DE10345552B3

DE10345552B3 - Integrierte Sensoranordnung

Info

Publication number: DE10345552B3
Application number: DE10345552A
Authority: DE
Inventors: Zoltan Huszka
Original assignee: Austriamicrosystems AG
Current assignee: Ams AG
Priority date: 2003-09-30
Filing date: 2003-09-30
Publication date: 2005-02-03
Anticipated expiration: 2023-10-01
Also published as: WO2005036196A1

Abstract

Es ist eine integrierte Sensoranordnung angegeben, die ein integriertes Hall-Element (1) umfaßt. Das Hall-Element (1) hat ein erstes elektrisches Anschlußpaar (AC) und ein zweites elektrisches Anschlußpaar (BD), welche jeweils Achsen definieren (2, 3), die orthogonal zueinander stehen. Zudem bilden die Achsen (2, 3) gemäß dem vorgeschlagenen Prinzip einen Winkel von 45 DEG beziehungsweise 135 DEG mit der Richtung [-110] im Silizium-Halbleiterkörper (4), beschrieben durch Miller-Indizes, bei einem Standard (100) Wafer. Es läßt sich zeigen, daß hierdurch der Offset des Hall-Sensors (1), der durch mechanische Spannungen oder Druckeinwirkung, insbesondere bei einem Packaging des Chips, entstehen kann, signifikant verringert ist.

Description

Die vorliegende Erfindung betrifft eine integrierte Sensoranordnung.
Integrierte Sensoren können beispielsweise mit Hall-Elementen realisiert werden. Dabei wird das Hall-Element von einem Ruhestrom durchflossen. Bei zusätzlicher Einwirkung eines Magnetfelds entsteht in Abhängigkeit des Winkels zwischen Strom und Magnetfeld eine sogenannte Hall-Spannung, eine Quellenspannung. Damit können präzise Strom-Messungen durchgeführt werden.
Problematisch bei derartigen Hall-Elementen, die in einem Halbleiterkörper integriert sind, ist die verhältnismäßig starke Abhängigkeit der elektrischen Eigenschaften von mechanischen Einwirkungen wie Druck, mechanischen Spannungen, Torsion et cetera. Dieser Zustand der mechanischen Spannung entsteht insbesondere beim sogenannten Packaging eines integrierten Schaltkreises und bei dessen Einkapselung. Hall-Sensoren sind besonders sensibel auf Änderungen der elektrischen Eigenschaften des integrierten Halbleiters verursacht durch mechanische Spannungen.

Zur Beseitigung von Offsets in Hall-Sensoren sind unterschiedliche Methoden bekannt. Am weitesten verbreitet ist die Methode, die Munter et al. in dem Aufsatz beschreiben "Electronic Circuitry For A Smart Spinning – Current Hall Plate with Low Offset", Senors and Actuators A, 25–27, 1991, S. 747–751.

Auch in der Druckschrift US 6,064,202 A ist die sogenannte Spinning-Current-Kompensationsmethode beschrieben.

Obwohl derartige Verfahren einen Offset zum großen Teil beseitigen können, verbleibt jedenfalls ein Offset im Ausgangs- Nutzsignal aufgrund von Nichtlinearitäten. Die Nichtlinearitäten können durch die linearen Operationen, wie sie im Spinning-Current-Prinzip vorgesehen sind, nicht beseitigt werden. Die unerwünschten Eigenschaften der Nichtlinearitäten nehmen mit zunehmendem Offset-Level zu. Folglich ist es wünschenswert, eine Anordnung mit einem Hall-Element zu schaffen, bei dem der durch mechanische Spannungen induzierte Offset weiter reduziert ist.

In der Druckschrift von S. A. Gee et al. "Strain-Gauge Mapping of Die Surface Stresses", IEEE Transactions on Components, Hybrids, and Manufacturing Technology, Vol. 12, No. 4, December 1989, S. 587–593 ist beschrieben, daß die mechanische Scherspannung eines eingekapselten Silizium-Halbleiterplättchens in der Mitte des Halbleiterplättchens relativ am geringsten ist.

Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es, eine integrierte Sensoranordnung anzugeben, die ein integriertes Hall-Element aufweist und die eine geringe Abhängigkeit der elektrischen Hall-Eigenschaften von den Druckbedingungen oder mechanischen Spannungen im Halbleiter hat.

Erfindungsgemäß wird die Aufgabe gelöst durch eine integrierte Sensoranordnung, aufweisend die im Amspruch 1 angegebenen Merkmale.

Besondere Ausführungsarten der Erfindung sind in den Unteransprüchen angegeben.

Für Richtungs- und Orientierungsangaben im Kristall-Halbleiter wird vorliegend die Schreibweise gemäß der sogenannten Miller-Indizes benutzt.

Es entspricht dem vorgeschlagenen Prinzip, daß die integrierte Sensoranordnung mit dem Hall-Element ausgebildet ist zum Abgeben eines elektrischen Signals, welches die magnetische Flußdichte eines Magnetfeldes repräsentiert, das den Hall-Sensor durchdringt.

Gemäß dem vorgeschlagenen Prinzip wird durch die angegebene Position und Orientierung des Hall-Elements im Silizium-Kristall der druck-induzierte sowie durch mechanische Spannungen verursachte Offset signifikant verringert.

Die Wirkungsweise des vorgeschlagenen Prinzips soll nachfolgend anhand einer mathematischen Herleitung erläutert werden. Sowohl im Wafer, als auch im elektronischen Package herrscht hauptsächlich ein planarer, mechanischer Spannungszustand vor. Dieser kann durch drei Spannungskomponenten charakterisiert werden, nämlich eine Scherspannungskomponente und zusätzlich zwei weitere Spannungskomponenten, welche in der Hauptebene des Chips liegen und senkrecht aufeinander stehen. Die beiden letztgenannten Spannungskomponenten werden auch als Komponenten des biaxialen hydrostatischen Drucks bezeichnet. Anstelle der beiden senkrecht zueinander stehenden Druckkomponenten kann auch eine andere Schreibweise verwendet werden, die sich zusammensetzt aus einem biaxialen hydrostatischen, also richtungsunabhängigen Anteil, und einem Spannungsdifferenzenanteil gemäß den Formeln

Die beiden Darstellungen sind offensichtlich äquivalent. Da letztere Darstellung eine einfachere mathematische Darstellbarkeit erlaubt, wird diese vorliegend ohne Beschränkung der Allgemeinheit verwendet.

In Abhängigkeit von der Einwirkung mechanischer Spannungen und der Umgebungstemperatur ändert sich der Widerstandswert eines Widerstandes, der in einem kristallinen Halbleiter integriert ist. Die allgemein gültige relative Widerstandsände rung ist eine periodische Funktion des Winkels Ψ, gemessen relativ zu einer beliebigen Achse in einer beliebig orientierten Oberfläche einer Siliziumstruktur:

Diese Formel kann dem Aufsatz von D. A. Bittle: "Piezoresistive Stress Sensors for Structural Analysis of Electronic Packages", Auburn University, Auburn, Alabama, Journal of Electronic Packaging, September 1991, Vol. 113, pp. 203–215 entnommen werden, in dem die grundlegenden Theorien der Druck-induzierten Widerstandsänderung im Halbleiter behandelt werden.

Die Koeffizienten ξ, η, ζ setzen sich zusammen aus Funktionen der Temperatur, Druckkomponenten und den Elementen des Tensors, der den Piezo-Widerstand beschreibt bei vorgegebener Orientierung der Siliziumoberfläche.

Für die Komponenten ξ, η, ζ ergibt sich für die vorgegebene Orientierung im Siliziumkristall ξ = π44σPD η = πDσ12 ζ = πSσPH + π12σ33 + αΔT.

Darin sind

π_S = π₁₁ + π₁₂; π_D = π₁₁ – π₁₂: die kombinierten piezoresistiven Koeffizienten,
α: der Temperaturkoeffizient des Widerstands und
ΔT: die Temperaturdifferenz zwischen mechanisch unbeanspruchten und beanspruchten Zuständen des Piezowiderstandes.

Führt man die Beziehung

ein, so vereinfacht sich die bereits erläuterte Gleichung

Der Term ζ ist winkelunabhängig, also ein isotropischer Parameter. Deshalb ist er auch unabhängig bezogen auf die Variation der Widerstandswerte entlang beliebiger Winkel in der Wafer-Ebene, die einem mechanischen Spannungszustand unterliegen.

Der Term, der für den Offset verantwortlich ist, ist der zweite Term. Er führt eine Abweichung mit einer Periode von 180° in den Wert der Widerstandsänderung ein mit einer Amplitude von

Bei dieser Betrachtung ist die Hauptachse entlang der Richtung ψ0 orientiert, in der die Widerstandsänderung maximal ist, während eine Diagonale in die Richtung ψ + 90° weist, in der die Widerstandsänderung minimal ist. Hier werden aus Gründen der Kürze der Darstellung Periodizitäten der Winkelabhängigkeit nicht berücksichtigt. Zwischen diesen Winkeln erfährt ein Widerstand eine relative Gesamtänderung der doppelten Amplitude A_δ. Dies kann auch als Offset-Intervall bezeichnet werden.

Die Widerstandsänderung führt zu einem druckabhängigen Offset, weil die Widerstände in den zwei senkrecht aufeinanderstehenden Achsen der Hall-Platte verschiedenen Änderungen unterliegen.

Man erkennt, daß die Widerstandsänderung jedoch Null ist bei Winkeln von ψZ = ψ0 ± 45° und ψZ ± 90°

Wenn man deshalb das Hall-Element in die Richtung ψ_Z dreht, kann der stress-induzierte Offset der Hall-Spannung mit oder ohne Spinning-Current-Kompensation deutlich verringert werden.

Aus obigen Formeln ergibt sich dann eine Offset-Amplitude und ein Winkel ψ₀ von

Wie sich aus den oben entwickelten Formeln ergibt, beträgt in Abwesenheit einer Scherspannung in der Hauptebene des Halbleiterkörpers der Winkel ψ_Z mit einem Offset von Null gerade gleich 45°.

Bevorzugt ist ein erstes Anschlußpaar des integrierten Hall-Elements zum Zuführen eines Bias-Stroms ausgelegt. Gemäß dem Hall-Prinzip kann an einem zweiten Anschlußpaar des integrierten Hall-Elements eine Hall-Spannung abgegriffen werden, die unter Einwirkung eines Magnetfelds entsteht. Die Achse durch das erste Anschlußpaar und die Achse durch das zweite Anschlußpaar des integrierten Hall-Elements sind bevorzugt orthogonal zueinander angeordnet.

Alternativ sind auch andere Winkel als 90° möglich zwischen den beiden Achsen, wobei sich gemäß dem Hall-Prinzip die induzierte Spannung entsprechend verringert bei gleichem Strom und Magnetfeld.

Bevorzugt werden die Stromzufuhr und der Spannungsabgriff an den beiden Anschlußpaare gemäß dem Spinning-Current-Prinzip periodisch getauscht. Hierdurch kann eine noch weitere Reduzierung des Offsets erzielt werden.

Bevorzugt ist das integrierte Hall-Element in der von den beiden Achsen durch erstes und zweites Anschlußpaar aufgespannten Ebenen zumindest in Schritten von 90° drehsymmetrisch. Dadurch wird eine hohe Symmetrie der Gesamtanordnung erzeugt, auch bei Anwendung des Spinning-Current-Prinzips.

Gemäß einer bevorzugten Weiterbildung des vorgeschlagenen Prinzips sind die beiden Anschlüsse des ersten Anschlußpaares und die beiden Anschlüsse des zweiten Anschlußpaares auf einem gemeinsamen Kreisbogen um einen Mittelpunkt des integrierten Hall-Elements angeordnet.

Weiter bevorzugt ist das integrierte Hall-Element scheibenförmig ausgebildet.

Bevorzugt hat das integrierte Hall-Element eine sogenannte Van-der-Pauw-Struktur, welche scheibenförmig ist und bei der die Achsen durch die beiden Anschlußpaare senkrecht zueinander stehen und in der Hauptebene der Scheibe angeordnet sind sowie deren Mittelpunkt schneiden.

Bevorzugt hat der Halbleiterkörper zumindest im Bereich des integrierten Hall-Elements einen p-Leitfähigkeitstyp.

Ein Vorteil des Halbleiters vom p-Leitfähigkeitstyp liegt in der ca. 200-fach geringeren Abhängigkeit von mechanischer Spannung oder Druck gegenüber einem Siliziumkörper vom n-Leitfähigkeitstyp.

Besonders vorteilhaft ist die Ausbildung des Hall-Elements in einem p-leitenden Material in solchen Anwendungen, bei denen der Reduzierung des Offsets und der Langzeitstabilität des Sensors eine höhere Bedeutung zukommt als der Empfindlichkeit des Sensors aufgrund von höherer Elektronenbeweglichkeit gegenüber Löcherbeweglichkeit.

Der Halbleiterkörper mit p-Leitfähigkeitstyp, in den das Hall-Element integriert ist, ist besonders vorteilhaft anwendbar im Bereich der elektrischen Energiezähler für Haushalts- und Industrieanwendungen, wo ein Hall-Element mit mittlerer Empfindlichkeit ausreicht, jedoch eine sehr hohe Genauigkeit sowie besonders geringe Alterungs-Drifteffekte im Vordergrund stehen.

Weiter bevorzugt ist das integrierte Hall-Element in einem Zentralbereich des Halbleiterkörpers bezogen auf eine Hauptebene desselben angeordnet, die durch die beiden rechtwinklig zueinander stehenden Achsen aufgespannt ist. Im mittleren Bereich oder Zentralbereich des sogenannten Die oder Halblei terplättchens ist eine weitere Verringerung von durch Druck oder mechanische Spannungen bedingten Offsets zu erwarten.

Als Zentralbereich des Halbleiterkörpers ist bevorzugt derjenige Bereich verstanden, bei dem der Radius kleiner oder gleich ein Viertel des Radius desjenigen Kreisbogens ist, auf dem die Anschlüsse der Anschlußpaare des Hall-Elements liegen.

Vorteilhaft sind auch alle Strukturen eines Hall-Elements, die durch konforme Abbildung von der scheibenförmigen Struktur abgeleitet werden können.

Weitere Einzelheiten und vorteilhafte Ausgestaltungen des vorgeschlagenen Prinzips sind Gegenstand der Unteransprüche.

Die Erfindung wird nachfolgend an mehreren Ausführungsbeispielen anhand der Zeichnungen näher erläutert.
Es zeigen:
1 ein erstes Ausführungsbeispiel einer integrierten Sensoranordnung gemäß dem vorgeschlagenen Prinzip mit einem scheibenförmigen Hall-Element,
2 ein zweites Ausführungsbeispiel einer integrierten Sensoranordnung gemäß dem vorgeschlagenen Prinzip anhand eines quadratischen Hall-Elements,
3 ein drittes Ausführungsbeispiel einer integrierten Sensoranordnung, bei der ein kreuzförmiges Hall-Element vorgesehen ist und
4 einen Halbleiterkörper, bei dem eine integrierte Sensoranordnung gemäß vorgeschlagenem Prinzip im Zentralbereich angeordnet ist.
1 zeigt ein Ausführungsbeispiel einer integrierten Sensoranordnung mit einem Hall-Element 1, welches scheibenförmig ausgebildet und in einem Silizium-Halbleiterkörper integriert ist, in einer Draufsicht. Es sind zwei Achsen 2, 3 vorgesehen. Die Achsen 2, 3 stehen in einem Winkel von 90° zueinander. Die Achsen 2, 3 schneiden sich im Mittelpunkt M eines Kreises, dessen Umfang die scheibenförmige Hall-Struktur berandet. Die Achse 2 umfaßt ein erstes Anschlußpaar A, C. Die Achse 3 umfaßt ein zweites Anschlußpaar B, D. Die Strecke definiert durch die Anschlüsse A, C des ersten Anschlußpaares AC schneidet den Mittelpunkt M des Kreises, der das scheibenförmige Element begrenzt, genau in ihrer Mitte. Ebenso verhält es sich mit der Strecke, welche definiert ist durch die Anschlüsse B, D des zweiten Anschlußpaares BD. Weiterhin erkennt man, daß die Abstände der Anschlüsse A, B, C, D des ersten und des zweiten Anschlußpaares zum Mittelpunkt M alle gleich sind. Demnach liegen alle Anschlüsse A, B, C, D auf dem Umfang eines hier nicht eingezeichneten Kreises um den Mittelpunkt M der scheibenförmigen Struktur.
Das Hall-Element 1 ist in einem Silizium-Halbleiterkörper vom p-Leitfähigkeitstyp integriert. Der Silizium-Halbleiterkörper weist eine Standard-(1 0 0)-Orientierung auf, wie sie bei der industriellen Halbleiterfertigung üblich ist. Die Achse 2 durch das erste Anschlußpaar AC bildet einen Winkel von 45° zur [–1 1 0]-Richtung im Siliziumkristall, dargestellt durch Miller-Indizes. Die [–1 1 0]-Richtung liegt in der von den Achsen 2, 3 aufgespannten Ebene.
Die [–1 1 0]-Richtung befindet sich parallel zu einer Hauptfläche des scheibenförmigen Hall-Elements 1. In 1 sind für die einfachere Darstellung Punktkontakte A, B, C, D als elektrische Anschlüsse vorgesehen anstelle der tatsächlichen Kontakte mit endlichen Dimensionen, also finiten Kontakten. Die Hall-Zelle 1 ist nahe an der Mitte des Halbleiterkörpers angeordnet.
Die scheibenförmige Hall-Struktur wird auch als Van-der-Pauw-Struktur bezeichnet. Der Bias-Strom fließt dabei durch die Strecke zwischen den Anschlüssen A, C. Zwischen den Anschlüssen B, D kann eine Hall-Spannung abgegriffen werden, wenn zusätzlich ein Magnetfeld in einem Winkel ungleich Null zur Hauptebene einwirkt.
Gemäß dem Spinning-Current-Prinzip werden die Anschlüsse A, C mit den Anschlüssen B, D periodisch vertauscht.
Gemäß dem vorgeschlagenen Prinzip ergeben sich zwischen den Achsen 2 und 3 Winkel von 45° bzw. 145° bezogen auf die Richtung [–1 1 0] im Siliziumkristall. Dadurch wird der Einfluß mechanischer Spannungen auf die Hall-Spannung deutlich reduziert, wie vorstehend mathematisch hergeleitet. Mit dem Spinnig-Current-Prinzip ist eine noch weitere Verringerung eines durch mechanische Spannungen im Halbleiterkörper verursachten Offsets erzielt.
2 zeigt ein weiteres Ausführungsbeispiel eines Hall-Elements gemäß dem vorgeschlagenen Prinzip. Anstelle der scheibenförmigen Struktur ist hier beispielhaft eine Struktur mit quadratischem Querschnitt vorgesehen. Die Hall-Elemente gemäß 1 und 2 haben jedoch die Eigenschaften gemeinsam, daß die Achsen 2, 3 zueinander einen Winkel von 90° aufweisen sowie zur [–1 1 0]-Richtung einen Winkel von 45° bzw. 135° haben. Auch das Hall-Element von 2 ist in der Mitte des Chips angeordnet. Dadurch ergeben sich die gleichen vorteilhaften Wirkungsprinzipien wie bei dem Hall-Element von 1, die deshalb an dieser Stelle nicht noch einmal wiederholt werden.
3 zeigt eine kreuzförmige Ausführung eines Hall-Elements. Die gemeinsamen Eigenschaften von 1 und 2 gelten auch für 3.
In alternativen Ausführungen zu den Hall-Elementen gemäß 1 bis 3 können auch andere Hall-Elemente gemäß dem vorgeschlagenen Prinzip vorgesehen sein, die sich durch konforme Abbildung aus der orthogonalen Van-der-Pauw-Struktur aus 1 ableiten lassen. Es entspricht dem vorgeschlagenen Prinzip, daß die beiden Achsen der Anschlüsse des Hall-Elements Winkel von 45° +/– 90° mit der Richtung [–1 1 0] parallel zur Hauptfläche des Wafers haben, der eine [1 0 0]-orientierten Siliziumstruktur aufweist.
Allen gezeigten Ausführungsbeispielen ist gemeinsam, daß ein Halbleiterkörper vom p-Leitfähigkeitstyp verwendet wird. Wie die Tabelle zeigt, wird durch Verwendung eines p-Leitfähigkeitstyps eine um den Faktor 200 weiter reduzierte Abhängigkeit des Hall-Effekts von mechanischen Spannungen gegenüber einem n-Typ erzielt. Die verhältnismäßig geringere Mobilität oder Beweglichkeit der p-Ladungsträger gegenüber den n-Ladungsträgern führt zu einer geringfügig reduzierten Empfindlichkeit des Sensors, die jedoch mehr als aufgewogen wird durch die erzielten Vorteile wie deutlich höhere Langzeitstabilität und deutliche Offset-Reduzierung. Deshalb sind die beschriebenen Sensoren besonders in elektrischen Energiezählern in Haushalt und Industrie mit Vorteil anwendbar.
4 zeigt einen Halbleiterkörper 4 mit quadratischem Querschnitt. Man erkennt, daß das Hall-Element 1 innerhalb eines Kreises 5 angeordnet ist, der um den Mittelpunkt oder Schwerpunkt des rechteckförmigen Querschnitts gezogen ist. Der Durchmesser des Kreises 5 beträgt kleiner oder gleich ein Viertel der Diagonalen des Halbleiterkörpers 4. Somit ist sichergestellt, daß sich das Hall-Element in einem Zentralbereich des Halbleiterkörpers 4 befindet, wodurch eine noch weitere Reduzierung der Abhängigkeit der Hall-Spannung von mechanischen Druckeinwirkungen oder mechanischen Spannungen, wie sie beispielsweise beim Packaging des Sensorchips auftreten, erzielt ist.
Selbstverständlich liegt es im Rahmen der Erfindung, das beschriebene Prinzip auch auf andere Silizium-Halbleiterkörper oder -Wafer zu übertragen, die eine andere Siliziumorientierung als die übliche (1 0 0)-Ausrichtung haben.

1: Hall-Element
2: Achse
3: Achse
4: Halbleiterkörper
5: Zentralbereich
A: Anschluß
B: Anschluß
C: Anschluß
D: Anschluß
M: Mittelpunkt
AC: Anschlußpaar
BD: Anschlußpaar

Claims

Integrierte Sensoranordnung, aufweisend ein in einem Silizium-Halbleiterkörper (4) integriertes Hall-Element (1) und zwei Anschlußpaare (AC, BD) an dem Hall-Element (1), die zwei näherungsweise rechtwinklig zueinander stehende Achsen (2, 3) definieren, bei dem eine der Achsen (2) in einem Winkel von näherungsweise 45 Grad zu einer [–1 1 0]-Richtung angeordnet ist bezogen auf eine (1 0 0)-Orientierung des Silizium-Halbleiterkörpers (4).
Integrierte Sensoranordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß ein erstes Anschlußpaar (AC) des integrierten Hall-Elements (1) zum Zuführen eines Bias-Stroms ausgelegt ist und daß an einem zweiten Anschlußpaar (BD) des integrierten Hall-Elements (1) eine Hall-Spannung abgreifbar ist.
Integrierte Sensoranordnung nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß das integrierte Hall-Element (1) in der von den beiden Achsen (2, 3) aufgespannten Ebene zumindest in Schritten von 90 Grad drehsymmetrisch ist.
Integrierte Sensoranordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß die beiden Anschlüsse (A, C) des ersten Anschlußpaares (AC) und die beiden Anschlüsse (B, D) des zweiten Anschlußpaares (BD) auf einem gemeinsamen Kreisbogen um einen Mittelpunkt (M) des integrierten Hall-Elements (1) angeordnet sind.
Integrierte Sensoranordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß das integrierte Hall-Element (1) scheibenförmig ausgebildet ist.
Integrierte Sensoranordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, daß das integrierte Hall-Element (1) eine Van-der-Pauw-Struktur hat.
Integrierte Sensoranordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, daß der Halbleiterkörper (4) zumindest im Bereich des integrierten Hall-Elements (1) einen p-Leitfähigkeitstyp hat.
Integrierte Sensoranordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 7, dadurch gekennzeichnet, daß das integrierte Hall-Element (1) in einem Zentralbereich (5) des Halbleiterkörpers (4) bezogen auf eine Hauptebene desselben angeordnet ist, die durch die beiden rechtwinklig zueinander stehenden Achsen (2, 3) aufgespannt ist.
Integrierte Sensoranordnung nach Anspruch 4 und 8, dadurch gekennzeichnet, daß der Zentralbereich (5) des Halbleiterkörpers (4) begrenzt ist durch einen Kreis um den Mittelpunkt (M) des integrierten Hall-Elements (1) mit einem Viertel des Radius desjenigen Kreisbogens, auf dem die beiden Anschlüsse (A, C) des ersten Anschlußpaares (AC) und die beiden Anschlüsse (B, D) des zweiten Anschlußpaares (BD) angeordnet sind.