DE1048358B

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Publication number: DE1048358B
Application number: DENDAT1048358D
Authority: DE
Priority date: 1955-08-12
Publication date: 1959-01-08
Also published as: US2810873A; FR1155743A; GB809071A; GB838987A

Description

DEUTSCHESGERMAN

kl. 21g 11/02 kl. 21g 11/02

INTERNAT. KL. H 01 1INTERNAT. KL. H 01 1

PATENTAMTPATENT OFFICE

G 20266 VIII c/21gG 20266 VIII c / 21g

ANMELDETAG: 7. AUGUST 1956REGISTRATION DATE: AUGUST 7, 1956

BEKANNTMACHUNG
DERANMELDUNG
UNDAUSGABE DER
AUSLEGESCHRIFT: 8. JANUAR 1959NOTICE
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AND ISSUE OF
EDITORIAL: JANUARY 8, 1959

Die Erfindung bezieht sich auf Transistoren, die aus einem Halbleiterkörper bestehen, der mit ihm in Kontakt stehende Emitter-, Kollektor- und Basiselektroden aufweist und der sich in einer vollständig geschlossenen Umhüllung befindet, von. der wenigstens der größere Teil. aus.'Metall besteht, und bei dem die Basiselektrode von einem verhältnismäßig massiven Metallelement gebildet wird, mit' dem der Halbleiterkörper, innig,.über einen ausgedehnten Bereich verbunden ist.The invention relates to transistors, which consist of a semiconductor body with it in Has contact standing emitter, collector and base electrodes and which is in a complete closed envelope is located by. at least that the greater part. consists of 'metal, and at which the base electrode is formed by a relatively massive metal element, with 'which the Semiconductor body, intimately, over an extensive area connected is.

Es ist erwünscht, daß in einem Transistor während des Betriebes erzeugte Wärme in wirksamer Weise abgelei-tet wird, da sich die Kennwerte eines Transistors bei erhöhten Temperaturen verschlechtern und dieser Faktor normalerweise eine Begrenzung der Wärmeaufnahmefähigkeit des Transistors darstellt.It is desirable to be in a transistor during The heat generated during operation is effectively dissipated, since the characteristics of a transistor deteriorate at elevated temperatures and this factor is usually a limit Represents the heat absorption capacity of the transistor.

Aufgabe der Erfindung ist die Schaffung eines Transistors der definierten Art, der gemäß dieser Bedingung entwickelt ist, ohne daß sein Aufbau übermäßig kompliziert ist.The object of the invention is to provide a transistor of the type defined which, in accordance with this condition is developed without its structure being unduly complicated.

Dies wird erfindungsgemäß dadurch erreicht, daß die Basiselektrode über einen ausgedehnten Bereich gegen die Innenfläche eines Metallteiles der Umhüllung derart elastisch anliegt, daß ein guter Wärmeübergang vom Halbleiterkörper zu der Umhüllung gewährleistet ist.This is achieved according to the invention in that the base electrode over an extended area against the inner surface of a metal part of the casing so elastically that a good heat transfer is guaranteed from the semiconductor body to the cladding.

Ein Transistor nach der Erfindung wird als Beispiel an Hand der Zeichnung beschrieben. Es zeigt Fig. 1 einen Schnitt eines Germaniumflächentransistors nach der Linie I-I der Fig. 2 undA transistor according to the invention is described as an example with reference to the drawing. It shows Fig. 1 is a section of a germanium junction transistor along the line I-I of FIGS. 2 and

Fig. 2 einen Schnitt nach der Linie II-TI der Fig. 1. Darstellungsgemäß weist der Transistor eine quadratische Platte 1 aus η-Germanium auf, die mit einer Emitterelektrode 2 und einer Kollektorelektrode 3 versehen ist, die auf gegenüberliegenden .Hauptflächen der Platte 1 zentrisch angeordnet sind. Die Elektroden 2 und 3 sind in bekannter Weise durch Aufschmelzen kleiner Indiummengen auf die entsprechenden Flächen der Platte 1 hergestellt und mit Zuleitungen in Form feiner Drähte 4 bzw. 5 versehen, deren Enden in den auf diese Weise erzeugten Indiumperlen eingebettet sind. Die Hauptfläche der Germaniumplatte 1, auf der die Emitterelektrode 2 liegt, ist an eine aus Blech hergestellte. Basiselektrode 6 angelötet, die allgemein die Form eines Teiles mit U-förmigem Querschnitt aufweist, in dessen¹ Basis eine quadratische Mulde 7 eingepreßt ist, die sich in das Innere des U erstreckt. Diese Mulde 7 dient zur Aufnahme der Germankimplatte 1, die mit der Basiselektrode 6 an dem Boden der Mulde 7 verlötet ist, wobei ein zentral angeordnetes Loch 8 mit einem Durchmesser, der etwas kleiner ist als die Länge einer Seite der Germaniuniplatte 1, in der Basiselektrode 6 für die Emitterelektrode 2 vorgesehen ist.Fig. 2 shows a section along the line II-TI of Fig. 1. As shown, the transistor has a square plate 1 made of η-germanium, which is provided with an emitter electrode 2 and a collector electrode 3, which are on opposite main surfaces of the plate 1 are arranged centrally. The electrodes 2 and 3 are produced in a known manner by melting small amounts of indium onto the corresponding surfaces of the plate 1 and are provided with leads in the form of fine wires 4 and 5, the ends of which are embedded in the indium beads produced in this way. The main surface of the germanium plate 1 on which the emitter electrode 2 lies is made of sheet metal. Base electrode 6 soldered on, which generally has the shape of a part with a U-shaped cross-section, in the ¹ base of which a square trough 7 is pressed, which extends into the interior of the U. This trough 7 serves to hold the Germankim plate 1, which is soldered to the base electrode 6 on the bottom of the trough 7, with a centrally located hole 8 with a diameter that is slightly smaller than the length of one side of the Germaniuni plate 1 in the base electrode 6 is provided for the emitter electrode 2.

Transistor mit einer vollständig
umschlossenen UmhüllungTransistor with one completely
enclosed envelope

Anmelder:Applicant:

The General Electric Company, Limited, Wembley, Middlesex (Großbritannien)The General Electric Company, Limited, Wembley, Middlesex (Great Britain)

Vertreter:
Dipl.-Ing. W. Schmitzdorff, Dr.-Ing. H. Ruschke,Representative:
Dipl.-Ing. W. Schmitzdorff, Dr.-Ing. H. Ruschke,

Berlin-Friedenau, Lauterstr. 37,Berlin-Friedenau, Lauterstr. 37,

und Dipl.-Ing. K. Grentzenberg, München 27,and Dipl.-Ing. K. Grentzenberg, Munich 27,

PatentanwältePatent attorneys

Beanspruchte Priorität:
Großbritannien vom 12. August 1955Claimed priority:
Great Britain 12 August 1955

Ralph David Knott,Ralph David Knott,

Wembley, Middlesex (Großbritannien),
ist als Erfinder genannt wordenWembley, Middlesex (Great Britain),
has been named as the inventor

Die oben beschriebene Einheit ist an einem Halter angebracht, der aus einer Kupferhülse 9 besteht, die eine Glasperle 10 umschließt, in die die drei hindurchgehenden Drähte 11, 12 und 13 eingeschmolzen, sind. Die Drähte 11, 12 und 13 sind mit den Emitter- und Kollektoranschlußdrähten 4 bzw. 5 und mit einer Zunge 14 verschweißt, die aus der Basiselektrode 6 geformt ist. Der Hauptte.il der Umhüllung des Transistors besteht aus einer kreiszylindrischen Kupferkappe 15, in die die montierte Einheit eingeführt wird, wobei die Hülse 9 in dem offenen Ende der Kappe 15 angeordent wird und sich die Längsachse der Basiselektrode 6 parallel zur Achse der Kappe 15 erstreckt. Die Basiselektrode 6 wird anfangs in einer solchen Größe hergestellt, daß beim Einführen in die Kappe 15 die Arme der Basiselektrode 6 nach innen gestoßen werden, so daß sie elastisch gegen die Innenfläche der Kappe 15 drücken, wobei die Ecken der Basiselektrode 6 an dem Ende, das zuerst eingeführt wird, geeignet abgerundet werden, um das Einführen zu erleichtern.The unit described above is attached to a holder consisting of a copper sleeve 9, the enclosing a glass bead 10 into which the three wires 11, 12 and 13 passing through are fused. The wires 11, 12 and 13 are connected to the emitter and collector lead wires 4 and 5, respectively, and to a Tongue 14 welded, which is formed from the base electrode 6. The main part of the envelope of the transistor consists of a circular cylindrical copper cap 15 into which the assembled unit is inserted is, wherein the sleeve 9 is arranged in the open end of the cap 15 and the longitudinal axis of the base electrode 6 extends parallel to the axis of the cap 15. The base electrode 6 is initially in a Made such a size that when inserted into the cap 15, the arms of the base electrode 6 inward are pushed so that they resiliently press against the inner surface of the cap 15, with the corners of the base electrode 6 at the end that was inserted first should be suitably rounded to facilitate insertion.

Die Umhüllung wird durch Kaltpreßschweißung der Flansche 16 und 17 hermetisch abgedichtet, die an den äußeren Enden der Hülse 9 bzw. der Kappe 15 geformt sind, wobei das Schweißen in einer trockenen Stickstoffatmosphäre durchgeführt wird, so daß die Umhüllung eine beständige inaktive Gasfüllung er-The envelope is hermetically sealed by cold pressure welding of the flanges 16 and 17, the are formed at the outer ends of the sleeve 9 and the cap 15, the welding in a dry Nitrogen atmosphere is carried out, so that the envelope has a constant inactive gas filling

809 728/224809 728/224

hält. Schließlich wird der Raum innerhalb der Hülse 9 mit einem elektrisch isolierenden Kunstharz 18 ausgefüllt. holds. Eventually the space inside the sleeve 9 becomes filled with an electrically insulating synthetic resin 18.

Es sei darauf hingewiesen, daß bei der oben beschriebenen Anordnung die Basiselektrode 6 so ausgestaltet ist, daß ein guter Wärmeübergang vom Halbleiterkörper zu der Umhüllung hergestellt wird, wodurch die wirksame Verteilung der beim Arbeiten des Transistors erzeugten Wärme unterstützt wird. Dieses Ergebnis wird ohne zusätzliche Verbindungen zwischen Teilen des Transistors über und oberhalb des Behälters erreicht, wo ein solcher Wärmeübergang· nicht vorgesehen ist.It should be noted that in the arrangement described above, the base electrode 6 is configured in this way is that a good heat transfer is produced from the semiconductor body to the cladding, thereby helping to effectively distribute the heat generated in the operation of the transistor. This result will be without additional connections between parts of the transistor above and above of the container where such a heat transfer is not provided.

Bei eimer anderen von der oben beschriebenen abweichenden Anordnung kann die Basiselektrode mit einer oder mehreren Zungen versehen werden, die quer zu ihrer Längsachse vortreten und so angeordnet sind, daß sie elastisch an dem geschlossenen Ende der Kappe anliegen, wenn die Basiselektrode in die Kappe eingeführt ist.For buckets other than the one described above Arrangement, the base electrode can be provided with one or more tongues that cross step forward to their longitudinal axis and are arranged so that they are resilient at the closed end of the cap when the base electrode is inserted into the cap.

Claims

PATENT PACKAGE:

Having 1 transistor comprising a semiconductor body standing in contact with it emitter, collector and base electrodes and which is located in a fully closed enclosure consists of ¹ of at least the greater part of metal, and wherein the base electrode of a relatively massive metal element is formed, with which the semiconductor body is intimately connected over an extended area, characterized in that the base electrode rests against the inner surface of a metal part of the sheath so elastically over an extended area that a good heat transfer from the semiconductor body to the sheath is ensured is.

2. Transistor according to claim 1, characterized in that the main part of the envelope of a metal cap is formed, in the open end of which a holder is included on which the Base electrode is attached that the base electrode generally has the shape of a part with U-shaped Has cross-section and is so large that when the base electrode is inserted into the cap Arms of the base electrode are pushed inwards so that they are on the inner surface of the cap fit elastically.

Considered publications ¹ :
German Patent No. 840 569;
French patent specification No. 1 040 717.

1 sheet of drawings