DE112005000672T5 - Kühlen eines Chips mit integrierter Schaltung mit Kühlflüssigkeit in einem Mikrokanal und eine thermoelektrischer Dünnfilm-Kühlvorrichtung im Mikrokanal - Google Patents
Kühlen eines Chips mit integrierter Schaltung mit Kühlflüssigkeit in einem Mikrokanal und eine thermoelektrischer Dünnfilm-Kühlvorrichtung im Mikrokanal Download PDFInfo
- Publication number
- DE112005000672T5 DE112005000672T5 DE112005000672T DE112005000672T DE112005000672T5 DE 112005000672 T5 DE112005000672 T5 DE 112005000672T5 DE 112005000672 T DE112005000672 T DE 112005000672T DE 112005000672 T DE112005000672 T DE 112005000672T DE 112005000672 T5 DE112005000672 T5 DE 112005000672T5
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- microchannel
- chip
- back surface
- microchannels
- tftec
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims abstract description 7
- 238000001816 cooling Methods 0.000 title claims description 31
- 239000012809 cooling fluid Substances 0.000 title 1
- 239000002826 coolant Substances 0.000 claims abstract description 33
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 8
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 6
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910000577 Silicon-germanium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- LEVVHYCKPQWKOP-UHFFFAOYSA-N [Si].[Ge] Chemical compound [Si].[Ge] LEVVHYCKPQWKOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 claims description 4
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 4
- PUZSUGPVBHGJRE-UHFFFAOYSA-N tellanylideneberyllium Chemical compound [Te]=[Be] PUZSUGPVBHGJRE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 230000005611 electricity Effects 0.000 claims 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 14
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 6
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002051 biphasic effect Effects 0.000 description 1
- 230000006835 compression Effects 0.000 description 1
- 238000007906 compression Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 1
- 238000005459 micromachining Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
- H01L23/46—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements involving the transfer of heat by flowing fluids
- H01L23/473—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements involving the transfer of heat by flowing fluids by flowing liquids
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
- H01L23/38—Cooling arrangements using the Peltier effect
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
Vorrichtung, die folgendes umfaßt:
einen Chip mit integrierter Schaltung (IC-Chip) mit einer Vorderfläche, auf der eine integrierte Schaltung ausgebildet ist, und einer Rückfläche, die auf der entgegengesetzten Seite der Vorderfläche liegt;
ein Element, welches mindestens einen Mikrokanal auf der Rückfläche des IC-Chips definiert, wobei der Mikrokanal den Durchfluß eines Kühlmittels ermöglicht; und
mindestens eine thermoelektrische Dünnfilmvorrichtung (TFTEC-Vorrichtung) in mindestens einem Mikrokanal.
einen Chip mit integrierter Schaltung (IC-Chip) mit einer Vorderfläche, auf der eine integrierte Schaltung ausgebildet ist, und einer Rückfläche, die auf der entgegengesetzten Seite der Vorderfläche liegt;
ein Element, welches mindestens einen Mikrokanal auf der Rückfläche des IC-Chips definiert, wobei der Mikrokanal den Durchfluß eines Kühlmittels ermöglicht; und
mindestens eine thermoelektrische Dünnfilmvorrichtung (TFTEC-Vorrichtung) in mindestens einem Mikrokanal.
Description
- ALLGEMEINER STAND DER TECHNIK
- Mit zunehmender Komplexität und Betriebsgeschwindigkeit von Mikroprozessoren steigt die Wärme, die während des Betriebs in den Mikroprozessoren erzeugt wird, und auch die an Kühlsysteme für Mikroprozessoren gestellten Anforderungen nehmen zu. Ein besonderes Problem bereiten die sogenannten „Hotspots" („heiße Stellen"), an denen Schaltungselemente an einem lokalen Ort auf dem Mikroprozessorchip die Temperatur in den Bereich über die Durchschnittstemperatur auf dem Chip erhöhen. Somit reicht es nicht immer aus, die Durchschnittstemperatur des Chips unter einer Sollhöhe zu halten, da übermäßiges Erhitzen an den Hotspots zu punktbezogenen Störungen der Vorrichtungen führen kann, obwohl das Kühlungsziel insgesamt erfüllt wird.
- KURZBESCHREIBUNG DER ZEICHNUNGEN
-
1 ist eine schematische von der Seite gesehene Teilquerschnittsansicht eines Chips mit integrierter Schaltung (IC-Chip) mit einem Abschnitt eines Kühlsystems und eines Gehäuses für den Chip gemäß einiger Ausführungsformen. -
2 ist eine schematische von oben gesehene Teilquerschnittsansicht entlang Linie II-II in1 . -
3 ist ein Blockdiagramm, in dem der Chip von1 mit zusätzlichen Komponenten des Kühlsystems für den Chip dargestellt ist. -
4 ist eine Ansicht ähnlich der Ansicht in1 , in der der IC-Chip und ein Abschnitt des Kühlsystems und Chipgehäuses gemäß einiger anderer Ausführungsformen dargestellt ist. -
5 ist eine Ansicht ähnlich der Ansicht in1 und4 , in der der IC-Chip und ein Abschnitt des Kühlsystems und Chipgehäuses gemäß einiger weiterer Ausführungsformen dargestellt ist. -
6 ist ein Blockdiagramm eines Computersystems, welches einen beispielhaften IC-Chip enthält, der mit einem Kühlsystem der in1 –5 dargestellten Art verknüpft ist. - AUSFÜHRLICHE BESCHREIBUNG
-
1 ist eine schematische von der Seite gesehene Teilquerschnittsansicht eines Chips mit integrierter Schaltung (IC-Chip)10 mit einem Abschnitt eines Kühlsystems und einem Chipgehäusesubstrat14 , wie in einigen Ausführungsformen vorgesehen. Zur Vereinfachung der Zeichnung wurden verschiedene Einzelheiten des Chipgehäuses weggelassen. -
2 ist eine schematische Teilquerschnittsansicht des IC-Chips und des Kühlsystems, die als Draufsicht entlang Linie II-II in1 dargestellt ist. Sowohl1 als auch2 zeigen vereinfachte beispielhafte Kühlsystemkomponenten, in der Praxis könnten die Kühlsystemkomponenten jedoch eine sehr viel kompliziertere Anordnung als in den Zeichnungen dargestellt aufweisen. Die Zeichnungen in dieser Spezifikation sind allgemein maßstäblich nicht korrekt. - Mit Bezug auf
1 ist der IC-Chip10 auf dem Chipgehäusesubstrat14 in konventioneller Weise als „Flip-Chip" angeordnet. Der IC-Chip10 kann aus einem konventionellem Halbleitermaterial wie Silizium gebildet sein. Der IC-Chip10 hat eine Vorderfläche16 , auf der eine integrierte Schaltung18 (zum Beispiel ein Mikroprozessor) geformt ist. Die integrierte Schaltung18 ist durch Chip-Bumps20 direkt mit dem Gehäusesubstrat14 gekoppelt. (Im Substrat14 vorhandene Leiterbahnen usw., an die die integrierte Schaltung18 durch die Chip-Bumps20 gekoppelt ist, sind nicht separat dargestellt. Auch „Landslide"-Bumps auf dem Gehäusesubstrat14 wurden in der Zeichnung weggelassen. Die Chip-Bumps20 können zahlreicher als in1 dargestellt sein.) - Der IC-Chip
10 weist ferner eine Rückfläche22 auf, die auf der entgegengesetzten Seite von der Vorderfläche des IC-Chips10 liegt. Ein Mikrokanalelement24 ist durch Bonding-Material26 an die Rückfläche22 des IC-Chips10 angeschlossen. In der Vorderseite29 des Mikrokanalelements24 sind Rillen28 ausgebildet, die Mikrokanäle30 im Mikrokanalelement24 definie ren. Die Vorderseite29 des Mikrokanalelements24 weist zur Rückfläche22 des IC-Chips10 . Es ist zu sehen, daß die Rillen28 des Mikrokanalelements24 zusammen mit der Rückfläche22 des IC-Chips10 die Mikrokanäle30 definieren, wobei die Rückfläche22 den Boden der Mikrokanäle30 bildet. In einigen Ausführungsformen können die Rillen28 einen rechteckigen Querschnitt (wie in der Zeichnung dargestellt) aufweisen, es sind aber auch andere Querschnittsformen möglich. In einigen Ausführungsformen können die Mikrokanäle30 eine Höhe (Abstand zwischen der Rückfläche22 des IC-Chips10 und der Decke der Rille28 ) von ca. 300 μm und eine Breite (Abstand zwischen den beiden Seitenwänden34 und36 der Rille28 ) von ca. 200 μm aufweisen, es sind aber auch andere Abmessungen der Mikrokanäle30 möglich. In einer praktischen Ausführungsform kann die Anzahl der Mikrokanäle bedeutend größer sein als die relativ wenigen Mikrokanäle, die in der Zeichnung dargestellt sind. - In manchen Ausführungsformen könnte das Mikrokanalelement
24 ein Wärmeverteiler wie zum Beispiel ein integrierter Wärmeverteiler sein (HIS – Integrated Heat Spreader), der aus Aluminium oder Kupfer gebildet ist, und der gemäß konventioneller Praktiken vorgesehen werden kann, nur daß zusätzlich Rillen28 vorhanden sind. In anderen Ausführungsformen kann das Element24 auch kein Wärmeverteiler sein, ist aber dennoch aus Kupfer oder Aluminium oder auch aus Silizium gebildet. Die Rillen28 können in dem Element24 mittels eines lithografischen Prozesses oder durch Mikrobearbeitung ausgebildet sein. Das Anbringen des Elements24 an der Rückfläche22 des IC-Chips10 kann mittels Gold erfolgen, oder mittels Löten oder einer anderen geeigneten Technik, wie zum Beispiel Wärmekompressions-Bonding. In Anbetracht dessen, dass die Zeichnungen nicht maßstabsgenau sind, könnte das Element24 (egal ob es ein Wärmeverteiler ist oder nicht) wesentlich dicker als die Höhe der Mikrokanäle30 sein, und die Mikrokanäle könnten sehr viel schmäler sein, als sie in den Zeichnungen aussehen. - Die Mikrokanäle sind vorgesehen, um einem Kühlmittel (nicht dargestellt) den Durchfluß durch die Kanäle
30 zu ermöglichen. In manchen Ausführungsformen kann das Kühlmittel entionisiertes Wasser sein. Der Fluß des Kühlmittels durch die Mikrokanäle30 ist schematisch in2 durch Pfeile38 dargestellt. (Es versteht sich, daß Kühlmittel durch einen Mikrokanal30 fließen kann, auch wenn in dem jeweiligen Kanal kein Pfeil38 dargestellt ist.) - Es wird darauf hingewiesen, daß die Art, wie die Mikrokanäle in
1 definiert sind, im Gegensatz zu einer früher vorgeschlagenen Praktik steht, bei der die Mikrokanäle durch Lithografie oder dergleichen direkt auf der Rückfläche des IC-Chips ausgebildet werden. - Die Mikrokanäle
30 müssen nicht alle geradlinig sein und parallel zu einander verlaufen. - Bezugnehmend auf
1 und2 umfaßt das Kühlsystem12 außer den Mikrokanälen30 auch thermoelektrische Dünnfilm-Kühlvorrichtungen40 (TFTEC). Die TFTEC-Vorrichtungen40 sind auf der Rückfläche22 des IC-Chips10 ausgebildet und in mindestens einigen der Mikrokanäle40 vorgesehen. An den Enden der TFTEC-Vorrichtungen40 sind Endpunkte42 (in2 zu sehen) vorgesehen. Außer wie schematisch bei46 in2 angedeutet, sind aus Gründen der Klarheit keine Stromzuführungsleitungen zum Antrieb der TFTEC-Vorrichtungen40 dargestellt. Solche Leitungen sind jedoch vorhanden und können auf der Rückfläche22 des IC-Chips10 an den Endpunkten42 ausgebildet sein. Um elektrische Kurzschlüsse zu vermeiden, können die Leitungen vom Kühlmittel dadurch isoliert sein, daß sie mit einer Isolierschicht wie Siliziumoxid (nicht dargestellt) beschichtet werden. Zusätzlich oder als Alternative kann das Kühlmittel ein Dielektrikum oder entionisiertes Wasser sein. - In manchen Ausführungsformen können zwei oder mehr TFTEC-Vorrichtungen
40 als vertikaler Stapel ausgebildet sein. Zum Beispiel kann, wie in1 und2 bei46 dargestellt, ein übereinander gestapeltes Paar von TFTEC-Vorrichtungen40 vorgesehen sein. Wie in2 zu sehen ist, müssen die beiden TFTEC-Vorrichtungen40 eines übereinander gestapelten Paares nicht den gleichen Endpunkt aufweisen (coterminous). - In manchen Ausführungsformen kann jede TFTEC-Vorrichtung
40 eine Dicke von ca. 5 μm, eine Breite im Bereich von 5 bis 50 μm und eine Länge im Bereich von 5 bis 50 μm aufweisen. (Wiederum sei darauf hingewiesen, daß die Zeichnungen nicht maßstabsgenau sind). Wenn man daher davon ausgeht, daß die Mikrokanäle30 eine Höhe von Hunderten von Mikrometern aufweisen, hat die Anwesenheit der TFTEC-Vorrichtungen40 keinen signifikanten Einfluß auf den Fluß des Kühlmittels durch die Mikrokanäle. In manchen Ausführungsformen können die TFTEC-Vorrichtungen40 aus einem Material wie Silizium-Germanium-Übergitter (Superlattice) oder Beryllium-Tellurid (Be2Te3) geformt sein. - Wie in den Zeichnungen dargestellt, könnten die TFTEC-Vorrichtungen
40 bei manchen Ausführungsformen in manchen aber nicht in allen Mikrokanälen30 vorhanden sein. Insbesondere könnten die TFTEC-Vorrichtungen40 an spezifischen Orten, die Hotspots sein können, auf dem IC-Chip10 vorgesehen sein. In anderen Ausführungsformen sind TFTEC-Vorrichtungen40 in allen Mikrokanälen30 vorhanden. Wo die Kühlung sehr wichtig ist, können die TFTEC-Vorrichtungen40 aufeinander gestapelt sein. -
3 ist ein Blockdiagramm, in dem der IC-Chip10 sowie zusätzliche Komponenten des Kühlsystems12 dargestellt sind. Zum Zwecke der Veranschaulichung sind die Mikrokanäle30 und die TFTEC-Vorrichtungen40 als separate Blöcke mit gestrichelten Linien dargestellt, obwohl in der Praxis die TFTEC-Vorrichtungen40 in den Mikrokanälen30 liegen. - Wie in
3 veranschaulicht, beinhaltet das Kühlsystem12 ein Kühlmittelumlaufsystem48 zur Zufuhr des Kühlmittels zu den Mikrokanälen30 . Das Kühlmittelumlaufsystem48 könnte über einen oder mehrere Kühlmittelzulaufkanäle50 und einen oder mehrere Kühlmittelrücklaufkanäle mit den Mikrokanälen30 in Fluidverbindung stehen. Obwohl nicht separat dargestellt, kann eine Pumpe und ein Wärmetauscher, die entfernt vom Chip10 angeordnet sind, in das Kühlmittelumlaufsystem48 aufgenommen werden. - Das Kühlsystems
12 beinhaltet ferner eine Antriebsschaltung54 , die an die TFTEC-Vorrichtungen40 gekoppelt ist, um die TFTEC-Vorrichtungen40 mit elektrischem Strom zu versorgen. In manchen Ausführungsformen kann die Antriebsschaltung54 auf dem Gehäuse für den IC-Chip10 montiert sein. (In den Zeichnungen ist nur das Gehäusesubstrat14 dargestellt.) In manchen Ausführungsformen könnte die Antriebsschaltung54 auch die intregrierte Schaltung18 (1 ) mit elektrischem Strom versorgen. In anderen Worten, die integrierte Schaltung18 und die TFTEC-Vorrichtungen40 könnten sich die Stromversorgung in manchen Ausführungsformen teilen. - Bezugnehmend auf
4 ist in manchen Ausführungsformen eine zweite Lage56 von Mikrokanälen30 über der ersten Lage58 von Mikrokanälen30 in einem Kühlsystem12a vorgesehen. In den in4 dargestellten Ausführungsformen ist das Mikrokanalelement24 sehr viel dicker als die Höhe der Mikrokanäle30 der ersten Lage58 und ist zwischen dem IC-Chip10 und dem Wärmeverteiler60 (oder einem anderen Element) angeordnet. In diesen Ausführungsformen sind die Mikrokanäle der ersten Lage58 durch die Rückfläche22 des IC-Chips10 und durch die Rillen28 im Mikrokanalelement24 definiert; und die Mikrokanäle der zweiten Lage56 sind durch die Rückfläche62 des Mikrokanalelements24 und die Rillen28 im Wärmeverteiler60 definiert. In diesen Ausführungsformen ist der Boden der Mikrokanäle der zweiten Lage56 durch die Rückfläche62 des Mikrokanalelements24 definiert. - Auch hier kann das Mikrokanalelement
24 in manchen Ausführungsformen aus Kupfer, Aluminium oder Silizium hergestellt sein. Der Wärmeverteiler60 kann zum Beispiel aus Kupfer oder Aluminium hergestellt sein. Der Wärmeverteiler60 kann eine Dicke aufweisen, die wesentlich größer als die Höhe der Mikrokanäle der zweiten Lage56 ist. In manchen Ausführungsformen kann die Höhe der Mikrokanäle der zweiten Lage56 im wesentlichen die gleiche (zum Beispiel 300 μm) wie die Höhe der Mikrokanäle der ersten Lage58 sein. - In anderen Ausführungsformen, in denen zwei Lagen von Mikrokanälen vorgesehen sind, wie in
5 veranschaulicht, hat ein Mikrokanalelement24a Rillen28 , die nach unten weisen, und Rillen64 , die nach oben weisen. In diesen Ausführungsformen beinhaltet das Kühlsystem12b eine erste Lage58 von Mikrokanälen und eine zweite Lage56a von Mikrokanälen. Das Mikrokanalelement24a ist zwischen einem Wärmeverteiler60a und der Rückfläche22 des IC-Chips10 angeordnet. Wie in der Ausführungsform von4 sind die Mikrokanäle der ersten Lage durch die Rückfläche22 des IC-Chips10 und durch die nach unten weisenden Rillen28 im Mikrokanalelement24 definiert, aber die Mikrokanäle der zweiten Lage56a von5 sind durch die Vorderfläche66 des Wärmeverteilers60a und durch die nach oben weisenden Rillen 64 im Mikrokanalelement24a definiert. In diesen Ausführungsformen ist die Decke der Mikrokanäle der zweiten Lage56a durch die Vorderfläche66 des Wärmeverteilers60a definiert. - Die Kühlsysteme
12a und12b könnten weitgehend das gleiche Kühlmittelumlaufsystem und die gleiche Antriebsschaltung wie das Kühlsystem12 von1 -3 aufweisen. - Wenn das Kühlmittelsystem
12 ,12a oder12b im Betrieb ist, fließt das vom Kühlmittelumlaufsystem48 (3 ) zugeführte Kühlmittel (nicht dargestellt) durch die Mikrokanäle30 auf oder oberhalb der Rückfläche des IC-Chips10 , um die Kühlung des IC-Chips10 zu unterstützen. In manchen Ausführungsformen wird das Kühlmittel mit zwei Phasen – Flüssigkeit und Dampf – betrieben. Das heißt, in manchen Ausführungsformen befindet sich mindestens ein Teil des Kühlmittels im gasförmigen Zustand. In anderen Ausführungsformen ist das Kühlmittel einphasig – das heißt in jedem Fall flüssig. In manchen Ausführungsformen wird der zweiphasige Betrieb in Verbindung mit einer einzelnen Lage von Mikrokanälen verwendet. In anderen Ausführungsformen wird der einphasige Betrieb in Verbindung mit zwei oder mehr Lagen von Mikrokanälen verwendet. In jedem Fall kann der Wärmedurchlaßwiderstand des Kühlsystems sehr gering sein. In wiederum anderen Ausführungsformen wird der einphasige Betrieb in Verbindung mit einer einzelnen Lage von Mikrokanälen verwendet. - Ferner wird der IC-Chip im Rahmen des Betriebs des Kühlsystems
12 ,12a ,12b durch den Betrieb der TFTEC-Vorrichtungen40 gekühlt, die in der Rückfläche des IC-Chips ausgebildet sind. Die Anwesenheit der TFTEC-Vorrichtungen könnte die Auswirkungen von Hotspots auf den IC-Chip mildern, die auf lokale Eigenschaften der integrierten Schaltung18 zurückzuführen sind. Ferner kann das auf der Oberseite (der „heißen Seite") der TFTEC-Vorrichtungen fließende Kühlmittel die Wirksamkeit der TFTEC-Vorrichtungen verbessern, indem es zur Abführung der von den TFTEC-Vorrichtungen geführten Wärme vom IC-Chip beiträgt. Die Kombination des in den Mikrokanälen fließenden Kühlmittels und der Betrieb der TFTEC-Vorrichtungen kann zur Erzielung einer niedrigeren Durchschnittstemperatur, als durch konventionelle Kühlungsarrangements erzielbar ist, für den IC-Chip beitragen. - Die hier beschriebenen Kühlsysteme, die sowohl Mikrokanäle auf der und/oder angrenzend an die Rückfläche des IC-Chips als auch TFTEC-Vorrichtungen auf der Rückfläche des IC-Chips in mindestens einigen der Mikrokanäle beinhalten, können sowohl auf konventionelle Flip-Chipmontierte Chips als auch auf sogenannte „Thin Die Thin TIM" IC-Gehäuse anwendbar sein, wobei TIM sich auf „Thermal Interface Material" („Wärmeschnittstellenmaterial") bezieht.
- Wie oben erwähnt, kann in manchen Ausführungsformen die integrierte Schaltung
18 , die auf der Vorderfläche des IC-Chips10 ausgebildet ist, ein Mikroprozessor sein.6 ist ein Blockdiagramm eines Systems100 , in welches ein solcher Chip10 eingebaut ist. Obwohl in6 nicht separat dargestellt, könnte ein Kühlsystem12 , wie oben offenbart (oder ein Kühlsystem12a oder12b ) mit dem IC-Chip10 verknüpft sein. - In
6 beinhaltet der Chip10 viele Unterblöcke, wie zum Beispiel ALU104 (arithmetische Logikeinheit) und On-Die-Cache106 . Der Mikroprozessor auf Chip10 kann auch mit anderen Cache-Ebenen kommunizieren, wie zum Beispiel dem Off-Die-Cache108 . Höhere Speicherhierarchieebenen, wie der Systemspeicher110 , ermöglichen den Zugriff über Host-Bus112 und Chipsatz114 . Außerdem können andere funktionelle Off-Die-Einheiten, wie Grafikbeschleuniger116 und Netzwerkschnittstellen-Controller118 (NIC), um nur einige zu nennen, mit dem Mikroprozesser auf Chip10 über entsprechende Busse oder Ports kommunizieren. - Die hier beschriebenen verschiedenen Ausführungsformen dienen lediglich der Veranschaulichung. Die hier beschriebenen verschiedenen Merkmale müssen nicht alle zusammen eingesetzt werden, und jedes beliebigen oder mehrere dieser Merkmale könnten in eine einzige Ausführungsform aufgenommen werden. Ein Fachmann wird daher anhand der obigen Beschreibung erkennen, daß andere Ausführungsformen mit verschiedenen Modifikationen und Änderungen implementiert werden können.
- Zusammenfassung
- Eine Vorrichtung enthält einen Chip mit integrierter Schaltung (IC-Chip), der eine Vorderfläche aufweist, auf der eine integrierte Schaltung ausgebildet ist. Der IC-Chip weist ferner eine Rückfläche auf, die auf der entgegengesetzten Seite der Vorderfläche liegt. Die Vorrichtung weist ferner ein Mikrokanalelement auf, welches mindestens einen Mikrokanal auf der Rückfläche des IC-Chips definiert. Der Mikrokanal gestattet einem Kühlmittel den Durchfluß durch den Mikrokanal. Die Vorrichtung weist ferner mindestens eine thermoelektrische Dünnfilm-Kühlvorrichtung (TFTEC-Vorrichtung) in dem mindestens einem Mikrokanal auf.
Claims (28)
- Vorrichtung, die folgendes umfaßt: einen Chip mit integrierter Schaltung (IC-Chip) mit einer Vorderfläche, auf der eine integrierte Schaltung ausgebildet ist, und einer Rückfläche, die auf der entgegengesetzten Seite der Vorderfläche liegt; ein Element, welches mindestens einen Mikrokanal auf der Rückfläche des IC-Chips definiert, wobei der Mikrokanal den Durchfluß eines Kühlmittels ermöglicht; und mindestens eine thermoelektrische Dünnfilmvorrichtung (TFTEC-Vorrichtung) in mindestens einem Mikrokanal.
- Vorrichtung nach Anspruch 1, wobei die mindestens eine TFTEC-Vorrichtung auf der Rückfläche des IC-Chips ausgebildet ist.
- Vorrichtung nach Anspruch 2, wobei das Element eine Vorderseite aufweist, die zu der Rückfläche des IC-Chips weist, und in der Vorderseite des Elements mindestens eine Rille ausgebildet ist, die mindestens einen Mikrokanal definiert.
- Vorrichtung nach Anspruch 1, wobei das Element ein integrierter Wärmeverteiler ist.
- Vorrichtung nach Anspruch 4, wobei das Element aus Kupfer hergestellt ist.
- Vorrichtung nach Anspruch 1, wobei das Element aus Silizium hergestellt ist.
- Vorrichtung nach Anspruch 1, wobei das Element aus Kupfer hergestellt ist.
- Vorrichtung nach Anspruch 1, wobei das Kühlmittel Wasser enthält.
- Vorrichtung nach Anspruch 8, wobei das Kählmittel entionisiertes Wasser ist.
- Vorrichtung nach Anspruch 1, wobei die TFTEC-Vorrichtung ein Silizium-Germanium-Übergitter oder Beryllium-Tellurid aufweist.
- Vorrichtung nach Anspruch 1, wobei das Element an die Rückfläche des IC-Chips angeschlossen ist.
- Vorrichtung nach Anspruch 11, die ferner einen Wärmeverteiler umfaßt; wobei das Element zwischen dem Wärmeverteiler und der Rückfläche des IC-Chips angeordnet ist; und der mindestens eine Mikrokanal folgendes umfaßt: eine erste Lage von Mikrokanälen, die durch die Rückfläche des IC-Chips und Rillen im Element definiert sind; und eine zweite Lage von Mikrokanälen, die durch eine Rückfläche des Elements und Rillen im Wärmeverteiler definiert sind, wobei die zweite Lage von Mikrokanälen über der ersten Lage von Mikrokanälen liegt.
- Vorrichtung nach Anspruch 12, wobei die mindestens eine TFTEC-Vorrichtung auf der Rückfläche des IC-Chips ausgebildet ist.
- Vorrichtung nach Anspruch 11, die ferner einen Wärmeverteiler umfaßt; wobei das Element zwischen dem Wärmeverteiler und der Rückfläche des IC-Chips angeordnet ist; und der mindestens eine Mikrokanal folgendes umfaßt: eine erste Lage von Mikrokanälen, die durch die Rückfläche des IC-Chips und durch Rillen im Element definiert sind; und eine zweite Lage von Mikrokanälen, die durch eine Vorderfläche des Wärmeverteilers und Rillen im Element definiert sind, wobei die zweite Lage von Mikrokanälen über der ersten Lage von Mikrokanälen liegt.
- Vorrichtung nach Anspruch 1, wobei die auf der Vorderfläche des IC-Chips ausgebildete integrierte Schaltung ein Mikroprozessor ist.
- Vorrichtung nach Anspruch 1, wobei die mindestens eine TFTEC-Vorrichtung mindestens ein Paar aufeinander gestapelter TFTEC-Vorrichtungen beinhaltet.
- Verfahren, umfassend: Leiten eines Kühlmittels durch einen Mikrokanal auf einer Rückfläche eines integrierten Schaltangs- (IC) Chips; und Kühlen des IC-Chips mit einer thermoelektrischen Dünnfilm-Kühlvorrichtung (TFTEC-Vorrichtung), die auf der Rückfläche des IC-Chips ausgebildet ist und sich in dem Mikrokanal befindet.
- Verfahren nach Anspruch 17, wobei das Leiten ein Leiten des Kühlmittels durch zwei Lagen von Mikrokanälen beinhaltet, die an die Rückfläche des IC-Chips angrenzen.
- Verfahren nach Anspruch 17, wobei das Kühlmittel Wasser beinhaltet.
- Verfahren nach Anspruch 19, wobei das Kühlmittel entionisiertes Wasser ist.
- Verfahren nach Anspruch 17, wobei die TFTEC-Vorrichtung ein Silizium-Germanium-Übergitter oder Beryllium-Tellurid umfaßt.
- Verfahren nach Anspruch 17, wobei der Mikrokanal durch eine Rille definiert ist, die in einer Vorderseite eines Elements ausgebildet ist, wobei die Vorderseite des Elements zu der Rückfläche des IC-Chips weist.
- System, das folgendes umfaßt: einen integrierten Schaltungs- (IC) Chip mit einer Vorderfläche, auf der der Mikroprozessor ausgebildet ist, und einer Rückfläche, die auf der entgegengesetzten Seite der Vorderfläche liegt; ein Element, welches mindestens einen Mikrokanal auf der Rückfläche des IC-Chips definiert, wobei der Mikrokanal den Durchfluß eines Kühlmittels gestattet; mindestens eine thermoelektrische Dünnfilm-Kühlvorrichtung (TFTEC-Vorrichtung) in dem mindestens einen Mikrokanal; und ein Chipsatz, der mit dem Mikroprozessor in Verbindung steht-.
- System nach Anspruch 23, wobei die mindestens eine TFTEC-Vorrichtung auf der Rückfläche des IC-Chips ausgebildet ist.
- System nach Anspruch 24, wobei das Element eine Vorderseite aufweist, die zu der Rückfläche des IC-Chips weist, wobei die Vorderseite des Elements mindestens eine Rille aufweist, die mindestens einen Mikrokanal definiert.
- System nach Anspruch 23, wobei die TFTEC-Vorrichtung ein Silizium-Germanium-Übergitter oder Beryllium-Tellurid aufweist.
- System nach Anspruch 23, ferner umfassend: ein Kühlmittelumlaufsystem zur Versorgung des mindestens einen Mikrokanals mit Kühlmittel.
- System nach Anspruch 27, das ferner folgendes umfaßt: eine Antriebsschaltung zur Versorgung der mindestens einen TFTEC-Vorrichtung mit elektrischem Strom.
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US10/811,597 US7633752B2 (en) | 2004-03-29 | 2004-03-29 | Cooling an integrated circuit die with coolant flow in a microchannel and a thin film thermoelectric cooling device in the microchannel |
US10/811,597 | 2004-03-29 | ||
PCT/US2005/010177 WO2005098940A2 (en) | 2004-03-29 | 2005-03-25 | Cooling an integrated circuit die with coolant flow in a microchannel and a thin film thermoelectric cooling device in the microchannel |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE112005000672T5 true DE112005000672T5 (de) | 2008-02-28 |
DE112005000672B4 DE112005000672B4 (de) | 2018-02-01 |
Family
ID=34980087
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE112005000672.7T Expired - Fee Related DE112005000672B4 (de) | 2004-03-29 | 2005-03-25 | Kühlen eines Chips mit integrierter Schaltung mit Kühlflüssigkeit in einem Mikrokanal und eine thermoelektrischer Dünnfilm-Kühlvorrichtung im Mikrokanal |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US7633752B2 (de) |
KR (1) | KR100970031B1 (de) |
CN (1) | CN1930681B (de) |
DE (1) | DE112005000672B4 (de) |
TW (1) | TWI259570B (de) |
WO (1) | WO2005098940A2 (de) |
Families Citing this family (28)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8464781B2 (en) * | 2002-11-01 | 2013-06-18 | Cooligy Inc. | Cooling systems incorporating heat exchangers and thermoelectric layers |
US7591302B1 (en) | 2003-07-23 | 2009-09-22 | Cooligy Inc. | Pump and fan control concepts in a cooling system |
US7622327B2 (en) * | 2006-03-30 | 2009-11-24 | Intel Corporation | Covered devices in a semiconductor package |
US8981548B2 (en) | 2007-05-25 | 2015-03-17 | Stats Chippac Ltd. | Integrated circuit package system with relief |
US7865751B2 (en) | 2007-06-18 | 2011-01-04 | Intel Corporation | Microarchitecture controller for thin-film thermoelectric cooling |
US7973433B2 (en) * | 2007-07-30 | 2011-07-05 | Nelson David F | Power electronics devices with integrated gate drive circuitry |
US8139371B2 (en) * | 2007-07-30 | 2012-03-20 | GM Global Technology Operations LLC | Power electronics devices with integrated control circuitry |
JP5733893B2 (ja) * | 2009-12-22 | 2015-06-10 | 新光電気工業株式会社 | 電子部品装置 |
US9063730B2 (en) | 2010-12-20 | 2015-06-23 | Intel Corporation | Performing variation-aware profiling and dynamic core allocation for a many-core processor |
US8867209B2 (en) | 2011-07-21 | 2014-10-21 | International Business Machines Corporation | Two-phase, water-based immersion-cooling apparatus with passive deionization |
US9490414B2 (en) | 2011-08-31 | 2016-11-08 | L. Pierre de Rochemont | Fully integrated thermoelectric devices and their application to aerospace de-icing systems |
EP2775517B1 (de) | 2011-11-04 | 2019-02-27 | Fujitsu Limited | Mikrokanalkühlvorrichtung, mikrokanalkühlsystem und elektronisches instrument |
FR2994289B1 (fr) * | 2012-08-03 | 2014-09-12 | Commissariat Energie Atomique | Procede de limitation des variations de temperature d'un composant electrique |
US8947873B2 (en) | 2012-11-26 | 2015-02-03 | International Business Machines Corporation | Immersion-cooled and conduction-cooled electronic system |
US9220184B2 (en) | 2013-03-15 | 2015-12-22 | Hamilton Sundstrand Corporation | Advanced cooling for power module switches |
WO2015095356A1 (en) * | 2013-12-17 | 2015-06-25 | University Of Florida Research Foundation, Inc. | Hierarchical hydrophilic/hydrophobic micro/nanostructures for pushing the limits of critical heat flux |
US9263366B2 (en) * | 2014-05-30 | 2016-02-16 | International Business Machines Corporation | Liquid cooling of semiconductor chips utilizing small scale structures |
TWI563780B (en) * | 2014-12-10 | 2016-12-21 | Ind Tech Res Inst | Power heat dissipation device and heat dissipation control method thereof |
CN105188317A (zh) * | 2015-09-07 | 2015-12-23 | 上海交通大学 | 恶劣工况下电子器件主动式热电冷却系统 |
TWI572272B (zh) | 2015-10-30 | 2017-02-21 | 財團法人工業技術研究院 | 功率散熱裝置 |
RU2620732C1 (ru) * | 2016-06-27 | 2017-05-29 | Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт теплофизики им. С.С. Кутателадзе Сибирского отделения Российской академии наук (ИТ СО РАН) | Устройство формирования пристенных капельных течений жидкости в микро- и мини-каналах |
US11701653B2 (en) * | 2017-10-18 | 2023-07-18 | The Johns Hopkins University | Microfluidic device with localized temperature control |
TWI844708B (zh) * | 2019-07-22 | 2024-06-11 | 美商布魯克斯熱傳導公司 | 熱管理系統及相關之半導體裝置 |
US11640930B2 (en) * | 2019-09-05 | 2023-05-02 | Mediatek Inc. | Semiconductor package having liquid-cooling lid |
CN111640715B (zh) * | 2020-06-11 | 2023-09-29 | 常州大学 | 一种微通道毛细结构的超薄微热管及其制备方法 |
RU2755608C1 (ru) * | 2020-12-18 | 2021-09-17 | Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Новосибирский национальный исследовательский государственный университет" (Новосибирский государственный университет, НГУ) | Способ охлаждения электронного оборудования |
US12059371B2 (en) | 2022-01-04 | 2024-08-13 | Bluexthermal, Inc. | Ocular region heat transfer devices and associated systems and methods |
WO2024138186A1 (en) * | 2022-12-23 | 2024-06-27 | Adeia Semiconductor Bonding Technologies Inc. | Embedded cooling systems for advanced device packaging |
Family Cites Families (40)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3232719A (en) * | 1962-01-17 | 1966-02-01 | Transitron Electronic Corp | Thermoelectric bonding material |
US4894709A (en) * | 1988-03-09 | 1990-01-16 | Massachusetts Institute Of Technology | Forced-convection, liquid-cooled, microchannel heat sinks |
US4938280A (en) * | 1988-11-07 | 1990-07-03 | Clark William E | Liquid-cooled, flat plate heat exchanger |
US5345107A (en) * | 1989-09-25 | 1994-09-06 | Hitachi, Ltd. | Cooling apparatus for electronic device |
US5291064A (en) * | 1991-04-16 | 1994-03-01 | Nec Corporation | Package structure for semiconductor device having a flexible wiring circuit member spaced from the package casing |
US5239200A (en) * | 1991-08-21 | 1993-08-24 | International Business Machines Corporation | Apparatus for cooling integrated circuit chips |
JP2570605B2 (ja) * | 1993-11-15 | 1997-01-08 | 日本電気株式会社 | 半導体装置 |
US5457342A (en) * | 1994-03-30 | 1995-10-10 | Herbst, Ii; Gerhardt G. | Integrated circuit cooling apparatus |
JP2986381B2 (ja) * | 1994-08-16 | 1999-12-06 | インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション | 電子チップ温度制御装置及び方法 |
US5637921A (en) * | 1995-04-21 | 1997-06-10 | Sun Microsystems, Inc. | Sub-ambient temperature electronic package |
US5918469A (en) * | 1996-01-11 | 1999-07-06 | Silicon Thermal, Inc. | Cooling system and method of cooling electronic devices |
USRE41801E1 (en) * | 1997-03-31 | 2010-10-05 | Nextreme Thermal Solutions, Inc. | Thin-film thermoelectric device and fabrication method of same |
US5880524A (en) * | 1997-05-05 | 1999-03-09 | Intel Corporation | Heat pipe lid for electronic packages |
WO1999010937A1 (fr) | 1997-08-25 | 1999-03-04 | Citizen Watch Co., Ltd. | Dispositif thermoelectrique |
US6121539A (en) * | 1998-08-27 | 2000-09-19 | International Business Machines Corporation | Thermoelectric devices and methods for making the same |
US6094919A (en) * | 1999-01-04 | 2000-08-01 | Intel Corporation | Package with integrated thermoelectric module for cooling of integrated circuits |
US6125921A (en) * | 1999-03-16 | 2000-10-03 | Chaun-Choung Industrial Corp. | Radiator |
JP3518434B2 (ja) * | 1999-08-11 | 2004-04-12 | 株式会社日立製作所 | マルチチップモジュールの冷却装置 |
US6505468B2 (en) * | 2000-03-21 | 2003-01-14 | Research Triangle Institute | Cascade cryogenic thermoelectric cooler for cryogenic and room temperature applications |
US6424533B1 (en) * | 2000-06-29 | 2002-07-23 | International Business Machines Corporation | Thermoelectric-enhanced heat spreader for heat generating component of an electronic device |
JP2004502315A (ja) * | 2000-07-06 | 2004-01-22 | ファイカンプ ホールディング ビー ヴェー | セラミック多層キャパシタアレイ |
US6365821B1 (en) * | 2000-07-24 | 2002-04-02 | Intel Corporation | Thermoelectrically cooling electronic devices |
US6317326B1 (en) | 2000-09-14 | 2001-11-13 | Sun Microsystems, Inc. | Integrated circuit device package and heat dissipation device |
DE10056172A1 (de) | 2000-11-13 | 2002-06-27 | Vodafone Pilotentwicklung Gmbh | Elektrisches Bauteil |
US6489551B2 (en) * | 2000-11-30 | 2002-12-03 | International Business Machines Corporation | Electronic module with integrated thermoelectric cooling assembly |
US7209951B2 (en) * | 2001-03-20 | 2007-04-24 | Bernel Goldberg | Method and system for modifying the content of e-mail transmissions based on customization settings |
US7164077B2 (en) * | 2001-04-09 | 2007-01-16 | Research Triangle Institute | Thin-film thermoelectric cooling and heating devices for DNA genomic and proteomic chips, thermo-optical switching circuits, and IR tags |
US6410971B1 (en) * | 2001-07-12 | 2002-06-25 | Ferrotec (Usa) Corporation | Thermoelectric module with thin film substrates |
US6581388B2 (en) * | 2001-11-27 | 2003-06-24 | Sun Microsystems, Inc. | Active temperature gradient reducer |
US6606251B1 (en) * | 2002-02-07 | 2003-08-12 | Cooligy Inc. | Power conditioning module |
EP1506054B1 (de) | 2002-03-26 | 2012-07-25 | Peter Prechtl | Mikroreaktor und mikrowärmeübertrager |
US7078803B2 (en) * | 2002-09-27 | 2006-07-18 | Isothermal Systems Research, Inc. | Integrated circuit heat dissipation system |
US7000684B2 (en) * | 2002-11-01 | 2006-02-21 | Cooligy, Inc. | Method and apparatus for efficient vertical fluid delivery for cooling a heat producing device |
US6711904B1 (en) * | 2003-03-06 | 2004-03-30 | Texas Instruments Incorporated | Active thermal management of semiconductor devices |
US6845622B2 (en) * | 2003-03-27 | 2005-01-25 | Intel Corporation | Phase-change refrigeration apparatus with thermoelectric cooling element and methods |
US6934154B2 (en) * | 2003-03-31 | 2005-08-23 | Intel Corporation | Micro-channel heat exchangers and spreaders |
US6804966B1 (en) | 2003-06-26 | 2004-10-19 | International Business Machines Corporation | Thermal dissipation assembly employing thermoelectric module with multiple arrays of thermoelectric elements of different densities |
US6794760B1 (en) * | 2003-09-05 | 2004-09-21 | Intel Corporation | Integrated circuit interconnect |
US7029951B2 (en) * | 2003-09-12 | 2006-04-18 | International Business Machines Corporation | Cooling system for a semiconductor device and method of fabricating same |
US6919231B1 (en) * | 2004-03-24 | 2005-07-19 | Intel Corporation | Methods of forming channels on an integrated circuit die and die cooling systems including such channels |
-
2004
- 2004-03-29 US US10/811,597 patent/US7633752B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2005
- 2005-03-23 TW TW094109009A patent/TWI259570B/zh not_active IP Right Cessation
- 2005-03-25 WO PCT/US2005/010177 patent/WO2005098940A2/en active Application Filing
- 2005-03-25 DE DE112005000672.7T patent/DE112005000672B4/de not_active Expired - Fee Related
- 2005-03-25 KR KR1020067020172A patent/KR100970031B1/ko active IP Right Grant
- 2005-03-25 CN CN2005800069580A patent/CN1930681B/zh not_active Expired - Fee Related
-
2009
- 2009-11-02 US US12/610,713 patent/US7957137B2/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20050213301A1 (en) | 2005-09-29 |
US20100046167A1 (en) | 2010-02-25 |
CN1930681A (zh) | 2007-03-14 |
KR100970031B1 (ko) | 2010-07-16 |
WO2005098940A3 (en) | 2005-12-08 |
US7633752B2 (en) | 2009-12-15 |
TW200537667A (en) | 2005-11-16 |
TWI259570B (en) | 2006-08-01 |
WO2005098940A2 (en) | 2005-10-20 |
CN1930681B (zh) | 2011-04-27 |
DE112005000672B4 (de) | 2018-02-01 |
KR20060123783A (ko) | 2006-12-04 |
US7957137B2 (en) | 2011-06-07 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE112005000672B4 (de) | Kühlen eines Chips mit integrierter Schaltung mit Kühlflüssigkeit in einem Mikrokanal und eine thermoelektrischer Dünnfilm-Kühlvorrichtung im Mikrokanal | |
DE69821779T2 (de) | Kühlmodul für elektronische bauelemente | |
DE102013224970B4 (de) | Kühlvorrichtung | |
DE69321864T2 (de) | Verfahren und Vorrichtung zur Verkapselung von dreidimensionalen Halbleiterplättchen | |
DE3586661T2 (de) | Bauelemente-anordnung auf einer leiterplatte mit einem modularen, fluessigen kuehlsystem. | |
DE102010043904A1 (de) | Leistungselektroniksubstrat für direkte Substratkühlung | |
DE10393588T5 (de) | Optimales Ausbreitungssystem, Vorrichtung und Verfahren für flüssigkeitsgekühlten, mikroskalierten Wärmetausch | |
DE10322745A1 (de) | Leistungshalbleiter-Bauelement mit hoher Abstrahlungseffizienz | |
DE102019003030A1 (de) | Wärmeübertragung für leistungsmodule | |
EP0838988A2 (de) | Flüssigkeits-Kühlvorrichtung für ein Hochleistungs-Halbleitermodul | |
DE102008026550B4 (de) | Halbleitereinrichtungen mit Schichten mit erweiterten Umfängen für eine verbesserte Kühlung und Verfahren zum Kühlen von Halbleitereinrichtungen | |
DE102005034998B4 (de) | Verfahren zur Herstellung einer Vorrichtung zur Kühlung von elektronischen Bauelementen sowie Vorrichtung zur Kühlung von elektronischen Bauelementen | |
DE112006002686T5 (de) | Integrierte Mikrokanäle für 3D Through-Silicon-Architekturen | |
DE112013006640T5 (de) | Kühlvorrichtung und mit Kühlvorrichtung ausgestattetes Leistungsvolumen | |
DE10393585T5 (de) | Verteiler zur Reduzierung des Druckabfalls in Mikrokanal-Wärmetauschern | |
DE102016103788B4 (de) | Kunststoffkühler für Halbleitermodule | |
DE102008049726A1 (de) | Halbleiterbauelement mit einem chipinternen aktiven Wärmeübertragungssystem | |
DE102019216778A1 (de) | Halbleitermodul, Fahrzeug und Fertigungsverfahren | |
DE102010017001A1 (de) | Wärmesenke und Verfahren zu deren Herstellung | |
DE102008060777A1 (de) | Verfahren und Anordnung zur Kühlung von wärmeentwickelnden Computerkomponenten | |
DE19626227C2 (de) | Anordnung zur Wärmeableitung bei Chipmodulen auf Mehrschicht-Keramikträgern, insbesondere für Multichipmodule, und Verfahren zu ihrer Herstellung | |
DE3940521A1 (de) | Kaltflaechensystem zur kuehlung elektronischer bauelemente | |
DE10049274A1 (de) | Kühleinrichtung und Verfahren zu deren Herstellung | |
DE102006040187B4 (de) | Kühlsystem und Kühlverfahren zur Kühlung von Bauelementen einer Leistungselektronik | |
DE112019007407T5 (de) | Halbleitervorrichtung |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
OP8 | Request for examination as to paragraph 44 patent law | ||
R079 | Amendment of ipc main class |
Free format text: PREVIOUS MAIN CLASS: H01L0023000000 Ipc: H01L0023473000 |
|
R018 | Grant decision by examination section/examining division | ||
R020 | Patent grant now final | ||
R119 | Application deemed withdrawn, or ip right lapsed, due to non-payment of renewal fee |