DE10328084A1

DE10328084A1 - Anordnung zur Erhöhung des Füllfaktors in y-Richtung der Strahlung mehrerer gekühlter Diodenlaserbarren gleicher Wellenlänge und Polarisation

Info

Publication number: DE10328084A1
Application number: DE10328084A
Authority: DE
Inventors: Joachim Giesekus; Michael Leers; Marco HÖFER; Martin Traub; Claus Schnitzler; Jörg Luttmann
Original assignee: Fraunhofer Gesellschaft zur Forderung der Angewandten Forschung eV; Rheinisch Westlische Technische Hochschuke RWTH
Current assignee: Fraunhofer Gesellschaft zur Forderung der Angewandten Forschung eV; Rheinisch Westlische Technische Hochschuke RWTH
Priority date: 2003-06-20
Filing date: 2003-06-20
Publication date: 2005-01-20

Abstract

Die Erfindung betrifft eine Anordnung zur Erhöhung des Füllfaktors in y-Richtung der Strahlung mehrerer gekühlter Diodenlaserbarren gleicher Wellenlänge und Polarisation, die jeweils in z-Richtung ein Strahlungsfeld abstrahlen, mit mindestens einem optischen Bauelement, wobei die einzelnen Diodenlaser auf einem Barren in x-Richtung nebeneinander angeordnet sind und die Diodenlaserbarren in y-Richtung, einen Diodenlaserstack bildend, übereinander gestapelt sind, wobei die x-, y- und z-Richtung ein rechtwinkliges Koordinatensystem bilden, die dadurch gekennzeichnet ist, dass die jeweiligen Strahlungsfelder der einzelnen Diodenlaserbarren in eine planparallele Platte, deren beiden Flächen für die Diodenlaserstrahlung hoch reflektierend ausgebildet sind, im Bereich von für die Diodenlaserstrahlung antireflektierend ausgebildeten Flächenteilen eingestrahlt werden, wobei dieses jeweilige Einstrahlflächenteil der planparallelen Platte unter einem Winkel zu der z-Richtung ausgerichtet ist, und dass die einzelnen Strahlungsanteile der jeweiligen Diodenlaserbarren durch Reflexion an den hoch reflektierend ausgebildeten Flächen der planparallelen Platte zu einem für die Strahlung antireflektierend beschichteten Austrittsfenster der planparallelen Platte geführt werden und aus der Faltungsplatte als Strahlungsfeld ausgekoppelt werden.

Description

Die vorliegende Erfindung betrifft eine Anordnung zur Erhöhung des Füllfaktors in y-Richtung der Strahlung mehrerer gekühlter Diodenlaserbarren gleicher Wellenlänge und Polarisation, die jeweils in z-Richtung ein Strahlungsfeld abstrahlen, mit mindestens einem optischen Bauelement, wobei die einzelnen Diodenlaser auf einem Barren in x-Richtung nebeneinander angeordnet sind und die Diodenlaserbarren in y-Richtung, einen Diodenlaserstack bildend, übereinandergestapelt sind, wobei die x-, y- und z-Richtung ein rechtwinkliges Koordinatensystem bilden.
Diodenlaserbarren, wie sie vorstehend angegeben sind, sind gestapelte Diodenlaser hoher Leistung und werden hauptsächlich in zwei Anwendungsfeldern eingesetzt: in der Materialbearbeitung und zum Pumpen von Festkörperlasern. In der Materialbearbeitung werden bevorzugt Diodenlaserstacks eingesetzt, wenn eine hohe Fokusdimension erforderlich ist. Beispiele sind das Härten, Wärmeleitungsschweißen, Umschmelzen und das Kunststoffschweißen. Bei Festkörperlasern mit quaderförmigem, aktivem Medium werden Stacks eingesetzt, weil ihr linienförmiger Fokus gut an die Geometrie des Modenvolumens angepasst ist. Die Strahlung von Diodenlaserstacks ist ein zweidimensionales Bündel von Strahlen gleicher Wellenlänge und Polarisation.
Hochleistungslaser werden als Emittergruppen zu Barren zusammengefasst und auf Wärmesenken montiert. Die Leistung derzeit kommerziell verfügbarer Barren ist auf 50 W begrenzt. Lasersysteme mit höherer Ausgangsleistung werden nicht kohärent gekoppelt; Verfahren der inkohärenten Kopplung sind das geometrische Multiplexing, Polarisations- und Wellenlängenkopplung. Die gebräuchlichste Form, das geometrische Multiplexing, ist die vertikale Anordnung aktiv gekühlter Barren zu Diodenlaserstacks mit Mikrolinsen zur Kollimation in Richtung der Fast-Axis. Die Fokussierbarkeit des überlagerten Strahlungsfelds hängt davon ab, wie nahe die Strahlung der einzelnen Barren aneinandergelegt werden kann. Dies wird durch den Füllfaktor beschrieben. Der limitierende Faktor hierbei ist die Höhe der Wärmesenke der Emittergruppen in vertikaler Richtung und die Höhe der Zylinderlinse zur Fast-Axis-Kollimation.
Um eine kleine Baugröße der Wärmesenken aktiv gekühlter Diodenlaser zu erreichen, werden kleine Strukturen mit großer Oberfläche in diesen erzeugt. Die inneren Strömungskanäle, die vorgesehen sind, sind sehr fein und haben Abmessungen von 100–500 μm. Kleinste Partikel können die Kanäle verengen und den Ausfall des gesamten Stacks verursachen. Die serielle, elektrische Schaltung erfordert de-ionisiertes Wasser, das aufwendig überwacht werden muss und hohe Anforderung an die Korrosionsbeständigkeit der eingesetzten Werkstoffe stellt. Alle Wärmesenken müssen aufwendig an vier Stellen mit O-Ringen gedichtet werden. Bei solchen Anordnungen ist eine Leckage der häufigste Ausfallgrund.

Ausgehend von dem vorstehend beschriebenen Stand der Technik liegt der vorliegenden Erfindung die Aufgabe zugrunde, eine Anordnung, wie sie eingangs beschrieben ist, so weiterzubilden, dass passiv gekühlte Diodenlaserbarren auf größerem Raum Wärme gespreizt abgeben können und trotzdem ein Strahlenbündel hoher Leistungsdichte und Brillanz vergleichbar mit oder besser als die von aktiv gekühlten Diodenlaserstacks erreicht wird.

Die vorstehende Aufgabe wird bei einer Anordnung mit den eingangs angeführten Merkmalen dadurch gelöst, dass die jeweiligen Strahlungsfelder der einzelnen Diodenlaserbar ren in eine planparallele Platte, deren beide Flächen für die Diodenlaserstrahlung hoch reflektierend ausgebildet sind, im Bereich von für die Diodenlaserstrahlung antireflektierend ausgebildeten Flächenteilen eingestrahlt werden, wobei dieses jeweilige Einstrahlflächenteil der planparallelen Platte unter einem Winkel zu der z-Richtung ausgerichtet ist, und dass die einzelnen Strahlungsanteile der jeweiligen Diodenlaserbarren durch Reflexion an den hoch reflektierend ausgebildeten Flächen der planparallelen Platte zu einem für die Strahlung antireflektierend beschichteten Austrittsfenster der planparallelen Platte geführt werden und aus der Faltungsplatte als Strahlungsfeld ausgekoppelt werden.

In dieser Anordnung werden gekühlte Diodenlaserbarren in einer stufenförmigen Anordnung übereinander positioniert, so dass deren Kühlkörper, in z-Richtung gesehen, zueinander versetzt sind. Hierbei müssen die jeweiligen Diodenlaserbarren, in y-Richtung gesehen, so beabstandet sein, dass deren jeweilige Strahlung ungehindert den nächsten Diodenlaserbarren, der stufenförmig darunter angeordnet ist, zu passieren. Die Strahlungen der einzelnen, stufenförmig angeordneten, gekühlten Diodenlaserbarren werden dann mittels einer parallelen Platte, als Faltungsplatte, so überlagert, dass ein Strahlungsfeld entsteht, das an einer geeigneten Stelle, die für die Strahlung durchlässig ist, ausgekoppelt wird.

Mit einer solchen Anordnung kann gerade dann, wenn passiv gekühlte Diodenlaserbarren eingesetzt werden, ein Strahlungsfeld erzeugt werden, das mit demjenigen von aktiv gekühlten Diodenlaserstacks vergleichbar ist dahingehend, dass der Strahlabstand der kollimierten Bündel in y-Richtung vergleichbar mit oder geringer als aktiv gekühlte Diodenlaserstacks eingestellt werden kann.

Für den vorstehend angegeben Zweck ist die Faltungsplatte auf der Ober- und Unterseite mit einer Antireflexionsschicht entsprechend der Wellenlänge, der Polarisation und des Einfallswinkels versehen. Partiell wird in den Bereichen, in denen das angekoppelte Strahlungsfeld reflektiert wird, eine hoch reflektierende Beschichtung auf die entsprechenden Flächen der planparallelen Platte aufgebracht.

In der Slow-Richtung der Diodenlaser, d. h. in dem vorstehend angegebenen Koordinatensystem in x-Richtung, wird die Breite der Platte so gewählt, dass diese als Wellenleiter wirkt. Durch innere Totalreflexion wird die Strahlung des einzelnen Diodenlasers homoge nisiert. Neben der Homogenisierung bewirkt der Wellenleiter eine gleiche Austrittsapertur der einzelnen Strahlen. Die Wellenlängendifferenz in der Slow-Richtung ist daher unabhängig von der Propagationslänge durch die Faltungsplatte. Für übliche Divergenzwinkel in Slow-Richtung ist demzufolge die Wellenlängendifferenz hinreichend kompensiert.

Mit der vorstehend angegebenen Anordnung werden weiterhin folgende Vorteile erzielt:

– der Einsatz passiv gekühlter Diodenlaser ist möglich;
– es ist ein Verzicht auf de-ionisiertes Wasser möglich;
– eine Erhöhung des Füllgrads in Fast-Richtung der Diodenlaser ist auch im Vergleich zu aktiv gekühlten Stacks möglich;
– eine Homogenisierung der Strahlung in Slow-Richtung der Diodenlaser ist gegeben;
– ein Austausch einzelner Barren mit Wärmesenke ist ohne großen Aufwand vornehmbar.

Es ist ersichtlich, dass die vorstehenden Vorteile insbesondere dann zum Tragen kommen, wenn passiv gekühlte Diodenlaser in der angegebenen Anordnung eingesetzt werden. Gerade solche passiv gekühlten Diodenlaser, d. h. solche ohne ein Kühlfluid, werden in vielen Anwendungen gefordert, da häufige Ausfälle auf Undichtigkeiten des aktiven Kühlsystems zurückzuführen sind.

Um die Strahlung der jeweiligen Diodenlaser in die planparallele Platten einzukoppeln, werden die Einkoppelfenster durch antireflektierenden Flächenteile gebildet. Eine alternative Möglichkeit besteht darin, die antireflektierenden Flächenteile durch jeweils ein Einkoppelprisma zu bilden. Ein Einkoppelprisma ist dann zu bevorzugen, wenn unpolarisierte oder unterschiedlich polarisierte Diodenlaser zum Einsatz kommen, während ein Einkoppelfenster in Form der antireflektierenden Flächenteile dann heranzuziehen ist, wenn es kostengünstiger erscheint.

Die Strahlung der einzelnen Diodenlaser werden innerhalb der planparallelen Platte so unter einem Winkel eingestrahlt und geführt, dass die jeweiligen Reflexionspunkte zu nachfolgenden, in Richtung des Strahlengangs gesehen, Einkoppelfenstern versetzt sind.

Die jeweiligen Strahlungsanteile der einzelnen Diodenlasern, die in die planparallele Platte eingekoppelt sind, werden zu einem geeignet positionierten Auskoppelfenster geführt. In Strahlausbreitungsrichtung innerhalb der planparallelen Platte gesehen kann ein weiterer Diodenlaserbarren zu der Anordnung hinzugefügt werden, dessen Strahlung über ein Einkoppelfenster in die planparallele Platte eingekoppelt wird, das etwa dem Auskoppelfenster gegenüberliegt, so dass dieser Strahlungsanteil, ohne weitere Reflexion innerhalb der planparallelen Platte, direkt zu dem Austrittsfenster geführt wird.

Die y-Richtung des Koordinatensystems, wie es vorstehend angegeben ist, sollte, wie bereits erwähnt, der Fast-Richtung der Diodenlaser entsprechen.

Weiterhin ist es bevorzugt, die Anordnung in Verbindung mit passiv gekühlten Diodenlaserbarren einzusetzen.

Weiterhin sollten die Diodenlaserbarren der Anordnung, aus Symmetriegründen, in z-Richtung zueinander derart versetzt sein, dass sie jeweils einen gleichen Strahlweg zu der jeweiligen Einkoppelstelle der planparallelen Platte haben. Durch diese Dimensionierung werden die Teilstrahlen mit jeweils gleichen Radien in die Platte eingekoppelt und die Strahlqualität bleibt in Slow-Richtung nahezu vollständig erhalten.

Während vorstehend Anordnungen beschrieben sind, bei denen die Strahlung der Diodenlaserbarren von einer Seite in die planparallelen Platte eingestrahlt wird, kann, zur Erhöhung der Anzahl von Diodenlasern und bei großem Strahlabstand y vor der Platte und für einen kompakteren Aufbau, die Strahlung von Diodenlaserbarren von beiden Seiten der planparallelen Platte in diese eingestrahlt werden, wobei der Einstrahlwinkel so gewählt wird, dass alle Strahlungsanteile aller Diodenlaserbarren zu dem Auskoppelfenster zur Bildung eines Strahlungsfelds geführt werden.

Dann, wenn die Austrittsebene senkrecht zur Ausbreitung stehen soll, wird bevorzugt, im Bereich des Austrittsfenster die planparallele Platte abgeschrägt.

Als Alternative kann dann, wenn auch zur Einkopplung Prismen verwendet werden, im Bereich des Austrittsfensters ein Auskoppelprisma aufgesetzt werden.

Weitere Einzelheiten und Merkmale der vorliegenden Erfindung ergeben sich aus der nachfolgenden Beschreibung von Ausführungsbeispielen anhand der Zeichnung. In der Zeichnung zeigt

1 eine schematische Seitenansicht einer efindungsgemäßen Anordnung mit passiv gekühlten Diodenlaserstacks mit einem Strahlverlauf in Fast-Richtung;

2 schematisch den Strahlverlauf, der demjenigen der Anordnung der 1 entspricht, wobei allerdings die geometrischen Beziehungen verdeutlicht sind;

3 eine Anordnung einer planparallelen Platte mit schematisch angedeutetem Strahlverlauf der einzelnen Diodenlaserstrahlungsanteile, bei der, im Gegensatz zu der Anordnung der 1, der Strahlverlauf in y-z-Richtung ohne Umkehr der Strahlabfolge erfolgt;

4 eine Anordnung, bei der in die planparallele Platte Diodenlaserstrahlung von zwei Seiten, jeweils von drei Diodenlaserquellen, eingestrahlt wird und zu einem Strahlungsfeld zusammengeführt wird,

5 eine Anordnung mit sechs Strahlungsanteilen, die zum einen über Einkoppelprismen in die planparallele Platte eingekoppelt werden und im Bereich des Auskoppelfensters über ein aufgesetztes Auskoppelprisma ausgekoppelt werden, und

6 eine schematische Darstellung, vergleichbar mit derjenigen der 2, bei der das Auskoppelfenster durch eine abgeschrägte Fläche der planparallelen Platte gebildet ist.

Die Anordnung, wie sie in 1 gezeigt ist, umfasst vier Diodenlasereinheiten 1 mit jeweils einem Diodenlaserbarren 2, die auf Kühlkörpern 3 montiert sind. Diese vier Diodenlasereinheiten 1 sind untereinander in y-Richtung angeordnet und in z-Richtung zueinander versetzt. Die einzelnen Diodenlaseremitter eines Diodenlaserbarrens 2 sind in x-Richtung nebeneinander angeordnet. Die x-, y- und z-Richtung, wie sie in den einzelnen Figuren übereinstimmend angegeben sind, bilden jeweils ein rechtwinkliges Koordinaten system. Die einzelnen von den Diodenlaserbarren 2 abgegebenen Strahlungsanteile 4 werden in die Fläche 5 einer planparallelen Platte 6 eingestrahlt.
Die geometrischen Verhältnisse der Anordnung, wie sie in 1 gezeigt ist, sind schematisch in 2 dargestellt. Anhand von 2 ist der Einstrahlwinkel α ersichtlich, d.h. der Winkel zwischen der Propagationsrichtung (z-Richtung) des jeweiligen Strahlungsanteils 4 und der Flächennormalen 7 der Einstrahlfläche 5.
Der Strahlungsanteil 4 des am weitesten oben links in 1 liegenden Diodenlaserbarrens 2 wird über ein für die Diodenlaserstrahlung 4 antireflektierend ausgebildetes Einstrahlflächenteil 9 dieser Fläche 5 in die planparallele Platte 6 eingestrahlt und zu der gegenüberliegenden Fläche 8 der planparallelen Platte 6 geführt. Diese gegenüberliegende Fläche 8 ist mit einer für die Diodenlaserstrahlung 4 hoch reflektierenden Beschichtung versehen, so dass der Strahlungsanteil 4 des entsprechenden Diodenlaserbarrens 2 an dieser hoch reflektierend ausgebildeten Fläche 8 reflektiert wird.
Das Einstrahlflächenteil 9 des zweiten Diodenlaserbarrens 2 ist aufgrund der geometrischen Verhältnisse, wie sie anhand der 2 verdeutlicht ist, so gelegt, dass es unmittelbar im Bereich vor dem Flächenteil der Fläche 5 der planparallelen Platte 6 liegt, an dem der Strahlungsanteil 4 des ersten Diodenlaserbarrens 2 zum zweiten Mal an der Fläche 5 reflektiert und zu der gegenüberliegenden Fläche 8 hin gerichtet wird. Der Strahlungsanteil 4 des dritten Diodenlaserbarrens 2 liegt ebenfalls vor den Auftreffpunkten der Strahlungsanteile 4 des ersten und des zweiten Diodenlaserbarrens, die dort an der hoch reflektierend ausgebildeten Fläche 5 der planparallelen Platte 6 zum vierten bzw. zweiten Mal reflektiert werden. Gleiches gilt dann auch für den vierten Diodenlaserbarren 2, dessen Strahlungsanteil 4 wiederum über ein antireflektierend ausgebildetes Einstrahlflächenteil 9 in der Fläche 5 in die planparallele Platte 6 eingestrahlt wird.
Es ist anhand des Strahlungsverlaufs der einzelnen Strahlungsanteile 4 in 1 erkennbar, dass der Strahlungsanteil 4 des am weitesten unten und rechts liegenden Diodenlaserbarrens 2 unmittelbar zu einem Austrittsfenster 10 am oberen, rechten Bereich der Fläche 8 der planparallelen Platte 6 geführt wird. Dieses Austrittsfenster 10 ist durch eine antireflektierende Beschichtung an der Fläche 8 gebildet. Somit entsteht ausgangsseitig der planparallelen Platte 6 ein Strahlungsfeld 11, das in y-Richtung komprimiert ist.
Aufgrund der geometrischen Verhältnisse, wie sie in 2, für die Anordnung der 1, dargestellt sind, kann die erforderliche Dicke D_{Platte 1,2} berechnet werden, wenn die Neigung der Platte durch die Größen ΔY_Stufe und ΔZ_Stufe gegeben ist, wobei ΔY_Stufe der Strahlabstand vor und ΔY_{Platte 1,2} der neue Strahlabstand hinter der Platte, in y-Richtung gesehen, ist. Für D_Platte
1,2 folgt:
Die beiden Lösungen D_{Platte 1} und D_{Platte 2} unterscheiden sich durch die Umkehr der Strahlabfolge in vertikaler Richtung, wobei der Fall D_{Platte 1} für die Anordnung der 1 und 2 gilt, während die Lösung D_Platte
2 für die Anordnung gilt, die in 3 dargestellt ist, bei der die jeweiligen Strahlungsanteile 4, die dem Strahlungsanteil des am weitesten oben links liegenden Diodenlaserbarrens 4 folgen, hinter den jeweiligen Auftreffstellen der reflektierten Strahlungsanteile über ein entsprechend beschichtetes Einstrahlflächenteil 9 in die Fläche 5 der planparallelen Platte 6 eingestrahlt werden.
Die Zahl n_DLmax der koppelbaren Diodenlaserbarren bei einseitiger Einkopplung in die planparallele Platte, die die bevorzugte Ausführungsform darstellt, ergibt sich aus
Anhand der 1 bis 3 ist zu erkennen, dass die Strahlungsdichte durch Verringerung der Abstände deutlich erhöht ist und die Strahlqualität in y-Richtung im Vergleich zu dem Bündel vor der Platte deutlich zugenommen hat.
4 stellt nun eine Anordnung dar, die hinsichtlich des Strahlverlaufs der Anordnung der 3 vergleichbar ist, bei der über das eine Flächenteil 5 der planparallelen Platte 6 die Strahlungsanteile 4 von drei Diodenlaserbarren eingestrahlt werden; zusätzlich werden über die gegenüberliegende Fläche 8 die Strahlungsanteile 4' von drei weiteren, nicht nä her dargestellten Diodenlaserbarren, eingestrahlt. Dabei sind die Einstrahlflächenteile 9', die antireflektierend beschichtet sind, während ansonsten die Fläche 8 hoch reflektierend ausgebildet ist, so gewählt, dass, aufgrund der geometrischen Verhältnisse, die innerhalb der planparallelen Platte 6 reflektierten Strahlungsanteile nicht auf solche Bereiche auftreffen, in denen die Flächen 5 und 8 antireflektierend beschichtet sind, also an solchen Stellen, wo die jeweiligen Strahlungsanteile 4 und 4' der Diodenlaserbarren eingestrahlt werden. Eine solche Anordnung ist dann von Vorteil, wenn ein möglichst kompakter Aufbau realisiert werden soll.
Wiederum ist zu erkennen, dass der Strahlungsanteil 4, der von einem unteren, am weitesten rechts angeordneten Diodenlaserbarren, der nicht dargestellt ist, ausgeht, ohne eine Reflexion direkt zu dem Austrittsfenster 10, im Bereich dessen die Fläche 8 für die Diodenlaserstrahlung 4, 4' antireflektierend ausgebildet ist, geführt wird und dort austritt.
In den 5 und 6 sind zwei Möglichkeiten gezeigt, die Diodenlaserstrahlung 4 in die planparallele Platte 6 einzustrahlen bzw. auszukoppeln.
In der Ausführungsform der 5 ist, um die einzelnen Strahlungsanteile 4 in die Fläche 5 einzukoppeln, jeweils an der Einkoppelstelle ein Einkoppelprisma 12 aufgesetzt. Um das Strahlungsfeld 4 aus der planparallelen Platte 6 auszukoppeln, ist darüber hinaus im Auskoppelbereich auf die Fläche 8 der planparallelen Platte 6 ein Auskoppelprisma 13 angebracht.
Es ist darauf hinzuweisen, dass sich für eine Anordnung, wie sie in 5 gezeigt ist, die Dicke der Platte D_Platte, wie sie anhand der geometrischen Verhältnisse der Anordnung der 2 dargestellt ist, ebenfalls nach der oben angegebenen Formel berechnet, wobei allerdings dann für den Wert n_G, unabhängig von der gewählten Glasart, der Wert 1 eingesetzt werden muß.
Schließlich ist in 6 eine schematische Anordnung entsprechend derjenigen der 3 dargestellt, bei der das Austrittsfenster 10 der 3 durch eine abgeschrägte Fläche 14 gebildet ist; die Abschrägung 14 ist so ausgeführt, dass diese Auskoppelfensterfläche senkrecht zu der Strahlausbreitung des Strahlungsfelds 11 liegt.

Claims

Anordnung zur Erhöhung des Füllfaktors in y-Richtung der Strahlung mehrerer gekühlter Diodenlaserbarren gleicher Wellenlänge und Polarisation, die jeweils in z-Richtung ein Strahlungsfeld abstrahlen, mit mindestens einem optischen Bauelement, wobei die einzelnen Diodenlaser auf einem Barren in x-Richtung nebeneinander angeordnet sind und die Diodenlaserbarren in y-Richtung, einen Diodenlaserstack bildend, übereinandergestapelt sind, wobei die x-, y- und z-Richtung ein rechtwinkliges Koordinatensystem bilden, dadurch gekennzeichnet, dass die jeweiligen Strahlungsfelder (4; 4') der einzelnen Diodenlaserbarren (2) in eine planparallele Platte (6), deren beide Flächen (5, 8) für die Diodenlaserstrahlung (4; 4') hoch reflektierend ausgebildet sind, im Bereich von für die Diodenlaserstrahlung (4; 4') antireflektierend ausgebildeten Flächenteilen (9) eingestrahlt werden, wobei dieses jeweilige Einstrahlflächenteil (9; 12) der plan parallelen Platte (6) unter einem Winkel zu der z-Richtung ausgerichtet ist, und dass die einzelnen Strahlungsanteile (4; 4') der jeweiligen Diodenlaserbarren (2) durch Reflexion an den hoch reflektierend ausgebildeten Flächen (5, 8) der planparallelen Platte (6) zu einem für die Strahlung antireflektierend beschichteten Austrittsfenster (10) der planparallelen Platte geführt werden und aus der Faltungsplatte als Strahlungsfeld (11) ausgekoppelt werden.
Anordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die antireflektierenden Flächenteile (9) durch ein Einkoppelfenster gebildet sind.
Anordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die antireflektierenden Flächenteile durch jeweils ein Einkoppelprisma (12) gebildet sind.
Anordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, dass ein weiterer Diodenlaserbarren (2) hinzugefügt ist, dessen Strahlungsanteil (4; 4') ohne Reflexion innerhalb der planparallelen Platte (6) zu dem Austrittsfenster (10) geführt wird.
Anordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die y-Richtung der Fast-Richtung der Diodenlaser (2) entspricht.
Anordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass als Diodenlaserbarren (2) passiv gekühlte Diodenlaserbarren (2) eingesetzt sind.
Anordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Diodenlaserbarren (2) in z-Richtung zueinander derart versetzt sind, dass sie jeweils einen gleichen Strahlweg zu der jeweiligen Einkoppelstelle (9) der planparallelen Platte (6) haben.
Anordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 7, dadurch gekennzeichnet, dass die Breite der planparallelen Platte (6) in x-Richtung in etwa der Breite der Strahlung (4; 4') der x-Richtung entspricht, so dass die Platte (6) in x-Richtung als Wellenleiter wirkt.
Anordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 8, dadurch gekennzeichnet, dass Strahlung (4; 4') von Diodenlaserbarren (2) von beiden Seiten der planparallelen Platte (6) in diese eingestrahlt wird.
Anordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 9, dadurch gekennzeichnet, dass im Bereich des Austrittsfensters (10) die planparalle Platte abgeschrägt (14) ist.
Anordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 9, dadurch gekennzeichnet, dass im Bereich des Austrittsfensters (10) ein Auskoppelprisma (13) aufgesetzt ist.