DE2237764B2

DE2237764B2 - Circuit for the preferential commissioning of a stage of an electronic sequential circuit with holding circuit

Info

Publication number: DE2237764B2
Application number: DE2237764A
Authority: DE
Inventors: Willy 7103 Schwaigern Minner
Original assignee: Licentia Patent Verwaltungs GmbH
Current assignee: Telefunken Electronic GmbH
Priority date: 1972-08-01
Filing date: 1972-08-01
Publication date: 1974-11-07
Also published as: ES417105A1; FR2195124A1; NL7310651A; GB1438040A; DE2237764C3; JPS4953701A; SE386037B; DE2237764A1; FR2195124B1; JPS5637734B2; US3919568A; IT992800B

Description

Elektronische Folgeschalter werden beispielsweise in Rundfunk- und Fernsehgeräten zur elektronischen Umschaltung der Kanäle und Bereiche benutzt. Diese elektronischen Folgeschalter sind mit Halteschaltungen versehen, die dafür sorgen, daß auch nach dem Abklingen des Einschaltimpulses der gewählte Kanal eingeschaltet bleibt. Durch die Halteschaltung wird daher nach dem Einschalten die eingeschaltete Stufe verriegelt. Diese Verriegelung kann nur dadurch aufgehoben werden, daß ein anderer Kanal gewählt oder das Gerät in seiner Gesamtheit abgeschaltet wird.Electronic sequence switches are used, for example, in radio and television sets for electronic Switching of channels and areas used. These electronic sequence switches are with hold circuits which ensure that the selected channel continues to function even after the switch-on pulse has decayed remains switched on. The holding circuit therefore becomes the switched-on stage after switching on locked. This lock can only be canceled by selecting another channel or the device is switched off in its entirety.

Es ist eines der Hauptprobleme, diese Folgeschalter so störsicher zu machen, daß das Umschalten von einem Kanal auf einen anderen oder die Inbetriebsetzung eines nicht gewählten Kanals durch Störimpulse ausgeschlossen ist. Um diese Störsicherheit zu verbessern, wurde bereits vorgeschlagen, ein nichtlineares Strom-Spannungselement derart in den Stromkreis einzuschalten, daß es vom Haltestrom durchflossen und in einem Arbeitspunkt mit kleinem differentiellen Widerstand betrieben wird. Ein solches nichtlineares Bauelement ist beispielsweise eine Zenerdiode. Wenn ein solches Bauelement im Abbruchgebiet betrieben wird, hat es für Störimpulse einen sehr kleinen Widerstand, so daß die Störspannung ohne Einfluß auf den Schaltzustand der Folgeschaltung abgeleitet wird. Die elektronischen Folgeschalter mit Halteschaltung bestehen aus einer Anzahl miteinander verbundener Stufen, wobei jede Stufe jeweils einem einzuschaltenden Kanal entspricht. Die Zahl der Stufen ist daher von der Anzahl der zur Auswahl stehenden Kanäle abhängig.It is one of the main problems to make these sequential switches so fail-safe that switching from one Channel to another channel or the activation of an unselected channel due to interference pulses is excluded. In order to improve this immunity to interference, a non-linear one has already been proposed To switch the current-voltage element into the circuit in such a way that the holding current flows through it and is operated at an operating point with a small differential resistance. Such a nonlinear one A component is, for example, a Zener diode. If such a component operated in the demolition area it has a very low resistance to interference pulses, so that the interference voltage has no effect on the Switching state of the subsequent circuit is derived. The electronic sequence switches with hold circuit exist from a number of interconnected stages, with each stage one to be switched on Channel corresponds. The number of stages is therefore dependent on the number of channels available for selection addicted.

Vielfach wird gewünscht, daß bei Inbetriebnahme des Geräts der Kanal bevorrechtigt ist und mit der Inbetriebnahme stets automatisch eingeschaltet wird; auch dann, wenn beim Abschalten des Geräts ein anderer Kanal eingeschaltet war.It is often desired that when the device is put into operation, the channel is given priority and with the Commissioning is always switched on automatically; even if a different one when switching off the device Channel was switched on.

Zur Auswahl der Kanäle sind in der Regel zwei Spannungsquellen erforderlich, nämlich eine Spannung für die Bereichswahl (z. B. UHF oder VHF Barid I oder Band III) und eine weitere Spannung für die Frequenzwahl (z. B. Kanal 6 oder Kanal 8), die durch die genannte elektronische Folgeschaltung eingeschaltet werden müssen.To select the channels, two voltage sources are usually required, namely one voltage for the range selection (e.g. UHF or VHF Barid I or Band III) and another voltage for the Frequency selection (e.g. channel 6 or channel 8) switched on by said electronic sequential circuit Need to become.

Die stabilisierte Spannungsquelle, die die höhervoltige Spannung ist und zur Frequenzwahl benutzt wird, darf zusätzlich nur schwach belastet werden, um die Frequenzstabilität nicht zu gefährden. Aus diesem Grund steht für die Schaltung, die für die bevorrechtigte Inbetriebsetzung der Stufe I vorgesehen ist, nur ein minimaler Strom, z. B. 0,1 bis 0,3 mA, zur Verfügung. The stabilized voltage source, which is the higher-voltage voltage and is used for frequency selection should only be lightly loaded in order not to endanger the frequency stability. For this Reason is for the circuit, which is intended for the preferential commissioning of stage I, only a minimum current, e.g. B. 0.1 to 0.3 mA available.

Eine derartig schwache Belastung kann dadurch erreicht werden, daß ein entsprechend hochohmiger Widerstand verwendet wird. Bei einer stabilisiertenSuch a weak load can be achieved by using a correspondingly high resistance Resistance is used. With a stabilized

Spannung, die je nach Stabilisiemngselement z. B. 30 oder 60 Volt aufweist, müßte ein solcher Widerstand etwa 180 kOhm groß sein. Ein so großer Widerstand ist in einer integrierten Halbleiterschaltung praktisch nicht zu realisieren, da bei den derzeit kleinstmöglichen Abmessungen und den üblichen Dotierungsverhältnissen ein solcher Widerstand eine Länge von etwa 10 mm bei einer Breite von 10 μΐη aufweisen müßte.Voltage, depending on the Stabilisiemngselement z. B. 30 or 60 volts, such a resistor would have to be about 180 kOhm. Such a great resistance is practically impossible to implement in an integrated semiconductor circuit, as it is currently the smallest possible Dimensions and the usual doping ratios such a resistor has a length of about 10 mm with a width of 10 μΐη should have.

Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, eine Schaltung für das bevorrechtigte Inbetriebsetzen einer Stufe einer elektronischen Folgeschaltung anzugeben, die für die Integration in einem Halbleiterkörper besonders geeignet ist. Dabei wird von einer elektronischen Folgeschaltung ausgegangen, durch die zwei Spannungsquellen unterschiedlichen Potentials angeschaltet werden.The invention is based on the object of a circuit for the privileged commissioning of a Specify stage of an electronic sequential circuit that is particularly suitable for integration in a semiconductor body. This is done by an electronic Follow-up circuit assumed, switched on by the two voltage sources of different potential will.

Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß dadurch gelöst, daß die für die Inbetriebsetzung der bevorrechtigten Stufe erforderliche Spannung an einem Bauelement abfällt, das zwischen die Steuerelektrode eines die Stufe in Betrieb setzenden Schalttransistors und dem der Schaltung gemeinsamen Bezugspotential geschaltet ist, daß dieses Bauelement in Reihe mit einem Spannungsteiler bildenden Widerständen und mindestens einem Konstantspannungselement an die Spannungsquelle höherer Spannung angeschlossen ist, daß der Abgriff des Spannungsteilers über eine Diode an die Spannungsquelle niederer Spannung in Flußrichtung angeschlossen ist, und daß die Bauelemente so dimensioniert sind, daß die nur bei Vorhandensein des höheren Potentials sich ergebende Belastung dieser Spannungsquelle beim Einsetzen der Spannung niedrigeren Potentials aufgehoben oder zumindest erheblich reduziert wird.This object is achieved according to the invention in that the for the commissioning of the preferred Stage required voltage drops across a component that is between the control electrode of a the switching transistor which sets the stage in operation and the reference potential common to the circuit is switched is that this component is in series with a voltage divider forming resistors and at least a constant voltage element is connected to the voltage source of higher voltage, that the tap of the voltage divider via a diode to the voltage source of low voltage in the direction of flow is connected, and that the components are dimensioned so that the only in the presence of the higher potential resulting load of this voltage source at the onset of the voltage lower Potential is lifted or at least significantly reduced.

Der der Schaltung gemeinsame Potentialanschluß ist in der Regel der Masseanschluß. Das Bauelement zur Erzeugung der Spannung, durch die die bevorrechtigte Stufe in Betrieb gesetzt wird, ist vorzugsweise eine oder mehrere in Flußrichtung betriebene Dioden. Da durch diese Spannung der nachgeschaltete Schaltungstransistor durchgesteuert werden soll, müssen wenigstens zwei Dioden in Reihe geschaltet werden. An diesen Dioden fällt dann in etwa die doppelte Basis-Emitter-Spannung des Transistors, die zur Durchsteuerung des Transistors notwendig ist, ab, so daß dieser Transistor sicher durchgeschaltet werden kann. An Stelle von Dioden kann zur Erzeugung der die bevorrechtigte Stufe in Betrieb setzenden Spannung auch eine Zenerdiode verwendet werden.The potential connection common to the circuit is usually the ground connection. The component to generate the voltage by which the preferred stage is put into operation is preferred one or more diodes operated in the forward direction. Because of this voltage the downstream Switching transistor is to be turned on, at least two diodes must be connected in series will. About twice the base-emitter voltage of the transistor that is used for the By controlling the transistor is necessary, so that this transistor can be safely switched through can. Instead of diodes, the voltage that puts the preferred stage into operation can be used a zener diode can also be used.

Die Konstantspannungselemente, die zu diesen Dioden und den Widerständen in Reihe geschaltet sind, bestehen vorzugsweise aus Zenerdioden. An diesen Zenerdioden fällt jeweils die Zenerabbruchspannung ab. Die Zahl der hintereinandergeschalteten Zenerdioden richtet sich nach der Größe der Versorgungsspannung und somit danach, in welchem Maß diese Versorgungsspannung zur Erzeugung der die Inbetriebsetzung verursachenden Spannung abgebaut werden muß. Die Zenerdioden sind zwischen das eine Ende des Spannungsteilers und die höhervoltige Spannungsquelle geschaltet.The constant voltage elements connected in series to these diodes and the resistors are preferably made of Zener diodes. The Zener breakdown voltage falls across these Zener diodes away. The number of Zener diodes connected in series depends on the size of the supply voltage and thus according to the extent to which this supply voltage is used to generate the The voltage causing the commissioning must be reduced. The zener diodes are between the one The end of the voltage divider and the higher-voltage voltage source are switched.

Die Erfindung soll im weiteren noch an Hand eines Ausführungsbeispieles näher erläutert werden. Zum besseren Verständnis wird zugleich eine aus zwei Stufen bestehende Folgeschaltung mit Halteschaltung kurz erläutert.The invention is to be explained in more detail below on the basis of an exemplary embodiment. To the At the same time, a two-stage sequential circuit with a hold circuit is better understood briefly explained.

Der in der Figur dargestellte Folgeschalter aus den Stufen I und II hat die Aufgabe, beim Anlegen eines negativen Impulses an die Eingangselektroden 10 oder 12 den Transistor T₆ für die Frequenzwahl und die Transistoren T₈ und T₉ für den Bereich des gewünschten Kanals einzuschalten. Wenn beispielsweise die Stufe I eingeschaltet ist, soll diese Stufe I dadurch abgeschaltet werden, daß auf die Elektrode 12 der stufe II ein negativer Impuls gegeben wird. Dadurch wird zugleich die Stufe II eingeschaltet. Ein negativer Impuls ist deshalb erforderlich, weil der Eingangstransistor T₁ ein pnp-Transistor ist. Bei einem Eingangstransistor umgekehrter Zonenfolge wird zum Einschalten der Stufe ein positiver Impuls erforderlich sein. Es kann auch von einer Stufe auf die andere Stufe dadurch umgeschaltet werden, daß auf den Widerstand R_lH, der beiden Stufen gemeinsam ist und zwischen die Pole 1 und 2 geschaltet ist, ein Impuls gegeben wird. Der mit III bezeichnete Schaltungsteil zeigt die Schaltung, die für die bevorrechtigte Inbetriebsetzung der Stufe I beim Einschalten des Gerätes erfor-The sequence switch shown in the figure from stages I and II has the task of switching on transistor T ₆ for the frequency selection and transistors T ₈ and T ₉ for the range of the desired channel when a negative pulse is applied to the input electrodes 10 or 12. If, for example, stage I is switched on, this stage I should be switched off in that a negative pulse is given to the electrode 12 of stage II. This also turns on stage II. A negative pulse is necessary because the input _{transistor T 1 is} a pnp transistor. In the case of an input transistor with a reverse zone sequence, a positive pulse will be required to switch on the stage. It is also possible to switch from one stage to the other by _applying a pulse to the resistor R 1H, which is common to both stages and is connected between poles 1 and 2. The circuit section marked III shows the circuit that is required for the priority start-up of stage I when the device is switched on.

^2t> derlich ist. ^2t > that is.

Die hintereinandergeschalteten Transistoren T₁ bis T₃ lassen einen Impuls nur in einer Richtung durch. So können bei der dargestellten Wahl der Transistoren nur durch negative Impulse am Eingang 10 oder 12 die zugehörigen Stufen eingeschaltet werden.The series-connected transistors T ₁ to T ₃ only allow a pulse to pass in one direction. With the selection of transistors shown, the associated stages can only be switched on by negative pulses at input 10 or 12.

Die in der Figur dargestellte Schaltung hat zwei Versorgungsspannungsquellen. Am Anschluß 8 liegen beispielsweise +12 V, während am Anschluß 7 eine Spannung von etwa +30 V liegt. Die letztere stabilisierte Spannung kann von Gerät zu Gerät erheblich schwanken, so daß die Funktionsfähigkeit der Schaltung wenigstens im Bereich zwischen 30 und 36 Volt sichergestellt sein muß.The circuit shown in the figure has two supply voltage sources. Lying at connection 8 for example +12 V, while at terminal 7 there is a voltage of about +30 V. The latter The stabilized voltage can fluctuate considerably from device to device, so that the functionality of the Circuit must be ensured at least in the range between 30 and 36 volts.

An den Anschluß 8 sind die Eingangstransistoren T₁ bis T₃ angeschlossen. Dem pnp-Transistor T₁ sind in Darlington-Schaltung die Transistoren T₂ und T₃ nachgeschaltet. Der Emitter von T₁ und die Kollektoren von T₂ und T₃ liegen an 12 Volt. An den Emitter von T₃ sind in Reihe die Widerstände R₂ und Zf₃ und die Parallelschaltung aus der Zenerdiode ZD₁ und dem Widerstand ^₄ angeschaltet.The input transistors T ₁ to T _{3 are} connected to the terminal 8. The pnp transistor T ₁ is followed by the transistors T ₂ and T ₃ in a Darlington circuit. The emitter of T ₁ and the collectors of T ₂ and T ₃ are at 12 volts. The resistors R ₂ and Zf ₃ and the parallel circuit of the Zener diode ZD ₁ and the resistor ^ ₄ are connected in series to the emitter of T ₃ .

Wenn nun über den Eingangswiderstand R_x auf die Basiselektrode von T₁ ein negativer Impuls gegeben wird, schalten die Transistoren T₁ bis T₃ durch. Über die Widerstände R₂, R₃ und R₄ fließt ein Strom, durch den an der Zenerdiode ZD, die Zenerdurchbruchsspannung aufgebaut wird. Diese Spannung beträgt beispielsweise 6,2 Volt. R₄ ist hochohmig und dient zur Herabsetzung des Sperrwiderstandes der Zenerdiode bei Spannungen, die unter der Zenerspannung liegen. Der Widerstand R₃ ist dagegen niederohmig, an ihm fallen nur wenige Zehntelvolt Spannung ab. Der Transistor T₄, dessen Steuerelektrode an den Abgriff des aus den Widerständen R₂ und R₃ gebildeten Spannungsteilers angeschlossen ist, wird gleichfalls durchgesteuert, so daß nun am Widerstand R_lH zwischen den Polen 1 und 2 annähernd die um die Anlaufspannung U_BE reduzierte Zenerspannung anliegt. Die Spannung an R₁₈ beträgt beispielsweise 5,8 Volt.If a negative pulse is now given to the base electrode of T ₁ via the input resistance R _x _{, the transistors T 1} to T ₃ turn on. A current flows through the resistors R ₂ , R ₃ and R ₄ , through which the Zener breakdown voltage is built up at the Zener diode ZD. This voltage is 6.2 volts, for example. R ₄ has a high resistance and is used to reduce the blocking resistance of the Zener diode at voltages that are below the Zener voltage. The resistor R ₃ , on the other hand, has a low resistance; only a few tenths of a volt voltage drop across it. The transistor T ₄ , the control electrode of which is connected to the tap of the voltage divider formed by the resistors R ₂ and R ₃ , is also turned on so that the Zener voltage reduced by the starting voltage U _{BE is} now applied to the resistor R _1H between the poles 1 and 2 is present. The voltage at R ₁₈ is, for example, 5.8 volts.

Der Strom des Transistors T₄ fließt über die in die Kollektorstrecke geschaltete Doppeldiode D₁D₂ und die Basis-Emitterstrecke von T₆, der somit gleichfalls durchgesteuert wird. Der Spannungsabfall zwischen der Elektrode 7 (30 V) und dem Kollektor von T₄, der zugleich an die Basiselektrode von T₅ angeschlossen ist, beträgt etwa 1,8 V, nämlich 3 X U_BE bei Siliziumhalbleiterbauelementen, und öffnet den TransistorThe current of the transistor T ₄ flows through the double diode D ₁ D ₂ connected in the collector path and the base-emitter path of T ₆ , which is thus also turned on. The voltage drop between the electrode 7 (30 V) and the collector of T ₄ , which is also connected to the base electrode of T ₅ , is about 1.8 V, namely 3 X U _BE for silicon semiconductor components, and opens the transistor

T₅, der über den Emitterwiderstand R₅ mit dem Anschluß 7 verbunden ist. Der Strom durch den Transistor T₅ ist durch den Widerstand R₅ bestimmt. Dieser Strom fließt nun auch über die Strecke R₃-ZD^R₄ und sorgt dafür, daß auch nach der Beendigung des Einschaltimpulses an ZD, und damit am Widerstand 18 eine Spannung erhalten bleibt, durch die die Stufe im eingeschalteten Zustand verbleibt. T ₅ , which is connected to the terminal 7 via the emitter resistor R _5. The current through the transistor T ₅ is determined by the resistor R ₅ . This current now also flows over the path R ₃ -ZD ^ R ₄ and ensures that even after the termination of the switch-on pulse at ZD , and thus at resistor 18, a voltage is maintained through which the stage remains in the switched-on state.

Der Emitter von T₅ ist an die Basiselektrode von T₇ angeschlossen, so daß bei leitendem Transistor T₅ auch dieser Transistor T₁ durchgesteuert wird. Dadurch werden auch die dem Transistor T₇ in Darlington-Schaltung nachgeschalteten Transistoren T₈ und T₉ leitend. Durch diese Transistoren wird der gewählte Bereich eingeschaltet.The emitter of T ₅ is connected to the base electrode of T ₇ , so that when the transistor T _{5 is on} , this transistor T ₁ is also turned on. As a result, the _{transistors T 8} and T ₉ _{connected downstream of the transistor T 7} in a Darlington circuit also become conductive. The selected area is switched on by these transistors.

Die Transistoren T₈ und T₉ beziehen ihre Versorgungsspannung von der 12-Volt-Leitung. Bei den gewählten Spannungsverhältnissen sind die Transistoren T₁, T₅, T₆ und T₁ pnp-Transistoren; die übrigen Transistoren sind vom npn-Typ. Die Stufe II ist mit der Stufe I identisch. Wenn bei eingeschalteter Stufe I die Stufe II durch einen negativen Impuls am Anschluß 12 eingeschaltet wird, steigt während des Impulses am Widerstand R_u, der allen Stufen gemeinsam ist, die Spannung an. Dadurch wird der Strom durch den Transistor T₄ der Stufe I reduziert, bis dieser Transistor gesperrt und damit die Stufe I abgeschaltet wird. Die Stufe II ist dann betriebsbereit, da die bereits geschilderten Vorgänge nun in gleicher Weise wie bei der Stufe I in der Stufe II ablaufen. Eine Umschaltung kann auch dadurch erfolgen, daß auf den Widerstand R_w ein Impuls gegeben wird, durch den die Spannung an diesem Widerstand erhöht wird. Dadurch wird die eingeschaltete Stufe gelöscht. Zugleich entsteht an der Kollektorelektrode von T₆ ein negativer Abschaltimpuls. Dieser Impuls wird auf die Eingangselektrode der nachfolgenden Stufe II gegeben und schaltet diese Stufe ein. Hierzu sind beispielsweise die Elektroden 6 und 12 über einen Kondensator miteinander verbunden. Bei jedem Impuls wird somit der Folgeschalter um eine Stufe weitergeschaltet.The transistors T ₈ and T ₉ draw their supply voltage from the 12-volt line. With the selected voltage ratios, the transistors T ₁ , T ₅ , T ₆ and T _{1 are} pnp transistors; the remaining transistors are of the npn type. Level II is identical to level I. If, with stage I switched on, stage II is switched on by a negative pulse at terminal 12 , the voltage rises during the pulse at resistor R _u , which is common to all stages. As a result, the current through the transistor T ₄ of stage I is reduced until this transistor is blocked and thus stage I is switched off. Stage II is then ready for operation, since the processes already described now run in the same way as in stage I in stage II. Switching can also take place in that a pulse is applied to the resistor R _w , by means of which the voltage across this resistor is increased. This will delete the activated level. At the same time, a negative switch-off pulse is generated at the collector electrode of T _6. This pulse is sent to the input electrode of the next stage II and switches this stage on. For this purpose, electrodes 6 and 12 are connected to one another via a capacitor, for example. With each impulse the next switch is switched one step further.

Der Schaltungsteil III dient zum bevorrechtigten Einschalten der Stufe I bei Inbetriebnahme des Gerätes. Die Belastung der 30-Volt-Spannungsquelle darf einen bestimmten Wert nicht überschreiten. Die Belastung durch die Schaltung IH ist jedoch unkritisch, wenn keine Stufe eingeschaltet ist. Sobald die Stufe eingeschaltet ist, muß aber die Belastung der 30-Volt-Spannungsquelle durch die Schaltung III erheblich reduziert werden. In einem speziellen Fall darf diese Belastung beispielsweise 0,2 mA nicht überschreiten. Circuit part III is used to switch on stage I with priority when the device is started up. The load on the 30 volt voltage source is allowed do not exceed a certain value. However, the load caused by the circuit IH is not critical, if no stage is switched on. As soon as the stage is switched on, however, the load on the 30-volt voltage source must can be significantly reduced by circuit III. In a special case this load should not exceed 0.2 mA, for example.

Die Schaltung HI besteht aus einer zwischen die Pole der 30-Volt-Spannungsquelle geschalteten Reihenschaltung aus der Doppeldiode D_B, D_c, zwei Widerständen R_A, R_B, vier Zenerdioden ZD_A, ZD_n, ZD_c, ZD₉ und der Diode D₀. Die Diode D_D verhindert, daß über die Zenerdioden ein Strom fließt, wenn nur die Spannungsquelle niedrigerer Spannung anliegt. An den in Durchlaßrichtung betriebenen Dioden D_B, D_c muß die für die Inbetriebsetzung der Stufe I erforderliche Spannung von etwa 1,2 Volt abfallen. Diese Spannung wird auf die Basiselektrode des Transistors T_A gegeben, deren Kollektor-Emitterstrecke der Kollektor-Emitterstrecke von T₄ parallel geschal-The circuit HI consists of a series circuit consisting of the double diode D _B , D _c , two resistors R _A , R _B , four Zener diodes ZD _A , ZD _n , ZD _c , ZD ₉ and the diode connected between the poles of the 30 volt voltage source D ₀ . The diode D _D prevents a current from flowing through the Zener diodes if only the voltage source of lower voltage is applied. At the diodes D _B , D _c operated in the forward direction, the voltage required to start stage I must drop by about 1.2 volts. This voltage is applied to the base electrode of the transistor T _A , the collector-emitter path of which is connected in parallel to _{the collector-emitter path of T 4.}

'5 tet ist. Die Verbindung zwischen den Widerständen R_A und R_B ist über eine Diode D_A an den 12-Volt-Pol 8 angeschlossen. Die Belastung der 12-Volt-Spannungsquelle ist unkritisch. Es muß aber sichergestellt sein, daß die Stufe I sofort beim Einsetzen der ersten Spannungsquelle in Betriebsbereitschaft gesetzt wird. Es soll also verhindert werden, daß bei einem durch die Zeitkonstanten bedingten unterschiedlichen Einsatz der Versorgungsspannungsquellen in der dazwischenliegenden Zeit durch einen Störimpuls eine unerwünschte Stufe eingeschaltet wird.'5 tet is. The connection between the resistors R _A and R _B is connected to the 12-volt pole 8 via a diode D _A. The load on the 12 volt voltage source is not critical. However, it must be ensured that stage I is set to operational readiness as soon as the first voltage source is used. The aim is to prevent an undesired step from being switched on by an interference pulse when the supply voltage sources are used differently due to the time constants.

Es sei angenommen, daß die Zenerdioden in einem Ausführungsbeispiel eine Zenerspannung von je 6,3 Volt besitzen. Die Widerstände R_A und R_B seien jeweils 5kOhm. Wenn zunächst die 30-Volt-Quelle an-Hegt, so fällt an den Zenerdioden eine Spannung von 25,1 Volt ab. An der Doppeldiode D_BD_C liegt die Spannung 1,2 Volt. Durch die beiden Widerstände fließt dann ein Strom von etwa 0,30 mA. Bei einer Spannung von 36 Volt nimmt dieser Strom bis zu 1 mA zu. Diese Belastung ist, solange die Stufe noch nicht in Betrieb ist, unkritisch. An der Verbindung zwischen R_A und R_B liegt eine Spannung von etwa 3 Volt bei 30 Volt an Pol 7. Beim Einsetzen der 12-Volt-Spannung steigt diese Spannung schlagartig aufIt is assumed that the Zener diodes in one embodiment have a Zener voltage of 6.3 volts each. The resistors R _A and R _B are each 5kOhm. When the 30-volt source is first applied, a voltage of 25.1 volts drops across the zener diodes. The voltage is 1.2 volts across the double diode D _B D _C. A current of around 0.30 mA then flows through the two resistors. At a voltage of 36 volts, this current increases by up to 1 mA. This load is not critical as long as the stage is not yet in operation. At the connection between R _A and R _{B there} is a voltage of about 3 volts at 30 volts at pole 7. When the 12-volt voltage starts, this voltage rises suddenly

etwa 11,4 Volt an. Über die Zenerdioden fließt dann kein Strom mehr. Die 30-Volt-Quelle ist damit belastungsfrei. Liegen statt 30 Volt 36 Volt am Pol 7 an, so ist diese Spannungsquelle nach dem Einsatz der 12-Volt-Quelle immer noch so gut wie unbelastet.about 11.4 volts. Then flows through the Zener diodes no more electricity. The 30-volt source is thus unencumbered. If 36 volts are present at pole 7 instead of 30 volts, this voltage source is the after use 12-volt source still as good as unloaded.

Erst bei etwa 38 Volt fließt der maximal zulässige Strom von 0,2 mA. Damit reicht der zulässige Arbeitsbereich der Versorgungsspannung praktisch von etwa 27 Volt bis 38 Volt.The maximum permissible current of 0.2 mA only flows at around 38 volts. This means that the permissible working range is sufficient the supply voltage practically from about 27 volts to 38 volts.

Bei anderen Spannungsverhältnissen kann die Zahl und die Dimensionierung der Bauelemente den geänderten Verhältnissen angepaßt werden.In the case of other voltage ratios, the number and dimensions of the components may change To be adapted to the circumstances.

Hierzu 1 Blatt Zeichnungen1 sheet of drawings

Claims

Patent claims:

1. Circuit for the preferential commissioning of a stage of an electronic sequential circuit with hold circuit, two different supply voltage sources for their operation Potential are provided, characterized in that the for commissioning the preferential stage required voltage drops on a component that is between the Control electrode of a switching transistor which sets the stage in operation and which is common to the circuit Reference potential is connected that this component in series with a voltage divider forming resistors and at least one constant voltage element to the voltage source higher voltage is connected that the tap of the voltage divider via a Diode is connected to the voltage source of low voltage in the forward direction, and that the Components are dimensioned so that the resulting only in the presence of the higher potential Loading of this voltage source when the voltage of lower potential begins is canceled or at least significantly reduced.

2. A circuit according to claim 1, characterized in that the component on which the the voltage required for the commissioning of the preferred stage drops, at least one Voltage stabilizing component such as a diode operated in the forward direction or a Zener diode is.

3. A circuit according to claim 1, characterized in that the constant voltage element consists of at least one zener diode operated in the zener breakdown region.

4. A circuit according to claim 3, characterized in that to increase the constant voltage elements falling voltage several Zener diodes are connected in series.

5. Circuit according to one of the preceding claims, characterized in that the Zener diodes are connected between one end of the voltage divider and the voltage source of higher voltage.

6. A circuit according to claim 1, characterized in that the reference potential of the ground connection is.

7. Circuit according to one of the preceding claims, characterized in that the Zener diode is connected in series with a diode in such a way that this diode is provided with a higher voltage Potential is operated in the direction of flow.

8. Circuit according to one of the preceding claims, characterized in that the potential the lower voltage source about 12 volts and that of the higher voltage source about 30 to 36 volts, then 4 Zener diodes with a Zener breakdown voltage of about 6 volts are provided in the series circuit that a voltage divider consisting of two resistors each with about 5 kOhm is provided, and that the connection between the two resistors is connected to the potential of 12 volts via a diode stressed in the forward direction.

9. Circuit according to one of the preceding claims, characterized in that the higher Voltage is a stabilized voltage source intended for frequency selection.

10. Circuit according to one of the preceding claims, characterized in that all Circuit elements are housed in a common semiconductor body.