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Die Erfindung betrifft ein Verfahren
zur Herstellung einer mindestens eine Trench-Transistorzelle aufweisenden
Transistoranordung, bei dem ein Grundsubstrat bereit gestellt wird,
auf dem Grundsubstrat eine eine Dotierung eines ersten Leitungstyps
aufweisende Prozessschicht mit einer dem Grundsubstrat gegenüberliegenden
Substratoberfläche
angeordnet wird und bei dem mindestens in Abschnitten der Prozessschicht
ein sich zunächst
von der Substratoberfläche
bis zu einer Bodytiefe erstreckendes und eine Dotierung eines zum
ersten Leitungstyps entgegengesetzten zweiten Leitungstyps aufweisendes
Bodygebiet und unterhalb des Bodygebiets eine Driftzone vorgesehen
wird.
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Heute übliche Trench-MOS-Leistungstransistoren
(UMOSFET, u-shaped
metal oxide semiconductor field effect transistor) zeichnen sich
gegenüber älteren Typen
von MOS-Leistungstransistoren (DMOSFET, double diffused MOSFET,
VMOSFET, v-shaped
MOSFET) durch einen sehr geringen spezifischen Einschaltwiderstand
(rDS,On) aus.
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Bei einem üblichen Trench-MOS-Leitungstransistor
sind in einem Halbleitersubstrat jeweils ein eine Dotierung eines
ersten Leitungstyps aufweisendes Sourcegebiet und ein Draingebiet
und zwischen dem Sourcegebiet und dem Draingebiet ein eine Dotierung
eines zum ersten Leitungstyps entgegengesetzten zweiten Leitungstyps
aufweisendes Bodygebiet angeordnet. Im Halbleitersubstrat ist ferner
mindestens ein Graben (Trench) vorgesehen, in dem eine Gateelektrode
ausgebildet ist. Ein durch die Gateelektrode gesteuerter leitender
Kanal erstreckt sich dann im Bodygebiet entlang einer Wandung des
Grabens in einer vertikalen Richtung zwischen dem Source- und dem
Draingebiet. Durch den vertikalen Aufbau der Trench-Transistorzelle ergibt
sich eine Vergrößerung der
Kanalweite pro Flächeneinheit
und eine deutliche Verringerung des Einschaltwiderstandes der Trench-Transistorzelle.
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Im Folgenden wird der prinzipielle
Aufbau einer Trench-Transistorzelle
herkömmlicher Trench-MOS-Leistungstransistoren
(UMOSFET) am Beispiel eines n-Kanal-MOS-Transistors für den Anreicherungsbetrieb
erläutert.
Dabei lässt
sich der Aufbau bei entsprechend geänderten Dotierungen auch auf
andere gebräuchliche
Ausführungsformen
(p-Kanal, Verarmungsbetrieb) von MOS-Transistoren sowie auf IGBTs
(insulated gate bipolar transistors) und Drain-Up Transistoren für IC-Prozesse übertragen.
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Auf einem n++-dotierten
Grundsubstrat, das funktional eine Drainzone ausbildet, ist eine
in der Regel epitaktisch aufgewachsene, n-dotierte Prozessschicht
angeordnet. Die Prozessschicht weist anschließend an das Grundsubstrat eine
schwach n-dotierte Driftzone auf, die zusammen mit der Drainzone
ein Draingebiet ausbildet. An die Driftzone anschließend ist
ein p-dotiertes Bodygebiet und anschließend an das Bodygebiet ein
n++-dotiertes Sourcegebiet vorgesehen. In
der Prozessschicht sind Gräben
(Trenches) angeordnet, welche bis in das Grundsubstrat reichen können. Innerhalb
der Gräben sind
jeweils etwa der Driftzone gegenüberliegend eine
Feldelektrode und etwa dem Bodygebiet gegenüberliegend eine Gateelektrode
angeordnet. Die Feldelektrode ist mit einer ersten dielektrischen Schicht
(Feldplatte) elektrisch gegen ein aus dem Grundsubstrat und der
Prozessschicht gebildetes Halbleitersubstrat isoliert. Die Gateelektrode
ist gegen das Halbleitersubstrat mittels einer Gate-Dielektrikumsschicht
(Gateoxid) und gegen die Feldelektrode mit einer zweiten dielektrischen
Schicht (Oxidschicht) isoliert. Das Sourcegebiet und für gewöhnlich auch
die Feldelektrode sind mit einem Sourceanschluss des Trench-MOS-Leistungstransistors,
das Draingebiet mit einem Drainanschluss und die Gateelektrode mit
einem Gateanschluss verbunden.
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Die Gräben können als Streifen, als Gitter, oder
in Form anderer Polygone ausgeprägt
sein, wodurch streifenförmige
bzw. wabenförmige Trench-Transistorzellen
ausgebildet werden.
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Bei dem beschriebenen Trench-MOS-Leistungstransistor
wird der Strom zwischen dem Sourceanschluss und dem Drainanschluss
durch eine Gate-Sourcespannung UGS zwischen
dem Gateanschluss und dem Sourceanschluss gesteuert. Ist die Gate-Sourcespannung
kleiner als eine Schwellen- oder Einsatzspannung, so fließt zwischen
dem Sourceanschluss und dem Drainanschluss kein Strom, da das Bodygebiet
einen Ladungsträgertransport
zwischen dem Sourcegebiet und dem Draingebiet blockiert. Wird dagegen
die im Graben angeordnete Gateelektrode mit einer positiven Gate-Sourcespannung
größer als
die Einsatzspannung beaufschlagt, so sammeln sich im p-dotierten
Bodygebiet Minoritätsträger (Elektronen)
in einer dünnen
Schicht entlang des Gateoxids im Bodygebiet gegenüber der Gateelektrode.
Dieser n-leitende Kanal (Inversionsschicht) bildet einen leitenden Übergang
zwischen dem Sourcegebiet und dem Draingebiet. Die Ausdehnung des
Kanals längs
des Gateoxids senkrecht zu einem Stromfluss im Kanal definiert eine
Kanalweite.
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Die Kanalweite des Kanals bestimmt
dabei wesentlich den Drain-Sourcewiderstand rDS(on) der Trench-Transistorzelle
im durchgeschalteten, leitenden Zustand der Transistoranordnung.
Der Drain-Sourcewiderstand rDS(on) begrenzt
in Verbindung mit der maximal zulässigen Verlustleistung der Transistoranord nung
einen maximal zu steuernden Drain-Sourcestrom IDSmax.
Ein geringer Drain-Sourcewiderstand rDS(on) erfordert
dabei eine möglichst
große
Kanalweite und/oder eine möglichst
kurze Kanallänge
zwischen dem Source- und dem Draingebiet.
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Ähnlich
setzt bei einer IGBT-Anordnung, bei der über den Kanal Ladungsträger in die
Transistoranordnung geleitet werden, eine niedrige Durchlass-Spannung
des IGBTs im leitenden Zustand einen niedrigen Widerstand zwischen
dem Draingebiet und dem Sourcegebiet voraus, da der Widerstand zwischen
dem Draingebiet und dem Sourcegebiet die Anzahl der in die Transistoranordnung
fließenden Ladungsträger begrenzt.
Für eine
vorteilhafte, niedrige Durchlass-Spannung ist daher eine große Kanalweite
erforderlich.
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Andererseits wird im Kurzschlussfall
und bei hoher anliegender Kollektor-Emitterspannung im IGBT ein
im Kurzschlussfall fließender
Kurzschlussstrom durch die Kanalweite begrenzt. Der Kurzschlussstrom
soll dabei einen maximal zulässigen Kurzschlussstrom
nicht überschreiten,
wobei sich der maximal zulässige
Kurzschlussstrom aus der zulässigen
Verlustleistung und einer maximalen Abschaltverzögerung, nach der der Kurzschlussstrom
sicher abgeschaltet wird, ergibt. Der Kurzschlussstrom und damit
die Kanalweite sind also klein genug vorzusehen, um eine Beschädigung der
Transistoranordnung bei einer Kurzschlussbedingung auszuschließen.
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Nachteilig an herkömmlichen
Trench-Transistorzellen für
Leistungstransistoren und IGBTs ist also, dass der maximale Kurzschlussstrom
und der Kanalwiderstand, bzw. Drain-Sourcewiderstand rDS(on) in
gleicher Weise von der Kanalweite abhängen. Beide Transistorparameter
sind voneinander abhängig, so
dass etwa bei einem vorgegebenen maximalen Kurzschlussstrom der
Kanalwiderstand nicht durch eine Erhöhung der Kanalweite reduziert
werden kann.
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Ein weiterer Nachteil herkömmlicher Trench-Transistorzellen
ist ferner die Abhängigkeit einer
Einsatzspannung UGS(th) von einer Drain-Sourcespannung
UDS. Dabei ist die Einsatzspannung UGS(th) die Gate-Sourcespannung, die am Gateanschluss
angelegt werden muss, um im Bodygebiet einen Kanal zu erzeugen.
Die Abhängigkeit
der Einsatzspannung von der Drain-Sourcespannung ist umso stärker, je
kürzer
eine Kanallänge,
also ein Abstand zwischen den Source- und den Draingebieten ist.
Kurze Kanallängen
werden vor allem bei Niedervolt-Leistungstransistoren realisiert,
die mit sehr niedrigem Kanalwiderstand vorgesehen werden.
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Es ist daher Aufgabe der vorliegenden
Erfindung, Trench-Transistorzellen
für MOS-Leistungstransistoren
und IGBTs sowie ein Verfahren zur Herstellung solcher Trench-Transistorzellen
zur Verfügung
zu stellen, die gegenüber
herkömmlichen Trench-Transistorzellen
eine reduzierte Abhängigkeit der
Einsatzspannung von der Drain-Sourcespannung UDS aufweisen,
und die bei gleicher Geometrie einen gegenüber herkömmlichen Trench-Transistorzellen
reduzierten Kurzschlussstrom über
das Kanalgebiet aufweisen.
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Diese Aufgabe wird bei einem Verfahren
der eingangs genannten Art erfindungsgemäß durch die im kennzeichnenden
Teil des Patentanspruches 1 angegebenen Merkmale gelöst. Eine
die Aufgabe lösende
Trench-Transistorzelle ist in Anspruch 10 und eine die Aufgabe lösende Transistoranordnung
in Anspruch 16 angegeben. Vorteilhafte Weiterbildungen ergeben sich
aus den jeweils nachgeordneten Unteransprüchen.
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Gemäß dem erfindungsgemäßen Verfahren zur
Herstellung einer Trench-Transistorzelle wird also innerhalb eines
sich bis zu einer Bodytiefe erstreckenden Bodygebiets ein eine Dotierstoffdichte
in Abhängigkeit
von einem Abstand senkrecht zur Substratoberfläche beschreibendes Dotationsprofil
gegenüber
dem Dotationsprofil von Bodygebieten herkömmlicher Trench-Transistorzellen
in Richtung zum Draingebiet durch mindestens einen Hochenergie-Implantationsschritt
wesentlich angehoben.
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Die über die gesamte Ausdehnung
des Bodygebietes und insbesondere an einem zwischen dem Bodygebiet
und dem Draingebiet ausgebildeten Body-Drainübergang insgesamt erhöhte Dotierstoffdichte
hat zur Folge, dass sich eine proportional der Drain-Sourcespannung
UDS ausbildende Raumladungszone weniger
weit in das Bodygebiet hinein erstreckt.
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Entsprechend wird eine mit der Ausdehnung der
Raumladungszone in das Bodygebiet hinein einhergehende Verkürzung eines
im Bodygebiet ausgebildeten Kanals weit gehend vermieden. Da ein
verkürzter
Kanal wiederum Ursache des erhöhten
Kurzschlussstroms sowie der Absenkung der Einsatzspannung UGS(th) der Transistoranordnung ist, wird durch
das erfindungsgemäß erzeugte
Dotationsprofil im Bodygebiet der Kurzschlussstrom IDS max sowie die Abhängigkeit der Einsatzspannung
UGS(th) von der Drain-Sourcespannung UDS reduziert.
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Vorteilhafterweise ermöglicht das
erfindungsgemäße Verfahren
also eine Reduzierung der Abhängigkeit
der Kanallänge
vom Betrag der Drain-Sourcespannung UDS,
ohne dass es dazu erforderlich wäre,
einen Maximalwert der Dotierstoffdichte, der den Betrag der Einsatzspannung
UGS(th) bestimmt, zu erhöhen.
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Während
also bei auf herkömmliche
Weise hergestellten Trench-Transistorzellen
das Dotationsprofil ausgehend von einem Ma ximum in der Nähe der Substratoberfläche gemäß einer
Gaußschen
Verteilungsfunktion in Richtung des Body-Drainübergangs streng abnimmt und
in der Nähe
des Body-Drainübergangs
wesentlich niedriger ist als in der Nähe der Substratoberfläche, wird
im Zuge des erfindungsgemäßen Verfahren
ein Dotationsprofil erzeugt, das für einen großen Bereich zwischen der Substratoberfläche und
dem Body-Drainübergang
einen nahezu konstanten oder auch wellenförmigen Verlauf mit mehreren
relativen Maxima aufweist. Unabhängig
von Einzelheiten des Dotationsprofils ist es erfindungswesentlich,
dass das Dotationsprofil zum Body-Drainübergang gegenüber einem
Maximalwert der Dotierstoffdichte nicht stark abfällt, sondern
in der Nähe
des Body-Drainübergangs
einen Betrag aufweist, der nicht wesentlich unter dem Maximalwert der
Dotierstoffdichte liegt.
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Im Einzelnen wird also gemäß dem erfindungsgemäßen Verfahren
zur Herstellung einer mindestens eine Trench-Transistorzelle aufweisenden Transistoranordung
zunächst
ein Grundsubstrat bereitgestellt. Auf dem Grundsubstrat wird eine
eine Dotierung eines ersten Leitungstyps aufweisende Prozessschicht
angeordnet. Die freiliegende und dem Grundsubstrat gegenüberliegende
Oberfläche der
Prozessschicht bildet eine Substratoberfläche aus. Mindestens in Abschnitten
der Prozessschicht wird ein sich zunächst von der Substratoberfläche bis zu
einer Bodytiefe erstreckendes und eine Dotierung eines zum ersten
Leitungstyps entgegengesetzten zweiten Leitungstyps aufweisendes
Bodygebiet und unterhalb des Bodygebiets an dieses anschließend ein
Draingebiet vorgesehen.
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Erfindungsgemäß wird das Bodygebiet mittels
mindestens eines mit einer zu einer Eindringtiefe eines Dotierstoffs
von größer als
einem Viertel der Bodytiefe korrespondierenden Energie ausgeführten Implantationsschrittes
vorgesehen. Dadurch wird nahe eines auf Höhe der Bodytiefe b zwischen
dem Bodyge biet und dem Draingebiet ausgebildeten Body-Drainübergangs
eine gegenüber
dem Maximalwert der Dotierstoffdichte nicht wesentlich geringere Dotierstoffdichte
erzielt.
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Dabei ist ein Punkt dem Body-Drainübergang
nahe, wenn der Abstand des Punkts zum Body-Drainübergang kleiner der Hälfte des
Abstands des Body-Drainübergangs
von der Substratoberfläche
ist. Eine erste Dotierstoffdichte an einem ersten Punkt ist gegenüber einer
zweiten Dotierstoffdichte an einem zweiten Punkt nicht wesentlich
geringer, solange die erste Dotierstoffdichte die zweite Dotierstoffdichte
um nicht mehr als 10% pro μm
unterschreitet.
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Bei einem Implantationsschritt ist
die Eindringtiefe der implantierten Teilchen, in der Regel also
Ionen des Dotierstoffes, abhängig
von deren kinetischer Energie, bzw., bei Ionen gleichen Gewichts,
abhängig
von der Geschwindigkeit, auf die die Ionen mittels einer Implantationseinrichtung
zur Implantation beschleunigt werden. Gemäß dem erfindungsgemäßen Verfahren
wird bei mindestens einem auf das Bodygebiet wirkenden Implantationsschritt
die kinetische Energie so gewählt,
dass sich für
eine maximale Anzahl der implantierten Teilchen eine Eindringtiefe
e zu b/4 < e < b ergibt. Auf diesem Weg
lässt sich
ein Dotationsprofil des Bodygebietes erzielen, das zum Body-Drainübergang
nicht stark abfällt,
sondern in der Nähe
des Body-Drainübergangs
einen Betrag aufweist, der nicht wesentlich unter einem Maximum
des Dotationsprofils liegt.
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Bevorzugterweise wird mindestens
einer der Implantationsschritte mit einer zu einer Eindringtiefe des
Dotierstoffs von gleich oder größer einer
halben Bodytiefe korrespondierenden Energie ausgeführt, so
dass ein die Einsatzspannung UGS(th) bestimmender
Maximalwert der Dotierstoffdichte sehr weit von einem im weiteren
Verlauf auszubildenden Sourcegebiet entfernt ist.
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Dadurch wird in besonders vorteilhafter
Weise die für
die Höhe
der Einsatzspannung maßgebende
maximale Nettodotierung des Bodygebiets von einem Prozess zur Herstellung
des Sourcegebiets weit gehend entkoppelt. Eine Variation der Einsatzspannung
innerhalb einer Trench-Transistorzelle und zwischen verschiedenen
Trench-Transistorzellen wird beschränkt.
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Ist eine maximale Dotierstoffdichte
des Bodygebiets durch die spezifizierte Einsatzspannung vorgegeben,
so lässt
sich eine minimale Ausdehnung der Raumladungszone durch einen möglichst
wenig schwankenden oder konstanten Verlauf des Dotationsprofils
innerhalb des Bodygebiets realisieren. Ein wellenförmiger Verlauf
des Dotationsprofils ergibt sich, wenn zwei oder drei Implantationsschritte
mit unterschiedlicher Implantationsenergie und jeweils einer Eindringtiefe
zwischen der Substratoberfläche und
dem Body-Drainübergang
vorgesehen werden. Dies gilt insbesondere für eine Bodytiefe von etwa 1,5
bis 3 μm.
Für größere Bodytiefen
bzw. Kanallängen
sind auch mehr Implantationsschritte unterschiedlicher Energie möglich.
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Bevorzugt wird dabei jeweils der
letzte Implantationsschritt mit der höchsten Implantationsenergie
durchgeführt.
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Eine besonders vorteilhafte Ausbildungsform des
erfindungsgemäßen Verfahrens
sieht vor, vor mindestens einem der Implantationsschritte mindestens
einen Graben in der Prozessschicht auszubilden. Dazu ist es notwendig,
den Graben vor dem mindestens einen Implantationsschritt mindestens teilweise
zu füllen,
um eine direkte Implantation im Draingebiet mit dem Dotierstoff
des Bodygebietes zu verhindern. Vorzugsweise werden also bereits
vor dem mindestens einen Implantations schritt im Graben mindestens
ein Gateoxid und eine Gateelektrode vorgesehen, wobei die Gateelektrode
den Graben nicht vollständig
bis zur Substratoberfläche
(Siliziumkante) füllend
vorgesehen wird.
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Während
des mindestens einen Implantationsschritts erfolgt dann eine Implantation
des Dotierstoffs in das Bodygebiet nicht nur über die Substratoberfläche sondern
auch zusätzlich über nicht
abgedeckte Abschnitte einer Grabenwandung des Grabens. Dadurch wird
in an dem Graben anschließenden
Grabenbereichen des Bodygebiets bei gleichem Abstand zur Substratoberfläche eine
höhere
Dotierstoffdichte vorgesehen als in dem Graben fernen Mesabereichen,
wodurch sich in den Grabenbereichen der Body-Drainübergang
in Richtung Draingebiet verschiebt.
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Damit wird einer Verkürzung des
Kanals durch eine folgende Implantation eines Sourcegebiets ausgeglichen,
die sich bei einer Implantation des Sourcegebiets nach dem Ausbilden
der Gateelektrode ergibt. Die Ausdehnung des Sourcegebiets längs der
Grabenwandung ist dann umso größer, je größer ein
Abstand einer Oberkante der Gateelektrode zur Substratoberfläche ist.
Durch die größere Ausdehnung
des Sourcegebietes in Richtung zum Draingebiet wird herkömmlicherweise
der sich dazwischen ausbildende Kanal verkürzt.
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Mittels des erfindungsgemäßen Hochenergie-Implantationsschrittes
im Zuge der Ausbildung des Bodygebiets wird bei bereits fertig ausgebildeter Gateelektrode
die Kanalverkürzung
durch ein Erweitern des Bodygebiets in Richtung des Draingebietes ausgeglichen.
Da sowohl die Ausdehnung des Sourcegebiets als auch die des Bodygebiets
abhängig vom
Abstand der Oberkante der Gateelektrode zur Substratoberfläche sind,
er folgt das Ausgleichen der Kanalverkürzung weitgehend selbstjustierend.
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In einer besonders bevorzugten Ausbildungsform
des erfindungsgemäßen Verfahrens
wird das die Dotierstoffdichte in Abhängigkeit von einem Abstand
senkrecht zur Substratoberfläche
wiedergebende Dotationsprofil innerhalb des Bodygebiets über eine
Strecke von wenigstens einem Viertel der Bodytiefe im Wesentlichen
konstant ausgebildet.
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Dabei wird das über eine Strecke von wenigstens
einem Viertel der Bodytiefe im Wesentlichen konstant ausgebildete
Dotationsprofil mittels einer Mehrzahl von Implantationsschritten
unterschiedlicher Energie und einem folgenden Temperaturschritt zum
Ausheilen von Implantationsschäden
und/oder zur Aktivierung einer Dotierung erzielt. Im Zuge eines solchen
Temperaturschrittes wird ein Diffusionsprozess der implantierten
Teilchen ausgelöst,
der dazu führt,
dass die implantierten Teilchen aus Bereichen hoher Dichte zu Bereichen
niedriger Dichte wandern. Aus einer Summe von sich nach der Implantation
ergebenden Gaußschen
Verteilungskurven kleiner Streuung mit Maximalwerten an den jeweiligen
Implantationsenergien zugeordneten Eindringtiefen ergibt sich durch
die Diffusion ein Dotationsprofil, das über mindestens wesentliche
Abschnitte des Bodybereichs ein plateauartiges Maximum aufweist.
Ein solches Dotationsprofil minimiert bei gegebener Einsatzspannung
die Ausdehnung einer Raumladungszone vom Body-Drainübergang
in das Bodygebiet hinein.
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Das erfindungsgemäße Verfahren lässt sich in
einer dem Fachmann nahe liegenden Weise auf sämtliche Typen von n-Kanal und
p-Kanal Trench-MOS-Leistungstransistoren, sowie auf Drain-up Trench-Transistoren
in IC-Prozessen und auf IGBTs übertragen.
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Mittels des erfindungsgemäßen Verfahrens lässt sich
eine Trench-Transistorzelle realisieren, bei der ein Bodygebiet
in der Nähe
eines Body-Drainübergangs
eine gegenüber
einer maximalen Dotierstoffdichte im Bodygebiet nicht oder nicht
wesentlich geringere Dotierstoffdichte aufweist. Entsprechend weist
eine erfindungsgemäße Trench-Transistorzelle eine
von einer Drain-Sourcespannung UDS gegenüber herkömmlichen
Trench-Transistorzellen weit gehend unabhängige Einsatzspannung UGS(th) auf. Bei auf der erfindungsgemäßen Trench-Transistorzelle beruhenden
IGBTs ist gegenüber
herkömmlichen
IGBTs bei sonst gleicher Bodygeometrie ein Kurzschlussstrom
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reduziert.
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Im Einzelnen ist eine erfindungsgemäße Trench-Transistorzelle
in einem Halbleitersubstrat angeordnet, das eine Substratoberfläche aufweist. Im
Halbleitersubstrat sind jeweils im Wesentlichen horizontal geschichtet
ein Draingebiet und darüber ein
Bodygebiet angeordnet. Dabei weist das Draingebiet eine Dotierung
eines ersten Leitungstyps auf und das Bodygebiet eine Dotierung
eines dem ersten Leitungstyp entgegengesetzten zweiten Leitungstyps.
Das Bodygebiet erstreckt sich bezogen zur Substratoberfläche bis
zu einer Bodytiefe. Auf Höhe
der Bodytiefe ist zwischen dem Bodygebiet und dem Draingebiet ein
Body-Drainübergang
ausgebildet. Im Halbleitersubstrat ist ferner ein sich von der Substratoberfläche bis über die
Bodytiefe hinaus erstreckender Graben angeordnet. Erfindungsgemäß weist
das Bodygebiet in der Nähe
des Body-Drainübergangs
eine gegenüber
einer maximalen Dotierstoffdichte im Bodygebiet nicht oder nicht
wesentlich geringere Dotierstoffdichte auf.
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Nach einer bevorzugten Ausbildungsform der
erfindungsgemäßen Trench-Transistorzelle
weist die Dotierstoffdichte im Bodygebiet zwischen der Substratoberfläche und
dem Body-Drainüber gang mehrere
relative Maximalwerte auf. Bei einer Ausdehnung des Bodygebiets
in zum Body-Drainübergang
senkrechter Richtung von bis zu 3 μm sind dabei bevorzugt zwei
oder drei Maximalwerte vorgesehen.
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Bevorzugt weist die Dotierstoffdichte
im Bodygebiet einen absoluten Maximalwert auf, den die Dotierstoffdichte
in einem gleichen oder größeren Abstand
zur Substratoberfläche
als zum Body-Drainübergang
erreicht.
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Nach einer bevorzugten Ausführungsform der
erfindungsgemäßen Trench-Transistorzelle
erreicht die Dotierstoffdichte im Bodygebiet einen absoluten Maximalwert
im Wesentlichen in der Mitte zwischen der Substratoberfläche und
dem Body-Drainübergang.
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Nach einer anderen bevorzugten Ausführungsform
der erfindungsgemäßen Trench-Transistorzelle
erreicht die Dotierstoffdichte im Bodygebiet einen absoluten Maximalwert
im Wesentlichen in der Nähe
des Body-Drainübergangs.
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Zum Ausgleich einer schwankenden
Ausdehnung eines mindestens in Abschnitten zwischen der Substratoberfläche und
dem Bodygebiet angeordneten Sourcegebiets entlang einer Grabenwandung
des Grabens ist die Dotierstoffdichte im Bodygebiet in am Graben
anschließenden
Grabenbereichen bei gleichem Abstand zur Substratoberfläche höher als
in dem Graben fernen Mesabereichen.
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Mit der erfindungsgemäßen Trench-Transistorzelle
lassen sich unter anderen Transistoranordnungen wie n-Kanal und
p-Kanal MOS-Leistungstransistoren, jeweils für Anreicherungs- und Verarmungsbetrieb,
sowie IGBTs und Drain-up Transistoranordnungen für IC-Prozesse realisieren.
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Nachfolgend wird die Erfindung anhand
der Figuren näher
erläutert,
wobei für
einander entsprechende Komponenten identische Bezugszeichen verwendet
werden. Dabei zeigen:
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1 ein
Diagramm mit Dotationsprofilen eines Bodygebietes nach einem ersten
Ausführungsbeispiel
einer erfindungsgemäßen Trench-Transistorzelle
(m logarithmischen Maßstab,
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2 ein
Diagramm mit Dotationsprofilen eines Bodygebietes einer herkömmlichen Trench-Transistorzelle
im logarithmischen Maßstab,
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3 ein
Diagramm mit einem Dotationsprofil eines Bodygebietes einer herkömmlichen Trench-Transistorzelle
im linearen Maßstab,
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4 ein
Diagramm mit Dotationsprofilen eines Bodygebietes nach dem ersten
Ausführungsbeispiel
einer erfindungsgemäßen Trench-Transistorzelle
im linearen Maßstab,
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5 einen
schematischen Querschnitt durch einen Ausschnitt einer erfindungsgemäßen Transistoranordnung
nach einem zweiten Ausführungsbeispiel,
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6 einen
schematischen Querschnitt durch einen Ausschnitt einer erfindungsgemäßen Transistoranordnung
nach einem dritten Ausführungsbeispiel
und
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7 einen
schematischen Querschnitt durch einen Ausschnitt einer erfindungsgemäßen Transistoranordnung
nach einem vierten Ausführungsbeispiel.
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1 bis 4 zeigen Diagramme mit Dotationsprofilen,
die einen Zusammenhang zwischen einem Abstand von einer Substratoberfläche, von
der aus eine Implantation erfolgt, und einer Dotierstoffdichte darstellen.
Die Abszisse der Diagramme ist dabei jeweils mit einem Abstand von
der Substratoberfläche
in μm und
die Ordinate mit der Dotationsdichte (Konzentration) eines Dotierstoffes
in cm–3 skaliert
ist. Ferner ist die Abszisse jeweils in zwei oder drei Abschnitte
I, II, III unterteilt, wobei der Abschnitt I im Wesentlichen einem
Sourcegebiet einer Trench-Transistorzelle, der Abschnitt II einem
Bodygebiet und der Abschnitt III einem Draingebiet zugeordnet ist.
Ein Übergang
zwischen den Abschnitten II und III in den Diagrammen korrespondiert
mit einem Body-Drainübergang
in der Trench-Transistorzelle.
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Zur Darstellung des Stands der Technik
wird zunächst
auf die 2 Bezug genommen.
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In der 2 sind
zwei Dotationsprofile a, b dargestellt, wie sie sich in einem Bodygebiet
einer auf herkömmliche
Weise hergestellten Trench-Transistorzelle ergeben. Dabei stellt
ein erstes Dotationsprofil a einen Verlauf der Dotierstoffdichte
nach einem Implantationsschritt dar. Die Implantationsenergie des
Implantationsschrittes korrespondiert mit einer Eindringtiefe des
Dotierstoffs von etwa 200 nm. Dabei bezieht sich die Eindringtiefe
auf einen Abstand (Tiefe) zur Substratoberfläche, in dem die Dichte des implantierten
Dotierstoffs maximal ist.
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Durch einen nachfolgenden Temperaturschritt,
wie er auch im Zuge eines Ausheilens von Implantationsschäden in der
Struktur eines Halbleitersubstrats und/oder zur Aktivierung der
Dotierung erfolgen kann, wird der implantierte Dotierstoff ausdiffundiert.
In Abhängigkeit
einer Diffusionsdauer und ei ner Diffusionstemperatur diffundiert
der Dotierstoff entlang und proportional einem Dichtegradienten.
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Nach einem Abbruch des Diffusionsprozesses
zu einem geeigneten Zeitpunkt ergibt sich für das mit dem Abschnitt II
der Abszisse korrespondierendes Bodygebiet die im zweiten Dotationsprofil
b dargestellte Abhängigkeit
der Dotierstoffdichte vom Abstand zur Substratoberfläche.
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Nach dem Ausdiffundieren folgt die
Dotierstoffdichte in etwa einer Gaußschen Verteilungsfunktion,
wobei die Dotierstoffdichte zum Body-Drainübergang (II/III) hin um mehrere
Größenordnungen abnimmt.
Die relativ niedrige Dotierstoffdichte am Body-Drainübergang
(II/III) führt
dazu, dass sich eine am Body-Drainübergang (II/III) ausgebildete
Raumladungszone weit in das Bodygebiet (II) hinein erstreckt und
einen dort vorhandenen Kanal verkürzt.
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Die Dotierstoffdichte wird durch
die gewünschte
Kanallänge
begrenzt. Einer Erhöhung
der Menge an implantierten Dotierstoff steht entgegen, dass dadurch
die maximale Dotierstoffdichte im Bodygebiet verändert wird, die eine Einsatzspannung und
damit die elektrischen Eigenschaften der Trench-Transistorzelle
nachteilig beeinflusst.
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Die 1 zeigt
ein erstes Dotationsprofil a (strichliert), das sich erfindungsgemäß etwa nach
einer Implantation von Bor in einem sich im Wesentlichen in einem
Abstand zwischen 400 nm und 1,8 μm zur
Substratoberfläche
erstreckenden Bodygebiet ergibt. Dabei erfolgt die Implantation
des Dotierstoffs Bor in drei etwa gleichgroßen Chargen mit drei verschiedenen
Implantationsenergien, die in etwa Eindringtiefen von 500 nm, 850
nm und 1,2 μm
entsprechen.
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Das erste Dotationsprofil a weist
entsprechend den Eindringtiefen drei relative Maxima auf, wobei
eines der Maxima näher
zu einem Body-Drainübergang
(II/III) ausgebildet ist als zur Substratoberfläche.
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Ein zweites Dotationsprofil b (durchgezogen) ergibt
sich, indem das Bodygebiet mit dem Dotationsprofil a einem Temperaturschritt
zum Ausdiffundieren des Dotierstoffs unterworfen wird. Im Zuge des
Ausdiffundierens nivellieren sich mit fortschreitender Diffusion
zunächst
die relativen Maxima des Dotationsprofils a. Nach einem Abbruch
des Diffusionsprozesses zu einem geeigneten Zeitpunkt weist das
Dotationsprofil b stattdessen vorteilhafterweise im Bereich zwischen
den Eindringtiefen der Implantationsschritte einen plateauartigen
Verlauf konstanter Dotierstoffdichte auf.
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Gegenüber einem Dotationsprofil eines
Bodygebiets einer nach herkömmlicher
Art erzeugten Trench-Transistorzelle mit gleicher maximaler Dotierstoffdichte
ist das erfindungsgemäß vorgesehene Dotationsprofil
b in der Mitte des Bodygebietes sowie in einem Bereich zwischen
der Mitte des Bodygebietes und dem Body-Drainübergang deutlich angehoben.
Die erhöhte
Dotierstoffdichte in diesem Bereich führt dazu, dass sich eine Raumladungszone
um den Body-Drainübergang
weniger weit in das Bodygebiet ausdehnt.
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In der 3 ist
ein in etwa dem Dotationsprofil b der 2 entsprechendes
Dotationsprofil im linearen Maßstab
der Dotierstoffdichte dargestellt.
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In der 4 ist
ein in etwa dem Dotationsprofil b der 1 entsprechendes
Dotationsprofil im linearen Maßstab
der Dotierstoffdichte dargestellt.
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Die 5 zeigt
einen Querschnitt durch eine Anordnung mit Trench-Transistorzellen,
wie sie sich gemäß dem erfindungsgemäßen Verfahren
nach einem ersten Implantationsschritt zur Ausbildung eines Bodygebietes 22 in
einem Halbleitersubstrat ergibt.
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Auf einem beispielsweise n+-dotierten Grundsubstrat wird etwa durch
ein epitaktisches Verfahren eine schwach n-dotierte Prozessschicht
aufgewachsen. Dabei bildet das Grundsubstrat funktionell eine Drainzone 24.
Danach werden in die Prozessschicht Gräben 3 eingebracht
und mit einer dielektrischen Schicht 38 ausgekleidet. Die
dielektrische Schicht 38 wird etwa durch thermische Oxidation
eines die Prozessschicht aufbauenden Halbleitermaterials erzeugt
und erstreckt sich zu diesem Zeitpunkt des Verfahrens auch über eine
Substratoberfläche 201 der
Prozessschicht. Anschließend
wird etwa durch ein Abscheiden von Polysilizium in den Gräben 3 jeweils
eine Gateelektrode 37 ausgebildet. Dabei reicht eine Oberkante
der Gateelektrode 37 nicht vollständig bis an die Substratoberfläche 201 (Siliziumkante).
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Wird nun eine solche Anordnung einem Hochenergie-Implantationsschritt
zur Ausbildung eines p-dotierten Bodygebietes 22 mit einer
Eindringtiefe in einigem Abstand zur Substratoberfläche 201 unterzogen,
so ergibt sich eine in 5 dargestellte Ausbildung
des Bodygebietes 22. Das Bodygebiet 22 erstreckt
sich in Mesabereichen 32 zwischen den Gräben 3 in
einem Gebiet beiderseits der Eindringtiefe des Implantationsschrittes
bis maximal zu einer Bodytiefe b. In unmittelbar an die Gräben 3 anschließenden Grabenbereichen 31 findet
dagegen auch eine Implantation über
nicht abgedeckte Abschnitte von Grabenwandungen oberhalb einer Oberkante der
Gateelektrode 37 statt, die bezogen auf die Bodytiefe b
in Mesabereichen 32 tiefer in die Prozessschicht eindringt.
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Unterhalb des p-dotierten Bodygebietes 22 verbleibt
in der Prozessschicht eine Driftzone 23, die zusammen mit
der Drainzone 24 das Draingebiet 234 bildet. Am Übergang
zwischen dem Draingebiet 234 und dem Bodygebiet 22 ergibt
sich ein Body-Drainübergang 202.
In einem in diesem Stadium des Verfahrens oberhalb des Bodygebiets 22 verbleibenden Abschnitt
der Prozessschicht werden im weiteren Verfahrensablauf durch weitere
Implantationsschritte Erweiterungen des Bodygebiets 22 und
Sourcegebiete ausgebildet.
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Ein Ausführungsbeispiel für eine aus
der in 5 dargestellten
Anordnung hervorgegangene Transistoranordnung mit zwei Trench-Transistorzellen
ist in der 6 gezeigt.
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Die Anordnung weist neben dem aus
der Driftzone 23 und der Drainzone 24 zusammengesetzten
Draingebiet 234 ein sich zwischen der Substratoberfläche 201 und
dem auf Höhe
einer Bodytiefe b ausgebildeten Body-Drainübergang 202 angeordnetes
Bodygebiet 22 und ein Sourcegebiet 21 auf, das
in Abschnitten zwischen dem Bodygebiet 22 und der Substratoberfläche 201 angeordnet
ist. Die in den Gräben 3 angeordneten
Gateelektroden 37 sind jeweils mittels der dielektrischen
Schicht 38 von den außerhalb
der Gräben 3 angeordneten
dotierten Gebieten 21, 22, 23 elektrisch
isoliert. Ferner weist die Anordnung eine auf der Substratoberfläche 201 angeordnete
Sourcemetallisierung 41 zur elektrischen Kontaktierung
der Sourcegebiete 21 auf. Eine Kontaktierung des Drainbereichs 234 erfolgt über eine
an die Drainzone 24 anschließende Drainmetallisierung 43.
Eine Kontaktierung der Gateelektroden 37 erfolgt in einer
zur Querschnittsebene senkrechten Richtung. Zwischen der Sourcemetallisierung 41 und
der Gateelektrode 37 ist ein Zwischenoxid 39 zur
elektrischen Isolation und kapazitiven Ent kopplung der Gateelektrode 37 von
der Sourcemetallisierung 41 vorgesehen.
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Erfindungsgemäß weisen die Trench-Transistorzellen
in den unmittelbar an die Gräben
anschließenden
Grabenbereichen 31 zusätzliche
Bodygebiete 22' auf, die das Bodygebiet 22 in
Richtung des Draingebiets 234 erweitern.
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Damit kann einer Kanalverkürzung entgegengewirkt
werden, die sich bei einer Implantation der Sourcegebiete 21 zu
einem Zeitpunkt ergibt, bei dem die Gateelektroden 37 bereits
in den Gräben 3 vorgesehen
sind, ohne dabei die Gräben 3 voll– ständig zu
füllen.
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In diesem Fall ergibt sich eine in
der 7 dargestellte Anordnung,
die sich von der in der 6 dargestellten
Anordung durch zusätzliche
Sourcegebiete 21'' im Grabenbereich 31 unterscheidet.
Da die Ausdehnung sowohl des zusätzlichen
Bodygebietes 22' als auch des zusätzlichen Sourcegebietes 21'' vom
Abstand einer Oberkante der Gateelektrode 37 zur Substratoberfläche 201 abhängen, ergibt
sich erfindungsgemäß ein über alle
Trench-Transistorzellen einer Transistoranordnung selbstjustierendes
Verfahren zum Abgleich der Kanallängen, das fertigungsbedingte
Schwankungen bezüglich
des Abstands der Oberkante der Gateelektrode 37 zur Substratoberfläche 201 ausgleicht.
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- 201
- Substratoberfläche
- 202
- Body-Drainübergang
- 21,
21'
- Sourcegebiet
- 22,
22'
- Bodygebiet
- 23
- Driftzone
- 234
- Draingebiet
- 24
- Drainzone
- 3
- Graben
- 31
- Grabenbereich
- 32
- Mesabereich
- 37
- Gateelektrode
- 38
- Isolatorschicht
- 39
- Zwischenoxid
- 41
- Sourcemetallisierung
- 43
- Drainmetallisierung
- b
- Bodytiefe