DE1075172B - Selbstschwingende Mischstufe mit einem Transistor - Google Patents
Selbstschwingende Mischstufe mit einem TransistorInfo
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- DE1075172B DE1075172B DENDAT1075172D DE1075172DA DE1075172B DE 1075172 B DE1075172 B DE 1075172B DE NDAT1075172 D DENDAT1075172 D DE NDAT1075172D DE 1075172D A DE1075172D A DE 1075172DA DE 1075172 B DE1075172 B DE 1075172B
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- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03D—DEMODULATION OR TRANSFERENCE OF MODULATION FROM ONE CARRIER TO ANOTHER
- H03D7/00—Transference of modulation from one carrier to another, e.g. frequency-changing
- H03D7/12—Transference of modulation from one carrier to another, e.g. frequency-changing by means of semiconductor devices having more than two electrodes
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Oscillators With Electromechanical Resonators (AREA)
- Inductance-Capacitance Distribution Constants And Capacitance-Resistance Oscillators (AREA)
Description
Die Erfindung betrifft eine selbstschwingende Mischstufe mit einem Transistor, dessen Basis die
Signalspannung zugeführt wird und in dessen Kollektorkreis ein auf die Mischfrequenz abgestimmter Resonanzkreis
sowie ein auf die Oszillatorfrequenz abgestimmter Resonanzkreis in Reihe liegen, wobei von
einer Anzapfung der" Induktivität des Oszillatorresonanzkreises ein Rückkopp lungs weg über eine
Kapazität zu dem Emitter verläuft.
Ähnlich wie bei einer selbstschwingenden Röhreninischstufe
kann man' bekanntlich auch bei einer Transistormischstufe das" mischende Element, nämlich
den Transistor, gleichzeitig zur Erzeugung der Oszillatorfrequenz heranziehen. Bei der selbstschwingenden
additiven Transistörmischstufe ergibt sich aber eine grundsätzliche Schwierigkeit dadurch, daß die
Oszillatorfrequenz von dem Eingangswiderstand des Transistors, abhängig' ist. Der Eingangswiderstand
des Transistors wiederum ändert sich mit der Amplitude des Trägers des'zu überlagernden Signals. Das ao
bedeutet, daß die Oszillatorfrequenz bei Änderungen der Signalspannung Schwankungen ausführen wird.
Dieser Umstand macht sich besonders unangenehm bemerkbar bei trägbaren oder in Fahrzeugen untergebrachten
Kraftfahrzjeugfunksprechgeräten, weil in diesen Fällen mit sehr'stark schwankenden Empfangsfeldstärken, gerechnet Werden muß. Es ist daher sehr
schwierig, gerade bei.'diesen Empfängern eine konstante
Oszillatorfrequenz zu erhalten, wenn man eine selbstschwingende Transistormischstufe verwendet.
Auch durch einen Steuerquarz in der Oszillatorschaltung läßt sich bei einer selbstschwingenden
Transistormischstufe die erwähnte Schwierigkeit nicht in ausreichendem. Maße beseitigen. Die Erfahrung
hat gezeigt, - daß die durch die sich ändernde Eingangsimpedanz bei Schwankungen der Signalspannung
herbeigeführte wechselnde Belastung des Steuerquarzes ein Mitziehen des Steuerquarzes hervorruft.
Diesem Mangel soll die Erfindung abhelfen.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, die erwähnten Schwankungen der Oszillatorfrequenz einer
selbstschwingenden Transistormischstufe bei Änderungen der Empfangsfeldstärke bzw. die Größe der
Signalspannung möglichst weitgehend auszuschalten. Die Erfindung geht aus von einer bekannten selbstschwingenden
Mischstufe mit einem Transistor, dessen Basis die Signalspannung zugeführt wird und
in dessen Kollektorkreis ein auf die Mischfrequenz abgestimmter Resonanzkreis sowie ein auf die
Oszillatorfrequenz abgestimmter Resonanzkreis in Reihe liegen, wobei von einer Anzapfung der Induktivität
des Oszillatorresonanzkreises ein Rückkopplungsweg über eine Kapazität zu dem Emitter verläuft.
Auch bei dieser bekannten Schaltung treten Selbstschwingende Mischstufe
mit einem Transistor
mit einem Transistor
Anmelder:
Deutsche Elektronik G.m.b.H.,
Berlin-Wilmersdorf, Forckenbeckstr. 9-13
Berlin-Wilmersdorf, Forckenbeckstr. 9-13
Wolfgang Lange, Berlin,
ist als Erfinder genannt worden
ist als Erfinder genannt worden
Schwankungen der Oszillatorfrequenz.auf, wenn sich
die Eingansimpedanz, vornehmlich die Basis-Emitter-Impedanz des Transistors ändert. ' ~,~
Dieser Nachteil der bekannten selbstschwingenden Mischstufe wird erfindungsgemäß dadurch vermieden,
daß in der Emitterleitung eine Hochfrequenzdrossel liegt, die so bemessen ist, daß ihre Impedanz zusammen
mit der Impedanz der Anzapfung für die Oszillatorfrequenz klein gegen die Basis-Emitter-Impedanz
des Transistors ist.
Der Erfindungsvorschlag ist besonders dann vorteilhaft, wenn man in der Schaltung eine Quarzstabilisierung
tier Oszillatorfrequenz vorsehen will, die allein und ohne die erfindungsgemäße Maßnahme, wie
schon erwähnt, nicht zu dem gewünschten Erfolg führt. In diesem Fall wird man in Weiterführung des
Erfindungsvorschlages die Kapazität in dem Rückkopplungsweg durch einen auf die Oszillatorfrequenz
abgestimmten Steuerquarz ersetzen, so daß der Oszillator durch den Quarz in Serienresonanzfrequenz
stabilisiert wird.
Das Wesen der Erfindung beruht darauf," daß die
Hochfrequenzdrossel in der Emitterleitung sowie die Anzapfung der Induktivität des Oszillatorresonanzkreises,
die hochfrequenzmäßig in Reihe" parallel zu dem Steuerquarz liegen, für die Oszillatorfrequenz
eine Impedanz haben, die klein gegen die Basis-Emitter-Impedanz des Transistors ist, so daß sich
Änderungen der Basis-Emitter-Impedanz des Transistors praktisch nicht mehr auf den Steuerquarz auswirken
können. Beispielsweise können die Impedanzen der Hochfrequenzdrossel und der Anzapfung bei
der Oszillatorfrequenz zusammen etwa 50 Ohm betragen, wenn der reelle Teil Re der Eingangsimpe-
909 7297307
danz des Transistors beispielsweise 250 Ohm und der kapazitive Blindwiderstand Ce der Eingangsimpedanz
beispielsweise 150 0hm betragen.
Sollte in der Emitterleitung des Transistors in an sich bekannter Weise zur Einstellung und Stabilisierung
des Arbeitspunktes des Transistors ein ohmscher Widerstand vorgesehen sein, so muß dieser
durch einen Kondensator überbrückt werden, der eine kleine Impedanz für die Oszillatorfrequenz darstellt,
wenn die erfindungsgemäße Maßnahme zur Wirkung kommen soll.
Ferner kann es vorteilhaft sein, daß der Oszillatorresonanzkreis zwischen Kollektor und Mischfrequenzresonanzkreis
liegt. Auf diese Weise gelingt es, den Einfluß des angeschlossenen Mischfrequenzverbrauchers,
z. B. einer nachfolgenden Zwischenfrequenzstufe, auf den Oszillatorkreis klein zu halten.
In der Zeichnung sind als Ausführungsbeispiele für die Erfindung die Schaltung einer quarzgesteuerten
selbstschwingenden Transistormischstufe sowie das Ersatzschaltbild des Quarzanschlusses dargestellt.
Die zu überlagernde Signalfrequenz, d. h. die Empfangsfrequenz
Ef, wird über einen Hochfrequenztransformator 1/2 in die Mischstufe eingespeist. An die
Primärseite 1 des Transformators ist ein auf den Träger der Signalspannung abgestimmter Schwingkreis
angeschlossen, während die Sekundärseite 2 des Transformators mit der Basis des Transistors T verbunden
ist. Gleichstrommäßig wird die Spannung an der Basis des Transistors T durch einen aus Widerständen
R1 und R2 bestehenden Spannungsteiler in an
sich bekannter Weise festgelegt. Die zum Betrieb des Transistors T notwendige Gleichspannung, beispielsweise
eine Batteriespannung, wird an den Klemmen 6 angeschlossen.
In der Kollektorleitung des Transistors T liegen
ein auf die Oszillatorfrequenz Üf abgestimmter Parallelresonanzkreis 3 mit der Induktivität L2, L3 und
der Kapazität C1 sowie ein auf die Mischfrequenz Zf
abgestimmter Parallelresonanzkreis 4 mit der Induktivität L4 und der Kapazität L5 in Reihe. Die Mischfrequenz
wird dem Resonanzkreis 4 über einen Transformator 7 an den Klemmen 5 entnommen.
Von einer Anzapfung L2 der Induktivität des
Oszillatorresonanzkreises 3 führt ein Rückkopplungsweg über einen auf die Oszillatorfrequenz abgestimmten
Steuerquarz Q zum Emitter des Transistors T. Zur Erzeugung der Oszillatorschwingung
wird also in an sich bekannter Weise eine Dreipunktschaltung verwendet. Der Steuerquarz Q liegt dabei
so im Rückkopplungsweg, daß seine Reihenresonanz die zur Aufrechterhaltung der Schwingung notwendige
Energie in richtiger Phasenlage an die Basis-Emitter-Strecke des Transistors T zurückführt.
In der Emitterleitung liegen eine Hochfrequenzdrossel L1 sowie ein Widerstand Rs, der in an sich
bekannter Weise zur Einstellung und Stabilisierung des Arbeitspunktes des Transistors T dient. Der
Widerstand R3 ist hochfrequenzmäßig durch einen Kondensator C3 kurzgeschlossen. Der Kondensator C3
stellt daher für die Signalfrequenz, die Oszillatorfrequenz und die Mischfrequenz praktisch einen Kurzschluß
dar.
Gemäß der Erfindung ist die Hochfrequenzdrossel L1 so bemessen, daß sie zusammen mit der
Anzapfung L2 für die Oszillatorfrequenz eine Impedanz darstellt, die klein gegen die Basis-Emitter-Impedanz
des Transistors T ist. Wenn man sich das in Fig. 2 gezeigte Ersatzschaltbild für den Anschluß
des Steuerquarzes Q ansieht, so erkennt man, daß die
ίο Hochfrequenzdrossel L1 und die Anzapfung L2 paralell
zu dem Steuerquarz Q liegen. Andererseits liegen parallel zu der Hochfrequenzdrossel L1 die kapazitive
Komponente Ce sowie die ohmsche Komponente Re
der Eingangsimpedanz des Transistors T. Wenn nun, wie die Erfindung vorschreibt, die Impedanz von L1
klein gegen die Eingangsimpedanz des Transistors T ist, so können sich auch die Schwankungen dieser Eingansimpedanz
nur noch in stark verringertem Maße auf den Steuerquarz Q auswirken, da dessen Belastung
vorwiegend durch L1 und L2 bedingt ist. Ein Mitziehen
des Quarzes Q bei Änderungen von Ce oder Re
ist daher kaum noch zu befürchten.
Claims (4)
1. Selbstschwingende Mischstufe mit einem Transistor, dessen Basis die Signalspannung zugeführt
wird und in dessen Kollektorkreis ein auf die Mischfrequenz abgestimmter Resonanzkreis sowie
ein auf die Oszillatorfrequenz abgestimmter Resonanzkreis in Reihe liegen, wobei von einer Anzapfung
der Induktivität des Oszillatorresonanzkreises ein Rückkopplungsweg über eine Kapazität
zu dem Emitter verläuft, dadurch gekennzeichnet, daß in der Emitterleitung eine Hochfrequenzdrossel
(L1) liegt, die so bemessen ist, daß ihre Impedanz zusammen mit der Impedanz der Anzapfung,
(L2) für die Oszillatorfrequenz klein gegen die Basis-Emitter-Impedanz des Transistors
ist.
2. Selbstschwingende Mischstufe nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß ein in der
Emitterleitung etwa vorhandener, der Einstellung des Arbeitspunktes des Transistors dienender
ohmscher Widerstand (R3) durch einen Kondensator
(C3) überbrückt ist, der eine kleine Impedanz für die Oszillatorfrequenz darstellt.
3. Selbstschwingende Mischstufe nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß der
Oszillatorresonanzkreis (3) zwischen Kollektor und Mischfrequenzresonanzkreis (4) liegt.
4. Selbstschwingende Mischstufe nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß
die Kapazität in dem Rückkopplungsweg durch einen auf die Oszillatorfrequenz abgestimmten
Steuerquarz (Q) ersetzt ist.
In Betracht gezogene Druckschriften:
Deutsche A-uslegeschrift Nr. 1 012 338;
USA.-Patentschriften Nr. 2 764 674, 2 841703; Funkschau, 1957, S. 526, Bild 1.
Deutsche A-uslegeschrift Nr. 1 012 338;
USA.-Patentschriften Nr. 2 764 674, 2 841703; Funkschau, 1957, S. 526, Bild 1.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE1075172B true DE1075172B (de) | 1960-02-11 |
Family
ID=599069
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DENDAT1075172D Pending DE1075172B (de) | Selbstschwingende Mischstufe mit einem Transistor |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
DE (1) | DE1075172B (de) |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US2764674A (en) * | 1955-03-17 | 1956-09-25 | Rca Corp | Transistor receiver oscillator injection using capacitance between stators of gang capacitor |
US2841703A (en) * | 1956-01-10 | 1958-07-01 | Avco Mfg Corp | Transistor mixer circuit with gain control |
-
0
- DE DENDAT1075172D patent/DE1075172B/de active Pending
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US2764674A (en) * | 1955-03-17 | 1956-09-25 | Rca Corp | Transistor receiver oscillator injection using capacitance between stators of gang capacitor |
US2841703A (en) * | 1956-01-10 | 1958-07-01 | Avco Mfg Corp | Transistor mixer circuit with gain control |
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