DE10356829B3 - Messnormal für interferometrische Systeme - Google Patents
Messnormal für interferometrische Systeme Download PDFInfo
- Publication number
- DE10356829B3 DE10356829B3 DE2003156829 DE10356829A DE10356829B3 DE 10356829 B3 DE10356829 B3 DE 10356829B3 DE 2003156829 DE2003156829 DE 2003156829 DE 10356829 A DE10356829 A DE 10356829A DE 10356829 B3 DE10356829 B3 DE 10356829B3
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- layer
- measurement standard
- edge
- surface roughness
- joined
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 238000005259 measurement Methods 0.000 title claims abstract description 22
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 12
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 title claims abstract description 6
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 claims description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 claims description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 238000012876 topography Methods 0.000 description 3
- 238000002679 ablation Methods 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N magnesium oxide Inorganic materials [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N magnesium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Mg+2] AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QPLDLSVMHZLSFG-UHFFFAOYSA-N Copper oxide Chemical compound [Cu]=O QPLDLSVMHZLSFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 238000003486 chemical etching Methods 0.000 description 1
- 238000011844 contact investigation Methods 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01B—MEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
- G01B9/00—Measuring instruments characterised by the use of optical techniques
- G01B9/02—Interferometers
- G01B9/02055—Reduction or prevention of errors; Testing; Calibration
- G01B9/0207—Error reduction by correction of the measurement signal based on independently determined error sources, e.g. using a reference interferometer
- G01B9/02072—Error reduction by correction of the measurement signal based on independently determined error sources, e.g. using a reference interferometer by calibration or testing of interferometer
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01B—MEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
- G01B11/00—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques
- G01B11/30—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring roughness or irregularity of surfaces
- G01B11/303—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring roughness or irregularity of surfaces using photoelectric detection means
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01B—MEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
- G01B9/00—Measuring instruments characterised by the use of optical techniques
- G01B9/02—Interferometers
- G01B9/02015—Interferometers characterised by the beam path configuration
- G01B9/02027—Two or more interferometric channels or interferometers
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Length-Measuring Devices Using Wave Or Particle Radiation (AREA)
- Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
Abstract
Es wird ein Messnormal (5) zur Kalibrierung von interferometrischen Systemen vorgeschlagen, mit dem einfach und schnell eine gleichzeitige Kalibrierung von zwei interferometrischen Systemen in jeweils bis zu drei Raumrichtungen ermöglicht wird. Dabei wird eine Genauigkeit der Kalibrierung im mindestens Nanometer-Bereich erreicht. Das erfindungsgemäße Messnormal (5) besteht aus einer lichtundurchlässigen, strukturierten Schicht (10) und einem lichtdurchlässigen Substrat (25).
Description
- Stand der Technik
- Die Erfindung betrifft ein Messnormal zur Kalibrierung von interferometrischen Systemen nach dem Oberbegriff des Anspruchs 1.
- Interferometrische Systeme eignen sich unter anderem für berührungslose Untersuchungen von Oberflächen verschiedener Objekte. Zur Erfassung der Oberflächenkontur eines zu untersuchenden Objektes trifft ein Messstrahl eines Interferometers die Oberfläche an dem zu messenden Bereich. Der von der Oberfläche reflektierte Messstrahl wird wieder dem Interferometer zugeführt und bildet zusammen mit einem Referenzstrahl ein Interferenzmuster, aus dem sich die Weglängendifferenz der beiden Strahlen ableiten lässt. Diese gemessene Weglängendifferenz der beiden Strahlen entspricht der Topographieänderung der Oberfläche.
- Zur Kalibrierung von interferometrischen Systemen für dreidimensionale Vermessungen werden Messnormale mit einer strukturierten Schicht eingesetzt, deren geometrische Abmessungen genau bekannt sind. Die bei einer Vermessung eines solchen Messnormals erhaltenen Messergebnisse bezüglich der Struktur können aufgrund der bekannten Abmessungen einem genauen Abstandswert zugeordnet werden.
- Aus der
ist ein Messnormal aus einem Substrat und einer darauf aufgebrachten, strukturierten Polymerschicht bekannt, wobei die Struktur eine treppenartige Form mit mehreren Stufen aufweist. Die einzelnen Stufen haben dabei eine bekannte Höhe und Breite. Dabei liegt die Rauhigkeit der Strukturoberfläche in der Größenordnung von 10 Angström. Mit diesem Messnormal können Geräte zur Untersuchung von Oberflächentopographien wie beispielsweise ein Interferometer kalibriert werden.FR 2 703 448 A1 - Ein gleichzeitiges Kalibrieren von mehreren Interferometern ist mit einem bisher bekannten Messnormal nicht möglich, da die zur Kalibrierung notwendige, strukturierte Schicht nur von einer Seite her zugänglich ist.
- Vorteile der Erfindung
- Das erfindungsgemäße Messnormal mit den kennzeichnenden Merkmalen des Anspruchs 1 hat den Vorteil, dass das Messnormal einfach und schnell für eine gleichzeitige Kalibrierung von zwei interferometrischen Systemen in jeweils bis zu drei Raumrichtungen eingesetzt werden kann.
- Dabei ermöglicht das erfindensgemäße Messnormal eine extrem hohe Genauigkeit der Kalibrierung im mindestens Nanometer-Bereich, abhängig je nach der Wellenlänge des verwendeten Lichts.
- Vorteilhafte Weiterbildungen des erfindungsgemäßen Messnormals sind in den Unteransprüchen angegeben.
- Zeichnung
- Ausführungsbeispiele der Erfindung werden anhand der Zeichnung und der nachfolgenden Beschreibung näher erläutert. Es zeigen:
-
1 einen Querschnitt eines ersten erfindungsgemäßen Messnormals und -
2 ein zweites Messnormal in Draufsicht. - Beschreibung der Ausführungsbeispiele
- Das in
1 dargestellte Messnormal5 besteht aus einer lichtundurchlässigen Schicht10 mit einer Oberflächenrauhigkeit im atomaren Bereich auf mindestens einer Seite der Schicht10 , wobei die Schicht10 mindestens eine hinsichtlich ihrer Geometrie definierte Struktur15 mit mindestens einer Kante20 ,21 aufweist. Weiter ist diese Schicht10 mit einem lichtdurchlässigen Substrat25 verbunden. - Zur Kalibrierung eines ersten Interferometers fallen die Lichtstrahlen
30 des Messstrahls des Interferometers senkrecht auf die Oberfläche der strukturierten Schicht10 . Dabei werden die Lichtstrahlen30 an der Stelle32 vor der ersten Kante20 früher reflektiert als an der Stelle34 nach der ersten Kante20 . Daraus resultieren unterschiedliche Interferenzmuster nach der Überlagerung der Lichtstrahlen30 mit einem nicht dargestellten Referenzstrahl. Da die Struktur15 hinsichtlich ihrer Geometrie genau definiert ist, ist auch die Kantenhöhe der ersten Kante20 in vertikaler z-Richtung bekannt, d.h. das Interferometer ist in z-Richtung kalibriert. Die Genauigkeit der Kalibrierung hängt neben der Oberflächenrauhigkeit der Schicht10 auch von der Wellenlänge des verwendeten Lichts ab. Je kurzwelliger das verwendete Licht, desto genauer wird die Kalibrierung. Bei einer verwendeten Wellenlänge von 500 nm beispielsweise erfolgt die Kalibrierung mit einer Genauigkeit im Bereich von einigen wenigen nm. - In einer besonderen Ausführungsform des erfindungsgemäßen Messnormals hat die Struktur auf der Schicht
10 in Draufsicht eine rechteckige Form40 wie in2 dargestellt. Die Struktur mit der rechteckigen Form40 kann durch eine Erhöhung oder eine Vertiefung der Schicht10 gebildet werden. Die daraus resultierenden Kanten45 ,50 können zur Kalibrierung der lateralen x-Richtung des Interferometers herangezogen werden, da beim Verfahren des Messstrahls in lateraler x-Richtung an den Stellen der Kanten45 ,50 jeweils Änderungen des Interferenzmusters auftreten und der Abstand der beiden Kanten45 ,50 genau bekannt ist. Allgemein kann die Struktur15 in Draufsicht eine rotationsinvariante Form wie ein Vieleck aufweisen. - Analog ist eine Kalibrierung in lateraler y-Richtung mithilfe der entsprechenden Kanten
55 ,60 möglich. Alle drei Raumrichtungen des Interferometers sind somit kalibrierbar. - Ein zweites Interferometer kann anschließend bzw. gleichzeitig mit dem erfindungsgemäßen Messnormal
5 ebenso in allen drei Raumrichtungen kalibriert werden, ohne dass das erste Interferometer entfernt oder in seiner Position verändert werden muss. - Dabei ist das zweite Interferometer derart positioniert, dass die Lichtstrahlen
35 des Messstrahls des zweiten Interferometers nach einem Durchgang durch das lichtdurchlässige Substrat25 auf die dem Substrat25 zugewandten Seite der strukturierten Schicht10 auftreffen. Die Kanten20 ,22 , die für die Lichtstrahlen30 des ersten Interferometers eine Vertiefung darstellen, stellen für die Lichtstrahlen35 des zweiten Interferometers eine Erhöhung dar und umgekehrt. - Eine Kalibrierung des zweiten Interferometers in allen drei Raumrichtungen ist wie mit dem oben beschriebenen Verfahren für das erste Interferometer genauso möglich. Da zur Kalibrierung der beiden Interferometer dieselbe strukturierte Schicht
10 mit genau bekannten geometrischen Abmessungen, insbesondere bezüglich der Dicke der Schicht10 , benutzt wird, kann die relative Position der beiden interferometrischen Systeme zueinander festgestellt werden. - Wird nach einer Kalibrierung der beiden interferometrischen Systeme das Messnormal
5 durch ein Untersuchungsobjekt ersetzt, kann die Oberflächentopographie des Objektes von zwei Seiten gleichzeitig bestimmt werden. - Die Lichtdurchlässigkeit des Substrats
25 bzw. die Lichtundurchlässigkeit der Schicht10 bezieht sich hier auf den Wellenlängenbereich der eingesetzten Strahlen30 ,35 . Geeignete Materialen für das Substrat25 können Glas, Magnesiumoxid (MgO) oder Saphir sein. Die lichtundurchlässige Schicht10 kann aus Kupferoxid (CuO), Gold (Au), Eisen (Fe), Chrom (Cr), Aluminium (Al) oder Kupfer (Cu) bestehen. - Bei einer möglichen Herstellungsmethode des erfindungsgemäßen Messnormals
5 wird das Substrat25 durch eine Abtragung mit einer gewünschten Struktur15 versehen. Die Abtragung kann durch ein chemisches Ätzen, ein Plasmaätzen oder durch einen Laser erfolgen. Eine Aufbringung der Schicht10 mithilfe eines Molekularstrahls, eines CVD-Verfahrens (Chemical Vapor Deposition) oder eines epitaktischen Verfahrens sorgt für eine sehr gut kontrollierbare Schichtdicke mit einer Oberflächenrauhigkeit in atomarer Größenordnung. Typischerweise beträgt die Dicke der Schicht10 etwa 1 bis 100 nm. Sie kann innerhalb des Messnormes5 konstant sein, oder innerhalb des genannten Bereichs variieren. In beiden Fällen ist der Verlauf der Dicke der Schicht10 in lateralen Richtungen bekannt. - Die lichtundurchlässige Schicht
10 kann auf der dem Substrat25 abgewandten Seite mit einer in1 nicht dargestellten lichtdurchlässigen Schicht verbunden sein, um beispielsweise die mechanische Stabilität des Messnormals5 zu verbessern.
Claims (6)
- Messnormal zur Kalibrierung von interferometrischen Systemen, bestehend aus einer lichtundurchlässigen Schicht (
10 ) mit einer Oberflächenrauhigkeit im atomaren Bereich auf mindestens einer Seite der Schicht (10 ), wobei die Schicht (10 ) mindestens eine hinsichtlich ihrer Geometrie definierte Struktur (15 ) mit mindestens einer Kante (20 ,22 ;45 ,50 ,55 ,60 ) aufweist, dadurch gekennzeichnet, dass die Schicht (10 ) mit einem lichtdurchlässigen Substrat (25 ) verbunden ist. - Messnormal nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Struktur (
15 ) eine Erhöhung oder eine Vertiefung aufweist und in Draufsicht die Form eines Vieleckes, bevorzugterweise die eines Rechteckes (40 ), hat. - Messnormal nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass der Verlauf der Dicke der Schicht (
10 ) in lateralen Richtungen bekannt ist. - Messnormal nach einem der vorangegangenen Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Dicke der Schicht (
10 ) größer als 1 nm, bevorzugterweise 1 nm bis 100 nm, beträgt. - Messnormal nach einem der vorangegangenen Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass das lichtdurchlässige Substrat (
25 ) aus Glas, MgO oder Saphir besteht. - Messnormal nach einem der vorangegangenen Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die lichtundurchlässige Schicht (
10 ) aus CuO, Au, Fe, Cr, Al oder Cu besteht.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE2003156829 DE10356829B3 (de) | 2003-12-05 | 2003-12-05 | Messnormal für interferometrische Systeme |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE2003156829 DE10356829B3 (de) | 2003-12-05 | 2003-12-05 | Messnormal für interferometrische Systeme |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| DE10356829B3 true DE10356829B3 (de) | 2005-08-18 |
Family
ID=34800708
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| DE2003156829 Expired - Fee Related DE10356829B3 (de) | 2003-12-05 | 2003-12-05 | Messnormal für interferometrische Systeme |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| DE (1) | DE10356829B3 (de) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2016083661A1 (en) * | 2014-11-24 | 2016-06-02 | Åbo Akademi (Åbo Akademi University) | Method for calibrating 3d imaging and system for 3d imaging |
| WO2017194832A1 (en) * | 2016-05-10 | 2017-11-16 | Åbo Akademi (Åbo Akademi University) | An artifact for determining resolution of imaging based on electromagnetic radiation and/or mechanical waves |
Citations (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2703448A1 (fr) * | 1993-03-31 | 1994-10-07 | Attm | Standard de calibration. |
| EP0623805A1 (de) * | 1992-01-21 | 1994-11-09 | KRYNICKI, Witold | Verfahren zur herstellung von referenzproben zum eichen eines betrages einer gemessenen verschiebung, referenzproben messinstrument und eichverfahren |
| WO1999046558A1 (en) * | 1998-03-10 | 1999-09-16 | Vlsi Standards, Inc. | Atomic-level step-height standard certification method |
| DE19651029C2 (de) * | 1996-12-09 | 1999-12-02 | Ibm | Kalibrierstandard für Profilometer und Herstellverfahren |
| EP0676614B1 (de) * | 1994-04-11 | 2001-06-20 | International Business Machines Corporation | Kalibrierungsnorm für einen Profilometer und Verfahren zu seiner Produktion |
| US6490033B1 (en) * | 2000-01-05 | 2002-12-03 | Lucent Technologies Inc. | Method of thin film process control and calibration standard for optical profilometry step height measurement |
| DE20121476U1 (de) * | 2000-12-28 | 2003-01-02 | Institut für Physikalische Hochtechnologie e.V., 07745 Jena | Maßverkörperungen und Kalibriernormale zur Erfassung lateraler Abmessungen an nanoskaligen Objekten für Mikroskopie und Längenmessung |
| DE10155020A1 (de) * | 2001-10-31 | 2003-05-15 | Ihp Gmbh | Referenzprobe zur quantitativen Bestimmung von Oberflächenkontaminationen und Verfahren zu ihrer Herstellung |
-
2003
- 2003-12-05 DE DE2003156829 patent/DE10356829B3/de not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0623805A1 (de) * | 1992-01-21 | 1994-11-09 | KRYNICKI, Witold | Verfahren zur herstellung von referenzproben zum eichen eines betrages einer gemessenen verschiebung, referenzproben messinstrument und eichverfahren |
| FR2703448A1 (fr) * | 1993-03-31 | 1994-10-07 | Attm | Standard de calibration. |
| EP0676614B1 (de) * | 1994-04-11 | 2001-06-20 | International Business Machines Corporation | Kalibrierungsnorm für einen Profilometer und Verfahren zu seiner Produktion |
| DE19651029C2 (de) * | 1996-12-09 | 1999-12-02 | Ibm | Kalibrierstandard für Profilometer und Herstellverfahren |
| WO1999046558A1 (en) * | 1998-03-10 | 1999-09-16 | Vlsi Standards, Inc. | Atomic-level step-height standard certification method |
| US6490033B1 (en) * | 2000-01-05 | 2002-12-03 | Lucent Technologies Inc. | Method of thin film process control and calibration standard for optical profilometry step height measurement |
| DE20121476U1 (de) * | 2000-12-28 | 2003-01-02 | Institut für Physikalische Hochtechnologie e.V., 07745 Jena | Maßverkörperungen und Kalibriernormale zur Erfassung lateraler Abmessungen an nanoskaligen Objekten für Mikroskopie und Längenmessung |
| DE10155020A1 (de) * | 2001-10-31 | 2003-05-15 | Ihp Gmbh | Referenzprobe zur quantitativen Bestimmung von Oberflächenkontaminationen und Verfahren zu ihrer Herstellung |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2016083661A1 (en) * | 2014-11-24 | 2016-06-02 | Åbo Akademi (Åbo Akademi University) | Method for calibrating 3d imaging and system for 3d imaging |
| CN107407550A (zh) * | 2014-11-24 | 2017-11-28 | 奥博学术大学 | 用于校准3d成像的方法和用于3d成像的系统 |
| US10234266B2 (en) | 2014-11-24 | 2019-03-19 | Abo Akademi (Abo Akademi University) | Method for calibrating 3D imaging and system for 3D imaging |
| WO2017194832A1 (en) * | 2016-05-10 | 2017-11-16 | Åbo Akademi (Åbo Akademi University) | An artifact for determining resolution of imaging based on electromagnetic radiation and/or mechanical waves |
| CN109073358A (zh) * | 2016-05-10 | 2018-12-21 | 奥博学术大学 | 用于基于电磁辐射和/或机械波确定成像的分辨率的制品 |
| US10839558B2 (en) | 2016-05-10 | 2020-11-17 | Nanoform Finland Oyj | Artifact for determining resolution of imaging based on electromagnetic radiation and/or mechanical waves |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP1075642B1 (de) | Lagekoordinaten-Messgerät zur Vermessung von Strukturen auf einem transparenten Substrat | |
| DE4031637C2 (de) | Anordnung zum Messen einer Verschiebung zwischen zwei Objekten | |
| DE3611852C2 (de) | ||
| EP0765488B1 (de) | Gitterstruktur und deren verwendung | |
| DE2414034A1 (de) | Verfahren zur messung der dicke mehrerer uebereinanderliegender schichten | |
| DE2802416A1 (de) | Optische vorrichtung | |
| EP4004486B1 (de) | Vorrichtung und verfahren zur messung von höhenprofilen an einem objekt | |
| DE19608978A1 (de) | Phasengitter und Verfahren zur Herstellung eines Phasengitters | |
| EP3642562B1 (de) | Kalibriernormal und verfahren zu seiner herstellung | |
| DE102019212520A1 (de) | Diffraktives optisches Element für ein Prüfinterferometer | |
| DE112022004451B4 (de) | Verfahren zur berechnung von dreidimensionalen oberflächenprofilen durch interferenz | |
| EP1436647B1 (de) | Verfahren zur herstellung eines massstabes, sowie derart hergestellter massstab und eine positionsmesseinrichtung | |
| DE102009044294A1 (de) | Koordinatenmessmaschine zur Bestimmung der Lage von Strukturen auf einer Maske | |
| DE10105994B4 (de) | Verfahren zum Optimieren der Richtigkeit der theoretisch ermittelten Verformungen eines Werkstückes unter Belastung | |
| DE102004024785A1 (de) | Verfahren zur Vermessung topographischer Strukturen auf Bauelementen | |
| WO2014202517A2 (de) | Verfahren und vorrichtung zum automatisierten bestimmen eines referenzpunktes einer ausrichtungsmarkierung auf einem substrat einer photolithographischen maske | |
| DE102010037207B3 (de) | Rauheits-Messvorrichtung und -Messverfahren | |
| DE102013220190B4 (de) | Messteilung und lichtelektrische Positionsmesseinrichtung mit dieser Messteilung | |
| DE102019208029A1 (de) | Messvorrichtung zur interferometrischen Bestimmung einer Form einer optischen Oberfläche eines Testobjekts | |
| DE10013261B4 (de) | Mikromechanisch hergestellter optischer Strahlteiler | |
| DE19854942C2 (de) | Verfahren zur Bestimmung der Topographie von sphärisch oder asphärisch gekrümmten Oberflächen | |
| DE102018201935B4 (de) | Verfahren zur Vermessung von Strukturen auf einem Substrat für die Mikrolithographie | |
| EP4143502B1 (de) | Mikroskopanordnung und verfahren zum messen einer oberflächenstruktur einer probe | |
| DE102019119306A1 (de) | Messgerät zum Bestimmen von Positionen von Markern auf einem flächigen Messobjekt und Verfahren zum Kalibrieren eines solchen Messgeräts | |
| DE102011077982B4 (de) | Verfahren und Vorrichtung zur optischen Analyse eines Prüflings |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| 8100 | Publication of the examined application without publication of unexamined application | ||
| 8363 | Opposition against the patent | ||
| 8368 | Opposition refused due to inadmissibility | ||
| R119 | Application deemed withdrawn, or ip right lapsed, due to non-payment of renewal fee |