DE10356654A1 - Removal of metal layers used in fabricating semiconductor device comprises removing metal layers with cleaning solution comprising acid solution and oxidation agent containing iodine - Google Patents

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Abstract

Metal layers are removed by using cleaning solution comprising acid solution and oxidation agent containing iodine. Independent claims are also included for a method of selectively removing photoresist layer and organic materials in fabricating process of semiconductor devices using the cleaning solution; and a method of selectively removing metal layer in a process for forming silicide layer comprising forming silicon pattern over substrate (100), forming metal layer over substrate, performing silicide thermal treatment to form metal silicide layer from silicidation reaction between silicon and metal layer, and cleaning a non-reacting metal layer that does not participate in the silicidation reaction using the cleaning solution.

Description

GEBIET DER ERFINDUNGAREA OF INVENTION

Die vorliegende Erfindung betrifft allgemein ein Verfahren zum Entfernen von unerwünschten Schichten in Halbleitervorrichtungen und insbesondere eine Lösung und ein Verfahren zum Entfernen von unerwünschten Schichten, die in einem Silidationsverfahren ausgebildet worden sind.The present invention relates to generally a method of removing unwanted layers in semiconductor devices and especially a solution and a method for removing unwanted layers in one Silidation procedures have been trained.

HINTERGRUND DER ERFINDUNGBACKGROUND THE INVENTION

Ein herkömmliches Halbleiterherstellungsverfahren enthält unter anderem ein photolithographisches Verfahren zum Ausbilden einer Isolationsschicht und einer Leitungsschicht auf einem Substrat. Das photolithographische Verfahren weist ein Ausbilden eines Photoresistmusters auf einer darunterliegenden Schicht, die zu mustern ist, auf, sowie ein Ätzen der Schicht, die durch das Photoresistmuster freigelegt worden ist, und ein anschließendes Entfernen des Photoresistmusters. Außerdem können organische Materialien oder ein Polymer durch die Reaktion zwischen der zu ätzenden unterliegenden Schicht und dem Ätzgas entstehen. Das Photoresistmuster und die organischen Materialien oder Polymere werden herkömmlicherweise durch ein Sauerstoffplasmaveraschen (oxygen plasma ashing) und ein Schwefelsäure-Strip-Verfahren entfernt.A conventional semiconductor manufacturing process contains among other things, a photolithographic process for formation an insulation layer and a line layer on a substrate. The photolithographic method involves forming a photoresist pattern on an underlying layer to be patterned on, as well as an etching of the Layer that has been exposed by the photoresist pattern and a subsequent one Remove the photoresist pattern. It can also use organic materials or a polymer by the reaction between the one to be etched underlying layer and the etching gas arise. The photoresist pattern and organic materials or polymers are becoming conventional by oxygen plasma ashing and an Sulfuric acid strip method away.

Die Betriebsgeschwindigkeit der Vorrichtungen weist einen engen Bezug zu den Widerständen der Source/Drain-Bereiche auf. Um die Betriebsgeschwindigkeit einer Vorrichtung zu erhöhen wird daher ein Metall-Silidationsverfahren für das Ausbilden von Halbleitervorrichtungen verwendet. Das Silidationsverfahren weist ein Ausbilden einer Kobaltsilizidschicht auf, die einen geringeren Widerstand als Silizium aufweist, aus bzw. durch eine Reaktion zwischen Kobalt und Silizium einer vorbestimmten Temperatur auf. Bei dem Silidationverfahren sollte das Kobalt, das nicht reagiert hat, entfernt werden, ohne die Kobaltsilizidschicht zu entfernen.The operating speed of the devices has a close relationship to the resistances of the source / drain regions on. To increase the operating speed of a device hence a metal silidation process for forming semiconductor devices used. The silidation process involves forming a cobalt silicide layer which has a lower resistance than silicon or by a reaction between cobalt and silicon of a predetermined Temperature up. In the silidation process, the cobalt, the has not responded to be removed without the cobalt silicide layer to remove.

Bei einem herkömmlichen Kobaltsilizidverfahren wird überdies eine Titannitridschicht ausgebildet, um so eine Oxidation des Kobalts und eine Agglomeration der Silizidschicht in dem Silizidverfahren zu verhindern. Daher sollte bzw. muß nach der Ausbildung der Silizidschicht auch die Titannitridschicht entfernt werden.In a conventional cobalt silicide process will also a titanium nitride layer is formed so as to oxidize the cobalt and agglomeration of the silicide layer in the silicide process prevent. Therefore, after the formation of the silicide layer, should or must the titanium nitride layer can also be removed.

Falls diese Schichten nicht entfernt werden, können diese Schichten als Verunreinigungsquellen dienen und einen elektrischen Kurzschluß mit benachbarten Leitern bilden.If these layers are not removed can be these layers serve as sources of contamination and an electrical one Short circuit with form adjacent conductors.

Herkömmlicherweise werden bei dem Silidationsverfahren die Metallschichten, die nicht reagiert haben, und die Titannitridschichten durch ein Lösungsgemisch entfernt, das Peroxid (H2O2) enthält, d.h. ein starkes Oxidationsmittel.Conventionally, in the silidation process, the metal layers that have not reacted and the titanium nitride layers are removed by a mixed solution containing peroxide (H 2 O 2 ), that is, a strong oxidizing agent.

Da aus ökonomischer Sicht die Halbleitervorrichtungen immer höher integriert werden, kann eine herkömmliche Polysilizium-Gate-Elektrode die Ansprüche an eine geeignete Betriebsgeschwindigkeit und die Eigenschaft an den Schichtwiderstand (sheet resistance) der Gate-Elektrode nicht länger erfüllen. Daher wird eine Metallschicht, wie etwa eine Wolframschicht, welche einen Widerstand aufweist, der geringer ist als der der Polysiliziumschicht, auf der Polysilizium-Gate-Elektrode aufgebracht, um eine Metall-Gate-Elektrode auszubilden. Daher sollte das einen niedrigen Widerstand aufweisende Wolfram-Gate ebenso nicht geätzt (bzw. entfernt) werden. Außerdem sollte eine Metallzwischenverbindung mit Wolfram (z.B. eine Wortleitung oder eine Bitleitung) nicht durch die Reinigungslösung geätzt werden.Because from an economic point of view, the semiconductor devices higher and higher can be integrated, a conventional polysilicon gate electrode the requirements to an appropriate operating speed and property not the sheet resistance of the gate electrode longer fulfill. Therefore, a metal layer, such as a tungsten layer, which has a resistance which is lower than that of the polysilicon layer, applied to the polysilicon gate electrode to form a metal gate electrode train. Therefore, it should have a low resistance Tungsten gate also not etched (or removed). Moreover should have a metal interconnect with tungsten (e.g. a word line or a bit line) cannot be etched by the cleaning solution.

Das bei den herkömmlichen Silidationsverfahren verwendete Peroxid ätzt jedoch das Wolfram. Daher können Hochgeschwindigkeitsvorrichtungen nicht unter Verwendung des herkömmlichen Peroxids ausgebildet werden.That with the conventional silidation processes Peroxide used etches however, the tungsten. Therefore can High speed devices not using the conventional one Peroxide are formed.

Da jedoch der Bedarf an Hochgeschwindigkeitsvorrichtungen weiter ansteigt, besteht demgemäß ein Bedarf nach einer neuen Reinigungslösung, die selektiv Metallschichten, wie etwa eine Titannitridschicht und eine Kobaltschicht selektiv entfernen kann, ohne dabei das Entfernen von Metallschichten wie etwa eine Kobaltsilizidschicht oder eine Wolframschicht zu fördern.However, because of the need for high speed devices accordingly, there is a need for a new cleaning solution that selectively metal layers, such as a titanium nitride layer and a Can remove cobalt layer selectively without removing it of metal layers such as a cobalt silicide layer or a Promote tungsten layer.

Die Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es daher, eine Reinigungslösung sowie ein Verfahren, das diese Reinigungslösung verwendet, zum selektiven Entfernen von Schichten bei einer Halbleiterherstellung zu schaffen, das dem oben genannten Bedarf Rechnung trägt.The object of the present invention is therefore a cleaning solution and a method using this cleaning solution for selective To remove layers in a semiconductor manufacturing process that takes account of the above-mentioned needs.

Diese Aufgabe wird jeweils durch die Merkmale der Ansprüche 1, 7, 11, 25 und 35 gelöst. Vorteilhafte Ausgestaltungen und Weiterbildungen einer solchen Reinigungslösung bzw. eines solchen Verfahrens bilden Gegenstand der den unabhängigen Ansprüchen nachgeordneten Ansprüche, deren Inhalt hierdurch ausdrücklich zum Bestandteil der Beschreibung gemacht wird, ohne an dieser Stelle den Wortlaut zu wiederholen.This task is accomplished by the characteristics of the claims 1, 7, 11, 25 and 35 solved. Advantageous refinements and developments of such a cleaning solution or such a method form the subject of the independent claims Expectations, the content of which is hereby expressly stated is made part of the description without going at this point to repeat the wording.

Ein Aspekt der vorliegenden Erfindung ist es, eine Reinigungslösung vorzusehen, die eine Titannitridschicht und eine Metallschicht, die nicht in einem Silidationsverfahren reagiert hat, selektiv zu entfernen, sowie ein Verfahren zum Entfernen der Titannitridschicht und der Metallschicht, die nicht reagiert hat, unter Verwendung dieser Reinigungslösung.One aspect of the present invention is a cleaning solution to provide a titanium nitride layer and a metal layer, that did not react in a silidation process, selectively remove, and a method of removing the titanium nitride layer and using the metal layer that has not responded this cleaning solution.

Es ist ein anderer Aspekt der vorliegenden Erfindung, eine Reinigungslösung zu schaffen. die das Titannitrid und die Metallschicht, die nicht reagiert hat, selektiv zu entfernen, ohne dabei Wolfram und Silizidschichten bei einem Silidationsverfahren, das ein Wolfram-Gate-Verfahren verwendet, zu entfernen, sowie ein Verfahren zum Entfernen der Schichten unter Verwendung dieser Reinigungslösung.It is another aspect of the present invention to provide a cleaning solution. which selectively remove the titanium nitride and the unreacted metal layer without removing tungsten and silicide layers in a silicidation process using a tungsten gate process and a process for removing the Layers using this cleaning solution.

Es ist ferner ein Aspekt der vorliegenden Erfindung, eine Reinigungslösung zu schaffen, die Metallschichten selektiv entfernt und ebenso eine Photoresistschicht und organische Materialien in dem Silidationsverfahren entfernt, sowie ein Verfahren zum Entfernen der Schichten unter Verwendung dieser Reinigungslösung.It is also an aspect of the present Invention, a cleaning solution to create the metal layers selectively removed and also one Photoresist layer and organic materials in the silidation process removed, as well as a method of removing the layers underneath Use this cleaning solution.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung, enthält die Reinigungslösung eine Säurelösung und ein Oxidationsmittel, das Jod enthält. Die Reinigungslösung kann ferner Wasser enthalten. Dies dient dem Erhöhen eines Dissoziationsgrades der Säurelösung und des Jod enthaltenden Oxidationsmittels. Somit wird die Reinigungsfähigkeit des Oxidationsmittels und der Säurelösung verbessert. Bei einer beispielhaften Ausführungsform enthält die Reinigungslösung Wasser in einer Menge von ungefähr 30 wt% oder weniger, und ein Jod enthaltendes Oxidationsmittel in einer Menge von 0,003 bis 10 wt%. Die Säurelösung kann Schwefelsäure, Phosphorsäure oder eine Mischung daraus enthalten. Das Oxidationsmittel, das Jod enthält, enthält ein oder mehrere Jodate, wie etwa KIO3, NHI4O3, LiIO3, CaIO3 und BaIO3. Falls die Reinigungslösung Wasser enthält, kann das Jod enthaltende Oxidationsmittel neben den Jodaten ferner KI, NH4I oder ein Gemisch daraus enthalten. Das heißt, das Oxidationsmittel, das Jod enthält, enthält zumindest eine Verbindung aus der Gruppe bestehend aus KIO3, NH4IO3, LiIO3, CaIO3, BaIO3, KI und NH4I. Falls die Schwefelsäure als die Säurelösung verwendet wird, kann die Konzentration der Schwefelsäure ungefähr 96% oder mehr betragen.According to at least one embodiment of the present invention, the cleaning solution contains an acid solution and an oxidizing agent that contains iodine. The cleaning solution can also contain water. This serves to increase a degree of dissociation of the acid solution and the oxidizing agent containing iodine. The cleaning ability of the oxidizing agent and the acid solution is thus improved. In an exemplary embodiment, the cleaning solution contains water in an amount of about 30 wt% or less and an oxidizing agent containing iodine in an amount of 0.003 to 10 wt%. The acid solution can contain sulfuric acid, phosphoric acid or a mixture thereof. The oxidizing agent containing iodine contains one or more iodates such as KIO 3 , NHI 4 O 3 , LiIO 3 , CaIO 3 and BaIO 3 . If the cleaning solution contains water, the iodine-containing oxidizing agent can also contain KI, NH 4 I or a mixture thereof in addition to the iodates. That is, the oxidizing agent containing iodine contains at least one compound from the group consisting of KIO 3 , NH 4 IO 3 , LiIO 3 , CaIO 3 , BaIO 3 , KI and NH 4 I. If sulfuric acid is used as the acid solution , the concentration of sulfuric acid can be about 96% or more.

Die Säurelösung und das Jod enthaltende Oxidationsmittel entfernen wirksam Titannitrid und Kobalt und entfernen ebenso eine Photoresistschicht und organische Materialien. Andererseits ätzen die Säurelösung und das Jod enthaltende Oxidationsmittel nicht eine Kobaltsilizidschicht und Wolfram. Das Jod enthaltende Oxidationsmittel reagiert mit Silizium einer Metallsilizidschicht und bildet ein Siliziumoxid (SiOx) darauf als eine Passivierungsschicht. Die Siliziumoxidschicht weist einen sehr starken Säure schutz gegen die Schwefelsäure auf. Daher ist die Metallsilizidschicht geschützt. Außerdem reagiert das Jod enthaltende Oxidationsmittel mit Wolfram und bildet eine Passivierungsschicht, wie etwa Wolframtrioxid (WO3) darauf aus. Die Wolframtrioxidierungsschicht ist eine sehr stabile Schicht in einer sauren Lösung. Daher wird Wolfram vor Korrosion geschützt.The acid solution and oxidizing agent containing iodine effectively remove titanium nitride and cobalt and also remove a photoresist layer and organic materials. On the other hand, the acid solution and the oxidizing agent containing iodine do not etch a cobalt silicide layer and tungsten. The oxidizing agent containing iodine reacts with silicon of a metal silicide layer and forms a silicon oxide (SiO x ) thereon as a passivation layer. The silicon oxide layer has a very strong acid protection against the sulfuric acid. The metal silicide layer is therefore protected. In addition, the oxidizing agent containing iodine reacts with tungsten and forms a passivation layer, such as tungsten trioxide (WO 3 ) thereon. The tungsten trioxide layer is a very stable layer in an acidic solution. Therefore, tungsten is protected against corrosion.

Die Reinigungsfähigkeit der Reinigungslösung ist proportional zur Temperatur. Beispielsweise kann die Reinigung bei einem Temperaturbereich von ungefähr Raumtemperatur bis ungefähr 120° ausgeführt werden. Die Reinigungskapazität der Reinigungslösung ist ebenso proportional zu der hinzugegebenen Menge an Wasser. Die Wassermenge, die der Reinigungslösung zugegeben wird, beträgt ungefähr 30 wt% oder weniger.The cleanability of the cleaning solution is proportional to temperature. For example, cleaning at a temperature range from about room temperature to about 120 °. The cleaning capacity the cleaning solution is also proportional to the amount of water added. The Amount of water that the cleaning solution added is approximately 30 wt% Or less.

Ein Verfahren zum selektiven Entfernen einer Metallschicht gemäß einer Ausführungsform der Erfindung enthält die folgenden Schritte. Ein Transistor wird auf einem Siliziumsubstrat ausgebildet. Der Transistor enthält Source/Drain-Bereiche und eine Gate-Elektrode. Eine Metallschicht, die die Silizidschicht ausbildet, wird über dem freigelegten Substrat ausgebildet. Eine Titannitridschicht wird über der Metallschicht ausgebildet. Ein thermisches Silidationsverfahren wird ausgeführt, um das Silizium mit der Metallschicht reagieren zu lassen. Das heißt, das Silizium des freigelegten Source/Drain-Bereiches und die Metallschicht, die damit direkt in Kontakt steht, reagieren miteinander, um eine Metallsilizidschicht auszubilden. Unter Verwendung einer Reinigungslösung wird eine Metallschicht, die bei dem Silidationsverfahren nicht reagiert hat, und die Titannitridschicht entfernt. In diesem Fall enthält die Reinigungslösung eine Säurelösung und ein Oxidationsmittel, das Jod enthält. Vorzugsweise enthält die Reinigungslösung ferner Wasser. Die Reinigungslösung kann Wasser in einer Menge von ungefähr 30 wt% oder weniger, und das Jod enthaltende Oxidationsmittel in einer Menge von ungefähr 0,003 bis 10 wt% enthalten.A method of selective removal a metal layer according to one embodiment of the invention the following steps. A transistor is placed on a silicon substrate educated. The transistor contains Source / drain areas and a gate electrode. A layer of metal, which forms the silicide layer, is over the exposed substrate educated. A titanium nitride layer is formed over the metal layer. A thermal silidation process is carried out to the silicon with the Metal layer to react. That is, the silicon of the exposed Source / drain area and the metal layer that is directly in it Contact is made to react with each other to form a metal silicide layer train. Using a cleaning solution, a metal layer, that did not react in the silidation process, and the titanium nitride layer away. In this case contains the cleaning solution an acid solution and an oxidizing agent that contains iodine. The cleaning solution preferably also contains Water. The cleaning solution can Water in an amount of approximately 30 wt% or less, and the oxidizing agent containing iodine in a lot of about Contain 0.003 to 10 wt%.

Eine beispielhafte Ausführungsform für ein Verfahren zum Ausbilden des Transistors enthält die folgenden Schritte.An exemplary embodiment for a procedure to form the transistor includes the following steps.

Eine Gate-Isolationsschicht, eine Polysiliziumschicht, eine Wolframschicht und eine Deckisolationsschicht werden sequentiell auf dem Siliziumsubstrat ausgebildet. Ein Photoresistmuster wird über der Decknitridschicht ausgebildet und unter Verwendung des Photoresistmusters als eine Ätzmaske werden die darunter ausgebildeten Schichten sukzessiv geätzt, um die Gate-Elektrode auszubilden. Anschließend wird das Photoresistmuster entfernt. Die Source/Drain-Bereiche werden in dem Siliziumsubstrat zu beiden Seiten der Gate-Elektrode durch Durchführen eines Jonenimplantationsverfahrens ausgebildet und Nitrid-Spacer werden auf den Seitenwänden der Gate-Elektrode ausgebildet. In diesem Fall kann das Photoresistmuster unter Verwendung der Reinigungslösung entfernt werden. Die Metallschicht enthält zumindest Kobalt, Titan oder Nickel.One gate insulation layer, one Polysilicon layer, a tungsten layer and a cover insulation layer are sequentially formed on the silicon substrate. A photoresist pattern is about the Cover nitride layer formed and using the photoresist pattern as an etching mask the layers formed below are successively etched in order to to form the gate electrode. Then the photoresist pattern away. The source / drain regions are in the silicon substrate on either side of the gate electrode by performing an ion implantation procedure and nitride spacers are formed on the side walls of the gate electrode educated. In this case, the photoresist pattern can be used the cleaning solution be removed. The metal layer contains at least cobalt, titanium or nickel.

Gemäß dem vorstehend erwähnten Verfahren ätzt die Lösungsschicht nicht eine Metallsilizidschicht und Wolfram, die eine Gate-Elektrode mit einem niedrigen Widerstand bilden, sondern ätzt selektiv eine Titannitridschicht und eine Metallschicht, die nicht reagiert hat. Daher können eine Silidationsverfahren und ein Wolframmetall-Gate-Verfahren zusammen verwendet werden.According to the above-mentioned method, the solution layer not a metal silicide layer and tungsten, which is a gate electrode with a low resistance, but selectively etches a titanium nitride layer and a metal layer that didn't respond. Therefore, one Silidation process and a tungsten metal gate process can be used together.

Eine Ausführungsform des Verfahrens zum Ausbilden eines Transistors kann die folgenden Schritte aufweisen. Eine Gate-Isolationsschicht und eine Polysiliziumschicht werden sequentiell über dem Siliziumsubstrat ausgebildet. Ein Photoresistmuster wird über der Polysiliziumschicht ausgebildet und die Gate-Elektrode wird durch ein sukzessives Ätzen der darunter ausgebildeten Schichten unter Verwendung des Photoresistmusters als eine Ätzmaske ausgebildet. Anschließend wird das Photoresistmuster entfernt. Die Source/Drain-Bereiche werden in dem Siliziumsubstrat zu beiden Seiten der Gate-Elektrode durch Durchführen eines Ionen-Implantationsverfahrens ausgebildet. Nitrid-Spacer werden auf den Seitenwänden der Gate-Elektrode ausgebildet. Wenn die Metallsilizidschicht in den Source/Drain-Bereichen durch eine thermische Silizidbehandlung ausgebildet wird, wird ebenso eine Metallsilizidschicht auf dem Polysilizium an einem oberen Teil der Gate-Elektrode ausgebildet. Somit ist die vorliegende Erfindung auf CMOS-Transistoren anwendbar, welche ein Dual-Polysilizium-Gate verwenden. Das Dual-Polysilizium-Gate wird durch Implantieren von Störstellen des p-Typs in PMOS und durch Störstellen vom n-Typ in NMOS ausgebildet. In diesem Fall kann das Photoresistmuster unter Verwendung der Reinigungslösung entfernt werden.An embodiment of the method for forming a transistor can have the following steps. A gate insulation layer and a polysilicon layer are sequentially formed over the silicon substrate. A photoresist Pattern is formed over the polysilicon layer and the gate electrode is formed by successively etching the layers formed below using the photoresist pattern as an etching mask. The photoresist pattern is then removed. The source / drain regions are formed in the silicon substrate on both sides of the gate electrode by performing an ion implantation process. Nitride spacers are formed on the side walls of the gate electrode. When the metal silicide layer is formed in the source / drain regions by thermal silicide treatment, a metal silicide layer is also formed on the polysilicon at an upper part of the gate electrode. Thus, the present invention is applicable to CMOS transistors that use a dual polysilicon gate. The dual polysilicon gate is formed by implanting p-type impurities in PMOS and n-type impurities in NMOS. In this case, the photoresist pattern can be removed using the cleaning solution.

KURZE BESCHREIBUNG DER ZEICHNUNGSHORT DESCRIPTION THE DRAWING

Andere Aspekte und Merkmale der vorliegenden Erfindung werden im folgenden aus der detaillierten Beschreibung im Zusammenhang mit der beiliegenden Zeichnung, die Ausführungsformen der Erfindung darstellt, ersichtlich. Ebenso ist es jedoch offensichtlich, daß die Zeichnungen lediglich zu illustrativen Zwecken gedacht sind und nicht als eine Begrenzung des Umfangs der Erfindung.Other aspects and features of the present Invention will become apparent from the detailed description hereinafter in connection with the accompanying drawing, the embodiments represents the invention can be seen. However, it is also obvious that the Drawings are intended for illustrative purposes only and not as a limitation on the scope of the invention.

1 ist eine schematische Querschnittsansicht eines Substrats mit einer Wolframschicht und einer Titannitridschicht, einer Kobaltschicht oder einer Photoresistschicht, die selektiv entfernt werden kann, gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung. 1 FIG. 10 is a schematic cross-sectional view of a substrate having a tungsten layer and a titanium nitride layer, a cobalt layer, or a photoresist layer that can be selectively removed, according to an embodiment of the present invention.

2 ist eine schematische Querschnittsansicht einer resultierenden Substratstruktur ohne eine Titannitridschicht, eine Kobaltschicht oder eine Photoresistschicht, die selektiv von dem Substrat der 2 entfernt worden ist. 2 FIG. 10 is a schematic cross-sectional view of a resulting substrate structure without a titanium nitride layer, a cobalt layer, or a photoresist layer that is selective from the substrate of FIG 2 has been removed.

3 bis 6 sind Querschnittsansichten, die Schritte eines selektiven Entfernens von Metallschichten unter Verwendung einer Ausführungsform einer Reinigungslösung der vorliegenden Erfindung zeigen. 3 to 6 14 are cross-sectional views showing steps of selectively removing metal layers using an embodiment of a cleaning solution of the present invention.

7 bis 12 sind Querschnittsansichten, die Schritte eines selektiven Entfernens von Metallschichten unter Verwendung einer Reinigungs lösung der vorliegenden Erfindung in einem Silidationsverfahren gemäß einer beispielhaften Ausführungsform zeigen. 7 to 12 14 are cross-sectional views showing steps of selectively removing metal layers using a cleaning solution of the present invention in a silidation process according to an exemplary embodiment.

13 und 14 sind Querschnittsansichten, die Schritte eines selektiven Entfernens von Metallschichten unter Verwendung einer Reinigungslösung der vorliegenden Erfindung in einem Silidationsverfahren gemäß einer anderen beispielhaften Ausführungsform zeigen. 13 and 14 14 are cross-sectional views showing steps of selectively removing metal layers using a cleaning solution of the present invention in a silidation process according to another exemplary embodiment.

Die vorliegende Erfindung wird im folgenden unter Bezugnahme auf die beiliegende Zeichnung, in welcher bevorzugte Ausführungsformen der Erfindung gezeigt sind, eingehender beschrieben. Die Erfindung kann jedoch in zahlreichen verschiedenen Formen ausgeführt sein und sollte nicht auf die hier dargestellten Ausführungsformen beschränkt ausgelegt werden. Vielmehr dienen diese Ausführungsformen dazu, die Offenbarung sorgfältig und vollständig zu machen, sowie dem Fachmann den Umfang der Erfindung vollständig zu vermitteln. Bei den Figuren der Zeichnung ist die Dicke der Schichten und Bereiche aus Gründen der Klarheit übertrieben dargestellt. Ebenso ist es offensichtlich, daß wenn eine Schicht als auf "auf" einer anderen Schicht oder einem anderen Substrat bezeichnet wird, diese direkt auf der anderen Schicht oder dem anderen Substrat sich befinden kann, oder ebenso dazwischenliegende Schichten vorhanden sein können.The present invention is described in following with reference to the accompanying drawing, in which preferred embodiments of the invention are described in more detail. The invention can, however, be implemented in numerous different forms and should not be limited to the embodiments shown here become. Rather, these embodiments serve the purpose of disclosure careful and completely too make, as well as the expert fully the scope of the invention convey. In the figures of the drawing is the thickness of the layers and areas for reasons exaggerated in clarity shown. Likewise, it is obvious that if one layer is on top of another layer or another substrate is called, this directly on the another layer or the other substrate, or intermediate layers may also be present.

1 stellt schematisch ein Substrat 11 mit einer Schicht 13 dar, die nicht geätzt werden soll (oder entfernt werden soll), sowie eine Schicht 15, die darauf ausgebildet ist, und die selektiv geätzt (oder entfernt) werden soll. Die Schicht 13, die nicht geätzt werden soll, ist eine von den Schichten, die nicht durch die Reinigungslösung der vorliegenden Erfindung geätzt werden sollen. Beispielsweise enthält die Schicht 13 Wolf ram oder ein Metallsilizid. Dagegen enthält die Schicht 15 beispielsweise Titannitrid, Kobalt, organisches Material oder Photoresistmaterial. 1 schematically represents a substrate 11 with one layer 13 that should not be etched (or removed) and a layer 15 that is formed thereon and that is to be selectively etched (or removed). The layer 13 which is not to be etched is one of the layers which is not to be etched by the cleaning solution of the present invention. For example, the layer contains 13 Wolf ram or a metal silicide. In contrast, the layer contains 15 for example titanium nitride, cobalt, organic material or photoresist material.

Ferner können Zwischensichten zwischen dem Substrat 11 und der nicht geätzten Schicht 13, sowie zwischen der nicht geätzten Schicht 13 und der geätzten Schicht 15 angeordnet sein.Furthermore, intermediate views between the substrate 11 and the non-etched layer 13 , as well as between the non-etched layer 13 and the etched layer 15 be arranged.

Gemäß 2 wird unter Verwendung der Reinigungslösung gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung lediglich die Schicht 15, die geätzt werden soll, bei einer geeigneten Temperatur selektiv geätzt. Die Reinigungslösung enthält eine Säurelösung und ein Oxidationsmittel, das Jod (I) enthält. Schwefelsäure, Phosphorsäure oder eine Gemisch daraus kann als die Säurelösung verwendet werden. Das Jod enthaltende Oxidationsmittel enthält zumindest eine Verbindung aus der Gruppe bestehend aus KIO3, NH4IO3, LiIO3, CaIO3, BaIO3, KI, NH4I.According to 2 using only the cleaning solution according to an embodiment of the present invention 15 selectively etched at an appropriate temperature. The cleaning solution contains an acid solution and an oxidizing agent that contains iodine (I). Sulfuric acid, phosphoric acid or a mixture thereof can be used as the acid solution. The iodine-containing oxidizing agent contains at least one compound from the group consisting of KIO 3 , NH 4 IO 3 , LiIO 3 , CaIO 3 , BaIO 3 , KI, NH 4 I.

Die Reinigungslösung kann ferner Wasser enthalten, um so die Reinigungsfähigkeit der Säurelösung und des Jod enthaltenden Oxidationsmittels zu verbessern. Wasser erhöht den Dissoziationsgrad der Säurelösung und des Jod enthaltenden Oxidationsmittels. Daher ist das hinzugegebene Wasser proportional zu der Reinigungskapazität der Reinigungslösung. Die Reinigungslösung kann Wasser von ungefähr 30 wt% oder weniger enthalten. Die Reinigungslösung kann das Jod enthaltende Oxidationsmittel mit ungefähr 0,003 bis 10 wt% enthalten.The cleaning solution may further contain water so as to improve the cleaning ability of the acid solution and the iodine-containing oxidizing agent. Water increases the degree of dissociation of the acid solution and the oxidizing agent containing iodine. Therefore, the water added is proportional to the cleaning capacity of the cleaning solution. The cleaning solution can contain water of about 30 wt% or less. The Cleaning solution can contain the oxidizing agent containing iodine in about 0.003 to 10 wt%.

Die Reinigungszeit verhält sich umgekehrt proportional zur Temperatur. Das heißt, die Reinigungskapazität ist proportional zur Temperatur. Die Reinigung kann von Raumtemperatur ab bis etwa 120°C durchgeführt werden. Jedoch können Abhängig von dem Verfahren die Verfahrensbedingungen geändert werden und dies ist dem Fachmann offensichtlich.The cleaning time behaves inversely proportional to temperature. That means the cleaning capacity is proportional to temperature. Cleaning can be carried out from room temperature up to around 120 ° C. However, can Dependent of the process the process conditions are changed and this is the Expert obviously.

3 bis 6 sind Querschnittsansichten, die Schritte des selektiven Entfernens von unerwünschten Schichten in einem Silidationsverfahren des Herstellungsverfahrens für Halbleiter zeigt. 3 to 6 FIG. 14 are cross sectional views showing steps of selectively removing unwanted layers in a silidation process of the semiconductor manufacturing process.

Wie in 3 gezeigt ist ein Substrat 31 vorgesehen, das ein aus Silizium bestehendes Leitungsmuster 35 enthält. Eine Schicht 33, die kein Silizium aufweist, ist ferner zwischen dem Siliziummuster 35 und dem Substrat 31 angeordnet. Das Silizium enthaltenden Leitungsmuster 35 ist mit einer beliebigen Form auf einer Oberfläche der Schicht 33, die kein Silizium aufweist, ausgebildet. Das Leitungsmuster 35 kann innerhalb der Schicht 33 ausgebildet sein. Für den Fall, daß das Leitungsmuster 35 innerhalb der Schicht 33 ausgebildet ist, kann das Siliziumleitungsmuster 35 lediglich an einer oberen Oberfläche freigelegt sein. Außerdem kann eine andere Schicht, beispielsweise eine Isolationsschicht an beiden Seitenwänden des Siliziumleitungsmusters 35 ausgebildet sein. In diesem Fall kann das Siliziumleitungsmuster 35 lediglich an seiner oberen Oberfläche freigelegt sein. In jedem dieser Fälle reagiert das freigelegte Siliziumleitungsmuster 35 mit einer Metallschicht, die damit direkt in Kontakt steht, und bildet eine Silizidschicht aus. Anschließend wird die Silizidschicht durch Zwischenverbindungen in einem darauffolgenden Verfahren elektrisch verbunden.As in 3 a substrate is shown 31 provided that a line pattern made of silicon 35 contains. A layer 33 that has no silicon is also between the silicon pattern 35 and the substrate 31 arranged. The line pattern containing silicon 35 is of any shape on a surface of the layer 33 that does not have silicon. The line pattern 35 can within the layer 33 be trained. In the event that the line pattern 35 within the layer 33 is formed, the silicon line pattern 35 only be exposed on an upper surface. In addition, another layer, for example an insulation layer on both side walls of the silicon line pattern 35 be trained. In this case, the silicon line pattern 35 only be exposed on its upper surface. In each of these cases, the exposed silicon line pattern reacts 35 with a metal layer that is in direct contact with it and forms a silicide layer. The silicide layer is then electrically connected by interconnections in a subsequent process.

Gemäß 4 werden eine Metallschicht 37 und eine Titannitridschicht 39 sequentiell auf der Schicht 33, die kein Silizium aufweist, derart ausgebildet, daß sie das Siliziumleitungsmuster 35 bedecken. Die Metallschicht 37 kann aus Kobalt, Titan, Nikkel oder dergleichen ausgebildet sein.According to 4 become a metal layer 37 and a titanium nitride layer 39 sequentially on the layer 33 that does not have silicon is formed to have the silicon line pattern 35 cover. The metal layer 37 can be formed from cobalt, titanium, nickel or the like.

Gemäß 5 wird eine Metallsilizidschicht 41 auf den freigelegten Siliziumleitungsmuster 35 durch Durchführen einer thermischen Silizidbehandlung ausgebildet. In diesem Fall kann eine Metallschicht 37a, welche auf der Schicht 33, die kein Silizium aufweist, ausgebildet ist, nicht auf die Silidationsreaktion ansprechen.According to 5 becomes a metal silicide layer 41 on the exposed silicon line pattern 35 formed by performing thermal silicide treatment. In this case, a metal layer 37a which on the layer 33 , which has no silicon, is formed, does not respond to the silidation reaction.

Das Titannitrid 39 und die nicht reagierende Metallschicht 37a werden durch die Reinigungslösung entfernt. Wie in 6 dargestellt ist daher ein Leitungsmuster 35 mit einer Metallsilizidschicht 41 darauf vollständig ausgebildet.The titanium nitride 39 and the unresponsive metal layer 37a are removed by the cleaning solution. As in 6 a line pattern is therefore shown 35 with a metal silicide layer 41 fully trained on it.

Die Reinigungslösung ist eine Mischlösung, die eine Säurelösung und ein Jod enthaltendes Oxidationsmittel enthält. Bei dieser beispielhaften Ausführungsform enthält die Reinigungslösung ferner Wasser. Die Reinigungslösung kann Wasser in einer Menge von 30 wt% oder weniger enthalten. Außerdem kann die Reinigungslösung das Jod enthaltende Oxidationsmittel mit einer Menge von ungefähr 0,003 bis ungefähr 10 wt% enthalten. Die Reinigungszeit verhält sich umgekehrt proportional zur Temperatur. Das heißt, die Reinigungskapazität verhält sich proportional zur Temperatur. Das Reinigungsverfahren kann in einem Temperaturbereich von ungefähr Raumtemperatur bis ungefähr 120°C ausgeführt werden.The cleaning solution is a mixed solution that an acid solution and contains an oxidizing agent containing iodine. In this exemplary embodiment contains the cleaning solution also water. The cleaning solution may contain water in an amount of 30 wt% or less. Besides, can the cleaning solution the oxidizing agent containing iodine in an amount of about 0.003 to approximately 10 wt% included. The cleaning time is inversely proportional to temperature. This means, the cleaning capacity behave is proportional to the temperature. The cleaning process can be done in in a temperature range from about room temperature to about 120 ° C.

Die Schicht 33, die kein Silizium aufweist, kann ferner ein Wolframmuster enthalten. Die Reinigungslösung reagiert mit dem Wolframmuster, um eine dünne Wolframtrioxidschicht (WO3-Schicht) auf der Oberfläche davon als eine Passivierungsschicht auszubilden, wodurch das Wolframmuster geschützt ist. Außerdem reagiert die Reinigungslösung mit der Metallsilizidschicht 41 und bildet eine dünne Siliziumoxidschicht (SiOx) auf dessen Oberfläche als eine Passivierungsschicht aus, wodurch das Metallsilizid geschützt ist.The layer 33 that does not have silicon may also contain a tungsten pattern. The cleaning solution reacts with the tungsten pattern to form a thin layer of tungsten trioxide (WO 3 layer) on the surface thereof as a passivation layer, thereby protecting the tungsten pattern. The cleaning solution also reacts with the metal silicide layer 41 and forms a thin silicon oxide (SiOx) layer on its surface as a passivation layer, whereby the metal silicide is protected.

Nach Entfernen der Titannitridschicht 39 und der nicht reagierenden Metallschicht 37 wird eine Isolationsschicht (nicht gezeigt) darauf geschichtet und anschließend gemustert, um eine Öffnung auszubilden, die einen vorbestimmten Teil der Metallsilizidschicht 41 freilegt. Anschließend wird die Öffnung mit leitenden Material, wie etwa ein Metall, gefüllt, um ein Metalleitungsmuster (oder einen Leitungs-Plug) auszubilden, der mit dem Siliziumleitungsmuster 35 elektrisch verbunden ist.After removing the titanium nitride layer 39 and the unresponsive metal layer 37 an insulation layer (not shown) is layered thereon and then patterned to form an opening forming a predetermined part of the metal silicide layer 41 exposes. The opening is then filled with conductive material, such as a metal, to form a metal line pattern (or line plug) that matches the silicon line pattern 35 is electrically connected.

Eine Silizidschicht ist zwischen den Siliziumleitungsmuster 35 und dem Metalleitungsmuster (oder dem leitenden Plug) angeordnet, wodurch eine Kontaktwiderstandseigenschaft oder eine Widerstandseigenschaft des Siliziumleitungsmusters 35 verbessert wird.A silicide layer is between the silicon line patterns 35 and the metal line pattern (or the conductive plug), thereby making a contact resistance property or a resistance property of the silicon line pattern 35 is improved.

Gemäß 7 bis 12 wird im folgenden ein Verfahren zum Entfernen der unerwünschten Schicht in Übereinstimmung mit einer beispielhaften Ausführungsform erläutert.According to 7 to 12 a method of removing the unwanted layer in accordance with an exemplary embodiment is discussed below.

7 bis 12 sind Querschnittsansichten, die Schritte zum Entfernen der unerwünschten Schicht durch die Reinigungslösung der vorliegenden Erfindung in einem Silidationsverfahren in Übereinstimmung mit einer beispielhaften Ausführungsform zeigen. Aus Gründen der Klarheit und Einfachheit wird bei den Figuren der Zeichnung lediglich ein Transistor dargestellt. 7 to 12 14 are cross-sectional views showing steps for removing the unwanted layer by the cleaning solution of the present invention in a silidation process in accordance with an exemplary embodiment. For reasons of clarity and simplicity, only one transistor is shown in the figures of the drawing.

Gemäß 7 wird in einem Siliziumsubstrat 100 durch Dotieren von Störstellen eine Wanne (well) ausgebildet. Ein Vorrichtungsisolationsverfahren wird zum Ausbilden von Vorrichtungsisolationsschichten 120 durchgeführt und anschließend werden Kanalionen implantiert. Die detaillierte Erläuterung des Vorrichtungsisolationsverfahrens wird weggelassen, da dieses herkömmliche Verfahren bestens bekannt ist. Im Anschluß daran wird eine Gate-Isolationsschicht 140, eine Polysiliziumschicht 160, eine Wolframschicht 180 und eine Decknitridschicht 200 sequentiell ausgebildet. Eine leitende Barrierenschicht kann ferner zwischen der Wolframschicht 180 und der Polysiliziumschicht 160 ausgebildet werden. Die Wolframschicht 180 beschleunigt den Betrieb der Vorrichtung. Die Leitungsbarrierenschicht verhindert die Reaktion zwischen der Wolframschicht und der Polysiliziumschicht.According to 7 is in a silicon substrate 100 a well is formed by doping impurities. A device isolation process is used to form device isolation layers 120 and then channel ions are implanted. The detailed explanation of the device isolation method is omitted because this conventional method is well known. This is followed by a gate insulation layer 140 , a polysilicon layer 160 , a layer of tungsten 180 and a top nitride layer 200 sequenti ell trained. A conductive barrier layer may also be between the tungsten layer 180 and the polysilicon layer 160 be formed. The tungsten layer 180 accelerates the operation of the device. The line barrier layer prevents the reaction between the tungsten layer and the polysilicon layer.

Ein Photoresistmuster 220, das eine Gate-Elektrode auf der Decknitridschicht 200 definiert, wird ausgebildet. Die unterliegenden Schichten, die durch das Photoresistmuster 220 freigelegt werden, werden zum Ausbilden einer Gate-Elektrode 240, die mit dem Photoresistmuster 220 korrespondiert, wie in 8 dargestellt, geätzt. Nachdem das Photoresistmuster 220 entfernt worden ist. werden Ionen zum Ausbilden von Störstellendiffusionsschichten 260 in dem Substrat 100 zu beiden Seiten der Gate- Elektrode 240 implantiert. Die implantierten Ionen weisen einen Leitungstyp auf, der dem des Siliziumsubstrats 100 entgegengesetzt ist. Falls beispielsweise das Siliziumsubstrat mit Ladungsträgern des p-Typs implantiert ist, werden zum Implantieren Ionen des n-Typs verwendet. Die Störstellendiffusionsschichten 260 korrespondieren mit den Source/Drain-Bereichen. Das Photoresistmuster 220 kann in einer dem Fachmann wohlbekannten Weise entfernt werden, beispielsweise durch ein Sauerstoffplasma-Ashing und einem Schwefelsäure-Strip-Verfahren. Außerdem kann das Photoresistmuster 220 unter Verwendung der Reinigungslösung der vorliegenden Erfindung entfernt werden. Die Reinigungslösung wird im folgenden erläutert.A photoresist pattern 220 , which has a gate electrode on the top nitride layer 200 defined, is trained. The underlying layers through the photoresist pattern 220 are exposed to form a gate electrode 240 that with the photoresist pattern 220 corresponds as in 8th shown, etched. After the photoresist pattern 220 has been removed. become ions to form impurity diffusion layers 260 in the substrate 100 on both sides of the gate electrode 240 implanted. The implanted ions have a conductivity type that that of the silicon substrate 100 is opposite. For example, if the silicon substrate is implanted with p-type carriers, n-type ions are used for implantation. The impurity diffusion layers 260 correspond to the source / drain areas. The photoresist pattern 220 can be removed in a manner well known to those skilled in the art, for example by oxygen plasma ashing and a sulfuric acid strip process. In addition, the photoresist pattern 220 removed using the cleaning solution of the present invention. The cleaning solution is explained below.

Nitrid-Spacer 280 werden auf beiden Seitenwänden der Gate-Elektrode 240 ausgebildet. Das heißt, eine Siliziumnitridschicht wird ausgebildet und anschließend werden die Nitrid-Spacer 280 durch Rückätzen ausgebildet.Nitride spacers 280 are on both side walls of the gate electrode 240 educated. That is, a silicon nitride layer is formed and then the nitride spacers 280 formed by etching back.

Gemäß 9 wird nach einer Vorreinigung eine Kobaltschicht 300 ausgebildet, um eine Siliziumschicht auszubilden. Die Vorreinigung wird zum Entfernen einer nativen Oxidschicht des Siliziumsubstrats 100 und einer beschädigten Schicht des Siliziumsubstrats 100 ausgeführt. Beispielsweise kann das Vorreinigungsverfahren in einer zweistufigen Behandlung durchgeführt werden.According to 9 becomes a cobalt layer after pre-cleaning 300 formed to form a silicon layer. Pre-cleaning is used to remove a native oxide layer from the silicon substrate 100 and a damaged layer of the silicon substrate 100 executed. For example, the pre-cleaning process can be carried out in a two-stage treatment.

Das heißt, eine erste Behandlung wird unter Verwendung eines Gemischs aus NH4OH und H2O2 ausgeführt und eine zweite Behandlung wird kontinuierlich unter Verwendung von Flursäure (HF) ausgeführt, um so die native Oxidschicht und das Substrat auszuheilen. Dabei kann das Reinigungsverfahren eine erste Behandlung unter Verwendung eines Gasgemisches aus CF4 und O2 und eine zweite Behandlung unter Verwendung von HF aufweisen.That is, a first treatment is carried out using a mixture of NH 4 OH and H 2 O 2 and a second treatment is carried out continuously using fluoric acid (HF) so as to heal the native oxide layer and the substrate. The cleaning process can have a first treatment using a gas mixture of CF 4 and O 2 and a second treatment using HF.

Eine Titanschicht oder eine Nickelschicht kann die Kobaltschicht 300 ersetzen. Die Kobaltschicht 300 kann durch irgendein einem Fachmann wohlbekannten Verfahren ausgebildet werden, z.B. einem Sputter-Verfahren.The cobalt layer can be a titanium layer or a nickel layer 300 replace. The cobalt layer 300 can be formed by any method well known to those skilled in the art, for example a sputtering method.

Gemäß 10 wird eine Titannitridschicht 320 auf der Kobaltschicht 300 ausgebildet. Die Titannitridschicht 320 kann durch ein dem Fachmann bekanntes Verfahren, wie etwa dem Sputter-Verfahren, ausgebildet werden. Die Titannitridschicht 320 wird ausgebildet, um eine Oxidation der Kobaltschicht 300 zu verhindern, und um eine Agglomeration der Siliziumschicht zu verhindern.According to 10 becomes a titanium nitride layer 320 on the cobalt layer 300 educated. The titanium nitride layer 320 can be formed by a method known to those skilled in the art, such as the sputtering method. The titanium nitride layer 320 is formed to oxidize the cobalt layer 300 to prevent and to prevent agglomeration of the silicon layer.

Gemäß 11 wird ein thermisches Silidationsverfahren durchgeführt, um die Kobaltschicht 300 mit dem Silizium des Siliziumsubstrats, das direkt unter der Kobaltschicht 300 liegt (d.h., Source/Drain-Bereiche 260), reagiert. Somit wird eine Kobaltsilizidschicht (COSi2) 340 ausgebildet. Folglich reagiert die Kobaltschicht 300a der Bereiche, die nicht die Source/Drain-Bereiche 260 sind, nicht, da sie keinen direkten Kontakt mit dem Silizium besitzen.According to 11 a thermal silidation process is carried out to remove the cobalt layer 300 with the silicon of the silicon substrate, which is directly under the cobalt layer 300 lies (ie, source / drain regions 260 ), responds. A cobalt silicide layer (COSi 2 ) 340 educated. As a result, the cobalt layer reacts 300a of the areas that are not the source / drain areas 260 are not, because they have no direct contact with the silicon.

Gemäß 12 werden die Titannitridschicht 320 und die nicht reagierende Kobaltschicht 300a durch das Reinigungsverfahren entfernt. Das Reinigungsverfahren verwendet eine Reinigungslösung, die eine Säurelösung und ein Jod enthaltendes Oxidationsmittel aufweist. Die Reinigungslösungen können zum Entfernen des Photoresistmusters 220 verwendet werden, wie zuvor erwähnt.According to 12 become the titanium nitride layer 320 and the unresponsive cobalt layer 300a removed by the cleaning process. The cleaning process uses a cleaning solution that contains an acid solution and an oxidizing agent containing iodine. The cleaning solutions can be used to remove the photoresist pattern 220 be used as mentioned previously.

Die Säurelösung enthält Schwefelsäure, Phosphorsäure oder ein Gemisch daraus. Das Jod enthaltende Oxidationsmittel enthält zumindest eine Verbindung aus der Gruppe KIO3, NH4IO3, LiIO3, CaIO3, BAIO3, KI, NH4I. Dies ist jedoch lediglich ein Beispiel und andere Oxidationsmittel, die Jod enthalten, können verwendet werden. Das Jod enthaltende Oxidationsmittel entfernt die Titannitridschicht 320 und die nicht reagierende Kobaltschicht 340a, entfernt (oder ätzt) jedoch nicht die Kobaltsilizidschicht 240 und eine Wolframschicht 180a, die die Gate-Elektroden 240 bilden. Das heißt, das Jod enthaltende Oxidationsmittel reagiert mit dem Silizium der Kobaltsilizidschicht, so daß eine dünne Siliziumoxidschicht (SiOx), wie etwa eine Siliziumdioxidschicht, auf der Oberfläche der Kobaltsilizidschicht als eine Passivierungsschicht ausgebildet wird. Außerdem reagiert das Jod enthaltende Oxidationsmittel mit Wolfram, so daß eine dünne Wolframtrioxidschicht (WO3) als eine Passivierungsschicht ausgebildet wird, die gegenüber der Säure auf ihrer Oberfläche stabil bzw. widerstandsfähig ist.The acid solution contains sulfuric acid, phosphoric acid or a mixture thereof. The oxidizing agent containing iodine contains at least one compound from the group KIO 3 , NH 4 IO 3 , LiIO 3 , CaIO 3 , BAIO 3 , KI, NH 4 I. However, this is only an example and other oxidizing agents which contain iodine can be used become. The oxidizing agent containing iodine removes the titanium nitride layer 320 and the unresponsive cobalt layer 340a , but does not remove (or etch) the cobalt silicide layer 240 and a tungsten layer 180a that the gate electrodes 240 form. That is, the oxidizing agent containing iodine reacts with the silicon of the cobalt silicide layer so that a thin silicon oxide (SiO x ) layer, such as a silicon dioxide layer, is formed on the surface of the cobalt silicide layer as a passivation layer. In addition, the oxidizing agent containing iodine reacts with tungsten, so that a thin layer of tungsten trioxide (WO 3 ) is formed as a passivation layer which is stable or resistant to the acid on its surface.

Die Reinigungslösung kann Wasser enthalten. Falls Wasser zu der Reinigungslösung hinzugegeben wird, vermehren sich aktivierte Ionen, die an der Entfernungsreaktion teilnehmen. Bei der beispielhaften Ausführungsform kann die Reinigungslösung Wasser in einer Menge von ungefähr 30 wt% oder weniger und Jod enthaltendes Oxidationsmittel in einer Menge von 0,003 bis 10 wt% enthalten.The cleaning solution can contain water. If water to the cleaning solution is added, activated ions multiply, participating in the removal reaction take part. In the exemplary embodiment, the cleaning solution can be water in an amount of approximately 30 wt% or less and oxidizing agent containing iodine in one Contain amount from 0.003 to 10 wt%.

Die Reinigungszeit ist umgekehrt proportional zur Temperatur. Das heißt, die Reinigungskapazität ist proportional zur Temperatur. Das Reinigungsverfahren kann in einem Temperaturbereich von ungefähr Raumtemperatur bis ungefähr 120°C ausgeführt werden.The cleaning time is inversely proportional to the temperature. This means that the cleaning capacity is proportional to the temperature. The cleaning process can range from about room temperature to about 120 ° C leads.

Im folgenden wird die thermische Silizidbehandlung eingehender erläutert. Zunächst wird eine erste thermische Behandlung bei einer geeigneten Temperatur durchgeführt. Die erste thermische Behandlung bildet eine Zwischenstufensilizidschicht aus, die stöchiometrisch fast nur Kobaltmonosilizid (CoSi) und ein wenig Kobaltdisilizid (CoSi,) aufweist. Nach der ersten Wärmebehandlung wird ein erstes Reinigungsverfahren unter Verwendung der Reinigungslösung durchgeführt, um so die nicht reagierende Kobaltschicht und die Titannitridschicht zu entfernen. Eine Titannitridschicht wird wieder ausgebildet und anschließend eine zweite thermische Wärmebehandlung bei einer geeigneten Temperatur durchgeführt. Die zweite thermische Behandlung bildet eine Kobaltsilizidschicht 340 mit einem geringen Widerstand aus, die stöchiometrisch fast nur Kobaltdisilizid (CoSi2) enthält. Abschließend wird ein zweites Reinigungsverfahren mit der Reinigungslösung durchgeführt, um die Titannitridschicht und die nicht reagierende Kobaltschicht zu entfernen.The thermal silicide treatment is explained in more detail below. First, a first thermal treatment is carried out at a suitable temperature. The first thermal treatment forms an intermediate silicide layer, which stoichiometrically contains almost only cobalt monosilicide (CoSi) and a little cobalt disilicide (CoSi,). After the first heat treatment, a first cleaning process using the cleaning solution is carried out so as to remove the non-reacting cobalt layer and the titanium nitride layer. A titanium nitride layer is formed again and then a second thermal heat treatment is carried out at a suitable temperature. The second thermal treatment forms a cobalt silicide layer 340 with a low resistance, which stoichiometrically contains almost only cobalt disilicide (CoSi 2 ). Finally, a second cleaning process is carried out with the cleaning solution in order to remove the titanium nitride layer and the unresponsive cobalt layer.

13 und 14 sind Querschnittsansichten, die die Schritte eines Entfernens von unerwünschten Schichten unter Verwendung der Reinigungslösung der vorliegenden Erfindung in einem Isolationsverfahren gemäß einer anderen beispielhaften Ausfüh rungsform zeigen. Im Gegensatz zu den vorangehenden Verfahren weist das die Gate-Elektrode ausbildende Leitungsmaterial lediglich Polysilizium auf. Die Gate-Elektrode wird in einem Dual-Gate-Verfahren benutzt, das Störstellen vom gleichen Ladungsträgertyp, wie die in dem Kanal, in das Polysilizium dotiert, das eine Gate-Elektrode ausbildet. Das Dual-Gate weist Vorteile dahingehend auf, daß die Oberflächenfunktion des Kanals gestärkt werden und ermöglicht einen symmetrischen Betrieb mit niedriger Leistung. 13 and 14 14 are cross-sectional views showing the steps of removing unwanted layers using the cleaning solution of the present invention in an insulation method according to another exemplary embodiment. In contrast to the preceding methods, the line material forming the gate electrode has only polysilicon. The gate electrode is used in a dual-gate process that doping impurities of the same charge carrier type as those in the channel into the polysilicon that forms a gate electrode. The dual gate has advantages in that the surface function of the channel is strengthened and enables symmetrical operation with low power.

Gemäß 13 wird eine Wanne (well) in einem Siliziumsubstrat 100 durch ein Störstellendotieren ausgebildet. Anschließend wird eine Vorrichtungsisolationsschicht 120 durch ein Vorrichtungsisolationsverfahren ausgebildet und Kanalionen implantiert. Eine Polysilizium-Gate-Elektrode 160a, die elektrisch von dem Siliziumsubstrat 100 durch eine Gate-Isolations-Schicht 140a isoliert ist, wird ausgebildet. Anschließend werden unter Verwendung der Polysilizium-Gate-Elektroden 160a als eine Ionenimplantationsmaske Ionen zum Ausbilden von Störstellendiffusionsschichten 260 implantiert. Seitenwand-Spacer 280 werden auf den Seitenwänden der Polysilizium-Gate-Elektrode 160a ausgebildet.According to 13 becomes a well in a silicon substrate 100 formed by impurity doping. Then a device insulation layer 120 formed by a device isolation process and implanted channel ions. A polysilicon gate electrode 160a that are electrically powered from the silicon substrate 100 through a gate insulation layer 140a is isolated, is trained. Then, using the polysilicon gate electrodes 160a as an ion implantation mask ions for forming impurity diffusion layers 260 implanted. Sidewall spacers 280 are on the side walls of the polysilicon gate electrode 160a educated.

Als nächstes wird ein Silidationsverfahren durchgeführt. Eine Metallschicht und eine Titannitridschicht werden zum Ausbilden eines Silizids ausgebildet. Die Metallschicht kontaktiert nicht nur die Störstellendiffusionsschichten 260 direkt, sondern ebenso das Silizium des oberen Teils der Polysilizium-Gate-Elektrode 160a. Eine thermische Silizidbehandlung wird zum Ausbilden von Metallsilizidschichten 340 und 360 auf den Störstellendiffusionsbereichen 260 sowie auf der Gate-Elektrode 180a ausgeführt.Next, a silidation process is carried out. A metal layer and a titanium nitride layer are formed to form a silicide. The metal layer not only contacts the impurity diffusion layers 260 directly, but also the silicon of the upper part of the polysilicon gate electrode 160a , Thermal silicide treatment is used to form metal silicide layers 340 and 360 on the impurity diffusion areas 260 as well as on the gate electrode 180a executed.

Gemäß 14 werden die nicht reagierende Metallschicht 300a und die Titannitridschicht 320 durch die Reinigungslösung, die eine Säurelösung und ein Jod enthaltendes Oxidationsmittel enthält, auf die gleiche Art und Weise entfernt, wie zuvor vollständig beschrieben.According to 14 become the unresponsive metal layer 300a and the titanium nitride layer 320 by the cleaning solution containing an acid solution and an oxidizing agent containing iodine in the same manner as previously described.

Gemäß den Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung kann unter Verwendung der Reinigungslösung ein nicht reagierendes Metall, wie etwa Kobalt oder Titan, und eine Titannitridschicht in dem Silidationsverfahren effektiv entfernt werden.According to the embodiments of the present Invention can be an unresponsive using the cleaning solution Metal, such as cobalt or titanium, and a titanium nitride layer effectively removed in the silidation process.

Überdies ätzt die Reinigungslösung nicht die Wolframschicht, wie sie etwa in einem Wolfram-Gate-Verfahren benutzt wird. Somit können die Vorrichtungsbetriebseigenschaften verbessert werden. Ebenso kann eine Photoresistschicht und organisches Material effektiv entfernt werden.Moreover, the cleaning solution not the tungsten layer as used in a tungsten gate process is used. So you can the device operating characteristics are improved. As well can effectively remove a layer of photoresist and organic material become.

Während die vorliegende Erfindung in Zusammenhang mit bestimmten und beispielhaften Ausführungsformen davon beschrieben worden ist, sind zahlreiche Veränderungen und Modifikationen denkbar, ohne das gedankliche Grundkonzept und den Umfang der Erfindung zu verlassen. Es ist zu beachten, daß der Umfang der Erfindung nicht durch die detaillierte Beschreibung der Erfindung beschränkt wird, welche lediglich zu illustrativen Zwecken gedacht ist, sondern vielmehr wird der Gegenstand durch die folgenden Ansprüche bestimmt. Außerdem sollte sie so ausgelegt werden, daß sie alle Verfahren und Vorrichtungen in Übereinstimmung mit den Ansprüchen enthält.While the present invention in connection with certain and exemplary embodiments numerous changes have been described and modifications conceivable without the basic concept and the To leave scope of the invention. It should be noted that the scope the invention not by the detailed description of the invention limited which is intended for illustrative purposes only, but rather, the subject matter is determined by the following claims. Moreover it should be so designed that it incorporates all procedures and devices in accordance with the claims contains.

Claims (38)

Verfahren zum selektiven Entfernen von Metallschichten in einem Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung, aufweisend: Entfernen der Metallschichten mit einer Reinigungslösung, wobei die Reinigungslösung eine Säurelösung und ein Jod enthaltendes Oxidationsmittel aufweist.Process for the selective removal of metal layers in a method of manufacturing a semiconductor device, comprising: removing the metal layers with a cleaning solution, the cleaning solution an acid solution and has an oxidizing agent containing iodine. Verfahren nach Anspruch 1, wobei die Metallschicht zumindest eine Titanschicht oder eine Kobaltschicht aufweist.The method of claim 1, wherein the metal layer has at least one titanium layer or a cobalt layer. Verfahren nach Anspruch 1, wobei die Reinigungslösung ferner Wasser enthält.The method of claim 1, wherein the cleaning solution further Contains water. Verfahren nach Anspruch 1, wobei die Säurelösung zumindest Schwefelsäure und/oder Phosphorsäure enthält, und das Jod enthaltende Oxidationsmittel zumindest eine Verbindung aus der Gruppe bestehend aus KIO3, NH4IO3, LiIO3, CaIO3, BaIO3, KI und NH4I enthält.The method of claim 1, wherein the acid solution contains at least sulfuric acid and / or phosphoric acid, and the iodine-containing oxidizing agent at least one compound from the group consisting of KIO 3 , NH 4 IO 3 , LiIO 3 , CaIO 3 , BaIO 3 , KI and NH 4 I contains. Verfahren nach Anspruch 3, wobei die Reinigungslösung Wasser in einer Menge von 30 wt% oder weniger enthält, und das Jod enthaltende Oxidationsmittel in einer Menge von 0,003 bis 10 wt% oder weniger enthält.The method of claim 3, wherein the cleaning solution is water in an amount of 30 wt% or less, and contains the iodine-containing oxidizing agent in an amount of 0.003 to 10 wt% or less. Verfahren nach Anspruch 5, wobei die Titanschicht zumindest Titannitrid und/oder Titan aufweist.The method of claim 5, wherein the titanium layer has at least titanium nitride and / or titanium. Verfahren zum selektiven Entfernen einer Photoresistschicht und organischer Materialien in einem Herstellungsverfahren für Halbleitervorrichtungen, aufweisend: selektives Entfernen der Photoresistschicht und der organischen Materialien unter Verwendung einer Reinigungslösung, wobei die Reinigungslösung eine Säurelösung und ein Jod enthaltendes Oxidationsmittel enthält.Process for the selective removal of a layer of photoresist and organic materials in a manufacturing process for semiconductor devices, comprising: selective Remove the photoresist layer and the organic materials using a cleaning solution, the cleaning solution being an acid solution and contains an oxidizing agent containing iodine. Verfahren nach Anspruch 7, wobei die Reinigungslösung ferner Wasser enthält.The method of claim 7, wherein the cleaning solution further Contains water. Verfahren nach Anspruch 7, wobei die Säurelösung zumindest Schwefelsäure und/oder Phosphorsäure enthält, und das Jod enthaltende Oxidationsmittel zumindest eine Verbindung aus der Gruppe bestehend aus KIO3, NH4IO3, LiIO3, CaIO3, BaIO3, KI und NH4I enthält.The method of claim 7, wherein the acid solution contains at least sulfuric acid and / or phosphoric acid, and the iodine-containing oxidizing agent at least one compound from the group consisting of KIO 3 , NH 4 IO 3 , LiIO 3 , CaIO 3 , BaIO 3 , KI and NH 4 I contains. Verfahren nach Anspruch 8, wobei die Reinigungslösung Wasser in einer Menge von 30 wt% oder weniger enthält, und das Jod enthaltende Oxidationsmittel in einer Menge von 0,003 bis 10 wt% oder weniger enthält.The method of claim 8, wherein the cleaning solution is water contains in an amount of 30 wt% or less, and the iodine-containing Oxidizing agents in an amount of 0.003 to 10 wt% or less contains. Verfahren zum selektiven Entfernen einer Metallschicht in einem Verfahren zum Ausbilden einer Silizidschicht aufweisend: Ausbilden eines Siliziummusters über einem Substrat; Ausbilden einer Metallschicht über dem Substrat; Durchführen einer thermischen Silizidbehandlung zum Ausbilden einer Metallsilizidschicht aus der Silidationsreaktion zwischen dem Silizium und der Metallschicht; Reinigen einer nicht reagierenden Metallschicht, die nicht an der Silidationsreaktion teilgenommen hat, unter Verwendung einer Reinigungslösung, wobei die Reinigungslösung eine Säurelösung und ein Jod enthaltendes Oxidationsmittel enthält.Process for the selective removal of a metal layer in a method of forming a silicide layer comprising: Form a silicon pattern over a substrate; Form a metal layer over the substrate; Carry out a thermal silicide treatment to form a metal silicide layer from the silidation reaction between the silicon and the metal layer; Clean a non-reactive metal layer that does not participate in the silidation reaction participated, using a cleaning solution, in which the cleaning solution an acid solution and a Oxidizing agent containing iodine. Verfahren nach Anspruch 11, wobei die Metallschichten zumindest ein Element aus der Gruppe Kobalt, Titan und Nickel enthält.The method of claim 11, wherein the metal layers contains at least one element from the group cobalt, titanium and nickel. Verfahren nach Anspruch 11, wobei die Reinigungslösung ferner Wasser enthält.The method of claim 11, wherein the cleaning solution further Contains water. Verfahren nach Anspruch 11, wobei die Säurelösung zumindest Schwefelsäure und/oder Phosphorsäure enthält, und das Jod enthaltende Oxidationsmittel zumindest eine Verbindung aus der Gruppe bestehend aus KIO3, NH4IO3, LiIO3, CaIO3, BaIO3, KI und NH4I enthält.The method of claim 11, wherein the acid solution contains at least sulfuric acid and / or phosphoric acid, and the iodine-containing oxidizing agent at least one compound from the group consisting of KIO 3 , NH 4 IO 3 , LiIO 3 , CaIO 3 , BaIO 3 , KI and NH 4 I contains. Verfahren nach Anspruch 14, wobei die Reinigungslösung Wasser in einer Menge von 30 wt% oder weniger enthält, und das Jod enthaltende Oxidationsmittel in einer Menge von 0,003 bis 10 wt% oder weniger enthält.The method of claim 14, wherein the cleaning solution is water contains in an amount of 30 wt% or less, and the iodine-containing Oxidizing agents in an amount of 0.003 to 10 wt% or less contains. Verfahren nach Anspruch 11, wobei die Reinigung in einem Temperaturbereich von ungefähr Raumtemperatur bis ungefähr 120°C durchgeführt wird.The method of claim 11, wherein the cleaning in a temperature range from about room temperature to about 120 ° C. Verfahren nach Anspruch 11, das ferner aufweist: sequentielles Durchführen einer ersten Behandlung unter Verwendung eines Gemisches aus NH4OH und H2O2 und einer zweiten Behandlung unter Verwendung von HF oder sequentielles Durchführen einer ersten Behandlung unter Verwendung eines Gasgemisches aus CF4 und O2 und einer zweiten Behandlung unter Verwendung von HF, bevor die Metallschicht ausgebildet wird, um so eine natürliche Oxidschicht zu entfernen und Beschädigungen des Substrats zu heilen.The method of claim 11, further comprising: sequentially performing a first treatment using a mixture of NH 4 OH and H 2 O 2 and a second treatment using HF or sequentially performing a first treatment using a gas mixture of CF 4 and O. 2 and a second treatment using HF before the metal layer is formed so as to remove a natural oxide layer and heal damage to the substrate. Verfahren nach Anspruch 11, wobei die thermische Silizidbehandlung aufweist: Durchführen einer ersten thermischen Behandlung; Durchführen einer ersten Reinigung, die eine nicht reagierende Metallschicht unter Verwendung der Reinigungslösung entfernt; und Durchführen einer zweiten thermischen Behandlung.The method of claim 11, wherein the thermal Silicide treatment has: Performing a first thermal Treatment; Carry out a first cleaning, which is an unresponsive metal layer using the cleaning solution away; and Carry out a second thermal treatment. Verfahren nach Anspruch 18, wobei die Reinigungslösung Wasser in einer Menge von 30 wt% oder weniger enthält, und das Jod enthaltende Oxidationsmittel in einer Menge von 0,003 bis 10 wt% oder weniger enthält.The method of claim 18, wherein the cleaning solution is water contains in an amount of 30 wt% or less, and the iodine-containing Oxidizing agents in an amount of 0.003 to 10 wt% or less contains. Verfahren nach Anspruch 19, wobei die Säurelösung zumindest Schwefelsäure und/oder Phosphorsäure enthält, und das Jod enthaltende Oxidationsmittel zumindest eine Verbindung aus der Gruppe bestehend aus KIO3, NH4IO3, LiIO3, CaIO3, BaIO3, KI und NH4I enthält.The method of claim 19, wherein the acid solution contains at least sulfuric acid and / or phosphoric acid, and the iodine-containing oxidizing agent at least one compound from the group consisting of KIO 3 , NH 4 IO 3 , LiIO 3 , CaIO 3 , BaIO 3 , KI and NH 4 I contains. Verfahren nach Anspruch 19, wobei die erste Reinigung in einem Temperaturbereich von ungefähr Raumtemperatur bis ungefähr 120°C durchgeführt wird.The method of claim 19, wherein the first cleaning in a temperature range from about room temperature to about 120 ° C. Verfahren nach Anspruch 11, wobei das Substrat ferner eine Wolframschicht enthält, und die Reinigungslösung die Wolframschicht nicht entfernt.The method of claim 11, wherein the substrate further contains a tungsten layer, and the cleaning solution the tungsten layer is not removed. Verfahren nach Anspruch 11, das ferner aufweist: Ausbilden einer Titannitridschicht über der Metallschicht, nach dem Ausbilden der Metallschicht und vor dem Durchführen der thermischen Silizidbehandlung, wobei die Reinigungslösung die Titannitridschicht entfernt.The method of claim 11, further comprising: forming a titanium nitride layer over the metal layer, after forming the metal layer, and before performing the thermal silicide treatment with the cleaning solution removing the titanium nitride layer. Verfahren nach Anspruch 23, wobei die thermische Silizidbehandlung aufweist: Durchführen einer ersten thermischen Behandlung; Durchführen einer ersten Reinigung, die die Titannitridschicht und die nicht reagierende Metallschicht unter Verwendung der Reinigungslösung entfernt; Ausbilden einer zweiten Titannitridschicht; und Durchführen einer zweiten thermischen Behandlung, wobei die Reinigungslösung die weitere ausgebildete Titannitridschicht und das nicht reagierende Silizium entfernt.The method of claim 23, wherein the thermal Silicide treatment has: Performing a first thermal Treatment; Carry out a first cleaning, which is the titanium nitride layer and which is not removed reactive metal layer using the cleaning solution; Form a second titanium nitride layer; and Performing one second thermal treatment, the cleaning solution being the further formed titanium nitride layer and the unresponsive Silicon removed. Verfahren zum selektiven Entfernen einer Metallschicht in einem Verfahren zum Ausbilden einer Silizidschicht, die aufweist: Ausbilden eines Transistors, der Source/Drain-Bereiche und eine Gate-Elektrode aufweist, über einem Siliziumsubstrat; Ausbilden einer Metallschicht über dem Substat; Ausbilden einer Titannitridschicht über der Metallschicht; Durchführen einer thermischen Behandlung, um eine Metallsilizidschicht aus der Reaktion zwischen dem Silizium der Source/Drain-Bereiche und der Metallschicht, die das Silizium direkt kontaktiert, auszubilden; und Durchführen einer Reinigung, die die Titannitridschicht und die nicht reagierenden Metallschicht entfernt, die nicht direkt mit dem Silizium der Source/Drain-Bereiche in Kontakt steht, unter Verwendung einer Reinigungslösung, wobei die Reinigungslösung eine Säurelösung, ein Jod enthaltendes Oxidationsmittel und Wasser enthält.Process for the selective removal of a metal layer in a method of forming a silicide layer comprising: Form of a transistor, the source / drain regions and a gate electrode has about a silicon substrate; Form a metal layer over the Substat; Form a titanium nitride layer over the Metal layer; Carry out a thermal treatment to remove a metal silicide layer from the Reaction between the silicon of the source / drain regions and the To form a metal layer that directly contacts the silicon; and Carry out a cleaning that the titanium nitride layer and the unresponsive Removed metal layer that is not directly with the silicon of the source / drain areas in contact, using a cleaning solution, in which the cleaning solution an acid solution, an iodine containing oxidizing agent and water. Verfahren nach Anspruch 25, wobei der Schritt des Ausbilden des Transistors aufweist: Ausbilden einer Gate-Isolatiosschicht, einer Polysiliziumschicht, einer Wolframschicht und einer Deckisolationsschicht über dem Siliziumsubstrat; Ausbilden eines Photoresistmusters über der Decknitridschicht; Ausbilden der Gate-Elektrode durch sukzessives Ätzen der darunter ausgebildeten Schichten unter Verwendung des Photoresistmusters als eine Maske; Entfernen des Photoresistmusters; Durchführen eines Ionenimplantationsverfahrens zum Ausbilden der Source/Drain-Bereiche in dem Siliziumsubstrat zu beiden Seiten der Gate-Elektrode; und Ausbilden von Nitrid-Spacern auf den Seitenwänden der Gate-Elektrode.The method of claim 25, wherein the step of Forming the transistor has: Forming a gate insulation layer, a polysilicon layer, a tungsten layer and a top insulation layer over the Silicon substrate; Forming a photoresist pattern over the Decknitridschicht; Forming the gate electrode by successive etching of the layers formed below using the photoresist pattern as a mask; Removing the photoresist pattern; Performing a Ion implantation method for forming the source / drain regions in the silicon substrate on both sides of the gate electrode; and Form of nitride spacers on the side walls of the gate electrode. Verfahren nach Anspruch 26, wobei das Photoresistmuster unter Verwendung der Reinigungslösung entfernt wird.The method of claim 26, wherein the photoresist pattern using the cleaning solution Will get removed. Verfahren nach Anspruch 25, wobei die Reinigungslösung zumindest Schwefelsäure und/oder Phosphorsäure enthält, und das Jod enthaltende Oxidationsmittel zumindest eine Verbindung aus der Gruppe bestehend aus KIO3, NH4IO3, LiIO3, CaIO3, BaIO3, KI und NH4I enthält, und die Reinigungslösung Wasser in einer Menge von 30 wt% oder weniger enthält und das Jod enthaltende Oxidationsmittel in einer Menge von ungefähr 0,003 bis ungefähr 10 wt% enthält.26. The method of claim 25, wherein the cleaning solution contains at least sulfuric acid and / or phosphoric acid, and the iodine-containing oxidizing agent contains at least one compound from the group consisting of KIO 3 , NH 4 IO 3 , LiIO 3 , CaIO 3 , BaIO 3 , KI and NH 4 I, and the cleaning solution contains water in an amount of 30 wt% or less and the iodine-containing oxidizing agent in an amount of about 0.003 to about 10 wt%. Verfahren nach Anspruch 28, wobei die Reinigung in einem Temperaturbereich von ungefähr Raumtemperatur bis 120°C durchgeführt wird.The method of claim 28, wherein the cleaning is carried out in a temperature range from approximately room temperature to 120 ° C. Verfahren nach Anspruch 29, wobei die Metallschicht zumindest ein Element aus der Gruppe Kobalt, Titan und Nickel enthält.The method of claim 29, wherein the metal layer contains at least one element from the group cobalt, titanium and nickel. Verfahren nach Anspruch 25, wobei der Schritt des Ausbildens des Transistors aufweist: sequentielles Ausbilden einer Gate-Isolationsschicht und einer Polysiliziumschicht über dem Siliziumsubstrat; Ausbilden eines Photoresistmusters über der Polysiliziumschicht; Ausbilden der Gate-Elektrode durch sukzessives Ätzen der Schichten, die darunter ausgebildet sind, unter Verwendung des Photoresistmusters als eine Ätzmaske; Entfernen des Photoresistmusters; Durchführen eines Ionenimplatationsverfahrens, um Source/Drain-Bereiche in dem Siliziumsubstrat zu beiden Seiten der Gate-Elektrode auszubilden; und Ausbilden von Nitrid-Spacern auf den Seitenwänden der Gate-Elektrode, wobei eine Metallsilizidschicht, wenn die Metallsilizidschicht an den Source/Drain-Bereichen durch Durchführen der thermischen Silizibehandlung ausgebildet wird, auf dem Polysilizium an einem oberen Teil der Gate-Elektrode ausgebildet wird.The method of claim 25, wherein the step of Forming the transistor has: sequential training a gate insulation layer and a polysilicon layer over the Silicon substrate; Forming a photoresist pattern over the Polysilicon layer; Forming the gate electrode by successive etching of the Layers formed underneath using the photoresist pattern as an etching mask; Remove the photoresist pattern; Performing an ion implantation process, around source / drain regions in the silicon substrate on both sides form the gate electrode; and Formation of nitride spacers on the side walls of the Gate electrode, being a metal silicide layer when the metal silicide layer at the source / drain regions by performing the thermal silicon treatment is formed on the polysilicon at an upper part of the gate electrode is trained. Verfahren nach Anspruch 31, wobei das Photoresistmuster unter Verwendung der Reinigungslösung entfernt wird.The method of claim 31, wherein the photoresist pattern using the cleaning solution Will get removed. Verfahren nach Anspruch 31, wobei die Reinigungslösung zumindest Schwefelsäure und/oder Phosphorsäure enthält, und das Jod enthaltende Oxidationsmittel zumindest eine Verbindung aus der Gruppe bestehend aus KIO3, NH4IO3, LiIO3, CaIO3, BaIO3, KI und NH4I enthält, und die Reinigungslösung Wasser in einer Menge von 30 wt% oder weniger enthält und das Jod enthaltende Oxidationsmittel in einer Menge von ungefähr 0,003 bis ungefähr 10 wt% enthält.The method of claim 31, wherein the cleaning solution contains at least sulfuric acid and / or phosphoric acid, and the iodine-containing oxidizing agent at least one compound from the group consisting of KIO 3 , NH 4 IO 3 , LiIO 3 , CaIO 3 , BaIO 3 , KI and NH 4 I, and the cleaning solution contains water in an amount of 30 wt% or less and the iodine-containing oxidizing agent in an amount of about 0.003 to about 10 wt%. Verfahren nach Anspruch 33, wobei die Reinigung in einem Temperaturbereich von ungefähr Raumtemperatur bis 120°C durchgeführt wird.34. The method of claim 33, wherein the Rei cleaning is carried out in a temperature range from approximately room temperature to 120 ° C. Reinigungslösung, die eine Titannitridschicht und eine nicht reagierende Metallschicht in einem Silidationsverfahren selektiv entfernt, wobei die Reinigungslösung eine Säurelösung, ein Jod enthaltendes Oxidationsmittel und Wasser enthält.Cleaning solution which is a titanium nitride layer and an unresponsive metal layer selectively removed in a silidation process, the cleaning solution being a Acid solution, a Oxidizing agent containing iodine and water. Verfahren nach Anspruch 35, wobei die Säurelösung zumindest Schwefelsäure und/oder Phosphorsäure enthält, und das Jod enthaltende Oxidationsmittel zumindest eine Verbindung aus der Gruppe bestehend aus KIO3, NH4IO3, LiIO3, CaIO3, BaIO3, KI und NH4I enthält.36. The method of claim 35, wherein the acid solution contains at least sulfuric acid and / or phosphoric acid, and the iodine-containing oxidizing agent contains at least one compound from the group consisting of KIO 3 , NH 4 IO 3 , LiIO 3 , CaIO 3 , BaIO 3 , KI and NH 4 I contains. Verfahren nach Anspruch 35, wobei die Reinigungslösung Wasser in einer Menge von 30 wt% oder weniger enthält, und das Jod enthaltende Oxidationsmittel in einer Menge von 0,003 bis 10 wt% oder weniger enthält.36. The method of claim 35, wherein the cleaning solution is water contains in an amount of 30 wt% or less, and the iodine-containing Oxidizing agents in an amount of 0.003 to 10 wt% or less contains. Verfahren nach Anspruch 35, wobei die nicht reagierende Metallschicht zumindest ein Element aus der Gruppe Kobalt, Titan und Nickel enthält.36. The method of claim 35, wherein the unresponsive Metal layer at least one element from the group cobalt, titanium and contains nickel.
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