DE1050449B - - Google Patents
Info
- Publication number
- DE1050449B DE1050449B DENDAT1050449D DE1050449DA DE1050449B DE 1050449 B DE1050449 B DE 1050449B DE NDAT1050449 D DENDAT1050449 D DE NDAT1050449D DE 1050449D A DE1050449D A DE 1050449DA DE 1050449 B DE1050449 B DE 1050449B
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- electrode
- welding
- electrodes
- welds
- semiconductor element
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K11/00—Resistance welding; Severing by resistance heating
- B23K11/002—Resistance welding; Severing by resistance heating specially adapted for particular articles or work
- B23K11/0026—Welding of thin articles
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
- H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01005—Boron [B]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01006—Carbon [C]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01013—Aluminum [Al]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01023—Vanadium [V]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01032—Germanium [Ge]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01033—Arsenic [As]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01042—Molybdenum [Mo]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01047—Silver [Ag]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01051—Antimony [Sb]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01057—Lanthanum [La]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01074—Tungsten [W]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01079—Gold [Au]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/013—Alloys
- H01L2924/014—Solder alloys
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
- H01L2924/1203—Rectifying Diode
- H01L2924/12036—PN diode
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Resistance Welding (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
- Manufacturing Of Electrical Connectors (AREA)
Description
DEUTSCHESGERMAN
Den Gegenstand der Hauptpatentanmeldung bildet ein Verfahren zur Herstellung einer Verbindung eines draht- oder bandförmigen elektrischen Leiters mit einer Elektrode eines Halbleiterelementes, und zwar insbesondere eines Flächengleichrichters oder -transistors, indem der anzuschließende Draht bzw. das Band zunächst auf einer kurzen Strecke seiner Länge gegen die Elektrode des Halbleiterelementes gelegt, danach auf dieser Strecke des Drahtes bzw. des Bandes zwei andere Elektroden einer Schweißeinrichtung mit geringer gegenseitiger Entfernung aufgesetzt und anschließend zur Durchführung eines Verschweißungsprozesses zwischen Draht bzw. Band und der Elektrode des Halbleiterelementes kurzzeitig an Spannung gelegt werden.The subject of the main patent application is a method for producing a connection an electrical conductor in the form of a wire or tape with an electrode of a semiconductor element, and in particular a surface rectifier or transistor, in that the wire or the connected wire the band first of all over a short stretch of its length against the electrode of the semiconductor element placed, then two other electrodes of a welding device on this stretch of wire or tape placed with little mutual distance and then to carry out a Welding process between wire or tape and the electrode of the semiconductor element for a short time be put on tension.
Dieses Verfahren mit einem einmaligen kurzzeitigen Anspannunglegen zweier aufgesetzter Elektroden ist geeignet zur Befestigung eines Drahtes bzw. eines Bandes über eine relativ kleine Fläche an der Elektrode des HalWeiterelementes. Mitunter kann sich jedoch eine mechanische und elektrische Verbindung zwischen einem Anschlußleiter und der Elektrode eines Halbleiterelementes mit einer Übergangsfläche größerer Flächenausdehnung zwischen Anschlußleiter und Elektrode des Halbleiterelementes als notwendig ergeben. Das kann notwendig sein aus Gründen der zu beherrschenden Stromführung und des für die Stromführung des Anschlußleiters an diesem bedingten Querschnittes. Um auch in solchen Fällen eine wirksame, dem Grundgedanken des Hauptpatents folgende Verbindung zwischen dem Anschlußleiter und der Elektrode des Halbleiterelementes zu erreichen, wird bei einem Verfahren zur Herstellung der Verbindung zwischen einem elektrischen Anschlußkörper und einer Elektrode eines Halbleiterelementes, insbesondere eines Flächengleichrichters oder -transistors, indem der Anschlußkörper über eine bestimmte Strecke gegen die Elektrode des Halbleiterelementes gelegt, danach auf dieser Strecke zwei andere Elektroden einer Schweißeihrichtung mit geringer gegenseitiger Entfernung aufgesetzt und kurzzeitig für die Durchführung eines elektrischen Verschweißungsprozesses zwischen dem Anschlußkörper und der Elektrode des Halbleiterelementes an Spannung gelegt werden, gemäß einer Weiterbildung des Verfahrens des Hauptpatents an der Übergangsfläche zwischen einer Elektrode des Halbleiterelementes und dem an dieser Elektrode zu befestigenden Anschlußkörper über Elektroden, welche nacheinander oder gleichzeitig an verschiedenen Stellen oberhalb dieser Übergangsfläche auf die freie Oberfläche des zu befestigenden Anschlußkörpers aufgesetzt werden, eine Mehrzahl von nach einer geeigneten geometrischen Figur verteilten Schweißstellen erzeugt. So kann es sichThis procedure involves a single, brief application of two attached electrodes suitable for attaching a wire or a tape over a relatively small area to the electrode of the Hal extension element. Occasionally, however, there can be a mechanical and electrical connection between a connection conductor and the electrode of a semiconductor element with a transition area larger surface area between connecting conductor and electrode of the semiconductor element than necessary result. This may be necessary for reasons of the current conduction to be controlled and for the Current conduction of the connection conductor on this conditional cross-section. In order to receive a effective, the basic idea of the main patent following connection between the connection conductor and to achieve the electrode of the semiconductor element, is in a method for making the connection between an electrical connection body and an electrode of a semiconductor element, in particular a surface rectifier or transistor, by the connection body via a certain Line placed against the electrode of the semiconductor element, then two other electrodes on this line a welding direction with little mutual distance and briefly for the Implementation of an electrical welding process between the connection body and the Electrode of the semiconductor element are applied to voltage, according to a development of the method of the main patent on the interface between an electrode of the semiconductor element and the at this electrode to be attached connecting body via electrodes, which one after the other or at the same time at various points above this transition area on the free surface of the to be fastened Connection body are placed, a plurality of according to a suitable geometric figure distributed welds generated. It can be like that
Verfahren zur HerstellungMethod of manufacture
der Verbindung zwischen einemthe connection between a
elektrischen Anschlußkörper und einerelectrical connection body and one
Elektrode eines Halbleiterelementes,Electrode of a semiconductor element,
insbesondere eines Flächengleichrichtersin particular a surface rectifier
oder -transistorsor transistor
Zusatz zur Patentanmeldung S 53212 VIIIc/21 g
(Auslegeschrift 1 034 274)Addition to patent application S 53212 VIIIc / 21 g
(Interpretation document 1 034 274)
Anmelder:Applicant:
Siemens-SchuckertwerkeSiemens-Schuckertwerke
Aktiengesellschaft,Corporation,
Berlin und Erlangen,Berlin and Erlangen,
Erlangen, Werner-von-Siemens-Str. 50Erlangen, Werner-von-Siemens-Str. 50
Hans-Jürgen Nixdorf, Berlin-Lankwitz,
ist als Erfinder genannt wordenHans-Jürgen Nixdorf, Berlin-Lankwitz,
has been named as the inventor
als zweckmäßig erweisen, statt einer punktförmigen Verschweißung eine solche an mehreren in der Queroder/und Längsrichtung des Anschlußleiters nebeneinanderliegenden Punkten vorzunehmen. Die Verschweiß ungspunkte können auf einer geraden Linie, mehreren parallel zueinander liegenden Geraden oder in einer bestimmten geometrischen Figur verteilt liegen. So können die Verschweißungspunkte in den Ecken oder auf den Seiten eines Polygons ader auf einer Kurve, z. B. einer Kreislinie oder/und auf von einem Punkt ausgehenden Strahlen, liegen, je nach der Übergangsflächenform zwischen Anschlußleiter bzw. Anschlußelektrode und Elektrode des Halbleiterelementes und der erwünschten Güte der Verbindung. Es können auch mehrer Polygone oder Kreisringe aus je einer Folge von Verschweißungspunkten einander umschließen. Es kann z. B. auch ein Liniensystem benutzt werden, welches einer Spinnwebenform ähnelt, also aus einander umschließenden und einander schneidenden Linienzügen besteht.Prove to be expedient, instead of a spot weld one on several in the transverse or / and Make longitudinal direction of the connecting conductor adjacent points. The weld Connection points can be on a straight line, several parallel straight lines or are distributed in a certain geometric figure. So the weld points in the Corners or on the sides of a polygon or on a curve, e.g. B. a circular line and / or on from Rays emanating from a point, depending on the shape of the transition surface, lie between the connecting conductor or Connection electrode and electrode of the semiconductor element and the desired quality of the connection. It is also possible to use several polygons or circular rings, each consisting of a sequence of weld points enclose. It can e.g. B. also a system of lines can be used, which resembles a cobweb shape, thus consists of lines surrounding and intersecting each other.
Damit eine bestimmte Figur bei der Erzeugung der Verschweißungsstellen eingehalten wird und hierfür keine besondere Schabloneneinrichtung an der Schweiß-So that a certain figure is maintained when creating the welds and for this no special template device on the welding
' 80Ϊ 749/306'80Ϊ 749/306
maschine erforderlich ist oder gegebenenfalls eine Verschweißung nach einer bestimmten Ordnung ohne weiteres von Hand vorgenommen werden kann, kann ein als elektrischer Anschlußkörper mit der Elektrode des Halbleiterelementes zu verschweißender Körper auch unmittelbar als eine solche Schablone ausgebildet sein. Er kann zu diesem Zwecke auf seiner freien Oberfläche mit Kerben versehen sein, welche Einsatzpunkte für die Hilfselektroden der Verschweißungseinrichtung bilden. Durch solche Kerben kann bekanntermaßen auch gleichzeitig eine mechanische Versteifung bzw. Planierung des anzuschließenden Anschlußkörpers an der späteren Berührungsfläche mit der Elektrode des Halbleiterelementes vorgenommen werden. Die Oberflächenform des Anschlußkörpers kann an der frei liegenden Oberfläche außerdem derart gestaltet werden, daß an ihr vorgesehene Rillenformen oder Kerbenzüge bzw. Sicken Führungseinrichtungen für die aufzusetzenden Schweißelektroden bilden können. Dabei kann die einzelne als Leitschiene dienende Erhöhung unmittelbar ihrerseits in der Vorschubrichtung der Schweißelektroden mit rastenartigen Stellen versehen sein. Auf diese Weise wird auch eine entsprechende örtlich bestimmte Folge für die Anbringung der einzelnen Schweißstellen erreicht, indem mit dem Fortschreiten bzw. Vorwärtsbewegen der Elektroden in Richtung der Leitschiene unmittelbar an dieser entsprechende Rastenstellen der Elektroden für je eine vorzunehmende Verschweißung gewonnen werden.machine is required or, if necessary, welding according to a certain order without further can be done by hand, one can be used as an electrical connection body with the electrode of the semiconductor element to be welded body also formed directly as such a template be. For this purpose it can be provided with notches on its free surface, which are points of use for the auxiliary electrodes of the welding device. By such notches can be known also at the same time a mechanical stiffening or leveling of the to be connected Connection body made at the later contact surface with the electrode of the semiconductor element will. The surface shape of the connection body can also be applied to the exposed surface be designed in such a way that groove shapes or notches or beads provided on it guide devices for the welding electrodes to be placed can form. In this case, the individual elevation serving as a guardrail can in turn directly be provided with notch-like points in the feed direction of the welding electrodes. In this way a corresponding locally determined sequence for the attachment of the individual welding points is also achieved, by progressing or advancing the electrodes in the direction of the guardrail Immediately on this, corresponding locking points of the electrodes for each welding to be carried out be won.
Es ist auch möglich, nicht lediglich linienförmige, sondern flächenhafte Verschweißungen vorzunehmen. So kann man beispielsweise für die Durchführung eines solchen flächenhaften Schweißprozesses zwei zueinander konzentrische Elektroden auf den mit der Elektrode des Halbleiterelementes zu verschweißenden Anschlußkörper aufsetzen. Bei Anwendung eines genügend großen Stromstoßes findet dann unmittelbar eine Verschweißung zwischen dem auf die Elektrode aufgesetzten Anschlußkörper und der Elektrode über eine Kreisringform statt.It is also possible to carry out not only linear but flat welds. For example, you can use two electrodes concentric to one another on the electrodes to be welded to the electrode of the semiconductor element Put on connector body. When a sufficiently large current surge is applied, it then takes place immediately a weld between the connecting body placed on the electrode and the electrode a circular ring shape instead.
Gegebenenfalls kann es sich als zweckmäßig erweisen, für die Herstellung der einzelnen Schweißverbindungsstelle mehrere aufeinanderfolgende Stromstöße auf die Elektroden der Schweißeinrichtung zu geben.If necessary, it can prove to be expedient for the production of the individual welded joint several successive current surges to the electrodes of the welding device give.
Einige Ausführungsbeispiele für die Anwendung des Verfahrens gemäß der Erfindung veranschaulichen die Figuren der Zeichnung.Illustrate some embodiments for the application of the method according to the invention the figures of the drawing.
In Fig. 1 ist der Aufbau eines Halbleiterelementes im Schnitt dargestellt. 101 bezeichnet die aus Silicium bestehende Halbleiterplatte. An dieser befindet sich eine untere Elektrode 102, z. B. aus Aluminium, über welche das Halbleiterelement gleichzeitig mechanisch mit der aus Molybdän bestehenden Trägerplatte 103 verbunden ist. Die obere Elektrode 104 des Halbleiterelementes besteht z. B. aus einer Gold-Antimon-Legierung. An dieser oberen Elektrode 4 des Halbleiterelementes' ist als eigentliche Anschlußelektrode in Schnittdarstellung ein pfannenförmiger Körper 105 befestigt, dessen mechanische Verbindung mit der Elektrode 104 nach dem vorliegenden Verfahren hergestellt wird. Die beiden' Elektroden 102 und 104 können an dem Halbleiterelement unmittelbar erzeugt worden sein durch den Legierungsprozeß, der an diesem Element zur Dotierung des Halbleiters bzw. zur Erzeugung des p-n-Überganges in dem Halbleiter vorgenommen wird.In Fig. 1, the structure of a semiconductor element is shown in section. 101 denotes that made of silicon existing semiconductor disk. At this there is a lower electrode 102, for. B. aluminum, about which the semiconductor element simultaneously mechanically with the carrier plate 103 made of molybdenum connected is. The upper electrode 104 of the semiconductor element consists, for. B. from a gold-antimony alloy. On this upper electrode 4 of the semiconductor element is the actual connection electrode attached in a sectional view of a pan-shaped body 105, the mechanical connection of which with the Electrode 104 is fabricated according to the present method. The two electrodes 102 and 104 may have been produced directly on the semiconductor element by the alloying process that takes place at this element for doping the semiconductor or for generating the p-n junction in the semiconductor is made.
In den Fig. 2 bis 8 sind verschiedene Draufsichten auf den Elektrodenkörper 105 gezeigt. Dabei sind an der freien Oberfläche des Elektrodenkörpers 105 jeweils an verschiedenen Stellen Punkte 106 angedeutet. An jedem derselben wird jeweils eine Verschweißung zwischen dem Elektrodenkörper 105 und der Elektrode 104 des Halbleiterelementes vorgenommen, indem je Verschweißungsstelle jeweils zwei Elektroden der Schweißeinrichtung auf die freie Oberfläche des mit seiner gegenüberliegenden Oberfläche auf der Elektrode 104 des Halbleiterelementes aufliegenden Körpers aufgesetzt und mit einem oder mehreren aufeinanderfolgenden kurzzeitigen Stromstößen beschickt werden.In FIGS. 2 to 8, different plan views of the electrode body 105 are shown. Are on the free surface of the electrode body 105 is indicated at different points 106. On each of these, a weld is made between the electrode body 105 and the electrode 104 of the semiconductor element made by two electrodes of the Welding device on the free surface of the with its opposite surface on the electrode 104 of the semiconductor element resting body and with one or more successive brief power surges.
Die Fig. 2 zeigt dabei eine Anordnung dieser Schweißstellen 106 in den Ecken eines Vierecks.FIG. 2 shows an arrangement of these welds 106 in the corners of a square.
Nach Fig. 3 liegen die verschiedenen SchweißstellenAccording to Fig. 3, the various welds are
106 auf einer Kreislinie.106 on a circular line.
Nach Fig. 4 werden die einzelnen Verschweißungsstellen 106 auf den Seiten eines Vierecks erzeugt.According to FIG. 4, the individual weld points 106 are produced on the sides of a square.
Nach Fig. 5 sind die Verschweißungsstellen 106 auf konzentrischen Kreisen angeordnet.According to FIG. 5, the weld points 106 are arranged on concentric circles.
Nach Fig. 6 liegen die Verschweißungsstellen 106 auf Strahlen, welche von einem zentralen Punkt der Oberfläche der Elektrode 105 ausgehen.According to Fig. 6, the weld points 106 are on rays which from a central point of the Surface of the electrode 105 go out.
Tn Fig. 7 ist eine Verteilung der verschiedenen Verschweißungsstellen auf parallele Linienzüge dargestellt. Tn Fig. 7 is a distribution of the various weld locations shown on parallel lines.
Nach Fig. 8 liegen die Verschweißungsstellen 106 auf einander schneidenden Geraden.According to FIG. 8, the weld points 106 lie on straight lines that intersect one another.
Es kann nun auch für die Erzeugung jeder der Schweißstellen 106 je ein besonderer Verschweißungsprozeß vorgenommen werden, oder es können auch mehrere Verschweißungen an verschiedenen dieser Stellen durch entsprechendes gleichzeitiges Aufsetzen von Elektroden und anschließendes gleichzeitiges Anspannunglegen dieser Elektroden gemeinsam durchgeführt werden.A special welding process can now also be used for the production of each of the welding points 106 be made, or there can be several welds on different of these Set by applying electrodes at the same time and then applying tension at the same time these electrodes are carried out together.
Die Fig. 9 und 10 veranschaulichen in zwei einander entsprechenden Rissen, wie eine Verschweißung zwischen dem wieder in Schnittdarstellung eingezeichneten Elektrodenkörper 105 und dem Elektrodenkörper 104 am Halbleiterelement mittels zweier konzentrisch auf die freie Oberfläche des Körpers 105 aufgesetzter und anschließend kurzzeitig an eine elektrische Energiequelle gelegter Elektrodenkörper 107 und 108 über eine Kreisringfläche 109 vorgenommen wird, die unterhalb der von den beiden in Fig. 10 nur ihrer Berührungsfläche nach angedeuteten Elektroden9 and 10 illustrate in two mutually corresponding cracks, like a weld between the electrode body 105, again shown in a sectional view, and the electrode body 104 on the semiconductor element by means of two concentric to the free surface of the body 105 Electrode body 107 placed on top and then briefly placed on an electrical energy source and 108 is made over an annular surface 109 which is below that of the two in FIG. 10 only their contact area according to indicated electrodes
107 bzw. 108 umschlossenen bzw. innen 'begrenzten Kreisringfläche liegt.107 or 108 enclosed or inside 'limited circular ring area lies.
Die Fig. 11 und 12 veranschaulichen ein weiteres Ausführungsbeispiel. Hierbei ist in Fig. 11 ein Halbleiterelement gezeigt mit der aufgesetzten Elektrode 105, wobei diese im Schnitt dargestellt ist, während in Fig. 12 eine Draufsicht auf diese Elektrode wiedergegeben ist. Die Elektrode 105 ist in diesem Fall mit zwei kreisförmig verlaufenden Sicken 110 versehen. Diese bilden mechanische Leitkörper für die beiden Elektroden 111 und 112, welche zu diesem Zwecke an ihrem unteren Ende mit einer entsprechenden Gegenform zu der erhabenen Sickenform versehen sind. Die beiden Elektroden können, während sie mit ihrem unteren Ende gegen die Oberfläche der Sicken 110 gedrückt werden, auf diesen Leitkörpern 110 entlang in eine bestimmte erwünschte Stellung in deren Umfangsrichtung gebracht und dann für einen Verschweißungsprozeß gelegt werden. Um denElektroden 111 und 112 eine vorbestimmte jeweilige Stellung bei ihrer Verschiebung in der Umfangsrichtung auf den Rillen 110 zu geben, können diese Rillen 110 an derFigs. 11 and 12 illustrate another embodiment. Here, in FIG. 11, there is a semiconductor element shown with the attached electrode 105, which is shown in section, while FIG. 12 shows a plan view of this electrode. The electrode 105 is in this case with two circular beads 110 are provided. These form mechanical guide bodies for the two Electrodes 111 and 112, which for this purpose have a corresponding counter-shape at their lower end are provided to the raised bead shape. You can use the two electrodes while using their lower one End are pressed against the surface of the beads 110 on these guide bodies 110 along in brought a certain desired position in the circumferential direction and then for a welding process be placed. Around the electrodes 111 and 112 at a predetermined respective position to give their displacement in the circumferential direction on the grooves 110, these grooves 110 on the
7« freien Oberfläche des Körpers 105 unmittelbar noch7 «free surface of the body 105 immediately
mit entsprechenden Rasten 113 versehen sein. Sind die beiden Elektroden 111 und 112 an ihrem unteren Ende entsprechend der Form der Rasten 113 zugespitzt und werden sie in der Utnfangsrichtung auf den Sickenrücken 110 entlanggeführt, so setzen sie sich unmittelbar selbsttätig jeweils in eine entsprechende Rast 113, wonach sie dann für den Verschweißungsprozeß an Spannung gelegt werden. Der Verschweißungsprozeß findet dann über die aneinanderliegenden Teile der Anschlußelektrode 105 und der Elektrode 104 des Halbleiterelementes statt, welche unter und zwischen den Enden der beiden Elektroden 111 und 112 liegen.be provided with corresponding notches 113 . If the two electrodes 111 and 112 are tapered at their lower end in accordance with the shape of the notches 113 and if they are guided along the back of the bead 110 in the peripheral direction, they are immediately and automatically each in a corresponding notch 113, after which they are then used for the welding process Tension to be put. The welding process then takes place over the parts of the connection electrode 105 and the electrode 104 of the semiconductor element which lie below and between the ends of the two electrodes 111 and 112.
In dem weiteren Ausführungsbeispiel nach den Fig. 13 und 14 zeigt die Fig. 13 wieder sinngemäß wie in den Fig. 11 und 12 die Anordnung eines Halbleiterelementes mit der aufgesetzten Anschlußelektrode 105, während die Fig. 14 eine Draufsicht auf die freie Oberfläche der Elektrode 105 zeigt. Der Elektrodenanschlußkörper 105 ist in diesem Falle mit einer Anzahl von Kerben versehen, wie sie z. B. mittels der Spitze eines Körners erzeugt werden können. Für die Durchführung eines Verschweißungsprozesses zur Erzeugung einer Schweißstelle können die beiden Elektroden 111 bzw. 112, die an ihrem unteren Ende entsprechend der Form der Kerben spitz gestaltet sind, in je zwei benachbarte dieser Kerben eingesetzt werden. Anschließend wird dann durch kurzzeitiges Anspannunglegen dieser Elektroden der Verschweißungsprozeß an einer Stelle unter diesen und zwischen diesen beiden Kerben zwischen dem Elektrodenkörper 105 und der Elektrode 104 des Halbleiterelementes durchgeführt.In the further exemplary embodiment according to FIGS. 13 and 14, FIG. 13 again shows, analogously to FIGS. 11 and 12, the arrangement of a semiconductor element with the attached connection electrode 105 , while FIG. 14 shows a plan view of the free surface of the electrode 105 shows. The electrode connection body 105 is provided in this case with a number of notches, as they are, for. B. can be generated by means of the tip of a grain. To carry out a welding process to produce a weld, the two electrodes 111 and 112, which are pointed at their lower end in accordance with the shape of the notches, can be inserted into two adjacent notches. Then, by briefly applying voltage to these electrodes, the welding process is carried out at a point below them and between these two notches between the electrode body 105 and the electrode 104 of the semiconductor element.
Anstatt an der freien Oberfläche eines solchen Anschlußelektrodenkörpers 105 Kerben vorzusehen, können sinngemäß auch entsprechende erhabene, z. B. warzenartige Stellen vorhanden sein, die mit entsprechenden Vertiefungen an der Gegenfläche je einer der Schweißelektroden zusammenwirken.Instead of providing notches on the free surface of such a connection electrode body 105 , corresponding raised, z. B. wart-like spots that interact with corresponding depressions on the opposite surface of one of the welding electrodes.
Bei einer solchen Anordnung mit einer z. B. mit Kerben oder erhabenen Stellen versehenen Elektrode zur Einrichtung der jeweiligen Lage der Elektroden der Schweißeinrichtung an der freien Oberfläche eines Elektrodenkörpers 105 kann jede der Kerben oder erhöhten Stellen auch mehrfach für die Durchführung verschiedener Schweißprozesse an verschiedenen Stellen ausgenutzt werden. So kann beispielsweise die gleiche Kerbe nach der Durchführung eines Schweißprozesses auf den Umfang einer Kreislinie später noch für die Durchführung eines Schweißprozesses auf einen an dieses Kreislinienstück anschließenden Halbmesser benutzt werden. Ferner kann man auch fortlaufend Linienzüge dabei erzeugen, indem z. B. von drei aufeinanderfolgenden oder einander benachbarten Kerben zunächst für einen Verschweißungsprozeß die beiden Elektroden in die erste und zweite Kerbe eingesetzt werden. Danach werden die beiden Schweißelektroden für die Durchführung eines weiteren Schweißprozesses in die zweite und dritte Kerbe eingesetzt. Es ist hieraus zu erkennen, daß durch diese beiden aufeinanderfolgenden Schweißprozesse dann eine Verschweißung erzeugt wird, die sich von der Stelle der ersten Kerbe bis zur Stelle der dritten Kerbe eines Linienzuges erstreckt. Sinngemäß kann eine Kerbe, welche von mehreren anderen umschlossen ist, ausgenutzt werden, um von dieser Kerbe aus zu je einer der sie umschließenden Kerben strahlenförmig je eine Verschweißungsstelle zu erzeugen, wobei, wie zu übersehen, die eine Schweißelektrode für alle Schweißprozesse in der gleichen Kerbe verbleiben kann. .In such an arrangement with a z. B. with notches or raised points provided electrode for establishing the respective position of the electrodes of the welding device on the free surface of an electrode body 105 , each of the notches or raised points can also be used several times for performing different welding processes at different points. For example, after a welding process has been carried out on the circumference of a circular line, the same notch can later be used to carry out a welding process on a radius adjoining this circular line segment. Furthermore, you can also continuously generate lines by z. B. of three successive or adjacent notches, the two electrodes are initially inserted into the first and second notches for a welding process. The two welding electrodes are then inserted into the second and third notches to carry out another welding process. It can be seen from this that these two successive welding processes then produce a weld which extends from the location of the first notch to the location of the third notch of a line. Correspondingly, a notch that is surrounded by several others can be used to radiate a welding point from this notch to each of the notches surrounding it, whereby, as can be overlooked, the one welding electrode for all welding processes in the same notch can remain. .
In den vorausgehenden Ausfülirungsbeispielen ist die Anwendung des vorliegenden Verfahrens unmittelbar veranschaulicht worden an einem Elektrodenkörper, der mit der Elektrode des Halbleiterelementes verbunden werden soll und an der Oberfläche seiner nach oben offenen Pfannenform seinerseits mit irgendeinem elektrischen Anschlußleiter, ζ. Β. einem starken Litzenleiter, dessen Ende gegebenenfalls noch mit einer die Litzenleiter zusammenhaltenden Fassung versehen sein kann.In the previous exemplary embodiments the application of the present method was demonstrated directly on an electrode body, to be connected to the electrode of the semiconductor element and on the surface of it An open-topped pan shape with some kind of electrical connection conductor, ζ. Β. a strong one Stranded conductor, the end of which, if necessary, still with a holder that holds the stranded conductors together can be provided.
Die Anwendung des vorliegend beschriebenen Verfahrens kann aber im Sinne des Hauptpatents auch in der Form erfolgen, daß ein bandförmiger Leiter, der beispielsweise die Breite entsprechend dem Durchmesser der Übergangsfläche zwischen dem Elektrodenkörper 105 und der Elektrode des Halbleiterelernentes hat, über eine entsprechende, z.B. viereckige oder kreisförmige erhabene Fläche mit der Halbleiterelektrode 104 verschweißt wird, wobei sinngemäß eine entsprechende Anzahl von verschiedenen Schweißstellen erzeugt wird, wie sie etwa in den Ausführungsbeispielen nach den Fig. 2 bis 8 veranschaulicht worden sind.The method described here can also be used in the sense of the main patent in such a way that a strip-shaped conductor, which has, for example, the width corresponding to the diameter of the transition area between the electrode body 105 and the electrode of the semiconductor element, over a corresponding, for example square or circular raised surface is welded to the semiconductor electrode 104 , with a corresponding number of different weld points being generated, as illustrated, for example, in the exemplary embodiments according to FIGS. 2 to 8.
Claims (14)
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DES53212A DE1034274B (en) | 1957-04-18 | 1957-04-18 | Method for producing a connection of a wire or tape-shaped electrical conductor with an electrode of a semiconductor element |
DES0056233 | 1957-12-13 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE1050449B true DE1050449B (en) | 1959-02-12 |
Family
ID=25995379
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DENDAT1050449D Pending DE1050449B (en) | 1957-04-18 | ||
DES53212A Pending DE1034274B (en) | 1957-04-18 | 1957-04-18 | Method for producing a connection of a wire or tape-shaped electrical conductor with an electrode of a semiconductor element |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DES53212A Pending DE1034274B (en) | 1957-04-18 | 1957-04-18 | Method for producing a connection of a wire or tape-shaped electrical conductor with an electrode of a semiconductor element |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
CH (1) | CH363725A (en) |
DE (2) | DE1034274B (en) |
FR (1) | FR1205947A (en) |
GB (1) | GB850119A (en) |
NL (2) | NL112688C (en) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE1240995B (en) * | 1960-11-02 | 1967-05-24 | Siemens Ag | Method for contacting an electrode of a semiconductor element with an electrical connection conductor |
DE1295697B (en) * | 1962-05-23 | 1969-05-22 | Walter Brandt Gmbh | Semiconductor component and method for its manufacture |
DE3426200A1 (en) * | 1984-07-17 | 1986-01-23 | Brown, Boveri & Cie Ag, 6800 Mannheim | BRIDGE ELEMENT |
DE3426199A1 (en) * | 1984-07-17 | 1986-01-23 | Brown, Boveri & Cie Ag, 6800 Mannheim | BRIDGE ELEMENT |
Families Citing this family (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE1256802B (en) * | 1957-04-18 | 1967-12-21 | Siemens Ag | Device for carrying out the method for producing a permanent connection between a wire-shaped or strip-shaped lead electrode with a flat contact electrode of a semiconductor component |
NL270438A (en) * | 1960-11-02 | 1900-01-01 | ||
NL260810A (en) * | 1961-02-03 | |||
NL283249A (en) * | 1961-09-19 | 1900-01-01 | ||
US3197608A (en) * | 1962-01-23 | 1965-07-27 | Sylvania Electric Prod | Method of manufacture of semiconductor devices |
US3132239A (en) * | 1962-04-25 | 1964-05-05 | United Aircraft Corp | Electron beam compression welding |
JPS5842262A (en) * | 1981-09-07 | 1983-03-11 | Toshiba Corp | Connection of lead wire for hybrid integrated circuit |
DE3609654A1 (en) * | 1985-03-22 | 1986-09-25 | Copal Electronics Co., Ltd., Tokio/Tokyo | REGULAR RESISTANCE |
JPH0690964B2 (en) * | 1986-03-31 | 1994-11-14 | 日本メクトロン株式会社 | Method for manufacturing PTC element |
JPH0690962B2 (en) * | 1986-03-31 | 1994-11-14 | 日本メクトロン株式会社 | Method for manufacturing PTC element |
-
0
- NL NL226947D patent/NL226947A/xx unknown
- NL NL112688D patent/NL112688C/xx active
- DE DENDAT1050449D patent/DE1050449B/de active Pending
-
1957
- 1957-04-18 DE DES53212A patent/DE1034274B/en active Pending
-
1958
- 1958-04-16 CH CH5838758A patent/CH363725A/en unknown
- 1958-04-17 FR FR1205947D patent/FR1205947A/en not_active Expired
- 1958-04-18 GB GB12377/58A patent/GB850119A/en not_active Expired
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE1240995B (en) * | 1960-11-02 | 1967-05-24 | Siemens Ag | Method for contacting an electrode of a semiconductor element with an electrical connection conductor |
DE1295697B (en) * | 1962-05-23 | 1969-05-22 | Walter Brandt Gmbh | Semiconductor component and method for its manufacture |
DE3426200A1 (en) * | 1984-07-17 | 1986-01-23 | Brown, Boveri & Cie Ag, 6800 Mannheim | BRIDGE ELEMENT |
DE3426199A1 (en) * | 1984-07-17 | 1986-01-23 | Brown, Boveri & Cie Ag, 6800 Mannheim | BRIDGE ELEMENT |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
GB850119A (en) | 1960-09-28 |
NL112688C (en) | 1900-01-01 |
DE1034274B (en) | 1958-07-17 |
FR1205947A (en) | 1960-02-05 |
CH363725A (en) | 1962-08-15 |
NL226947A (en) | 1900-01-01 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE1050449B (en) | ||
DE1131329B (en) | Controllable semiconductor component | |
DE1514304A1 (en) | Semiconductor device and manufacturing process therefor | |
DE2818058A1 (en) | ELECTROEROSION METHOD AND ARRANGEMENT FOR SLOPING | |
DE1752637A1 (en) | Device for the deformation of electrically conductive working parts | |
EP0264807B1 (en) | Winding device | |
DE1615102C3 (en) | Electrical discharge machine and electrodes therefor | |
DE2425101A1 (en) | ELECTRICAL CONTACT DEVICE AND METHOD AND DEVICE FOR MANUFACTURING THE SAME | |
DE2259133C3 (en) | Method for contacting a semiconductor arrangement and application of the method | |
DE2063535B2 (en) | Method and device for welding a thin insulated wire to a terminal pin embedded in an electrical component | |
DE2051710A1 (en) | Machine for electrochemical metalworking with several processing points | |
DE355662C (en) | Electric welding machine for welding grids | |
DE1073541B (en) | Teaching about the production of magnetic memory memories | |
DE2805813C3 (en) | l.PT 02/23/84 semiconductor arrangement SEMIKRON Gesellschaft für Gleichrichterbau u. Electronics mbH, 8500 Nuremberg, DE | |
AT231568B (en) | Semiconductor device | |
DE1762160A1 (en) | Electrical resistance matrix for code conversion | |
DE1922652A1 (en) | Process for the production of soldering connections | |
DE1254773B (en) | Connection body for semiconductor components | |
DE863236C (en) | Method of making flat grids | |
DE1277446B (en) | Method for manufacturing semiconductor components with completely encapsulated semiconductor elements | |
DE7012259U (en) | CUTTING MACHINE. | |
DE2106821A1 (en) | Semiconductor device | |
DE962950C (en) | Electronic seam welding machine | |
DE2543062A1 (en) | Electrode guide in erosive cutting process - is cylindrical with shoulder section setting required contour cutting angle | |
DE321603C (en) | Hand cutting tool for removing waste from roving spools |