DE1256802B - Device for carrying out the method for producing a permanent connection between a wire-shaped or strip-shaped lead electrode with a flat contact electrode of a semiconductor component - Google Patents

Device for carrying out the method for producing a permanent connection between a wire-shaped or strip-shaped lead electrode with a flat contact electrode of a semiconductor component

Info

Publication number
DE1256802B
DE1256802B DES59480A DES0059480A DE1256802B DE 1256802 B DE1256802 B DE 1256802B DE S59480 A DES59480 A DE S59480A DE S0059480 A DES0059480 A DE S0059480A DE 1256802 B DE1256802 B DE 1256802B
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
electrode
welding
intermediate layer
semiconductor
welded
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
DES59480A
Other languages
German (de)
Inventor
Hans-Juergen Nixdorf
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Siemens AG
Original Assignee
Siemens AG
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from DES53212A external-priority patent/DE1034274B/en
Application filed by Siemens AG filed Critical Siemens AG
Priority to DES59480A priority Critical patent/DE1256802B/en
Priority to FR795211A priority patent/FR75745E/en
Priority to CH1435463A priority patent/CH389106A/en
Priority to CH7699159A priority patent/CH382295A/en
Priority to GB2835059A priority patent/GB913610A/en
Priority to DE19611639608 priority patent/DE1639608A1/en
Publication of DE1256802B publication Critical patent/DE1256802B/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L24/85Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/74Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies
    • H01L24/78Apparatus for connecting with wire connectors
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001Core members of the connector
    • H01L2224/4501Shape
    • H01L2224/45012Cross-sectional shape
    • H01L2224/45014Ribbon connectors, e.g. rectangular cross-section
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/484Connecting portions
    • H01L2224/4847Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a wedge bond
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/74Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
    • H01L2224/78Apparatus for connecting with wire connectors
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/74Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
    • H01L2224/78Apparatus for connecting with wire connectors
    • H01L2224/7825Means for applying energy, e.g. heating means
    • H01L2224/7828Resistance welding electrodes, i.e. for ohmic heating
    • H01L2224/78282Resistance welding electrodes, i.e. for ohmic heating in the upper part of the bonding apparatus, e.g. in the capillary or wedge
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/85Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • H01L2224/852Applying energy for connecting
    • H01L2224/85238Applying energy for connecting using electric resistance welding, i.e. ohmic heating
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L24/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/00014Technical content checked by a classifier the subject-matter covered by the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group, being disclosed without further technical details
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11Device type
    • H01L2924/13Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
    • H01L2924/1304Transistor
    • H01L2924/1305Bipolar Junction Transistor [BJT]
    • H01L2924/13055Insulated gate bipolar transistor [IGBT]

Description

BUNDESREPUBLIK DEUTSCHLAND Int. Cl: HOll FEDERAL REPUBLIC OF GERMANY Int. Cl: HELL

DEUTSCHES ÄW^SS PATENTAMTGERMAN ÄW ^ SS PATENT OFFICE

DeutscheKI.: 21g-11/02 DeutscheKI .: 21g-11/02

AUSLEGESCHRIFTEDITORIAL

Nummer: 1256 802Number: 1256 802

Aktenzeichen: S 59480 VIII c/21 gFile number: S 59480 VIII c / 21 g

J 256 802 Anmeldetag: 19.August 1958J 256 802 filing date: August 19, 1958

Auslegetag: 21. Dezember 1967Opened on: December 21, 1967

In dem Patent 1 034 274 ist ein Verfahren zum Vorrichtung zum Durchführen des VerfahrensIn patent 1,034,274 is a method of apparatus for performing the method

Herstellen einer festen Verbindung einer draht- oder zum Herstellen einer festen Verbindung einerEstablish a permanent connection of a wired or to establish a permanent connection of a

bandförmigen Zuleitungselektrode mit einer flächen- draht- oder bandförmigen Zuleitungselektroderibbon-shaped lead electrode with a flat wire or ribbon-shaped lead electrode

haften Kontaktelektrode an einem Halbleiterkörper mit einer flächenhaften Kontaktelektrode einesexemplary contact electrode on a semiconductor body m i t a planar contact electrode of a

eines Halbleiterbauelements, insbesondere eines 5 Halbleiterbauelements
Flächengleichrichters oder -transistors, bei dem die
Zuleitungselektrode auf einer kurzen Strecke an die
of a semiconductor component, in particular a semiconductor component
Surface rectifier or transistor, in which the
Lead electrode over a short distance to the

Kontaktelektrode gelegt wird, vorgeschlagen worden Zusatz zum Patent. 1 Q34 2?4
Das Wesen dieses Verfahrens besteht dann, daß
Contact electrode is placed, proposed addition to the patent . 1 Q34 2? 4
The essence of this procedure then is that

danach zwei Hilfselektroden zum Schweißen so io unmittelbar benachbart auf die Zuleitungselektrodethen two auxiliary electrodes for welding so io immediately adjacent to the lead electrode

aufgesetzt und so kurzzeitig an Spannung gelegt wer- put on and thus briefly connected to voltage

den, daß der unter und zwischen diesen Hilfselektroden befindliche Teil der Zuleitungselektrode mit der Anmelder:the fact that the part of the lead electrode located under and between these auxiliary electrodes with the applicant:

Kontaktelektrode verschweißt wird. Anschließend 15 Siemens Aktiengesellschaft, Berlin und München,Contact electrode is welded. Then 15 Siemens Aktiengesellschaft, Berlin and Munich,

werden diese Elektroden kurzzeitig an Spannung ge- Erlangen, Werner-von-Siemens-Str. 50these electrodes are briefly energized. Erlangen, Werner-von-Siemens-Str. 50

legt für die Durchführung des elektrischen Ver- laid for the implementation of the electrical

schweißungsprozesses zwischen dem ZuIeitungs- oderwelding process between the supply or

Anschlußdraht bzw. -band und der Kontaktelektrode Als Erfinder benannt:Connecting wire or band and the contact electrode As the inventor named:

an dem Halbleiterkörper. Bei dem Aufbau solcher ao Hans-Jürgen Nixdorf, Berlin-Lankwitzon the semiconductor body. When building such ao Hans-Jürgen Nixdorf, Berlin-Lankwitz

Halbleiterbauelemente hat es sich nun ergeben, daß Semiconductor components it has now been found that

die Kontaktelektrode, an der der Anschlußdraht an- 2
zuschweißen ist, gegebenenfalls nur eine relativ kleine
the contact electrode to which the connecting wire is 2
is to be welded, possibly only a relatively small one

Flächenausdehnung hat. Hiermit entsteht dann die angewendet werden. Wenn aber der Verschwei-Aufgabe, daß diese Verschweißung erstens auf einer 25 ßungsprozeß nur in einer relativ kurzen Zeitdauer relativ kleinen Fläche zwischen dem Anschlußdraht vor sich geht, so kann es auch in manchen Fällen bzw. dem Anschlußband und der Kontaktelektrode ausreichend sein, andere elektrisch isolierende Zwidurchgeführt werden muß, und zweitens, daß ein schenlagen insbesondere von gegebenenfalls geringer relativ genaues Aufsetzen der beiden Schweißelektro- Dicke zu benutzen, die nur gegen geringe Tempeden auf die Zuleitungselektrode notwendig ist. Aus 30 raturwerte widerstandsfähig sind. So hat es sich bei der geringen zur Verfügung stehenden Fläche für die Durchführung solcher Schweißvorgänge ergeben, daß Verschweißung ergibt sich weiterhin, daß die es auch ausreichend sein kann, zwischen den beiden Schweißelektroden nur eine sehr geringe Entfernung Schweißelektroden als eine elektrisch isolierende voneinander haben dürfen. Zwischenlage eine Triacetatfolie zu benutzen. Die Der Erfindung liegt die Erkenntnis zugrunde, daß 35 Tatsache, daß nahe der Fläche, an der die Versich die hierdurch für die Durchführung eines sol- schweißung durchgeführt wird, ein zusätzlicher Körchen Schweißverfahrens erforderlichen Bedingungen per außer den Schweißelektroden vorhanden ist, dadurch sehr leicht erfüllen lassen, daß die beiden kann gemäß einer Weiterbildung der Erfindung auch Elektroden, welche für die Verschweißung auf den dazu benutzt werden, diesen Isolierkörper als einen zu verschweißenden Anschlußdraht bzw. das An- 40 Lageorientierungskörper für den Elektrodenkörper schlußband aufgesetzt werden, zu einem einheit- gegenüber dem zu verschweißenden Elektrodenlichen Körper vereinigt sind, indem die beiden körper des Halbleiterbauelements zu benutzen. BeiElektrodenkörper über eine elektrisch isolierende spielsweise könnte die elektrisch isolierende Zwi-Zwischenlage unmittelbar gegeneinandergespannt schenlage mit ein oder zwei Vorsprüngen versehen werden. Als eine geeignete, elektrisch isolierende 45 werden, die sich in entsprechende Vertiefungen des Zwischenlage kann, wenn es sich um hohe Tempe- Elektrodenkörpers einsetzen oder den Halbleiterraturen handelt, die an der Schweißstelle entstehen, körper umgreifen. Auf diese Weise läßt sich ungegebenenfalls mindestens nahe den Enden der mittelbar eine gegenseitige Orientierung aller drei Schweißelektroden ein solcher Werkstoff als Zwi- Körper, nämlich des Kontaktelektrodenkörpers des schenlage benutzt werden, der auch relativ hohe 50 Halbleiterbauelements, des zu verschweißenden AnTemperaturen verträgt. Beispielsweise kann an die- schlußdrahtes bzw. -bandes und der aufzusetzenden ser Stelle eine entsprechende Glimmerzwischenlage Schweißelektroden erreichen, wenn dieser Isolier-Area has. This then arises that are applied. But if the Verschwei task that this welding first ßungsprozeß on a 25 proceeds only in a relatively short period of time relatively small area between the lead wire in front of him, so it may be sufficient in some cases and the connecting strip and the contact electrode, other electrically insulating intermediate must be carried out, and secondly, that a brace, in particular of possibly less, relatively accurate placement of the two welding electro-thicknesses to be used, which is only necessary against low tempeden on the lead electrode. From 30 temperature values are resistant. With the small area available for carrying out such welding processes, it has been found that welding also means that it can also be sufficient to have only a very small distance between the two welding electrodes as an electrically insulating one from one another. Use a triacetate foil liner. The The present invention is based on the finding that 35 fact that close to the surface on which the insuran which is hereby sol conducted for the execution of a welding, an additional Körchen welding process required conditions is present by excluding the welding electrodes, characterized fulfill very easily blank, that the two, according to a further development of the invention, electrodes which are used for the welding on to this insulator 40 exposure body for the electrode bodies are placed circuit-band as a to be welded lead wire or the arrival, uniform, in comparison with the electrode body to be welded are combined by using the two bodies of the semiconductor component. In the case of the electrode body via an electrically insulating, for example, the electrically insulating intermediate layer, clamped directly against one another, could be provided with one or two projections. As a suitable, electrically insulating 45 , which can be placed in corresponding depressions in the intermediate layer, if high temperature electrode bodies are involved or the semiconductor bodies that arise at the weld point are involved. In this way, all three welding electrodes can be ungegebenenfalls at least near the ends of indirectly mutual orientation such a material as an intermediate body, namely of the contact electrode body of the used's location, the relatively high 50 half-conductor device, the withstand to be welded AnTemperaturen. For example, a corresponding intermediate layer of mica welding electrodes can reach the connecting wire or tape and the water point to be placed if this insulating

körper derart gestaltet ist, daß er den Draht bzw. das Band z. B. gabelförmig umgreift. Der Aufbau des Elektrodenkörpers mit der isolierenden Zwischenlage kann gegebenenfalls auch derart gestaltet werden, daß nicht eine unlösbare starre gegenseitige Verbindung zwischen den beiden Schweißelektroden und dem elektrisch isolierenden Zwischenkörper benutzt wird, sondern daß betriebsmäßig gegebenenfalls auch eine relative Verschiebung zwischen den beiden Schweißelektrodenkörpern und der sie gegeneinander elektrisch isolierenden Zwischenlage stattfinden kann. Das kann sich z. B. als zweckmäßig erweisen, um nach einem oder mehreren Schweißprozessen eine Reinigung der Elektrodenanordnung zwischen den beiden Elektroden auf einfache Weise herbeizuführen, indem kurzzeitig eine entsprechende Längsverschiebung des oder eines Teiles des dazwischenliegenden Isolierkörpers benutzt wird, um als ein reinigendes Räumwerkzeug zu dienen.body is designed so that it can remove the wire or tape z. B. encompasses a forked shape. The structure of the electrode body with the insulating intermediate layer can optionally also be designed in this way that there is no permanent rigid mutual connection between the two welding electrodes and the electrically insulating intermediate body is used, but that operationally, if necessary, a relative displacement between the two welding electrode bodies and the intermediate layer that electrically isolates them from one another can take place. This can be B. prove useful in order to clean the electrode assembly after one or more welding processes between the two electrodes in a simple manner by briefly setting a corresponding Longitudinal displacement of the or a part of the intermediate insulating body is used to To serve as a cleaning broach.

Bei diesen bisher für die Anwendung der Schweißelektrodenanordnung beschriebenen Verschweißungsverfahren wird der Anschlußdraht bzw. das Anschlußband bereits für sich auf den Kontaktelektrodenkörper des Halbleiterbauelements aufgesetzt bzw. aufgelegt, mit dem er bzw. es verschweißt werden soll und wonach dann erst die Schweißelektroden auf diesen Draht bzw. dieses Band aufgesetzt werden. Nach einer anderen Weiterbildung der Erfindung läßt sich jedoch eine solche Schweißelektrodenanordnung mit Vorteil auch in der Form benutzen, daß der anzuschweißende Anschlußdraht und die Schweißelektrodenanordnung bereits vorher zu einer mechanischen Einheit zusammengefaßt werden, die als solche dann auf die Kontaktelektrode des Halbleiterkörpers aufgesetzt wird, mit der der Anschlußdraht verschweißt werden soll.In these welding methods previously described for the use of the welding electrode arrangement, the connecting wire or the connecting tape is already placed on the contact electrode body of the semiconductor component or placed, with which it or it is to be welded and after which only then the welding electrodes are placed on this wire or this tape. After another training According to the invention, however, such a welding electrode arrangement can advantageously also be shaped use that the connecting wire to be welded and the welding electrode arrangement already beforehand can be combined to form a mechanical unit, which as such is then applied to the contact electrode of the semiconductor body is placed, with which the connecting wire is to be welded.

Im Rahmen dieses Lösungsgedankens kann durch den zwischen den Schweißelektroden eingesetzten Isolierkörper auch ein entsprechender Hohlraum gebildet sein, in welchen der anzuschweißende Draht bzw. das anzuschweißende Band eingeschoben werden kann, bis es sich mit einer Verdickung oder Abbiegung gegen die Enden der beiden Schweißelektroden legt. Nach dieser Vereinigung beider Teile — die Schweißelektrodenanordnung und zu verschweißender Anschlußdraht — wird dann dieses Aggregat auf den Elektrodenkörper an dem Halbleiterelement aufgesetzt und anschließend der elektrische Schweißprozeß durchgeführt, wobei während dieses Schweißprozesses sinngemäß der außerhalb des aufgesetzten Schweißwerkzeuges liegende Teil des Anschlußdrahtes zwischen die Schweißelektroden und den Elektrodenkörper des Halbleiterelements zu liegen kommt. Sobald der Schweißprozeß durchgeführt worden ist, wird dann das Schweiß- elektrodenwerkzeug derart relativ gegenüber dem mit seinem Anschluß versehenen Halbleiterkörper verstellt, daß eine gegenseitige räumliche Lösung der beiden Teile — Schweißwerkzeug und Halbleiterelement — stattfindet.Within the scope of this solution concept, the inserted between the welding electrodes can be used Insulating body, a corresponding cavity can also be formed in which the wire to be welded or the band to be welded can be pushed in until it becomes thicker or Bend against the ends of the two welding electrodes. After this union of both Parts - the welding electrode arrangement and the connecting wire to be welded - is then this Unit placed on the electrode body on the semiconductor element and then carried out the electrical welding process, with during this welding process corresponds to the part lying outside the attached welding tool of the connecting wire between the welding electrodes and the electrode body of the semiconductor element come to lie. As soon as the welding process has been carried out, the welding electrode tool in such a way relative to the semiconductor body provided with its connection adjusts that a mutual spatial solution of the two parts - welding tool and semiconductor element - takes place.

Der elektrische Schweißvorgang wird, wie bereits in dem Hauptpatent angeführt worden ist, je nach den zu erfüllenden Bedingungen innerhalb einer sehr kurzen Zeitdauer von etwa ein oder mehreren Perioden oder Bruchteilen einer Periode eines z. B. SOperiodischen Wechselstroms durchgeführt. Um hier eine genaue zeitmäßige Steuerung zu erreichen, kann in der Schweißvorrichtung in Verbindung mitThe electrical welding process is, as has already been stated in the main patent, depending on the conditions to be met within a very short period of about one or more periods or fractions of a period of a z. B. Periodic alternating current carried out. In order to achieve precise timing here, can be used in conjunction with the welding device

der Erfindung ein entsprechender Schweißtakter benutzt werden, wie er z. B. ähnlich mit einer Ignitronsteuerung an sich in der Schweißtechnik bekanntgeworden ist.of the invention, a corresponding welding clock can be used, as z. B. similar with an Ignitron control has become known per se in welding technology.

Einige Ausführungen von Beispielen für die Anwendung der Erfindung veranschaulichen die Figuren der Zeichnung.Some embodiments of examples for the application of the invention are illustrated by the figures the drawing.

In F i g. 1 bezeichnen 1 und 2 die beiden Schweißelektrodenkörper, die über die elektrisch isolierende Zwischenlage 3 zu einem räumlich einheitlichen Körper zusammengespannt sind. An ihren Enden sind die beiden Elektroden, welche für den Verschweißungsprozeß des Anschlußleiters 4 mit der Schweißelektrode 5 der Halbleiteranordnung, z. B. eines Flächengleichrichters, benutzt werden, auf ein solches Maß verjüngt, wie es der einzuhaltenden Ausdehnung der erwähnten Verschweißung entspricht. In Fig. 1 , 1 and 2 denote the two welding electrode bodies, which are clamped together via the electrically insulating intermediate layer 3 to form a spatially uniform body. At their ends are the two electrodes which are used for the welding process of the connecting conductor 4 to the welding electrode 5 of the semiconductor arrangement, for. B. a surface rectifier, are used, tapered to such a degree as it corresponds to the expansion of the welding mentioned.

In F i g. 2 ist ein Ausführungsbeispiel für einen solchen Elektrodenaufbau gezeigt, nach welchem der Isolationskörper 3', über welchen die beiden Schweißelektroden 1 und 2 zusammengespannt sind, mit einer Aussparung 7 zur Aufnahme des in F i g. 3 einzeln dargestellten elektrischen Anschlußleiters 8 versehen ist. An seinem unteren Ende ist dieser Anschlußleiter mit einem angestauchten Teil 8 a versehen, so daß er sich mit diesem bereits nach seinem Einführen in die Aussparung 7 gegen beide Elektroden 1 und 2 legt Die Elektrodenanordnung 1 bis 3 zusammen mit dem Anschlußleiter 8 wird dann unmittelbar gegen die Elektrode, also z. B. den Teil 5 nach Fig. 1, geführt und anschließend durch eine an die Schweißelektroden 1 und 2 angelegte Spannung die Verschweißung vorgenommen. In Fig. FIG. 2 shows an exemplary embodiment for such an electrode structure, according to which the insulation body 3 ', over which the two welding electrodes 1 and 2 are clamped together, with a recess 7 for receiving the in FIG. 3 electrical connection conductor 8 shown individually is provided. At its lower end this connection conductor is provided with an upset part 8 a, so that it with this after its insertion into the recess 7 against both electrodes 1 and 2 defines the electrode assembly 1 to 3, together with the connection conductor 8 is then directly against the electrode, e.g. B. the part 5 of FIG. 1, out and then carried out by a voltage applied to the welding electrodes 1 and 2, the welding.

Das Ausführungsbeispiel nach F i g. 4 veranschaulicht, wie die isolierende Zwischenlage 3 zumindestens einen Teil 3 α an ihrem nach den Enden der Elektroden % und 2 zu liegenden Ende aufweisen kann, der mit Hilfe eines Betätigungshebels 9 zwischen den Elektrodenl und 2 hin- und hergeführt werden kann, so daß auf diese Weise eine Reinigung des Zwischenraumes zwischen den Enden der Elektroden 1 und 2 durchgeführt werden kann. The embodiment according to FIG. 4 illustrates how the insulating intermediate layer 3 can have at least one part 3 α at its end to be located after the ends of the electrodes% and 2, which can be guided back and forth between the electrodes 1 and 2 with the aid of an actuating lever 9, so that on in this way the space between the ends of the electrodes 1 and 2 can be cleaned.

Die F i g. 5 und 6 veranschaulichen in zwei einander entsprechenden Rissen ein Ausführungsbeispiel, nach welchem der zwischen den beiden Elektroden vorhandene Isolierkörper einen Teil 3 & aufweisen kann, der wieder relativ zu den beiden Elektroden 1 und 2 verschiebbar ist, und zwar entgegen der Wirkung einer Feder 10, die in einer mit aus Isoliermaterial ausgekleideten Wänden hergestellten Aussparung 11 untergebracht ist. Die Halbleiteranordnung 5, 6 ist in diesem Fall bereits auf einem zapfenartigen Teil 12 einer Grundplatte 13 befestigt Der Isolierkörper 3 b weist in diesem Fall noch eine an ihm befestigte Ringform 14 auf, mittels welcher er den zapfenartigen Teil 12 umgreift. Es ist zu erkennen, daß auf diese Weise der Isolierkörper 3 & zwischen den beiden Schweißelektrodenkörpern 1 und 2 gleichzeitig für die weitere Funktion einer gegenseitigen vorbestimmten Zusammenführung der Halbleiteranordnung und der Schweißelektrodenanordnung sorgt, nachdem auf den Kontaktelektrodenkörper 5 der Halbleiteranordnung bereits der anzuschweißende Anschlußleiter 4 aufgelegt worden ist. Der Ringteil 14 ist mit einer Aussparung 14 a versehen, damit die Schweißelektrodenanordnung auch dann, wenn der Anschlußleiter 4 bereits aufThe F i g. 5 and 6 illustrate in two mutually corresponding cracks an embodiment according to which the insulating body present between the two electrodes can have a part 3 & which is again displaceable relative to the two electrodes 1 and 2, against the action of a spring 10, which is housed in a recess 11 made with walls lined with insulating material. The semiconductor device 5, 6 in this case is already on a peg-like part 12 of a base plate 13 fixed, the insulating member 3 b in this case has still attached thereto ring mold 14, by means of which it surrounds the pin-like part 12th It can be seen that in this way the insulating body 3 & between the two welding electrode bodies 1 and 2 simultaneously ensures the further function of a mutual predetermined merging of the semiconductor arrangement and the welding electrode arrangement after the connection conductor 4 to be welded has already been placed on the contact electrode body 5 of the semiconductor arrangement is. The ring part 14 is provided with a recess 14 a, so that the welding electrode assembly even when the connecting conductor 4 is already on

Claims (7)

die Elektrode 5 der Halbleiteranordnung aufgelegt ist, mit der Halbleiteranordnung zusammengeführt werden kann. Der Körper 3 b weist, damit er über den zapfenartigen Teil 12 greifen kann, sinngemäß die Aussparung 15 auf. Patentansprüche:the electrode 5 of the semiconductor arrangement is placed, with which the semiconductor arrangement can be brought together. The body 3 b has, so that it can grip over the pin-like part 12, the recess 15 accordingly. Patent claims: 1. Vorrichtung zur Durchführung eines Schweißverfahrens zur Befestigung eines elekirischen Anschlußleiters an der Elektrode eines Halbleiterelements durch einen elektrischen Widerstandsverschweißungsprozeß, indem zwei Schweißelektroden mit geringer gegenseitiger Entfernung auf den anzuschweißenden Anschlußleiter aufgesetzt und kurzzeitig für die Durchführung eines Verschweißungsprozesses zwischen Anschlußleiter und Elektrode des Halbleiterelements an Spannung gelegt werden, nach Patent 1 034274, dadurch gekennzeich-20 net, daß zur Erzielung einer weitgehenden punktartigen Verschweißungsstelle zwischen Anschlußleiter und Halbleiterelementelektrode die beiden Schweißelektroden unmittelbar über eine elektrisch isolierende Zwischenlage vorbestimmter Dicke zu einem einheitlichen Körper zusammengespannt sind.1. Device for carrying out a welding process for attaching an electrical connection conductor to the electrode of a semiconductor element by means of an electrical resistance welding process, in that two welding electrodes are placed on the connection conductor to be welded at a short distance from one another and temporarily connected to voltage for the implementation of a welding process between the connection conductor and the electrode of the semiconductor element be according to Patent 1 034274, characterized net gekennzeich -20, that to obtain largely point-like Verschweißungsstelle between the connecting conductors and the semiconductor element electrode, the two welding electrodes are clamped together directly via an electrically insulating intermediate layer of predetermined thickness into a unitary body. 2. Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die isolierende Zwischenlage mindestens nahe den auf den zu verschweißenden Körper aufzusetzenden Schweißelektrodenenden aus einem temperaturfesten Werkstoff besteht.2. Apparatus according to claim 1, characterized in that the insulating intermediate layer at least near the welding electrode ends to be placed on the body to be welded consists of a temperature-resistant material. 3. Vorrichtung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß eine temperaturfeste Zwischenlage aus Glimmer benutzt ist.3. Apparatus according to claim 2, characterized in that a temperature-resistant intermediate layer made of mica is used. 4. Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß als isolierende Zwischenlage eine Isoliermaterialfolie, wie etwa eine Triacetatfolie, benutzt ist.4. Apparatus according to claim 1, characterized in that as an insulating intermediate layer an insulating material sheet such as a triacetate sheet is used. 5. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß die isolierende Zwischenlage oder mindestens ein den Enden der Schweißelektroden benachbarter Teil derselben zwischen diesen Enden derart relativ zu diesen verstellbar ist.5. Device according to one of claims 1 to 3, characterized in that the insulating Intermediate layer or at least one part adjacent to the ends of the welding electrodes the same between these ends is so adjustable relative to these. 6. Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die isolierende Zwischenlage derart eingerichtet ist, daß sie einen gegenseitigen Eingriff mit der Kontaktelektrode des Halbleiterbauelements, dem Halbleiterkörper oder der Trägerelektrode eingehen kann, vorzugsweise durch Umschließen der anzuschweißenden Zuleitungselektrode. 6. Apparatus according to claim 1, characterized in that the insulating intermediate layer is set up in such a way that it mutually engages the contact electrode of the semiconductor component, the semiconductor body or the carrier electrode can enter, preferably by enclosing the lead electrode to be welded. 7. Vorrichtung nach Anspruch 1 oder einem der folgenden, dadurch gekennzeichnet, daß die elektrisch isolierende Zwischenlage der Schweißelektroden eine derartige Aussparung aufweist, daß in sie eine anzuschweißende Zuleitungselektrode eingeführt sein kann, die an ihrem außerhalb der Schweißelektroden verbleibenden Teil eine solche Formgebung hat, daß sie sich gegen beide Schweißelektroden legt, so daß die Vorrichtung für die Durchführung des Schweißverfahrens mit der freien Fläche der eingesetzten Zuleitungselektrode auf die Kontaktelektrode des Halbleiterbauelements aufgesetzt wird.7. Apparatus according to claim 1 or one of the following, characterized in that the electrically insulating intermediate layer of the welding electrodes has such a recess, that a lead electrode to be welded can be introduced into it, which is attached to its outside of the welding electrodes remaining part has such a shape that they are lays against both welding electrodes, so that the device is able to carry out the welding process with the free area of the lead electrode used on the contact electrode of the semiconductor component is placed. In Betracht gezogene Druckschriften:
Deutsche Patentschrift Nr. 10 060;
deutsche Auslegeschriften Nr. 1034 274,
1012379;
Considered publications:
German Patent No. 10 060;
German exploratory documents No. 1034 274,
1012379;
deutsche Auslegeschrift S 33073 VIIIc/21g (bekanntgemacht am 1. 3.1956);German interpretation document S 33073 VIIIc / 21g (published on 3.1.1956); Richter u. Voss, »Bauelemente der Feinmechanik«, 1938, S. 10;Richter and Voss, "Components of Precision Mechanics", 1938, p. 10; Kretzmann, »Handbuch der industriellen Elektronik«, 1954, S. 215 bis 219.Kretzmann, "Handbook of Industrial Electronics", 1954, pp. 215 to 219. Hierzu 1 Blatt Zeichnungen For this purpose, 1 sheet of drawings 709 709/373 12. 67 © Bundesdruckerei Berlin709 709/373 12. 67 © Bundesdruckerei Berlin
DES59480A 1957-04-18 1958-08-19 Device for carrying out the method for producing a permanent connection between a wire-shaped or strip-shaped lead electrode with a flat contact electrode of a semiconductor component Pending DE1256802B (en)

Priority Applications (6)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DES59480A DE1256802B (en) 1957-04-18 1958-08-19 Device for carrying out the method for producing a permanent connection between a wire-shaped or strip-shaped lead electrode with a flat contact electrode of a semiconductor component
FR795211A FR75745E (en) 1958-08-19 1959-05-21 A method of making a connection between an electrical junction conductor and the electrode of a semiconductor element and semiconductor element manufactured by this method with a junction conductor
CH1435463A CH389106A (en) 1958-08-19 1959-08-14 Device for carrying out electrical resistance welding between an electrical connection conductor and the electrode of an electrical semiconductor element
CH7699159A CH382295A (en) 1957-04-18 1959-08-14 Method for producing a connection between an electrical connection conductor and the electrode of a semiconductor element
GB2835059A GB913610A (en) 1958-08-19 1959-08-19 Improvements in or relating to a method of connecting an electrical conductor to an electrode of a semi-conductor element
DE19611639608 DE1639608A1 (en) 1958-08-19 1961-04-21 Device for welding an electrical connection conductor to an electrode of a semiconductor arrangement

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DES53212A DE1034274B (en) 1957-04-18 1957-04-18 Method for producing a connection of a wire or tape-shaped electrical conductor with an electrode of a semiconductor element
DES59480A DE1256802B (en) 1957-04-18 1958-08-19 Device for carrying out the method for producing a permanent connection between a wire-shaped or strip-shaped lead electrode with a flat contact electrode of a semiconductor component

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE1256802B true DE1256802B (en) 1967-12-21

Family

ID=39639590

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DES59480A Pending DE1256802B (en) 1957-04-18 1958-08-19 Device for carrying out the method for producing a permanent connection between a wire-shaped or strip-shaped lead electrode with a flat contact electrode of a semiconductor component

Country Status (1)

Country Link
DE (1) DE1256802B (en)

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE10060C (en) * Dr. finkler, f. Müller und w. Kochs in Bonn Pneumatic apparatus for therapeutic use
DE1012379B (en) * 1954-02-06 1957-07-18 Telefunken Gmbh Electrode holder for a crystal electrode with at least two tip electrodes
DE1034274B (en) * 1957-04-18 1958-07-17 Siemens Ag Method for producing a connection of a wire or tape-shaped electrical conductor with an electrode of a semiconductor element

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE10060C (en) * Dr. finkler, f. Müller und w. Kochs in Bonn Pneumatic apparatus for therapeutic use
DE1012379B (en) * 1954-02-06 1957-07-18 Telefunken Gmbh Electrode holder for a crystal electrode with at least two tip electrodes
DE1034274B (en) * 1957-04-18 1958-07-17 Siemens Ag Method for producing a connection of a wire or tape-shaped electrical conductor with an electrode of a semiconductor element

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE1025035B (en) Method for establishing a releasable electrical connection between a conductor and a clamping part using a resilient connector and assembly tool for performing the method
DE2616767A1 (en) MULTIPLE BUCCAL TUBES
DE112018005123T5 (en) ELECTRIC CIRCUIT BREAKER DEVICE
DE2655127A1 (en) CABLE CLAMP
DE1256802B (en) Device for carrying out the method for producing a permanent connection between a wire-shaped or strip-shaped lead electrode with a flat contact electrode of a semiconductor component
DE1465499A1 (en) Electrical conductor arrangement and method and device for their production
DE1614225C3 (en) Indirectly heatable cathode for an electrical discharge tube with an emitting end face and method for producing such a cathode
DE1148614B (en) Cable connector
DE1615909A1 (en) Plug device for connection terminals
DE2445805B2 (en) Process for the production of a button to be actuated with a pressure force exerted by the finger and directed as intended
DE2622849A1 (en) LONGITUDINAL CONNECTING ELEMENT
AT216074B (en) Coupling piece for connecting a thin metal wire to another part
DE244969C (en)
DE2118577A1 (en) Isolated electrical socket
DE2555881C3 (en) Charge coupled semiconductor device
DE2217851B2 (en) Use of a double-sleeve-shaped body produced by extrusion as a clamping body for electrical connection terminals
DE1638141C (en) Fuse
DE2553995B2 (en) DEVICE FOR GENERATING PIEZOELECTRIC ENERGY, IN PARTICULAR FOR USE IN PHOTOGRAPHICAL DEVICES
DE1905656C3 (en) Rectifier bridge
CH382295A (en) Method for producing a connection between an electrical connection conductor and the electrode of a semiconductor element
DE973812C (en) Indirectly heated cathode for electrical discharge vessels with a tubular cathode sleeve
DE7226477U (en) Fastening arrangement for bridge plates for metal glasses
DE425555C (en) Process for manufacturing electrical measuring instruments
DD212423A1 (en) METHOD AND DEVICE FOR PRODUCING ELECTRICAL CONTACTS
DE1574062A1 (en) Device for adding the operating times of a machine or the like.