-
Die Erfindung betrifft einen CVD-Reaktor
mit einem Reaktionsraum, einem im Reaktionsraum angeordneten Suszeptor
zur Aufnahme eines mittels CVD-Epitaxie zu beschichtenden Grundkörpers und einem
Gaseinlass mit einem ersten Diffusor. Weiterhin betrifft die Erfindung
eine Verwendung des CVD-Reaktors.
-
Aus der
DE 196 22 403 C1 und aus
der
EP 0 787 822 B1 sind
jeweils ein Verfahren und eine Vorrichtung zur Erzeugung einer Schicht
auf der Oberfläche
eines Grundkörpers
mittels chemischer Gasphasenabscheidung (= Chemical Vapour Deposition
= CVD) bekannt.
-
Bei einem CVD-Prozess zur epitaktischen Herstellung
einer Schicht auf einem Grundkörper wird
ein Gasstrom, der sich aus zumindest einem Reaktionsgas (= Arbeitsgas
oder Quellqas) zusammensetzt, dem Grundkörper zugeleitet. Das mindestens eine
Reaktionsgas enthält
das oder die chemische/n Element/e, das/die auf dem Grundkörper in
Form der Epitaxieschicht abgeschieden wird/werden. Daneben kann
der Gasstrom weitere Komponenten in Form eines Trägergases
oder eines Dotierstoffgases umfassen. Die einzelnen Gase werden
in Zuleitungen mit geringem Durchschnitt (z.B. 8 mm) zum Reaktionsraum
transportiert. Dessen Durchmesser ist jedoch in der Regel viel größer als
der der Gaszuleitungen (z.B. 5 bis 50 cm). Hieraus ergibt sich die
Problemstellung, eine homogene örtliche
Verteilung sowie eine homogene Durchmischung der einzelnen Gaskomponenten
spätestens
am Ort des zu beschichtenden Grundkörpers einzustellen.
-
Dies ist wünschenswert, um eine hochqualitative
Epitaxieschicht herzustellen. Deshalb enthält eine in der
DE 196 22 403 C1 offenbarte
Vorrichtung neben mehreren Gaszu leitungen, die über Eintrittsöffnungen
an den Reaktionsraum angeschlossen sind, auch einen Diffusor. Dieser
hat die Gestalt einer duschkopfähnlichen
Lochplatte oder Lochblende mit einer Vielzahl kleiner, über die
Platte annähernd gleichmäßig verteilter
Durchlassöffnungen.
Bei einer weiteren Vorrichtung ist zusätzlich ein Düsenring
vorgesehen.
-
Mit der
EP 0 787 822 B1 wird eine
Vorrichtung offenbart, bei der die Eintrittsöffnungen der verschiedenen
Gaszuleitungen in eine Vorkammer (= Gasvorraum) münden, in
der eine Durchmischung der verschiedenen Gaskomponenten erfolgen
soll. Über
eine schlitzförmige Öffnung gelangt
der Gasstrom aus dieser Vorkammer dann in den eigentlichen Reaktionsraum,
in dem sich der zu beschichtende Grundkörper befindet. Mit den bekannten
Vorrichtungen wird keine optimale Durchmischung und/oder homogene
Verteilung der Reaktionsgase spätestens
am Ort des zu beschichtenden Grundkörpers erreicht.
-
Der Erfindung liegt deshalb die Aufgabe
zugrunde, einen CVD-Reaktor
der eingangs bezeichneten Art anzugeben, mit dem eine verglichen
mit dem Stand der Technik verbesserte Gaszuführung erreicht werden kann.
-
Zur Lösung der Aufgabe wird ein CVD-Reaktor
entsprechend den Merkmalen des unabhängigen Patentanspruchs 1 angegeben.
-
Bei dem erfindungsgemäßen CVD-Reaktor handelt
es sich um einen CVD-Reaktor der eingangs bezeichneten Art, der
dadurch gekennzeichnet ist, dass der Gaseinlass neben dem ersten
Diffusor weitere Homogenisierunqsmittel zur Homogenisierung des
aus dem ersten Diffusor in Richtung des Suszeptors austretenden
Gasstroms aufweist.
-
Die Erfindung beruht dabei auf der
Erkenntnis, dass die lokale Verteilung und/oder die Durchmischung
der Reaktionsgase unter ausschließlicher Zuhilfenahme eines
Diffusors keine ausreichende Homogenität spätestens am Ort des zu beschich tenden
Grundkörpers
gewährleisten
kann. Dies gilt insbesondere dann, wenn die Eintrittsöffnung asymmetrisch
in Bezug auf den Suszeptor, auf dem der zu beschichtende Grundkörper aufliegt,
angeordnet ist. Es wurde festgestellt, dass eine derartige Anordnung
zu einer inhomogenen Gasverteilung und infolge zu erheblichen Abweichungen
der Schichtdicken- und Dotierungshomogenität führt. Gerade wenn zur Erzielung
einer vorbestimmen Wachstumsrate ein definierter Gesamtgasfluss – und damit
eine definierte Strömungsgeschwindigkeit
des Gasflusses – eingestellt
werden soll, gewährleistet
allein der Diffusor noch keine hinreichende Durchmischung/Verteilung des
Gasstroms. Erfindungsgemäß sind deshalb
weitere Homogenisierungsmittel vorgesehen, um die Homogenität des Gasflusses
sowohl hinsichtlich der örtlichen
Verteilung als auch hinsichtlich der Durchmischung zu verbessern.
-
Vorteilhafte Ausgestaltungen des
CVD-Reaktors gemäß der Erfindung
ergeben sich aus den von Anspruch 1 abhängigen Ansprüchen.
-
Günstig
ist es, wenn der Gaseinlass einen Homogenisierungsbereich enthält, der
zwischen einer ersten Eintrittsöffnung
und dem ersten Diffusor angeordnet ist. Dieser Homogenisierungsbereich
ist insbesondere so ausgestaltet, dass eine praktisch vollständige Durchmischung
der Gaskomponenten beim Durchtritt des Gasstroms durch den ersten
Diffusor erreicht wird.
-
Vorteilhaft ist eine Ausgestaltung,
bei der der Gaseinlass eine erste (Gas)Eintrittsöffnung aufweist, die symmetrisch
in Bezug auf den Suszeptor – und damit
auch auf den hier aufliegenden Grundkörper – angeordnet ist. Eine diesbezügliche Symmetrie
liegt insbesondere dann vor, wenn die Eintrittsöffnung und der Suszeptor oder
der Bereich, in dem der Suszeptor angeordnet ist, bei einer Projektion
in eine gemeinsame Ebene symmetrisch zueinander angeordnet sind.
Dann erreicht man, dass auf der Strecke vom ersten Diffusor bis
zum Suszeptor durch Querdiffusion und/oder mikroturbulentes Strömungsver halten
gegebenenfalls noch vorhandene Ungleichmäßigkeiten in der Durchmischung
so weit egalisiert werden, dass am Suszeptor und damit auch am zu beschichtenden
Grundkörper
eine homogene lokale Verteilung und eine homogene Durchmischung
vorliegen. Damit führt
der so ausgestaltete Gaseinlass zu einer verbesserten Qualität der Schichtdicken- und
Dotierungshomogenität
der erzeugten CVD-Epitaxieschicht. Die Homogenität der abgeschiedenen Epitaxieschicht
wird dann praktisch unabhängig
von dem für
eine bestimmte Wachstumsrate einzustellenden Gasfluss. Stellt die
CVD-Epitaxiebeschichtung einen Prozessschritt innerhalb der Fertigung
eines elektronischen Halbleiter-Bauelements dar, lässt sich durch
die Verwendung eines derartigen Gaseinlasses eine höhere Ausbeute
und auch eine geringere Fertigungstoleranz zwischen den Bauelementen
einer Charge erreichen.
-
Eine weitere bevorzugte Ausgestaltung
ist dadurch gekennzeichnet, dass der Gaseinlass mehrere Eintrittsöffnungen
aufweist. Die Eintrittsöffnungen
sind dann wiederum insbesondere symmetrisch in Bezug auf den Suszeptor
angeordnet. Es ergeben sich die vorstehend beschriebenen Vorteile
in entsprechender Weise.
-
Weiterhin ist es möglich, den
Gaseinlass mit einem weiteren in Gasflussrichtung dem ersten Diffusor
vorgeschalteten Diffusor auszustatten. Auch anhand dieser Maßnahme lässt sich
eine Homogenisierung des Gasflusses sowohl hinsichtlich der Durchmischung
als auch der lokalen Verteilung erzielen.
-
Günstig
ist es ebenfalls, wenn der Gaseinlass eine Umlenkung des Gasstroms
beinhaltet. Der Umlenkmechanismus ist vorzugsweise so ausgestaltet,
dass er neben einer Umlenkung des Gasstroms gleichzeitig auch eine
Homogenisierung bewirkt. Die Umlenkung ist beispielsweise als Umlenkblende
ausgeblendet, die insbesondere in Gasflussrichtung vor dem ersten
Diffusor angeordnet ist.
-
Für
die Orientierung einer Aufnahmefläche des Suszeptors, auf die
der zu beschichtende Grundkörper
aufgelegt wird, sind grundsätzlich
zwei verschiedene Ausführungsformen
möglich.
Zum einen kann diese Aufnahmefläche
im Wesentlichen parallel zur Richtung des Gasflusses nach dem Austritt
aus dem ersten Diffusor und zum anderen im Wesentlichen senkrecht
zu dieser Gasflussrichtung orientiert sein. Bei beiden Ausführungsformen
lassen sich die erfindungsgemäßen Maßnahmen
zur Homogenisierung des Gasflusses vorteilhaft einsetzen.
-
Der CVD-Reaktor eignet sich insbesondere für die Erzeugung
einer Siliciumcarbid-Schicht. Über die
Reaktionsgase werden dem Grundkörper,
beispielsweise einem SiC-Wafer, die Elemente Silicium und Kohlenstoff,
die in gebundener Form in den Reaktionsgasen enthalten sind, zugeführt.
-
Bevorzugte, jedoch keinesfalls einschränkende Ausführungsbeispiele
der Erfindung werden nunmehr anhand der Zeichnung näher erläutert. Zur Verdeutlichung
ist die Zeichnung nicht maßstäblich ausgeführt, und
gewisse Merkmale sind nur schematisiert dargestellt. Im Einzelnen
zeigen die
-
1 und 2 einen ersten CVD-Reaktor
mit einem homogenisierenden Gaseinlass mit einer Zuleitung,
-
3 bis 6 einen zweiten und dritten CVD-Reaktor
mit mehreren Gaszuleitungen,
-
7 und 8 einen vierten CVD-Reaktor
mit einem zusätzlichen
Diffusor und
-
9 und 10 einen fünften und
sechsten CVD-Reaktor mit einer Gasumlenkung innerhalb des Gaseinlasses.
-
Einander entsprechende Teile sind
in den 1 bis 10 mit denselben Bezugszeichen
versehen.
-
In den 1 und 2 ist ein CVD-Reaktor 301 zur
Erzeugung einer CVD-Epitaxieschicht 61 auf einem Grundkörper 6 dargestellt.
Der Grundkörper 6 befindet
sich innerhalb eines Reak tionsraumes 30 des CVD-Reaktors 301.
Er liegt auf einem Suszeptor 3, der über eine thermische Isolation 5 mit
einer Gehäusewand
des CVD-Reaktors 301 in Verbindung steht. Im Ausführungsbeispiel
von 1 und 2 sind zwei Grundkörper 6 zur
Beschichtung innerhalb des Reaktionsraums 30 angeordnet.
Die gleichzeitige Beschichtung von mehr als zwei Grundkörpern 6 ist jedoch
ohne weiteres möglich,
ebenso wie die Beschichtung nur eines einzigen Grundkörpers 6.
Der Grundkörper 6 kann
insbesondere in Form eines Halbleiter-Wafers, beispielsweise als
Halbleiter-Substrat, vorliegen. Die Schicht 61 ist dann
vorzugsweise eine Halbleiterschicht und dient insbesondere zur Herstellung
einer Halbleiterbauelemente-Struktur.
-
Die Schichterzeugung erfolgt mittels
eines chemischen Gasphasenabscheide-Verfahrens (= CVD-Epitaxieverfahren).
Hierbei werden die chemischen Elemente, die zur Erzeugung der Schicht 61 benötigt werden,
mittels eines Gasflusses 50 an den Grundkörper 6 herantransportiert,
auf dem die Abscheidung erfolgt. Um eine möglichst homogene Schicht 61 zu
erzeugen, sollte der Gasfluss 50 spätestens am Ort des zu beschichtenden
Grundkörpers 6 sowohl
eine möglichst
homogene örtliche
Verteilung als auch eine möglichst
gleichmäßige Durchmischung
der im Gasfluss enthaltenen einzelnen Gaskomponenten aufweisen.
-
Wenn nämlich, wie im Ausführungsbeispiel der 1 und 2, eine Schicht 61 aus einem
Verbundhalbleiter, hier insbesondere aus Siliciumcarbid (= SiC),
hergestellt werden soll, umfasst der Gasstrom 50 mindestens
zwei Reaktionsgas-Komponenten, die jeweils eines der beiden abzuscheidenden
Elemente (= Silicium und Kohlenstoff) in gebundener Form enthält. Darüber hinaus
umfasst der Gasfluss 50 auch ein Trägergas (beispielsweise Wasserstoff). Weiterhin
ist ein Anteil mit einem Dotierstoffgas möglich. Damit lässt sich
eine n- oder p-Dotierung in der abzuscheidenden Schicht 61 herstellen.
Für eine hochqualitative
Schicht 61 ist eine gute, d.h. möglichst gleichmäßige Durchmischung
dieser Gasfluss-Komponenten wünschenswert.
Außerdem
ist eine homogene örtliche
Verteilung des Gasflusses 50 am Ort des Suszeptors 3,
und insbesondere über
die gesamte zu beschichtende Oberfläche des Grundkörpers 6 hinweg,
wünschenswert.
-
Der Gasfluss 50 gelangt über einen
Gaseinlass 201 in den Reaktionsraum 30 und wird
nach Passieren des Suszeptors 3 und der zu beschichtenden
Grundkörper 6 über einen
Gasauslass 40 abgeleitet. Für die Ausgestaltung eines möglichst
homogenen Gasflusses 50 im Bereich des zu beschichtenden
Grundkörpers 6 ist
die Ausgestaltung des Gaseinlasses 201 mit entscheidend.
Der Gaseinlass 201 weist eine Eintrittsöffnung 100 auf, an
die eine Zuleitung 10 angeschlossen ist. Das Gas wird über diese
Zuleitung 10 und die Eintrittsöffnung 100 in den Gaseinlass 201 eingespeist.
Zunächst
gelangt es in einen Homogenisierungsbereich 24, der insbesondere
als (Gas-)Vorkammer ausgebildet ist. Nach Durchlaufen dieser Vorkammer 24 passiert
das Gas einen Diffusor 21, um dann als Gasfluss 50 dem
Suszeptor 3 zugeleitet zu werden. Der Diffusor 21 ist
insbesondere als Lochblende oder Lochplatte ausgebildet, die beispielsweise
mehrere über
die gesamte Plattenfläche
verteilte kleine Durchgangsöffnungen
vergleichbar den Wasserdüsen
eines Duschkopfs aufweist.
-
Um zumindest am Ort des zu beschichtenden
Grundkörpers 6 einen
möglichst
homogenen Gasfluss 50 zu erhalten, ist die Eintrittsöffnung 100 so
angeordnet, dass sie und der Suszeptor 3 bei einer Projektion
in eine gemeinsame Ebene – hier
die Ebene der nicht näher
bezeichneten Gehäusewand des
CVD-Reaktors 301, an der die Zuleitung 10 angeschlossen
ist – symmetrisch
zueinander liegen. Eine exakte konzentrische Anordnung von Eintrittsöffnung 100 und
Suszeptor 3 ist im Ausführungsbeispiel
der 1 und 2 jedoch nicht möglich, da
im Zentrum ein Pyrometerfenster 4 angeordnet ist. Dieses
dient der Überwachung
der Prozesstemperatur während
des Schichtwachstums. Deshalb ist für die Eintrittsöffnung 100 eine
Position vorgesehen, die sich leicht unterhalb des Pyrometerfensters 4 be findet.
Diese Anordnung ist in der Querschnitts-Darstellung von 2 verdeutlicht.
-
Der Gaseinlass 201 umfasst
damit insgesamt drei Maßnahmen
zur Homogenisierung des Gasflusses 50: erstens die symmetrische
Position der Eintrittsöffnung 100,
zweitens die als Homogenisierungsbereich ausgebildete Vorkammer 24 und drittens
den Diffusor 21. Diese Kombination führt zu einer verglichen mit
dem Stand der Technik deutlich verbesserten Homogenität des Gasflusses 50 am
Ort der zu beschichtenden Grundkörper 6.
-
Der Gaseinlass 201 ist so
ausgebildet, dass unter Berücksichtigung
der Wegstrecke zwischen dem Diffusor 21 und dem Suszeptor 3 sowie
der Querdiffusion der einzelnen Gaskomponenten im Gasfluss 50 eine
homogene Durchmischung und eine homogene lokale Verteilung innerhalb
des Gasflusses 50 erreicht wird. Hierbei ist außerdem berücksichtigt,
dass der eingestellte Gesamtgasfluss in physikalisch vorbestimmter
Weise von den geometrischen Abmessungen und der effektiven Querdiffusion
der Gaskomponenten innerhalb des Gasflusses 50 abhängt. Die
Durchmischung der Gaskomponenten erfolgt dabei außer durch
die Querdiffusion auch durch mikroturbulentes Verhalten. Insbesondere
ist die von einem in den 1 und 2 nicht gezeigten Einlassventil
in der Zuleitung 10 bis zum Suszeptor 3 benötigte Laufzeit
des Gasflusses 50 größer eingestellt
als die für
eine homogene Durchmischung erforderliche Zeit, die durch die Rate
der Querdiffusion und durch das mikroturbulente Verhalten bestimmt ist.
Die Laufzeit wird bestimmt durch die Strömungsgeschwindigkeit des Gases
und diese wiederum durch den Gesamtvolumenstrom (z.B. 50 l/min)
des Gases. Letzterer wird so eingestellt, dass eine möglichst
gute Durchmischung vor Erreichen des Suszeptors 3 erfolgt.
Vorzugsweise ist der Gaseinlass 201 so ausgebildet, dass
die in bekannter Weise ermittelte sogenannte Bodenstein-Zahl, die
ein Maß für die Vermischung
und die Homogenität
innerhalb des Gasflusses 50 im CVD-Reaktor 301 und
insbesondere im Bereich des Suszeptors 3 darstellt, einen
Wert von unter 10, vorzugsweise von unter 5 annimmt. Im Beispiel
mit dem Gaseinlass 201 beträgt die Bodenstein-Zahl 4,5.
-
In den 3 bis 8 sind insgesamt drei weitere
CVD-Reaktoren 302, 303 und 304 mit jeweils
unterschiedlicher Ausführungsform
eines Gaseinlasses 202, 203 bzw. 204 dargestellt.
Alle Gaseinlässe 202, 203 und 204 haben
eine homogenisierende Wirkung auf den Gasfluss 50. In den 3, 5 und 7 sind
die CVD-Reaktoren 302, 303 bzw. 304 in
einem Ausschnitt der Seitenansicht und in den 4, 6 und 8 in der Draufsicht gezeigt.
-
Die Gaseinlässe 202 und 203 haben
insgesamt vier bzw. sechs Eintrittsöffnungen 110, 120, 130, 140, 150 und 160,
an die jeweils eine Zuleitung 11, 12, 13, 14, 15 bzw. 16 angeschlossen
ist. Die Eintrittsöffnungen 110 bis 160 sind
symmetrisch zur Projektion des Suszeptors 3 angeordnet,
d.h., sie sind konzentrisch um das mittige Pyrometerfenster 4 platziert.
Diese symmetrische Verteilung erhöht die Homogenisierung des
Gasflusses 50.
-
Die dritte Variante, also die Variante
des Gaseinlasses 204, weist ebenso wie die des ersten Gaseinlasses 201 nur
eine einzige Zuleitung 10 mit einer einzigen Eintrittsöffnung 100 auf.
Allerdings durchläuft
das Gas zunächst
einen weiteren Diffusor 22, ehe es den ersten Diffusor 21 passiert
und als Gasfluss 50 dem Suszeptor 3 zugeführt wird.
Der zweite Diffusor 22 ist im Ausführungsbeispiel der 7 und 8 als Düsenring mit einer Vielzahl
kleiner Austrittsdüsen 221 ausgebildet.
Der Düsenring
ist wiederum konzentrisch um das Pyrometerfenster 4 und
damit symmetrisch zur Projektion des Suszeptors 3 angeordnet.
Auch diese spezielle Ausgestaltung hat eine besonders vorteilhafte
Wirkung hinsichtlich der Homogenisierung des Gasflusses 50.
-
Die in den 1 bis 8 gezeigten
CVD-Reaktoren 301 bis 304 zeichnen sich dadurch
aus, dass der Gasfluss 50 im We sentlichen parallel über die
zu beschichtende Oberfläche
des Grundkörpers 6 hinwegstreicht.
Dies bedeutet, dass eine Aufnahmefläche 31 des Suszeptors 3,
auf der der zu beschichtende Grundkörper 6 aufliegt oder
befestigt wird, im Wesentlichen parallel zur Richtung des Gasflusses 50 orientiert
ist. Die Oberflächennormale
der Aufnahmefläche 31 bildet
dann in etwa einen 90°-Winkel
mit der Richtung des Gasflusses 50. Wie aus der schematischen
Darstellung von 1 hervorgeht,
ist dieser 90°-Winkel
nicht exakt eingehalten. Vielmehr hat sich eine gewisse Verkippung
der Aufnahmefläche 31 als vorteilhaft
für das
Wachstum der Schicht 61 herausgestellt. Diese Verkippung
bewirkt im Bereich des Suszeptors 3 eine Reduzierung der
vom Gasfluss 50 passierten Querschnittsfläche. Dadurch
wird eine leichte Zunahme der Strömungsgeschwindigkeit erreicht,
was der Verarmung an Reaktanden in der Gasphase entgegenwirkt und
die Wachstumsratenhomogenität
verbessert. Der Neigungswinkel der Verkippung liegt vorzugsweise
zwischen 1° und
2°, im vorliegenden
Beispiel bei 1°36'.
-
Gegenüber diesen vier Ausführungsformen der
CVD-Reaktoren 301 bis 304 gibt es eine weitere Variante,
bei der der Gasfluss 50 nicht im Wesentlichen parallel,
sondern im Wesentlichen senkrecht zur Aufnahmefläche 31 des Suszeptors 3 orientiert ist.
Bei dieser Variante sind die Oberflächennormale der Aufnahmefläche 31 und
die Richtung des Gasflusses 50 im Wesentlichen parallel
zueinander orientiert. Die Ausführungsbeispiele
der 9 und 10 zeigen zwei so ausgestaltete
CVD-Reaktoren 305 bzw. 306.
Beide Varianten haben einen Gaseinlass 205 bzw. 206,
bei dem das Gas über
die (hier beispielhaft einzige) Zuleitung 10 und die Eintrittsöffnung 100 seitlich
in Bezug auf die Richtung des Gasflusses 50 in den Vorraum 24 eingespeist
wird. Innerhalb der Gaseinlässe 205 bzw.
206 ist dann eine Umlenkung der Gasflussrichtung erforderlich. Dies
geschieht bei dem Gaseinlass 205 mittels mindestens einer,
in 9 nur schematisch
dargestellten, Umlenkplatte 25 (= Umlenkblende). Eine solche
Umlenkplatte 25 ist jedoch nicht unbedingt erforderlich,
da auch über die
bloße um
90° versetzte
Anordnung von Eintrittsöffnung 100 und
den Austrittsöffnungen
des ersten Diffusors 21 automatisch eine Gasumlenkung erfolgt. Aus
diesem Grund ist im Gaseinlass 206 keine derartige Umlenkplatte 25 vorgesehen.
Andererseits enthält
der Gaseinlass 206 neben dem ersten Diffusor 21,
der den Gaseinlass 206 vom Reaktionsraum 30 trennt,
beispielhaft zwei weitere Diffusoren 23 und 23a.
-
Sowohl durch die Umlenkung als auch
durch die zusätzlich
vorgesehenen Diffusoren 23 und 23a wird bei den
Gaseinlässen 205 bzw.
206 eine Homogenisierung des Gasflusses 50 erreicht.
-
Durch die Umlenkung des Gasstroms
wird insbesondere eine gleichmäßige Beaufschlagung des
ersten Diffusors 21 erreicht. Die Umlenkung kann dabei
entweder durch geeignete mechanische Vorrichtungen, wie z.B. die
Umlenkplatte 25, oder auch durch eine geometrisch geeignete
Anordnung des Gaseintritts und des Gasaustritts in bzw. aus dem Gaseinlass 205 bzw. 206 erreicht
werden.
-
Vorzugsweise lässt sich mittels der CVD-Reaktoren 301 bis 306 und
insbesondere mittels deren Gaseinlässe 201 bis 206 eine
besonders homogene SiC-Beschichtung auf einem Grundkörper 6 erzielen. Der
Grundkörper 6 liegt
dann insbesondere in Form eines SiC-Wafers vor, der nach der epitaktischen
Beschichtung zur Herstellung eines Halbleiter-Bauelements verwendet
wird. In diesem Zusammenhang kommt es auf eine homogene epitaktische
Schicht 61 auf dem SiC-Wafer 6 an. Die gezeigten
Gaseinlässe 201 bis 206 ermöglichen
gerade ein solches vorteilhaftes Aufwachsen einer SiC-Schicht 61.
Dadurch kann bei der nachfolgenden Fertigung der Halbleiter-Bauelemente
die Ausbeute erheblich gesteigert werden. Gleichfalls ist eine erhebliche
Reduzierung der Toleranzen zwischen den Halbleiter-Bauelementen einer
Charge möglich.