DE10346606A1

DE10346606A1 - Strahlungsemittierendes Halbleiterbauelement

Info

Publication number: DE10346606A1
Application number: DE10346606A
Authority: DE
Inventors: Wilhelm Dr. Stein
Original assignee: Osram Opto Semiconductors GmbH
Current assignee: Ams Osram International GmbH
Priority date: 2003-08-29
Filing date: 2003-10-07
Publication date: 2005-03-31
Anticipated expiration: 2023-10-08
Also published as: DE10346606B4

Abstract

Die Erfindung betrifft ein strahlungemittierendes Halbleiterbauelement (1) mit einem Halbleiterkörper, der eine Halbleiterschichtenfolge (3) mit einer elektromagnetische Strahlung erzeugenden aktiven Zone (6) und mindestens einer n-leitenden Seite aufweist, wobei auf der n-leitenden Seite des Halbleiterkörpers mindestens eine Stromaufweitungsschicht (9) angeordnet ist, die elektrisch leitend mit der Halbleiterschichtenfolge (3) verbunden und für die erzeugte Strahlung durchlässig ist. Diese Stromaufweitungsschicht (9) enthält dabei ein Material, das bezüglich der n-leitenden Seite der Halbleiterschichtenfolge (3) ein Donator ist.

Description

Die Erfindung betrifft ein strahlungemittierendes Halbleiterbauelement mit einem Halbleiterkörper, der eine Halbleiterschichtenfolge mit einer elektromagnetische Strahlung erzeugenden aktiven Zone und mindestens eine n-leitende Seite aufweist.
Der interne Umwandlungswirkungsgrad von elektrischer Energie in Strahlungsenergie ist bei strahlungemittierenden Halbleiterbauelementen meist deutlich höher als der Gesamtwirkungsgrad. Dafür ist unter anderem der geringe Auskoppelwirkungsgrad der in der aktiven Zone erzeugten Strahlung aus dem Halbleiterbauelement verantwortlich. Dies hat verschiedene Ursachen. Häufig ist eine großflächige Stromeinbringung in die Halbleiterschichtenfolge erwünscht, was zum Beispiel mittels großflächiger metallischer Kontaktstrukturen möglich ist. Derartige Kontaktstrukturen sind jedoch meist für die erzeugte Strahlung nicht durchlässig und führen zu einer hohen Absorption der erzeugten Strahlung.
Auch bei kleinflächigen, den Halbleiterkörper nicht vollständig bedeckenden, Kontaktstrukuren gibt es Wege, den Strom großflächig einzubringen. Hierzu kann das strahlungemittierende Halbleiterbauelement beispielsweise sogenannte Stromaufweitungsschichten umfassen, die für eine homogene Stromeinbringung in die aktive Zone sorgen. Dies kann einerseits durch in der Halbleiterschichtenfolge angeordnete Schichten aus dotiertem Halbleitermaterial erreicht werden. Derartige Schichten müssen allerdings relativ dick sein, um eine homogene Stromeinbringung in die aktive Zone gewährleisten zu können. Je dicker aber die Halbleiterschicht ist, desto länger ist die für die Herstellung der Schichtenfolge benötigte Zeit. Ferner steigt mit der Schichtdicke die Absorption frei er Ladungsträger und/oder der erzeugten Strahlung in diesen Schichten, was zu einem geringen Gesamtwirkungsgrad führt.
Weiterhin ist aus JP 2000-353820 ein Bauelement bekannt, das eine für die erzeugte Strahlung durchlässige Stromaufweitungsschicht besitzt. Diese besteht aus ZnO und ist auf der n-dotierten Seite einer AlGaInP enthaltenden Halbleiterschichtenfolge angeordnet.
Der Auskoppelwirkungsgrad wird ferner durch die Totalreflexion von in der aktiven Zone erzeugten Strahlung an Grenzflächen begrenzt, was in den unterschiedlichen Brechungsindizes des Halbleiter- und des Umgebungsmaterials begründet ist. Die Totalreflexion kann durch eine geeignete Strukturierung der Grenzflächen gestört werden. Daraus resultiert ein höherer Auskoppelwirkungsgrad.
Auch die Absorption der Strahlung in einem Substrat oder einem Träger, auf dem die Halbleiterschichtenfolge aufgewachsen oder das strahlungemittierende Halbleiterbauelement befestigt ist, stellt eine der Ursachen für einen geringen Auskoppelwirkungsgrad dar.

Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es, ein strahlungemittierendes Halbleiterbauelement der eingangs genannten Art zu entwickeln, welches einen erhöhten Gesamtwirkungsgrad aufweist.

Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß durch ein strahlungemittierendes Halbleiterbauelement mit den Merkmalen des Anspruchs 1 gelöst. Vorteilhafte Weiterbildungen sind Gegenstand der abhängigen Ansprüche.

Ein strahlungemittierendes Halbleiterbauelement gemäß der vorliegenden Erfindung enthält einen Halbleiterkörper, der eine Halbleiterschichtenfolge mit einer elektromagnetische Strahlung erzeugenden aktiven Zone und mindestens eine n- leitende Seite aufweist, wobei auf der n-leitenden Seite des Halbleiterkörpers mindestens eine Stromaufweitungsschicht angeordnet ist, die elektrisch leitend, mit der Halbleiterschichtenfolge elektrisch leitend verbunden und für die erzeugte Strahlung durchlässig ist. Diese Stromaufweitungsschicht enthält dabei ein Material, das bezüglich der n-leitenden Seite der Halbleiterschichtenfolge ein Donator ist.

In einem derartigen strahlungemittierenden Halbleiterbauelement wird der ohmsche Kontakt zwischen der Halbleiterschichtenfolge und der Stromaufweitungsschicht verbessert und damit die Stromeinbringung in die aktive Zone wie auch der Gesamtwirkungsgrad des strahlungemittierenden Halbleiterbauelements erhöht. Der besagte ohmsche Kontakt kann dabei zumindest nahezu barrierefrei ausgebildet sein.

Weiterhin kann die für den Betrieb des Halbleiterbauelements maximal zulässige Stromstärke durch die Anordnung einer solchen Stromaufweitungsschicht erhöht werden, da verglichen mit herkömmlichen Bauelementen beispielsweise eine geringere Verlustwärme bei vergleichbarer Stromstärke entsteht.

Der Halbleiterkörper kann dabei eine erste und eine zweiten Hauptfläche umfassen, wobei die Halbleiterschichtenfolge zwischen diesen angeordnet ist und die zweite Hauptfläche der n-leitenden Seite entspricht.

Der in der Stromaufweitungsschicht enthaltene Donator weist bevorzugt ein Element der vierten Gruppe des Periodensystems auf.

Die Halbleiterschichtenfolge kann einen III-V-Halbleiter, wie beispielsweise In_xGa_yAl_1–x–yP, mit 0≤sx≤1, 0≤y≤1 und x+y≤1, In_xGa_yAl_1–x–yN, mit 0≤x≤l, 0≤y≤1 und x+y≤1, oder In_xGa_yAl_1–x–yAs, mit 0≤x≤1, 0≤y≤1 und x+y≤1, enthalten.

In einer vorteilhaften Ausgestaltung der Erfindung enthält die Stromaufweitungsschicht ein elektrisch leitendes strahlungsdurchlässiges Material, bevorzugt ein strahlungsdurchlässiges leitfähiges Oxid (Transparent Conducting Oxide, kurz: TCO), wie beispielsweise ZnO, InO und/oder SnO oder auch Oxide mit zwei oder mehr metallischen Bestandteilen, wie ITO. Diese TCO-Materialen sind besonders geeignet, da sie unter anderem einen geringen Schichtwiderstand besitzen, der einen homogenen Stromeintrag in die Halbleiterschichtenfolge gewährleistet. Weiterhin weisen sie große Wellenlängenbereiche hoher Transmission auf. Die Widerstände liegen vorteilhafterweise unter 200 Ω/☐, wobei Werte von weniger als 30 Ω/☐ besonders bevorzugt sind. Die Einheit Ω/☐ (Ohm per Square) entspricht dabei dem Widerstand einer quadratischen Fläche der Schicht.

Durch die Aufbringung einer derartigen Stromaufweitungsschicht wird der Strom von der n-leitenden Seite der Halbleiterschichtenfolge her sehr homogen in die aktive Zone eingebracht und es entsteht eine aktive Zone hoher Güte, die sich durch eine gleichmäßig verteilte Strahlungserzeugung und eine vorteilhaft geringe Absorption von Strahlung in der Stromaufweitungsschicht auszeichnet.

Besonders bevorzugt enthält die Stromaufweitungsschicht SnO, da Sn bezüglich der n-leitenden Seite als Donator wirken kann und SnO ein für die erzeugte Strahlung durchlässiges Material ist.

Weiterhin kann die TCO-haltige Stromaufweitungsschicht Al, Ga, In, Ce, Sb und/oder F als Dotierstoffe enthalten, um den Schichtwiderstand der Stromaufweitungsschicht zu verringern.

Besonders bevorzugt enthält die Stromaufweitungsschicht SnO und ist mit Sb und/oder F dotiert.

Die Stromaufweitungsschicht kann beispielsweise durch Sputtern, insbesondere DC-Sputtern, aufgebracht werden, wobei die Prozessparameter so gewählt sind, dass ein elektrischer Kontakt zwischen der Stromaufweitungsschicht und den angrenzenden Halbleiterschichten gebildet wird, der einen homogenen Stromeintrag in die Halbleiterschichtenfolge und somit in die aktive Zone ermöglicht. Die Kontaktbildung erfolgt bevorzugt zwischen 100 und 800 °C. Der elektrische Kontakt zwischen diesen Schichten kann zum Beispiel durch Sintern oder geeignete Vorreinigung der entsprechenden Oberflächen der beteiligten Schichten noch verbessert werden.

In einer bevorzugten Ausgestaltung der Erfindung ist auf mindestens einer Hauptfläche, zweckmäßigerweise auf der ersten Hauptfläche, eine Spiegelschicht mit einer hohen Reflektivität für die in der aktiven Zone erzeugte Strahlung angeordnet. Bevorzugt ist die Spiegelschicht elektrisch leitend und weitergehend mit der Halbleiterschichtenfolge elektrisch leitend verbunden.

Durch die Spiegelschicht werden Absorptionsverluste in eventuell unter dieser angeordneten Schichten, wie zum Beispiel einem Substrat oder einem Träger, verringert. Zugleich bildet die Spiegelschicht einen Spiegelkontakt zur elektrischen Kontaktierung des Halbleiterbauelements. Sie enthält vorzugsweise ein Metall, besonders bevorzugt Au, Ag, Al und/oder Pt. Die Spiegelschicht kann beispielsweise durch Aufdampfen oder Sputtern aufgebracht werden.

In einer weiteren bevorzugten Ausgestaltung der Erfindung weist mindestens eine Hauptfläche der Halbleiterschichtenfolge eine Mikrostruktur auf, die vor dem Aufbringen der Stromaufweitungsschicht in oder auf die entsprechende Hauptfläche ein- beziehungsweise aufgebracht wurde. Die Mikrostruktur ist dabei so geartet, dass die strukturierte Fläche im Gegensatz zu einer unstrukturierten Fläche einen höheren Auskoppelwirkungsgrad aufgrund einer gestörten Totalreflexion für die in der aktiven Zone erzeugte Strahlung aufweist. Damit wird der Gesamtwirkungsgrad des strahlungemittierenden Halbleiterbauelementes erhöht.

Solche Mikrostrukturen können beispielsweise durch ein Aufrauhverfahren wie beispielsweise ein Ätz- oder Schleifverfahren erzeugt werden. Weiterhin kann eine derartige Mikrostruktur dadurch erzeugt werden, dass ein metallisches Maskenmaterial auf die zu strukturierende Fläche aufgebracht wird, dessen Benetzungseigenschaften so beschaffen sind, dass sich auf der Oberfläche kleine vorzugsweise zumindest teilweise vernetzte metallische Inseln bilden. Diese Inselstruktur kann mittels eines Trockenätzverfahrens in die zu strukturierende Fläche übertragen werden, wonach das Maskenmaterial durch geeignete Verfahren entfernt wird. Mit Vorzug weist die zweite Hauptfläche eine Mikrostruktur auf.

Bevorzugt weist die Halbleiterschichtenfolge mindestens eine n- und/oder eine p-leitende Schicht auf, wobei die n-leitende Schicht besonders bevorzugt die n-leitende Seite umfasst und die p-leitende Schicht auf Seiten der ersten Hauptfläche angeordnet ist.

Bei einer vorteilhaften Weiterbildung der Erfindung liegt die Dicke der n-leitenden Schicht typischerweise zwischen einer Monolage und 1000 nm. Bevorzugt ist die Dicke dieses Bereichs kleiner als 400 nm, und liegt besonders bevorzugt zwischen 150 nm und 350 nm: Bei herkömmlichen Bauelementen dienen die um die aktive Zone angeordneten n- und/oder p-leitenden Schichten oftmals auch der Stromaufweitung und besitzen daher eine relativ große Dicke.

Bei der Erfindung hingegen erfolgt die Stromaufweitung auf der n-leitenden Seite in einer außerhalb des Halbleiterkörpers angeordneten Stromaufweitungsschicht. Deshalb kann die n-leitende Schicht der Halbleiterschichtenfolge vergleichsweise dünn ausgeführt sein.

Die Halbleiterschichtenfolge mit der Strahlung erzeugenden . aktiven Zone und den n- und/oder p-leitenden Schichten wird bevorzugt durch epitaktisches Aufwachsen auf einem Substrat, beispielsweise einem GaAs Substrat, hergestellt. Üblicherweise wird so aufgewachsen, dass die p-leitende Schicht auf der dem Substrat abgewandten Seite der Halbleiterschichtenfolge liegt. Um eine Stromaufweitungsschicht auf die n-leitende Schicht aufzubringen, kann es daher nötig sein, das Substrat abzulösen, und die Halbleiterschichtenfolge auf einem Träger, beispielsweise aus GaAs, zu befestigen. Die Stromaufweitungsschicht wird vorzugsweise nach der Epitaxie, zum Beispiel durch Sputtern, aufgebracht.

Eine Halbleiterschichtenfolge mit einer derartig vorteilhaft geringen Schichtdicke der n-leitenden Schicht wirkt sich in vielerlei Hinsicht positiv auf die Funktionsweise des strahlungemittierenden Halbleiterbauelementes aus. So werden beispielsweise die Absorption freier Ladungsträger, die Absorption der erzeugten Strahlung und die zur Herstellung derartiger Bauelemente benötigten Epitaxiezeiten wesentlich reduziert, wodurch der Auskoppelwirkungsgrad des strahlungemittierenden Halbleiterbauelements erhöht, die Herstellungszeiten der Halbleiterschichtenfolge verkürzt und deren Herstellungskosten verringert werden.

In einer weiteren vorteilhaften Weiterbildung der Erfindung kann auch auf der der ersten Hauptfläche entsprechenden p-leitenden Seite der Halbleiterschichtenfolge eine Stromaufweitungsschicht angeordnet sein, die bevorzugt ZnO enthält und mit Al dotiert ist. Zn kann bezüglich der p-leitenden Schicht als Akzeptor, ähnlich wie Sn auf der n-leitenden Seite als Donator, dienen. Die Stromaufweitungsschicht ist bevorzugt zwischen der Spiegelschicht und der Halbleiterschichtenfolge angeordnet. Die Ausführungen über die Stromaufweitungsschicht auf der n-leitenden Seite lassen sich auf jene auf der p-leitenden Seite übertragen. Gleiches gilt für die Dicke der p-leitenden Schicht und die Vorteile, die eine derartige Stromaufweitungsschicht mit sich bringt. Insbesondere wird dadurch ein beidseitiger homogener Stromeintrag über strahlungsdurchlässige Stromaufweitungsschichten in die Halbleiterschichtenfolge erreicht, der den Gesamtwirkungsgrad des Halbleiterbauelements weiter erhöhen kann.

Weitere Merkmale, Vorteile und Zweckmäßigkeiten der Erfindung ergeben sich aus den Beschreibungen der folgenden Ausführungsbeispiele in Verbindung mit den folgenden Figuren.
1 zeigt eine schematische Schnittansicht eines ersten Ausführungsbeispiels eines erfindungsgemäßen strahlungemittierenden Halbleiterbauelements;
2 zeigt eine schematische Schnittansicht eines zweiten Ausführungsbeispiels eines erfindungsgemäßen strahlungemittierenden Halbleiterbauelements; Gleichartige und gleich wirkende Elemente besitzen in den Figuren gleiche Bezugszeichen.
In 1 ist eine schematische Schnittansicht eines ersten Ausführungsbeispiels eines erfindungsgemäßen strahlungemittierenden Halbleiterbauelements 1 dargestellt. Auf einem Träger 2, beispielsweise aus GaAs, ist eine Halbleiterschichtenfolge 3, die beispielsweise In_xGa_yAl_1–x–yP, mit 0≤x≤1, 0≤y≤1 und x+y≤1 enthält, angeordnet. Diese weist eine erste, dem Träger 2 zugewandte Hauptfläche 4 auf, die an eine p-leitende Schicht 5 grenzt. Dieser Schicht nachgeordnet sind eine Strahlung erzeugende aktive Zone 6 und eine 200 nm dicke n-leitende Schicht 7, die von einer zweiten Hauptfläche 8 begrenzt wird. Auf der zweiten Hauptfläche 8 ist eine Stromaufweitungsschicht 9 von 700 nm Dicke aus SnO und Sb, zum Beispiel in der Zusammensetzung Sb_0,02Sn_0,98O, angeordnet, die mit einer Kontaktmetallisierung 10 versehen ist, welche eine geringere laterale Ausdehnung als die Stromaufweitungsschicht 9 aufweist. Auf der der Halbleiterschichtenfolge 3 abgewandten Seite des Trägers 2 ist eine Elektrode 11 angeordnet. Über die Kontaktmetallisierung 10 und die Elektrode 11 erfolgt die elektrische Kontaktierung des strahlungemittierenden Halbleiterbauelements 1.
Die Dicke der p-leitenden Schicht 5 ist wesentlich größer als die der n-leitenden Schicht 7, da diese Schicht bei dem gezeigten Ausführungsbeispiel zusätzlich der Stromaufweitung dient, und beträgt beispielsweise 1200 nm. Die Stromaufweitung auf der n-leitenden Seite des Halbleiterbauelements 1 wird beinahe ausschließlich von der. Stromaufweitungsschicht 9 übernommen.
Die Halbleiterschichtenfolge 3 ist derart auf einem Substrat gewachsen, dass entweder die n-leitende 7 oder die p-leitende Schicht 5 auf der vom Substrat abgewandten Seite der Halbleiterschichtenfolge 3 angeordnet ist. Im ersten Fall kann das Aufwachssubstrat mit dem Träger 2 identisch sein, im zweiten Fall wird das Aufwachssubstrat entfernt, um die Stromaufweitungsschicht 9 auf die n-leitende Schicht 7 aufzubringen. Das Halbleiterbauelement 1 wird im letzteren Fall über die p-leitende Schicht 5 auf dem Träger 2 befestigt und elektrisch leitend mit diesem verbunden.
Die Stromaufweitungsschicht 9 bewirkt einen sehr homogenen Stromeintrag in die aktive Zone 6 von der n-leitenden Schicht 7 her. Auch ist die Absorption der erzeugten Strahlung in einer derartigen Stromaufweitungsschicht vortelhaft gering. Dies gilt aufgrund ihrer geringen Dicke auch für die n-leitende Schicht.
Der ohmsche Kontakt zwischen der Stromaufweitungsschicht 9 und der n-leitenden Schicht 7 ist aufgrund der Diffusion von Sn-Donatoren in die n-leitende Schicht 7 vorteilhaft gering und nahezu barrierefrei ausgebildet, da die Diffusion eines Donator-Materials, wie beispielsweise Sn, in die n-leitende Schicht 7 die Ladungsträgerkonzentration zumindest an der Grenzfläche der n-leitenden 7 und der Stromaufweitungsschicht 9 erhöhen kann. Würde man auf der n-leitenden Seite der Halbleiterschichtenfolge 3 eine Zn-haltige Stromaufweitungsschicht aufbringen, so kann der ohmsche Kontakt zwischen dieser Stromaufweitungsschicht und der n-leitenden Schicht 7 verschlechtert werden, da Zn als Akzeptor wirken kann und die Ladungsträgerdichte an der Grenzfläche der beiden Schichten eventuell verringert würde. Dies würde sich negativ auf den Gesamtwirkungsgrad des Bauelements auswirken.
Weiterhin kann die für der Betrieb des Halbleiterbauelements maximal zulässige Stromstärke durch eine derartige Stromaufweitungsschicht 9 erhöht werden, da der in die Stromaufweitungsschicht 9 injizierte Strom von der n-leitenden Seite her nahezu barrierefrei und homogen in die Halbleiterschichtenfolge gelangt und so verglichen mit herkömmlichen Bauelementen eine geringere Verlustwärme bei vergleichbarer Stromstärke entsteht.
Insgesamt entsteht dadurch ein strahlungemittierendes Halbleiterbauelement 1 mit einem erhöhten Gesamtwirkungsgrad. Neben dem guten Kontakt zwischen der n-leitenden Schicht 7 und der Stromaufweitungsschicht 9 trägt auch die geringe Dicke n-leitenden Schicht 7 zu einer Erhöhung des Gesamtwirkungsgrades bei. Deren Schichtdicke ist nach unten dadurch begrenzt, dass sie groß genug ist, eine nachteilige Diffusion von Fremdatomen aus der Stromaufweitungsschicht 9 in die aktive Zone 6 zu verhindern.
2 zeigt eine schematische Schnittansicht eines zweiten Ausführungsbeispiels eines erfindungsgemäßen strahlungemittierenden Halbleiterbauelements 1, das teilweise mit dem in 1 skizzierten Aufbau übereinstimmt. Im Unterschied dazu ist auf der p-leitenden Seite der Halbleiterschichtenfolge 3 eine Spiegelschicht 12 angeordnet, die mit der Halbleiterschichtenfolge und dem Träger 2 elektrisch leitend verbunden und auf diesem befestigt ist. Die Spiegelschicht 12 enthält beispielsweise Au und reflektiert die in der aktiven Zone 6 erzeugte Strahlung. Dadurch werden Verluste durch Absorption von der erzeugten Strahlung in dem Träger 2 verringert. Weiterhin weist die zweite Hauptfläche 8 eine Mikrostruktur 13 auf, die die Totalreflexion an der Grenzfläche der Halbleiterschichtenfolge 3 zur Stromaufweitungsschicht 9 stört.
Verglichen mit dem in 1 dargestellten Bauelement weist dieses Bauelement aufgrund der Mikrostruktur 13 und/oder der Spiegelschicht 12 einen weiter erhöhten Gesamtwirkungsgrad auf .
Die Beschreibung der Erfindung anhand der Ausführungsbeispiele ist nicht als eine Beschränkung der Erfindung auf diese anzusehen. Vielmehr umfasst die Erfindung alle Kombinationen von Merkmalen, die in den Ausführungsbeispielen, der sonstigen Beschreibung oder den Patentansprüchen genannt sind, auch wenn diese Kombinationen nicht Gegenstand eines Patentanspruchs sind.

Claims

Strahlungemittierendes Halbleiterbauelement (1) mit einem Halbleiterkörper, aufweisend eine Halbleiterschichtenfolge (3) mit einer elektromagnetische Strahlung erzeugenden aktiven Zone (6) und mindestens eine n-leitende Seite, dadurch gkennzeichnet, dass – auf der n-leitenden Seite des Halbleiterkörpers mindestens eine Stromaufweitungsschicht (9) angeordnet ist, die elektrisch leitend, mit der Halbleiterschichtenfolge (3) elektrisch leitend verbunden und für die erzeugte Strahlung durchlässig ist, und – die Stromaufweitungsschicht (9) ein Material enthält, das bezüglich der n-leitenden Seite der Halbleiterschichtenfolge (3) ein Donator ist.
Strahlungemittierendes Halbleiterbauelement nach Anspruch 1, dadurch gkennzeichnet, dass der Donator ein Element der vierten Gruppe des Periodensystems enthält.
Strahlungemittierendes Halbleiterbauelement nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gkennzeichnet, dass die Stromaufweitungsschicht (9) ein strahlungsdurchläßiges leitfähiges Oxid enthält.
Strahlungemittierendes Halbleiterbauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gkennzeichnet, dass die Stromaufweitungsschicht (9) SnO enthält.
Strahlungemittierendes Halbleiterbauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gkennzeichnet, dass die Stromaufweitungsschicht (9) mit Sb und/oder F dotiert ist.
Strahlungemittierendes Halbleiterbauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gkennzeichnet, dass die Halbleiterschichtenfolge (3) einen III-V-Halbleiter enthält.
Strahlungemittierendes Halbleiterbauelement nach Anspruch 6, dadurch gkennzeichnet, dass der III-V-Halbleiter In_xGa_yAl_1–x–yP, mit 0≤x≤1, 0≤y≤1 und x+y≤1, In_xGa_yAl_1–x–yN, mit 0≤x≤l, 0≤y≤1 und x+y≤1, oder In_XGa-_yAl_1–X__yAs, mit 0≤x≤1, 0≤y≤1 und x+y≤1, enthält.
Strahlungemittierendes Halbleiterbauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 7, dadurch gekennzeichnet, dass auf der Halbleiterschichtenfolge (3), bevorzugt auf der der n-leitenden Seite gegenüberliegenden Seite, eine Spiegelschicht (12) für die erzeugte Strahlung angeordnet ist.
Strahlungemittierendes Halbleiterbauelement nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, dass die Spiegelschicht (12) elektrisch leitend ist.
Strahlungemittierendes Halbleiterbauelement nach Anspruch 8 oder 9, dadurch gekennzeichnet, dass die Spiegelschicht (12) mindestens ein Metall enthält, bevorzugt Au, Al, Ag und/oder Pt.
Strahlungemittierendes Halbleiterbauelement nach einem der Ansprüche 8 bis 10, dadurch gekennzeichnet, dass die Spiegelschicht (12) mit der Halbleiterschichtenfolge (3) elektrisch leitend verbunden ist.
Strahlungemittierendes Halbleiterbauelement einem der Ansprüche 8 bis 11, dadurch gekennzeichnet, dass dass die Spiegelschicht (12) auf einem Träger (2) angeordnet ist.
Strahlungemittierendes Halbleiterbauelement nach Anspruch 12, dadurch gekennzeichnet, dass die Spiegelschicht (12) mit dem Träger (2) elektrisch leitend verbunden ist.
Strahlungemittierendes Halbleiterbauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 13, dadurch gekennzeichnet, dass die Dicke einer die n-leitende Seite umfassenden n-leitenden Schicht (7) im Bereich von einer Monolage bis 1000nm liegt, vorzugsweise kleiner als 400nm ist und besonders bevorzugt zwischen 150nm und 350nm liegt.
Strahlungemittierendes Halbleiterbauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 14, dadurch gekennzeichnet, dass die Halbleiterschichtenfolge (3), bevorzugt auf der n-leitenden Seite, eine Mikrostruktur (13) aufweist.