DE10305366A1 - Schaltungsanordnung und Verfahren zum beschleunigten Umschalten eines Verstärkers - Google Patents
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Abstract
Eine Schaltungsanordnung umfaßt einen Verstärker, der einen Bipolartransistor (T1) aufweist, dessen Basisanschluß (38) mit einem Eingangsanschluß (HFin) für ein zu verstärkendes Signal koppelbar ist und an dessen Basisanschluß (38) über eine Vorspannungseinrichtung ein Potential einstellbar ist. Mit dem Basisanschluß (38) ist ferner ein Kondensator (C¶ext¶) koppelbar, der zum Bewirken einer Potentialänderung am Basisanschluß (38) geladen oder entladen werden muß. Die Schaltungsanordnung zum beschleunigten Umschalten des Verstärkers umfaßt eine Einrichtung (30, 32) zum Laden und/oder Entladen des Kondensators (C¶ext¶) mit einem Strom, der größer ist als ein Basisstrom des Bipolartransistors (T1), wenn eine Potentialänderung am Basisanschluß des Bipolartransistors (T1) erfolgt.
Description
- Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf eine Schaltungsanordnung und ein Verfahren zum beschleunigten Umschalten eines Verstärkers und insbesondere auf eine solche Schaltungsanordnung und ein solches Verfahren, die zum beschleunigten Umschalten eines rauscharmen Verstärkers (LNA; LNA = Low Noise Amplifier) geeignet, sind, der einen externen LC-Sumpf zum Verbessern des IIP3 (IIP3 = input intercept point 3) aufweist.
- Bei rauscharmen bekannten Verstärkern, die üblicherweise in einer Common-Emitter-Schaltung aufgebaut sind, besteht eine gängige Technik zur Verringerung von Verzerrungen darin, einen externen LC-Sumpf zu verwenden. Der externe LC-Sumpf dient dabei dazu, den IIP3, d. h. den sogenannten Third Order Intercept Point, zu verbessern. Dieser IIP3 stellt einen Schnittpunkt der Tangenten an die Kurven mit einer Steigung von 1dB/dB (Grundwelle) bzw. 3dB/dB (3. Harmonische) dar, der, um den Einfluß der dritten Oberwelle auf die Grundwelle möglichst gering zu halten, im Leistungsübertragungsdiagramm in einem möglichst hohen Bereich liegen soll.
- Eine derartige bekannte LNA-Schaltung ist in
1 gezeigt. Der LNA umfaßt einen Bipolartransistor T in Emitterschaltung, dessen Emitter auf einem Bezugspotential (in der Regel Masse) liegt, während dessen Kollektor über einen Widerstand R1 und eine Induktivität L1 mit einem Spannungsversorgungspotential Vcc verbunden ist. An der Basis des Bipolartransistors T liegt ein zu verstärkendes HF-Eingangssignal HFin an. Ein Widerstand R2 ist zwischen Basis und Kollektor des Bipolartransistors T geschaltet, um eine Gleichspannungsvorspannung für die Basis des Bipolartransistors T zu liefern. Zwischen die Basis des Bipolartransistors T und Masse ist ferner der oben angesprochene externe LC-Sumpf, der eine Serienschaltung aus externer Induktivität Lext und externer Kapazität Cext aufweist, geschaltet. In1 sind alle Verstärkerchipinternen Komponenten innerhalb der Randlinie10 dargestellt. - Bei einer Zustandsänderung des in
1 gezeigten LNAs muß das Basispotential desselben verändert werden. Bei einer Zustandsänderung kann es sich dabei um ein Einschalten bzw. Ausschalten des Transistors T handeln, wobei ein Einschalten durch ein Anlegen der Versorgungsspannung Vcc bewirkt wird, während ein Ausschalten durch ein Abschalten der Versorgungsspannung Vcc bewirkt wird. Eine weitere Zustandsänderung kann im Umschalten zwischen mehreren Stufen eines mehrstufigen Verstärkers bestehen, wobei ein solcher mehrstufiger Verstärker dadurch gebildet ist, daß mehrere der in1 gezeigten Schaltungen parallel geschaltet sind, indem sie an den Anschlüssen HFin und HFout verbunden sind. In einem solchen Fall kann zwischen mehreren Stufen umgeschaltet werden, indem einer oder mehrere der LNAs abgeschaltet bzw. zugeschaltet werden. - Bei jeder Änderung des Basispotentials des Transistors T, beispielsweise solchen Basispotentialänderungen, die für Zustandsänderungen erforderlich sind, muß die externe Kapazität Cext umgeladen werden. Bei der in
1 gezeigten Bias-Struktur, bei der die Bias-Spannung für die Basis des Transistors T über den Widerstand R2 geliefert wird, kann diese Kapazität Cext nur mit dem kleinen Basisstrom des Transistors T umgeladen werden, was in Kombination mit großen Kapazitätswerten, wie sie zur Verbesserung des IIP3 erforderlich sind, zu langen Umladezeiten führt. Somit besitzt der LNA, wie er in1 gezeigt ist, hohe Umschaltzeiten und ist für schnelle Schaltungen nicht geeignet. - In der Vergangenheit spielte bei LNAs der Stromverbrauch nur eine untergeordnete Rolle, so daß, wie in
1 gezeigt ist, meist einfache Bias-Konzepte verwendet wurden. Bei diesen ist die Umschaltzeit durch die Größe der externen Kapazität und den Umladestrom bestimmt. Dieser Umladestrom war durch die Topologie vorgegeben, da es sich bei demselben um den Basisstrom des Bipolartransistors des LNAs handelt, und war somit sehr klein. Bei bekannten LNAs wurden keine weiteren Schaltungen zur Schaltzeitverringerung verwendet. - Die Aufgabe der vorliegenden Erfindung besteht darin, eine Schaltungsanordnung und ein Verfahren zu schaffen, die einen LNA mit reduzierter Umschaltzeit ermöglichen.
- Diese Aufgabe wird durch eine Schaltungsanordnung nach Anspruch 1 und ein Verfahren nach Anspruch 9 gelöst.
- Die vorliegende Erfindung schafft eine Schaltungsanordnung mit einem Verstärker, der einen Bipolartransistor aufweist, dessen Basisanschluß mit einem Eingangsanschluß für ein zu verstärkendes Signal koppelbar ist und an dessen Basisanschluß über eine Vorspannungseinrichtung ein Potential einstellbar ist, wobei mit dem Basisanschluß ferner ein Kondensator koppelbar ist, der zum Bewirken einer Potentialänderung am Basisanschluß geladen oder entladen werden muß, und einer Einrichtung zum Laden und/oder Entladen des Kondensators mit einem Strom, der größer ist als ein Basisstrom des Bipolartransistors, wenn eine Potentialänderung am Basisanschluß des Bipolartransistors erfolgen soll.
- Die vorliegende Erfindung schafft ferner ein Verfahren zum Bewirken einer Potentialänderung am Basisanschluß eines Bipolartransistors, wobei an den Basisanschluß ein zu verstärkendes Eingangssignal anlegbar ist, wobei durch eine Vorspannungseinrichtung ein Potential an dem Basisanschluß einstellbar ist, wobei mit dem Basisanschluß ferner ein Kondensator gekoppelt ist, der zum Bewirken einer Potentialänderung am Basisanschluß des Bipolartransistors geladen oder entladen werden muß, mit folgenden Schritten:
Erfassen, daß eine Potentialänderung am Basisanschluß des Bipolartransistors erfolgen soll; und
Bewirken eines Stroms, der größer ist als der Basisstrom des Bipolartransistors, zum Laden oder Entladen des Kondensators, um die Potentialänderung zu bewirken. - Erfindungsgemäß kann die Schaltzeit eines LNAs deutlich verringert sein, da zum Laden bzw. Entladen der externen Kapazität des externen LC-Sumpfs zur Verringerung von Verzerrungen (Verbesserung des IIP3) ein Lade- bzw. Entlade-Strom verwendet wird, der größer ist als der Basisstrom des Bipolartransistors des LNAs. Zu diesem Zweck wird erfindungsgemäß ein aufwendigeres, weitgehend prozeßunabhängiges Bias-Konzept verwendet, d. h. der zum Laden bzw. Entladen des externen Kondensators notwendige Strom ist nicht durch den Biasstrom des Bipolartransistors des LNAs vorgegeben.
- Erfindungsgemäß basiert das Umschalten zwischen verschiedenen Betriebszuständen des LNAs vorzugsweise auf dem Ein- bzw. Ausschalten eines Referenzstroms Iconst. Dieser Referenzstrom Iconst bewirkt bei bevorzugten Ausführungsbeispielen der Erfindung über ein Widerstandsnetzwerk Potentialänderungen an den Basisanschlüssen sowohl eines Kerntransistors des LNAs (d. h. des Transistors, der die eigentliche Verstärkung liefert) als auch eines zweiten Bipolartransistors, dessen Basisanschluß nicht mit der externen Kapazität belastet ist. Das Widerstandsnetzwerk dient dabei zur genauen Stromspiegelung zwischen T2 und T1, da es unterschiedliche Basisströme ausgleicht und somit die gleiche UBE-Spannung an den beiden Transistoren gewährleistet.
- Prinzipiell stellt sich das Basispotential an T2 aufgrund des Stromes Iconst und der UBE-Kennlinie des eigentlich als Diode verschalteten Transistors T2 ein. Somit kann sich das Potential am Basisanschluß des zweiten Transistors durch ein Ein- bzw. Ausschalten des Referenzstroms schnell ändern, was für den Kerntransistor aufgrund der Belastung mit der externen Kapazität nicht der Fall ist. Dadurch entstehende Potentialdifferenzen zwischen den Basisanschlüssen der Transistoren durch Zuschalten bzw. Abschalten des Referenzstroms werden bei bevorzugten Ausführungsbeispielen der vorliegenden Erfindung erfaßt, um basierend darauf eine weitere Stromquelle zuzuschalten, die einen Strom an die Basis des Kerntransistors und somit einen Strom zum schnellen Laden bzw. Entladen der externen Kapazität liefert. Im Nicht-Umschalt-Fall wird somit die Vorspannung, d. h. der Bias des Kerntransistors über den Referenzstrom, den Stromspiegeltransistor und das Widerstandsnetzwerk geliefert, während im Umschalt-Fall eine zusätzliche Stromquelle zugeschaltet wird, um das Laden bzw. Entladen der externen Kapazität zu beschleunigen.
- Das erfindungsgemäße Konzept kann zum Ausschalten bzw. Einschalten eines einstufigen LNAs verwendet werden und kann in gleicher Weise zum Ausschalten bzw. Einschalten einzelner Stufen eines Verstärkers mit mehreren LNA-Stufen verwendet werden, bei dem mehrere LNA-Stufen jeweils am HF-Eingang und HF-Ausgang parallel geschaltet sind.
- Die vorliegende Erfindung schafft ein Konzept, das ein schnelles Umschalten zwischen verschiedenen Betriebszuständen von LNAs ermöglicht. Vorteilhafterweise ist das erfindungsgemäße Bias-Konzept weitgehend prozeßunabhängig, da der Strom zum Laden bzw. Entladen der externen Kapazität im wesentlichen nicht vom Basisstrom des Bipolartransistors des LNAs abhängt. Darüber hinaus kann bei dem erfindungsgemäßen Konzept der Stromverbrauch minimal gehalten werden, da ein Ladestrom bzw. Entladestrom für die externe Kapazität jeweils nur im Bedarfsfall zugeschaltet wird.
- Bevorzugte Ausführungsbeispiele der vorliegenden Anmeldung werden nachfolgend Bezug nehmend auf die beiliegenden Zeichnungen näher erläutert. Es zeigen:
-
1 eine bekannte LNA-Schaltungsanordnung; -
2 eine Schaltungsanordnung gemäß einem Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung; und -
3 -5 Ausführungsbeispiele von bei der erfindungsgemäßen Schaltungsanordnung verwendbaren Stromsteuerungen. - In
2 ist eine erfindungsgemäße Schaltungsanordnung für einen einstufigen LNA-Verstärker gezeigt. Der LNA-Verstärker umfaßt einen Bipolartransistor T1 in Emitterschaltung, dessen Emitter mit einem Bezugspotential, das in der Regel Masse sein wird, verbunden ist. An den Kollektor des Bipolartransistors T1 ist über einen Widerstand R1 und eine Induktivität L1 eine Versorgungsspannung Vcc anlegbar. Die Induktivität L1 wirkt als HF-Drossel und zusammen mit dem Widerstand R1 als Last. Die Versorgungsspannung Vcc liefert einen Arbeitsstrom durch den Bipolartransistor T1, der durch den Stromspiegelbias, d.h. durch den Referenzstrom und den Spiegeltransistor T2 und das Widerstandsnetzwerk eingestellt wird. Der Kollektor des Bipolartransistors T1 ist ferner über einen Kondensator C1, der zur Gleichsignalentkopplung dient, mit einem HF-Ausgang HFout des LNA verbunden. - Der Basisanschluß des Bipolartransistors T1 ist mit einem HF-Eingang HFin des LNA verbunden, wobei zwischen den HF-Eingang und Masse in bekannter Weise zur Verringerung von Verzerrungen ein LC-Sumpf aus externer Induktivität Lext und externer Kapazität Cext geschaltet ist.
- Um diese externe Kapazität Cext bei einer Änderung des Betriebszustandes des LNA, d. h. bei einem Einschalten bzw. Ausschalten desselben, schnell laden bzw. entladen zu können, ist erfindungsgemäß ein weitgehend prozeßunabhängiges Bias-Konzept mit einer Vorspannungseinrichtung, die eine Stromquelle 20 zum Liefern eines Referenzstroms Iconst, einen Bipolartransistor T2 und ein Widerstandsnetzwerk bestehend aus drei Widerständen Rb1, Rb2 und Rb3 aufweist. Ferner ist erfindungsgemäß eine zusätzliche Lade/Entlade-Einrichtung für die externe Kapazität Cext vorgesehen, die eine Steuerschaltung
30 und eine Ladestromquelle32 zum Liefern eines Ladestroms Iload zum Basisanschluß des Bipolartransistors T1 aufweist. - Die Referenzstromquelle
20 ist mit dem Kollektoranschluß des Bipolartransistors T2 und einem Schaltungsknoten34 , an dem die Widerstände Rb1 und Rb2 verbunden sind, verbunden. Der Emitter des Transistors T2 ist mit dem Emitter des Transistors T1, der den Kerntransistor des LNA darstellt, verbunden und ferner über den Widerstand Rb3 mit dem Schaltungsknoten34 verbunden. Alternativ könnte der Kerntransistor auch resistiv oder induktiv degeneriert sein. Der Basisanschluß des Transistors T2 ist über den Widerstand Rb2 mit dem Schaltungsknoten34 verbunden, während der Basisanschluß des Transistors T1 über den Widerstand Rb1 ebenfalls mit dem Schaltungsknoten34 verbunden ist. - Bei dem dargestellten Ausführungsbeispiel sind somit die Transistoren T1 und T2 als Stromspiegel verschaltet, wobei über die Widerstände Rb1, Rb2 und Rb3 und den durch die Referenzstromquelle
20 gelieferten Strom Iconst ein definiertes Bias-Potential an die Basisanschlüsse der Transistoren T1 und T2 anlegbar ist. - Der Basisanschluß des Transistors T2, der einen weiteren Schaltungsknoten
36 darstellt, ist mit einem ersten Eingang30a der Steuerschaltung30 verbunden, während der Basisanschluß des Kerntransistors T1, der einen weiteren Schaltungsknoten38 darstellt, mit einem zweiten Eingang30b der Steuerschaltung30 verbunden ist. Der Schaltungsknoten38 ist ferner mit der Ladestromquelle32 verbunden, die über die Steuerschaltung30 steuerbar ist, wie in2 schematisch durch eine Leitung39 angedeutet ist. - Die Komponenten, die vorteilhaft Komponenten eines Verstärkerchips sein können, sind in
2 durch eine gestrichelte Umfangslinie40 dargestellt. Bezüglich der Stromquellen20 und32 ist festzustellen, daß diese beispielsweise durch von einer Versorgungsspannung Vcc gespeiste Stromspiegel (beispielsweise in CMOS-Technologie) realisiert sein können. - Wie nachfolgend Bezug nehmend auf die
3 bis5 näher erläutert wird, umfaßt die Steuerschaltung30 eine Detektorschaltung zum Erfassen eines Spannungsunterschieds bzw. einer Potentialdifferenz zwischen den Schaltungsknoten36 und38 und eine Schaltlogik zum Steuern der Ladestromquelle32 abhängig von der erfaßten Potentialdifferenz. Zusätzlich zu der Ladestromquelle kann ferner eine Entladestromsenke (in2 der Übersichtlichkeit halber nicht dargestellt) vorgesehen sein, die mit dem Schaltungsknoten38 verbunden ist und ebenfalls durch die Steuerschaltung30 gesteuert werden kann. - Ein Einschalten bzw. Ausschalten des Kerntransistors T1 erfolgt bei dem in
2 gezeigten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung durch ein Zuschalten bzw. Abschalten der Referenzstromquelle20 . Durch das dadurch bedingte Einschalten bzw. Ausschalten des Referenzstroms Iconst ändert sich das Basispotential am Transistor T2, d. h. das Potential am Schaltungsknoten36 , und ferner das Basispotential am Transistor T1, d. h. am Schaltungsknoten38 . Während sich das Basispotential am Transistor T1 aufgrund der externen Kapazität Cext nur langsam ändern kann, da hierzu nur der relativ kleine Basisstrom des Transistors T1 zur Verfügung steht, kann sich das Basispotential am Transistor T2 schnell ändern, da hier keine externe Kapazität umgeladen werden muß. Da somit eine Potentialänderung am Schaltungsknoten36 schneller erfolgt als am Schaltungsknoten38 , ergibt sich ein Potentialunterschied zwischen diesen Schaltungsknoten, der zur Detektierung des Ladezustandes der externen Kapazität Cext ausgenutzt werden kann. Abhängig von der Detektierung des Ladezustands kann dann die zusätzliche Stromquelle32 aktiviert werden, die einen Strom zur Verfügung stellt, der wesentlich größer ist als der normale Ladestrom (der dem Basisstrom des Transistors T1 entspricht) und somit die Umladezeit der externen Kapazität Cext wesentlich beschleunigt. - Im ausgeschalteten Zustand des LNA ist die Referenzstromquelle
20 ausgeschaltet und beide Basen der Transistoren T1 und T2 befinden sich auf einem Gleichspannungspotential von 0 V. Wird nun der LNA eingeschaltet, d. h. wird die Referenzstromquelle20 zugeschaltet und somit der Strom Iconst aktiviert, so ändert sich das Potential am Schaltungsknoten36 schnell, da nur die Basis-Emitter-Kapazität über den Widerstand Rb2 geladen werden muß. Das Potential am Schaltungsknoten38 und somit an der Basis der Kerntransistors T1 ändert sich langsam, da zusätzlich zu der Basis-Emitter-Kapazität des Transistors T1 die externe Kapazität Cext geladen werden muß. Der sich hierdurch ergebende Spannungsunterschied bzw. die sich hierdurch ergebende Potentialdifferenz zwischen den beiden Basen der Transistoren T1 und T2 wird durch die Detektorschaltung der Steuerschaltung30 festgestellt, wobei abhängig von dieser Differenz die Stromquelle32 zugeschaltet wird und somit der Strom Iload aktiviert wird. Die Größe des Stroms Iload kann unabhängig vom Basisstrom des Transistors T1 und vom Referenzstrom Iconst gewählt werden und somit wesentlich größer als diese dimensioniert werden, so daß die Aktivierung der Stromquelle32 zu einer Beschleunigung des Ladevorgangs führt. Durch die Aktivierung der Stromquelle32 wird eine schnelle Potentialänderung an der Basis des Transistors T1 bewirkt, woraufhin die Stromquelle32 durch die Steuerschaltung30 abgeschaltet wird, sobald keine Potentialdifferenz zwischen den Basen der Transistoren T1 und T2 mehr vorliegt. Um den Betrieb des LNA nicht zu beeinträchtigen, ist dabei die Stromquelle32 vorzugsweise derart auszulegen, daß sie im inaktiven, d. h. abgeschalteten, Modus den HF-Eingang HFin des LNA nur unwesentlich belastet. - Die Schaltungselemente der oben beschriebenen erfindungsgemäßen Schaltungsanordnung sind vorzugsweise so ausgelegt, daß der Referenzstrom Iconst wesentlich geringer als der Arbeitsstrom durch den Transistor T1 ist, da sonst unnötig viel Strom im Biaszweig verbraucht werden würde. Ferner ist der Widerstand Rb1 möglichst so hochohmig, im Bereich einiger Kilo-Ohm, daß über denselben und den Widerstand Rb3 keine Leistung eines in die Basis des Transistors T1 eingekoppelten Hochfrequenzsignals verloren geht. Der Widerstand Rb3 liefert ein definiertes Potential im OFF-Modus (Masse) an der Basis des Transistors T2.
- Ausführungsbeispiele für die Steuerschaltung
30 zum Zuschalten bzw. Abschalten einer Stromquelle bzw. einer Stromsenke zum Beschleunigen eines Einschaltvorgangs und/oder eines Ausschaltvorgangs eines LNA werden nachfolgend Bezug nehmend auf die3 bis5 näher erläutert. - In
3 ist ein Ausführungsbeispiel einer Steuerschaltung, die zum Beschleunigen des Einschaltvorgangs eines LNA verwendbar ist, dargestellt. Die Steuerschaltung umfaßt einen Komparator50 , der die Detektorschaltung der Steuerschaltung darstellt. Der Ausgang bzw. die Ausgänge des Komparators sind mit einer Schaltlogik52 verbunden, deren Ausgang wiederum mit einem Schalter54 zum Zu- bzw. Ab-Schalten der Ladestromquelle32 verbunden ist. - Der Komparator
50 empfängt an seinen Eingängen das an der Basis des Transistors T1 vorliegende Potential UbeT1 und das an der Basis des Transistors T2 vorliegende Potential UbeT2. Der Komparator50 vergleicht die beiden Potentiale und gibt auf einer Komparatorausgangsleitung56 ein erstes Signal aus, wenn das Basispotential des Transistors T2 größer ist als des Transistors T1, während derselbe ein zweites Signal auf einer Leitung58 ausgibt, wenn das Basispotential des Transistors T1 größer ist als das Basispotential des Transistors T2. Die Schaltlogik52 ist in dem Fall, daß lediglich ein Einschalt vorgang des LNA beschleunigt werden soll, ausgelegt, um den Schalter54 zu schließen, wenn der Komparator das erste Signal auf der Komparatorausgangsleitung56 ausgibt. Somit wird die Ladestromquelle32 zugeschaltet und so lange ein Laden des Schaltungsknoten38 und somit der Basis des Transistors T1 bewirkt, bis das Potential UbeT1 an der Basis des Transistors T1 nicht mehr kleiner ist als das an der Basis des Transistors T2, wobei in diesem Fall der Schalter54 geöffnet wird. - Es ist für Fachleute offensichtlich, daß der Komparator
50 ausgelegt sein kann, um das erste Signal auf der Leitung56 immer dann auszugeben, wenn die Potentialdifferenz zwischen den Schaltungsknoten36 und38 größer ist als eine erste Schwelle, so daß der Schalter54 erst dann zugeschaltet wird, wenn die Potentialdifferenz diese Schwelle überschreitet. Der Komparator kann dabei eine Hysterese aufweisen, so daß das Signal auf der Ausgangsleitung56 so lange ausgegeben wird, bis die Potentialdifferenz zwischen den Schaltungsknoten36 und38 geringer wird als eine zweite Schwelle, die geringer sein kann als die erste Schwelle. Soll lediglich eine Beschleunigung des Einschaltens bewirkt werden, ist die zweite Komparatorausgangsleitung58 kein notwendiges Merkmal. - In
4 ist ein Ausführungsbeispiel einer erfindungsgemäßen Steuerschaltung zum Beschleunigen eines Ausschaltvorganges gezeigt, die wiederum einen Komparator50 und eine Schaltlogik52 aufweist. An den Eingängen des Komparators50 liegen wiederum die Spannungen von den Schaltungsknoten38 und36 UbeT1 und UbeT2 an, wobei der Komparator50 wiederum auf seinen Ausgangsleitungen58 und56 die oben Bezug nehmend auf3 erläuterten Signale ausgibt. Bei dem in4 gezeigten Ausführungsbeispiel ist die Schaltlogik52 jedoch ausgelegt, um, wenn der Komparator das zweite Signal auf der Leitung58 ausgibt, einen Schalter60 zu steuern, um eine Entladungsstromquelle62 zwischen den Schaltungsknoten38 und Masse zu schalten. Diese Entladungsstromquelle62 bewirkt eine schnelle Entladung des externen Kondensators Cext durch einen Strom definierter Stromstärke, die der durch die Entladungsstromquelle62 gelieferten Stromstärke entspricht. Alternativ kann der Schaltungsknoten38 direkt mit Masse verbunden werden, um bei einem Ausschaltvorgang den externen Kondensator Cext zu entladen und somit das Potential an der Basis des Transistors T1 schnell an das Potential an der Basis des Transistors T2 anzugleichen, wobei, sobald dies erreicht ist, der Schalter60 geöffnet wird. Wie oben Bezug nehmend auf3 beschrieben wurde, kann der Komparator wieder entsprechende Schwellwerte mit einer entsprechenden Hysterese aufweisen. - Schließlich ist in
5 eine Steuerschaltung gezeigt, bei der der Komparator50 und die Schaltlogik52 ausgelegt sind, um sowohl beim Einschalten als auch beim Ausschalten geringe Schaltzeiten zu realisieren. In diesem Fall gibt der Komparator50 sowohl das Signal zum Laden auf der Leitung56 als auch das Signal zum Entladen auf der Leitung58 aus, wobei die Schaltlogik52 ausgelegt ist, um im Fall des Signals zum Laden auf der Leitung56 den Schalter54 zu schließen und im Fall des Signals zum Entladen auf der Leitung58 den Schalter60 zu schließen. Somit stellt die in5 gezeigte Schaltung eine Kombination der Bezug nehmend auf die3 und4 beschriebenen Schaltungen dar. - Es ist klar, daß die jeweilige Position der Schalter
54 und60 unkritisch ist und daß statt des Vorsehens eines externen Schalters schaltbare Stormquellen bzw. Stromsenken einsetzbar sind. - Obwohl oben Bezug nehmend auf die Figuren ein einstufiger LNA beschrieben wurde, ist es für Fachleute klar, daß jeder einer Mehrzahl von LNAs eines mehrstufigen rauscharmen Verstärkers eine Schaltungsanordnung, wie sie oben beschrieben wurde, aufweisen kann. Somit ermöglicht die vorliegende Erfindung ein schnelles Umschalten zwischen unterschiedlichen Stufen eines mehrstufigen Verstärkers, indem zu einem solchen Umschalten zwischen Stufen jeweils einer oder mehrere der LNAs ab oder zugeschaltet werden. Die Mehrzahl von LNAs für einen solchen mehrstufigen Verstärker sind dabei parallel geschaltet, indem sie am HF-Eingang HFin und am HF-Ausgang HFout verbunden sind.
- Die vorliegende Erfindung schafft somit eine Schaltungsanordnung und ein Verfahren, die bei einem minimalen Stromverbrauch ein schnelles Ein- bzw. Aus-Schalten von LNAs ermöglichen.
-
- T
- Bipolartransistor
- R1, R2
- Widerstände
- C1
- Kapazität
- L1
- Induktivität
- Lext
- externe Induktivität
- Cext
- externe Kapazität
- 10
- Verstärkerchip
- Vcc
- Versorgungsspannung
- Hfin
- Eingangsanschluß
- Hfout
- Ausgangsanschluß
- T1
- Kerntransistor
- T2
- Stromspiegeltransistor
- 20
- Referenzstromquelle
- Rb1, Rb2, Rb3
- Widerstände
- 30
- Steuerschaltung
- 32
- Ladestromquelle
- 34, 36, 38
- Schaltungsknoten
- 39
- Steuerleitung
- 40
- Verstärkerchip
- Iconst
- Referenzstrom
- Iload
- Ladestrom
- 50
- Komparator
- 52
- Schaltlogik
- 54
- Schalter
- 56, 58
- Komparatorausgangsleitungen
- 60
- Schalter
- 62
- Entladungsstromquelle
Claims (11)
- Schaltungsanordnung mit einem Verstärker, der einen Bipolartransistor (T1) aufweist, dessen Basisanschluß mit einem Eingangsanschluß (HFin) für ein zu verstärkendes Signal koppelbar ist und an dessen Basisanschluß über eine Vorspannungseinrichtung ein Potential (UbeT1) einstellbar ist, wobei mit dem Basisanschluß ferner ein Kondensator (Cext) koppelbar ist, der zum Bewirken einer Potentialänderung am Basisanschluß des Bipolartransistors (T1) geladen oder entladen werden muß, und einer Einrichtung (
30 ,32 ) zum Laden und/oder Entladen des Kondensators (Cext) mit einem Strom (Iload), der größer ist als ein Basisstrom des Bipolartransistors (T1), wenn eine Potentialänderung am Basisanschluß des Bipolartransistors (T1) erfolgen soll. - Schaltungsanordnung nach Anspruch 1, bei der die Einrichtung zum Laden und/oder Entladen eine Stromquelle (
32 ) und/oder eine Stromsenke (62 ) aufweist. - Schaltungsanordnung nach Anspruch 1 oder 2, die ferner einen Schaltungsknoten (
36 ) aufweist, an dem ansprechend auf eine Initiierung einer Potentialänderung an dem Basisanschluß des Bipolartransistors (T1) schneller eine Potentialänderung auftritt als an dem Basisanschluß des Bipolartransistors (T1), wobei die Einrichtung zum Laden und/oder Entladen abhängig von einem Vergleich der Potentiale an dem Schaltungsknoten (36 ) und dem Basisanschluß des Bipolartransistors (T1) zum Laden oder Entladen des Kondensators (Cext) aktiviert wird. - Schaltungsanordnung nach Anspruch 3, die einen Komparator (
50 ) aufweist, zum Vergleichen der Potentiale an dem Basisanschluß des Bipolartransistors (T1) und an dem Schaltungsknoten (36 ), zum Ausgeben eines ersten Signals, wenn das Potential am Schaltungsknoten (36 ) höher ist als das Potential am Basisanschluß des Bipolartransistors (T1) und/oder zum Ausgeben eines zweiten Signals, wenn das Potential an dem Basisanschluß des Bipolartransistors (T1) höher ist als das Potential an dem Schaltungsknoten (36 ). - Schaltungsanordnung nach Anspruch 4, die ferner eine Schaltlogik (
52 ) zum Steuern der Einrichtung zum Laden und/oder Entladen, um den Kondensator (Cext) zu laden, wenn der Komparator das erste Signal ausgibt, und/oder um den Kondensator zu entladen, wenn der Komparator das zweite Signal ausgibt, aufweist. - Schaltungsanordnung nach einem der Ansprüche 3 bis 5, bei der der Bipolartransistor (T1) ein erster Bipolartransistor ist und der Schaltungsknoten (
36 ) dem Basisanschluß eines zweiten Bipolartransistors (T2) entspricht. - Schaltungsanordnung nach Anspruch 6, bei der die Vorspannungsanordnung den zweiten Bipolartransistor (T2), eine Referenzstromquelle (
20 ) und Widerstände (Rb1, Rb2), über die die Basisanschlüsse (36 ,38 ) des ersten und zweiten Bipolartransistors (T1, T2) der Referenzstromquelle (20 ) verschaltet sind, aufweist. - Schaltungsanordnung nach Anspruch 7, bei der der erste und der zweite Bipolartransistor (T1, T2) als Stromspiegel verschaltet sind, dessen Eingangstransistor der zweite Bipolartransistor (T2) ist, wobei der Eingang des Stromspiegels mit einem Ausgang der Referenzstromquelle (
20 ) verschaltet ist. - Verfahren zum Bewirken einer Potentialänderung am Basisanschluß (
38 ) eines Bipolartransistors (T1), wobei an den Basisanschluß (38 ) ein zu verstärkendes Eingangssignal anlegbar ist, wobei durch eine Vorspannungseinrichtung ein Potential an dem Basisanschluß (38 ) einstellbar ist, wobei mit dem Basisanschluß (38 ) ferner ein Kondensator (Cext) gekoppelt ist, der zum Bewirken einer Potentialänderung am Basi sanschluß des Bipolartransistors (T1) geladen oder entladen werden muß, mit folgenden Schritten: Erfassen, daß eine Potentialänderung am Basisanschluß (38 ) des Bipolartransistors (T1) erfolgen soll; und Bewirken eines Stroms, der größer ist als der Basisstrom des Bipolartransistors (T1), zum Laden oder Entladen des Kondensators (Cext), um die Potentialänderung zu bewirken. - Verfahren nach Anspruch 9, bei dem der Schritt des Erfassens einen Schritt des Vergleichens eines Potentials an einem Vergleichsknoten (
36 ) mit dem Potential an dem Basisanschluß (38 ) aufweist, und bei dem der Schritt des Bewirkens eines Stroms das Zuschalten einer Stromquelle (32 ) zum Laden des Kondensators (Cext) und/oder einer Stromsenke (62 ) zum Entladen des Kondensators (Cext) abhängig von dem Vergleich aufweist. - Verfahren nach Anspruch 10, bei dem die Stromquelle (
32 ) zugeschaltet wird, wenn der Vergleich ergibt, daß das Potential am Vergleichsknoten (36 ) das Potential am Basisanschluß (38 ) des Bipolartransistors (T1) um einen vorbestimmten Wert übersteigt, und/oder bei dem die Stromsenke (62 ) zugeschaltet wird, wenn der Vergleich ergibt, daß das Potential am Basisanschluß (38 ) des Bipolartransistors (T1) das Potential am Vergleichsknoten (36 ) um einen vorbestimmten Wert übersteigt.
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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