DE10360581A1

DE10360581A1 - Vorjustage eines Projektionssystems

Info

Publication number: DE10360581A1
Application number: DE2003160581
Authority: DE
Inventors: Hans-Jürgen Mann; Steffen Dr. Fritzsche; Erik Sohmen
Original assignee: Carl Zeiss SMT GmbH
Current assignee: Carl Zeiss SMT GmbH
Priority date: 2003-12-19
Filing date: 2003-12-19
Publication date: 2005-07-14

Abstract

Verfahren zur Justage eines Projektionssystems, umfassend eine optische Vorjustage des Projektionssystems bei Beleuchtung mit im Wesentlichen einer Vorjustage-Wellenlänge lambda¶v¶, wobei sich die Vorjustage-Wellenlänge lambda¶v¶ von einer Zielwellenlänge lambda¶z¶, mit der das Projektionssystem betrieben wird, unterscheidet.

Description

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Vorjustage Projektionssystems bevorzugt eines EUV-Projektionssystems, insbesondere eines solchen, welches für die EUV-Projektionslithographie oder die EUV-Mikroskopie eingesetzt wird sowie eine Projektionsbelichtungsanlage bzw, ein Mikroskop für Wellenlängen ≤ 193 nm, insbesondere im EUV-Bereich.
Um eine weitere Reduktion von Strukturbreiten für elektronische Bauteile insbesondere für < 100 nm zu erreichen, ist es erforderlich, die Wellenlänge des für die Mikrolithographie eingesetzten Lichtes zu verringern. Denkbar ist die Verwendung von Licht mit Wellenlängen ≤ 193 nm, beispielsweise die Lithographie mit weichen Röntgenstrahlen, die so genannte EUV-Lithographie. Entsprechendes gilt für optische Mikroskope, die im Bereich kleiner Wellenlängen insbesondere im EUV-Wellenlängenbereich arbeiten, um besonders hohe Ortsauflösungen, beispielsweise zur Inspektion von Strukturen auf einer Skala von < 100 nm, zu erreichen.
Die EUV-Lithographie ist eine vielversprechende zukünftige Lithographietechnik, wobei derzeit Wellenlängen im Bereich 10–30 nm, bevorzugt 11–14 nm, insbesondere 13,5 nm, bei einer numerischen Apertur von 0,2–0,3 diskutiert werden. Die Bildqualität in der EUV-Lithographie wird einerseits durch das Projektionsobjektiv, andererseits durch das Beleuchtungssystem bestimmt. Das Beleuchtungssystem soll eine möglichst gleichförmige Ausleuchtung der Feldebene, in der die strukturtragende Maske, das so genannte Retikel, angeordnet ist, zur Verfügung stellen. Das Projektionsobjektiv bildet die Feldebene in eine Bildebene, die so genannte Waferebene, ab, in der ein lichtsensitives Objekt angeordnet ist. Projektionsbelichtungsanlagen für die EUV-Lithographie sind mit reflektiven optischen Elementen ausgeführt. Die Form des Feldes einer EUV-Projektionsbelichtungsanlage ist typischerweise die eines Ringfeldes mit einem hohen Aspektverhältnis von 2 mm (Scanschlitzlänge) × 22–26 mm (Scanschlitzbreite). Die Projektionssysteme werden üblicherweise im Scanning Mode betrieben, wobei das Retikel in der Feldebene und das lichtempfindliche Objekt, typischerweise ein Wafer, mit einem geeigneten Photoresist in der Bildebene jeweils synchron zueinander bewegt werden. Betreffend EUV-Projektionsbelichtungsanlagen wird auf die nachfolgenden Veröffentlichungen verwiesen:
W. Ulrich, S. Beiersdörfer, H. J. Mann, "Trends in Optical Design of Projection Lenses for UV- and EUV-Lithography" in Soft-X-Ray and EUV Imaging Systems, W. M. Kaiser, R. H. Stulen (Nrsg.), Proceedings of SPIE, Vol. 4146 (2000), Seiten 13–24 und
M. Antoni, W. Singer, J. Schultz, J. Wangler, I. Escudero-Sanz, B. Kruizinga, "Illumination Optics Design for EUV-Lithography" in Soft X Ray and EUV Imaging Systems, W. M. Kaiser, R. H. Stulen (Hrsg.), Proceedings of SPIE, Vol.4146 (2000), Seiten 25–34
deren Offenbarungsgehalt vollumfänglich in die vorliegende Anmeldung mitaufgenommen wird.
Der Schärfentiefebereich (DOF) eines Projektionssystems, in welchem sich die Oberfläche des zu strukturierenden Wafers möglichst präzise befinden muss, kann durch folgenden formelmäßigen Zusammenhang angegeben werden:
Wird die Konstante k₂ der Einfachheit halber mit 1 angenommen und des Weiteren ein EUV-Projektionssystem bei einer Wellenlänge von λ = 13,5 nm und einer numerischen Apertur von NA = 0,3 angenommen, so ergibt sich die Ausdehnung des Schärfentiefenbereichs mit DOF = 150 nm. Da nun das zu strukturierende Objekt im Falle eines Projektionssystems bzw. das sensorische Element für ein EUV-Mikroskop mit dieser Präzision gegenüber der Bildebene positioniert werden muss, ist es notwendig hierfür spezielle Messsysteme zur Justage zu verwenden. So ist aus der US 6 240 158 B1 ein nach dem Prinzip der Triangulation arbeitendes Messsystem bekannt geworden, welches die Position der Bildebene während des Betriebs vermisst und auf der Grundlage dieser Messdaten die Position des Bildobjekts, z. B. einer zu strukturierenden Maske, entsprechend nachführt.
Aufgrund der hohen räumlichen Auflösung von EUV-Projektionssystemen müssen alle zur Abbildung verwendeten optischen Komponenten sowie ein abbildendes Objekt in der Objektebene und ein sensorisches Element oder ein zu belichtendes Objekt in der Bildebene mit einer Genauigkeit von wenigen Nanometern justiert werden. Die Schwierigkeit besteht nun darin, dass zur Anwendung von EUV-Messtechniken, wie z. B. Lochkamerasystem mit EUV-Detektoren oder Messsystemen, welche die Emission von Fotoelektronen auf den Spiegelflächen örtlich auflösen, die Komponenten des Projektionssystems hinreichend genau vorjustiert werden müssen. Ohne eine solche präzise Vorjustage ist es vielfach nicht möglich, in den maximalen Messbereich der EUV-Messsysteme für die Feinjustage zu gelangen.
Aus der US 2002/0041368 A1 ist zur Vorjustage eines Projektionssystems die Verwendung einer breitbandigen Lichtquelle bekannt, welche sowohl im EUV-Bereich wie auch im UV-Bereich (100–400 nm) und im sichtbaren Bereich (400–800 nm) des Spektrums Licht erzeugt. Zu Justagezwecken wird mittels einer Filtereinrichtung das breitbandige Anregungsspektrum oberhalb des EUV-Bereichs verwendet. Licht mit dieser Justagebeleuchtung wird an den Oberflächenschichten der EUV-Optiken reflektiert und kann ein Objekt in der Feldebene so ausleuchten, dass eine Justage der optischen Einzelkomponenten möglich ist. Nachteilig ist jedoch, dass aufgrund der breitbandigen Anregung lediglich eine Grobjustage durchgeführt werden kann, die unter Umständen so stark von einer optimalen Justage für den EUV-Bereich abweicht, dass die für diesen Bereich vorgesehenen Messmittel eventuell noch nicht eingesetzt werden können und das System erst noch in den Fangbereich für eine EUV-Endmontage zu bringen ist. Zudem benötigt man bereits für die Vorjustage eine EUV-Lichtquelle, welche in der Regel sehr teuer ist.
Der Erfindung liegt somit die Aufgabe zugrunde, ein Verfahren anzugeben, mit welchem eine einfache Justage eines Projektionssystems durchgeführt werden kann. Hierbei ist insbesondere ein Verfahren anzugeben mit dem es gelingt, das EUV- Projektionssystem ausgehend von einem stark dejustierten Zustand in den Arbeitspunkt zu bringen.
Zur Lösung dieser Aufgabe haben die Erfinder erkannt, dass die Auflösung mechanischer Justageverfahren, z. B. mittels einer Koordinatenmessmaschine bzw. Koordinatenmesseinrichtung, nicht so hinreichend genau sind, dass es damit möglich wäre, mit vertretbarem Aufwand das EUV-Projektionssystem in einen solchen Justagezustand zu bringen, ab dem es möglich ist mit der Hilfe von EUV-Messsystemen das EUV-Projektionssystem endgültig zu justieren.
Der Erfindung liegt die Idee zugrunde, vor der endgültigen optischen Justage mit der Beleuchtungswellenlänge im EUV-Bereich, die im Folgenden als Zielwellenlänge λ_z bezeichnet wird, einen weiteren optischen Vorjustageschritt vorzuschalten, welche mit einer ausgewählten Wellenlänge λ_v durchgeführt wird, die sich von der Zielwellenlänge λ_z unterscheidet. Hierbei wird nicht wie im Stand der Technik eine breitbandige Beleuchtung für die Justage verwendet, sondern es wird eine schmalbandige Anregung gewählt. Unter schmalbandig wird in dieser Anmeldung verstanden, dass die Lichtquelle Licht mit einer mittleren Wellenlänge λ emittiert und die Bandbreite um die mittlere Wellenlänge ≤ 10 nm und insbesondere bevorzugt ≤ 5 nm und besonders bevorzugt ≤ 1 nm ist. Die Bandbreite wird auch als FWHM (full width half maximum) bezeichnet. Hierdurch wird erreicht, dass aufgrund der speziellen Wahl eine Justagenwellenlänge die Abweichung zwischen der optimalen Einstellung bei der Justagenwellenlänge und der Zieleinstellung für den EUV-Bereich berechnet werden kann und es somit gelingt, durch die Anwendung dieser berechneten Korrekturen das für die Justagenwellenlänge eingerichtete System mit Sicherheit in den Fangbereich für die Feinjustage im EUV-Bereich zu bringen.
Aufgrund der einfacheren Erzeugung und Detektion wird eine optische Vorjustagewellenlänge λ_v > 193 nm und damit oberhalb des EUV-Wellenlängenbereichs bevorzugt. In einer vorteilhaften Ausführungsform werden hierfür Wellenlängen aus dem tiefen UV-Bereich, dem so genannten DUV-Bereich, zur Vorjustage verwendet. in diesem Wellenlängenbereich kann z. B. eine Ausleuchtung mit einer Wellenlänge von 248 nm, die mittels eines KrF-Lasers erzeugt werden kann, zur Vorjustage eingesetzt werden. Vorteilhaft ist auch die Verwendung einer Wellenlänge von 365 nm, da diese relativ einfach bei Verwendung der i-Linie einer Quecksilberlampe erzeugt werden kann. Außerdem ist es denkbar, bei einem EUV-Projektionssystem, welches mit einer Zielwellenlänge von λ_z = 13,5 nm arbeitet, Wellenlängen aus dem VUV-Wellenlängenbereich zu verwenden, die jedoch größer als die Zielwellenlänge sind. Ein Beispiel hierfür sind Vorjustagewellenlängen von 193 nm oder 157 nm die jeweils von einem ArF-Laser bzw. ein F₂-Laser erzeugt werden können. Im Rahmen der Erfindung ist es auch vorteilhaft, nacheinander verschiedene Vorjustagewellenlängen, die zum Beispiel sukzessiv kleiner werden, zur Hinführung des Projektionssystems zu seinem Arbeitspunkt zu verwenden. Hierbei werden im Rahmen der Erfindung jeweils definierte, d.h. schmalbandige Wellenlängen zur Vorjustage verwendet. Der Vorteil einer Verwendung einer schmalbandigen Lichtquelle gegenüber einer breitbandigen Lichtquelle besteht zudem darin, dass die unvermeidbaren chromatischen Fehler des Objektives bei der Vorjustage nicht zum Tragen kommen, bzw. eine genügend hohe Lichtleistung der verwendeten Wellenlänge durch Verwendung entsprechender Laser vorhanden ist.
Besonders bevorzugt ist es, wenn für jede Wellenlänge, d.h. beipielsweise die Vorjustagewellenlänge λ_v und die Zielwellenlänge λ_z, unterschiedliche Lichtquellen verwendet werden, also beispielsweise eine Laserlichtquelle für die Vorjustage und beispielsweise eine Laser-Plasma-Quelle, einer Entladungsquelle oder eine Synchrotron-Quelle als EUV-Lichtquelle.
Wird nun zur Vorjustage des Projektionssystems eine von der Zielwellenlänge λ_z abweichende Wellenlänge λ_v zur optischen Vorjustage verwendet, so ist zu berücksichtigen, dass die reflektiven, typischerweise als Mehrschichtsysteme aufgebauten optischen Komponenten des Projektionssystems elektromagnetische Strahlung nur innerhalb eines sehr engen Spektralbereichs von typischerweise wenigen Nanometern und für das Beispiel eines Systems mit λ_z = 13,5 nm nur in einem Wellenlängenintervall von < +– 1 nm so weiterleiten, wie es dem geplanten optischen Design entspricht. Wellenlängen außerhalb dieses Bereichs erzeugen keine Reflektion, welche auf der Bragg-Beugung auf dem Mehrfachstapelschichtsystem beruht, sondern es findet eine Reflektion der elektromagnetischen Strahlung an der metallischen Oberfläche der Spiegelkomponenten statt. Zur Lösung dieses Problems können jedoch Korrekturfaktoren angegeben werden, mit denen ein zunächst mit der Justagewellenlänge λ_v optisch vorjustiertes EUV-Projektionssystem korrigiert wird, um in den Fangbereich zur Feinjustage des Projektionssystems mit der Zielwellenlänge λ_z gebracht zu werden. Hierzu haben die Erfinder erkannt, dass sich diese Korrekturfaktoren durch eine Wellenflächenanalyse und die Ermittlung der Unterschiede in der Wellenaberration bei der Beleuchtung mit der Zielwellenlänge λ_z und der Vorjustagewellenlänge λ_v bestimmen lassen. Besonders vorteilhaft ist es, wenn die Wellenaberration jeweils für die Zielwellenlänge λ_z und die Vorjustagewellenlänge λ_v in der Form von Zernike-Polynomen oder davon abgeleiteten Funktionen dargestellt werden. Die Korrekturfaktoren ergeben sich dann aus der Bestimmung insbesondere der niedrigen Zernike-Koeffizienten und insbesondere der Zernike-Koeffizienten Z1 bis Z5.
Neben dem Verfahren stellt die Erfindung auch eine Projektionsbelichtungsanlage, insbesondere für die EUV-Lithographie zur Verfügung. Die EUV-Projektionsbelichtungsanlage umfasst Mittel zur Beleuchtung mit im wesentlichen einer Vorjustagewellenlänge. Bevorzugt sind die Mittel zur Beleuchtung mit im wesentlichen einer Vorjustagewellenlänge λ_v in die Projektionsbelichtungsanlage integiert, d.h. ein eigenständiger Aufbau zur Justage wird nicht benötigt, die Justage erfolgt innerhalb der EUV-Projektionsbelichtungsanlage.
Ist das EUV-Projektionsbelichtungssystem als scannendes System ausgelegt, so sind die Mittel zur Beleuchtung mit im wesentlichen einer Vorjustagewellenlänge λ_v bevorzugt in den Scanner integriert.
Die Mittel zur Vorjustage können nicht nur in ein EUV-Projektionssystem integriert sein, sonder auch in ein Mikroskop mit Wellenlängen ≤ 193 nm, insbesondere ein Mikroskop im EUV-Bereich.
Die Erfindung soll nachfolgend anhand der Zeichnungen beispielhaft beschrieben werden.
Es zeigen:
1 ein Ablaufschema des erfindungsgemäßen Justageverfahrens für EUV-Projektionssysteme;
2 die Lage von 15 repräsentativen Feldpunkten in einem typischen Ringfeld einer EUV-Projektionsbelichtungsanlage;
3 simulierte Abbildungsfehler eines Projektionssystems für die Zielwellenlänge λ_z = 13,5 nm und x-Polarisation dargestellt für die Feldpunkte 1–5 aus 2;
4 simulierte Abbildungsfehler eines Projektionssystems für die Zielwellenlänge λ_z = 13,5 nm und y-Polarisation dargestellt für die Feldpunkte 1–5 aus 2;
5 Vergleich der simulierten Abbildungsfehler eines Projektionssystems für die Zielwellenlänge λ_z = 13,5 nm für unterschiedliche Polarisationsrichtungen dargestellt für die Feldpunkte 1–5 aus 2;
6 simulierte Abbildungsfehler eines Projektionssystems für die Vorjustagewellenlänge λ_v = 248 nm und x-Polarisation dargestellt für die Feldpunkte 1–5 aus 2, wobei eine optimale Justage für die Zielwellenlänge λ_z = 13,5 nm angenommen wurde;
7 simulierte Abbildungsfehler eines Projektionssystems für die Vorjustagelänge λ_v = 248 nm und y-Polarisation dargestellt für die Feldpunkte 1–5 aus 2, wobei eine optimale Justage für die Zielwellenlänge λ_z = 13,5 nm angenommen wurde;
8 Vergleich der simulierten Abbildungsfehler eines Projektionssystems für die Vorjustagelänge λ_v = 248 nm für unterschiedliche Polarisationsrichtungen dargestellt für die Feldpunkte 1–5 aus 2, wobei eine optimale Justage für die Zielwellenlänge λ_z = 13,5 nm angenommen wurde;
9 simulierte Abbildungsfehler eines Projektionssystems für die Vorjustagewellenlänge λ_v = 248 nm und x-Polarisation dargestellt für die Feldpunkte 1–5 aus 2, wobei eine optimale Justage für die Vorjustagewellenlänge λ_v = 248 nm angenommen wurde;
10 simulierte Abbildungsfehler eines Projektionssystems für die Vorjustagelänge λ_v = 248 nm und y-Polarisation dargestellt für die Feldpunkte 1–5 aus 2, wobei eine optimale Justage für die Vorjustagewellenlänge λ_v = 248 angenommen wurde;
11 Vergleich der simulierten Abbildungsfehler eines Projektionssystems für die Vorjustagelänge λ_v = 248 nm für unterschiedliche Polarisationsrichtungen dargestellt für die Feldpunkte 1–5 aus 2, wobei eine optimale Justage für die Vorjustagewellenlänge λ_v = 248 nm angenommen wurde;
12 Skizze einer EUV-Projektionsbelichtungsanlage;
13 Skizze des Intensitätsspektrums einer schmalbandigen Lichtquelle.
In 1 ist das Ablaufschema des erfindungsgemäßen Justageverfahrens für EUV-Projektionssysteme dargestellt. Beginnend mit der Montage der mechanischen und optischen Komponenten und hierbei wiederum insbesondere der reflektiven optischen Komponenten des Projektionssystems sowie der mechanischen Komponenten zum Verfahren eines ersten Objekts in der Feldebene und eines zweiten Objekts in der Bildebene des EUV-Projektionssystems.
Das erste Objekt kann beispielsweise ein abzubildendes Retikel sein, während das zweite Objekt im Fall einer EUV-Projektionsbelichtungsanlage ein lichtempfindlicher Wafer ist. Wird das EUV-Projektionssystem als EUV-Mikroskop verwendet, so ist das zweite Objekt in der Bildebene eine zur Detektion von EUV-Strahlung geeignete sensorische Einheit. Die Justage eines Projektionssystems beginnt üblicherweise mit einer mechanischen Vorjustage. Diese kann beispielsweise mit einer Koordinatenmessmaschine durchgeführt werden, mit der der Oberflächenverlauf durch ein berührendes Messverfahren bestimmt wird. Hierbei wird mit einem druckfesten und präzisen Messkörper, beispielsweise einer Saphirkugel, und einer zugehörigen Positionierungsmechanik mit einem präzisen Lagemesssystem, etwa durch Encoder mit Glasmessstäben oder durch Triangulation, die Oberfläche oder Teile der optischen Komponente abgetastet. Durch diese mechanische Vorjustage ist eine erste Grundjustage im Mikrometerbereich durchführbar.
Erfindungsgemäß schließt sich nun ein oder mehrere optische Justageschritte an, die als optische Vorjustage bezeichnet werden, da diese nicht mit der Zielwellenlänge λ_z des Projektionssystems, die vorzugsweise im EUV-Bereich liegt, sondern mit einer hiervon abweichenden Wellenlänge λ_v durchgeführt werden. Erfindungsgemäß wird zur Vorjustage eine separate Lichtquelle verwendet. Damit ergibt sich insbesondere im EUV-Bereich der Vorteil, dass sowohl die EUV-Lichtquelle für den Betrieb des EUV-Projektionssystems, wie auch jene zur Vorjustage speziell angepasst werden können. Folglich ist eine Vorjustage mit einer schmalbandigen, vorzugsweise einer monochromatischen Lichtquelle möglich, für die ein spezielles Beleuchtungssystem angepasst werden kann und eine hinreichend genaue Vorberechnung von Konekturfaktoren möglich ist. Ferner erlauben Vorjustagewellenlängen mit λ_v > 193 nm die Verwendung von Lithographiemasken für die Transmission als Testobjekte, was gegenüber den reflektiven EUV-Masken ein Kostenvorteil darstellt.
Im Rahmen der Erfindung kann die Vorjustagebeleuchtung und das hierfür verwendete Beleuchtungssystem dauerhaft mit dem Projektionssystem verbunden sein, so dass jederzeit mit Hilfe dafür geeigneter optischer Komponenten die Justagebeleuchtung in das Projektionssystem eingekoppelt werden kann. Bei einer Anlage für die EUV-Projektionslithographie ist beispielsweise eine Integration der für die Justage benötigten Einrichtungen in den Scanner möglich. Alternativ können diese Einrichtungen auch in einem zugeordneten Beleuchtungssystem untergebracht sein. Gleichwohl wird insbesondere im EUV-Bereich eine trennbare Verbindung zwischen Projektionssystem und Vorjustagesystem bevorzugt, welche lediglich zu Justagezwecken besteht. Dies kann beispielsweise durch einen Vorjustageteststand realisiert werden, in dem das EUV-Projektionssystem für eine erste optische Grundjustage im Anschluss an die Montage und die mechanische Justage eingebracht wird.
Es ist außerdem möglich, die optische Vorjustage mit mehreren Wellenlängen λ_v1 ... λ_vn durchzuführen, wobei jede dieser Wellenlängen schmalbandig ist, d.h. eine Bandbreite < 10 nm und bevorzugt < 5 nm und besonders bevorzugt < 1 nm aufweist, und diese Wellenlängen jeweils nacheinander und nicht als breitbandiges Spektrum zur Vorjustage verwendet werden, da sonst die Anwendung definierter Korrekturterme zur Verschiebung des vorjustierten Systems in den EUV-Endjustagebereich nicht mehr erfindungsgemäß möglich ist. Bevorzugt wird hierbei eine Abfolge in der Verwendung von größeren zu kleineren jeweils schmalbandigen Vorjustagewellenlängen, wobei vorteilhafterweise anschließend an jeden Justageschritt vorberechnete Korrekturterme zur Anpassung an die nachfolgende Wellenlänge angewandt werden.
Zur möglichst einfachen Vorjustage wird jedoch bevorzugt eine einzige Vorjustagewellenlänge λ_v verwendet und anschließend vorberechnete Korrekturverfahren angewandt, um etwa ein EUV-Projektionssystem in den Fangbereich für die Feinjustage mit EUV-Messsystemen zu bringen, was nachfolgend genauer beschieben wird.
Bei der bzw. bei den Vorjustagewellenlängen λ_v wird jeweils das EUV-Projektionssystem, d.h. die Lage der Feld- und der Bildebene sowie die Position und die Ausrichtung der optischen Komponenten, so festgelegt, dass die Unschärfe von Bildern der Objektpunkte so weit wie möglich minimiert wird. Angestrebt wird also die Reduktion der Strahlaberration bis in den Bereich der unvermeidlichen Beugungsunschärfe.
An diesen optischen Vorjustageschritt schließt sich ein Korrekturschritt an, bei welchem dem unterschiedlichen Abbildungsverhalten zwischen der Beleuchtung mit der Zielwellenlänge λ_z und der Beleuchtung mit der Vorjustagewellenlänge λ_v Rechnung getragen wird. Ursächlich für die Unterschiede in der Abbildung ist, dass die Mehrschichtreflektionsbeschichtungen der Spiegel lediglich für die spezielle Zielwellenlänge λ_z ausgefegt sind und nur diese durch eine Bragg-Reflektion weitergegeben werden kann. Zur Bestimmung dieser Unterschiede kann ein Wellenflächenanalyseverfahren angewandt werden, was nachfolgend noch genauer beschrieben wird.
Ausgehend von einem Punkt aus der Objektebene eines abbildenden optischen Systems, für ein EUV-Projektionssystem ist dies die Feldebene, können alle von diesem Punkt ausgehende Lichtstrahlen bezüglich ihrer Lage zur Beurteilung von Abbildungsfehlern des optischen Systems betrachtet werden. Jeder Strahl des abbildenden Stahlbüschels schneidet die Austrittspupille in einem Punkt. Lithographiesysteme besitzen in der Regel eine kreisrunde Austrittspupille, in der normierte Polarkoordianten (ρ_P, φ_P) eingeführt werden können, so dass eine Funktion W(ρ_P, φ_P) im Gebiet ρ_P ≤ 1 zur Beschreibung der Abbildungsfehler definiert werden kann, die zum Beispiel für jeden Strahl, der zur Abbildung beiträgt, die Differenz der optischen Weglänge vom Idealverlauf beschreibt Die Funktion W (ρ_P, φ_P) für die Abbildungsfehler kann zum einen simuliert werden, wodurch eine Aussage über die theoretische Idealeinstellung des Projektionssystems gewonnen wird, zum anderen können aus der Vermessung von Luftbildern und speziellen Testmustern, wie Punkt- oder Gitterstrukturen, Messdaten über reale Abbildungsfehler gewonnen werden, die dann wiederum durch eine gemessene Funktion W_M (ρ_P, φ_P) ausgedrückt und mit den Simulationen verglichen werden kann.
Mit Hilfe von Zernikepolynomen 〈ze_i (ρ_P, φ_P)|, die auf dem Gebiet ρ_P ≤ 1 einen vollständigen orthogonalen Funktionensatz bilden, kann zur Beurteilung einer einem Feldpunkt zugeordneten Funktion W(ρ_P, φ_P) für die Abbildungsfehler folgende Entwicklung durchgeführt werden:
wobei folgendes inneres Produkt definiert ist:
Die Werte k z / i sind die so genannten Zernikekoeffizienten. Aus einer möglichen Normierung der Zernikepolynome ergibt sich folgende Darstellung der ersten acht Polynome:
Wird die voranstehende Überlegung für mehrere Feldpunkte durchgeführt, so wird jedem Feldpunkt eine eigene Austrittpupille zugeordnet und ausgehend von der bekannten Lage der ausgewählten Feldpunkte aus den jeweils individuellen Feldpunkten zugeordneten Zernikekoeffizienten gemittelte Korrekturterme zur Einstellung des Projektionssystems berechnet.
Zur Charakterisierung der kompletten Abbildungseigenschaften muss das gesamte Feld betrachtet werden, wobei eine umfassende Beschreibung an den Feldkoordinaten (x, y) sich wie folgt darstellt
Falls ein System vollständiger orthogonaler Funktionen 〈fe_i(x, y)| auf dem Gebiet des abgebildeten Feldes existiert kann wiederum eine Zerlegung erfolgen. Daraus ergibt sich die folgende Darstellung
mit den Koeffizienten k fz / ji , die die Gesamtheit der Abbildungsfehler beschreiben. Im Falle eines Feldes mit kreisförmiger Berandung können die Funktionen 〈fe_i| ebenfalls Zernikepolynome oder davon abgeleitete Funktionen sein.
Im hier beschriebenen Fall wird eine Koeffizientenmatrix k fz / ji mit den Dimensionen i = 1, ..., 9 und j = 1, ... ,15 zur Beschreibung verwendet, wobei der Index i für den betrachteten Zernikekoeffizienten steht und der Index j sich auf den betrachteten Feldpunkt bezieht.
Eine ideale Abbildung zeichnet sich durch k fz / ji = 0 ∀i,j aus. Nun ist es so, dass durch die zuvor beschriebenen Effekte die Abbildungsfehler von der verwendeten Wellenlänge λ und der Polarisation α abhängen. Das heißt: kfzji = kfzji (λ,α)
Dies führt dazu, dass ein bei der Vorjustage mit der Wellenlänge λ_v ideal justiertes Objektiv kfzji (λv,α) = 0 ∀i,jbei der Ziel- oder Arbeitswellenlänge λ_z nicht mehr ideal abbildet kfzji (λz,α) ≠ 0
Durch numerische Verfahren lässt sich die Differenz Δkfzji (α) = kfzji (λz,α) – kfzji (λv,α)bestimmen und bei der Justage als Korrekturkoeffizientenmatrix verwenden. Folglich werden als Grundlage der Justageberechnung nicht die gemessenen Koeffizienten k fz,M / ji(λ_v,α) sondern die korrigierten Koeffizienten kfz,Korrji (λv, α) = kfz,Mji (λv, α) + Δkfz,Mji (α)verwendet, d.h. bei der Justage mit der Vorjustagewellenlänge λ_v wird bereits mit den Vorgaben des EUV-Bereichs justiert.
Eine andere Möglichkeit besteht darin, die gemessene Abbildungsfehlermatrix k fz,M / ji(λ_v,α) zu minimieren, d.h. im Vorjustagewellenlängenbereich λ_v optional zu justieren und anschließend die Differenz Δk fz / ji(α) separat zu korrigieren. Hierbei reicht es vielfach aus, die ersten Hauptkonekturtherme der Koeftizientenmatrix k fz / ji typischerweise für i ≤ 5 anzuwenden, besonders bevorzugt wird, wenn der Maßstabsfehler charakterisiert durch den feldlinearen Verlauf von i = 2 und 3 und die Defokussierung charakterisiert durch i = 4 korrigiert werden.
Nach Anwendung der Korrekturfaktoren folgt eine optische Feinjustage des EUV-Projektionssystems bei der Zielwellenlänge λ_z, wobei hierfür entweder Triangulationsverfahren oder die Bestimmung der Qualität der Abbildung eines ersten Objekts auf ein zweites Objekt oder EUV-Messverfahren zur Anwendung kommen können.
In 2 ist das Feld einer EUV-Projektionsbelichtungsanlage skizziert, welches die Form eines Ringfelds annimmt. Eine typische Größe für ein solchermaßen ausgeleuchtetes Ringfeld in der Feldebene ist eine Breite δ_r von 2 mm und eine Bogenlänge von 22–26 mm. EUV-Belichtungsanlagen werden üblicherweise im Scanning-Mode verwendet, wobei die Scanrichtung die in 2 eingezeichnete Y-Richtung ist. Im Ringfeld sind im skizzierten Beispiel 15 Feldpunkte markiert, welche aus drei, jeweils in Scanrichtung orientierten, Reihen gewählt sind, und von der Mitte des Ringfeldes bis zum äußeren Rand quer zur Scanrichtung reichen.
Nachfolgend werden beispielhaft für die Feldpunkte 1 bis 5 aus 2 die Abbildungsfehler durch Zernikekoeffizienten anhand von Simulationsergebnissen dargestellt. Hierbei beschreiben die Zernikekoeffizienten die Entwicklung einer einem jedem Feldpunkt in einer eigenen Austrittpupille zugeordneten Funktion W(ρ_P, φ_P) zur Beschreibung der Abbildungsfehler.
In den 3 bis 8 sind die 16 niedrigsten Zernikekoeffizienten für die Feldpunkte 1 bis 5 dargestellt. Die 3 und 4 zeigen Simulationen bei der Zielwellenlänge λ_z = 13,5 nm, wobei zwischen zueinander senkrecht stehenden linearen Polarisationsrichtungen, hier der x- und y-Polarisation, unterschieden wird. Hieraus ist der Idealjustagezustand ersichtlich, wobei die noch verbleibenden Abbildungsfehler systemcharakteristisch sind und über Manipulatorbewegungen alleine nicht kompensiert werden können.
Aus dem in 5 gezeigten Vergleich der Polarisationsrichtungen x und y ist ersichtlich, dass insbesondere Bildfehler niedriger Ordnung eine Polarisationsabhängigkeit aufweisen, die annähernd die Größenordung der absoluten Abbildungsfehler erreicht. Hieraus folgt, dass es für eine möglichst präzise Justage notwendig ist, mit linear polarisierter Beleuchtung zu arbeiten. Wie nachfolgend gezeigt, besteht dieser Einfluss der Polarisationsrichtung auch für die Vorjustagewellenlängen mit λ_v > 193 nm, für die es wesentlich einfacher ist eine linear polarisierte Beleuchtung zu realisieren.
Wird nun die in den 3 bis 5 dargestellte Wunscheinstellung für das EUV-System mit eine Vorjustagenwellenlänge von λ_v = 248 nm beleuchtet, so ergeben sich die in den 6 bis 8 gezeigten simulierten Abbildungsfehler, wobei wiederum jeweils die Feldpunkte 1 bis 5 und die entsprechenden Zernikekoeffizienten 1 bis 16 zur Darstellung gewählt sind. Aus der Berechnung der zu erwartenden Abbildungsfehler bei der Vorjustagenwellenlänge ist zu ersehen, dass insbesondere die niedrigen Zernikekoeffizienten ze₂, ze₃ und ze₄ die Unterschiede zwischen der EUV-Einstellung und jener bei der Vorjustagenwellenlänge anzeigen. Hierbei ist wiederum für die 6 und 7 eine unterschiedliche lineare x- und y-Polarisation gewählt. Die entsprechenden Unterschiede ergeben sich aus 8. Wiederum sind insbesondere die niedrigen Zernikekoeffizienten polarisationsabhängig, wobei jedoch der Effekt der Dejustage beim Übergang vom EUV- zum Beleuchtungssystem mit λ_v = 248 nm deutlich ist.
Wird demnach eine Vorjustage bei einer Wellenlänge von λ_v = 248 nm durchgeführt, so wird vorteilhaftweise linear polarisiertes Licht verwendet und eine von zwei möglichen Vorgehensweisen gewählt. Bei der ersten Vorgehensweise wird das optische System bei der Vorjustagewellenlänge so vorjustiert, dass nicht der ideale Justagezustand bei dieser Wellenlänge, sondern ein Justagezustand erreicht wird, der Abbildungsfehler gemäß der vorgegebenen Korrekturkoeffizientenmatrix, die, wie voranstehend dargestellt, für die ersten Feldpunkte 1 bis 5 in den 6 oder 7 dargestellt sind, erreicht wird.
Die zweite Vorgehensweise zur Vorjustage besteht darin, das optische System bei der Vorjustagenwellenlänge, hier λ_v = 248 nm, optimal zu justieren. Eine solche Situation ist wiederum für zwei unterschiedliche lineare Polarisationsrichtungen in den 9 und 10 simuliert, wobei sich die Unterschiede für die jeweils gewählte Polarisation der Beleuchtung aus 11 ergeben. Aus dieser vorberechneten, für die hier vorliegende Justagenwellenlänge idealen Einstellung ergibt sich, dass insbesondere die Beiträge zum Abbildungsfehler, die durch die Zernikepolynome ze₃ und ze₄ dargestellt werden, deutlich verkleinert sind. Hierbei lässt sich ze₃ der Maßstabsfehler und ze₄ die Defokussierung zuordnen, so dass die zweite Variante der Vorgehensweise bei der Vorjustage jene ist, das System zunächst bei der Vorjustagenwellenlänge optimal einzustellen, und dann selektiv den Maßstabsfehler und die Defokussierung um einen rechnerisch vorbestimmten Wert nachzustellen, so dass das optische System mit Sicherheit in eine richtige Grundeinstellung für die Beleuchtung mit der EUV-Zielwellenlänge gebracht wird und eine Feinjustage möglich ist. Im hier berechneten Fall würde dies durch eine gemittelte Verschiebung der Objektebene um –200 nm und eine Verschiebung der Bildebene um 100 nm jeweils in Richtung der optischen Achse des Systems, der z-Richtung, erreicht werden.
In 12 ist eine Projektionsbelichtungsanlage skizziert, für die das erfindungsgemäße Justageverfahren angewandt werden kann. Gezeigt sind im Lichtweg ausgehend von einer Lichtquelle 1 zu einer ausgeleuchteten Ebene, die als Feldebene 13 bezeichnet wird, optische Komponenten eines Beleuchtungssystems sowie das Projektionsobjektiv 126.
Im Einzelnen ist in 12 Folgendes dargestellt: Ein Retikel bzw. eine Maske 11 wird in der Feldebene 13 eines Projektionsbelichtungssystems, in der bevorzugt ein Ringfeld ausgebildet wird, positioniert und mittels einer Reduktionsoptik 126 auf dessen Bildebene 130 abgebildet, in der sich typischerweise ein mit einem lichtempfindlichen Material versehener Wafer 106 befindet. 12 zeigt hierzu beispielhaft ein Projektionsobjektiv bestehend aus sechs Einzelspiegeln 128.1 bis 128.6, das beispielsweise aus der US 6 600 552 , die vollumfänglich in die vorliegende Anmeldung mit aufgenommen wird, hervorgeht. Skizziert ist ferner eine im Idealfall telezentrische Beleuchtung der Bildebene 130, d. h. der Hauptstrahl eines Strahlbüschels, welcher von einem Feldpunkt der Feldebene 13 ausgeht, schneidet die Bildebene 130 senkrecht. Ferner weist das Projektionsobjektiv 126 eine Eintrittspupille auf, die im Allgemeinen mit der Austrittspupille des Beleuchtungssystems zusammenfällt.
12 zeigt außerdem den typischen Aufbau eines EUV-Beleuchtungssystems, welches als doppelfacettiertes Beleuchtungssystem gemäß der US 6 198 793 B1 ausgebildet wird, wobei der Inhalt dieses Dokuments vollumfänglich in die vorliegende Anmeldung mit aufgenommen wird. Ein solches System umfasst ein erstes optisches Element mit ersten Rasterelementen 3, welches auch als Feldfacettenspiegel 3 bezeichnet wird. Im Strahlengang anschließend folgt ein zweites optisches Element mit zweiten Rasterelementen 5, das üblicherweise Pupillenfacettenspiegel 5 genannt wird.
Feld- und Pupillenfacettenspiegel 3, 5 dienen zur Ausleuchtung eines Felds in der Feldebene 13 sowie der Gestaltung der Ausleuchtung in der Austrittspupille des Beleuchtungssystems. Die Wirkung jeder Feldwabe ist dergestalt, dass sie ein Bild der Lichtquelle 1 ausbildet, wobei durch die Vielzahl Feldfacetten eine Vielzahl von so genannten sekundären Lichtquellen gebildet wird. Die sekundären Lichtquellen werden in oder nahe der Ebene, in welcher der Pupillenfacettenspiegel 5 angeordnet ist, ausgebildet. Damit, wie in 1 dargestellt, die sekundären Lichtquellen im Bereich des Pupillenfacettenspiegels 5 zu liegen kommen, können die Feldfacetten selbst eine optische Wirkung, beispielsweise eine sammelnde optische Wirkung, aufweisen. Von den nachfolgenden optischen Elementen werden diese sekundären Lichtquellen als tertiäre Lichtquellen in die Austrittspupille des Beleuchtungssystems abgebildet.
Ferner wird jede Feldwabe durch die Facetten des Pupillenfacettenspiegels 5 und den nachfolgenden optischen Elementen der zweiten optischen Komponente 7, die im Beispiel aus 12 aus den drei optischen Elementen erstes reflektives optisches Element 19, zweites reflektives optisches Element 21 und den grazingincidence-Spiegel 23 bestehen, in die Feldebene 13 abgebildet. Die sich dort überlagernden Bilder der Feldfacetten dienen zur Ausleuchtung einer Maske 11 in der Feldebene 13, wobei typischerweise, ausgehend von rechteckförmigen oder bogenförmigen Feldfacetten, eine Ausleuchtung in der Feldebene 13 in der Form eines Ringfeldsegments entsteht. Im Allgemeinen ist das Mikrolithographiesystem als scannendes System ausgebildet, so dass die Maske 11 in der Feldebene 13 und ein Wafer 106 in der Bildebene 130 synchron bewegt werden, um eine Ausleuchtung bzw. eine Belichtung zu bewirken.
Das erfindungsgemäße Verfahren zur Vorjustage kann mit Vorteil auch für optische Systeme außerhalb des EUV-Wellenlängenbereichs angewandt werden. Ein Beispiel hierfür sind Objektive, die für den VUV- oder den DUV-Bereich vorgesehen sind. Auch bei diesen Anwendungen kann eine Vorjustagewellenlänge λ_v, etwa im sichtbaren Spektralbereich, und damit eine gegenüber der Zielwellenlängen λ_z kostengünstiger und einfacher zu handhabende Lichtquelle zu einer Grundeinrichtung des optischen Systems dienen. Erfindungsgemäß sind dann Korrekturterme anzuwenden, um den unterschiedlichen Abbildungseigenschaften bei der Zielwellenlänge λ_z Rechnung zu tragen. Voraussetzung hierfür ist die Verwendung einer schmalbandigen Lichtquelle deren Intensitätsverlauf über der Wellenlänge in 13 skizziert ist. Bei dem Intensitätsverlauf handelt es sich beispielsweise um eine Gauss-Funktion. Die mittlere Wellenlänge λ_m, die charakteristisch für diese schmalbandige Lichtquelle ist, ist die Wellenlänge des Intensitätsmaximums 1000 des Intensitätsverlaufs 1002 der Lichtquelle. In der vorliegenden Anmeldung bezieht sich der Ausdruck Vorjustagewellenlänge λ_v auf diese mittlere Wellenlänge λ_m der für die Vorjustage angewandten Beleuchtung. Die Bandbreite ist die Breite des Intensitätsverlauf beim halben Wert 1004 der maximalen Intensität 1000. Diese wird auch mit FWHM (full width half maximum) bezeichnet. Unter schmalbandig wird in dieser Anmeldung verstanden, dass die Lichtquelle die Bandbreite um die mittlere Wellenlänge ≤ 10 nm und insbesondere bevorzugt ≤ 5 nm und besonders bevorzugt ≤ 1 nm ist.

1: Lichtquelle
3: erstes optisches Element mit ersten Rasterelementen (Feldfacettenspiegel)
4: Partikelfilter
5: zweites optisches Element mit zweiten Rasterelementen(Pupillenfacettenspiegel)
7: zweite optische Komponente
11: erstes Objekt
13: Feldebene
19: erstes reflektives optisches Element
21: zweites reflektives optisches Element
23: grazing-incidence Spiegel
27: Austrittspupille des Beleuchtungssystems
106: zweites Objekt
126: Projektionssystem
128: optische Komponente
128.1, 128.2,: Spiegel des Projektionsobjektives
128.3, 128.4,
128.5, 128.6
130: Bildebene
1000: Intensitätsmaximum
1002: Intensitätsverlauf
1004: Bandbreite
λ_v: Vorjustagewellenlängen
λ_z: EUV-Zielwellenlängen
W(ρ_P, φ_P): Funktion, definiert in der Austrittpupille, zur Beschreibung von Abbildungsfehlern
ze_i: Zernikepolynome der Ordnung i
λ_m: mittlere Wellenlängen

Claims

Verfahren zur Justage eines Projektionssystems (126) umfassend eine optische Vorjustage des Projektionssystems (126) bei Beleuchtung mit im Wesentlichen einer Vorjustage-Wellenlänge λ_v, wobei sich die Vorjustage-Wellenlänge λ_v von einer Zielwellenlänge λ_z, mit der das Projektionssystem (126) betrieben wird, unterscheidet.
Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Beleuchtung mit der Vorjustage-Wellenlänge λ_v eine Bandbreite um die mittlere Wellenlänge von ≤ 10 nm und insbesondere bevorzugt ≤ 5 nm und besonders bevorzugt ≤ 1 nm aufweist.
Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Zielwellenlänge λ_z im EUV-Bereich von ungefähr 10 nm bis 30 nm liegt.
Verfahren nach einem der Ansprüche 1–3, dadurch gekennzeichnet, dass die Beleuchtung mit der Vorjustage-Wellenlänge λ_v von einer ersten Lichtquelle und die Beleuchtung mit der Zielwellenlänge λ_z von einer zweiten Lichtquelle emittiert wird.
Verfahren nach einem der Ansprüche 1–4, dadurch gekennzeichnet, dass nach der optischen Vorjustage eine Feinjustage des Projektionssystems (126) im Wesentlichen bei der Zielwellenlänge λ_z erfolgt.
Verfahren zur Justage eines Projektionssystems (126) nach einem der Ansprüche 1 bis 5, umfassend des Weiteren eine mechanische Vorjustage des Projektionssystems (126), die vor der optischen Justage des Projektionssystems (126) bei Beleuchtung im Wesentlichen mit der Vorjustage-Wellenlänge λ_v durchgeführt wird.
Verfahren zur Justage eines Projektionssystems (126) nach einem der Ansprüche 1 bis 6, wobei das Projektionssystem (126) eine Feldebene (13) eine Bildebene (130); eine Einrichtung zur Positionierung eines ersten Objekts (11) in der Feldebene (13); eine Einrichtung zur Positionierung eines zweiten Objekts (106) in der Bildebene (130) umfasst; dadurch gekennzeichnet, dass nach der optischen Vorjustage des Projektionssystems (126) mit im Wesentlichen der Vorjustage-Wellenlänge λ_v und vor der Feinjustage des Projektionssystems (126) mit im Wesentlichen der Zielwellenlänge λ_z Konekturfaktoren für die Positionierung des ersten Objekts (11) und/oder des zweiten Objekts (106) angewandt werden.
Verfahren zur Justage eines Projektionssystems (126) nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, dass die Konekturfaktoren aus einem Vergleich des Abbildungsverhaltens des Projektionssystems (126) bei der Beleuchtung mit im Wesentlichen der Zielwellenlänge λ_z und der Beleuchtung mit im Wesentlichen der Vorjustage-Wellenlänge λ_v bestimmt werden.
Verfahren zur Justage eines Projektionssystems (126) nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, dass zur Bestimmung eines Unterschieds im Abbildungsverhalten zwischen der Zielwellenlänge λ_z und der Vorjustage-Wellenlänge λ_v eine Wellenflächenanalyse durchgeführt wird.
Verfahren zur Justage eines Projektionssystems (126), nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, dass der durch die Wellenflächenanalyse bestimmten Unterschied in der Wellenaberration in der Form von Zernike-Polynomen mit Zernike-Koeffizienten dargestellt wird.
Verfahren zur Justage eines Projektionssystems (126) nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet, dass die Korrekturfaktoren aus den Zernike- Koeffizienten bestimmt werden.
Verfahren zur Justage eines Projektionssystems (126) nach einem der Ansprüche 1–11, dadurch gekennzeichnet, dass zur optischen Vorjustage eine Beleuchtung mit einer Vorjustage-Wellenlänge λ_v > 193 nm verwendet wird.
Verfahren zur Justage eines Projektionssystems (126) nach Anspruch 12, dadurch gekennzeichnet, dass zur optischen Vorjustage eine Beleuchtung mit einer Vorjustage-Wellenlänge λ_v im DUV-Bereich verwendet wird.
Verfahren zur Justage eines Projektionssystems (126) nach Anspruch 12, dadurch gekennzeichnet, dass zur optischen Vorjustage eine Beleuchtung mit einer Vorjustage-Wellenlänge von λ_v = 248 nm und/oder λ_v = 365 nm verwendet wird.
Verfahren nach einem der Ansprüche 10 bis 14, dadurch gekennzeichnet, dass die erste Lichtquelle, die die Vorjustage-Wellenlänge λ_v emittiert, eine Laserlichtquelle ist
Verfahren nach einem der Ansprüche 4 bis 15, dadurch gekennzeichnet, dass die zweite Lichtquelle die die Zielwellenlänge λ_z emittiert, eine der nachfolgenden EUV-Lichtquellen ist: – eine Laser-Plasma-Quelle – eine Entladungsquelle – eine Synchrotron-Strahlungsquelle
Verfahren zur Justage eines Projektionssystems (126) nach einem der Ansprüche 1 bis 16, dadurch gekennzeichnet, dass zur optischen Vorjustage eine Beleuchtung mit linear polarisierter Strahlung verwendet wird.
Verfahren zur Justage eines Projektionssystems (126) nach einem der Ansprüche 6 bis 13, dadurch gekennzeichnet, dass zur mechanischen Vorjustage eine Koordinatenmesseinrichtung verwendet wird.
Verwendung des Verfahrens nach einem der Ansprüche 1 bis 16 zur Justage eines in der EUV-Projektionslithographie verwendetes Projektionssystem (126).
Verwendung des Verfahrens nach einem der Ansprüche 1 bis 16 zur Justage eines EUV-Mikroskopes.
Projektionsbelichtungsanlage für Wellenlängen ≤ 193 nm, insbesondere für die EUV-Lithographie, umfassend Mittel zur Beleuchtung mit im Wesentlichen einer Vorjustagewellenlänge λ_v.
Projektionsbelichtungsanlage gemäß Anspruch 21, dadurch gekennzeichnet, dass die Projektionsbelichtungsanlage eine erste Lichtquelle umfasst, die Strahlung mit einer Wellenlänge im EUV-Bereich emittiert und als Mittel zur Beleuchtung mit im wesentlichen einer Vorjustagewellenlänge λ_v eine zweite Lichtquelle, die Strahlung der Vorjustagewellenlänge emittiert.
Projektionsbelichtungsanlage gemäß Anspruch 21, dadurch gekennzeichnet, dass die Projektionsbelichtung eine Lichtquelle umfasst, die Strahlung mit einer Wellenlänge im EUV-Bereich emittiert, und die auch als Mittel zur Beleuchtung mit im wesentlichen einer Vorjustagewellenlänge λ_v verwandt werden kann.
Projektionsbelichtungsanlage gemäß einem der Ansprüche 21 bis 23, dadurch gekennzeichnet, dass die Projektionsbelichtungsanlage eine erste Ebene umfasst, in der ein Feld mit Hilfe der EUV-Lichtquelle ausgeleuchtet wird, eine zweite Ebene, in der ein zu belichtendes Objekt angeordnet ist sowie ein Projektionsobjektiv zur Abbildung einer in der ersten Ebene angeordneten Maske auf das zu belichtende Objekt in der zweiten Ebene.
Projektionsbelichtungsanlage gemäß einem der Ansprüche 21 bis 24, dadurch gekennzeichnet, dass in der ersten Ebene eine auszuleuchtende Maske angeordnet wird und in der zweiten Ebene ein Wafer.
Mikroskop für Wellenlängen ≤ 193 nm, insbesondere im EUV-Bereich, umfassend Mittel zur Beleuchtung mit im wesentlichen einer Vorjustagewellenlänge λ_v.
Projektionsbelichtungsanlage gemäß ansprach 26, dadurch gekennzeichnet, dass die Mittel zur Beleuchtung mit im wesentlichen einer Vorjustagewellenlänge λ_v in den Scanner integriert sind.