DE1102812B

DE1102812B - Timing circuit

Info

Publication number: DE1102812B
Application number: DEW25058A
Authority: DE
Inventors: Marshall P White; Grand Haven; Robert D Talbot
Original assignee: Westinghouse Electric Corp
Current assignee: CBS Corp
Priority date: 1958-02-19
Filing date: 1959-02-18
Publication date: 1961-03-23

Description

Zeitsteuerschaltung Die Erfindung bezieht sich auf Zeitsteuerschaltungen unter Benutzung -eines Zeitkreises aus der Reihenschaltung eines Kondensators und eines Widerstandes zur Steuerung einer elektrischen Kippschaltung zur Erzielung eines Ausgangszeichens mit einer Zeitdauer, die durch die Zeitdauer des Gebens des Eingangssignals und eine anschließend wählbare bzw. einstellbare Zeitdauer nach Wegfall des Eingangssignals bestimmt ist.Timing Circuit The invention relates to timing circuits using -a time circuit from the series connection of a capacitor and a resistor to control an electrical flip-flop to achieve an output character with a duration that is determined by the duration of the giving of the Input signal and a subsequently selectable or adjustable period of time Elimination of the input signal is determined.

Erfindungsgemäß führt ein vom Eingangssignal gesteuerter Transistor die schnelle Entladung des Kondensators des Zeitkreises herbei. Dieser wird mit dem Wegfall des Eingangssignals an Spannung gelegt und dient mit Erreichen eines bestimmten Ladezustandes an -seinem Kondensator zur Steuerung einer Doppeldiode auf Durchlaß. Diese steuert ihrerseits einen Ausgangstransistor derart, daß beim Anlegen eines Eingangssignals an den Eingangstransistor gleichzeitig der Ausgangstransistor auf Sperrung gesteuert wird.According to the invention, a transistor controlled by the input signal leads the rapid discharge of the capacitor of the timing circuit. This will be with voltage is applied to the loss of the input signal and is used when a certain state of charge on its capacitor to control a double diode on passage. This in turn controls an output transistor in such a way that when Applying an input signal to the input transistor at the same time as the output transistor is controlled to lock.

Die Erfindung kann insbesondere beispielsweise Anwendung für Zeitsteuerkreise in Schweißanlagen finden und dabei in Reihe mit anderen in Form einer Kaskade benutzt werden, in welcher das Ausgangssignal einer Stufe das Eingangssignal für die nächste Stufe liefert. Wegen der Eigenart einer erfindungsgemäßen Schaltung, daß an ihr das Ausgangssignal mit dem Anlegen des Eingangssignals erscheint, können durch Anlegen eines Eingangssignals an die erste Stufe alle weiteren Stufen der Kaskade in den gleichen Schaltzustand übergeführt werden. Mit dem Wegfall des Eingangssignals an der ersten Stufe läuft deren Zeitsteuerkreis, wodurch mit seinem Ablauf das Ausgangssignal an dieser Stufe entfällt, somit nun der Lauf des Zeitkreises der zweiten Stufe beginnt und dieses Spiel sich durch alle Stufen hindurch fortpflanzt.In particular, the invention can be used, for example, for timing control circuits found in welding systems and used in series with others in the form of a cascade in which the output of one stage is the input for the next Stage supplies. Because of the nature of a circuit according to the invention that on her the output signal appears when the input signal is applied, can be activated by applying of an input signal to the first stage all further stages of the cascade in the be transferred to the same switching state. With the loss of the input signal the first stage has its timing circuit, which causes the output signal to run is omitted at this stage, so the cycle of the second stage now begins and this game propagates through all stages.

Durch die Erfindung wird eine verbesserte statische Zeitsteuerschaltung geschaffen, welche genau und zuverlässig arbeitet und über einen vorbestimmten Zeitbereich leicht einstellbar ist.The invention provides an improved static timing circuit created which works precisely and reliably and over a predetermined time range is easily adjustable.

Nach einer Weiterbildung der Erfindung kann diese statische Zeitsteuerschaltung dahingehend verbessert werden, daß sie gegen r£nderungen der Speisespannung kompensiert ist, und außerdem dahingehend, daß sie temperaturunabhängig ist.According to a further development of the invention, this static time control circuit can be improved to the effect that it compensates for changes in the supply voltage and also in that it is independent of temperature.

Zur näheren Erläuterung der Erfindung an Hand einiger Ausführungsbeispiele, in deren Verlauf sich noch weitere vorteilhaft in Verbindung mit der Erfindung anwendbare Einzelmerkmale ergeben werden, wird nunmehr auf die Figuren der Zeichnung Bezug genommen.For a more detailed explanation of the invention on the basis of some exemplary embodiments, in the course of this, even more can be used advantageously in connection with the invention Individual features will result, reference is now made to the figures of the drawing taken.

In Fig. 1 ist eine erfindungsgemäße statische Zeitsteuerschaltung veranschaulicht, welche allgemein eine Eingangsklemme 10, einen Eingangstransistor 20, eine Zenerdiode 30, Energiespeicherungsmittel 40, eine Doppelbasishalbleiterdiode 60 und einen Ausgangstransistor 70 enthält.1 illustrates a static timing control circuit according to the invention, which generally includes an input terminal 10, an input transistor 20, a Zener diode 30, energy storage means 40, a double base semiconductor diode 60 and an output transistor 70.

Der Eingangstransistor 20 besitzt eine Emitterelektrode 21, eine Kollektorelektrode 22 und eine Basiselektrode 23. Die Emitterelektrode 21 ist mit der Emitterelektrode 71 des Ausgangstransistors 70 an eine gemeinsame Leitung bzw. die Erdleitung angeschlossen.The input transistor 20 has an emitter electrode 21, a collector electrode 22 and a base electrode 23. The emitter electrode 21 is connected to the emitter electrode 71 of the output transistor 70 to a common line or the ground line.

Die Kollektorelektrode 22 ist über einen Strombegrenzungswiderstand 25 an eine negative oder (B -)-Klemme einer Vorspannungsquelle angeschlossen. Die Basiselektrode 23 ist über einen Strombegrenzungswiderstand 24' an eine positive oder (B+)-Klemme einer Vorspannungsquelle angeschlossen. Die Basiselektrode 23 ist außerdem über einen Strombegrenzungswiderstand 11 an die Ein-. gangsklemme 10 angeschlossen.The collector electrode 22 is connected to a negative or (B-) terminal of a bias voltage source via a current limiting resistor 25. The base electrode 23 is connected to a positive or (B +) terminal of a bias voltage source via a current limiting resistor 24 '. The base electrode 23 is also connected to the input via a current limiting resistor 11. output terminal 10 connected.

Die Zenerdiode 30 ist parallel zur Emitter-21-Kollektor-22-Strecke des Eingangstransistors20 geschaltet. Die Halbleiterdiode 30 kann irgendeine aus einer Reihe von Halbleiterdioden sein, welche die Zenertyp-Rückwärtszusammenbruchscharakteristik der Diode benutzt, um ein konstantes Potential an dieser aufrechtzuerhalten. Das Energiespeicherungsmittel bzw. die Kapazität 40 ist über ein Potentiometer 42 und- einen Strombegrenzungswiderstand 41 parallel an die Halbleiterdiode 30 angeschlossen. Ein Gleichrichter 43 ist parallel an den Widerstand 41 und das Potentiometer 42 angeschlossen, um einen Entladungspfad für die Kapazität 40 zu schaffen.The Zener diode 30 is connected in parallel to the emitter-21-collector-22 path of the input transistor 20. The semiconductor diode 30 may be any of a number of semiconductor diodes which utilize the zener-type reverse breakdown characteristic of the diode to maintain a constant potential across it. The energy storage means or the capacitance 40 is connected in parallel to the semiconductor diode 30 via a potentiometer 42 and a current limiting resistor 41 . A rectifier 43 is connected in parallel to the resistor 41 and the potentiometer 42 in order to create a discharge path for the capacitance 40.

Die Doppelbasisdiode 60 enthält eine Emitterelektrode 61, eine erste Basiselektrode 62 und eine zweite Basiselektrode 63. Die Kapazität 40 ist über einen Gleichrichter 51 parallel an die Emitter-61-erste-Basiselektrode-62-Strecke der Doppelbasisdiode 60 angeschlossen. Ein Sp_annungsteilungsnetzwerk, enthaltend die Widerstände 54 und 53, ist in Reihe zwischen Erde und der ersten Basiselektrode 62 der Doppelbasisdiode 60 angeschlossen. Ein Teil der Spannung von diesem Spannungsteilernetzwerk ist abgegriffen an der Verbindungsleitung der Widerstände 54 und 53 und an die Emitterelektrode 61 der Doppelbasisdiode 60 über einen Gleichrichter 52 angelegt.The double base diode 60 contains an emitter electrode 61, a first base electrode 62 and a second base electrode 63. The capacitor 40 is connected in parallel to the emitter 61-first base electrode 62 path of the double base diode 60 via a rectifier 51. A voltage dividing network containing the resistors 54 and 53 is connected in series between ground and the first base electrode 62 of the double base diode 60 . A part of the voltage from this voltage divider network is tapped off at the connection line of the resistors 54 and 53 and applied to the emitter electrode 61 of the double base diode 60 via a rectifier 52 .

Der Ausgangstransistor 70 enthält eine Emitterelektrode 71, eine Kollektorelektrode 72 und eine Basiselektrode 73. Die Emitterelektrode 71 ist an Erde angeschlossen-. Die Kollektorelektrode 72 ist in Reihe geschaltet über eine Ausgangsklemme 100 und einen Strombegrenzungswiderstand 74 an die (B-)-Klemmen der Speisespannung angeschlossen. Die Basiselektrode 73 ist über einen Gleichrichter 75 an Erde angeschlossen. Die Basiselektrode 73 ist auch über einen Widerstand 74 an eine zweite Basiselektrode 63 der Doppelbasisdiode 60 angeschlossen. Die Basiselektrode 73 ist außerdem über einen Strombegrenzungswiderstand 66 an die (B+)-Klemme der Speisespannung angeschlossen.The output transistor 70 includes an emitter electrode 71, a collector electrode 72 and a base electrode 73. The emitter electrode 71 is connected to ground. The collector electrode 72 is connected in series via an output terminal 100 and a current limiting resistor 74 to the (B-) terminals of the supply voltage. The base electrode 73 is connected to ground via a rectifier 75. The base electrode 73 is also connected to a second base electrode 63 of the double base diode 60 via a resistor 74. The base electrode 73 is also connected to the (B +) terminal of the supply voltage via a current limiting resistor 66.

Es werde unterstellt, daß die Kapazität 40 die volle Aufladung erreicht hat, wie sie durch die Zenerspannung an der Diode 30 bestimmt ist. Wenn ein negatives Eingangssignal von geeigneter Größe an die Klemme 10 angelegt wird, wird der Transistor 20, welcher ein solcher der p-n-p-Type ist, bis zur Sättigung vorgespannt werden. Die Emitter-21-Kollektor-22-Strecke des Transistors 20 wird die Diode 30 kurzschließen und die Ladespannung von der Kapazität 40 entfernen. Die Kapazität 40 wird sich entladen und eine Zündspannung von der Emitter-61-erste-Basis-62-Strecke der Doppelbasisdiode 60 entfernen, bzw. diese beiden Elektroden werden das gleiche Potential annehmen. Daher wächst die Impedanz der ersten Basis-62-zweite-Basis-63-Strecke der Doppelbasisdiode 60 an und legt dadurch eine positive Vorspannung an die Basiselektrode 73 des Transistors 70, wodurch der Transistor 70 in den Sperrzustand getrieben wird. Wenn der Transistor 70 im Sperrzustand ist, kann kein Strom in der Emitter-71-Kollektor-72-Strecke fließen und wird ein Ausgangswert, welcher annähernd dem Wert der (B-)-Klemme der Speisungsquelle ist, an der Klemme 100 erscheinen, wenn keine Last an die Ausgangsklemme 100 angeschlossen ist.It is assumed that the capacitance 40 has reached full charge, as determined by the Zener voltage at the diode 30 . When a negative input signal of an appropriate magnitude is applied to terminal 10 , transistor 20, which is of the PNP type, will be biased to saturation. The emitter-21-collector-22 path of the transistor 20 will short-circuit the diode 30 and remove the charging voltage from the capacitance 40. The capacitance 40 will discharge and an ignition voltage will be removed from the emitter-61-first-base-62 path of the double-base diode 60 , or these two electrodes will assume the same potential. Therefore, the impedance of the first base-62-second-base-63 path of the double base diode 60 increases and thereby applies a positive bias voltage to the base electrode 73 of the transistor 70, whereby the transistor 70 is driven into the blocking state. When transistor 70 is in the blocking state, no current can flow in the emitter 71-collector 72 path and an output value which is approximately the value of the (B-) terminal of the supply source will appear at terminal 100 when no load is connected to output terminal 100.

Wenn das negative Eingangssignal von der Eingangsklemme 10 entfernt ist, legt die (B+)-Klemme der Speisespannung über den Widerstand 24 eine positive Vorspannung an die Basiselektrode 23 des Transistors 20 und treibt den Transistor 20 in den Sperrzustand. Sobald der Leitzustand in der Emitter-21-Kollektor-22-Strecke des Transistors 20 nicht mehr vorhanden ist, wird die Halbleiterdiode 30 ihre Regelzenerspannung erhalten, und die Kapazität 40 wird über den Widerstand 41 und das Potentiometer 42 aufgeladen. Das Spannungsteilernetzwerk, welches die Widerstände 54 und 53 umfaßt, legt eine Spannung über Gleichrichter 52 an den Emitter 61 der Doppelbasisdiode 60, welche gerade dicht unter der Zündspannung der Doppelbasisdiode 60 liegt. Auf diese Weise wird, wenn die Kapazität 40 sich auf die Zündspannung der Doppelbasisdiode 60 auflädt, die Kapazität 40 sich über den Gleichrichter 51 und die Emitter-61-erste-Basiselektrode-62-Strecke derDoppelbasisdiode 60 entladen. Die jmpedanz der Strecke Erste Basiselektrode62-zweite Basiselektrode63 wird abnehmen und auf diese Weise eine Stromleitung über sie von der (B+)-Klemme der Speisespannung über die Widerstände 66 und 64 zulassen. Es wird daher eine negative Vorspannung an die Basiselektrode 73 des Transistors 70 angelegt, welche den Transistor 70 in den Sättigungszustand treibt. Es wird ein Strom in der Emitter-71-Kollektor-72-Strecke des Transistors 70 über den Strombegrenzungswiderstand 74 zur (B-)-Klemme der Spannungsquelle von Erde fließen, und die Ausgangsspannung des Zeitsteuerkreises an der Klemme 100 wird verschwinden.When the negative input signal is removed from the input terminal 10 , the (B +) terminal of the supply voltage applies a positive bias voltage to the base electrode 23 of the transistor 20 via the resistor 24 and drives the transistor 20 into the blocking state. As soon as the conduction state in the emitter 21 collector 22 path of the transistor 20 is no longer present, the semiconductor diode 30 will receive its regulating voltage and the capacitance 40 will be charged via the resistor 41 and the potentiometer 42. The voltage divider network, which comprises the resistors 54 and 53 , applies a voltage via rectifier 52 to the emitter 61 of the double base diode 60, which voltage is just below the ignition voltage of the double base diode 60 . In this way, when the capacitance 40 charges to the ignition voltage of the double base diode 60, the capacitance 40 is discharged via the rectifier 51 and the emitter 61-first base electrode 62 path of the double base diode 60. The impedance of the first base electrode 62-second base electrode 63 path will decrease, thus allowing current to be conducted across it from the (B +) terminal of the supply voltage via resistors 66 and 64. A negative bias is therefore applied to the base electrode 73 of the transistor 70 , which drives the transistor 70 into saturation. A current will flow in the emitter 71-collector 72 path of transistor 70 through current limiting resistor 74 to the (B-) terminal of the voltage source from ground, and the output voltage of the timing circuit at terminal 100 will disappear.

Die Transistoren 20 und 70, welche in der bevorzugten Ausführungsform der Erfindung benutzt sind, sind, wie veranschaulicht, solche der Dreielektrodentype,- wie sie gewöhnlich für Schaltzwecke benutzt werden, d. h. die Gleichspannung oder die Vorspannung, welche geschaltet werden soll, ist an zwei der erwähnten drei Elektroden angeschlossen. Als Folge einer Spannung von geeigneter Polarität und Größe, welche zwischen der dritten und einer der erwähnten zwei Elektroden angelegt wird, ist dann eine Stromleitung in der erwähnten Zweielektrodenstrecke zugelassen. Obwohl p-n-p-Typen veranschaulicht sind, könen auch n-p-n-Typen bei geeignetem Umkehren der Polaritätsanschlüsse der Speisespannung benutzt werden.The transistors 20 and 70 used in the preferred embodiment of the invention are, as illustrated, of the three-electrode type - as commonly used for switching purposes, ie the DC voltage or the bias voltage to be switched is at two of the mentioned three electrodes connected. As a result of a voltage of suitable polarity and magnitude, which is applied between the third and one of the two electrodes mentioned, current conduction is then permitted in the two-electrode path mentioned. Although pnp types are illustrated, npn types can also be used with appropriate reversal of the polarity terminals of the supply voltage.

Für eine nähere Beschreibung des Aufbaues, der Arbeitsweise und der Kennlinien einer Doppelbasisdiode, wie sie z. B. in der vorliegenden Erfindung benutzt wird, wird auf das Buch »An Introduction to Semiconductors«, W. C. D u n 1 a p, Jr., S. 365 bis 367, Veröffentlichung durch john Wiley and Sons, Inc., I'Tew York; 1957, Bezug genommen.For a more detailed description of the structure, the mode of operation and the Characteristic curves of a double base diode, as they are, for. B. used in the present invention is referred to the book "An Introduction to Semiconductors", W. C. D u n 1 a p, Jr., pp. 365-367, published by John Wiley and Sons, Inc., I'Tew York; 1957, referred to.

Die Widerstände 54 und 53 verhindern in ihrem Zusammenwirken eine Rückstellung der Doppelbasisdiode, nachdem sie einmal durch die Spannung von der Kapazität 40 gezündet worden ist, d. h., es wird ein genügender Strombetrag von der Widerstandskombination 54, 53 über den Gleichrichter 52 fließen, um eine Stromleitung in der Erste-Basis-62-zweite-Basis-63-Strecke der Doppelbasisdiode aufrechtzuerhalten.The resistors 54 and 53 work together to prevent resetting of the double base diode after it has been ignited once by the voltage from the capacitance 40, that is, a sufficient amount of current will flow from the resistor combination 54, 53 via the rectifier 52 to create a current line in the first-base-62-second-base-63 line of the dual base diode.

Der Gleichrichter 52 verhindert einen Stromfluß von dem Kondensator 40 zu dem Netzwerk aus den Widerständen 53, 54, wenn die kapazitive Spannung an der Kapazität 40 höher als der Teilspannungswert ist, welcher von der Widerstandskombination 54, 53 abgegriffen ist.The rectifier 52 prevents a current flow from the capacitor 40 to the network of the resistors 53, 54 if the capacitive voltage at the capacitance 40 is higher than the partial voltage value which is tapped from the resistor combination 54, 53.

Der Gleichrichter 51 verhindert eine Ladung der Kapazität 40 von der Spannungsteiler-Netzwerkkombination aus den Widerständen 54, 53. Da die Impedanz zwischen den beiden Basen 62 und 63 der Doppelbasisdiode 60 sich leicht mit der Temperatur verändert, kann der Widerstand 64 durch einen Thermistor mit positivem Koeffizienten ersetzt werden, welcher dieselbe prozentuale Zunahme im Widerstand, abhängig a von der Temperatur wie die Zwischenimpedanz der Doppelbasisdiode 60, aufweist.The rectifier 51 prevents the capacitance 40 from being charged by the voltage divider network combination of the resistors 54, 53. Since the impedance between the two bases 62 and 63 of the double base diode 60 changes slightly with temperature, the resistor 64 can be positively influenced by a thermistor Coefficients are replaced which has the same percentage increase in resistance as a function of temperature as the intermediate impedance of the double base diode 60 has.

Der Gleichrichter 75 wirkt derart, daß er die Emitterrückspannung am Transistor 70 verhindert, übermäßig groß zu werden, wenn der Transistor 70 gesperrt wird.The rectifier 75 functions to prevent the emitter reverse voltage on transistor 70 from becoming excessively large when transistor 70 is turned off.

Wenn die Zenerspannung an der Halbleiterdiode 30 verändert wird, so wird der Zeitsteuerkreis nicht beeniflußt, Das ergibt sich, weil die Zenerspannung an der Diode 30 beide, sowohl die Spannung, auf welche die Kapazität 40 aufgeladen wird, als auch die Spannung, bei welcher die Doppelbasisdiode 60 zündet, steuert. Durch dieses Ausführungsbeispiel der Erfindung wird ein statischer Zeitsteuerkreis offenbart, welcher genau und sehr zuverlässig arbeitet sowie durch das Potentiometer 42 über einen weiten Zeitsteuerbereich leicht einstellbar ist.If the Zener voltage at the semiconductor diode 30 is changed, the timing circuit is not terminated. This results because the Zener voltage at the diode 30 is both the voltage to which the capacitance 40 is charged and the voltage at which the Double base diode 60 ignites, controls. This exemplary embodiment of the invention discloses a static time control circuit which works precisely and very reliably and which can easily be set by means of the potentiometer 42 over a wide time control range.

In dem weiteren Ausführungsbeispiel der Erfindung nach Fig. 2 ist eine abgewandelte Lösung einer erfindungsgemäßen Zeitsteuerschaltung dargestellt. Sie arbeitet mit einem besonderen Transistor am Eingang, der den Transistor für die unmittelbare Steuerung der Energiespeicheranordnung nach Art eines Zwischentransistors steuert. Außerdem enthält diese Schaltung eine Anordnung zur Vermeidung einer Beeinflussung des Zündzeitpunktes der Doppelbasisdiode durch Änderungen der Speisespannung.In the further embodiment of the invention according to FIG a modified solution of a timing circuit according to the invention is shown. It works with a special transistor at the input, which is the transistor for the direct control of the energy storage arrangement in the manner of an intermediate transistor controls. In addition, this circuit contains an arrangement for avoiding interference the ignition point of the double base diode by changing the supply voltage.

Sofern in dieser Schaltung nach Fig. 2 wieder die gleichartigen Schaltungselemente wie in Fig. 1 vorhanden sind, sind für diese Schaltungselemente unmittelbar die gleichen Bezugszeichen beibehalten worden, jedoch gegenüber denjenigen nach Fig. 1 durch die vorgesetzte Ziffer 1 unterschieden. Es ist also wieder ein Energiespeichersystem aus der Zenerdiode 130, den Ladewiderständen 142, 141 und dem Kondensator 140 vorhanden, der in diesem Fall über einen weiteren Widerstand 176 und das elektrische Ventil 151 an die Emitterelektrode 161 der Doppelbasisdiode 160 angeschlossen ist und diese sowie über diese den Ausgangstransistor 170 in der bereits nach Fig. 1 erläuterten Weise steuert.If in this circuit according to FIG. 2 the circuit elements of the same type are again used as are present in Fig. 1, are for these circuit elements directly the same reference numerals have been retained, but compared to those according to Fig. 1 distinguished by the preceding number 1. So it's an energy storage system again consists of the Zener diode 130, the charging resistors 142, 141 and the capacitor 140, in this case via a further resistor 176 and the electric valve 151 is connected to the emitter electrode 161 of the double base diode 160 and this as well as via this the output transistor 170 in the already explained according to FIG Way controls.

In dieser Schaltung liegt zur Erreichung des Effektes einer Vermeidung der Beeinflussung des Zündzeitpunktes der Doppelbasisdiode 160 durch Änderungen der Speisespannung die erste Basis 162 dieser Diode 160 an einem Spannungsteiler, der zwischen der gemeinsamen Leitung bzw. Erde und der (B-)-Klemme der Spannungsquelle eingeschaltet ist und aus einem Element konstanten Spannungswertes, wie einer Zenerdiode 177 und einem ohmschen Widerstand 178, besteht.In this circuit is to achieve the effect of avoidance the influencing of the ignition timing of the double base diode 160 by changes the supply voltage the first base 162 of this diode 160 on a voltage divider, the one between the common line or earth and the (B-) terminal of the voltage source is switched on and consists of an element with constant voltage value, such as a Zener diode 177 and an ohmic resistor 178.

Am Eingang der Schaltung sind, wie bereits angenommen, nunmehr zwei Transistoren 179 und 183 vorgesehen. Der Transistor 179 besitzt die Emitterelektrode 180, die Basiselektrode 181 und die Kollektorelektrode 182. Der Transistor 183 besitzt die Emitterelektrode 184, die Basiselektrode 185 und die Kollektorelektrode 186. Der unmittelbar abhängig vom Eingangssignal gesteuerte Transistor 179 ist ein solcher der p-n-p-Type, während der von ihm gesteuerte Zwischentransistor 183 ein zu ihm in seiner elektrischen Leitungszonenfolge komplementäre Transistor, also ein solcher der n-p-n-Type ist. Die Basiselektrode des Transistors 179 liegt einmal über einen S trombegrenzungswi derstand 124 an der (B +)-Klemme einer Spannungsquelle und gleichzeitig an der Klemme 110 für das Anlegen des Eingangssignals. Mit seiner Elektrode 180 liegt der Transistor 179 an der gemeinsamen Leitung bzw. Erde. Die Kollektorelektrode 182 des Transistors ist über die beiden Widerstände 125 und 135 an die (B-)-Klemme einer Speisespannungsquelle angeschlossen. Die Kollektorelektrode 186 des Transistors 183 ist über den Widerstand 136 an die gleiche (B+)-Leitung wie die Widerstände 166 und 124 angeschlossen. Die Basiselektrode 185 des Transistors 183 ist an die Verbindungsleitung der Widerstände 125 und 135 angeschlossen. Außerdem ist zwischen der Basiselektrode 185 und der Emitterelektrode 184 des Transistors 183 der Widerstand 134 eingeschaltet.As already assumed, two transistors 179 and 183 are now provided at the input of the circuit. The transistor 179 has the emitter electrode 180, the base electrode 181 and the collector electrode 182. The transistor 183 has the emitter electrode 184, the base electrode 185 and the collector electrode 186. The transistor 179, which is controlled directly as a function of the input signal, is of the pnp type, while the intermediate transistor 183 controlled by it is a transistor which is complementary to it in its electrical conduction zone sequence, that is to say of the NPN type. The base electrode of the transistor 179 is once through a S current limiting resistor 124 to the (B +) terminal of a voltage source and at the same time to the terminal 110 for the application of the input signal. The transistor 179 has its electrode 180 connected to the common line or ground. The collector electrode 182 of the transistor is connected to the (B-) terminal of a supply voltage source via the two resistors 125 and 135. The collector electrode 186 of the transistor 183 is connected to the same (B +) line as the resistors 166 and 124 through the resistor 136. The base electrode 185 of the transistor 183 is connected to the connection line of the resistors 125 and 135. In addition, the resistor 134 is connected between the base electrode 185 and the emitter electrode 184 of the transistor 183.

Für die Erläuterung der Wirkungsweise der Eingangsschaltung nach Fig. 2 werde unterstellt, daß die Kapazität 140 voll aufgeladen ist und an der Zenerdiode 130 die Zenerspannung bei an seiner Emitter-Kollektor-Strecke undurchlässigem Transistor 183 besteht. Dieser Zustand des Transistors 183 besteht zufolge eines Stromes von der gemeinsamen Leitung über die Zenerdiode 177 und die Widerstände 134 und 135 nach der (B-)-Leitung, wodurch an dem Widerstand 134 ein Spannungsabfall entsteht, der für die Basis 183 eine Minus-Vorspannung gegenüber dem Emitter 184 ergibt. Es werde nun ein negatives Eingangssignal an die Eingangsklemme 110 angelegt. Hierdurch wird der Transistor 179 an seiner Emitter-Kollektor-Strecke durchlässig, und es fließt ein Strom von der gemeinsamen Leitung bzw. Erde über die Reihenschaltung der Widerstände 125 und 135 nach ,ier (B-)-Leitung der Spannungsquelle. Gleichzeitig fließt aber nunmehr ein Strom über den Widerstand 134 in umgekehrter Richtung, also von links nach rechts und über den Widerstand 178 nach der (B-)-Leitung einer Spannungsquelle. Der an dem Widerstand 134 entstehende Spannungsabfall ergibt für die Basis 185 des Transistors 183 ein positives Potential gegenüber dessen Emitterelektrode 184, so daß der Transistor an seiner Emitter-Kollektor-Strecke durchlässig wird und die Klemmen an der Zenerdiode 130 kurzgeschlossen werden, wodurch die sofortige Entladung des Kondensators 140 über das elektrische Ventil 143 stattfindet. Die Folge ist, daß, wie bereits beschrieben, die Doppelbasisdiode 160 und damit der Eingangstransistor 170 auf Sperrung gesteuert werden, so daß am Ausgang 1100 ein Ausgangssignal entsteht. Wird das Eingangssignal an der Klemme 110 weggenommen, so wird der Transistor 170 und mit ihm der Transistor 183 gesperrt, wodurch an der Zenerdiode 130 wieder die Zenerspannung entsteht und eine Aufladung des Kondensators 140 der Energiespeicheranordnung über die Widerstände 141 und 142 stattfindet. Mit Erreichen der Zündspannung an der Steuerstrecke der Doppelbasisdiode 160 wird diese zwischen ihren Basiselektroden 163 und 162 durchlässig. Hierdurch wird die Basis 173 des Transistors 170 negativ gegenüber dem Emitter 171. Der Transistor 170 wird daher an seiner Emitter-Kollektor-Strecke durchlässig, und das Ausgangssignal der Zeitsteuerschaltung verschwindet.For the explanation of the operation of the input circuit according to Fig. 2 it is assumed that the capacity 140 is fully charged and at the zener diode 130 is the Zener voltage when the transistor is impermeable at its emitter-collector path 183 exists. This state of transistor 183 is due to a current of the common line via the zener diode 177 and the resistors 134 and 135 after the (B -) - line, which creates a voltage drop across resistor 134, which results in a negative bias voltage for the base 183 with respect to the emitter 184. It a negative input signal is now applied to input terminal 110. Through this the transistor 179 becomes conductive at its emitter-collector junction, and it a current flows from the common line or earth via the series connection of resistors 125 and 135 to the (B-) line of the voltage source. Simultaneously but now a current flows through the resistor 134 in the opposite direction, that is from left to right and via resistor 178 to the (B-) line of a voltage source. The voltage drop that occurs across resistor 134 results in base 185 of the Transistor 183 has a positive potential with respect to its emitter electrode 184, see above that the transistor is permeable at its emitter-collector path and the Terminals on the zener diode 130 are short-circuited, causing the instantaneous discharge of the capacitor 140 via the electric valve 143 takes place. The result is, that, as already described, the double base diode 160 and thus the input transistor 170 can be controlled to block, so that an output signal is produced at output 1100. If the input signal at terminal 110 is removed, transistor 170 becomes and with it the transistor 183 blocked, whereby the Zener diode 130 again the Zener voltage arises and the capacitor 140 of the energy storage arrangement is charged takes place via the resistors 141 and 142. When the ignition voltage is reached the control path of the double base diode 160 is this between its base electrodes 163 and 162 permeable. This makes the base 173 of the transistor 170 negative compared to the emitter 171. The transistor 170 is therefore at its emitter-collector path permeable, and the output of the timing circuit disappears.

Die verwendeten Transistoren 20, 70, 179, 173, 170 sind jeweils, wie gezeigt, solche der Dreielektrodentype, wie sie gewöhnlich für Schaltzwecke benutzt werden. Die zu schaltende Gleichspannung ist dabei jeweils an zwei der erwähnten Elektroden angeschlossen und als Folge einer Vorspannung von der geeigneten Polarität und Größe, welche zwischen der dritten Elektrode und einer der erwähnten beiden Elektroden angelegt wird, wird die Schaltstrecke zwischen den beiden Elektroden leitend bzw. stromdurchlässig.The transistors 20, 70, 179, 173, 170 used are each like shown, those of the three-electrode type commonly used for switching purposes will. The DC voltage to be switched is in each case on two of the mentioned Electrodes connected and as a result of a bias of the appropriate polarity and size, which is between the third electrode and either of the mentioned two Electrodes is applied, the switching path between the two electrodes conductive or current-permeable.

Claims

PATENT CLAIMS: 1. Time control circuit using a time circuit from the series connection of a capacitor and a resistor to control an electrical flip-flop circuit to achieve an output character with a duration determined by the duration of the transmission of an input signal and a subsequent selectable or adjustable period of time after the elimination of the Input signal is determined, characterized in that a transistor controlled by the input signal brings about the rapid discharge of the capacitor of the time circuit, which is connected to voltage when the input signal disappears and, when a certain state of charge of the capacitor is reached, is used to control a double base diode which in turn is used controls an output transistor in such a way that when an input signal is applied to the input transistor, the output transistor is simultaneously controlled to be blocked.

2. Time control circuit according to claim 1, characterized in that that the charging of the energy storage device depends on the voltage at a Zener diode is controlled, which in turn in the existing voltage at their terminals through the emitter-collector path of the transistor controlled depending on the input signal is controlled.

3. Time control circuit according to claims 1 and 2, characterized in that that the transistor controlled as a function of the input signal, in addition to the Zener diode, simultaneously controls a discharge circuit for the energy store.

4. Timing circuit according to claim 1 or one of the following, characterized in that the one Capacitor existing energy storage via one or more ohmic resistors is charged and these resistors an electric valve with such a Polarity is connected in parallel, that it is responsible for the discharge of the capacitor over the Transistor is stressed in the forward direction.

5. Time control circuit according to claim 1 or one of the following, characterized in that the energy store or Capacitor via such a rectifier valve to the control path of the double base diode is connected, which is responsible for discharging the capacitor via this control path is permeable.

6. Time control circuit according to claim 1 or one of the following, characterized in that the control path of the double base diode to a voltage divider is connected via a valve with such polarity that after the ignition of the double base diode A current can flow through this valve, which the double base diode in permeable Condition.

7. Time control circuit according to claim 1 or one of the following, characterized in that the control path of the output transistor is an electrical Valve of such polarity is connected in parallel that by its voltage drop in the forward direction, the stress on the base-emitter path is limited in the blocking direction to a predetermined maximum value. B.

Timing circuit according to claim 1 or one of the following, characterized in that in series with a resistor with such a temperature coefficient is connected to the double base diode is that when the temperature changes, their influence on the double base diode is compensated is.

9. Time control circuit according to claim 1 or one of the following, characterized in that that the transistor controlled depending on the input signal via a voltage divider is fed and controlled on its control line.

10. Time control circuit after Claim 1 or one of the following, characterized in that the dependent on Input signal controlled transistor, which controls the energy storage circuit, in turn by a complementary transistor of opposite conduction zone sequence is controlled via voltage divider.

11. Time control circuit according to claim 1 or one of the following, characterized in that the voltage across the double base diode by means of a zener diode in series with an ohmic resistance to a Reference potential (earth) is stabilized. Publications considered: Journal: "Electronics", 1957, issue 9, pp. 261 to 263.