DE1105521B - Process for the manufacture of selenium flat rectifiers - Google Patents
Process for the manufacture of selenium flat rectifiersInfo
- Publication number
- DE1105521B DE1105521B DEB50506A DEB0050506A DE1105521B DE 1105521 B DE1105521 B DE 1105521B DE B50506 A DEB50506 A DE B50506A DE B0050506 A DEB0050506 A DE B0050506A DE 1105521 B DE1105521 B DE 1105521B
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- segments
- rectifiers
- rectifier
- selenium
- production
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 13
- BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N Selenium Chemical compound [Se] BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims description 11
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 11
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 title claims description 11
- 239000011669 selenium Substances 0.000 title claims description 11
- 239000012774 insulation material Substances 0.000 claims description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 3
- 239000007921 spray Substances 0.000 claims description 3
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 4
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 4
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 3
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 239000004922 lacquer Substances 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 230000000284 resting effect Effects 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/06—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising selenium or tellurium in uncombined form other than as impurities in semiconductor bodies of other materials
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Rectifiers (AREA)
Description
DEUTSCHESGERMAN
Die bekannten Selenflachgleichrichter bestehen aus Selengleichrichterplättchen oder Scheiben kleinster Abmessungen, welche flaph übereinandergeschichtet sind und dadurch derart inKontakt miteinander stehen, daß jeweils die metallische Trägerelektrode auf der Gegenelektrode der vorherigen Platte ruht. Die Platten sind dabei durch isolierende Halterungen in ihrer Lage festgehalten. Die Zahl der hintereinandergeschalteten Einzelelemente ist durch die Höhe der gleichzurichtenden Spannung bedingt. Die Belastbarkeit der Gleichrichterplatten hängt wesentlich von der Erwärmung der aufeinander ruhenden Platten ab. Da sich die notwendige Wärmeableitung nur bedingt durch Formgebung, wärmeableitende Montageteile sowie die Art der Befestigung des Gleichrichters erzielen läßt, muß bei ungünstigen Kühlungsverhältnissen mit einer wesentlichen Herabsetzung der Leistung der Gleichrichter gerechnet werden.The known flat selenium rectifiers consist of selenium rectifier plates or disks of the smallest Dimensions which are stacked on top of each other and are thus in contact with one another, that in each case the metallic carrier electrode rests on the counter electrode of the previous plate. The plates are held in place by insulating brackets. The number of Individual elements are determined by the level of the voltage to be rectified. The load capacity of the rectifier plates depends essentially on the heating of the plates resting on one another. Since the necessary Heat dissipation only conditionally due to the shape, heat-dissipating assembly parts and the type the fixing of the rectifier can be achieved, must with unfavorable cooling conditions with a significant reduction in the performance of the rectifier can be expected.
Es ist bereits ein aus Schichten aufgebauter Trokkengleichrichter bekannt, dessen Grund- und/oder Deckelektrode aus leitendem Kunststoff bestehen oder sich auf einer Schicht aus leitendem Kunststoff befinden. Bei diesen Trockengleichrichtern kommt es also darauf an, zur Verstärkung der Grund- und Gegenelektrode, zu ihrem Schutz gegen mechanische oder chemische Einflüsse sowie zur Verbesserung der Leitfähigkeit Schichten aus leitendem Kunststoff vorzusehen. A dry rectifier built up from layers is already known whose basic and / or The top electrode is made of conductive plastic or is on a layer of conductive plastic. With these dry rectifiers it is important to reinforce the base and counter electrode, to protect them against mechanical or chemical influences and to improve conductivity Provide layers of conductive plastic.
Auch gehören Trockengleichrichter zum Stand der Technik, die aus einer Anzahl nebeneinander angeordneter, für sich selbständig hergestellter Trockengleichrichter bestehen, wobei die Trockengleichrichter zwischen zwei Folien aus Isolierstoff eingebettet sind. Diese Folien tragen Belegungen zur automatischen Herstellung der elektrischen Verbindung zwischen den Trockengleichrichtern untereinander und mit den eingebrachten Anschlüssen und die nach dem Einbringen der Trockengleichrichter miteinander fest verbunden worden sind. Der Nachteil derartiger Trockengleichrichtereinheiten besteht darin, daß zunächst einmal eine Anzahl von Trockengleichrichtern für sich hergestellt werden muß und daß dann erst die fertigen Trockengleichrichter zu einer Trockengleichrichtereinheit zusammengefaßt werden können. Ferner wird bei derartigen Trockengleichrichtereinheiten die Wärme gestaut, weil die Gleichrichter zwischen zwei Folien aus Isolierstoff eingebettet sind. Trotz des segmentartigen Aufbaues der Trockengleichrichtereinheit wird also eine Verbesserung der Kühlung nicht erzielt. Schließlich müssen bei der vorbekannten Trockengleichrichtereinheit die Folien aus Isolierstoff besondere metallische Belegungen zur automatischen Herstellung der elektrischen Verbindung zwischen den Trockengleichrichtern untereinander besitzen.The state of the art also includes dry rectifiers, which consist of a number of juxtaposed, for independently manufactured dry rectifiers exist, with the dry rectifier between two foils made of insulating material are embedded. These foils carry assignments to the automatic Establishing the electrical connection between the dry rectifiers with each other and with the installed Connections and firmly connected to each other after the dry rectifier has been introduced have been. The disadvantage of such dry rectifier units is that first of all a number of dry rectifiers must be made for themselves and that only then finished Dry rectifier can be combined to form a dry rectifier unit. Further the heat is accumulated in such dry rectifier units, because the rectifier between two Foils made of insulating material are embedded. Despite the segment-like structure of the dry rectifier unit an improvement in cooling is therefore not achieved. After all, need to be with the previously known Dry rectifier unit the foils made of insulating material special metallic coverings for automatic Establish the electrical connection between the dry rectifiers with each other.
Verfahren zur Herstellung
von SelenflachgleichrichternMethod of manufacture
of selenium flat rectifiers
Anmelder:
Walter Brandt G.m.b.H., Lage/LippeApplicant:
Walter Brandt GmbH, Lage / Lippe
Die geschilderten Nachteile sind bei dem Verfahren nach der Erfindung zur Herstellung von Selenflachgleichrichtern dadurch behoben, daß unmittelbar auf einen Träger aus Isolationsmaterial zunächst metallische Grundelektroden, vorzugsweise aus Aluminium, in nebeneinanderliegenden, getrennten Segmenten aufgebracht und zur Kontaktierung mit den nebenliegenden Elektroden mit Fahnen versehen werden und danach auf diesen Grundsegmenten die Selenschichten sowie die Gegenelektroden gleichfalls in entsprechenden Segmenten derart aufgebracht werden, daß die so gebildeten Gleichrichter bereits während ihrer Herstellung durch die an die Segmente angebrachten Fahnen elektrisch miteinander verbunden werden.The disadvantages outlined are in the method according to the invention for the production of selenium flat rectifiers fixed in that initially metallic directly on a carrier made of insulation material Base electrodes, preferably made of aluminum, applied in adjacent, separate segments and to make contact with the adjacent electrodes are provided with flags and then on these basic segments the selenium layers as well as the counter electrodes likewise in corresponding ones Segments are applied in such a way that the rectifier formed in this way already during their manufacture are electrically connected to each other by the flags attached to the segments.
Außer einer verbesserten Kühlung ergibt sich beim erfindungsgemäßen Verfahren insbesondere der Vorteil, daß der Hersteller alle weiteren zusätzlichen Verfahren (Zusammenschalten der einzelnen Elemente des Trockengleichrichters, Verbinden der Gleichrichterelemente mit der Trägerplatte usw.) so mit der Gleichrichterherstellung zusammenfassen kann, daß eine wesentliche Fertigungsvereinfachung erreicht wird und keine besonderen Materialien und Arbeitsgänge für die Herstellung der Schaltung notwendig werden.In addition to improved cooling, the method according to the invention has the particular advantage that that the manufacturer all further additional procedures (interconnection of the individual elements of the Dry rectifier, connecting the rectifier elements with the carrier plate, etc.) so with the rectifier manufacture can summarize that a significant production simplification is achieved and no special materials and operations become necessary for the production of the circuit.
Die einzelnen Verbindungen der Gleichrichterelemente können also im Rahmen des Fertigungsprozesses aufgebracht werden, und zwar so, daß die Kontakte mechanisch geschützt sind und nicht über die Trägerplatte hinausragen. Da durch entsprechende Formgebung der Werkzeuge keine zusätzlichen Arbeitsgänge eingeplant werden müssen, wird eine wesentliche Fertigungsvereinfachung erreicht. Ein weiterer Vorteil liegt darin, daß im Gegensatz zu den herkömmlichen Gleichrichtern der elektrische Kontakt nicht durch Druck erfolgt, sondern durch mechanisch feste Verbindung.The individual connections of the rectifier elements can therefore be applied during the manufacturing process in such a way that the contacts are mechanically protected and not on the carrier plate protrude. Since the tools are shaped accordingly, there are no additional operations must be planned, a significant production simplification is achieved. Another advantage lies in the fact that, in contrast to conventional rectifiers, there is no electrical contact takes place through pressure, but through a mechanically solid connection.
In weiterer Ausgestaltung des erfindungsgemäßen Verfahrens werden die einzelnen Segmente bereits während ihrer Herstellung hintereinandergeschaltet.In a further embodiment of the method according to the invention, the individual segments are already connected in series during their manufacture.
109 578/331109 578/331
Bei den üblichen Selenflachgleichrichtern werden die Einzelgleichrichter erst bei der Montage hintereinandergeschaltet. With the usual selenium flat rectifiers, the individual rectifiers are only connected in series during assembly.
Ferner kann an der aus Spritzmetall bestehenden Grundelektrode eine zusätzliche Fahne als Kontakt für die Grundelektrode des nebenliegenden Gleichrichterelements angebracht werden. Durch Auswahl geeigneter Schablonen ist es daher möglich, neben der vorwiegend verwendeten einphasigen Schaltung auch eine Brückenschaltung oder jede andere übliche Schaltung herzustellen. Schließlich läßt sich das erfindungsgemäße Verfahren auch in der Weise ausgestalten, daß auf den Träger aus Isolationsmaterial beidseitig eine Grundelektrode angebracht wird. Die Rückseite des Trägers ist dabei also genauso ausgebildet wie die Vorderseite, so daß sich eine erhöhte zulässige Leistung ergibt, wie wenn zwei einseitig ausgestaltete Flachgleichrichter bekannter Art Rückseite an Rückseite gelegt und durch Kontaktfahnen verbunden sind.Furthermore, an additional tab can be used as a contact on the base electrode made of spray metal for the base electrode of the adjacent rectifier element. By choice It is therefore possible to use suitable templates in addition to the single-phase circuit that is predominantly used to make a bridge circuit or any other common circuit. Finally, the inventive Design the method in such a way that on both sides of the carrier made of insulation material a ground electrode is attached. The back of the carrier is designed in exactly the same way as that Front, so that there is an increased permissible power, as if two designed on one side Flat rectifiers of known type are placed back to back and connected by contact lugs.
Die Erfindung ist in der Beschreibung an Hand der Zeichnung beispielhaft erläutert.The invention is explained by way of example in the description with reference to the drawing.
Fig. 1 zeigt die Gleichrichteranordnung im Schnitt undFig. 1 shows the rectifier arrangement in section and
Fig. 2 in der Draufsicht.Fig. 2 in plan view.
Auf den zur besseren Haftung vorbereiteten Träger 5 (Fig. 1) bzw. 6 (Fig. 2) aus isolierendem Kunststoff oder jedem anderen Isolationsmaterial wird die vorwiegend aus Aluminium bestehende metallische Grundelektrode 4 in nebeneinander getrennt gelagerten, elektrisch untereinander nicht verbundenen Segmenten 7 aufgespritzt, aufgedampft, als Folie aufgepreßt oder in sonstiger Weise aufgebracht. Diese Segmente tragen die Selengleichrichterschicht 3 bzw. 8. Die Größe der Segmente und ihre Zahl ist r'urch die gewünschte Leistung bedingt. Über die von Selen bedeckte Schicht hinaus ist eine Fahne 9 als Kontakt für die Gegenelektrode des Nebenelements angespritzt. Die Gleichrichterelemente werden in der üblichen Weise auf den Grundsegmenten aufgebaut, mit einer aufgespritzten Gegenelektrode 2 versehen und mit Schutzlack 1 überzogen.On the carrier 5 (Fig. 1) or 6 (Fig. 2) made of insulating plastic or any other insulating material, which is prepared for better adhesion, the metallic base electrode 4, which is predominantly made of aluminum, is sprayed in segments 7, which are stored separately from one another and are not electrically connected to one another, vapor-deposited, pressed on as a film or applied in any other way. These segments carry the selenium rectifier layer 3 or 8. The size of the segments and their number is r 'urch the desired performance reasons. Beyond the layer covered by selenium, a lug 9 is injection molded as a contact for the counter electrode of the secondary element. The rectifier elements are built up on the base segments in the usual way, provided with a sprayed-on counter electrode 2 and coated with protective lacquer 1.
Die aus Spritzmetall bestehende Gegenelektrode wird mit einer zusätzlichen Fahne 10 ausgestattet, welche auf die Grundelektrode des nebenliegenden Elements übergreift und mit diesen einen Kontakt herstellt, so daß die auf gleicher Ebene liegenden Gleichrichterelemente hintereinander geschaltet sind. Durch entsprechende Auswahl der Schablonen lassen sich alle üblichen Gleichrichterschaltungen herstellen. Die Stromzuführung und -abnähme erfolgt mittels Fahnen H1 welche angenietet oder angelötet werden.The counter-electrode made of spray metal is equipped with an additional flag 10, which overlaps the base electrode of the adjacent element and establishes contact with it, so that the rectifier elements lying on the same plane are connected in series. All common rectifier circuits can be produced by appropriate selection of the templates. The power supply and removal takes place by means of flags H 1 which are riveted or soldered on.
Claims (4)
Deutsche Patentschrift Nr. 838 924;
deutsche Patentanmeldung S 19336 VIII c/21g
(bekanntgemacht am 21. 2. 1952).Considered publications:
German Patent No. 838 924;
German patent application S 19336 VIII c / 21g
(announced on February 21, 1952).
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DEB50506A DE1105521B (en) | 1958-09-26 | 1958-09-26 | Process for the manufacture of selenium flat rectifiers |
| FR797725A FR1227711A (en) | 1958-09-26 | 1959-06-17 | Selenium flat rectifier and its manufacturing process |
| GB989259A GB870030A (en) | 1958-09-26 | 1959-09-02 | Plate-type selenium rectifier and method of manufacturing the same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DEB50506A DE1105521B (en) | 1958-09-26 | 1958-09-26 | Process for the manufacture of selenium flat rectifiers |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| DE1105521B true DE1105521B (en) | 1961-04-27 |
Family
ID=6969223
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| DEB50506A Pending DE1105521B (en) | 1958-09-26 | 1958-09-26 | Process for the manufacture of selenium flat rectifiers |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| DE (1) | DE1105521B (en) |
| FR (1) | FR1227711A (en) |
| GB (1) | GB870030A (en) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE838924C (en) * | 1950-08-05 | 1952-07-10 | Sueddeutsche App Fabrik Gmbh | Dry rectifier and photo element |
-
1958
- 1958-09-26 DE DEB50506A patent/DE1105521B/en active Pending
-
1959
- 1959-06-17 FR FR797725A patent/FR1227711A/en not_active Expired
- 1959-09-02 GB GB989259A patent/GB870030A/en not_active Expired
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE838924C (en) * | 1950-08-05 | 1952-07-10 | Sueddeutsche App Fabrik Gmbh | Dry rectifier and photo element |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| GB870030A (en) | 1961-06-07 |
| FR1227711A (en) | 1960-08-24 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| DE2940339C2 (en) | ||
| DE7512573U (en) | SEMI-CONDUCTOR RECTIFIER ARRANGEMENT | |
| DE2843716A1 (en) | LAYER STRUCTURE OF OWNERS OR LAMINATED BUSBAR WITH EMBEDDED CAPACITORS | |
| DE1069235B (en) | ||
| EP0009806A1 (en) | Electrical stacked capacitor and method for its production | |
| DE2064007C3 (en) | Ceramic capacitor | |
| DE3211975A1 (en) | Housing for mounting medium-power semiconductor components | |
| DE1564371B2 (en) | Rectifiers made from a variety of semiconductor diodes | |
| DE1439648B2 (en) | Method for producing a semiconductor component | |
| DE2317404A1 (en) | COMPONENT PLATES FOR A MULTI-LAYER ELECTRICAL CIRCUIT ARRANGEMENT | |
| DE1105521B (en) | Process for the manufacture of selenium flat rectifiers | |
| DE3020466A1 (en) | BUSBAR WITH AT LEAST A PAIR OF LONG-STRETCHED, PARALLEL-LEADED LEADS AND METHOD FOR PRODUCING SUCH A BUSBAR | |
| DE2536711B2 (en) | High voltage rectifier for high voltage cascades | |
| AT215540B (en) | Selenium flat rectifiers and process for their production | |
| DE2061428C3 (en) | Holder for a semiconductor component | |
| DE561548C (en) | Plate-shaped dry rectifier element | |
| DE60201537T2 (en) | ELECTRICAL CONNECTION ARRANGEMENT FOR ELECTRONIC COMPONENTS | |
| DE2323529A1 (en) | CIRCUIT BOARD WITH PRINTED OR CLADDED TRACKS | |
| DE1227531B (en) | Coil winding or switching connection in a Pupin coil set | |
| DE1439648C (en) | Method for manufacturing a semiconductor component | |
| DE2700388C2 (en) | Interference suppression arrangement on a power tool or device with a housing made entirely or partially of metal | |
| DE1212176B (en) | Miniature assembly of stacked carrier plates and process for their manufacture | |
| DE2038070C3 (en) | Semiconductor high voltage rectifier | |
| DE2454939C3 (en) | Selenium rectifiers | |
| DE8214214U1 (en) | Power semiconductor with a cuboid housing |