-
Die
Erfindung betrifft einen Strahlteiler nach dem Oberbegriff zu Anspruch
1 und ein Verfahren zur Herstellung eines Strahlteilers nach Anspruch
11.
-
Im
Bereich solcher Strahlteiler sind bereits eine Reihe unterschiedlicher
Technologien bekannt, um die genannte Aufspaltung des Strahls zu
bewerkstelligen. Deren Funktion beruht dabei auf optischen Eigenschaften
eines zugrunde liegenden Dielektrikums, wobei sich insbesondere
Reflexionen des einfallenden Strahls an optischen Grenzflächen zu
Nutze gemacht werden. Ein derartiger Strahlteiler ist in 1a gezeigt.
Ein einfallender Strahl 10 fällt auf eine vordere Außenfläche 11 eines
Dielektrikums 12 und wird dort teilweise reflektiert 13.
Der durchgehende Strahlenteil 14 durchdringt 15 danach
eine hintere Außenfläche 16 des
Dielektrikums 12 und wird dabei ebenfalls wieder teil-reflektiert 17.
Der teil-reflektierte Strahl 17 tritt dann zum Teil wieder
aus der vorderen Aussenfläche 11 des
Dielektrikums 12 heraus 18 und bildet zusammen
mit dem Teilstrahl 13 ein Teilstrahlenbündel 13, 18.
Es wird hervorgehoben, dass die 1a auch
insofern stark vereinfacht ist, als bei Treffen des Teilstrahls 17 auf
die vordere Außenfläche 11 weitere
Reflexionen auftreten, die hier nicht dargestellt sind.
-
Anhand
dieser vereinfachten Darstellungen werden bereits zwei grundlegende
Probleme im Bereich der genannten Strahlteiler sichtbar. Zum einen entstehen
aufgrund der gezeigten Doppelreflexion sogenannte „Geisterbilder", durch die die Strahleigenschaften
des reflektierten Strahls erheblich verschlechtert werden und insbesondere
zu einer Strahlaufweitung führen.
Zudem führt
der bei dem durchgehenden (transmittierten) Strahl auftretende Parallelversatz
zu einer axialen Bildversetzung, die ebenfalls oft unerwünscht oder
sogar nicht hinnehmbar ist.
-
Die
genannten Probleme haben bereits zur Entwicklung von Strahlteilern
geführt,
bei denen die Dicke des Dielektrikums – in Richtung des transmittierten
Strahls – möglichst
dünn ausgebildet
ist, um die genannten Effekte bei den Mehrfachreflexionen bzw. dem
Parallelversatz des durchgehenden Strahls zu minimieren. Ein derartiger
Membran-Strahlteiler ist schematisch in 1b dargestellt.
Dieser Strahlteiler weist eine an einem Rahmen 20 angeordnete
Membran 21 auf. Ein einfallender Strahl 22 wird an
der Membran sowohl teil-transmittiert 23 als
auch teil-reflektier 24. Diese Membran-Strahlteiler 20, 21 sind
so dünn
ausgebildet (etwa 2 μm
Nitrocellulosefllm), dass die beiden reflektierten Strahlenbündel 24 praktisch übereinander
liegen, d.h. sowohl kein Strahlversatz als auch keine Strahlaufweitung
(wie oben beschrieben) stattfinden. Diese Strahlteiler haben allerdings
den Nachteil, dass sie für
den fernen UV-Bereich nicht geeignet sind und zudem die an dünnen Membranen üblicherweise
auftretenden Interferenzen sich beim Einsatz solcher Strahlteiler sehr
störend
auswirken.
-
Zudem
wurden bereits Strahlteiler vorgeschlagen, bei denen die Außenflächen keilförmig ausgebildet
sind und dadurch zum Ausblenden der reflektierten Teilstrahlen führen, allerdings
mit dem Nachteil, dass es zu einem Knick in der optischen Achse
kommt.
-
Der
vorbeschriebene einschlägige
Stand der Technik ist im Übrigen
in einem Katalog der Firma ORIEL INSTRUMENTS mit dem Titel „The Book
of Photon Tools",
und zwar im Abschnitt „Prism & Beamsplitters,
Beam Splitters Technical Discussion" offenbart. Aus diesem Katalog sind
auch die 1 und 2 entnommen. Die vorgenannten Nachteile
haben ferner bereits zu einer völlig
unterschiedlichen Technologie geführt, die ebenfalls in dem genannten
Katalog beschrieben ist. Das dort zugrundeliegende Strahlteilerprinzip
soll nun anhand der in 2 gezeigten
perspektivischen Ansicht (mit einer in der rechten Bildhälfte dargestellten
Ausschnittvergrößerung)
eines solchen Strahlteilers kurz erläutert werden. Bei diesem Strahlteiler
erfolgt die Strahlteilung mittels eines auf ein Dielektrikum 30 aufgebrachten
Punktmusters 31 eines hochreflektierenden Materials, und
zwar in dem vorliegenden eine Aluminiumschicht. Bei diesem Strahlteiler
wird ein Teil eines einfallenden Strahls an dem Punktmuster 31 reflektiert
und der übrige
Teil an den unbeschichteten Bereichen 32 des Dielektrikums 30 transmittiert.
Durch ein Verkippen dieses Strahlteilers bezüglich der optischen Achse des
einfallenden Strahls kann somit erreicht werden, dass der einfallende
Strahl in einer der 1 ähnlichen
Weise in Teilstrahlen aufgeteilt wird.
-
Sämtliche
der vorbeschriebenen Strahlteilertechnologien weisen allerdings
nach wie vor erhebliche Nachteile auf. Zum einen treten bei ihnen
noch chromatische, sphärische
und astigmatische Bildfehler und zusätzlich relativ große Reflexions- bzw. Intensitätsverluste
beim Durchstrahlen eines Dielektrikums auf. So wird beim Durchgang
eines Strahls durch das Dielektrikum eine zunächst unpolarisierte Strahlung
aufgrund der zur Strahlteilung benötigten Einbauwinkel teilweise
polarisiert. Jedoch können
die genannten Nachteile durch Zusatzmaßnahmen wenigstens verringert
werden. So läßt sich
die Intensität der
genannten Geisterbilder z.B. durch Verwendung reflexionsmindernder
Schichten reduzieren und/oder durch Ausblenden störender Reflexionen
sogar unterdrücken.
-
Strahlteiler
sind weiter bekannt z.B. aus US-A-6,028,708, US-A-4,302,089, US-A-1,253,138, US-A-2,043,292
und US-A-5,450,240. Das letztgenannte Dokument stellt den nächstliegenden
Stand der Technik dar und bildet den Oberbegriff des Anspruchs 1.
-
Es
ist Aufgabe der vorliegenden Erfindung, einen verbesserten Strahlteiler
bereitzustellen. Dies wird gelöst
durch die Merkmale der unabhängigen Ansprüche. Vorteilhafte
Ausführungsformen
werden in den Unteransprüchen
dargestellt.
-
Geeignete
Ausführungsformen
der Erfindung erlauben so optische Abbildungsfehler wie die Erzeugung
von Geisterbildern, der Parallelversatz zwischen einfallendem und
ausfallendem Strahl sowie eine axiale Bildverschiebung bzw. Bildunschärfe möglichst
wirksam zu vermeiden. Darüber
hinaus können
die an den genannten Dielektrika auftretenden Reflexions- bzw. Transmissionsverluste
möglichst
vermieden werden. Zudem kann verhindert werden, dass insbesondere
die reflektierten Strahlen bei bestimmten Einfallswinkeln aufgrund
der Reflexion polarisiert werden und daher die ausfallenden Teilstrahlen
gegenüber
dem einfallenden Strahl polarisiert sind.
-
Überdies
kann erreicht werden, dass der Strahlteiler im gesamten optischen
Wellenlängenbereich
einsetzbar sowie ebenso gut für
den ultravioletten Bereich des Spektrums geeignet ist. Schließlich kann
der Strahlteiler gegenüber
den bekannten Strahlteilern einfacher und daher kostengünstiger herstellbar
sein.
-
Die
Aufteilung des einfallenden Strahls erfolgt bei erfindungsgemäßen Ausführungsformen
der Strahlteiler dadurch, dass sich ein Teil des einfallenden Strahls,
und zwar der in Höhe
der Durchgangsöffnungen
auf die Membran auftreffende Teil, frei durch den Strahlteiler hindurchbewegen
kann, wobei der restliche Teil des einfallenden Strahls an den zwischen
den Durchgangsöffnungen
liegenden Bereichen des Funktionselementes reflektiert wird. Da
der transmittierte Strahlanteil ausschließlich in Luft übertragen
wird und somit auf ein optisch aktives Medium wie beispielsweise
ein Dielektrikum verzichtet werden kann, treten beim transmittierten
Strahl keinerlei Intensitätsverluste,
Polarisierung oder etwaige Abbildungsfehler auf, wie etwa bei den
in der Beschreibungseinleitung beschriebenen, aus dem Stand der Technik
bekannten Strahlteilern. Durch geeignete Wahl einer reflektierenden
Beschichtung auf der dem einfallenden Strahl zugewandten Seite des
Funktionselementes kann erreicht werden, dass der reflektierte Strahlanteil ebenfalls
nahezu ohne jegliche Intensitätsverluste
und ohne jegliche Polarisierung aus dem Strahlteiler austritt.
-
Bevorzugt
ist das Funktionselement als Membrane ausgebildet, die aus einem
für den
jeweiligen elektromagnetischen Strahl im Wesentlichen nicht-transparenten
bzw. nicht-strahldurchlässigen Material,
nämlich
aus einem Halbleitermaterial hergestellt sein kann. Die Membrane
mit den entsprechenden Durchgangsöffnungen kann dabei insbesondere
mikromechanisch hergestellt sein, was eine Mikro-Dimensionierung
der Durchgangsöffnungen, insbesondere
von deren Öffnungsquerschnitten,
ermöglicht,
so dass der Strahlteiler in einem weiten Bereich von Strahldurchmessern
einsetzbar ist. Vorteilhafterweise ermöglicht dies auch den Einsatz
des Strahlteilers im Bereich der Laseroptik. Um dabei zu erreichen,
dass die Strahlquerschnittsfläche
des einfallenden Strahls ausreichend viele Durchgangsöffnungen
abdeckt, um ein festes und vorgebbares Teilerverhältnis zu
garantieren, kann vorgesehen sein, dass der mittlere Abstand zwischen
jeweils zwei Durchgangsöffnungen
um wenigstens einen Faktor 2 bis 5 kleiner ist als der Durchmesser
des einfallenden Strahls ist.
-
Das
Funktionselement weist im Bereich der Durchgangsöffnungen bevorzugt eine Dicke
von etwa 1–100 μm auf. Das
jeweils anzuwendende mikromechanische Herstellungsverfahren richtet
sich dabei nach dem jeweiligen Ausgangsmaterial, d.h. im Falle von
Halbleitermaterial vorzugsweise mittels fotolithographischer Ätztechniken
oder lasergestütztem Ätzen.
-
Zum
Bereitstellen des reflektierenden Verhaltens des Funktionselementes
wenigstens auf der Seite des einfallenden Strahls kann hierzu auf
dieser Seite des Elementes eine reflektierende Schicht aufgebracht
werden oder alternativ diese Seite des Elementes poliert, insbesondere
elektrochemisch poliert werden.
-
Hinsichtlich
der Anordnung der Durchgangsöffnungen
in der Ebene des Funktionselementes können diese zum einen als gleichmäßig verteiltes Punktmuster
ausgebildet sein, wobei grundsätzlich alle
denkbaren Punktverteilungen, beispielsweise eine rechtwinklige,
schiefwinklige oder eine solche mit optimierter Ausnutzung der Fläche des
Funktionselementes (z.B. in Form einer dichtesten Kugelpackung),
vorgesehen sein. Gemäß einer
Anordnungsvariante kann das Punktmuster eine in wenigstens einer
Raumrichtung nicht-gleichmäßige Punktverteilung
aufweisen, wodurch erreicht werden kann, dass der Strahlteiler in
Bereiche mit unterschiedlichem Strahlteilungsverhältnis segmentierbar
ist. Alternativ kann diese Art der Segmentierung auch durch Ausbilden
von Bereichen unterschiedlicher Öffnungsquerschnitte
der Durchgangsöffnungen
erreicht werden.
-
Beim
Einsatz eines erfindungsgemäßen Strahlteilers
in einer optischen Meßanordnung
wird dieser in Bezug auf die durch den einfallenden Strahl gebildete
optische Achse bevorzugt verdreht bzw. verkippt angeordnet, um zu
erreichen, dass der reflektierte Strahl nicht mit dem einfallenden
Strahl koinzidiert bzw. kollidiert. Um einem vom jeweiligen Drehwinkel
abhängigen
Strahlteilungsverhältnis
wirksam vorzubeugen, ist das Funktionselement ferner so ausgebildet,
dass dessen Dicke im Bereich der Durchgangsöffnungen, in Relation zum Öffnungsquerschnitt
der Durchgangsöffnungen,
ein Verhältnis kleiner
als 1 aufweist. Je größer dieses
Verhältnis
ist, umso geringer ist nämlich
die Ausbeute des transmittierten Strahls, und zwar unabhängig von
dem Drehwinkel des Strahlteilers, da die Ausbeute dann im Wesentlichen
nur noch durch an Innenkanten der Durchgangsöffnungen etwa zusätzlich auftretende Reflexionen
beeinflusst werden kann.
-
Die
Durchgangsöffnungen
sind bevorzugt quadratisch oder rund ausgebildet, wobei sich die räumliche
Ausgestaltung der Durchgangsöffnungen hauptsächlich nach
dem jeweiligen Herstellungsverfahren richtet, d.h. im Falle einer
chemischen Ätzung von
Halbleitermaterial im Wesentlichen entlang der Kristallachsen quadratisch
ausgebildet ist.
-
Aufgrund
der relativ geringen Dicke des Funktionselementes im Bereich der
Durchgangsöffnungen
kann das Funktionselement an seinem Rand durch ein Stützelement
getragen sein, um die mechanische Stabilität des Funktionselementes insgesamt zu
erhöhen.
Das Stützelement
ist dabei bevorzugt als Materialwulst (-verdickung) des Ausgangsmaterials gebildet,
d.h. beispielsweise im Falle von Halbleitermaterial durch entsprechendes
anisotropes Ätzen mittels
fotolithographischer Maskentechnik gebildet.
-
Schließlich kann
das Funktionselementvorteilhaft durch Anordnung einer Anzahl von
Funktionselementen auf einem Waver hergestellt werden. Dies ermöglicht eine
Massenproduktion des erfindungsgemäßen Strahlteilers ähnlich der
Herstellung von Halbleiterchips in der Mikroelektronik.
-
Die
Erfindung wird im Folgenden weiter unter Heranziehung von Zeichnungen
erläutert,
wobei sich gleiche Referenzzeichen auf funktional gleiche oder ähnliche
Merkmale beziehen.
-
1a,
b zeigen schematisierte Strahlwege zweier Ausführungsformen eines aus dem
Stand der Technik bekannten Strahlteilers;
-
2 zeigt
in größerem Detail
und entsprechender Ausschnittvergrößerung ein weiteres Ausführungsbeispiel
eines Strahlteilers gemäß dem Stand
der Technik;
-
3a,
b zeigen zwei orthogonale Ansichten einer bevorzugten Ausführungsform
eines erfindungsgemäßen Strahlteilers;
-
4a,
b zeigen zwei alternative Ausführungsformen
mit jeweils unterschiedlichem Durchgangsöffnungsquerschnitt gemäß der Erfindung;
-
5a,
b zeigen zwei alternative Ausführungsformen
mit unterschiedlichem Punktraster und kreisförmiger Ausgestaltung der Durchgangsöffnungen
gemäß der Erfindung;
sowie
-
6 zeigt
eine typische optische Messanordnung enthaltend einen erfindungsgemäßen Strahlteiler.
-
Die 1 und 2 wurden
bereits im Zusammenhang mit der in der Beschreibungseinleitung enthaltenen
Würdigung
des Standes der Technik näher
beschrieben.
-
3a ist
eine Seitenansicht einer bevorzugten Ausführungsform eines erfindungsgemäßen Strahlteilers 39.
Der Strahlteiler 39 weist einen aus Silizium gefertigten
Stützrahmen 40 mit
einer auf der gegenüberliegenden
Seite eines einfallenden Strahls (Strahlrichtung in Pfeilrichtiung 'A') hin gebildeten Abschrägung 41 auf.
Der Stützrahmen
ist quadratisch ausgebildet und hat eine Kantenlänge von etwa 10–20 mm.
Die Dicke des Stützrahmens 40 beträgt etwa
0.5 mm. Eine durch die Abschrägung 41 gebildete
Ausnehmung 41' endet
auf der dem einfallenden Strahl A zugewandten Seite des Strahlteilers
in eine Membran 42, die aus Siliziumnitrid gebildet ist. Das
Siliziumnitrid dient, wie nachfolgend noch beschrieben wird, als
Maske bei der Herstellung der gezeigten Strukturen des Strahlteilers,
insbesondere bei einem rein mikromechanisch hergestellten Strahlteiler.
Die Membran 42 weist insbesondere Durchgangsöffnungen 43 auf,
zwischen denen Stege 43' ausgebildet
sind. Eine entsprechende Siliziumnitridschicht 46 befindet
sich zudem auf der dem einfallenden Strahl abgewandten Seite A des
Strahlteilers. Zwischen dem Siliziumsubstrat 40 und den
beiden Siliziumnitridschichten 42, 46 befinden
sich jeweils noch Siliziumdioxidschichten 44, 45.
Auf der dem einfallenden Strahl 47 zugewandten Siliziumdioxidschicht 45 befindet
sich zusätzlich
eine Aluminium-Beschichtung,
durch die das Reflexionsvermögen
bzw. der Reflexionsgrad der Membran 42 erhöht wird
und damit das Verhältnis
von reflektiertem zu transmittiertem Strahl besser vorhersagbar
ist.
-
Es
sei nun angenommen, dass ein einfallendes Strahlenbündel 47 (es
kann sich dabei um eine Lichtstrahl oder einen elektromagnetischen
Strahl beliebiger Wellenlänge
handeln) unter einem Einfallswinkel ϕ auf den Strahlteiler 39 auftrifft.
Ein Teil 48 des einfallenden Strahls 47 wird an
den Stegen 43' reflektiert,
wohingegen der restliche Teil 49 des Strahls 47 frei
durch die Durchgangsöffnungen 43 hindurch
transmittiert wird. Es findet demnach eine Strahlteilung in den
reflektierten Teil 48 und in den transmittierten Teil 49 statt.
-
3b zeigt
nun eine entsprechende Draufsicht des in 3a gezeigten
Strahlteilers 39, und zwar entgegen der Blickrichtung des
einfallenden Strahls A. An der Oberfläche des Stützrahmens 40 sind
in der gezeigten Ansicht die Siliziumnitridschicht 46 sowie
die Abschrägung 41 zu
ersehen. Ferner sind in dieser Darstellung die Durchgangsöffnungen 43 und
die entsprechenden Stege 43' gut
sichtbar. Die Durchgangsöffnungen 43 sind
quadratisch ausgebildet, was in dem vorliegenden Ausführungsbeispiel
durch den nachfolgend beschriebener Herstellungsprozess bedingt
ist. Die Durchgangsöffnungen können, je
nach Herstellungsverfahren, in einer Vielzahl von geometrischen
Formen ausgebildet sein, wie nachfolgend noch eingehend beschrieben
wird.
-
Hinsichtlich
der Herstellung des erfindungsgemäßen Strahlteilers wird in einem
Wafer aus Silizium oder einem anderen geeigneten Halbleitermaterial
zunächst
durch anisotropes Ätzen
eine Membran erzeugt, welche in einem weiteren Arbeitsgang entsprechend
dem gewünschten
Teilverhältnis
strukturiert wird. Das Silizium bildet den mechanischen Rahmen des
Strahlteilers. Bei Bedarf kann der Siliziumchip in eine weitere
Fassung, z.B. einen Metall- oder Kunststoffrahmen, eingebettet werden.
Der Silizumwafer wird beidseitig mit Siliziumdioxid und Siliziumnitrid
beschichtet. Die notwendigen photolithographischen Schritte zur Definition
des Rahmens und der Durchgangsöffnungen
finden vor dem großen Ätzangriff
auf das Silizium ebenfalls auf beiden Seiten des Wafers statt. Auf
der Vorderseite wird die Siliziumnitridmaske und auf der Rückseite
die Siliziumdioxid und eine Siliziumnitridmaske zur Bildung der
Durchgangsöffnungen
geöffnet
bzw. perforiert. Im Anschluss wird mittels anisotroper Ätztechnik(en)
das Silizium weggeräumt,
bis eine dünne
Membranschicht übrig
bleibt. In der Folge wird der SiO2-Anteil der
Membran vollständig
weggeätzt. Übrig bleibt
ein Gitter aus Siliziumnitrid, welches von der Vorderseite mit Aluminium
metallisiert wird. Im Anschluss daran werden dann die Strahlteilerchips
in einem Sägeprozess
vereinzelt und bei Bedarf eingefasst. Die Membran besteht entweder
nur aus SiO2 oder nur aus Si3N4. Alternativ wird die Membran aus hochdotiertem
Silizium gebildet oder aus Kombinationen aus den genannten Schichten.
Der Herstellungsprozess kann in bekannter Weise vielfältig variiert
werden.
-
Anhand
der 4a und 4b soll
nun gezeigt werden, wie das Strahlteilungsverhältnis zwischen reflektiertem
und transmittiertem Strahl allein aufgrund der Abmessungen des Strahlteilers
einstellbar ist und welche geometrischen Randbedingungen dabei zu
berücksichtigen
sind. Die Figuren zeigen eine vergrößerte seitliche Schnittansicht
eines Membranausschnittes mit Stegen 50 und Durchgangsöffnungen 51.
-
Die
in 4a gezeigte, die tatsächlichen Abmessungen nur sehr
schematisch wiedergebende Darstellung einer Ausführungsform der Membran zeichnet
sich gegenüber
der in 4b gezeigten Membran zunächst durch
eine geringere Membrandicke 52 aus. Im Idealfall ist die
Membrandicke 52 dabei wesentlich geringer als die Lateralabmessungen der
Durchgangsöffnungen 53 sowie
der Stege 54. Die geringere Dicke hat den Vorteil, dass
ein einfallendes Strahlenbündel 55 beim
Durchgang durch die Durchgangsöffnungen 51 nur
relativ gering an der Innenseite der jeweilgen Durchgangsöffnungen
reflektiert wird und somit die Intensintät des transmittierten Teilstrahls 56 wesentlich
größer ist
als die Intensität des
reflektiert-transmittierten Teilstrahls 56'. Das Strahlteilungsverhältnis zwischen
dem transmittierten Teilstrahl 56 und dem reflektierten
Teilstrahl 57, d.h. das jeweilige Verhältnis der Intensitäten dieser Teilstrahlen,
ist in dem Beispiel wesentlich kleiner als 1, da der Durchgangsöffnungsquerschnitt 53 entsprechend
kleiner ist als die Breite 54 bzw. die Fläche der
Stege 50.
-
Bei
der in 4b ebenfalls nur schematisch wiedergegebenen
Ausführungsform
der Membran ist nun die Membrandicke 58 wesentlich größer als
die Stegbreite 60, was beispielsweise herstellungsbedingt
oder durch das jeweils verwendete Membranmaterial gegeben sein kann.
Die Membrandicke kann, entgegen dem gezeigten Beispiel, sogar wesentlich
größer sein
als der Durchgangsöffnungsquerschnitt 59.
Ein einfallendes Strahlenbündel 61 teilt
sich wiederum in einen transmittierten Strahlenteil 62 und
in einen reflektierten Strahlenteil 63 auf. Aufgrund der
größeren Membrandicke 58 kommt
es hier, gegenüber
zur Ausführung
gemäß 4a,
vermehrt zu Reflexionen 64, allerdings führen diese
Reflexionen die entsprechenden Teilstrahlen 64 meist aus
der optischen Achse heraus und wirken sich daher in den meisten
Fällen
nicht störend
aus. Im Gegenteil können
diese reflektiert-transmittierten Teilstrahlen 64 sogar
gezielt zu einer dreifachen Strahlteilung ausgenutzt werden.
-
5a,
b zeigen schematisch Membranausschnitte in Draufsicht zweier alternativer
Ausführungsformen
mit unterschiedlichem Punktraster und kreisförmiger Ausgestaltung der Durchgangsöffnungen. 5a zeigt
einen Membranausschnitt 70 mit einer kubisch angelegten
Rasteranordnung mit Durchgangsöffnungsquerschnitten 71 und
Abständen 72 zwischen
den Durchgangsöffnungen.
Der in 5b gezeigte Membranausschnitt 73 weist
dagegen eine hexagonale Anordnung der Durchgangsöffnungen mit jeweiligen Abständen 75 und
Stegbreiten 75. Der Vorteil einer dichtestens Packung der
Durchgangsöffnungen
gemäß 5b gegenüber der
kubischen Anordnung gemäß 5a liegt
darin, dass der Transmissionsanteil gegenüber dem Reflexionsanteil trotz
einer stabilen Auslegung der Zwischenstege 76 erheblich
verbessert werden kann.
-
In 6 ist
schließlich
eine optische Messanordnung 80 enthaltend einen erfindungsgemäßen Strahlteiler
schematisch dargestellt. Die Messanordnung 80 weist eine
Streulinse 81 auf, mittels der ein einfallender Strahl 82,
beispielsweise ein Laserstrahl, so aufgeweitet 83 wird,
dass er auf einen erfindungsgemäßen Strahlteiler
bzw. seine Membran 84 möglichst
flächenabdeckend
auftrifft. Der Strahlteiler 84 ist gegenüber der
Orthogonalen zur optischen Achse unter einem Winkel ϕ 85 angeordnet.
Das einfallende Strahlenbündel 83 wird
in einen transmittierten Strahlenteil 86 und einen reflektierten
Strahlenteil 87 aufgeteilt, wobei der Reflexionswinkel ϑ 88 im
Wesentlichen durch den Kippwinkel ϕ 85 bestimmt
ist.