DE10253126A1 - Dünnschichtmaske und Verfahren zu deren Herstellung - Google Patents

Dünnschichtmaske und Verfahren zu deren Herstellung Download PDF

Info

Publication number
DE10253126A1
DE10253126A1 DE10253126A DE10253126A DE10253126A1 DE 10253126 A1 DE10253126 A1 DE 10253126A1 DE 10253126 A DE10253126 A DE 10253126A DE 10253126 A DE10253126 A DE 10253126A DE 10253126 A1 DE10253126 A1 DE 10253126A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
layer
substrate
film mask
thin
cvd
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
DE10253126A
Other languages
English (en)
Inventor
Holger Dipl.-Ing. Lüthje
Saskia Dipl.-Ing. Biehl
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fraunhofer Gesellschaft zur Forderung der Angewandten Forschung eV
Original Assignee
Fraunhofer Gesellschaft zur Forderung der Angewandten Forschung eV
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Fraunhofer Gesellschaft zur Forderung der Angewandten Forschung eV filed Critical Fraunhofer Gesellschaft zur Forderung der Angewandten Forschung eV
Priority to DE10253126A priority Critical patent/DE10253126A1/de
Publication of DE10253126A1 publication Critical patent/DE10253126A1/de
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02109—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
    • H01L21/02112—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer
    • H01L21/02123—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing silicon
    • H01L21/02126—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing silicon the material containing Si, O, and at least one of H, N, C, F, or other non-metal elements, e.g. SiOC, SiOC:H or SiONC
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02109—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
    • H01L21/02205—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates the layer being characterised by the precursor material for deposition
    • H01L21/02208—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates the layer being characterised by the precursor material for deposition the precursor containing a compound comprising Si
    • H01L21/02211—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates the layer being characterised by the precursor material for deposition the precursor containing a compound comprising Si the compound being a silane, e.g. disilane, methylsilane or chlorosilane
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02225—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer
    • H01L21/0226—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process
    • H01L21/02263—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase
    • H01L21/02271—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase deposition by decomposition or reaction of gaseous or vapour phase compounds, i.e. chemical vapour deposition
    • H01L21/02274—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase deposition by decomposition or reaction of gaseous or vapour phase compounds, i.e. chemical vapour deposition in the presence of a plasma [PECVD]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
    • H01L21/3105—After-treatment

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

Die Erfindung betrifft eine Dünnschichtmaske, die aus einem durch elektromagnetische Strahlung oder Korpuskularstrahlung entfernbaren Material hergestellt ist und für die Bildung von Strukturen, insbesondere Mikrostrukturen an der Oberfläche eines Substrats (1), vorgesehen ist. Die Maske ist durch selektive Bestrahlung einer durch ein CVD-Verfahren oder PVD-Verfahren auf das Substrat aufgebrachten Schicht (4) gebildet. Die Schicht zeichnet sich durch eine gleichmäßige Dicke auch auf einer ausgeprägten dreidimensionalen Konfiguration und der Substratoberfläche aus. Eine besonders geeignete Schicht wird erhalten, wenn sie durch ein Plasma-CVD-Verfahren aufgebracht ist.

Description

  • Die Erfindung betrifft eine Dünnschichtmaske nach dem Oberbegriff des Anspruchs 1 sowie ein Verfahren nach dem Oberbegriff des Anspruchs 6.
  • Die Herstellung von Strukturen mit Hilfe von fotolithographischen Methoden ist sehr verbreitet. Die Anwendungen beschränken sich auf die bekannten Gebiete der Schaltungstechnik, Mikroelektronik, Nanotechnologie und Mikrosystemtechnik.
  • Diese Verfahren arbeiten mit strahlungssensiblen Lacken (Resists). Hierbei wird das gewünschte Muster unter Anwendung von projizierenden oder kontaktierenden Verfahren mit Hilfe von Fotomasken (Chrommasken) in den Fotoresist belichtet. Andere Verfahren arbeiten mittels fokussiertes Korpuskularstrahlen, wie Elektronen- oder Ionenstrahlen. Die Maske aus einem Fotoresist dient in einem nachfolgenden Prozess wie Ätzen, Beschichten oder Dotieren zur Herstellung von Schicht- und Oberflächenstrukturen.
  • Fotolithographische Verfahren besitzen ein hohes Auflösungsvermögen und werden zur Herstellung von Mikro- und Nanostrukturen standardmäßig eingesetzt. Dabei arbeiten die bekannten Verfahren mit ebenen Masken und Substraten, um auf diese Weise bei Kontakt- oder Proximity-Verfahren die Anforderungen an einen minimalen Masken-Substratabstand zu erfüllen oder bei projizierenden Verfahren der nur geringen Tiefenschärfe Rechnung tragen zu können.
  • Es wird auch bei den bekannten fotolithografischen Verfahren häufig von dreidimensionalen Strukturen oder Substraten gesprochen. Dabei beschränkt sich dieser Begriff jedoch nur auf Höhenangaben bis zu wenigen Mikrometern. Für diesen Tiefenbereich sind fotolithografische Verfahren und Belackungstechniken bekannt. Solche Strukturhöhen entstehen beispielsweise bei der Herstellung mehrlagiger Schaltungen oder Funktionsebenen. In den genannten Bereichen werden zur Sicherstellung der erforderlichen Maskendicke und der Dickentoleranz planarisierende Verfahren eingesetzt. So wird eine z. B. 10 μm hohe Leiterbahn mit einem Lack eingebettet. Die damit geschaffene ebene Oberfläche dient dann zur Aufnahme der Fotolackschicht und zur Durchführung der Belichtung. Hier sind unterschiedliche Verfahren bekannt, beispielsweise auch die sogenannte Tiefenlithografie, bei der eine relativ dicke Lackschicht (10 bis ca. 200 μm) verwendet wird, die ihrerseits eine ebene Oberfläche ermöglicht. Tiefenlithografisch hergestellte Strukturen werden vorwiegend bei additiven Strukturen eingesetzt, die mittels galvanischer Abformverfahren er zeugt werden. In der Literatur werden Strukturierungen in diesem Tiefenbereich als dreidimensionale Strukturen bezeichnet.
  • Bei den genannten Belichtungsverfahren und bei Laser-Direktstrukturierungs-Verfahren (Laserablation) besteht eine essentielle Forderung darin, dass eine in der Dicke homogene Lackschicht über die zum Teil sehr großen Substratflächen vorliegen muss, denn nur so können bei konstanter Belichtungsdosis eng tolerierte Strukturen hergestellt werden. Die Belackung erfolgt üblicherweise durch Anwendung von Schleuderverfahren. In speziellen Fällen werden auch Sprühbelackungen, Tauchbelackungen und Rollenauftragsverfahren eingesetzt (z. B. Druckzylinder).
  • Diese Beschichtungsverfahren haben jedoch den Nachteil, dass sich im Randbereich der Substrate sowie an Kanten, Vertiefungen und anderen typographischen Formgebungen lokale Änderungen der Lackdicke einstellen, die bei konkaven Formen Verstärkungen der Lackdicke (Lackwulst) und bei konvexen Formen Verringerungen der Lackdicke darstellen. Schneidkanten von Werkzeugen werden beispielsweise mit einer erheblich reduzierten Lackdicke belegt, so dass der nachfolgende Ätzprozess zu einer Zerstörung der Muster führen kann.
    •
  • Es ist daher die Aufgabe der vorliegenden Erfindung, eine aus durch elektromagnetische Strahlung oder Korpuskularstrahlung entfernbarem Material hergestellte Dünnschichtmaske für die Herstellung von Strukturen an der Oberfläche eines Substrats sowie ein Verfahren zur Herstellung einer Dünnschichtmaske für die Bildung von Mikrostrukturen an der Oberfläche eines Substrats, bei dem eine auf dem Substrat aufgebrachte Schicht selektiv bestrahlt und in den bestrahlten Bereichen abgetragen wird, anzugeben, mit denen es möglich ist, auch bei Substraten mit ausgeprägten dreidimensionalen Formgebungen und Tiefenprofilen eine sich über die gesamte zu bestrahlende Oberfläche des Substrats erstreckende Maske mit konstanter Dicke zu erhalten.
  • Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß gelöst durch eine Dünnschichtmaske mit den Merkmalen des Anspruchs 1 sowie durch ein Verfahren mit den Merkmalen des Anspruchs 6. Vorteilhafte Weiterbildungen der erfindungsgemäßen Dünnschichtmaske bzw. des erfindungsgemäßen Verfahrens ergeben sich aus den Unteransprüchen.
  • Dadurch, dass die Maske durch selektive Bestrahlung einer durch ein CVD-Verfahren oder PVD-Verfahren auf das Substrat aufgebrachten Schicht gebildet ist, werden alle Bereiche einer dreidimensional strukturierten Oberfläche eines Substrats mit einer Schicht gleichmäßiger Dicke überzogen. Dies kann z.B. durch geeignete Prozessführung und Substratbewegungen erreicht werden. Wenn dann die Schicht zur Herstellung einer Maske durch elektromagnetische Strahlung oder Korpuskularstrahlung selektiv ablatiert wird, ist gewährleistet, dass einerseits die Schicht in den freizulegenden Bereichen vollständig entfernt wird. Unter Substrat wird hierbei das Material verstanden, auf dem die Maske hergestellt wird; es kann sich somit hierbei auch um eine dünne Schicht handeln, die auf das eigentliche Substrat aufgebracht ist. Die Substrate können aus verschiedenen Materialien bestehen und sind nicht nur auf die klassische Siliziumtechnologie und Mikroelektronik beschränkt. So können Substrate hier beispielsweise Achsen, Wellen, Gleit- und Wälzlager, Werkzeuge, Hydraulik- und Pneumatik-Aktoren, Druckzylinder, Prägestempel, Metall- und Kunststoffgehäuse für mobile Telefone und andere elektronische Geräte mit ausgeprägten dreidimensionalen Formgebungen und Tiefenprofilen sein.
  • Bevorzugt ist die Schicht durch ein Plasma-CVD-Verfahren auf das Substrat aufgebracht, da hierdurch eine besonders homogene Schicht mit besonders gleichmäßiger Dicke erhalten werden kann.
    •
  • Die Erfindung wird im folgenden anhand von in den Figuren dargestellten Ausführungsbeispielen näher erläutert. Es zeigen:
  • 1a bis 1d den Vorgang der Herstellung einer Dünnschichtmaske in einer Vertiefung eines Substrats in vier Verfahrensschritten,
  • 2 eine auf einer schmalen Erhebung eines Substrats hergestellte Dünnschichtmaske, und
  • 3 eine auf unebenen Oberflächen eines Substrats gebildete Dünnschichtmaske.
  • 1 zeigt eine Vertiefung in einem Substrat 1 aus beliebigem Material. Auf dem Boden der Vertiefung ist eine Isolationsschicht 2 beispielsweise aus Aluminiumoxid (Al2O3) aufgebracht. Über dieser befindet sich eine dünne Funktionsschicht 3, beispielsweise aus Titannitrid (TiN). Diese soll strukturiert werden. Die Vertiefung kann eine Tiefe im Millimeterbereich oder sogar Zentimeterbereich aufweisen. Sie ist beispielsweise eine Ausfräsung in einem Prägewerkzeug, das an dieser Stelle mit einem Temperatursensor versehen werden soll.
  • Zum Zwecke der Strukturierung der Funktionsschicht 3 ist eine Dünnschichtmaske über dieser auszubilden. Hierbei wird zunächst, wie aus 1a ersichtlich ist, zumindest der relevante Bereich des Substrats mit einer Schicht 4 überzogen. Würde man diese als Fotolackschicht durch das bei der Fotolithografie bekannte Schleuder- oder Tauchverfahren aufbringen, hätte die Schicht eine Oberfläche, wie sie etwa durch die strichlierte Linie 5 dargestellt ist. Diese Schicht weist somit erhebliche Dickenunterschiede auf. Hierdurch ist eine anschließende maßhaltige Belichtung nicht möglich. Insbesondere würde eine nachfolgende Ätzung zu einer Schädigung der oberen Ecken der Struktur führen.
  • Die Schicht 4 ist jedoch durch ein CVD-Verfahren oder ein PVD-Verfahren auf die freiliegenden Oberflächen der Funktionsschicht 3 und des Substrats 1 aufgebracht worden. Dies gewährleistet eine weitgehend gleichmäßige Dicke dieser Schicht über ihre gesamte Erstreckung. Diese Verfahren umfassen die chemische und die physikalische Abscheidung aus der Gasphase. Da bei geeignet geführten DVD-Verfahren sowie bei PVD-Verfahren mit Substratbewegung eine gleichmäßige Abscheidung auf dem Substrat bzw. der Funktionsschicht erfolgt, lassen sich auch in komplexen Vertiefungen noch relativ homogene Schichtdicken herstellen, wozu auch eine geeignete Justage der in relativ weiten Grenzen einstellbaren Verfahrensparameter beitragen kann.
  • Die Schicht 4 wird dann, wie aus 1b ersichtlich ist, mit einem Laserstrahl 6 bestrahlt. Die bestrahlten Bereiche der Schicht 4 werden abgetragen, so dass dort die Funktionsschicht 3 freilegende Durchgangslöcher 7 entstehen. Die Dosierung und Dauer der Laserbestrahlung können so eingestellt werden, dass an den bestrahlten Stellen die Schicht 4 vollständig entfernt wird. Da die Dicke der Schicht 4 überall gleich ist, lässt sich dies ohne weiteres erreichen.
  • Nachdem auf diese Weise eine Dünnschichtmaske hergestellt ist, kann die Funktionsschicht 3 an den freigelegten Stellen mit einem die Schicht 4 nicht angreifenden Ätzmittel geätzt werden. Dieser Arbeitsschritt ist in 1c gezeigt. Zweckmäßig sind eine Trockenätzung im reaktiven Plasma oder eine Ionenätzung im Ar-Plasma sowie eine nasschemische Ätzung. Die Funktionsschicht 3 kann an den freigelegten Stellen jedoch auch in anderer Weise als durch Ätzen behandelt werden.
  • Schließlich wird nach Abschluss des Ätzvorganges die für diesen verwendete Dünnschichtmaske entfernt. Dies wird vorzugsweise mittels eines Plasmas und eines das Material der Schicht 4 zersetzenden Gases durchgeführt. 1d gibt die nach diesem Vorgang erhaltene gewünschte Mikrostruktur der Funktionsschicht 3 wieder.
  • 2 zeigt, dass die aus der Schicht 4 gebildete Dünnschichtmaske auch auf schmalen erhabenen Bereichen des Substrats 1 gebildet werden kann. Auch in diesen Bereichen ist die Dicke der Schicht 4 sowohl auf den ansteigenden und abfallenden Kanten als auch auf den horizontalen Abschnitten stets gleich.
  • Schließlich ist aus 3 ersichtlich, dass die Bearbeitung der Schicht 4 zur Herstellung der Dünnschichtmaske nicht nur wie in 1 und 2 ge zeigt, in ebenen Abschnitten möglich ist, sondern die Maske kann auch auf beliebigen dreidimensionalen Substratoberflächen gebildet werden.
  • Im folgenden werden konkrete Beispiele für die Herstellung einer Dünnschichtmaske gegeben, bei denen die Schicht 4 durch ein Plasma-CVD-Verfahren gebildet wird. Plasma-CVD-Schichten zeichnen sich bei geeigneter Prozessführung durch eine relativ geringe Defektdichte aus.
  • Eine bevorzugte Maskierungsschicht besteht aus einem plasmapolymeren Material, das aus einem SiC-OH-Netzwerk gebildet ist. Die Herstellung dieser Schicht erfolgt beispielsweise in einer bekannten HF-Dioden-Anlage, die mit einer Frequenz von 13,65 MHz arbeitet, wobei die Substrate gegebenenfalls mit einer Isolationsschicht und einer Funktionsschicht auf der Hochfrequenzelektrode angeordnet werden. Nach einer kurzen Ionenreinigung in einem Ar-Plasma wird die Maskierungsschicht durch Einleitung eines siliziumhaltigen Gases wie Hexamethyldisilican aufgebracht.
  • Beispielhafte Plasmaparameter für ein SiC-OH-Polymer sind:
    Leistung bei Verwendung einer 8 "-Elektrode, 700 W
    Gasstrom: 100 sccm
    Beschichtungsrate: 2 μm/h
    Schichtdicke: 2 μm
  • Alternativ kann die Maskierungsschicht auch aus einer amorphen Kohlenwasserstoffschicht gebildet werden, die aus CH-Si-O besteht. Geeignet sind auch reine Kohlenwasserstoffschichten, die durch ein Plasma-CVD-Verfahren als weiche Schicht abgeschieden werden.
  • Die Bildung einer derartigen Schicht kann ebenfalls mit Hilfe einer bekannten HF-Dioden-Anlage erfolgen. Nach der kurzen Ionenreinigung in einem Ar-Plasma wird die Beschichtung der auf der Hochfrequenzelektrode angeordneten Substrate durch Einleiten eines Kohlenwasserstoffgases wie Ethin oder Propan durchgeführt.
  • Für Kohlenwasserstoffschichten und CH-Si-O-Schichten eignen sich insbesondere die folgenden Plasmaparameter:
    Leistung bei Verwendung einer 8 "-Elektrode: 1 kW
    Beschichtungsrate: 2 μm/h
    Schichtdicke: 2 bis 8 μm.
  • Die Entfernung einer Maskierungsschicht nach Durchführung der Ätz- oder einer anderen selektiven Behandlung kann bei einem plasmapolymeren Material auf der Basis von Kohlenwasserstoff mit Hilfe eines Sauerstoffplasmas erfolgen.
  • Geeignete Parameter dieses Verfahrensschrittes sind: Leistung bei Verwendung einer 8 "-Elektrode: 500 W
    Gasstrom: 80 % O2, 20 % CF4
    Abtragsgeschwindigkeit: 4 μm/h.
  • Obgleich die Erfindung besonders vorteilhaft bei Mikrostrukturen anwendbar ist, ist sie auch bei Strukturen < 1 μm und > 1 mm einsetzbar.

Claims (13)

  1. Aus durch elektromagnetische Strahlung oder Korpuskularstrahlung entfernbarem Material hergestellte Dünnschichtmaske für die Herstellung von Strukturen an der Oberfläche eines Substrats (1), dadurch gekennzeichnet, dass die Maske durch selektive Bestrahlung einer durch ein CVD-Verfahren oder PVD-Verfahren auf das Substrat aufgebrachten Schicht (4) gebildet ist.
  2. Dünnschichtmaske nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Schicht (4) durch ein Plasma-CVD-Verfahren aufgebracht ist.
  3. Dünnschichtmaske nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, dass sie aus einem polymeren SiC-OH-Netzwerk besteht.
  4. Dünnschichtmaske nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, dass sie aus einer amorphen Schicht aus CH-Si-O besteht.
  5. Dünnschichtmaske nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, dass sie aus einer reinen Kohlenwasserstoffschicht besteht.
  6. Verfahren zur Herstellung einer Dünnschichtmaske für die Herstellung von Mikrostrukturen an der Oberfläche eines Substrats (1), bei dem eine auf das Substrat (1) aufgebrachte Schicht (4) selektiv bestrahlt und in den bestrahlten Bereichen abgetragen wird, dadurch gekennzeichnet, dass die Schicht (4) durch ein CVD-Verfahren oder ein PVD-Verfahren auf das Substrat (1) aufgebracht wird.
  7. Verfahren nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, dass zur Bildung einer Schicht (4) aus einem polymeren SiC-OH-Netzwerk ein sliziumhaltiges Gas in eine das Substrat (1) auf der Hochfrequenzelektrode tragende HF-Dioden-Anlage geleitet wird.
  8. Verfahren nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, dass das Gas Hexamethyldisilican ist.
  9. Verfahren nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, dass zur Bildung einer Kohlenwasserstoffschicht ein Kohlenwasserstoffgas in eine das Substrat (1) auf der Hochfrequenzelektrode tragende HF-Diodenanlage geleitet wird.
  10. Verfahren nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, dass als Kohlenwasserstoffgas Ethin oder Propan verwendet wird.
  11. Verfahren nach einem der Ansprüche 7 bis 10, dadurch gekennzeichnet, dass das Substrat (1) vor dem Aufbringen der Schicht (4) einer Ionenreinigung unterzogen wird.
  12. Verfahren nach einem der Ansprüche 9 bis 11, dadurch gekennzeichnet, dass die auf der Basis von Kohlenwasserstoff gebildete Dünnschichtmaske nach ihrer bestimmungsgemäßen Verwendung mit Hilfe eines Sauerstoffplasmas entfernt wird.
  13. Verwendung einer Dünnschichtmaske nach einem der Ansprüche 1 bis 5 für die Herstellung von Mikrostrukturen.
DE10253126A 2002-11-07 2002-11-07 Dünnschichtmaske und Verfahren zu deren Herstellung Withdrawn DE10253126A1 (de)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE10253126A DE10253126A1 (de) 2002-11-07 2002-11-07 Dünnschichtmaske und Verfahren zu deren Herstellung

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE10253126A DE10253126A1 (de) 2002-11-07 2002-11-07 Dünnschichtmaske und Verfahren zu deren Herstellung

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE10253126A1 true DE10253126A1 (de) 2004-06-09

Family

ID=32308548

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE10253126A Withdrawn DE10253126A1 (de) 2002-11-07 2002-11-07 Dünnschichtmaske und Verfahren zu deren Herstellung

Country Status (1)

Country Link
DE (1) DE10253126A1 (de)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102016110403A1 (de) 2016-06-06 2017-12-07 THB Treuhandholding und Beteiligungsgesellschaft UG (hb) Verfahren zur Herstellung eines Prägewerkzeugs sowie Prägewerkzeug

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102016110403A1 (de) 2016-06-06 2017-12-07 THB Treuhandholding und Beteiligungsgesellschaft UG (hb) Verfahren zur Herstellung eines Prägewerkzeugs sowie Prägewerkzeug

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP0012859B1 (de) Verfahren zum Aufbringen eines Dünnfilmmusters auf ein Substrat
EP2313913B1 (de) Verfahren zum elektronenstrahlinduzierten ätzen von mit gallium implantierten schichten
DE3940087A1 (de) Verfahren zur herstellung eines gemusterten gegenstands und danach hergestellter gegenstand
DE2953117A1 (en) Fabrication of integrated circuits utilizing thick high-resolution patterns
DE2723465C2 (de) Maske zum Aufbringen eines Musters auf ein Substrat und Verfahren zu ihrer Herstellung
DE10240105B4 (de) Herstellung organischer elektronischer Schaltkreise durch Kontaktdrucktechniken
EP1169893B1 (de) Verfahren zum einbringen von durchkontaktierungslöchern in ein beidseitig mit metallschichten versehenes, elektrisch isolierendes basismaterial
DE102008011249A1 (de) Verfahren zur Herstellung strukturierter Oberflächen
DE102005056879A1 (de) Verfahren zur Erzeugung einer Mehrzahl regelmäßig angeordneter Nanoverbindungen auf einem Substrat
DE10253126A1 (de) Dünnschichtmaske und Verfahren zu deren Herstellung
DE60307516T2 (de) Lithografieverfahren durch pressen eines substrats in einem nanoimprint-prozess
EP2490893B1 (de) Verfahren zum herstellen perforierter oder teilweise perforierter schablonen mit relief
DE102005042754A1 (de) Selektive Plasmabehandlung von Substraten zur Vorbehandlung vor einem Beschichtungs- oder Bondprozeß
DE19951721A1 (de) Verfahren zur strukturierten Metallisierung der Oberfläche von Substraten
EP0410401A1 (de) Verfahren zum Beschichten einer Substratfläche
KR930008186A (ko) 패터닝 방법
DE102009018849B4 (de) Masterstruktur zum Prägen und/oder Bedrucken eines Grundmaterials, Vorrichtung zum kontinuierlichen Prägen und/oder Bedrucken eines Grundmaterials und Verfahren zum Herstellen einer Masterstruktur zum Prägen und/oder Bedrucken eines Grundmaterials
EP2235231A1 (de) Verfahren zur herstellung einer werkstückoberfläche, sowie werkstück mit vorgebbaren hydrophilen benetzungseigenschaften der oberfläche
DE102015011066A1 (de) Substrat,insbesondere für den Aufbau einer dehnbaren Elektronik und Verfahren zu dessen Herstellung
DE102015100692B4 (de) Verfahren zur Erstellung einer zweidimensionalen elektronischen Struktur und zweidimensionale elektronische Struktur
DE3232174A1 (de) Verfahren zum herstellen einer freitragenden abstandsmaske
WO1998039688A1 (de) Verfahren zur herstellung einer strukturierten schicht
DD250400A1 (de) Schablonenabbildungsverfahren zur verringerung des strukturrasters
DE102009006064B4 (de) Verfahren zur Herstellung eines mikrostrukturierten Films
DE10307523A1 (de) Verfahren zur Herstellung einer Resistmaske für die Strukturierung von Halbleitersubstraten

Legal Events

Date Code Title Description
OP8 Request for examination as to paragraph 44 patent law
8139 Disposal/non-payment of the annual fee