DE112011105850T5 - MEMS-Mikrofon mit reduzierter parasitärer Kapazität - Google Patents

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Abstract

Ein MEMS-Mikrofon mit reduzierter parasitärer Kapazität wird vorgesehen. Daher umfasst das Mikrofon einen Graben, der einen akustisch aktiven Abschnitt der Rückplatte elektrisch von einem akustisch inaktiven Abschnitt der Rückplatte trennt.

Description

  • Die vorliegende Erfindung betrifft MEMS-Mikrofone mit reduzierter parasitärer Kapazität und ein Verfahren zur Herstellung solcher Mikrofone.
  • MEMS-Mikrofone umfassen üblicherweise eine leitfähige Rückplatte und eine leitfähige, flexible Membran, die in einem Abstand von der Rückplatte angeordnet ist. Die Rückplatte und die Membran bilden Elektroden eines Kondensators. Wenn eine Vorspannung an die Elektroden angelegt wird, werden durch empfangene akustische Signale verursachte Schwingungen der Membran in elektrische Signale umgewandelt. Für die weitere Signalverarbeitung können MEMS-Mikrofone einen ASIC (anwendungsspezifische Integrierte Schaltung)-Chip umfassen.
  • Das Mikrofon hat eine zentrale Zone und eine Randzone. Die zentrale Zone ist als die akustisch aktive Zone des Mikrofons definiert. Diese zentrale Zone wird von der Randzone umgeben, die akustisch inaktiv ist. Innerhalb der Randzone sind Verbindungsmittel zum mechanischen und/oder elektrischen Verbinden der Rückplatte und der Membran auf einem Substratmaterial angeordnet. Für die Konstruktion von MEMS-Mikrofonen werden Herstellungsprozesse von Halbleiterbauelementen, wie Schichtabscheidung, Abscheidung von Fotoresistschichten, Strukturierung von Fotoresistschichten und teilweise Entfernung strukturierter Schichten, verwendet. Der Kondensator weist einen akustisch aktiven Abschnitt auf, der durch die akustisch aktive Zone des Mikrofons definiert wird. Ferner weist der Kondensator einen akustisch inaktiven Abschnitt auf, der vom Kondensatorabschnitt innerhalb der Randzone definiert wird.
  • Ein MEMS-Mikrofon umfasst ein System gestapelter Schichten. Der akustisch inaktive Abschnitt des Kondensators verschlechtert jedoch die Leistungsfähigkeit des Mikrofons aufgrund einer parasitären Kapazität. Die entsprechende Signaldämpfung ist: Hc = Cm/(Cm + Ci + Cp), (1) wobei Ci die Eingangskapazität eines entsprechenden ASIC-Chips ist, der das elektrische Signal verarbeitet, und Cp die parasitäre Kapazität ist, d. h. die Kapazität des akustisch inaktiven Abschnitts des Kondensators. Cm ist die Gesamtkapazität, welche die Kapazität der Randzone und die Kapazität der zentralen Zone umfasst. Es ist ersichtlich, dass die Reduktion der parasitären Kapazität die Verschlechterung des Signals vermindert und so die Signalqualität des Mikrofons verbessert.
  • Cp ist hauptsächlich von der akustisch inaktiven überlappenden Zone der Rückplatte und der Membran abhängig.
  • Daher ist es ein Ziel der vorliegenden Erfindung, ein MEMS-Mikrofon mit reduzierter parasitärer Kapazität und ein Verfahren zur Herstellung eines solchen Mikrofons anzugeben.
  • Daher werden ein MEMS-Mikrofon und ein Verfahren zur Herstellung eines solchen Mikrofons in den unabhängigen Ansprüchen angegeben. Abhängige Ansprüche geben bevorzugte Ausführungsformen der Erfindung an.
  • Ein MEMS-Mikrofon umfasst eine akustisch aktive Zone und eine Randzone. Die Randzone umgibt die akustisch aktive Zone. Das Mikrofon umfasst ferner eine Membran in einer Membranschicht, wobei die Membran einen Abschnitt in der akustisch aktiven Zone und einen Abschnitt in der Randzone aufweist. Das Mikrofon umfasst ferner eine erste Rückplatte in einer ersten Rückplattenschicht, wobei die erste Rückplatte einen Abschnitt in der akustisch aktiven Zone und einen Abschnitt in der Randzone aufweist. Ein erster Graben trennt den Membranabschnitt der Randzone vom Membranabschnitt der akustisch aktiven Zone und/oder den ersten Rückplattenabschnitt der Randzone vom ersten Rückplattenabschnitt der akustisch aktiven Zone.
  • Die akustisch aktive Zone ist der Bereich, in dem die Membran schwingen kann. Die Randzone ist der Bereich, in dem die Membran mit dem Körper des Mikrofons steif verbunden ist, wodurch sie nicht schwingen kann. Die Trennung bedeutet hauptsächlich eine elektrische Trennung. Es ist möglich, dass die getrennten Zonen galvanisch isoliert sind. Ferner ist es jedoch möglich, dass der elektrische Widerstand zwischen den getrennten Zonen erhöht wird. Der Widerstand kann 10 GΩ, 100 GΩ, 1.000 GΩ oder 10.000 GΩ betragen.
  • Obwohl elektrisch im Wesentlichen getrennt, besteht trotzdem eine mechanische Verbindung zwischen dem getrennten Abschnitt der akustisch aktiven Zone und dem Körper des Mikrofons. Natürlich darf ein kleiner Bereich innerhalb der Randzone nicht vom jeweiligen Abschnitt innerhalb der akustisch aktiven Zone getrennt sein, da Mittel für eine elektrische Verbindung, z. B. zum Anlegen einer Vorspannung am jeweiligen Abschnitt, üblicherweise innerhalb der Randzone, angeordnet sind.
  • Demgemäß wird ein MEMS-Mikrofon erhalten, in dem die parasitäre Kapazität verringert ist, da der jeweilige Bereich innerhalb der Randzone der Kondensatorelektrode elektrisch vom Mikrofonkondensator im Wesentlichen entkoppelt ist.
  • In einer Ausführungsform umfasst die erste Rückplatte ferner eine erste Rückplatten-Isolierschicht und eine erste leitfähige Rückplattenschicht. Die erste leitfähige Rückplattenschicht ist zwischen der ersten Rückplatten-Isolierschicht und der Membran angeordnet. Die erste Rückplatten-Isolierschicht verbindet den ersten leitfähigen Rückplattenabschnitt der akustisch aktiven Zone mechanisch mit dem Körper des Mikrofons.
  • So ist die akustisch aktive Zone der Rückplatte elektrisch vom inaktiven Bereich der Elektrode im Wesentlichen getrennt, während die Isolierschicht eine mechanische Verbindung herstellt, um die Rückplatte zu halten.
  • In einer Ausführungsform umfasst das Mikrofon ferner ein Ankerelement in der Randzone einer Ankerschicht. Die Ankerschicht ist zwischen der ersten Rückplatte und der Membran angeordnet. Das Ankerelement stellt eine mechanische Verbindung zwischen der ersten Rückplatte und der Membran her. Ferner definiert die Dicke des Ankerelements den Gleichgewichtsabstand zwischen der Rückplatte und der Membran. Da das Ankerelement die mechanische Verbindung zwischen der ersten Rückplatte und der Membran herstellt, ist es bevorzugt, dass das Ankerelement gute Hafteigenschaften vorsieht. Daher kann das Ankerelement ein Siliciumoxid, z. B. Siliciumdioxid SiO2, umfassen.
  • Die erste Rückplatten-Isolierschicht kann mechanisch vom Ankerelement getragen werden. Es ist möglich, dass die erste leitfähige Rückplattenschicht zwischen der ersten Rückplatten-Isolierschicht und dem Ankerelement angeordnet ist.
  • In einer Ausführungsform umfasst das Mikrofon eine erste Rückplatten-Isolierschicht und eine erste leitfähige Rückplattenschicht. Das Mikrofon umfasst ferner ein Substrat, auf dem die Membran angeordnet ist. Das Substrat umfasst Si (Silicium). Die Membran umfasst polykristallines Silicium. Die Ankerschicht umfasst SiO2 (Siliciumdioxid). Die erste leitfähige Rückplattenschicht umfasst polykristallines Si. Die erste Rückplatten-Isolierschicht umfasst ein Material mit niedriger Zugspannung oder niedriger Druckspannung. Ein derartiges Material kann ein Siliciumnitrid, wie nicht-stöchiometrisches siliciumreiches Nitrid, umfassen. Ein solches Material wird bevorzugt, da es die Aufrechterhaltung einer Zugspannung in der Rückplatte unterstützt. So wird eine flache Rückplatte erhalten.
  • Während der Herstellung kann ein derartiges Material unter Verwendung eines CVD(chemische Dampfabscheidung)-Verfahrens, wie eines LP(Niederdruck)-CVD-Verfahrens oder eines PE(plasmaverstärkten)-CVD-Verfahrens, abgeschieden werden.
  • In einer Ausführungsform umfasst das Mikrofon ferner eine zweite Rückplatte. Die zweite Rückplatte umfasst eine zweite Rückplatten-Isolierschicht und eine zweite leitfähige Rückplattenschicht. Die zweite leitfähige Rückplattenschicht ist zwischen der zweiten Rückplatten-Isolierschicht und der Membran angeordnet.
  • In anderen Ausführungsformen kann die zweite leitfähige Schicht eine andere Position haben.
  • So wird ein Mikrofon mit doppelter Rückplatte erhalten. Mikrofone mit doppelter Rückplatte liefern üblicherweise ein besseres Signal/Rausch-Verhältnis und ein verbessertes THD-Verhalten (THD = Total Harmonic Distortion = Gesamtklirrfaktor), obgleich sie einen Signalverstärker erfordern, der mit symmetrischen Signalen arbeitet.
  • Der Abschnitt der zweiten Rückplatte der akustisch aktiven Zone kann auch vom Abschnitt der Randzone durch einen Graben getrennt sein, um die parasitäre Kapazität des jeweiligen Kondensators zu senken, der die Membran und die zweite Rückplatte als seine Elektroden umfasst.
  • In einer Ausführungsform umfasst ein Mikrofon mit doppelter Rückplatte ferner ein Isolierelement in der Randzone der zweiten leitfähigen Rückplattenschicht. Das Isolierelement trennt den zweiten leitfähigen Rückplattenabschnitt der akustisch aktiven Zone elektrisch vom zweiten leitfähigen Rückplattenabschnitt der Randzone. Mit anderen Worten: das Isolierelement, das in derselben Schicht angeordnet ist wie die leitfähige Rückplatte, jedoch ein elektrisches Isoliermaterial, wie SiO2 oder ein Siliciumnitrid, wie stöchiometrisches Si3N4 oder nicht-stöchiometrisches SixNy, enthält, umgibt das jeweilige leitfähige Element der zweiten Rückplatte der akustisch aktiven Zone. So wird das leitfähige Element der zweiten Rückplatte der Randzone elektrisch vom Kondensator entkoppelt, der die zweite Rückplatte und die Membran als Elektroden umfasst.
  • In einer Ausführungsform umfasst die Membran des Mikrofons ferner eine erste Membran-Isolierschicht, eine zweite Membran-Isolierschicht und eine leitfähige Membranschicht, die zwischen den beiden Membran-Isolierschichten angeordnet ist. Ein zweiter Graben trennt den leitfähigen Membranschicht-Abschnitt der Randzone elektrisch vom leitfähigen Membranschicht-Abschnitt der aktiven Zone. So wird wiederum die parasitäre Kapazität des jeweiligen Kondensators durch das elektrische Entkoppeln des inaktiven Teils der Membran verringert.
  • Ein Verfahren zur Herstellung eines solchen MEMS-Mikrofons umfasst die Schritte:
    • – Vorsehen eines Substrats,
    • – Vorsehen und Strukturieren einer Membran auf dem Substrat,
    • – Abscheiden einer Ankerschicht auf der Membran,
    • – Abscheiden einer Rückplattenschicht auf der Ankerschicht,
    • – Strukturieren der Rückplatte und des Ankerelements,
    • – Strukturieren eines Grabens in der Rückplatte, der einen zentralen Abschnitt der Rückplatte von einem randseitigen Abschnitt der Rückplatte trennt.
  • Die Anzahl von Rückplatten ist nicht begrenzt. Eine zweite Rückplatte oder sogar mehrere Rückplatten und mehrere Membranen können auch abgeschieden und strukturiert und mit Gräben versehen werden.
  • Der Grundgedanke der Erfindung und Ausführungsformen sind in den Figuren gezeigt.
  • Kurze Beschreibung der Figuren:
  • 1 zeigt einen Teil eines Mikrofonquerschnitts, umfassend einen Graben, der einen Abschnitt der Rückplatte in der akustisch aktiven Zone von einem Abschnitt der Rückplatte in der Randzone trennt.
  • 2 zeigt eine schematische Draufsicht auf ein MEMS-Mikrofon,
  • 3 zeigt einen Mikrofonquerschnitt gemäß einer weiteren Ausführungsform,
  • 4 zeigt einen Querschnitt einer Membran,
  • 5 zeigt eine Draufsicht eines Mikrofons, das zwei elektrische Verbindungsmittel umfasst,
  • 6 zeigt Details des Grabens in der Nähe eines elektrischen Verbindungsmittels.
  • 1 zeigt einen Querschnitt eines Segments eines MEMS-Mikrofons, das eine Membran M, eine erste leitfähige Rückplattenschicht CBL1 und eine erste Rückplatten-Isolierschicht BIL1 umfasst. Die erste leitfähige Rückplattenschicht CBL1 und die erste Rückplatten-Isolierschicht BIL1 bilden die Rückplatte des Mikrofons. Ein erstes Ankerelement AN1 ist zwischen der ersten leitfähigen Rückplattenschicht CBL1 und der Membran M angeordnet. Die Membran M, die Schichten der ersten Rückplatte und das erste Ankerelement sind auf einem Substrat SU angeordnet. Eine Innenfläche IS des Substrats SU definiert hauptsächlich die Trennung der akustisch aktiven Zone AAR von der Randzone RR, welche die akustisch aktive Zone AAR umgibt. Ein erster Graben TR1 in der ersten Rückplatte trennt den Abschnitt der ersten leitfähigen Rückplattenschicht CBL1 der akustisch aktiven Zone elektrisch von einem Abschnitt in der Randzone RR. Die erste leitfähige Rückplattenschicht CBL1 der ersten Rückplatte und die Membran M bilden die jeweiligen Elektroden des Kondensators des MEMS-Mikrofons. Der randseitige Abschnitt der ersten leitfähigen Rückplatte CBL1 trägt nicht zur Umwandlung von Tonsignalen in elektrische Signale bei. Bei herkömmlichen Mikrofonen trägt dieser akustisch inaktive Teil der Rückplatte zur parasitären Kapazität C bei, welche die Signalqualität des Mikrofons verringert (vgl. Gleichung (1)). Da der erste Graben TR1 den Abschnitt vom akustisch aktiven Abschnitt elektrisch entkoppelt, wird die parasitäre Kapazität C reduziert. So wird die Signalqualität des Mikrofons verbessert. Material der ersten Rückplatten-Isolierschicht BIL1 verbindet mechanisch den akustisch aktiven Abschnitt der Rückplatte mit dem Mikrofonkörper, z. B. mit dem randseitigen Abschnitt der ersten leitfähigen Rückplatte CBL1.
  • 2 zeigt eine Draufsicht eines MEMS-Mikrofons. Das Mikrofon umfasst ein Substrat SU, auf dem eine Membran M angeordnet ist. Die Membran M ist zwischen dem Substrat SU und der Rückplatte BP angeordnet. Die Innenfläche IS des Substrats definiert im Wesentlichen die Kante zwischen der akustisch aktiven Zone AAR und der äußeren, randseitigen akustisch inaktiven Zone RR. Der erste Graben TR1 trennt einen randseitigen Abschnitt der Rückplatte elektrisch von einem zentralen, akustisch aktiven Abschnitt der Rückplatte. So ist die parasitäre Kapazität des Mikrofonkondensators reduziert und die Signalqualität verbessert. Das Mikrofon umfasst ferner ein elektrisches Leitungselement der Rückplatte ECB. Dieses elektrische Leitungselement ECB ist am randseitigen Abschnitt angeordnet und mit der Rückplatte BP der akustisch aktiven Zone AAR elektrisch verbunden. Das elektrische Verbindungselement der Rückplatte ECB ist mit dem randseitigen Abschnitt der Rückplatte elektrisch verbunden, der von dem zentrierten Abschnitt der Rückplatte durch den ersten Graben TR1 getrennt ist.
  • 3 zeigt einen Teil eines Mikrofonquerschnitts, wobei das Mikrofon die zwei Rückplatten umfasst. Die erste Rückplatte umfasst eine erste leitfähige Rückplattenschicht CBL1 und eine erste Rückplatten-Isolierschicht BIL1. Die zweite Rückplatte umfasst eine zweite leitfähige Rückplattenschicht CBL2 und eine zweite Rückplatten-Isolierschicht BIL2. Die Membran ist zwischen den beiden Rückplatten angeordnet und umfasst eine leitfähige Membranschicht CML. 4 zeigt einen Querschnitt der Membran.
  • Die Ausführungsform von 3 umfasst ferner ein erstes Ankerelement AN1, das zwischen der ersten Rückplatte und der Membran angeordnet ist, und ein zweites Ankerelement AN2, das zwischen der zweiten Rückplatte und dem Substrat SU angeordnet ist. Ein erster Graben TR1 trennt den zentralen, akustisch aktiven Abschnitt der ersten leitfähigen Rückplattenschicht CBL1 elektrisch vom Abschnitt der randseitigen Zone RR. Ein zweiter Graben TR2 trennt den Abschnitt der leitfähigen Membranschicht CML (vgl. 4) innerhalb der akustisch aktiven Zone AAR elektrisch von der jeweiligen Schicht der Randzone RR. Demgemäß werden die parasitäre Kapazität aufgrund der randseitigen ersten Rückplatte und des randseitigen Membranabschnitts und die zweite parasitäre Kapazität zwischen dem randseitigen Abschnitt einer Membran und dem randseitigen Abschnitt der zweiten Rückplatte vom Tonumwandlungssystem elektrisch entkoppelt.
  • Ein isolierendes Isolierelement IE in der Schicht der zweiten leitfähigen Rückplattenschicht CBL2 ist in der Randzone RR angeordnet und umgibt den Abschnitt der zweiten leitfähigen Rückplattenschicht CBL2 der akustisch aktiven Zone AAR.
  • In herkömmlichen MEMS-Mikrofonen sind Rückplatten und Membranen gekoppelt. Diese Kopplung kann einen Einfluss auf die Form der Rückplatte und der Membran haben, nachdem die Strukturen nach oder während eines Herstellungsschritts freigegeben werden. So kann die Belastung von der Rückplatte die Membran manipulieren, z. B. durch das Zuführen einer Belastung in die Membran. Die Position und die Größe jedes Grabens, z. B. von 1 bis 3, kann gewählt werden, um den Grad der mechanischen Kopplung zwischen Rückplatte und Membran zu reduzieren. So können Mikrofone mit einem reduzierten Einfluss von der Rückplatte auf die Membran – oder umgekehrt – erhalten werden.
  • 4 zeigt einen Querschnitt der Membran aus 3, die eine erste Membran-Isolierschicht MIL1 und eine zweite Membran-Isolierschicht MIL2 umfasst, zwischen denen die leitfähige Membranschicht CML angeordnet ist.
  • 5 zeigt eine schematische Draufsicht eines MEMS-Mikrofons, das elektrische Kontaktelemente ECB umfasst. Das elektrische Kontaktelement der Rückplatte ECB ist mit der Rückplatte elektrisch verbunden, jedoch vom randseitigen Abschnitt der Rückplatte hauptsächlich getrennt. Ein elektrisches Kontaktelement, das mit der Membran in Kontakt steht, ist mit dem – akustisch aktiven – Abschnitt der Membran verbunden, jedoch vom randseitigen Abschnitt der Membran elektrisch getrennt. Der erste Graben TR1 trennt den randseitigen Abschnitt der Rückplatte elektrisch vom zentralen Abschnitt der Rückplatte.
  • 6 zeigt das elektrische Verbindungselement CE zwischen dem elektrischen Kontaktelement der Rückplatte ECB und der ersten leitfähigen Rückplattenschicht CBL1. Der erste Graben TR umgibt im Wesentlichen die akustisch aktive Zone des Mikrofons. Die Innenfläche IS des Substrats definiert die Kante zwischen der akustisch aktiven Zone und der Randzone. Der erste Graben TR1 umgibt die akustisch aktive Zone nicht vollständig, sondern lässt einen kleinen Abschnitt aus und ermöglicht so, dass das Verbindungselement CE das elektrische Verbindungselement der Rückplatte ECB elektrisch mit der ersten leitfähigen Rückplattenschicht CBL1 verbindet. Der erste Graben TR1 kann mit der Innenfläche IS räumlich zusammenfallen oder nicht. Auch wenn der erste Graben TR1 innerhalb der Randzone RR angeordnet ist, ist die entsprechende parasitäre Kapazität weiter reduziert und die Signalqualität des Mikrofons verbessert.
  • Ein MEMS-Mikrofon ist nicht auf die in der Beschreibung beschriebenen oder in den Figuren gezeigten Ausführungsformen beschränkt. Mikrofone, die weitere Elemente, wie weitere Schichten, weitere Gräben, elektrische Isolierelemente oder elektrische Verbindungsmittel oder Kombinationen davon, umfassen, werden auch von der vorliegenden Erfindung umfasst.
  • Bezugszeichenliste
    • AAR
    akustisch aktive Zone
    AN1, AN2
    erstes, zweites Ankerelement
    BIL1
    erste Rückplatten-Isolierschicht
    BIL2
    zweite Rückplatten-Isolierschicht
    BP1
    erste Rückplatte
    CBL1
    erste leitfähige Rückplattenschicht
    CBL2
    zweite leitfähige Rückplattenschicht
    CE
    elektrisches Verbindungselement CE zwischen dem elektrischen Kontaktelement der Rückplatte ECB und der ersten leitfähigen Rückplattenschicht CBL1
    CML
    leitfähige Membranschicht
    ECB
    elektrisches Verbindungselement der Rückplatte
    IE
    Isolierelement
    IS
    Innenfläche des Substrats
    M
    Membran
    MIL1, MIL2
    erste, zweite Membran-Isolierschicht
    RR
    Randzone
    SU
    Substrat
    TR1
    erster Graben
    TR2
    zweiter Graben

Claims (8)

  1. MEMS-Mikrofon, umfassend – eine akustisch aktive Zone (AAR) und eine Randzone (RR), die akustisch aktive Zone (AAR) umgibt, – eine Membran (M) in einer Membranschicht, wobei die Membran einen Abschnitt in der akustisch aktiven Zone (AAR) und einen Abschnitt in der Randzone (RR) aufweist, – eine erste Rückplatte in einer ersten Rückplattenschicht, wobei die erste Rückplatte einen Abschnitt in der akustisch aktiven Zone (AAR) und einen Abschnitt in der Randzone (RR) aufweist, wobei ein erster Graben (TR1) – den Membran (M)-Abschnitt der Randzone (RR) vom Membran (M)-Abschnitt der akustisch aktiven Zone (AAR), und/oder – den ersten Rückplatten-Abschnitt der Randzone (RR) vom ersten Rückplatten-Abschnitt der akustisch aktiven Zone (AAR) trennt.
  2. MEMS-Mikrofon nach dem vorhergehenden Anspruch, wobei die erste Rückplatte ferner umfasst – eine erste Rückplatten-Isolierschicht (BIL1) und eine erste leitfähige Rückplattenschicht (CBL1), wobei – die erste leitfähige Rückplattenschicht (CBL1) zwischen der ersten Rückplatten-Isolierschicht (BIL1) und der Membran (M) angeordnet ist, – die erste Rückplatten-Isolierschicht (BIL1) den ersten leitfähigen Rückplattenschicht (CBL1)-Abschnitt der akustisch aktiven Zone (AAR) mit dem Körper des Mikrofons mechanisch verbindet.
  3. MEMS-Mikrofon nach einem der vorhergehenden Ansprüche, ferner umfassend – ein erstes Ankerelement (AN1) in der Randzone (RR) einer Ankerschicht, wobei – die Ankerschicht zwischen der ersten Rückplatte und der Membran (M) angeordnet ist.
  4. MEMS-Mikrofon nach dem vorhergehenden Anspruch, umfassend – eine erste Rückplatten-Isolierschicht (BIL1) und eine erste leitfähige Rückplattenschicht (CBL1), ferner umfassend – ein Substrat (SU), auf dem die Membran (M) angeordnet ist, wobei – das Substrat (SU) Si umfasst, – die Membran (M) polykristallines Si umfasst, – die Ankerschicht SiO2 umfasst, – die erste leitfähige Rückplattenschicht (CBL1) polykristallines Si umfasst, – die erste Rückplatten-Isolierschicht (BIL1) siliciumreiches Siliciumnitrid umfasst.
  5. MEMS-Mikrofon nach einem der vorhergehenden Ansprüche, ferner umfassend eine zweite Rückplatte, – wobei die zweite Rückplatte – eine zweite Rückplatten-Isolierschicht (BIL2) und eine zweite leitfähige Rückplattenschicht (CBL2) umfasst, wobei – die zweite leitfähige Rückplattenschicht (CBL2) zwischen der zweiten Rückplatten-Isolierschicht (BIL2) und der Membran (M) angeordnet ist.
  6. MEMS-Mikrofon nach dem vorhergehenden Anspruch, ferner umfassend – ein Isolierelement (IE) in der Randzone der zweiten leitfähigen Rückplattenschicht (CBL2), wobei – das Isolierelement (IE) den zweiten leitfähigen Rückplattenabschnitt der akustisch aktiven Zone (AAR) vom zweiten leitfähigen Rückplattenabschnitt der Randzone (RR) trennt.
  7. MEMS-Mikrofon nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei die Membran (M) ferner – eine erste Membran-Isolierschicht (MIL1), eine zweite Membran-Isolierschicht (MIL2) und eine leitfähige Membranschicht (CML), die zwischen den beiden Membran-Isolierschichten (MIL1, MIL2) angeordnet ist, umfasst, wobei ein zweiter Graben (TR2) den leitfähigen Membranschicht (CML)-Abschnitt der Randzone (RR) vom leitfähigen Membranschicht (CML)-Abschnitt der aktiven Zone (AAR) trennt.
  8. Verfahren zur Herstellung eines MEMS-Mikrofons nach einem der vorhergehenden Ansprüche, welches die Schritt umfasst: – Vorsehen eines Substrats (SU), – Strukturieren einer Membran (M) auf dem Substrat (SU), – Abscheiden einer Ankerschicht auf der Membran (M), – Abscheiden einer Rückplattenschicht auf der Ankerschicht, – Strukturieren einer Rückplatte und eines Ankerelements, – Strukturieren eines Grabens (TR1) in der Rückplatte, der einen zentralen Abschnitt (AAR) der Rückplatte von einem randseitigen Abschnitt (RR) der Rückplatte trennt.
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