Schicht einschließt, welche eine Dicke von 0,4 μm oder größer aufweist.
  4. Anschlusspassstück nach einem der Ansprüche 1 bis 3, wobei das Anschlusspassstück integral einen Anschlussverbindungsabschnitt, welcher elektrisch mit einem zusammenpassenden Anschluss zu verbinden ist, einen Plattenverbindungsabschnitt, welcher elektrisch mit einer Leiterplatte zu verbinden ist, und einen zwischenliegenden Abschnitt beinhaltet, welcher zwischen dem Anschlussverbindungsabschnitt und dem Plattenverbindungsabschnitt vorhanden ist, und wenigstens der Anschlussverbindungsabschnitt und der Plattenverbindungsabschnitt mit der plattierenden Beschichtung bedeckt sind.
  5. Anschlusspassstück nach Anspruch 4, wobei der Plattenverbindungsabschnitt einen Presspassabschnitt beinhaltet, welcher konfiguriert ist, um in ein Durchtrittsloch der Leiterplatte pressgepasst zu sein und eine elektrische Verbindung mit der Leiterplatte über einen leitenden bzw. leitfähigen Abschnitt zu bilden, welcher in dem Durchtrittsloch vorgesehen ist.
  6. Verbinder, umfassend: ein Anschlusspassstück nach einem der Ansprüche 1 bis 5, und ein Gehäuse für ein Halten des Anschlusspassstücks.
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