DE10296813B4

DE10296813B4 - Integrierte optische Strukturen mit elektrisch leitfähigen Teilen

Info

Publication number: DE10296813B4
Application number: DE10296813.6T
Authority: DE
Inventors: Norbert Colombet
Original assignee: Commissariat a lEnergie Atomique CEA
Current assignee: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA
Priority date: 2001-05-15
Filing date: 2002-05-14
Publication date: 2018-06-14
Anticipated expiration: 2022-05-15
Also published as: FR2824920A1; US20040232521A1; DE10296813T5; US7304776B2; FR2824920B1; AU2002304471A1; WO2002093199A3; WO2002093199A2

Abstract

Integrierte optische Struktur mit einer Mehrzahl von Teilen aus wenigstens einem dielektrischen Material, die nach Integrationsebenen gestapelt sind und wenigstens einen optischen Mikroleiter (9, 205) bestimmen, und mit wenigstens einem integrierten leitfähigen Teil (15, 120, 121, 206) aus einem elektrisch leitfähigen Material, der zwischen wenigstens zwei der genannten dielektrischen Teile zwischengefügt oder eingesetzt ist, und mit wenigstens einem Anschlussteil aus einem elektrisch leitfähigen Material, das mit dem genannten integrierten leitfähigen Teil (15, 120, 121, 206) verbunden und im Hinblick auf wenigstens einen äußeren elektrischen Anschluss dieses integrierten leitfähigen Teils (15, 120, 121, 206) von außerhalb der dielektrischen Teile zugänglich ist,wobei sie wenigstens zwei Gruppen von elektrisch leitfähigen Zonen (116; 117) aufweist, die entlang einer Integrationsebene ausgebildet sind,wobei wenigstens ein elektrisch leitfähiger Teil (121) wenigstens einen Hauptteil (124) umfasst, der sich in einer von der Integrationsebene der genannten Gruppe verschiedenen Integrationsebene erstreckt und wenigstens eine leitfähige Zone (116) der einen der genannten Gruppen kreuzt, sowie sekundäre Teile (125), die sich senkrecht zu den Integrationsflächen erstrecken und den genannten Hauptteil (124) und die leitfähigen Zonen (117) der anderen Gruppe verbinden,wobei wenigstens eine der genannten oberen leitfähigen Zonen (116; 117) wenigstens einen Teil (114; 115) aufweist, der eine Elektrode bildet,wobei die Struktur ein bewegliches Organ (107) aufweist, das mit wenigstens einer Elektrode ausgestattet ist, die dem eine Elektrode bildenden Teil (114; 115) mit Abstand gegenüberliegt und elektrisch mit ihm verbunden ist, so dass ein optischer Schalter (106) gebildet wird,wobei wenigstens ein integrierter leitfähiger Teil (206) wenigstens einen integrierten Hauptteil (207) umfasst, der einen elektrischen Widerstand bildet, der sich entlang und in der Nähe eines Teils eines integrierten Mikroleiters (205) erstreckt, sowie sekundäre Teile (208, 209), die im Hinblick auf einen äußeren elektrischen Anschluss dieses Hauptteils von außen zugänglich sind, undwobei der elektrische Widerstand ein elektrischer Heizwiderstand ist.

Description

Die vorliegende Erfindung betrifft das Gebiet der integrierten optischen Strukturen.
Im allgemeinen umfaßt eine integrierte optische Struktur eine Vielzahl von Teilen aus dielektrischen Materialien, die entsprechend den Integrationsebenen gestapelt sind und integrierte optische Mikroleiter für die Übertragung, Umwandlung oder Bearbeitung von Lichtwellen bilden.
Gewisse integrierte optische Strukturen besitzen außerdem metallische Oberflächenzonen, die über Metalldrähte, die Drahtbrücken bilden, mit einer elektrischen Steuer- oder Speisequelle verbunden sind. Dies ist insbesondere der Fall bei integrierten optischen Strukturen, die Schalter umfassen, welche aus Kämmen bestehen, die sich in einen Hohlraum erstrecken und Zähne aufweisen, die entlang fester Flächen und im Abstand von diesen verlaufen, wobei diese metallischen Zonen sich an den Seitenflächen der Zähne und den festen Flächen verlängern, so daß sie Bewegungselektroden der Kämme bilden.
Solche Anordnungen haben hauptsächlich die folgenden Nachteile: Die Arbeiten zum Montieren der elektrischen Verbindungsdrähte sind langwierig, schwierig und müssen präzise ausgeführt werden. Diese elektrischen Verbindungsdrähte ragen aus der Oberfläche der optischen Strukturen hervor, so daß Berührungsgefahr besteht.
Aus der WO 99/ 45 416 A2 , der US 5 612 815 A , der WO 00/ 57 221 A1 und der EP 0 709 711 A1 sind bereits verschiedene Anordnungen mit optischen Strukturen bzw. integrierten optischen Strukturen bekannt.
Die vorliegende Erfindung hat sich das Ziel gesetzt, die integrierten optischen Strukturen so zu vervollkommnen, daß die elektrischen Verbindungen von funktionellen Teilen dieser Strukturen, die eine Speisung mit elektrischer Energie erfordern, vereinfacht und verbessert werden.
Die integrierte optische Struktur gemäß der Erfindung weist eine Mehrzahl von Teilen aus wenigstens einem dielektrischen Material auf, die nach Integrationsebenen gestapelt sind und wenigstens einen optischen Mikroleiter (9, 205) bestimmen.
Diese Struktur weist erfindungsgemäß außerdem wenigstens einen integrierten leitfähigen Teil (15, 120, 121, 206) aus einem elektrisch leitfähigen Material auf, der zwischen wenigstens zwei der genannten dielektrischen Teile zwischengefügt oder eingesetzt ist, sowie wenigstens einen Anschlußteil aus einem elektrisch leitfähigen Material, der im Hinblick auf wenigstens einen äußeren elektrischen Anschluß dieses integrierten leitfähigen Teils (15, 120, 121, 206) von außerhalb der dielektrischen Teile zugänglich ist.
Die integrierte Struktur gemäß der Erfindung umfaßt wenigstens zwei Gruppen von elektrisch leitfähigen Zonen (116; 117), die entlang einer Integrationsebene ausgebildet sind.
Erfindungsgemäß umfaßt wenigstens ein elektrisch leitfähiger Teil (121) wenigstens einen Hauptteil (124), der sich in einer von der Integrationsebene der genannten Gruppen verschiedenen Integrationsebene erstreckt und wenigstens eine leitfähige Zone (116) der einen der genannten Gruppen kreuzt, sowie sekundäre Teile (125), die sich senkrecht zu den Integrationsflächen erstrecken und den genannten Hauptteil (124) und die leitfähigen Zonen (117) der anderen Gruppe verbinden.
Erfindungsgemäß weist wenigstens eine der genannten oberen leitfähigen Zonen (116; 117) wenigstens einen Teil (114; 115) auf, der eine Elektrode bildet.
Die integrierte Struktur gemäß der Erfindung weist ein bewegliches Organ (107) auf, das mit wenigstens einer Elektrode ausgestattet ist, die dem eine Elektrode bildenden Teil (114; 115) mit Abstand gegenüberliegt und elektrisch mit ihm verbunden ist, so dass ein optischer Schalter (106) gebildet wird.
Erfindungsgemäß umfasst wenigstens ein integrierter leitfähiger Teil (206) wenigstens einen integrierten Hauptteil (207), der einen elektrischen Widerstand bildet, der sich entlang und in der Nähe eines Teils eines integrierten Mikroleiters (205) erstreckt, sowie sekundäre Teile (208; 209), die für einen äußeren elektrischen Anschluss dieses Hauptteils von außen zugänglich sind.
Erfindungsgemäß ist der genannte elektrische Widerstand ein elektrischer Heizwiderstand.
Gemäß der Erfindung können vorteilhafterweise wenigstens zwei integrierte leitfähige Teile (120; 121) jeweils wenigstens einen Hauptteil (122; 124) umfassen, der sich entlang wenigstens einer Integrationsebene erstreckt, sowie sekundäre Teile (123; 125), die jeweils ihre Hauptteile (122; 124) und die metallischen Zonen (116; 117) der genannten Gruppen verbinden.
Gemäß der Erfindung kann das bewegliche Organ (107) wenigstens einen optischen Mikroleiter tragen.
Gemäß der Erfindung weist wenigstens ein integrierter leitfähiger Teil (15) vorzugsweise wenigstens einen Hauptteil (5) auf, der sich entlang einer Integrationsebene erstreckt, sowie an wenigstens einer Stelle dieses Hauptteils einen sekundären Teil (11a), der senkrecht zu den Integrationsflächen verläuft und wenigstens einen dieser Stelle benachbarten dielektrischen Teil durchdringt.
Gemäß der Erfindung bildet wenigstens ein sekundärer Teil (11a) vorzugsweise ein äußeres elektrisches Anschlußteil.
Gemäß der Erfindung umfassen wenigstens zwei integrierte leitfähige Teile (15; 16) vorzugsweise Hauptteile (5; 8), die sich entlang verschiedener Integrationsebenen erstrecken.
Gemäß der Erfindung umfassen die integrierten leitfähigen Teile vorzugsweise Hauptteile, die sich an einer Stelle kreuzen, sowie wenigstens einen sekundären Teil, der sich senkrecht zu den Integrationsflächen erstreckt und den oder die dielektrischen Teile, die diese Hauptteile trennen, an dieser Stelle durchdringt, so daß er letztere verbindet.
Integrierte optische Strukturen, die anhand der Zeichnungen als Beispiele beschrieben werden, auf die die Erfindung nicht beschränkt ist, sollen das Verständnis der vorliegenden Erfindung weiter vertiefen.

1 bis 6 zeigen eine Schnittansicht einer integrierten optischen Struktur gemäß der Erfindung in ihren aufeinanderfolgenden Fabrikationsstufen,
7 zeigt eine andere integrierte optische Struktur gemäß der Erfindung in einer Ansicht von oben,
8 zeigt einen Transversalschnitt entsprechend der Linie VIII-VIII der integrierten optischen Struktur von 7,
9 zeigt einen Transversalschnitt entsprechend der Linie IX-IX der integrierten optischen Struktur von 7,
10 zeigt einen Transversalschnitt entsprechend der Linie X-X der integrierten optischen Struktur von 7,
11 zeigt einen Transversalschnitt einer anderen integrierten optischen Struktur gemäß der Erfindung,
12 zeigt einen Horizontalschnitt entsprechend der Linie XII-XII der integrierten optischen Struktur von 11,
13 zeigt eine Schnittansicht einer Realisierungsvariante der integrierten optischen Struktur von 1 bis 6.

Es sei nun auf 1 Bezug genommen, in der eine integrierte optische Struktur im Verlauf ihrer Herstellung dargestellt ist, die ein Trägerplättchen 2, z.B. aus Silizium, aufweist. Auf einer seiner Flächen ist eine Schicht 3 aus einem dielektrischen oder elektrisch nichtleitenden Material, z.B. aus nichtdotiertem Siliziumdioxid, abgelagert.
Man geht dann über zur Ablagerung einer Schicht 4 aus elektrisch leitfähigem Material, z.B. aus polykristallinem Silizium, Titan, Titannitrid oder Wolfram. Dann erzeugt man durch ein Photolithographie- und Gravierverfahren in Abhängigkeit von vorbestimmten Erfordernissen eine oder mehrere leitfähige Bahnen oder Zonen 5, indem man das Material der Schicht außerhalb dieser Zonen 5 beseitigt.
In 2 ist erkennbar, daß man anschließend zur Ablagerung einer Schicht 6 aus einem dielektrischen oder elektrisch nichtleitendem Material, z.B. aus nichtdotiertem Siliziumoxid, Siliziumnitrid oder Siliziumoxidnitrid übergeht. Diese Schicht 6 ist so beschaffen, daß die zuvor hergestellten leitfähigen Bahnen oder Zonen 5 abgedeckt werden.
Nach einer eventuellen Planarisierung der Oberfläche der Schicht 6 geht man über zur Ablagerung einer Schicht 7 aus einem elektrisch leitfähigen Material, z.B. aus polykristallinem Silizium, Titan, Titannitrid oder Wolfram.
Durch ein Photolithographie- und Gravierverfahren werden dann eine oder mehrere leitfähige Bahnen oder Zonen 8 hergestellt, indem außerhalb dieser Zonen 8 das Material der Schicht 7 entfernt wird.
Aus 3 ist erkennbar, daß anschließend durch ein Photolithographie- und Gravierverfahren in der dielektrischen Schicht 6 ein Kern 9a zur Übertragung optischer Wellen mit quadratischem oder rechteckigem Querschnitt ausgebildet wird, indem zu beiden Seiten dieses Kerns Material der Schicht 6 entfernt wird, wobei diese Operation in der Weise durchgeführt wird, daß der Übertragungskern 9a ein vorbestimmtes Muster oder einen vorbestimmten Verlauf darstellt.
Bei der Konzeption der optischen Struktur 1 geht man vorzugsweise so vor, daß die leitfähigen Bahnen oder Zonen 5 und 8 seitlich und im Abstand von dem herzustellenden Übertragungskern 9a liegen.
Aus 4 geht hervor, daß man anschließend eine Schicht 10 aus einem dielektrischen oder elektrisch nichtleitendem Material, z.B. aus nichtdotiertem Siliziumdioxid, ablagert. Diese Schicht 10 füllt die Zwischenräume aus, die zu beiden Seiten des in der Schicht 6 ausgebildeten Übertragungskerns 9a freigesetzt wurden, und bedeckt die leitfähigen Zonen oder Bahnen 8.
Dies hat zur Folge, daß der Übertragungskern 9a und die ihn umgebenden Schichten 3 und 10 einen integrierten optischen Mikroleiter 9 bilden.
Anhand der Darstellung in 5 erkennt man, daß anschließend, z.B. durch ein Litographie- und Gravierverfahren Löcher oder Bohrungen 11 hergestellt werden, die die dielektrischen Schichten 6 und 10 durchdringen und an Stellen münden, die über den leitfähigen Bahnen oder Zonen 5 liegen, sowie Löcher oder Bohrungen 12, die die Schicht 10 durchdringen und an Stellen münden, die über den leitfähigen Zonen oder Bahnen 8 liegen.
Aus der Darstellung in 6 geht hervor, daß schließlich eine Schicht 13 aus einem elektrisch leitfähigen Material, z.B. aus polykristallinem Silizium, Titan, Titannitrid, Wolfram oder Aluminium, abgelagert wird, wobei dieses Material die Löcher oder Bohrungen 11 und 12 ausfüllt, so daß sie Verbindungs-Vias (Durchkontaktierungen) 11a und 12a bilden.
Dann stellt man durch ein Photolithographie- und Gravierverfahren obere leitfähige Zonen 14 her, indem man das Material der Schicht 13 außerhalb dieser Zonen entfernt, wobei diese leitfähigen Zonen über wenigstens eines der zuvor hergestellten und von den Durchkontaktierungen 11a und 12a ausgefüllten Löcher oder Bohrungen 11 und 12 verlaufen.
Aus dem vorangehenden Ausführungen folgt, daß die integrierte optische Struktur 1, wie sie definitiv in 6 dargestellt ist, integrierte elektrisch leitfähige Teile 15 umfaßt, die leitfähige Bahnen oder Zonen 5, die auf der unter dem Übertragungskern 9a liegenden Integrationsebene ausgebildet sind, bzw. sekundäre Teile enthalten, die aus den Durchkontaktierungen 11a bestehen, die senkrecht zu dieser Integrationsebene ausgebildet sind, sowie integrierte elektrisch leitfähige Teile 16, die aus Hauptteilen bestehen, die leitfähige Bahnen oder Zonen 8 enthalten, die auf der unter der oberen Schicht 10 liegenden Integrationsebene ausgebildet sind, bzw. sekundäre Teile, die aus den senkrecht zu dieser Integrationsebene ausgebildeten Durchkontaktierungen 12a bestehen.
Die Durchkontaktierungen 11a und 12a sind von außerhalb der Struktur 1 zugänglich, wobei die oberen leitfähigen Zonen die äußeren elektrischen Anschlüsse der integrierten leitfähigen Teile 15 und 16 erleichtern sollen und/oder in Abhängigkeit von vorbestimmten Erfordernissen selektive elektrische Zwischenverbindungen zwischen diesen integrierten leitfähigen Teilen herstellen sollen.
Bei dem in 6 dargestellten Beispiel ist die integrierte optische Struktur 1 so beschaffen, daß die integrierten leitfähigen Teile 15 und 16 in ausreichendem Abstand von dem Übertragungskern 9a des optischen Mikroleiters 9 angeordnet sind, so daß sie die Ausbreitung der optischen Welle in dem Übertragungskern 9a nicht stören.
Gemäß einer Ausführungsvariante könnten die leitfähigen Zonen oder Bahnen 5 und 7 in aus den dielektrischen Schichten 3 und 6 herausgearbeiteten Gräben nach einem mechanisch-chemischen Polieren der diese Gräben ausfüllenden leitfähigen Schichten 4 und 7 ausgebildet sein.
Es sei nun auf 7 bis 10 Bezug genommen, anhand derer eine integrierte optische Struktur 100 beschrieben wird, bei der die anhand von 1 bis 6 beschriebenen Anordnungen in spezieller Weise angewendet werden.
Wie bei dem vorhergehenden Beispiel umfaßt die optische Struktur 100 ein Trägerplättchen 101, das dem Trägerplättchen 2 entspricht, und drei aufeinanderfolgende Schichten 102, 103 und 104, die den Schichten 3, 6 und 10 entsprechen.
Die Struktur 100 weist einen durch die Schichten 102, 103 und 104 und in dem Trägerplättchen 101 herausgearbeiteten Hohlraum 105 auf, der zwei parallele Wände 105a und 105b, eine endseitige Wand 105c und einen Boden 105d besitzt.
Der Hohlraum 105 ist so ausgebildet, daß er einen Schalter 106 darstellt, der ein bewegliches Organ 107 umfaßt, das unten freigestellt ist und einen parallel zu den Wänden 105a und 105b verlaufenden Hauptzweig 108 und, zu beiden Seiten dieses Hauptzweigs 108, voneinander beabstandete, sekundäre Querzweige 109 und 110 sowie feste Teile 111 und 112 besitzt, die aus den Wänden 105a und 105b hervorstehen und deren Flanken oder Seitenflächen parallel und im Abstand von den Flanken oder Seitenflächen der Sekundärzweige 109 des beweglichen Organs 107 verlaufen.
Die Oberseite des beweglichen Organs 107 und die Flanken oder Seitenflächen seiner Sekundärzweige 109 und 110 sind mit einer Schicht 113 aus einem elektrisch leitfähigen Material bedeckt, so daß sie Elektroden bilden.
Die entgegengesetzten Flanken oder Seitenflächen der festen Teile 111 und 112 und die Oberseite dieser hervorstehenden Teile 111 und 112 sind jeweils mit Schichten 114 und 115 aus einem elektrisch leitfähigen Material versehen, die gegeneinander isoliert sind, so daß sie unabhängige Elektroden bilden. Diese Schichten 114 und 115 verlängern sich jenseits der vorstehenden Teile 111 und 112 auf der Oberseite der Schicht 104, so daß sie unabhängige obere, elektrisch leitfähige Zonen 116 und 117 bilden.
Die Oberseite der Schicht 104 trägt außerdem Ablagerungen aus einem leitfähigen Material 118 und 119, die im Abstand von der endseitigen Wand 105c des Hohlraums 105 verlaufen.
Zu beiden Seiten und im Abstand von dem Hohlraum 105 besitzt die optische Struktur 100 integrierte leitfähige Teile 120 und 121, die den integrierten leitfähigen Teilen 15 und 16 des anhand von 6 beschriebenen Beispiels entsprechen.
Die integrierten leitfähigen Teile 120 umfassen, wie in 9 dargestellt, Hauptteile oder integrierte Bahnen 122 sowie Durchkontaktierungen 123, die unter den oberen leitfähigen Zonen 116 bzw. der oberen leitfähigen Zone 118 ausgebildet sind. Auf diese Weise sind alle entsprechenden Elektroden 114 elektrisch miteinander verbunden.
Desgleichen umfassen die integrierten leitfähigen Teile 121, wie in 10 dargestellt, Hauptteile oder integrierte Bahnen 124 und Durchkontaktierungen 125, die unter den oberen leitfähigen Zonen 116 bzw. der oberen leitfähigen Zone 118 ausgebildet sind. Auf diese Weise sind alle entsprechenden Elektroden 115 elektrisch miteinander verbunden.
Es ist dann möglich, den Elektrodensatz 114 und den Elektrodensatz 115 mit nur zwei elektrischen Leiterdrähten 126 und 127, die an die eine der oberen leitfähigen Zonen 116 und 117 bzw. an die oberen leitfähigen Zonen 118 und 119 angeschweißt sind, mit einer elektrischen Energiequelle zu verbinden.
Indem man die Elektroden 113 des beweglichen Organs 107 über nicht dargestellte elektrische Anschlußmittel, wie einen elektrischen Leiterdraht, mit elektrischer Energie speist und die Elektroden 113 über die elektrischen Leiterdrähte 127 und 128 selektiv mit elektrischer Energie speist, kann man das bewegliche Organ 107 des Schalters 106 parallel zu seinem Hauptzweig 108 in der einen oder anderen Richtung bewegen.
In einem Beispiel kann das bewegliche Organ 107 des Schalters 106 mit einem Träger oder einer Plattform zur optischen Umschaltung verbunden sein, der bzw. die einen oder mehrere optische Mikroleiter trägt, wie sie in den Patenten FR-A-90 03 902 und FR-A-95 00 201 beschrieben sind.
In 11 und 12 ist eine integrierte optische Struktur 200 dargestellt, die ein Mach-Zehnder-Interferrometer 201 aufweist, das aus einem Eingangsmikroleiter 202, einem Ausgangsmikroleiter 203 und zwei Mikroleitern 204 und 205 besteht, die die Mikroleiter 201 und 203 parallel verbinden.
Die optische Struktur 200 besitzt außerdem einen elektrisch leitfähigen integrierten Teil 206, der so ausgebildet ist wie der anhand von 6 beschriebene integrierte leitfähige Teil 15.
Dieser integrierte leitfähige Teil 206 besteht aus einem Hauptteil 207, der in der Integrationsebene der vorerwähnten optischen Mikroleiter ausgebildet ist und entlang des und in geringem Abstand von dem optischen Mikroleiter 205 verläuft, und aus zwei Durchkontaktierungen 208 und 209, die die elektrische Verbindung der Enden des leitfähigen Hauptteils 207 mit einer externen elektrischen Energiequelle ermöglichen.
Der Hauptteil 207 des integrierten leitfähigen Teils 206 kann dann einen elektrischen Heizwiderstand bilden, der durch Wärmeleitung die Temperatur des optischen Mikroleiters 205 in der Weise variieren kann, daß das Mach-Zehnder-Interferrometer 201 einen optischen Umschalter, ein optisches Dämpfungsglied oder einen optischen Unterbrecher bilden kann.
Nach einer anderen Ausführungsform könnte der Hauptteil 207 des integrierten leitfähigen Teils 206 zur Messung der Umgebungstemperatur der Struktur benutzt werden.
13 zeigt eine integrierte optische Struktur 300, die sich von der anhand von 1 bis 6 beschriebenen integrierten optischen Struktur 1 darin unterscheidet, daß man vor der Ablagerung der leitfähigen Schicht 7 auf der dielektrischen Schicht 6 in dieser dielektrischen Schicht 6 über wenigstens einer leitfähigen Bahn oder Zone 5 wenigstens ein Loch 101 ausbildet.
Beim Ablagern der leitfähigen Schicht 7 füllt das Material, aus dem sie besteht, das Loch 301 aus und bildet eine Durchkontaktierung 301a.
In dem Schritt, in dem die leitfähige Schicht 7 graviert wird, wird über dem Loch 301 eine Bahn oder Zone 8 ausgebildet und elektrisch mit der Bahn oder Zone 5 verbunden, die unter dem Verbindungsweg 301a liegt.
Auf diese Weise kann man elektrische Verbindungen zwischen den Ebenen herstellen.
Die vorliegende Erfindung ist nicht auf die oben beschriebenen Beispiele beschränkt. Es sind vielmehr Realisierungsvarianten möglich, ohne daß damit der durch die anliegenden Ansprüche definierte Rahmen verlassen wird.

Claims

Integrierte optische Struktur mit einer Mehrzahl von Teilen aus wenigstens einem dielektrischen Material, die nach Integrationsebenen gestapelt sind und wenigstens einen optischen Mikroleiter (9, 205) bestimmen, und mit wenigstens einem integrierten leitfähigen Teil (15, 120, 121, 206) aus einem elektrisch leitfähigen Material, der zwischen wenigstens zwei der genannten dielektrischen Teile zwischengefügt oder eingesetzt ist, und mit wenigstens einem Anschlussteil aus einem elektrisch leitfähigen Material, das mit dem genannten integrierten leitfähigen Teil (15, 120, 121, 206) verbunden und im Hinblick auf wenigstens einen äußeren elektrischen Anschluss dieses integrierten leitfähigen Teils (15, 120, 121, 206) von außerhalb der dielektrischen Teile zugänglich ist, wobei sie wenigstens zwei Gruppen von elektrisch leitfähigen Zonen (116; 117) aufweist, die entlang einer Integrationsebene ausgebildet sind, wobei wenigstens ein elektrisch leitfähiger Teil (121) wenigstens einen Hauptteil (124) umfasst, der sich in einer von der Integrationsebene der genannten Gruppe verschiedenen Integrationsebene erstreckt und wenigstens eine leitfähige Zone (116) der einen der genannten Gruppen kreuzt, sowie sekundäre Teile (125), die sich senkrecht zu den Integrationsflächen erstrecken und den genannten Hauptteil (124) und die leitfähigen Zonen (117) der anderen Gruppe verbinden, wobei wenigstens eine der genannten oberen leitfähigen Zonen (116; 117) wenigstens einen Teil (114; 115) aufweist, der eine Elektrode bildet, wobei die Struktur ein bewegliches Organ (107) aufweist, das mit wenigstens einer Elektrode ausgestattet ist, die dem eine Elektrode bildenden Teil (114; 115) mit Abstand gegenüberliegt und elektrisch mit ihm verbunden ist, so dass ein optischer Schalter (106) gebildet wird, wobei wenigstens ein integrierter leitfähiger Teil (206) wenigstens einen integrierten Hauptteil (207) umfasst, der einen elektrischen Widerstand bildet, der sich entlang und in der Nähe eines Teils eines integrierten Mikroleiters (205) erstreckt, sowie sekundäre Teile (208, 209), die im Hinblick auf einen äußeren elektrischen Anschluss dieses Hauptteils von außen zugänglich sind, und wobei der elektrische Widerstand ein elektrischer Heizwiderstand ist.
Struktur nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass wenigstens zwei integrierte leitfähige Teile (120; 121) jeweils wenigstens einen Hauptteil (122; 124) umfassen, der sich entlang einer Integrationsebene erstreckt, sowie sekundäre Teile (123, 125), die jeweils ihre Hauptteile (122, 124) und die metallischen Zonen (116; 117) der genannten Gruppen verbinden.
Struktur nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass das bewegliche Organ (107) wenigstens einen optischen Mikroleiter trägt.
Struktur nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass wenigstens ein integrierter leitfähiger Teil (15) wenigstens einen Hauptteil (5) aufweist, der sich entlang einer Integrationsebene erstreckt, und an wenigstens einer Stelle dieses Hauptteils einen sekundären Teil (11a), der senkrecht zu den Integrationsflächen verläuft und wenigstens einen dieser Stelle benachbarten dielektrischen Teil durchdringt.
Struktur nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass wenigstens ein sekundärer Teil (11a) ein äußeres elektrisches Anschlussteil bildet.
Struktur nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass wenigstens zwei integrierte leitfähige Teile (15; 16) Hauptteile (5; 8) umfassen, die sich entlang verschiedener Integrationsebenen erstrecken.
Struktur nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, dass die genannten integrierten, elektrisch leitfähigen Teile Hauptteile umfassen, die sich an einer Stelle kreuzen, sowie wenigstens einen sekundären Teil, der sich senkrecht zu den Integrationsflächen erstreckt und den oder die dielektrischen Teile, die diese Hauptteile trennen, an dieser Stelle durchdringt, so dass er letztere verbindet.