DE1076277B - Process for the vapor deposition of a selenium layer of a selenium rectifier with a content of metallic basic elements - Google Patents
Process for the vapor deposition of a selenium layer of a selenium rectifier with a content of metallic basic elementsInfo
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Description
Verfahren zum Aufdampfen einer Selenschicht eines Selengleichrichters mit einem Gehalt an metallischen Grundelementen Bei der Herstellung von Selengleichrichtern ist es bekannt, die Selenschicht oder mehrere Teil-Selenschichten durch Aufdampfen auf einen Träger niederzuschlagen. Hierbei kann die Aufgabe entstehen, der an der Seite der Sperrschicht liegenden Selen-Teilschicht einen bestimmten Gehalt eines metallischen Elementes zu geben, das geeignet ist, die spätere Bildung der Sperrschicht zu fördern, wie z. B. Thallium. Versucht man, die Schichtkomponenten, also das Selen und den metallischen Zusatz, aus derselben Verdampfungsquelle gleichzeitig zu verdampfen, so erweist es sich als sehr schwierig, auf diese Weise einen eindeutig vorbestimmten Gehalt des metallischen Zusatzstoffes mit dem Selen auf den Träger niederzuschlagen. Bei einem Ausgangsmaterial, welches neben dem Selen nur den metallischen Stoff als Zusatz enthält, fällt nämlich die niedergeschlagene Menge des Metalls gegenüber dem erwünschten Gehalt viel zu gering aus.Process for the vapor deposition of a selenium layer of a selenium rectifier With a content of metallic basic elements in the manufacture of selenium rectifiers it is known to apply the selenium layer or several partial selenium layers by vapor deposition knock down on a carrier. The task at hand can arise here Side of the barrier layer lying selenium sub-layer a certain content of a to give metallic element that is suitable for the subsequent formation of the barrier layer to promote such. B. Thallium. If you try the layer components, i.e. the selenium and the metallic addition to evaporate from the same evaporation source at the same time, so it turns out to be very difficult to produce a clearly predetermined one in this way Deposits content of the metallic additive with the selenium on the carrier. In the case of a starting material which, in addition to selenium, only contains the metallic substance as Contains additive, namely the deposited amount of the metal falls opposite the desired salary is far too low.
Es ist bekannt, auf die Selenschicht des Selengleichrichters eine dünne Thalliumschicht aufzudampfen; bei einem nach diesem Verfahren hergestellten Selengleichrichter diffundiert das Thallium in die Selenschicht hinein, so daß sich eine thalliumhaltige Grenzschicht des Selenkörpers ergibt.It is known to have a selenium rectifier on the selenium layer evaporate a thin layer of thallium; in one produced by this process Selenium rectifier diffuses the thallium into the selenium layer so that results in a thallium-containing boundary layer of the selenium body.
Es ist ferner bekannt, der gesamten Selenschicht eines Selengleichrichters außer einem Gehalt an Halogen einen Gehalt an Thallium zu geben. Im Rahmen des bekannten Vorschlages ist auch bereits darauf hingewiesen, daß eine derartige Schicht durch Aufdampfen hergestellt werden kann, wobei jedoch Angaben über das eigentliche Verdampfungsverfahren, insbesondere über die Zusammensetzung des Ausgangsmaterials, fehlen.It is also known to use the entire selenium layer of a selenium rectifier to give a content of thallium in addition to a content of halogen. As part of the well-known Proposal has already been pointed out that such a layer through Evaporation can be produced, however, information about the actual evaporation process, in particular about the composition of the starting material, are lacking.
Weiterhin ist ein Verfahren zur Herstellung von Selengleichrichtern bekannt, bei dem zur Herstellung einer halogenhaltigen Selenschicht durch Aufdampfen ein Gemisch von Selen- und Halogendampf verwendet wird.Furthermore, there is a method for producing selenium rectifiers known in which to produce a halogen-containing selenium layer by vapor deposition a mixture of selenium and halogen vapor is used.
Die Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zum Aufdampfen der an der Seite der Sperrschicht liegenden Selenschicht eines Selengleichrichters unter gleichzeitiger Erzeugung eines vorbestimmten Gehaltes an einem oder mehreren metallischen Grundelementen, insbesondere Thallium, in der aufgedampften Schicht. Das Verfahren nach der Erfindung besteht darin, daß bei gleichzeitiger Verdampfung der Schichtkomponenten aus derselben Verdampfungsquelle dem zu verdampfendenSelen-Ausgangsmaterial außer den Metallzusätzen ein Zusatz von Halogen beigegeben wird. Die Erfindung ermöglicht es, eine metallhaltige Selenschicht durch einen einzigen Verdampfungsvorgang herzustellen, wobei der im Ausgangsmaterial enthaltene metallische Zusatzstoff praktisch quantitativ mit dem Selen auf den Träger niedergeschlagen wird. Demgegenüber sind bei dem oben geschilderten bekannten Verfahren, bei dem eine Schicht aus reinem Thallium auf die Selenschicht aufgebracht wird, zu dem gleichen Zweck zwei Verdampfungsvorgänge erforderlich. Außerdem ermöglicht es die Erfindung, die sehr geringen Thalliummengen, die bei der Herstellung von Selengleichrichtern erforderlich sind, besser zu dosieren, da die Menge des Ausgangsmaterials bei der Verdampfung infolge des überwiegenden Gehaltes an Selen wesentlich größer ist als die Menge reinen Thalliums, die bei dem bekannten Verfahren verdampft werden muß.The invention relates to a method for vapor deposition on the selenium layer of a selenium rectifier lying beneath the side of the barrier layer simultaneous production of a predetermined content of one or more metallic ones Basic elements, especially thallium, in the vapor-deposited layer. The procedure according to the invention consists in that with simultaneous evaporation of the layer components from the same evaporation source except for the raw selenium to be evaporated an addition of halogen is added to the metal additives. The invention enables it is to produce a metal-containing selenium layer by a single evaporation process, the metallic additive contained in the starting material being practically quantitative with the selenium is deposited on the carrier. In contrast to the above described known method in which a layer of pure thallium the selenium layer is applied, two evaporation processes for the same purpose necessary. In addition, the invention enables the very small amounts of thallium, which are necessary in the manufacture of selenium rectifiers to better dose, because the amount of starting material in the evaporation due to the predominant Selenium content is much greater than the amount of pure thallium that is used in must be evaporated by the known method.
Bei dem Verfahren nach der Erfindung können der oder die Metallzusätze im elementaren Zustand oder ganz oder teilweise in Form von chemischen Verbindungen verwendet werden. Der Halogenzusatz ist vorzugsweise derart bemessen, daß er im Überschuß vorliegt gegenüber derjenigen Menge an Halogen, welche für die Bildung einer chemischen Verbindung zwischen dem metallischen Zusatzstoff und dem Halogen entsprechend den stöchiometrischen Bedingungen erforderlich ist. Als geeignete Halogene für diesen Zweck haben sich Chlor, Brom oder Jod erwiesen. Die metallhaltige Schicht kann entweder als selbstständige Teilschicht eines Systems aus mehreren Selenschichten auf den Träger aufgebracht werden, oder sie kann als Teil einer einzigen Schicht im Verlauf eines kontinuierlichen Aufdampfprozesses entstehen.In the process according to the invention, the metal additive (s) in the elemental state or in whole or in part in the form of chemical compounds be used. The halogen additive is preferably dimensioned such that it is in There is an excess over that amount of halogen which is necessary for the formation a chemical bond between the metallic additive and the halogen is required according to the stoichiometric conditions. As suitable halogens chlorine, bromine or iodine have proven to be suitable for this purpose. The metal-containing layer can either be used as an independent sub-layer of a system made up of several selenium layers can be applied to the support or as part of a single layer arise in the course of a continuous vapor deposition process.
Claims (2)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DES36135A DE1076277B (en) | 1953-11-02 | 1953-11-02 | Process for the vapor deposition of a selenium layer of a selenium rectifier with a content of metallic basic elements |
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| DE1076277B true DE1076277B (en) | 1960-02-25 |
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Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| DE (1) | DE1076277B (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE1186555B (en) * | 1962-04-07 | 1965-02-04 | Licentia Gmbh | Process for the production of selenium rectifiers with high blocking capability |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| AT155712B (en) * | 1936-06-20 | 1939-03-10 | Aeg | Process for the production of semiconductor coatings. |
| DE820318C (en) * | 1948-10-02 | 1951-11-08 | Siemens & Halske A G | Selenium bodies, especially for dry rectifiers, photo elements and light-sensitive resistance cells |
-
1953
- 1953-11-02 DE DES36135A patent/DE1076277B/en active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| AT155712B (en) * | 1936-06-20 | 1939-03-10 | Aeg | Process for the production of semiconductor coatings. |
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| DE1186555B (en) * | 1962-04-07 | 1965-02-04 | Licentia Gmbh | Process for the production of selenium rectifiers with high blocking capability |
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