DE10218160C1

DE10218160C1 - Vorrichtung zur Ermittlung des Einfallwinkels einer Strahlung auf eine Strahlungseinfallfläche

Info

Publication number: DE10218160C1
Application number: DE10218160A
Authority: DE
Inventors: Erhard Muesch; Wolfram Budde
Original assignee: Elmos Semiconductor SE
Current assignee: Elmos Semiconductor SE
Priority date: 2002-04-23
Filing date: 2002-04-23
Publication date: 2003-12-24
Anticipated expiration: 2022-04-24
Also published as: US6875974B2; EP1357393B1; US20030197114A1; EP1357393A1

Abstract

Die Vorrichtung zur Ermittlung des Einfallwinkels einer Strahlung auf eine Strahlungseinfallfläche weist mindestens zwei erste Photodiodenpaare (36) mit ersten Photodioden (30) auf, die entlang einer ersten Achse (12) angeordnet und paarweise in Reihe geschaltet sind, wobei jede erste Photodiode (30) eine Raumladungszone (32) mit einer zur Strahlungseinfallfläche (14) hin weisenden Raumladungszonenfläche (34) aufweist. Ferner ist die Vorrichtung mit einer mit Abstand (44) oberhalb der Raumladungszonenflächen (34) der ersten Photodioden (30) angeordneten, strahlungsdurchlässige Bereiche (48) aufweisenden Abschattungsmaske (46) versehen, wobei jeder strahlungsdurchlässige Bereich (48) den Raumladungszonenflächen (34) der beiden ersten Photodioden (30) eines ersten Photodiodenpaares (36) zugeordnet ist und wobei - bei Betrachtung in Richtung der Normalen der Strahlungseinfallfläche (14) - der Grad an Überdeckung zwischen einem strahlungsdurchlässigen Bereich (48) mit den diesem zugeordneten Raumladungszonenflächen (34) in Richtung der ersten Achse (12) für mindestens zwei der ersten Photodiodenpaare (36) unterschiedlich ist. Schließlich umfasst die Vorrichtung auch eine Auswerteeinheit (56), die den Photostrom und/oder die Photospannung jeder ersten Photodiode (30) jedes ersten Photodiodenpaares (36) abfragt und anhand eines Vergleichs der Photoströme und/oder der Photospannungen den Einfallwinkel ermittelt, unter dem die in der Projektion parallel zur ersten Achse (12) ...

Description

Die Erfindung betrifft eine Vorrichtung zur Ermittlung des Einfallwinkels einer Strahlung auf eine Strahlungseinfallfläche.

Bei einer Vielzahl von Anwendungsfällen ist es zweckmäßig, den Einfallwinkel einer Strahlung messtechnisch ermitteln zu können. So werden beispielsweise in Kfz-Klimaanlagen Sonnensensoren eingesetzt, die die Intensität und die Richtung, aus der die Sonnenstrahlung auf das Fahrzeug auftrifft, ermitteln.

Sonnensensoren für Kraftfahrzeuge weisen im allgemeinen eine nicht unerheb liche Bauhöhe auf, um die sie aus dem Armaturenbrett vorstehen. Dies wird als optisch störend empfunden.

Eine Aufgabe der Erfindung ist es, eine Vorrichtung zur Ermittlung des Einfall winkels einer Strahlung auf eine Strahlungseinfallfläche zu schaffen, die eine recht flache Struktur aufweist und sich somit in für den Betrachter einsehbare Flächen integrieren lässt.

Zur Lösung dieser Aufgabe wird mit der Erfindung eine Vorrichtung zur Er mittlung des Einfallwinkels einer Strahlung auf eine Strahlungseinfallfläche vorgeschlagen, wobei die Vorrichtung versehen ist mit

- mindestens zwei ersten Photodiodenpaaren mit ersten Photodioden, die entlang einer ersten Achse angeordnet und paarweise in Reihe geschaltet sind,
- wobei jede erste Photodiode eine Raumladungszone mit einer zur Strah lungseinfallfläche hin weisenden Raumladungszonenfläche aufweist,
- einer mit Abstand oberhalb der Raumladungszonenflächen der ersten Photodioden angeordneten, strahlungsdurchlässige Bereiche aufweisen den Abschattungsmaske,
- wobei jeder strahlungsdurchlässige Bereich den Raumladungszonenflä chen der beiden ersten Photodioden eines ersten Photodiodenpaares zu geordnet ist und
- wobei - bei Betrachtung in Richtung der Normalen der Strahlungseinfall fläche - der Grad an Überdeckung zwischen einem strahlungsdurchlässi gen Bereich mit den diesem zugeordneten Raumladungszonenflächen in Richtung der ersten Achse für mindestens zwei der ersten Photodioden paare unterschiedlich ist, und
- einer Auswerteeinheit, die den Spannungsabfall über jeder ersten Photo diode jedes ersten Photodiodenpaares und/oder den Strom durch jede erste Photodiode jedes ersten Photodiodenpaares abfragt und anhand ei nes Vergleichs Spannungsabfälle und/oder Ströme den Einfallwinkel er mittelt, unter dem die in der Projektion parallel zur ersten Achse gerich tete Komponente der Strahlung auf die Strahlungseinfallfläche auftrifft,
- wobei die Auswerteeinheit insbesondere das Potential an dem Verbin dungspunkt zwischen den ersten Photodioden jedes ersten Photodioden paares und/oder die Ströme durch die ersten Photodioden jedes ersten Photodiodenpaares abfragt und anhand der Veränderung des Verbin dungspunktpotentials der ersten Photodiodenpaare und/oder der Verän derung des Ergebnisses eines Größer-Kleiner-Vergleichs der Ströme durch die ersten Photodioden jedes Photodiodenpaares den Einfallwinkel ermittelt, unter dem die in der Projektion parallel zur ersten Achse ge richtete Komponente der Strahlung auf die Strahlungseinfallfläche auf trifft.

Nach der Erfindung ist vorgesehen, dass mehrere erste Photodioden entlang einer ersten Achse nebeneinander liegend angeordnet sind. Jeweils zwei be nachbarte erste Photodioden sind zu einem ersten Photodiodenpaar zusam mengefasst. Mindestens zwei derartige erste Photodiodenpaare existieren. Für jedes erste Photodiodenpaar gilt, dass die Kathode der einen ersten Photodio de mit der Anode der anderen ersten Photodiode elektrisch verbunden ist.

Jede erste Photodiode weist eine Raumladungszone auf, die der einfallenden Strahlung ausgesetzt ist. Oberhalb der Raumladungszonenflächen der ersten Photodioden befindet sich eine Abschattungsmaske, die mit Abstand zu den ersten Photodioden angeordnet ist. Diese Abschattungsmaske weist entlang der ersten Achse nebeneinander liegende strahlungsdurchlässige Bereiche auf, die von strahlungsundurchlässigen Bereichen getrennt sind. Jeder strahlungs durchlässige Bereich ist den Raumladungszonenflächen eines ersten Photodio denpaares zugeordnet. Die Anordnung der strahlungsdurchlässigen Bereiche ist nun derart gewählt, dass die strahlungsdurchlässigen Bereiche gegenüber den ihnen zugeordneten Raumladungszonenflächen unterschiedlich stark ver setzt angeordnet sind. Mit anderen Worten ist also bei Betrachtung in Richtung der Normalen der Strahlungseinfallfläche der Grad an Überdeckung zwischen einem strahlungsdurchlässigen Bereich mit den diesem zugeordneten Raumla dungszonenflächen in Richtung der ersten Achse für mindestens zwei der ers ten Photodiodenpaare unterschiedlich.

Fällt nun Strahlung auf die Abschattungsmaske, so lassen deren strahlungs durchlässige Bereiche Strahlung bis zu den Raumladungszonenflächen der ein zelnen ersten Photodiodenpaare durch. Innerhalb eines durch die Geometrie der strahlungsdurchlässigen Bereiche, der Raumladungszonenflächen und des Abstandes der Abschattungsmaske von den Raumladungszonenflächen be stimmten Strahlungseinfallwinkelbereichs sind die Raumladungszonenflächen eines der ersten Photodiodenpaare im wesentlichen gleich stark der Strahlung ausgesetzt. Dies kann messtechnisch erfasst werden, indem beispielsweise die Spannung am Verbindungspunkt der beiden Photodioden jedes ersten Photodi odenpaars mit der Versorgungsspannung der Photodiodenpaare verglichen wird. Ist die Spannung bzw. das Potential am Verbindungspunkt in etwa gleich der Hälfte des Vorsorgungspotentials, so bedeutet dies, dass die Raumla dungszonenflächen dieses ersten Photodiodenpaars gleichmäßig der Strahlung ausgesetzt ist. In einer Tabelle oder einem anderweitigen Speicher kann dann abgelesen werden, welchem Strahlungseinfallwinkel dies entspricht. Dieser Strahlungseinfallwinkel ist nämlich unter anderem von dem Versatz des strah lungsdurchlässigen Bereichs der Abschattungsmaske abhängig, der den Raumladungszonenflächen des betreffenden ersten Photodiodenpaares zuge ordnet ist. Ferner geht in die Berechnung auch der Abstand der Abschat tungsmaske von den Photodioden ein. Insoweit kann man also für jedes Pho todiodenpaar denjenigen Einfallwinkel zuordnen, unter dem die Strahlung ein fällt, wenn das Verbindungspunktpotential beispielsweise die Hälfte des Ver sorgungspotentials beträgt. Auf diese Weise ist der Einfallwinkel direkt digital bestimmbar, und zwar anhand eines Größer-Kleiner-Vergleichs der Photoströ me (wenn an die Photodioden eine Versorgungsspannung angelegt wird, die Photodioden also als passive Elemente betrieben werden) bzw. Photospannun gen (wenn die Photodioden als aktive Bauelemente betrieben werden, die eine Photospannung erzeugen, wenn auf sie Strahlung eintrifft) der Photodioden jedes Photodiodenpaares bzw. des Vergleichs der Verbindungspunktpotentiale jedes Photodiodenpaares.

Anstelle der halben Versorgungsspannung kann man beispielsweise auch das Potential des Verbindungspunktes mit jedem anderen Bruchteil des Versor gungspotentials vergleichen. Auf Grund der geometrischen Anordnung (Versätze parallel und senkrecht zu den Raumladungszonenflächen der Photo dioden) ist stets eine Aussage über den Einfallwinkel der Strahlung möglich.

Die zuvor beschriebenen Auswertungen werden in einer Auswerteeinheit der erfindungsgemäßen Vorrichtung durchgeführt. Ganz allgemein gesprochen wird dabei die Veränderung des Verbindungspotentials von erstem Photodio denpaar zu erstem Photodiodenpaar digital untersucht, um den Einfallwinkel zu ermitteln, unter dem die parallel zur ersten Achse gerichtete Komponente der Strahlung auf die Strahlungseinfallfläche auftrifft.

Die zuvor beschriebene lineare Anordnung lässt sich entlang zweier winklig zueinander verlaufender erster und zweiter Achsen anordnen, die insbeson dere orthogonal zueinander sind. Damit ist es dann möglich, den Einfall- Raumwinkel zu ermitteln, unter dem die Strahlung auf die Strahlungseinfallflä che trifft.

Der zumindest für einige der ersten Photodiodenpaare unterschiedliche (Horizontal-)Versatz der strahlungsdurchlässigen Bereiche der Abschattungs maske gegenüber den Raumladungszonenflächen der ersten Photodiodenpaare wird zweckmäßigerweise dadurch realisiert, dass der Mittenabstand der strah lungsdurchlässigen Bereiche der Abschattungsmaske verschieden ist von dem Mittenabstand der ersten Photodiodenpaare. Hierbei ist es möglich, dass die jeweiligen Mittenversätze über die gesamte erste bzw. zweite Achse betrachtet konstant sind oder aber monoton zu- oder abnehmen oder sich in anderer Weise, insbesondere willkürlich, verändern. Ferner ist jede andere Anordnung verschiedener Positionen von strahlungsdurchlässigen Bereichen der Abschat tungsmaske zu den Raumladungszonenflächen der ersten bzw. zweiten Photo diodenpaare möglich. Die jeweilige Geometrie ist allerdings bei der Auswertung zu berücksichtigen, was oben bereits beschrieben worden ist.

Der Vorteil der erfindungsgemäßen Vorrichtung ist darin zu sehen, dass die Gesamtkonstruktion eine denkbar geringe Bauhöhe aufweist. Die erfindungs gemäße Vorrichtung lässt sich nämlich in die Oberfläche eines halbleitenden Substrats integrieren bzw. auf dieser aufbauen. Dabei sind die Photodioden in die Oberfläche des halbleitenden Substrats eingebracht, während die Ab schattungsmaske als beispielsweise Metallisierungsschicht einer Halbleiterher stellungstechnologie durch ein Dielektrikum (beispielsweise Siliziumoxid) von der Oberfläche des halbleitenden Substrats beabstandet angeordnet ist. Insbe sondere eignet sich ein SOI-Substrat, das eine im wesentlichen parallel zur Oberfläche verlaufende horizontale Isolationsschicht sowie mit dieser verbun dene vertikale Isolationsgräben aufweist. Hierdurch entstehen einzelne elekt risch voneinander isolierte Inseln, in denen die Photodioden bzw. die Photodio denpaare angeordnet werden können. Andere Substrate sind selbstverständ lich ebenfalls denkbar. So könnten die isolierten Inseln auch z. B. durch Wan nen-Technologien realisiert werden, bei denen die Photodioden bzw. Photodio denpaare in einzelnen in die Oberfläche des Substrats ausgebildete auch von einander isolierte Wannen eingebracht sind. Alternativ zur integrierten Bauwei se ist auch ein diskreter Aufbau denkbar.

Bereits oben wurde darauf hingewiesen, dass man mit der erfindungsgemäßen linearen Anordnung von paarweise miteinander verschalteten Photodioden den Raumwinkel der einfallenden Strahlung ermitteln kann. In einer ersten Vari ante ist eine derartige Anordnung so aufgebaut, dass jeweils ein erstes und ein zweites Photodiodenpaar einem gemeinsamen lichtdurchlässigen Bereich der Abschattungsmaske zugeordnet sind. Beispielsweise handelt es sich bei den strahlungsdurchlässigen Bereichen um Rechtecke, deren jeweils paarweise einander gegenüberliegende Kanten jeweils einem der beiden Photodioden paare, nämlich dem ersten oder dem zweiten Photodiodenpaar, zugeordnet sind. Zweckmäßigerweise wird in jeder der vier durch die Diagonalen des strahlungsdurchlässigen Bereichs definierten Teilbereiche jeweils eine Photodi ode angeordnet. Hierdurch entsteht eine Photodioden-Array-Struktur mit einer Gitter-Abschattungsmaske.

Die Abdeckung der Abschattungsmaske z. B. zum Schutz gegen Beschädigun gen erfolgt beispielsweise, wie in der Halbleitertechnologie grundsätzlich be kannt, durch eine optisch "dichte" Passivierungsschicht. Auf diese Schicht wird ein Kunststoffmaterial aufgebracht, wie es z. B. von optischen Elementen bzw. Bauteilen in der Photo-Elektronik bekannt ist. Das aus dem optisch dünneren Medium, nämlich der Umgebung, d. h. Luft, auf die Kunststoffschicht auftref fende Sonnenlicht wird in dieser zur Normalen hin gebrochen, so dass auch bei flachem Sonnenlichteinfall der maximal zulässige Einfallwinkel nicht erreicht wird, weshalb der erfindungsgemäße Sensor in seiner Anwendung als Sonnen sensor den Einfall der Strahlung nahezu im gesamten Halbraum (0°-180°) erfassen und detektieren kann.

Die Erfindung wird nachfolgend anhand der Zeichnung näher erläutert. Dabei zeigen im einzelnen:

Fig. 1 die erfindungsgemäße Anordnung im Querschnitt sowie für den Fall, dass die Strahlung in einem ersten detektierbaren ersten Winkel auf trifft,

Fig. 2 die erfindungsgemäße Anordnung im Querschnitt sowie für den Fall, dass die Strahlung in einem zweiten detektierbaren zweiten Winkel auftrifft,

Fig. 3 eine Draufsicht auf die Anordnung gemäß Fig. 1 bzw. Fig. 2,

Fig. 4 eine schematische teilweise auf Blockschaltbildebene dargestellte Schaltung zur Auswertung der Photodiodenpotentiale zur Ermittlung des Strahlungseinfallwinkels und

Fig. 5 eine Draufsicht auf eine zweidimensionale Anordnung zur Ermittlung des Einfallraumwinkels einer beispielsweise Sonnenstrahlung o. dgl.

Fig. 1 bis 3 zeigen den grundsätzlichen Aufbau einer Vorrichtung 10 zur Er mittlung des Einfallwinkels derjenigen Komponente einer Strahlung, die ent lang der durch den Doppelpfeil 12 angedeuteten Achse auf eine Strahlungs einfallfläche 14 auftritt. Die Vorrichtung 10 weist ein Halbleitersubstrat 16 auf, das in diesem Fall als SOI-Substrat ausgebildet ist und eine unterhalb der O berfläche 18 des Substrats 16 verlaufende horizontale Isolationsschicht 20 aufweist. In die Oberfläche 18 des Substrats 16 sind vertikale Isolationsgräben 22 eingebracht, wodurch sich in der Oberfläche 18 des Substrats 16 einzelne dielektrisch voneinander isolierte Bereiche 24 bilden. In jedem dieser Bereiche 24 ist ein p-dotiertes Gebiet 26 und ein n-dotiertes Gebiet 28 einer Photodiode 30 eingebracht. Jede Photodiode 30 weist eine Raumladungszone 32 mit einer in der Oberfläche 18 des Substrats 16 liegenden Raumladungszonenfläche 34 auf.

Zwei jeweils benachbarte Photodioden 30 sind zu einem Photodiodenpaar 36 miteinander verschaltet (nicht dargestellt). Die p- und n-Gebiete 26,28 der Photodioden 30 jedes Photodiodenpaares 36 sind symmetrisch zum zwischen den Photodioden 30 angeordneten Isolationsgraben 22, wobei die Dotierstoff konzentrationen der p-Gebiete 26 im Vergleich zu den n-Gebieten 28 gleich oder gleich oder unterschiedlich und die p- oder die n-Gebiete 26,28 jeweils untereinander gleich stark dotiert sind. Der Abstand benachbarter Photodio denpaare 36 ist in diesem Fall für sämtliche Photodiodenpaare 36 konstant und in Fig. 1 bei 40 eingezeichnet.

Auf der Oberfläche 18 des Substrats 16 befindet sich eine lichtdurchlässige (Isolations-)Schicht 42, die eine bei 44 eingezeichnete Höhe aufweist. Auf die ser Schicht 42 befindet sich eine Abschattungsmaske 46 mit lichtdurchlässigen Bereichen 48 und lichtundurchlässigen Bereichen 50. Jeder lichtdurchlässige Bereich 48 ist den Raumladungszonenflächen 34 eines Photodiodenpaares 36 zugeordnet. Dabei gilt, dass der (Mitten-)Abstand 52 benachbarter lichtdurch lässiger Bereiche 48 der Abschattungsmaske 46 verschieden (in diesem Aus führungsbeispiel kleiner) als der Abstand 40 benachbarter Photodiodenpaare 36 ist.

Durch diese geometrische Anordnung verändert sich die Lage jedes licht durchlässigen Bereichs 48 der Abschattungsmaske 46 relativ zu dem jeweils zugeordneten Photodiodenpaar 36. Die einfallende Strahlung 54 trifft also in Abhängigkeit von der jeweiligen Relativlage von strahlungsdurchlässigem Be reich 48 und Photodiodenpaar 36 mehr oder weniger stark auf eine oder beide Raumladungszonen 32 auf. Damit werden in den beiden Photodioden 30 jedes Photodiodenpaars 36 mehr oder weniger starke Photodiodenströme I_li und I_ri generiert, wobei I für die in den Figuren linke Photodiode eines Photodioden paars, r für die rechte Photodiode steht und i = 1 bis Anzahl der Photodioden paars ist.

In dem Beispiel gemäß Fig. 1 gilt:

I_l1 < I_r1, I_l2 < I_r2, I_l3 < I_r3.

Der Winkel, unter dem die Strahlung einfällt, liegt also zwischen denjenigen (Grenz-)Winkeln, die durch die Relativlage, d. h. den Versatz der in Fig. 1 in der Mitte und rechts eingezeichneten Photodiodenpaare 36 zur den diesen Photodiodenpaaren 36 zugeordneten lichtdurchlässigen Bereichen 48 der Ab schattungsmake 46 bestimmt ist; denn für diese beiden Photodiodenpaare gilt, dass der Vergleich der linken und rechten Photoströme von kleiner als auf grö ßer als (oder umgekehrt) wechselt.

Für den Fall gemäß Fig. 2 gilt:

I_l1 < I_r1, I_l2 = I_r2, I_l3 < I_r3.

Das bedeutet, dass der Winkel durch die Geometrie der Vorrichtung 10 im Bereich des in den Figuren mittleren Photodiodenpaares 36 also durch den Relativversatz vom lichtdurchlässigen Bereich zum Photodiodenpaar bestimmt ist. Werden die Photodioden 30 dieses mittleren Photodiodenpaares 36 gleich mäßig mit einfallender Strahlung versorgt, so muss diese Strahlung nahezu senkrecht auf die Strahlungseinfallfläche 14 auftreffen, was sich beispielsweise auch aus Fig. 2 ergibt. Es kann also durch digitale Auswertung eine Aussage über den Strahlungseinfallwinkel getroffen werden.

Fig. 4 zeigt den Aufbau einer Auswerteeinheit 56 zur Ermittlung des Einfallwin kels der auftreffenden Strahlung. Diese Auswerteeinheit 56 ist in diesem Aus führungsbeispiel mit einem n-auf-1-Multiplexer 58 versehen, dessen n- Eingänge 60 mit den Verbindungspunkten 62 der Photodioden 30 der Photodi odenpaare 36 verbunden sind. Der Ausgang 64 des Multiplexers 58 ist mit ei nem Komparator 66 verbunden, der dies jeweilige Potential am Verbindungs punkt 62 mit dem halben Versorgungspotential VB/2 der Versorgungsspan nung VB der Photodiodenpaare 36 vergleicht. Für jedes Photodiodenpaar 36 wird nun dieser Vergleich durchgeführt und am Ausgang des Komparators 66 entsteht dann eine Folge von den Photodiodenpaaren eindeutig zugeordneten Nullen und Einsen, die in einem Schieberegister 68 abgelegt werden. Dieses Schieberegister 68 wird ausgelesen, wobei der Übergang von Null auf Eins der Sequenz aus Nullen und Einsen detektiert wird. Damit ist nun bekannt, bei welchem der Photodiodenpaare der Übergang von Null auf Eins erfolgt. Daraus aber wiederum kann man ermitteln, unter welchem Winkel die Strahlung ein fällt, und zwar sowohl für - bezogen auf die Figuren - Strahlungseinfall von links als auch von rechts. Aus einer Tabelle 70 wird dann der Strahlungsein fallwinkel ausgelesen. Die Tabelle 70, das Schieberegister 68 und der Multiple xer 58 werden von einer zentralen Steuereinheit 72 gesteuert.

Abschließend soll noch kurz anhand von Fig. 5 gezeigt werden, wie die Vor richtung 10' für den Fall aufgebaut ist, dass der Raumwinkel der einfallenden Strahlung ermittelt werden soll. In diesem Fall ist die Abschattungsmaske 46' als Gittermaske ausgeführt. In dem Substrat 16' sind in diesem Fall quadrati sche Bereiche definiert, die durch vertikale längs der Diagonalen verlaufende Isolationsgräben 22' voneinander isoliert sind. In den vier so entstehenden Bereichen 24' sind die einzelnen Photodioden ausgebildet, und zwar zwei Pho todioden für die y-Richtung und zwei Photodioden für die x-Richtung. Die Aus wertung in jeder Richtung erfolgt wie zuvor anhand der Fig. 1 bis 4 beschrie ben. Der Versatz der lichtdurchlässigen Bereiche 48' der Abschattungsmaske 46' ist entsprechend gewählt, so dass diese Bereiche 48' sowohl in x- als auch in y-Richtung gegenüber den Abständen der y-Photodiodenpaare und der x- Photodiodenpaare jeweils unterschiedlich sind.

Der Aufbau, die Funktionsweise und die Auswertung der erfindungsgemäßen Vorrichtung lassen sich also wie folgt zusammenfassend darstellen.

Aufbau (Fig. 1, 3)

Eine Anzahl von integrierten Photosensor-Paaren, bestehend aus p-n- Übergängen in einem Halbleiter, befindet sich unterhalb einer Schattenmaske, gebildet z. B. durch eine Metallisierungsschicht. Die einzelnen Photosensoren können vorteilhaft zur Erhöhung der Effizienz der Auswertung horizontal ge geneinander durch eine Isolationsschicht "IH" und für eine möglichst einfache Signalauswertung vertikal gegenüber dem gemeinsamen Substrat durch eine Schicht "IV" isoliert sein, wie z. B. in einer SOI-Technik realisierbar (Fig. 1). Auch eine Isolation durch weitere p-n-Übergänge (z. B. Wannengebiete) ist möglich.

Der Abstand "a" der Öffnungen in der Schattenmaske unterscheidet sich vom Abstand "b" der Sensorpaare (Fig. 1). Die Abstände "a" und "b" können jeweils konstant, aber auch variabel gewählt werden, wobei jedoch entweder die Be dingung a < b oder b < a einzuhalten sind (siehe auch Anmerkung 1).

Dabei ergibt sich unter jeder Öffnung der Schattenmaske eine etwas andere Lage des Sensorpaares als bei den linken und/oder rechten Nachbarn.

Funktion (Fig. 2)

Je nach Einfallwinkel des Lichts und der Position des Sensorpaares unter der Öffnung in der Schattenmaske wird der "linke" oder der "rechte" Sensor, ge nauer dessen Raumladungszone, stärker vom Lichteinfall getroffen. Der indu zierte Photostrom der beiden Dioden jedes Sensorpaares wird verglichen und daraus bestimmt, welche der beiden Dioden stärker dem Licht ausgesetzt ist. In Fig. 2 ist dies dargestellt. Die Größen I_l1, I_r1. . . I_l3, I_r3 sind die jeweils be leuchteten Bereiche der Raumladungszonen der "linken" und "rechten" Dioden eines Sensorpaares. In dieser Darstellung gilt:

I_l1 < I_r1, I_l2 = I_r2, I_l3 < I_r3.

Durch den schrittweisen Versatz zwischen Schattenmaske und Sensorpaaren gibt es zu jeden Einfallwinkel eine Position, bei der der größere Photostrom von der einen Seite eines Sensorpaares auf dessen andere wechselt. Diese Position ist ein Maß für den Winkel, unter dem das Licht einfällt.

Es muss sichergestellt sein, dass der Übergang des dominierenden Photo stroms von der einen auf die andere Seite eines Sensorpaares erkannt wird, wie in Fig. 2 dargestellt, liegt also der Übergang zwischen dem mittleren und dem rechten Sensorpaar.

Die Winkelauflösung wird bestimmt durch den Abstand "d" der Schattenmaske zur Halbleiter-Oberfloäche und den Unterschied in den Step-Maßen "a" und "b" (Fig. 3).

Der größte Versatz zwischen der Öffnung in der Schattenmaske und der Mitte eines Sensorpaares bestimmt den maximalen Einfallwinkel.

Die Stegbreiter der Schattenmaske ist so zu wählen, dass bei maximalem Ein fallwinkel nicht bereits der nächste Photosensor mit beleuchtet wird.

Anmerkungen

1. Der Aufbau muss nicht zwingend so gewählt werden, dass der Versatz zwischen Schattenmaske und Sensorpaar-Mitte monoton zu- oder ab nimmt. Jede andere Anordnung verschiedener Positionen zueinander ist möglich. Die Geometrie ist lediglich bei der Auswertung zu berücksichti gen.
2. Beim Aufbau der Photosensoren müssen nicht zwingend die höher do tierten Gebiete außen liegen und ein niedriger dotiertes Gebiet einschlie ßen. Andere Geometrien sind ebenso möglich, wie z. B. nur ein einseitiger p-n-Übergang oder ein höher dotierter Streifen in der Mitte.
3. Der Aufbau ist schließlich auch unter den Aspekten der Verhinderung ei ner Lichtbeugung und der Lichtbrechungseffekte zu wählen (optisch pas sende Materialgrenzflächen).

Auswertung (Fig. 4)

Die Auswertung erfolgt durch Vergleich der Photoströme jedes Sensorpaares. Sind die Dioden elektrisch gegeneinander isoliert, so kann im einfachsten Fall die Reihenschaltung beider Dioden an einer Spannungsreferenz VRef (z. B. der Versorgungsspannung der Anordnung) in einem Komparator mit z. B. der hal ben Referenzspannung verglichen werden (Fig. 4). Diese Auswertung kann für alle Sensorpaare parallel, sequenziell unter Verwendung eines Multiplexers o der als Kombination aus beidem realisiert werden. Man erhält so als Folge von "Nullen" und "Einsen" in digitalisierter Form die Information über den Einfall winkel des Lichts.

Die Winkelauflösung lässt sich weiter erhöhen, indem das Sensorpaar nicht nur gegen eine, sondern gegen mehrere Spannungen verglichen wird.

Zweidimensionale Winkelerfassung (Fig. 5)

Durch rechtwinklige Anordnung einer zweiten Gruppe von Sensorpaaren mit zugehöriger Schattenmaske in derselben Ebene kann zweidimensional der Einfallwinkel des Lichts erfasst werden.

Anmerkung

Die Kombination der rechtwinklig zueinander angeordneten Sensorpaare ist auch durch Verwendung nur einer Schattenmaske mit quadratischen oder rechteckigen Ausschnitten möglich (Fig. 5).

Zum besseren Verständnis der Erfindung ist in den Fig. 1 bis 3 in jedem Be reich 24 jeweils ein p- und ein n-Gebiet eingezeichnet. Eine Photodiode kann aber auch dadurch gebildet werden, dass in einem normalerweise (schwach) n-dotierten Bereich 24 ein (stark) p-dotiertes Gebiet ausgebildet wird (dies ist in Fig. 5 der Fall). Insbesondere können in jedem Bereich 24 wie sich nicht kontaktierende p-dotierte Gebiete vorgesehen sein, so dass zwei hintereinan der geschaltete Photodioden entstehen, ein Photodiodenpaar wird dann von den jeweils zwei Photodioden zweier Bereiche 24 gebildet. Insbesondere güns tig ist es, wenn die beiden p-dotierten Gebiete eines Bereichs 24 symmetrisch, z. B. an die gegenüberliegenden Isolationsgräben 22 angrenzend, positioniert sind.

Die Erfindung wurde vorstehend anhand von Photodioden als optoelektroni sche Bauteile zur Detektion von Strahlung beschrieben. Selbstverständlich können auch andere optoelektronische Bauelemente wie beispielsweise Photo transistoren eingesetzt werden. Unter "Photodiode" im Sinne der Erfindung wird demzufolge insbesondere auch ein Transistor verstanden. Ferner kann die hier beschriebene Vorrichtung auch zur Ermittlung der Strahlungsintensität genutzt werden, indem die Größe des Photostroms bzw. der Photospannung ausgewertet wird.

Claims

1. Vorrichtung zur Ermittlung des Einfallwinkels einer Strahlung auf eine Strahlungseinfallfläche, mit

- mindestens zwei ersten Photodiodenpaaren (36) mit ersten Photodio den (30), die entlang einer ersten Achse (12) angeordnet und paar weise in Reihe geschaltet sind,
- wobei jede erste Photodiode (30) eine Raumladungszone (32) mit einer zur Strahlungseinfallfläche (14) hin weisenden Raumladungszo nenfläche (34) aufweist,
- einer mit Abstand (44) oberhalb der Raumladungszonenflächen (34) der ersten Photodioden (30) angeordneten, strahlungsdurchlässige Bereiche (48) aufweisenden Abschattungsmaske (46),
- wobei jeder strahlungsdurchlässige Bereich (48) den Raumladungszo nenflächen (34) der beiden ersten Photodioden (30) eines ersten Photodiodenpaares (36) zugeordnet ist und
- wobei - bei Betrachtung in Richtung der Normalen der Strahlungsein fallfläche (14) - der Grad an Überdeckung zwischen einem strah lungsdurchlässigen Bereich (48) mit den diesem zugeordneten Raumladungszonenflächen (34) in Richtung der ersten Achse (12) für mindestens zwei der ersten Photodiodenpaare (36) unterschiedlich ist, und
- einer Auswerteeinheit (56), die den Photostrom und/oder die Photo spannung jeder ersten Photodiode (30) jedes ersten Photodioden paares (36) abfragt und anhand eines Vergleichs der Photoströme und/oder der Photospannungen den Einfallwinkel ermittelt, unter dem die in der Projektion parallel zur ersten Achse (12) gerichtete Kompo nente der Strahlung auf die Strahlungseinfallfläche (14) auftrifft.

2. Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Aus werteeinheit (56) das Potential an dem Verbindungspunkt (62) zwischen den ersten Photodioden (30) jedes ersten Photodiodenpaares (36) und/oder die Ströme durch die ersten Photodioden (30) jedes ersten Photodiodenpaares (36) abfragt und anhand der Veränderung des Ver bindungspunktpotentials der ersten Photodiodenpaare (36) und/oder der Veränderung des Ergebnisses eines Größer-Kleiner-Vergleichs der Ströme durch die ersten Photodioden (30) jedes Photodiodenpaares (36) den Einfallwinkel ermittelt, unter dem die in der Projektion parallel zur ersten Achse (12) gerichtete Komponente der Strahlung auf die Strahlungsein fallfläche (14) auftrifft.

3. Vorrichtung nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass die Auswerteeinheit (56) das Verbindungspunktpotential zwischen den beiden Photodioden (30) eines ersten Photodiodenpaares (36) mit einem Refe renzwert vergleicht, der gleich einem bestimmten Bruchteil des Versor gungspotentials dieses ersten Photodiodenpaares (36) ist, und dass die Auswerteeinheit (56) den Einfallwinkel anhand des Überdeckungsgrades und des Abstandes (44) der Abschattungsmaske (46) von den Raumla dungszonenflächen (34) zumindest eines derjenigen beiden ersten Photo diodenpaare (36) ermittelt, für die gilt, dass das Verbindungspotential des einen ersten Photodiodenpaares (36) kleiner und das Verbindungspoten tial des anderen ersten Photodiodenpaares (36) größer als der jeweilige Referenzwert ist.

4. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, dass die Photodioden (30) der ersten Photodiodenpaare (36) im wesentli chen baugleich sind.

5. Vorrichtung nach Anspruch 3 und 4, dadurch gekennzeichnet, dass der Referenzwert gleich dem halben Versorgungspotential ist.

6. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, dass der Mittenabstand (52) jeweils benachbarter strahlungsdurchlässiger Bereiche (48) der Abschattungsmaske (46) verschieden ist von dem Mit tenabstand (40) jeweils benachbarter erster Photodiodenpaare (36).

7. Vorrichtung nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, dass der Mitten abstand (52) jeweils benachbarter strahlungsdurchlässiger Bereiche (48) der Abschattungsmaske (46) und der Mittenabstand (40) jeweils benach barter erster Photodiodenpaare (36) jeweils konstant ist.

8. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 7, dadurch gekennzeichnet, dass die ersten Photodioden (30) auf einem gemeinsamen halbleitenden Substrat (16) ausgebildet sind.

9. Vorrichtung nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, dass die ersten Photodioden (30) durch in das Substrat (16) eingebrachte vertikale Isola tionsschichten (22) elektrisch voneinander isoliert sind.

10. Vorrichtung nach Anspruch 8 oder 9, dadurch gekennzeichnet, dass das Substrat (16) eine unterhalb der Anordnung der ersten Photodiodenpaare (36) ausgebildete horizontale Isolationsschicht (20) aufweist.

11. Vorrichtung nach Artspruch 9 und 10, dadurch gekennzeichnet, dass das Substrat (16) ein SOI-Substrat ist.

12. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 11, dadurch gekennzeichnet, dass eine der Anordnung der ersten Photodiodenpaare (36) gleichende Anordnung von zweiten Photodiodenpaaren entlang einer winklig zur ersten Achse verlaufenden zweiten Achse vorgesehen ist und dass die Auswerteeinheit (56) den Einfallwinkel ermittelt, unter der die parallel zur zweiten Achse gerichtete Komponente der Strahlung auf die Strahlungs einfallfläche (14) auftrifft.

13. Vorrichtung nach Anspruch 12, dadurch gekennzeichnet, dass die ersten und die zweiten Achsen orthogonal zueinander verlaufen.

14. Vorrichtung nach Anspruch 12 oder 13, dadurch gekennzeichnet, dass jeweils ein erstes und ein zweites Photodiodenpaar einem gemeinsamen strahlungsdurchlässigen Bereich (48') der Abschattungsmaske (46') zu geordnet sind.