DE10305366A1 - Schaltungsanordnung und Verfahren zum beschleunigten Umschalten eines Verstärkers - Google Patents

Schaltungsanordnung und Verfahren zum beschleunigten Umschalten eines Verstärkers Download PDF

Info

Publication number
DE10305366A1
DE10305366A1 DE10305366A DE10305366A DE10305366A1 DE 10305366 A1 DE10305366 A1 DE 10305366A1 DE 10305366 A DE10305366 A DE 10305366A DE 10305366 A DE10305366 A DE 10305366A DE 10305366 A1 DE10305366 A1 DE 10305366A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
bipolar transistor
potential
base
current
base connection
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
DE10305366A
Other languages
English (en)
Inventor
Jürgen Dipl.-Ing. Minichshofer
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Infineon Technologies AG
Original Assignee
Infineon Technologies AG
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Infineon Technologies AG filed Critical Infineon Technologies AG
Priority to DE10305366A priority Critical patent/DE10305366A1/de
Priority to PCT/EP2004/000520 priority patent/WO2004070770A2/de
Priority to CN200480003922.2A priority patent/CN1748363B/zh
Publication of DE10305366A1 publication Critical patent/DE10305366A1/de
Priority to US11/200,645 priority patent/US7084706B2/en
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F3/00Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/72Gated amplifiers, i.e. amplifiers which are rendered operative or inoperative by means of a control signal
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F3/00Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/189High frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers
    • H03F3/19High frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers with semiconductor devices only
    • H03F3/195High frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers with semiconductor devices only in integrated circuits
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F2200/00Indexing scheme relating to amplifiers
    • H03F2200/294Indexing scheme relating to amplifiers the amplifier being a low noise amplifier [LNA]
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F2200/00Indexing scheme relating to amplifiers
    • H03F2200/372Noise reduction and elimination in amplifier

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Amplifiers (AREA)
  • Electronic Switches (AREA)

Abstract

Eine Schaltungsanordnung umfaßt einen Verstärker, der einen Bipolartransistor (T1) aufweist, dessen Basisanschluß (38) mit einem Eingangsanschluß (HFin) für ein zu verstärkendes Signal koppelbar ist und an dessen Basisanschluß (38) über eine Vorspannungseinrichtung ein Potential einstellbar ist. Mit dem Basisanschluß (38) ist ferner ein Kondensator (C¶ext¶) koppelbar, der zum Bewirken einer Potentialänderung am Basisanschluß (38) geladen oder entladen werden muß. Die Schaltungsanordnung zum beschleunigten Umschalten des Verstärkers umfaßt eine Einrichtung (30, 32) zum Laden und/oder Entladen des Kondensators (C¶ext¶) mit einem Strom, der größer ist als ein Basisstrom des Bipolartransistors (T1), wenn eine Potentialänderung am Basisanschluß des Bipolartransistors (T1) erfolgt.

Description

  • Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf eine Schaltungsanordnung und ein Verfahren zum beschleunigten Umschalten eines Verstärkers und insbesondere auf eine solche Schaltungsanordnung und ein solches Verfahren, die zum beschleunigten Umschalten eines rauscharmen Verstärkers (LNA; LNA = Low Noise Amplifier) geeignet, sind, der einen externen LC-Sumpf zum Verbessern des IIP3 (IIP3 = input intercept point 3) aufweist.
  • Bei rauscharmen bekannten Verstärkern, die üblicherweise in einer Common-Emitter-Schaltung aufgebaut sind, besteht eine gängige Technik zur Verringerung von Verzerrungen darin, einen externen LC-Sumpf zu verwenden. Der externe LC-Sumpf dient dabei dazu, den IIP3, d. h. den sogenannten Third Order Intercept Point, zu verbessern. Dieser IIP3 stellt einen Schnittpunkt der Tangenten an die Kurven mit einer Steigung von 1dB/dB (Grundwelle) bzw. 3dB/dB (3. Harmonische) dar, der, um den Einfluß der dritten Oberwelle auf die Grundwelle möglichst gering zu halten, im Leistungsübertragungsdiagramm in einem möglichst hohen Bereich liegen soll.
  • Eine derartige bekannte LNA-Schaltung ist in 1 gezeigt. Der LNA umfaßt einen Bipolartransistor T in Emitterschaltung, dessen Emitter auf einem Bezugspotential (in der Regel Masse) liegt, während dessen Kollektor über einen Widerstand R1 und eine Induktivität L1 mit einem Spannungsversorgungspotential Vcc verbunden ist. An der Basis des Bipolartransistors T liegt ein zu verstärkendes HF-Eingangssignal HFin an. Ein Widerstand R2 ist zwischen Basis und Kollektor des Bipolartransistors T geschaltet, um eine Gleichspannungsvorspannung für die Basis des Bipolartransistors T zu liefern. Zwischen die Basis des Bipolartransistors T und Masse ist ferner der oben angesprochene externe LC-Sumpf, der eine Serienschaltung aus externer Induktivität Lext und externer Kapazität Cext aufweist, geschaltet. In 1 sind alle Verstärkerchipinternen Komponenten innerhalb der Randlinie 10 dargestellt.
  • Bei einer Zustandsänderung des in 1 gezeigten LNAs muß das Basispotential desselben verändert werden. Bei einer Zustandsänderung kann es sich dabei um ein Einschalten bzw. Ausschalten des Transistors T handeln, wobei ein Einschalten durch ein Anlegen der Versorgungsspannung Vcc bewirkt wird, während ein Ausschalten durch ein Abschalten der Versorgungsspannung Vcc bewirkt wird. Eine weitere Zustandsänderung kann im Umschalten zwischen mehreren Stufen eines mehrstufigen Verstärkers bestehen, wobei ein solcher mehrstufiger Verstärker dadurch gebildet ist, daß mehrere der in 1 gezeigten Schaltungen parallel geschaltet sind, indem sie an den Anschlüssen HFin und HFout verbunden sind. In einem solchen Fall kann zwischen mehreren Stufen umgeschaltet werden, indem einer oder mehrere der LNAs abgeschaltet bzw. zugeschaltet werden.
  • Bei jeder Änderung des Basispotentials des Transistors T, beispielsweise solchen Basispotentialänderungen, die für Zustandsänderungen erforderlich sind, muß die externe Kapazität Cext umgeladen werden. Bei der in 1 gezeigten Bias-Struktur, bei der die Bias-Spannung für die Basis des Transistors T über den Widerstand R2 geliefert wird, kann diese Kapazität Cext nur mit dem kleinen Basisstrom des Transistors T umgeladen werden, was in Kombination mit großen Kapazitätswerten, wie sie zur Verbesserung des IIP3 erforderlich sind, zu langen Umladezeiten führt. Somit besitzt der LNA, wie er in 1 gezeigt ist, hohe Umschaltzeiten und ist für schnelle Schaltungen nicht geeignet.
  • In der Vergangenheit spielte bei LNAs der Stromverbrauch nur eine untergeordnete Rolle, so daß, wie in 1 gezeigt ist, meist einfache Bias-Konzepte verwendet wurden. Bei diesen ist die Umschaltzeit durch die Größe der externen Kapazität und den Umladestrom bestimmt. Dieser Umladestrom war durch die Topologie vorgegeben, da es sich bei demselben um den Basisstrom des Bipolartransistors des LNAs handelt, und war somit sehr klein. Bei bekannten LNAs wurden keine weiteren Schaltungen zur Schaltzeitverringerung verwendet.
  • Die Aufgabe der vorliegenden Erfindung besteht darin, eine Schaltungsanordnung und ein Verfahren zu schaffen, die einen LNA mit reduzierter Umschaltzeit ermöglichen.
  • Diese Aufgabe wird durch eine Schaltungsanordnung nach Anspruch 1 und ein Verfahren nach Anspruch 9 gelöst.
  • Die vorliegende Erfindung schafft eine Schaltungsanordnung mit einem Verstärker, der einen Bipolartransistor aufweist, dessen Basisanschluß mit einem Eingangsanschluß für ein zu verstärkendes Signal koppelbar ist und an dessen Basisanschluß über eine Vorspannungseinrichtung ein Potential einstellbar ist, wobei mit dem Basisanschluß ferner ein Kondensator koppelbar ist, der zum Bewirken einer Potentialänderung am Basisanschluß geladen oder entladen werden muß, und einer Einrichtung zum Laden und/oder Entladen des Kondensators mit einem Strom, der größer ist als ein Basisstrom des Bipolartransistors, wenn eine Potentialänderung am Basisanschluß des Bipolartransistors erfolgen soll.
  • Die vorliegende Erfindung schafft ferner ein Verfahren zum Bewirken einer Potentialänderung am Basisanschluß eines Bipolartransistors, wobei an den Basisanschluß ein zu verstärkendes Eingangssignal anlegbar ist, wobei durch eine Vorspannungseinrichtung ein Potential an dem Basisanschluß einstellbar ist, wobei mit dem Basisanschluß ferner ein Kondensator gekoppelt ist, der zum Bewirken einer Potentialänderung am Basisanschluß des Bipolartransistors geladen oder entladen werden muß, mit folgenden Schritten:
    Erfassen, daß eine Potentialänderung am Basisanschluß des Bipolartransistors erfolgen soll; und
    Bewirken eines Stroms, der größer ist als der Basisstrom des Bipolartransistors, zum Laden oder Entladen des Kondensators, um die Potentialänderung zu bewirken.
  • Erfindungsgemäß kann die Schaltzeit eines LNAs deutlich verringert sein, da zum Laden bzw. Entladen der externen Kapazität des externen LC-Sumpfs zur Verringerung von Verzerrungen (Verbesserung des IIP3) ein Lade- bzw. Entlade-Strom verwendet wird, der größer ist als der Basisstrom des Bipolartransistors des LNAs. Zu diesem Zweck wird erfindungsgemäß ein aufwendigeres, weitgehend prozeßunabhängiges Bias-Konzept verwendet, d. h. der zum Laden bzw. Entladen des externen Kondensators notwendige Strom ist nicht durch den Biasstrom des Bipolartransistors des LNAs vorgegeben.
  • Erfindungsgemäß basiert das Umschalten zwischen verschiedenen Betriebszuständen des LNAs vorzugsweise auf dem Ein- bzw. Ausschalten eines Referenzstroms Iconst. Dieser Referenzstrom Iconst bewirkt bei bevorzugten Ausführungsbeispielen der Erfindung über ein Widerstandsnetzwerk Potentialänderungen an den Basisanschlüssen sowohl eines Kerntransistors des LNAs (d. h. des Transistors, der die eigentliche Verstärkung liefert) als auch eines zweiten Bipolartransistors, dessen Basisanschluß nicht mit der externen Kapazität belastet ist. Das Widerstandsnetzwerk dient dabei zur genauen Stromspiegelung zwischen T2 und T1, da es unterschiedliche Basisströme ausgleicht und somit die gleiche UBE-Spannung an den beiden Transistoren gewährleistet.
  • Prinzipiell stellt sich das Basispotential an T2 aufgrund des Stromes Iconst und der UBE-Kennlinie des eigentlich als Diode verschalteten Transistors T2 ein. Somit kann sich das Potential am Basisanschluß des zweiten Transistors durch ein Ein- bzw. Ausschalten des Referenzstroms schnell ändern, was für den Kerntransistor aufgrund der Belastung mit der externen Kapazität nicht der Fall ist. Dadurch entstehende Potentialdifferenzen zwischen den Basisanschlüssen der Transistoren durch Zuschalten bzw. Abschalten des Referenzstroms werden bei bevorzugten Ausführungsbeispielen der vorliegenden Erfindung erfaßt, um basierend darauf eine weitere Stromquelle zuzuschalten, die einen Strom an die Basis des Kerntransistors und somit einen Strom zum schnellen Laden bzw. Entladen der externen Kapazität liefert. Im Nicht-Umschalt-Fall wird somit die Vorspannung, d. h. der Bias des Kerntransistors über den Referenzstrom, den Stromspiegeltransistor und das Widerstandsnetzwerk geliefert, während im Umschalt-Fall eine zusätzliche Stromquelle zugeschaltet wird, um das Laden bzw. Entladen der externen Kapazität zu beschleunigen.
  • Das erfindungsgemäße Konzept kann zum Ausschalten bzw. Einschalten eines einstufigen LNAs verwendet werden und kann in gleicher Weise zum Ausschalten bzw. Einschalten einzelner Stufen eines Verstärkers mit mehreren LNA-Stufen verwendet werden, bei dem mehrere LNA-Stufen jeweils am HF-Eingang und HF-Ausgang parallel geschaltet sind.
  • Die vorliegende Erfindung schafft ein Konzept, das ein schnelles Umschalten zwischen verschiedenen Betriebszuständen von LNAs ermöglicht. Vorteilhafterweise ist das erfindungsgemäße Bias-Konzept weitgehend prozeßunabhängig, da der Strom zum Laden bzw. Entladen der externen Kapazität im wesentlichen nicht vom Basisstrom des Bipolartransistors des LNAs abhängt. Darüber hinaus kann bei dem erfindungsgemäßen Konzept der Stromverbrauch minimal gehalten werden, da ein Ladestrom bzw. Entladestrom für die externe Kapazität jeweils nur im Bedarfsfall zugeschaltet wird.
  • Bevorzugte Ausführungsbeispiele der vorliegenden Anmeldung werden nachfolgend Bezug nehmend auf die beiliegenden Zeichnungen näher erläutert. Es zeigen:
  • 1 eine bekannte LNA-Schaltungsanordnung;
  • 2 eine Schaltungsanordnung gemäß einem Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung; und
  • 3-5 Ausführungsbeispiele von bei der erfindungsgemäßen Schaltungsanordnung verwendbaren Stromsteuerungen.
  • In 2 ist eine erfindungsgemäße Schaltungsanordnung für einen einstufigen LNA-Verstärker gezeigt. Der LNA-Verstärker umfaßt einen Bipolartransistor T1 in Emitterschaltung, dessen Emitter mit einem Bezugspotential, das in der Regel Masse sein wird, verbunden ist. An den Kollektor des Bipolartransistors T1 ist über einen Widerstand R1 und eine Induktivität L1 eine Versorgungsspannung Vcc anlegbar. Die Induktivität L1 wirkt als HF-Drossel und zusammen mit dem Widerstand R1 als Last. Die Versorgungsspannung Vcc liefert einen Arbeitsstrom durch den Bipolartransistor T1, der durch den Stromspiegelbias, d.h. durch den Referenzstrom und den Spiegeltransistor T2 und das Widerstandsnetzwerk eingestellt wird. Der Kollektor des Bipolartransistors T1 ist ferner über einen Kondensator C1, der zur Gleichsignalentkopplung dient, mit einem HF-Ausgang HFout des LNA verbunden.
  • Der Basisanschluß des Bipolartransistors T1 ist mit einem HF-Eingang HFin des LNA verbunden, wobei zwischen den HF-Eingang und Masse in bekannter Weise zur Verringerung von Verzerrungen ein LC-Sumpf aus externer Induktivität Lext und externer Kapazität Cext geschaltet ist.
  • Um diese externe Kapazität Cext bei einer Änderung des Betriebszustandes des LNA, d. h. bei einem Einschalten bzw. Ausschalten desselben, schnell laden bzw. entladen zu können, ist erfindungsgemäß ein weitgehend prozeßunabhängiges Bias-Konzept mit einer Vorspannungseinrichtung, die eine Stromquelle 20 zum Liefern eines Referenzstroms Iconst, einen Bipolartransistor T2 und ein Widerstandsnetzwerk bestehend aus drei Widerständen Rb1, Rb2 und Rb3 aufweist. Ferner ist erfindungsgemäß eine zusätzliche Lade/Entlade-Einrichtung für die externe Kapazität Cext vorgesehen, die eine Steuerschaltung 30 und eine Ladestromquelle 32 zum Liefern eines Ladestroms Iload zum Basisanschluß des Bipolartransistors T1 aufweist.
  • Die Referenzstromquelle 20 ist mit dem Kollektoranschluß des Bipolartransistors T2 und einem Schaltungsknoten 34, an dem die Widerstände Rb1 und Rb2 verbunden sind, verbunden. Der Emitter des Transistors T2 ist mit dem Emitter des Transistors T1, der den Kerntransistor des LNA darstellt, verbunden und ferner über den Widerstand Rb3 mit dem Schaltungsknoten 34 verbunden. Alternativ könnte der Kerntransistor auch resistiv oder induktiv degeneriert sein. Der Basisanschluß des Transistors T2 ist über den Widerstand Rb2 mit dem Schaltungsknoten 34 verbunden, während der Basisanschluß des Transistors T1 über den Widerstand Rb1 ebenfalls mit dem Schaltungsknoten 34 verbunden ist.
  • Bei dem dargestellten Ausführungsbeispiel sind somit die Transistoren T1 und T2 als Stromspiegel verschaltet, wobei über die Widerstände Rb1, Rb2 und Rb3 und den durch die Referenzstromquelle 20 gelieferten Strom Iconst ein definiertes Bias-Potential an die Basisanschlüsse der Transistoren T1 und T2 anlegbar ist.
  • Der Basisanschluß des Transistors T2, der einen weiteren Schaltungsknoten 36 darstellt, ist mit einem ersten Eingang 30a der Steuerschaltung 30 verbunden, während der Basisanschluß des Kerntransistors T1, der einen weiteren Schaltungsknoten 38 darstellt, mit einem zweiten Eingang 30b der Steuerschaltung 30 verbunden ist. Der Schaltungsknoten 38 ist ferner mit der Ladestromquelle 32 verbunden, die über die Steuerschaltung 30 steuerbar ist, wie in 2 schematisch durch eine Leitung 39 angedeutet ist.
  • Die Komponenten, die vorteilhaft Komponenten eines Verstärkerchips sein können, sind in 2 durch eine gestrichelte Umfangslinie 40 dargestellt. Bezüglich der Stromquellen 20 und 32 ist festzustellen, daß diese beispielsweise durch von einer Versorgungsspannung Vcc gespeiste Stromspiegel (beispielsweise in CMOS-Technologie) realisiert sein können.
  • Wie nachfolgend Bezug nehmend auf die 3 bis 5 näher erläutert wird, umfaßt die Steuerschaltung 30 eine Detektorschaltung zum Erfassen eines Spannungsunterschieds bzw. einer Potentialdifferenz zwischen den Schaltungsknoten 36 und 38 und eine Schaltlogik zum Steuern der Ladestromquelle 32 abhängig von der erfaßten Potentialdifferenz. Zusätzlich zu der Ladestromquelle kann ferner eine Entladestromsenke (in 2 der Übersichtlichkeit halber nicht dargestellt) vorgesehen sein, die mit dem Schaltungsknoten 38 verbunden ist und ebenfalls durch die Steuerschaltung 30 gesteuert werden kann.
  • Ein Einschalten bzw. Ausschalten des Kerntransistors T1 erfolgt bei dem in 2 gezeigten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung durch ein Zuschalten bzw. Abschalten der Referenzstromquelle 20. Durch das dadurch bedingte Einschalten bzw. Ausschalten des Referenzstroms Iconst ändert sich das Basispotential am Transistor T2, d. h. das Potential am Schaltungsknoten 36, und ferner das Basispotential am Transistor T1, d. h. am Schaltungsknoten 38. Während sich das Basispotential am Transistor T1 aufgrund der externen Kapazität Cext nur langsam ändern kann, da hierzu nur der relativ kleine Basisstrom des Transistors T1 zur Verfügung steht, kann sich das Basispotential am Transistor T2 schnell ändern, da hier keine externe Kapazität umgeladen werden muß. Da somit eine Potentialänderung am Schaltungsknoten 36 schneller erfolgt als am Schaltungsknoten 38, ergibt sich ein Potentialunterschied zwischen diesen Schaltungsknoten, der zur Detektierung des Ladezustandes der externen Kapazität Cext ausgenutzt werden kann. Abhängig von der Detektierung des Ladezustands kann dann die zusätzliche Stromquelle 32 aktiviert werden, die einen Strom zur Verfügung stellt, der wesentlich größer ist als der normale Ladestrom (der dem Basisstrom des Transistors T1 entspricht) und somit die Umladezeit der externen Kapazität Cext wesentlich beschleunigt.
  • Im ausgeschalteten Zustand des LNA ist die Referenzstromquelle 20 ausgeschaltet und beide Basen der Transistoren T1 und T2 befinden sich auf einem Gleichspannungspotential von 0 V. Wird nun der LNA eingeschaltet, d. h. wird die Referenzstromquelle 20 zugeschaltet und somit der Strom Iconst aktiviert, so ändert sich das Potential am Schaltungsknoten 36 schnell, da nur die Basis-Emitter-Kapazität über den Widerstand Rb2 geladen werden muß. Das Potential am Schaltungsknoten 38 und somit an der Basis der Kerntransistors T1 ändert sich langsam, da zusätzlich zu der Basis-Emitter-Kapazität des Transistors T1 die externe Kapazität Cext geladen werden muß. Der sich hierdurch ergebende Spannungsunterschied bzw. die sich hierdurch ergebende Potentialdifferenz zwischen den beiden Basen der Transistoren T1 und T2 wird durch die Detektorschaltung der Steuerschaltung 30 festgestellt, wobei abhängig von dieser Differenz die Stromquelle 32 zugeschaltet wird und somit der Strom Iload aktiviert wird. Die Größe des Stroms Iload kann unabhängig vom Basisstrom des Transistors T1 und vom Referenzstrom Iconst gewählt werden und somit wesentlich größer als diese dimensioniert werden, so daß die Aktivierung der Stromquelle 32 zu einer Beschleunigung des Ladevorgangs führt. Durch die Aktivierung der Stromquelle 32 wird eine schnelle Potentialänderung an der Basis des Transistors T1 bewirkt, woraufhin die Stromquelle 32 durch die Steuerschaltung 30 abgeschaltet wird, sobald keine Potentialdifferenz zwischen den Basen der Transistoren T1 und T2 mehr vorliegt. Um den Betrieb des LNA nicht zu beeinträchtigen, ist dabei die Stromquelle 32 vorzugsweise derart auszulegen, daß sie im inaktiven, d. h. abgeschalteten, Modus den HF-Eingang HFin des LNA nur unwesentlich belastet.
  • Die Schaltungselemente der oben beschriebenen erfindungsgemäßen Schaltungsanordnung sind vorzugsweise so ausgelegt, daß der Referenzstrom Iconst wesentlich geringer als der Arbeitsstrom durch den Transistor T1 ist, da sonst unnötig viel Strom im Biaszweig verbraucht werden würde. Ferner ist der Widerstand Rb1 möglichst so hochohmig, im Bereich einiger Kilo-Ohm, daß über denselben und den Widerstand Rb3 keine Leistung eines in die Basis des Transistors T1 eingekoppelten Hochfrequenzsignals verloren geht. Der Widerstand Rb3 liefert ein definiertes Potential im OFF-Modus (Masse) an der Basis des Transistors T2.
  • Ausführungsbeispiele für die Steuerschaltung 30 zum Zuschalten bzw. Abschalten einer Stromquelle bzw. einer Stromsenke zum Beschleunigen eines Einschaltvorgangs und/oder eines Ausschaltvorgangs eines LNA werden nachfolgend Bezug nehmend auf die 3 bis 5 näher erläutert.
  • In 3 ist ein Ausführungsbeispiel einer Steuerschaltung, die zum Beschleunigen des Einschaltvorgangs eines LNA verwendbar ist, dargestellt. Die Steuerschaltung umfaßt einen Komparator 50, der die Detektorschaltung der Steuerschaltung darstellt. Der Ausgang bzw. die Ausgänge des Komparators sind mit einer Schaltlogik 52 verbunden, deren Ausgang wiederum mit einem Schalter 54 zum Zu- bzw. Ab-Schalten der Ladestromquelle 32 verbunden ist.
  • Der Komparator 50 empfängt an seinen Eingängen das an der Basis des Transistors T1 vorliegende Potential UbeT1 und das an der Basis des Transistors T2 vorliegende Potential UbeT2. Der Komparator 50 vergleicht die beiden Potentiale und gibt auf einer Komparatorausgangsleitung 56 ein erstes Signal aus, wenn das Basispotential des Transistors T2 größer ist als des Transistors T1, während derselbe ein zweites Signal auf einer Leitung 58 ausgibt, wenn das Basispotential des Transistors T1 größer ist als das Basispotential des Transistors T2. Die Schaltlogik 52 ist in dem Fall, daß lediglich ein Einschalt vorgang des LNA beschleunigt werden soll, ausgelegt, um den Schalter 54 zu schließen, wenn der Komparator das erste Signal auf der Komparatorausgangsleitung 56 ausgibt. Somit wird die Ladestromquelle 32 zugeschaltet und so lange ein Laden des Schaltungsknoten 38 und somit der Basis des Transistors T1 bewirkt, bis das Potential UbeT1 an der Basis des Transistors T1 nicht mehr kleiner ist als das an der Basis des Transistors T2, wobei in diesem Fall der Schalter 54 geöffnet wird.
  • Es ist für Fachleute offensichtlich, daß der Komparator 50 ausgelegt sein kann, um das erste Signal auf der Leitung 56 immer dann auszugeben, wenn die Potentialdifferenz zwischen den Schaltungsknoten 36 und 38 größer ist als eine erste Schwelle, so daß der Schalter 54 erst dann zugeschaltet wird, wenn die Potentialdifferenz diese Schwelle überschreitet. Der Komparator kann dabei eine Hysterese aufweisen, so daß das Signal auf der Ausgangsleitung 56 so lange ausgegeben wird, bis die Potentialdifferenz zwischen den Schaltungsknoten 36 und 38 geringer wird als eine zweite Schwelle, die geringer sein kann als die erste Schwelle. Soll lediglich eine Beschleunigung des Einschaltens bewirkt werden, ist die zweite Komparatorausgangsleitung 58 kein notwendiges Merkmal.
  • In 4 ist ein Ausführungsbeispiel einer erfindungsgemäßen Steuerschaltung zum Beschleunigen eines Ausschaltvorganges gezeigt, die wiederum einen Komparator 50 und eine Schaltlogik 52 aufweist. An den Eingängen des Komparators 50 liegen wiederum die Spannungen von den Schaltungsknoten 38 und 36 UbeT1 und UbeT2 an, wobei der Komparator 50 wiederum auf seinen Ausgangsleitungen 58 und 56 die oben Bezug nehmend auf 3 erläuterten Signale ausgibt. Bei dem in 4 gezeigten Ausführungsbeispiel ist die Schaltlogik 52 jedoch ausgelegt, um, wenn der Komparator das zweite Signal auf der Leitung 58 ausgibt, einen Schalter 60 zu steuern, um eine Entladungsstromquelle 62 zwischen den Schaltungsknoten 38 und Masse zu schalten. Diese Entladungsstromquelle 62 bewirkt eine schnelle Entladung des externen Kondensators Cext durch einen Strom definierter Stromstärke, die der durch die Entladungsstromquelle 62 gelieferten Stromstärke entspricht. Alternativ kann der Schaltungsknoten 38 direkt mit Masse verbunden werden, um bei einem Ausschaltvorgang den externen Kondensator Cext zu entladen und somit das Potential an der Basis des Transistors T1 schnell an das Potential an der Basis des Transistors T2 anzugleichen, wobei, sobald dies erreicht ist, der Schalter 60 geöffnet wird. Wie oben Bezug nehmend auf 3 beschrieben wurde, kann der Komparator wieder entsprechende Schwellwerte mit einer entsprechenden Hysterese aufweisen.
  • Schließlich ist in 5 eine Steuerschaltung gezeigt, bei der der Komparator 50 und die Schaltlogik 52 ausgelegt sind, um sowohl beim Einschalten als auch beim Ausschalten geringe Schaltzeiten zu realisieren. In diesem Fall gibt der Komparator 50 sowohl das Signal zum Laden auf der Leitung 56 als auch das Signal zum Entladen auf der Leitung 58 aus, wobei die Schaltlogik 52 ausgelegt ist, um im Fall des Signals zum Laden auf der Leitung 56 den Schalter 54 zu schließen und im Fall des Signals zum Entladen auf der Leitung 58 den Schalter 60 zu schließen. Somit stellt die in 5 gezeigte Schaltung eine Kombination der Bezug nehmend auf die 3 und 4 beschriebenen Schaltungen dar.
  • Es ist klar, daß die jeweilige Position der Schalter 54 und 60 unkritisch ist und daß statt des Vorsehens eines externen Schalters schaltbare Stormquellen bzw. Stromsenken einsetzbar sind.
  • Obwohl oben Bezug nehmend auf die Figuren ein einstufiger LNA beschrieben wurde, ist es für Fachleute klar, daß jeder einer Mehrzahl von LNAs eines mehrstufigen rauscharmen Verstärkers eine Schaltungsanordnung, wie sie oben beschrieben wurde, aufweisen kann. Somit ermöglicht die vorliegende Erfindung ein schnelles Umschalten zwischen unterschiedlichen Stufen eines mehrstufigen Verstärkers, indem zu einem solchen Umschalten zwischen Stufen jeweils einer oder mehrere der LNAs ab oder zugeschaltet werden. Die Mehrzahl von LNAs für einen solchen mehrstufigen Verstärker sind dabei parallel geschaltet, indem sie am HF-Eingang HFin und am HF-Ausgang HFout verbunden sind.
  • Die vorliegende Erfindung schafft somit eine Schaltungsanordnung und ein Verfahren, die bei einem minimalen Stromverbrauch ein schnelles Ein- bzw. Aus-Schalten von LNAs ermöglichen.
  • T
    Bipolartransistor
    R1, R2
    Widerstände
    C1
    Kapazität
    L1
    Induktivität
    Lext
    externe Induktivität
    Cext
    externe Kapazität
    10
    Verstärkerchip
    Vcc
    Versorgungsspannung
    Hfin
    Eingangsanschluß
    Hfout
    Ausgangsanschluß
    T1
    Kerntransistor
    T2
    Stromspiegeltransistor
    20
    Referenzstromquelle
    Rb1, Rb2, Rb3
    Widerstände
    30
    Steuerschaltung
    32
    Ladestromquelle
    34, 36, 38
    Schaltungsknoten
    39
    Steuerleitung
    40
    Verstärkerchip
    Iconst
    Referenzstrom
    Iload
    Ladestrom
    50
    Komparator
    52
    Schaltlogik
    54
    Schalter
    56, 58
    Komparatorausgangsleitungen
    60
    Schalter
    62
    Entladungsstromquelle

Claims (11)

  1. Schaltungsanordnung mit einem Verstärker, der einen Bipolartransistor (T1) aufweist, dessen Basisanschluß mit einem Eingangsanschluß (HFin) für ein zu verstärkendes Signal koppelbar ist und an dessen Basisanschluß über eine Vorspannungseinrichtung ein Potential (UbeT1) einstellbar ist, wobei mit dem Basisanschluß ferner ein Kondensator (Cext) koppelbar ist, der zum Bewirken einer Potentialänderung am Basisanschluß des Bipolartransistors (T1) geladen oder entladen werden muß, und einer Einrichtung (30, 32) zum Laden und/oder Entladen des Kondensators (Cext) mit einem Strom (Iload), der größer ist als ein Basisstrom des Bipolartransistors (T1), wenn eine Potentialänderung am Basisanschluß des Bipolartransistors (T1) erfolgen soll.
  2. Schaltungsanordnung nach Anspruch 1, bei der die Einrichtung zum Laden und/oder Entladen eine Stromquelle (32) und/oder eine Stromsenke (62) aufweist.
  3. Schaltungsanordnung nach Anspruch 1 oder 2, die ferner einen Schaltungsknoten (36) aufweist, an dem ansprechend auf eine Initiierung einer Potentialänderung an dem Basisanschluß des Bipolartransistors (T1) schneller eine Potentialänderung auftritt als an dem Basisanschluß des Bipolartransistors (T1), wobei die Einrichtung zum Laden und/oder Entladen abhängig von einem Vergleich der Potentiale an dem Schaltungsknoten (36) und dem Basisanschluß des Bipolartransistors (T1) zum Laden oder Entladen des Kondensators (Cext) aktiviert wird.
  4. Schaltungsanordnung nach Anspruch 3, die einen Komparator (50) aufweist, zum Vergleichen der Potentiale an dem Basisanschluß des Bipolartransistors (T1) und an dem Schaltungsknoten (36), zum Ausgeben eines ersten Signals, wenn das Potential am Schaltungsknoten (36) höher ist als das Potential am Basisanschluß des Bipolartransistors (T1) und/oder zum Ausgeben eines zweiten Signals, wenn das Potential an dem Basisanschluß des Bipolartransistors (T1) höher ist als das Potential an dem Schaltungsknoten (36).
  5. Schaltungsanordnung nach Anspruch 4, die ferner eine Schaltlogik (52) zum Steuern der Einrichtung zum Laden und/oder Entladen, um den Kondensator (Cext) zu laden, wenn der Komparator das erste Signal ausgibt, und/oder um den Kondensator zu entladen, wenn der Komparator das zweite Signal ausgibt, aufweist.
  6. Schaltungsanordnung nach einem der Ansprüche 3 bis 5, bei der der Bipolartransistor (T1) ein erster Bipolartransistor ist und der Schaltungsknoten (36) dem Basisanschluß eines zweiten Bipolartransistors (T2) entspricht.
  7. Schaltungsanordnung nach Anspruch 6, bei der die Vorspannungsanordnung den zweiten Bipolartransistor (T2), eine Referenzstromquelle (20) und Widerstände (Rb1, Rb2), über die die Basisanschlüsse (36, 38) des ersten und zweiten Bipolartransistors (T1, T2) der Referenzstromquelle (20) verschaltet sind, aufweist.
  8. Schaltungsanordnung nach Anspruch 7, bei der der erste und der zweite Bipolartransistor (T1, T2) als Stromspiegel verschaltet sind, dessen Eingangstransistor der zweite Bipolartransistor (T2) ist, wobei der Eingang des Stromspiegels mit einem Ausgang der Referenzstromquelle (20) verschaltet ist.
  9. Verfahren zum Bewirken einer Potentialänderung am Basisanschluß (38) eines Bipolartransistors (T1), wobei an den Basisanschluß (38) ein zu verstärkendes Eingangssignal anlegbar ist, wobei durch eine Vorspannungseinrichtung ein Potential an dem Basisanschluß (38) einstellbar ist, wobei mit dem Basisanschluß (38) ferner ein Kondensator (Cext) gekoppelt ist, der zum Bewirken einer Potentialänderung am Basi sanschluß des Bipolartransistors (T1) geladen oder entladen werden muß, mit folgenden Schritten: Erfassen, daß eine Potentialänderung am Basisanschluß (38) des Bipolartransistors (T1) erfolgen soll; und Bewirken eines Stroms, der größer ist als der Basisstrom des Bipolartransistors (T1), zum Laden oder Entladen des Kondensators (Cext), um die Potentialänderung zu bewirken.
  10. Verfahren nach Anspruch 9, bei dem der Schritt des Erfassens einen Schritt des Vergleichens eines Potentials an einem Vergleichsknoten (36) mit dem Potential an dem Basisanschluß (38) aufweist, und bei dem der Schritt des Bewirkens eines Stroms das Zuschalten einer Stromquelle (32) zum Laden des Kondensators (Cext) und/oder einer Stromsenke (62) zum Entladen des Kondensators (Cext) abhängig von dem Vergleich aufweist.
  11. Verfahren nach Anspruch 10, bei dem die Stromquelle (32) zugeschaltet wird, wenn der Vergleich ergibt, daß das Potential am Vergleichsknoten (36) das Potential am Basisanschluß (38) des Bipolartransistors (T1) um einen vorbestimmten Wert übersteigt, und/oder bei dem die Stromsenke (62) zugeschaltet wird, wenn der Vergleich ergibt, daß das Potential am Basisanschluß (38) des Bipolartransistors (T1) das Potential am Vergleichsknoten (36) um einen vorbestimmten Wert übersteigt.
DE10305366A 2003-02-10 2003-02-10 Schaltungsanordnung und Verfahren zum beschleunigten Umschalten eines Verstärkers Withdrawn DE10305366A1 (de)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE10305366A DE10305366A1 (de) 2003-02-10 2003-02-10 Schaltungsanordnung und Verfahren zum beschleunigten Umschalten eines Verstärkers
PCT/EP2004/000520 WO2004070770A2 (de) 2003-02-10 2004-01-22 Schaltungsanordnung und verfahren zum beschleunigten umschalten eines verstärkers
CN200480003922.2A CN1748363B (zh) 2003-02-10 2004-01-22 电路装置及放大器加速切换方法
US11/200,645 US7084706B2 (en) 2003-02-10 2005-08-10 Circuitry and method for accelerated switching of an amplifier

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE10305366A DE10305366A1 (de) 2003-02-10 2003-02-10 Schaltungsanordnung und Verfahren zum beschleunigten Umschalten eines Verstärkers

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE10305366A1 true DE10305366A1 (de) 2004-08-26

Family

ID=32747675

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE10305366A Withdrawn DE10305366A1 (de) 2003-02-10 2003-02-10 Schaltungsanordnung und Verfahren zum beschleunigten Umschalten eines Verstärkers

Country Status (4)

Country Link
US (1) US7084706B2 (de)
CN (1) CN1748363B (de)
DE (1) DE10305366A1 (de)
WO (1) WO2004070770A2 (de)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7365603B2 (en) 2004-03-23 2008-04-29 Murata Manufacturing Co., Ltd. FET amplifier, pulse modulation module, and radar device

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7994861B2 (en) * 2006-10-31 2011-08-09 Skyworks Solutions, Inc. System and method for pre-charging a current mirror
US9166533B2 (en) * 2009-07-30 2015-10-20 Qualcomm Incorporated Bias current monitor and control mechanism for amplifiers
US20120293217A1 (en) 2011-05-18 2012-11-22 Texas Instruments Incorporated Feedforward active decoupling
CN103558898A (zh) * 2013-10-25 2014-02-05 苏州贝克微电子有限公司 一种电流镜瞬变加速电路
FR3041462B1 (fr) * 2015-09-22 2017-11-03 Valeo Comfort & Driving Assistance Dispositif electronique de detection d'un signal emis par un capteur de verrouillage et/ou de deverouillage d'un ouvrant de vehicule automobile
TWI665847B (zh) * 2018-11-20 2019-07-11 聯陽半導體股份有限公司 電源切換系統

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE10121168A1 (de) * 2001-04-30 2002-11-21 Infineon Technologies Ag Vorrichtung zum Steuern eines Ruhestroms für einen Verstärkertransistor und Verstärkerschaltung

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5637993A (en) * 1995-10-16 1997-06-10 Analog Devices, Inc. Error compensated current mirror
US6137366A (en) * 1998-04-07 2000-10-24 Maxim Integrated Products, Inc. High VSWR mismatch output stage
JP3807582B2 (ja) * 1999-02-18 2006-08-09 株式会社ルネサステクノロジ 情報処理装置及び半導体装置
US6191656B1 (en) * 1999-07-23 2001-02-20 Rf Micro Devices, Inc. High efficiency, unilateral dual stage RF amplifier
ATE285636T1 (de) * 1999-08-24 2005-01-15 Ericsson Telefon Ab L M Paralleloperation von geräten mit mehreren kommunikationsstandarden
US6438364B1 (en) * 2000-06-06 2002-08-20 Philips Electronics North America Corporation Radio frequency device with fast charging of an input capacitance
JP3904817B2 (ja) * 2000-08-31 2007-04-11 株式会社ルネサステクノロジ 電力増幅器モジュール
US6346854B1 (en) * 2000-10-31 2002-02-12 National Semiconductor Corporation Amplifier circuit with reduced DC power related turn-on and turn-off transients
US6414553B1 (en) * 2001-08-30 2002-07-02 Koninklijke Philips Electronics N.V. Power amplifier having a cascode current-mirror self-bias boosting circuit

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE10121168A1 (de) * 2001-04-30 2002-11-21 Infineon Technologies Ag Vorrichtung zum Steuern eines Ruhestroms für einen Verstärkertransistor und Verstärkerschaltung

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7365603B2 (en) 2004-03-23 2008-04-29 Murata Manufacturing Co., Ltd. FET amplifier, pulse modulation module, and radar device
DE112004001202B4 (de) * 2004-03-23 2012-03-29 Murata Manufacturing Co., Ltd. FET-Verstärker, Pulsmodulationsmodul und Radarvorrichtung

Also Published As

Publication number Publication date
CN1748363B (zh) 2010-05-12
WO2004070770A2 (de) 2004-08-19
US7084706B2 (en) 2006-08-01
CN1748363A (zh) 2006-03-15
WO2004070770A3 (de) 2004-11-18
US20060033578A1 (en) 2006-02-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE102015105113B4 (de) System und Verfahren zum Ansteuern eines Hochfrequenzschalters
EP1732223B1 (de) Integrieter Schaltkreis
DE4232217B4 (de) Ausgabepufferschaltung mit gesteuertem Ladungsspeicher
DE102008062308B4 (de) Leistungsverstärker
DE102005050622A1 (de) Sendeendstufe mit einstellbarer Ausgangsleistung und Verfahren zum Verstärken eines Signals in einer Sendeendstufe
WO2007118540A1 (de) Schneller cmos-stromspiegel
EP0491980B1 (de) Spannungsregler mit einem CMOS-Transkonduktanzverstärker mit gleitendem Arbeitspunkt
DE10305366A1 (de) Schaltungsanordnung und Verfahren zum beschleunigten Umschalten eines Verstärkers
DE102004050464B4 (de) Ausgangsschaltung
DE10342056B4 (de) Additionsschaltung für Sigma-Delta-Modulatorschaltungen
EP1091491A1 (de) Inputbuffer einer integrierten Halbleiterschaltung
DE2314015C3 (de) Signalverstärker
EP1456949B1 (de) Schaltungsanordnung zur bereitstellung eines ausgangssignals mit einstellbarer flankensteilheit
DE19949144C1 (de) Digitale Treiberschaltung
DE69833533T2 (de) Niederspannungsabtast- und -halteschaltungen
DE102004036956B3 (de) Logik-Aktivierungsschaltung
DE3328201C2 (de)
DE10132803A1 (de) Schnittstellenschaltung zum Anschluss an einen Ausgang eines Frequenzumsetzers
DE102005032093A1 (de) Verstärkeranordnung und Verfahren zur Signalverstärkung
DE60310426T2 (de) Treiber für analoge lasten
DE102019125703B4 (de) Hilfseingang für eine Analog-Digital-Wandler-Eingangsladung
DE10134557C2 (de) Schaltungsanordnung und Verfahren zum Entladen mindestens eines Schaltungsknotens
DE102020125058A1 (de) Eine robuste architektur zum moduswechsel einer erzwingungs- und messeinrichtung
DE10392486T5 (de) Stromabschaltkreis für aktive Vorspannungsschaltkreise mit Prozessvariationskompensation
DE3509595A1 (de) Schaltungsanordnung

Legal Events

Date Code Title Description
OP8 Request for examination as to paragraph 44 patent law
8130 Withdrawal