DE112012000136B4 - Mangan-Kupfer-Shunt gegen elektromagnetische Wechselfelder - Google Patents

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Abstract

Shunt gegen elektromagnetische Wechselfelder, umfassend als Hauptelemente- einen Mangan-Kupfer-Widerstandskörper,- zwei beidseitig des Mangan-Kupfer-Widerstandskörpers angeordnete und jeweils mit diesem verbundene Anschlusskörper,- zwei beidseitig des Mangan-Kupfer-Widerstandskörpers jeweils an einem Anschlusskörper angeordnete Abtastpunkte,- zwei jeweils mit einem der beiden Abtastpunkte verbundene Abtastleiter,- einen sich an einem der Anschlusskörper befindlichen Referenzpunkt,- einen mit dem Referenzpunkt verbundenen Referenzleiter, dadurch gekennzeichnet, dass einer der Abtastleiter den Mangan-Kupfer-Widerstandskörper überquert und dann mit dem anderen Abtastleiter eine Verdrillung bildet und sich damit erstreckt, wobei der Mangan-Kupfer-Widerstandskörper durch den ersten Abtastleiter in zwei Abschnitte gleicher Fläche aufgeteilt ist.

Description

  • Gebiet der Erfindung
  • Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf Elemente zur Vermessung elektrischer Geräte, insbesondere auf einen Mangan-Kupfer-Shunt gegen elektromagnetische Wechselfelder.
  • Technischer Hintergrund
  • Shunts finden als solche weit verbreitete Anwendung bei Geräten zur Vermessung von Hochströmen und dienen der abtastenden Prüfung der Stromrückführung, -begrenzung und -aufteilung der Stromversorgung beispielsweise eines Kommunikationssystems, eines elektronischen Gesamtgeräts bzw. einer automatischen Steueranlage. Als Hauptbestandteil verfügen derartige Shunts über einen niederohmigen Widerstand, an dessen beiden Enden Spannungen erfasst werden und dadurch ein Stromistwert ermittelt werden kann. Niederohmige Widerstände müssen einen stabilen, genau bemessbaren Widerstandswert aufweisen und können aus verschiedenartigen Metallen oder Legierungen, häufig aus Mangan, Nickel, Kupfer und deren Legierung, bestehen. Darunter sind insbesondere Shunts aus einer Mangan-Kupfer-Legierung nennenswert, welche sich durch stabile Eigenschaften und hohe Abtastgenauigkeit auszeichnen und zudem über Referenzmesspunkte verfügen und sich in verschiedenen hochpräzisen Geräten bzw. Instrumenten einsetzen lassen. Selbst bei hochentwickelten aktiven faseroptischen Gleichstromsensoren, welche eine Integration der optischen Fasertechnik in Stromsensoren ermöglichen, kann nicht auf einen Mangan-Kupfer-Shunt als grundlegendes Abtastelement verzichtet werden.
  • Da die Shunts jedoch eine starke Störanfälligkeit gegenüber elektromagnetischen Wechselfeldern aufweisen, können sie derzeit meistens nur zur nicht präzisen Gleichstrommessung verwendet werden. In einer Umgebung starker elektromagnetischer Wechselfelder bzw. bei einer Wechselstrommessung leiden sie im Hinblick auf ihre Abtastgenauigkeit unter der Beeinflussung der elektromagnetischen Wechselfelder und können nur mit großen Abweichungen oder sogar gar nicht betrieben werden. Versuche haben gezeigt, dass beim Betrieb eines Wattstundenzählers unter Beeinflussung elektromagnetischer Wechselfelder je nach deren Stärke eine maximale Abweichung von bis zu 100% zu erwarten ist. Dies ist dann der Fall, wenn zum Stromdiebstahl ein Wattstundenzähler elektromagnetischen Wechselfeldern ausgesetzt und dadurch dessen Betrieb beeinflusst wird. Aus diesem Grund ist es notwendig, an dem Shunt z.B. eines hochpräzisen Stromzählers Maßnahmen vorzunehmen, die den elektromagnetischen Wechselfeldern entgegenwirken. So ist aus dem Stand der Technik bekannt, mit einem integrierten Chip, die bei einer Abtastung erfassten Daten zu korrigieren. Des Weiteren kann der Shunt mit einer Abschirmhaube versehen sein oder ein Abtastleiter wird, wie in 5 dargestellt, in verdrillter Form mit dem Shunt verbunden, um der wechselnden elektromagnetischen Beeinflussung entgegenzuwirken. Jedoch erweist sich eine nachfolgende Datenkorrektur als nicht so gut wie das direkte Vornehmen der Entstörungsmaßnahmen am Shunt. Allerdings ist eine Abschirmung mit hohen Kosten und großem Montageaufwand verbunden und zudem schadenanfällig. Ferner funktioniert die Verbindung zwischen Shunt und Abtastleiter in verdrillter Form gemäß 5 hinsichtlich der Beständigkeit gegen elektromagnetische Wechselfelder nicht so gut wie gewünscht. Aus dem Stand der Technik sind entsprechende Shunts bekannt aus der CN 200 976 020 Y und der DE 33 24 224 A1 .
  • Inhalt der Erfindung
  • Aus der vorhergehenden Beschreibung ergibt sich, dass auf dem Stromsensormarkt ein dringender Bedarf an einem Shunt besteht, der technisch einfach ist, hohe Beständigkeit gegen elektromagnetische Wechselfelder besitzt und verschiedene Anforderungen aus verschiedenen Bereichen erfüllen kann.
  • Aus der Prüfung eines erfindungsgemäßen Shunts bei einer elektromagnetischen Feldstärke von 50 bis 100 mT ergibt sich, dass die erfindungsgemäßen Maßnahmen im Vergleich zu anderen Entstörmaßnahmen nicht nur eine hervorragende Störunterdrückung gewährleisten, sondern auch technisch einfach und kostengünstig sind. Überdies zeichnen sie sich durch eine haltbare Verbindungsstruktur, sehr hohe Betriebsstabilität und wesentlich höhere Störfestigkeit als derzeit im Handel erhältliche Produkte aus und können verschiedene Anforderungen völlig abdecken.
  • Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es, einen einfach aufgebauten Mangan-Kupfer-Shunt mit hoher Störfestigkeit gegenüber elektromagnetischen Wechselfeldern bereitzustellen und Ansprüche darauf zu erheben, so dass der Erfinder einerseits entsprechend belohnt wird und andererseits technische Fortschritte vorangetrieben werden.
  • Erfindungsgemäß wird die Aufgabe gelöst durch einen Shunt gegen elektromagnetische Wechselfelder mit
    • - einem Mangan-Kupfer-Widerstandskörper,
    • - zwei beidseitig des Mangan-Kupfer-Widerstandskörpers angeordneten und jeweils mit diesem verbundenen Anschlusskörpern,
    • - zwei beidseitig des Mangan-Kupfer-Widerstandskörpers jeweils an einem Anschlusskörper angeordneten Abtastpunkten,
    • - zwei jeweils mit einem der beiden Abtastpunkte verbundenen Abtastleitern,
    • - einem sich an einem der Anschlusskörper befindlichen Referenzpunkt,
    • - einem mit dem Referenzpunkt verbundenen Referenzleiter, bei dem einer der Abtastleiter den Mangan-Kupfer-Widerstandskörper überquert und dann mit dem anderen Abtastleiter eine Verdrillung bildet, wobei der Mangan-Kupfer-Widerstandskörper durch den ersten Abtastleiter in zwei Abschnitte gleicher Fläche aufgeteilt ist. Ein derartiger Aufbau ist einfach realisierbar und erweist sich als wirkungsvoll. Unter Einwirkung externer elektromagnetischer Wechselfelder erzeugt der Widerstandskörper eine zusätzliche Induktionsspannung. Beim oben beschriebenen Aufbau kann jedoch auch der Abtastleiter, der den Widerstandskörper überquert, eine zusätzliche Induktionsspannung erzeugen, die der im Widerstandskörper erzeugten Induktionsspannung entgegengerichtet ist und somit diese ausgleicht. Dadurch wird der Shunt insbesondere bei dessen Abtastung vor elektromagnetischen Wechselfeldern geschützt.
  • Ist der Mangan-Kupfer-Widerstandskörper in Form einer rechteckigen Platte ausgeführt, so befinden sich die beiden Abtastpunkte vorzugsweise auf einer Mittelachse des Mangan-Kupfer-Widerstandskörpers. Dabei überquert der Abtastleiter entlang der Mittelachse den Mangan-Kupfer-Widerstandskörper und teilt diesen entsprechend in zwei rechteckige Abschnitte gleicher Fläche auf, was zu einer maximalen Materialeinsparung führt. Die beiden Abtastpunkte können auch auf einer Diagonale des Mangan-Kupfer-Widerstandskörpers angeordnet sein, so dass der Abtastleiter entlang der Diagonale den Mangan-Kupfer-Widerstandskörper überquert und diesen entsprechend in zwei dreieckige Abschnitte gleicher Fläche aufteilt. Auf diese Weise kann die Störfestigkeit verbessert werden.
  • Bevorzugt ist dabei vorgesehen, dass sich der Abtastpunkt, mit dem der den Mangan-Kupfer-Widerstandskörper überquerende Abtastleiter verbunden ist, auf derjenigen Seite des Mangan-Kupfer-Widerstandskörpers wo sich der Referenzpunkt befindet, um eine höhere Abtastgenauigkeit zu erreichen.
  • Um einen gleichmäßigen Stromfluss durch den Mangan-Kupfer-Widerstandskörper zu ermöglichen, ist dieser bevorzugterweise in zwei oder mehr gleiche Abschnitte aufgeteilt, wobei die Abschnitte jeweils durch einen Isolierkörper, oder aber auch unmittelbar durch Luft als Isolierkörper, voneinander getrennt sind. Damit kann vermieden werden, dass Hochfrequenzströme im Randbereich des Mangan-Kupfer-Widerstandskörpers durch diesen fließen und dabei einen zusätzlichen Wirkwiderstand erzeugen, der zur Abtastungenauigkeit führt.
  • Zur Erhöhung der Störfestigkeit wird der den Bereich des Mangan-Kupfer-Widerstandskörpers überquerende Abtastleiter vorzugsweise in zwei gleiche Stränge aufgeteilt, wobei die beiden Stränge jeweils den Bereich des Mangan-Kupfer-Widerstandskörpers auf den gegenüberliegenden Seiten desselben überqueren, danach wieder zusammengeschnürt werden und mit dem anderen Abtastleiter eine Verdrillung bilden. Dadurch, dass der Abtastleiter in Form zweier Stränge den Mangan-Kupfer-Widerstandskörper auf den gegenüberliegenden Seiten desselben überquert, kann ein verstärkter Verdrillungseffekt aus dem Abtastleiter und dem Mangan-Kupfer-Widerstandskörper entstehen, die durch elektromagnetische Wechselfelder erzeugte zusätzliche Spannung besser ausgeglichen und damit eine erhöhte Beständigkeit gegen elektromagnetische Wechselfelder erreicht werden.
  • Um eine Fixierung des Abtastleiters und des Referenzleiters zu erleichtern, ist vorzugsweise an den beiden Anschlusskörpern jeweils eine Anschlussklemme vorgesehen, welche jeweils zur Fixierung des Referenzleiters bzw. des Abtastleiters dient.
  • Dabei können die Referenz- und Abtastleiter jeweils mit Hilfe eines thermoplastischen Rohrs mit der jeweiligen Anschlussklemme fixiert sein. Denkbar ist auch, dass zunächst eine feste Verbindung über einen Harzkleber hergestellt und dann ein thermoplastisches Rohr zum Fixieren und Stabilisieren dieser Verbindung aufgesetzt wird.
  • In einer bevorzugten Ausgestaltung ist sowohl am Abtastpunkt als auch am Referenzpunkt ein aus der Oberfläche des Anschlusskörpers hervorstehender Lötstellenbump vorgesehen. Dadurch wird einerseits eine einfachere und stabilere Verlötung der Leiter, andererseits eine genaue Positionierung gewährleistet, um die Halbierung des Mangan-Kupfer-Widerstandskörpers durch den Abtastleiter zu erleichtern. In dem Bump ist ferner eine Nut zur Aufnahme eines Leiters ausgebildet, was einen gleichmäßigeren Kontakt zwischen Bump und Abtastleiter bzw. Referenzleiter bei dessen Löten auf den Bump sicherstellt, um das Durchbrennen des Leiters während der Verlötung zu vermeiden.
  • Ein derartiger Lötstellenbump kann entweder durch eine Materialverdickung des Anschlusskörpers an einer Lötstelle oder auch durch Stanzen des Anschlusskörpers an einer Lötstelle oder auch durch eine bereichsweise Verlängerung des Anschlusskörpers erzeugt werden. Für den Fall, dass der Abtastleiter in Form zweier Stränge den Mangan-Kupfer-Widerstandskörper auf den gegenüberliegenden Seiten desselben überquert, muss der Anschlusskörper mit einer Materialverdickung versehen oder bereichsweise verlängert werden, um den Lötstellenbump zu realisieren. Ansonsten kann auf das Stanzverfahren zurückgegriffen werden, wodurch die Herstellung vereinfacht und Material eingespart wird.
  • Für den Fall, dass der Mangan-Kupfer-Widerstandskörper durch Luft als Isolierkörper zweigeteilt ist, kann der Lötstellenbump des Abtastleiters bevorzugterweise in den Isolierkörper hineinragen. Auf diese Weise wird die Herstellung des Bumps vereinfacht.
  • Um den Anschluss externer Leiter an den Shunt zu erleichtern sowie um den Anwendungsbereich des Shunts zu erweitern, erstreckt sich eine Anschlusslasche vorzugsweise vom Anschlusskörper , an deren Oberfläche rutschhemmende Streifen ausgebildet sind, mit denen die Verbindung zwischen externen Leitern und Anschlusskörper stabilisiert werden kann. Oberhalb der Anschlusslasche ist zusätzlich ein aus der Oberfläche des Anschlusskörpers hervorstehender Anschlagstift vorgesehen, der sich ebenfalls durch Stanzen erzeugen lässt. Bei der Steckverbindung kann dieser Anschlagstift als Anschlag und darüber hinaus auch zum Fixieren eines zu verbindenden Leiters dienen.
  • Bei einem erfindungsgemäß ausgeführten Mangan-Kupfer-Shunt überquert der eine Abtastleiter den Mangan-Kupfer-Widerstandskörper, bildet danach mit dem anderen Abtastleiter eine Verdrillung und wird positioniert, so dass sich die beiden Abtastleiter in verdrillter Form erstrecken. Hierbei wird der Mangan-Kupfer-Widerstandskörper durch den Abtastleiter in zwei Abschnitte gleicher Fläche aufgeteilt bzw. halbiert, so dass gemäß dem Faradayschen Gesetz der elektromagnetischen Induktion die Einwirkung externer elektromagnetischer Wechselfelder auf die Abtastleiter des Shunts aufgehoben werden kann. Durch die Anordnung eines Lötstellenbumps am Abtast- bzw. Referenzpunkt lassen sich eine genauer positionierte Verlötung und damit eine festere Verbindung für den Abtastleiter erreichen. Gleichzeitig wird eine Anschlussklemme am Anschlusskörper vorgesehen und der Abtast- und Referenzleiter an dieser Anschlussklemme mit Hilfe von Harzkleber und thermoplastischem Rohr befestigt, so dass sich die Verbindung schwer lösen lässt und die Lebensdauer des Shunts verlängert wird. Zusammenfassend zeichnet sich ein derart ausgebildeter Mangan-Kupfer-Shunt gegen elektromagnetische Wechselfelder durch einfachen Aufbau, geringen Herstellungsaufwand und hohe Störfestigkeit gegenüber Magnetfeldern aus.
  • Aus 1 geht ein Mangan-Kupfer-Shunt ohne Entstörmaßnahmen, aus 2 ein Mangan-Kupfer-Shunt mit herkömmlichen Entstörmaßnahmen, bei denen eine Sandwich-Struktur aus dem Abtastleiter und dem Mangan-Kupfer-Widerstandskörper vorliegt, und aus 3-5 ein erfindungsgemäßer Mangan-Kupfer-Shunt, bei dem ein Mangan-Kupfer-Widerstandskörper durch einen Abtastleiter in zwei rechteckige Abschnitte gleicher Fläche aufgeteilt bzw. halbiert ist, hervor. Es wurden nun die drei Shunts unter gleicher Temperatur und bei gleichem Widerstandswert, gleicher Störquellenentfernung und gleicher Störfeldstärke geprüft und miteinander verglichen. Die Ergebnisse sind wie folgt:
    elektromagnetisches Wechselfeld Ungenauigkeit bei 100 mT (%) Ungenauigkeit bei 50 mT (%)
    Shunt in 1 50% 25%
    Shunt in 2 30% 17%
    Shunt in 3-5 7,8% 4,3%
  • Mit einer 1,0 mm dicken Abschirmhaube
    elektromagnetisches Wechselfeld Ungenauigkeit bei 100 mT (%) Ungenauigkeit bei 50 mT (%)
    Shunt in 1 19% 3,8%
    Shunt in 2 10,2% 1,7%
    Shunt in 3-5 0,0% 0,0%
  • Daraus ergibt sich, dass durch den erfindungsgemäßen Mangan-Kupfer-Shunt gegen elektromagnetische Wechselfelder die Störung elektromagnetischer Wechselfelder erheblich reduziert wird. Das heißt, mit der vorliegenden Erfindung ist es technisch tatsächlich möglich, einen Shunt vor elektromagnetischen Wechselfeldern zu schützen.
  • Figurenliste
  • Es zeigen
    • 1 eine schematische Darstellung eines Mangan-Kupfer-Shunts ohne Entstörmaßnahmen,
    • 2 eine schematische Darstellung eines Mangan-Kupfer-Shunts mit herkömmlichen Entstörmaßnahmen,
    • 3 in schematischer Darstellung den Grundaufbau eines erfindungsgemäßen Shunts, bei dem ein Mangan-Kupfer-Widerstandskörper durch einen Abtastleiter horizontal halbiert ist,
    • 4 eine Ansicht des Shunts entlang der Linie A-A in 3,
    • 5 eine schematische Darstellung des Shunts gemäß 3 mit angeschlossenen Referenz- und Abtastleitern,
    • 6 in schematischer Darstellung den Grundaufbau eines erfindungsgemäßen Shunts, bei dem ein Mangan-Kupfer-Widerstandskörper durch einen Abtastleiter schräg symmetrisch halbiert ist,
    • 7 eine schematische Darstellung des Shunts gemäß 6 mit angeschlossenen Referenz- und Abtastleitern,
    • 8 in schematischer Darstellung den Grundaufbau eines erfindungsgemäßen Shunts, bei dem ein Mangan-Kupfer-Widerstandskörper zweiteilig ausgebildet ist und ein Abtastleiter den Mangan-Kupfer-Widerstandskörper horizontal überquert,
    • 9 eine Ansicht des Shunts entlang der Linie A-A in 8,
    • 10 eine schematische Darstellung des Shunts gemäß 8 mit angeschlossenen Referenz- und Abtastleitern,
    • 11 in schematischer Darstellung den Grundaufbau eines erfindungsgemäßen Shunts, bei dem ein Mangan-Kupfer-Widerstandskörper durch Luft als Isolierkörper zweigeteilt ist und ein Abtastleiter den Mangan-Kupfer-Widerstandskörper horizontal überquert,
    • 12 eine schematische Darstellung des Shunts gemäß 11 mit angeschlossenen Referenz- und Abtastleitern,
    • 13 in schematischer Darstellung den Grundaufbau eines erfindungsgemäßen Shunts mit Anschlusslaschen, bei dem ein Mangan-Kupfer-Widerstandskörper zweiteilig ausgebildet ist und ein Abtastleiter den Mangan-Kupfer-Widerstandskörper schräg überquert,
    • 14 eine Ansicht des Shunts entlang der Linie A-A in 13,
    • 15 eine schematische Darstellung des Shunts gemäß 13 mit angeschlossenen Referenz- und Abtastleitern.
  • Beschreibung konkreter Ausführungsformen
  • Im Folgenden wird die Erfindung anhand mehrerer Ausführungsbeispiele unter Bezugnahme auf die beigefügte Zeichnung näher beschrieben und erläutert.
  • Ausführungsbeispiel 1:
  • Wie aus 3 bis 5 zu erkennen ist, umfasst ein Mangan-Kupfer-Shunt hauptsächlich einen Mangan-Kupfer-Widerstandskörper 4 und beidseitig des Mangan-Kupfer-Widerstandskörpers 4 angeordnete Anschlusskörper 1, wobei sowohl die Anschlusskörper 1 als auch der Mangan-Kupfer-Widerstandskörper 4 plattenförmig ausgebildet sind. Der Mangan-Kupfer-Widerstandskörper 4 besteht aus einer Mangan-Kupfer-Legierung und weist einen genau ermittelbaren Widerstandswert auf. Hingegen sind die Anschlusskörper 1 aus Cuprit oder Messing gefertigt und jeweils mit einer Anschlussbohrung 8 versehen. Der Shunt verfügt über zwei Abtastpunkte, die sich im jeweiligen Anschlusskörper 1 an dessen Schnittstelle zum Mangan-Kupfer-Widerstandskörper 4, im vorliegenden Ausführungsbeispiel auf einer Mittelachse des Mangan-Kupfer-Widerstandskörpers 4, befinden. An jedem der Abtastpunkte ist ein Lötstellenbump 5 vorgesehen, der eine quadratische Form mit gerundeten Ecken aufweist und sich durch Stanzendes jeweiligen Anschlusskörpers 1 zu einem Bump bildet. Zusätzlich hierzu wird in der Mitte durch Stanzen oder Schneiden eine Nut für das Leiterlöten, also eine sogenannte Lötnut, erzeugt, die dem Verlauf eines Abtastleiters entsprechend ausgerichtet ist. An der Oberseite der beiden Anschlusskörper 1 ist jeweils eine Anschlussklemme 6 jeweils zur Fixierung eines Referenzleiters bzw. Abtastleiters vorgesehen. Unterhalb der Anschlussklemme zur Fixierung des Referenzleiters befindet sich ein baugleicher Lötstellenbump 5 als Referenzpunkt des Mangan-Kupfer-Shunts, der mit dem Referenzleiter 3 verbunden ist (siehe 1). Im Lötstellenbump 5 an dem sich auf derselben Seite wie der Referenzpunkt befindlichen Abtastpunkt ist eine querverlaufende Lötnut ausgebildet und ein mit diesem Abtastpunkt verbundener Abtastleiter 2 ist ebenfalls quer ausgerichtet und kann über den Mangan-Kupfer-Widerstandskörper 4 hinweg bis zum Lötstellenbump 5 des gegenüberliegenden Abtastpunkts geführt werden. Dieser Lötstellenbump 5 ist mit einer längserstreckten Lötnut versehen und ein mit diesem Abtastpunkt verbundener Abtastleiter bildet mit dem ersten Abtastleiter eine Verdrillung, erstreckt sich nach oben und wird durch die Anschlussklemme 6 des zugeordneten Anschlusskörpers 1 hindurch geführt. Die verdrillten Abtastleiter 2 und der Referenzleiter 3 sind jeweils mit Hilfe eines thermoplastischen Rohrs 7 mit der jeweiligen Anschlussklemme 6 fixiert (siehe 1). Es versteht sich, dass zur Stabilisierung der Abtastleiter 2 oder der Referenzleiter 3 zunächst mittels eines Harzklebers fest mit der Anschlussklemme 6 verbunden und dann jeweils ein thermoplastisches Rohr 7 zum Fixieren dieser Verbindung aufgesetzt werden kann. Im vorliegenden Ausführungsbeispiel ist der Mangan-Kupfer-Widerstandskörper 4 durch den Abtastleiter, der den Mangan-Kupfer-Widerstandskörper 4 überquert, in zwei rechteckige Abschnitte gleicher Fläche (d.h. einen oberen und einen unteren Abschnitt) aufgeteilt.
  • Ausführungsbeispiel 2:
  • Es werden die beiden im Ausführungsbeispiel 1 beschriebenen Abtastpunkte so angeordnet, dass sich der eine im oberen Bereich und der andere im unteren Bereich befindet, so dass der Abtastleiter 2 den Mangan-Kupfer-Widerstandskörper 4 schräg überqueren kann. Dadurch wird eine Verbesserung der Störfestigkeit erzielt.
  • Ausführungsbeispiel 3:
  • Für die im Ausführungsbeispiel 2 vorgeschlagene Lösung kann weiterhin vorgesehen sein, dass der Lötstellenbump 5 am Abtastpunkt so aufgebaut ist wie es in den 6 bis 7 gezeigt ist. Hierbei bildet sich der Lötstellenbump 5, von dessen Abtastpunkt an dem der Abtastleiter den Mangan-Kupfer-Widerstandskörper 4 überquert, durch eine Verlängerung des jeweiligen Anschlusskörpers aus, während der Lötstellenbump 5 am anderen Abtastpunkt als die Anschlussklemme 6 ausgeführt ist. Auf diese Weise lässt sich die Herstellung des Shunts erheblich vereinfachen.
  • Ausführungsbeispiel 4:
  • Für die im Ausführungsbeispiel 3 vorgeschlagene Lösung kann weiterhin vorgesehen sein, dass der den Mangan-Kupfer-Widerstandskörper 4 überquerende Abtastleiter in zwei Stränge aufgeteilt wird. Die beiden Stränge überqueren jeweils den Mangan-Kupfer-Widerstandskörper 4 auf den gegenüberliegenden Seiten desselben, werden an der Anschlussklemme 6 wieder zusammengeschnürt und bilden mit dem anderen Abtastleiter wiederum eine Verdrillung. Dadurch kann die Beständigkeit gegen elektromagnetische Wechselfelder erhöht werden.
  • Ausführungsbeispiel 5:
  • Wie aus 8-10 ersichtlich ist, wird der aus dem Ausführungsbeispiel 1 bekannte Mangan-Kupfer-Widerstandskörper 4 in zwei Abschnitte aufgeteilt, die zwischen den beiden Anschlusskörpern geschaltet und durch einen Isolierkörper 9 voneinander getrennt sind. Mit dieser Anordnung kann erreicht werden, dass der Strom gleichmäßiger denn je durch den Mangan-Kupfer-Widerstandskörper 4 fließt. Selbstverständlich lässt sich der Mangan-Kupfer-Widerstandskörper 4 auch in mehr als zwei Abschnitte aufteilen. Für Hochfrequenz-Wechselströme gilt es, dass je größer die Abschnittsanzahl, in die der Mangan-Kupfer-Widerstandskörper aufgeteilt wird, ist, ein umso gleichmäßigerer Stromfluss zu erwarten ist. Dies kann aber zur Erhöhung der Herstellungskosten des Shunts führen.
  • Ausführungsbeispiel 6:
  • Im Falle einer schrägen Überquerung des Mangan-Kupfer-Widerstandskörpers 4 durch den Abtastleiter gemäß Ausführungsbeispiel 5 kann es aufgrund des beschränkten Nutzraums am Anschlusskörper schwerfallen, einen Lötstellenbump 5 vorzusehen. Dafür kann auf den in 13 bis 15 dargestellten Aufbau zurückgegriffen werden, bei dem der Isolierkörper zickzackförmig ausgebildet ist und den Mangan-Kupfer-Widerstandskörper 4 in zwei Abschnitte aufteilt. Auf diese Weise kann in den gegenüberliegenden Eckbereichen des Mangan-Kupfer-Widerstandskörpers, wo der Abtastleiter diesen überquert, ausreichend Platz für den Lötstellenbump 5 aufbewahrt werden.
  • Ausführungsbeispiel 7:
  • Bei der Verwendung von Luft als Isolierkörper 9 im Ausführungsbeispiel 5 kann der Lötstellenbump 5 eines Abtastpunkts so aufgebaut sein, wie es in 11-12 gezeigt ist. Hierbei verlängern sich die beiden Anschlusskörper 1 bereichsweise in Richtung des Isolierkörpers 9 und bilden somit jeweils einen Lötstellenbump 5 aus. Dies trägt zur deutlichen Vereinfachung der Herstellung des Shunts bei.
  • Ausführungsbeispiel 8:
  • Für die im Ausführungsbeispiel 7 bereitgestellte Lösung kann weiterhin vorgesehen sein, dass der den Mangan-Kupfer-Widerstandskörper 4 überquerende Abtastleiter in zwei Stränge aufgeteilt wird. Die beiden Stränge überqueren den Mangan-Kupfer-Widerstandskörper 4 auf den gegenüberliegenden Seiten desselben, werden am anderen Lötstellenbump 5 wieder zusammengeschnürt und bilden mit dem anderen Abtastleiter eine Verdrillung und erstrecken sich weiter. Dadurch wird nicht nur die Herstellung des Shunts vereinfacht, sondern auch die Störfestigkeit gegenüber elektromagnetischen Wechselfeldern nimmt zu.
  • Ausführungsbeispiel 9:
  • Zur Verbindung des Shunts mit externen Leitern durch einen Flächenkontakt muss der Anschlusskörper eine große Kontaktfläche besitzen. Wie den 13-15 zu entnehmen ist, erstrecken sich die beiden Anschlusskörper jeweils zu einer Anschlusslasche, an der durch Stanzen rutschhemmende Streifen 10 erzeugt werden. Dies ermöglicht sowohl bei einer Steckverbindung als auch bei einer Quetschverbindung zwischen Shunt und externen Leitern dank erhöhter Reibung eine bessere Stabilität. Um eine gleichmäßige und genaue Steckverbindung herstellen zu können, ist oberhalb der beiden Anschlusslaschen jeweils ein Anschlagstift 11 angeordnet, der ebenfalls durch Stanzen erzeugt wird. Dieser Anschlagstift 11 kann auch als Anschlussbohrung dienen.

Claims (26)

  1. Shunt gegen elektromagnetische Wechselfelder, umfassend als Hauptelemente - einen Mangan-Kupfer-Widerstandskörper, - zwei beidseitig des Mangan-Kupfer-Widerstandskörpers angeordnete und jeweils mit diesem verbundene Anschlusskörper, - zwei beidseitig des Mangan-Kupfer-Widerstandskörpers jeweils an einem Anschlusskörper angeordnete Abtastpunkte, - zwei jeweils mit einem der beiden Abtastpunkte verbundene Abtastleiter, - einen sich an einem der Anschlusskörper befindlichen Referenzpunkt, - einen mit dem Referenzpunkt verbundenen Referenzleiter, dadurch gekennzeichnet, dass einer der Abtastleiter den Mangan-Kupfer-Widerstandskörper überquert und dann mit dem anderen Abtastleiter eine Verdrillung bildet und sich damit erstreckt, wobei der Mangan-Kupfer-Widerstandskörper durch den ersten Abtastleiter in zwei Abschnitte gleicher Fläche aufgeteilt ist.
  2. Shunt gegen elektromagnetische Wechselfelder nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass sich der Abtastpunkt, mit dem der den Mangan-Kupfer-Widerstandskörper überquerende Abtastleiter verbunden ist, auf derjenigen Seite des Mangan-Kupfer-Widerstandskörpers wo sich der Referenzpunkt befindet.
  3. Shunt gegen elektromagnetische Wechselfelder nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass die beiden Abschnitte durch einen Isolierkörper voneinander getrennt sind.
  4. Shunt gegen elektromagnetische Wechselfelder nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, dass Luft als Isolierkörper dient.
  5. Shunt gegen elektromagnetische Wechselfelder nach einem der Ansprüche 1, 2 und 4, dadurch gekennzeichnet, dass der den Bereich des Mangan-Kupfer-Widerstandskörpers überquerende Abtastleiter in zwei gleiche Stränge aufgeteilt wird, wobei die beiden Stränge den Bereich des Mangan-Kupfer-Widerstandskörpers auf den gegenüberliegenden Seiten desselben überqueren, danach wieder zusammengeschnürt werden und mit dem anderen Abtastleiter eine Verdrillung bilden und sich damit erstrecken.
  6. Shunt gegen elektromagnetische Wechselfelder nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, dass der den Bereich des Mangan-Kupfer-Widerstandskörpers überquerende Abtastleiter in zwei gleiche Stränge aufgeteilt wird, wobei die beiden Stränge den Bereich des Mangan-Kupfer-Widerstandskörpers auf den gegenüberliegenden Seiten desselben überqueren, danach wieder zusammengeschnürt werden und mit dem anderen Abtastleiter eine Verdrillung bilden und sich damit erstrecken.
  7. Shunt gegen elektromagnetische Wechselfelder nach einem der Ansprüche 1, 2, 4 und 6, dadurch gekennzeichnet, dass an den Anschlusskörpern jeweils eine Anschlussklemme zur Fixierung des Referenzleiters bzw. des Abtastleiters vorgesehen ist, wobei der Referenzleiter und der Abtastleiter jeweils mit einem thermoplastischen Rohr an der jeweiligen Anschlussklemme befestigt sind.
  8. Shunt gegen elektromagnetische Wechselfelder nach einem der Ansprüche 1, 2, 4 und 6, dadurch gekennzeichnet, dass an den Anschlusskörpern jeweils eine Anschlussklemme zur Fixierung des Referenzleiters bzw. des Abtastleiters vorgesehen ist, wobei der Referenzleiter und der Abtastleiter jeweils mit Harzkleber und einem thermoplastischen Rohr an der jeweiligen Anschlussklemme befestigt sind.
  9. Shunt gegen elektromagnetische Wechselfelder nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, dass an den Anschlusskörpern jeweils eine Anschlussklemme zur Fixierung des Referenzleiters bzw. des Abtastleiters vorgesehen ist, wobei der Referenzleiter und der Abtastleiter jeweils mit einem thermoplastischen Rohr an der jeweiligen Anschlussklemme befestigt sind.
  10. Shunt gegen elektromagnetische Wechselfelder nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, dass an den Anschlusskörpern jeweils eine Anschlussklemme zur Fixierung des Referenzleiters bzw. des Abtastleiters vorgesehen ist, wobei der Referenzleiter und der Abtastleiter jeweils mit Harzkleber und einem thermoplastischen Rohr an der jeweiligen Anschlussklemme befestigt sind.
  11. Shunt gegen elektromagnetische Wechselfelder nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, dass an den Anschlusskörpern jeweils eine Anschlussklemme zur Fixierung des Referenzleiters bzw. des Abtastleiters vorgesehen ist, wobei der Referenzleiter und der Abtastleiter jeweils mit einem thermoplastischen Rohr an der jeweiligen Anschlussklemme befestigt sind.
  12. Shunt gegen elektromagnetische Wechselfelder nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, dass an den Anschlusskörpern jeweils eine Anschlussklemme zur Fixierung des Referenzleiters bzw. des Abtastleiters vorgesehen ist, wobei der Referenzleiter und der Abtastleiter jeweils mit Harzkleber und einem thermoplastischen Rohr an der jeweiligen Anschlussklemme befestigt sind.
  13. Shunt gegen elektromagnetische Wechselfelder nach einem der Ansprüche 1, 2, 4, 6 und 9 bis 12, dadurch gekennzeichnet, dass sowohl am Abtastpunkt als auch am Referenzpunkt ein Lötstellenbump vorgesehen ist, wobei sich in der Mitte des Bumps eine Nut für das Leiterlöten befindet.
  14. Shunt gegen elektromagnetische Wechselfelder nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, dass sowohl am Abtastpunkt als auch am Referenzpunkt ein aus der Oberfläche des Anschlusskörpers hervorstehender Lötstellenbump vorgesehen ist, wobei sich in der Mitte des Bumps eine Nut für das Leiterlöten befindet.
  15. Shunt gegen elektromagnetische Wechselfelder nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, dass sowohl am Abtastpunkt als auch am Referenzpunkt ein aus der Oberfläche des Anschlusskörpers hervorstehender Lötstellenbump vorgesehen ist, wobei sich in der Mitte des Bumps eine Nut für das Leiterlöten befindet.
  16. Shunt gegen elektromagnetische Wechselfelder nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, dass sowohl am Abtastpunkt als auch am Referenzpunkt ein aus der Oberfläche des Anschlusskörpers hervorstehender Lötstellenbump vorgesehen ist, wobei sich in der Mitte des Bumps eine Nut für das Leiterlöten befindet.
  17. Shunt gegen elektromagnetische Wechselfelder nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, dass am Abtastpunkt ein Lötstellenbump vorgesehen ist, wobei der Bump in die Luft als Isolierkörper hineinragt.
  18. Shunt gegen elektromagnetische Wechselfelder nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, dass sowohl am Abtastpunkt als auch am Referenzpunkt ein Lötstellenbump vorgesehen ist, wobei der Lötstellenbump am Abtastpunkt in die Luft als Isolierkörper hineinragt und der Lötstellenbump am Referenzpunkt aus der Oberfläche des Anschlusskörpers hervorsteht.
  19. Shunt gegen elektromagnetische Wechselfelder nach einem der Ansprüche 1, 2, 4, 6, 9 bis 12 und 15 bis 18, dadurch gekennzeichnet, dass sich eine Anschlusslasche vom Anschlusskörper erstreckt, an deren Oberfläche rutschhemmende Streifen ausgebildet sind, wobei oberhalb der Anschlusslasche zusätzlich ein aus der Oberfläche des Anschlusskörpers hervorstehender Anschlagstift vorgesehen ist.
  20. Shunt gegen elektromagnetische Wechselfelder nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, dass sich eine Anschlusslasche vom Anschlusskörper erstreckt, an deren Oberfläche rutschhemmende Streifen ausgebildet sind, wobei oberhalb der Anschlusslasche zusätzlich ein aus der Oberfläche des Anschlusskörpers hervorstehender Anschlagstift vorgesehen ist.
  21. Shunt gegen elektromagnetische Wechselfelder nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, dass sich eine Anschlusslasche vom Anschlusskörper erstreckt, an deren Oberfläche rutschhemmende Streifen ausgebildet sind, wobei oberhalb der Anschlusslasche zusätzlich ein aus der Oberfläche des Anschlusskörpers hervorstehender Anschlagstift vorgesehen ist.
  22. Shunt gegen elektromagnetische Wechselfelder nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, dass sich eine Anschlusslasche vom Anschlusskörper erstreckt, an deren Oberfläche rutschhemmende Streifen ausgebildet sind, wobei oberhalb der Anschlusslasche zusätzlich ein aus der Oberfläche des Anschlusskörpers hervorstehender Anschlagstift vorgesehen ist.
  23. Shunt gegen elektromagnetische Wechselfelder nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, dass sich eine Anschlusslasche vom Anschlusskörper erstreckt, an deren Oberfläche rutschhemmende Streifen ausgebildet sind, wobei oberhalb der Anschlusslasche zusätzlich ein aus der Oberfläche des Anschlusskörpers hervorstehender Anschlagstift vorgesehen ist.
  24. Shunt gegen elektromagnetische Wechselfelder nach Anspruch 13, dadurch gekennzeichnet, dass sich eine Anschlusslasche vom Anschlusskörper erstreckt, an deren Oberfläche rutschhemmende Streifen ausgebildet sind, wobei oberhalb der Anschlusslasche zusätzlich ein aus der Oberfläche des Anschlusskörpers hervorstehender Anschlagstift vorgesehen ist.
  25. Shunt gegen elektromagnetische Wechselfelder, umfassend als Hauptelemente - einen Mangan-Kupfer-Widerstandskörper, - zwei beidseitig des Mangan-Kupfer-Widerstandskörpers angeordnete und jeweils mit diesem verbundene Anschlusskörper, - zwei beidseitig des Mangan-Kupfer-Widerstandskörpers jeweils an einem Anschlusskörper angeordnete Abtastpunkte, - zwei jeweils mit einem der beiden Abtastpunkte verbundene Abtastleiter, - einen sich an einem der Anschlusskörper befindlichen Referenzpunkt, - einen mit dem Referenzpunkt verbundenen Referenzleiter, dadurch gekennzeichnet, dass der Mangan-Kupfer-Widerstandskörper in zwei oder mehr gleiche Abschnitte aufgeteilt ist, wobei die Abschnitte jeweils durch einen Isolierkörper voneinander getrennt sind, und dass einer der Abtastleiter den Mangan-Kupfer-Widerstandskörper überquert und dann mit dem anderen Abtastleiter eine Verdrillung bildet und sich damit erstreckt.
  26. Shunt gegen elektromagnetische Wechselfelder nach Anspruch 25, dadurch gekennzeichnet, dass Luft als Isolierkörper dient.
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