DE10216526A1 - Vorrichtung und Verfahren zur Extrusion von Leiterbahnen mit einem durchgehenden Leiterstrang - Google Patents
Vorrichtung und Verfahren zur Extrusion von Leiterbahnen mit einem durchgehenden LeiterstrangInfo
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- 239000004020 conductor Substances 0.000 title claims abstract description 92
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 13
- 230000000087 stabilizing effect Effects 0.000 title claims abstract description 4
- 238000001125 extrusion Methods 0.000 title description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 34
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 claims abstract description 17
- 229920001169 thermoplastic Polymers 0.000 claims abstract description 13
- 239000004416 thermosoftening plastic Substances 0.000 claims abstract description 13
- 230000008018 melting Effects 0.000 claims abstract description 6
- 238000002844 melting Methods 0.000 claims abstract description 6
- 239000007858 starting material Substances 0.000 claims description 35
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims description 27
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims description 26
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims description 8
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 claims description 4
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 3
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims description 2
- 239000012815 thermoplastic material Substances 0.000 abstract 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 10
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 8
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 8
- 230000035882 stress Effects 0.000 description 7
- 230000000875 corresponding effect Effects 0.000 description 6
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 5
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 5
- 238000005304 joining Methods 0.000 description 4
- 229920000297 Rayon Polymers 0.000 description 3
- 230000032683 aging Effects 0.000 description 3
- 238000011161 development Methods 0.000 description 3
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 2
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 2
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 2
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 2
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- 241001465754 Metazoa Species 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 229920001940 conductive polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 230000002596 correlated effect Effects 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000002500 effect on skin Effects 0.000 description 1
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 1
- 150000002736 metal compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000002923 metal particle Substances 0.000 description 1
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 1
- 230000000135 prohibitive effect Effects 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 238000007711 solidification Methods 0.000 description 1
- 230000008023 solidification Effects 0.000 description 1
- 230000006641 stabilisation Effects 0.000 description 1
- 238000011105 stabilization Methods 0.000 description 1
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 1
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- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/10—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern
- H05K3/103—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern by bonding or embedding conductive wires or strips
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/48—Manufacture or treatment of parts, e.g. containers, prior to assembly of the devices, using processes not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326
- H01L21/4814—Conductive parts
- H01L21/4846—Leads on or in insulating or insulated substrates, e.g. metallisation
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- H—ELECTRICITY
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/48—Manufacture or treatment of parts, e.g. containers, prior to assembly of the devices, using processes not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326
- H01L21/4814—Conductive parts
- H01L21/4846—Leads on or in insulating or insulated substrates, e.g. metallisation
- H01L21/4867—Applying pastes or inks, e.g. screen printing
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/18—High density interconnect [HDI] connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/23—Structure, shape, material or disposition of the high density interconnect connectors after the connecting process
- H01L24/24—Structure, shape, material or disposition of the high density interconnect connectors after the connecting process of an individual high density interconnect connector
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- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies
- H01L24/76—Apparatus for connecting with build-up interconnects
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- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L24/82—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected by forming build-up interconnects at chip-level, e.g. for high density interconnects [HDI]
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- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/10—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern
- H05K3/12—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using thick film techniques, e.g. printing techniques to apply the conductive material or similar techniques for applying conductive paste or ink patterns
- H05K3/1241—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using thick film techniques, e.g. printing techniques to apply the conductive material or similar techniques for applying conductive paste or ink patterns by ink-jet printing or drawing by dispensing
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- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/18—High density interconnect [HDI] connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/23—Structure, shape, material or disposition of the high density interconnect connectors after the connecting process
- H01L2224/24—Structure, shape, material or disposition of the high density interconnect connectors after the connecting process of an individual high density interconnect connector
- H01L2224/241—Disposition
- H01L2224/24151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/24221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/24225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
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- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/18—High density interconnect [HDI] connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/23—Structure, shape, material or disposition of the high density interconnect connectors after the connecting process
- H01L2224/24—Structure, shape, material or disposition of the high density interconnect connectors after the connecting process of an individual high density interconnect connector
- H01L2224/241—Disposition
- H01L2224/24151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/24221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/24225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
- H01L2224/24226—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation the HDI interconnect connecting to the same level of the item at which the semiconductor or solid-state body is mounted, e.g. the item being planar
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- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
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- H01L2924/0102—Calcium [Ca]
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- H01L2924/078—Adhesive characteristics other than chemical
- H01L2924/0781—Adhesive characteristics other than chemical being an ohmic electrical conductor
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- H01L2924/078—Adhesive characteristics other than chemical
- H01L2924/0781—Adhesive characteristics other than chemical being an ohmic electrical conductor
- H01L2924/07811—Extrinsic, i.e. with electrical conductive fillers
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- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
- H05K2201/10—Details of components or other objects attached to or integrated in a printed circuit board
- H05K2201/10227—Other objects, e.g. metallic pieces
- H05K2201/10287—Metal wires as connectors or conductors
-
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- H05K2203/00—Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
- H05K2203/01—Tools for processing; Objects used during processing
- H05K2203/0104—Tools for processing; Objects used during processing for patterning or coating
- H05K2203/0126—Dispenser, e.g. for solder paste, for supplying conductive paste for screen printing or for filling holes
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Abstract
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Extrusion von Leiterbahnen mit einem durchgehenden Leiterstrang (6). Hierzu ist eine Dispenservorrichtung (1), bestehend aus einer Plastifiziereinheit (2), einem Kapillarsystem (3) und einer Düsenvorrichtung (8), mit einem Führungsrohr (7) in der Düsenvorrichtung (8) ausgerüstet. Über das Führungsrohr (7) wird mittels eines Vorschubsystems (5) ein Leiterstrang (6) dem Profilstrang (4) der Dispenservorrichtung (1) zugefügt. Hierdurch ist es möglich, Leiterbahnen, bestehend aus Leitkleber, zu dispensen, welche beispielsweise einen dünnen Draht umfassen. Aufgrund des durchgehenden metallischen Kerns können somit Leitwerte realisiert werden, die im Bereich von Vollmetallverbindungen liegen.
Description
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Extrusion von Leiterbahnen mit einem
durchgehenden Leiterstrang, sowie eine Vorrichtung zur Durchführung des
Verfahrens.
Mikrosysteme mit ihren vielfältigen Funktionen sind in zukunftsfähigen Pro
dukten unverzichtbar. Die Leistungsfähigkeit dieser Systeme wird wesentlich
davon mitbestimmt, ob eine auf den Anwendungszweck hin optimierte Auf
bau- und Verbindungstechnik zur Verfügung steht. Die Vielzahl der in Mikro
systemen miteinander zu verbindenden Werkstoffe bedingt Fügeverfahren, die
deren spezifische funktionelle Eigenschaften erhalten und flexibel einzusetzen
sind. So muß die Fügetechnik beispielsweise in der Lage sein, durch unter
schiedliche thermische Ausdehnung bewirkte Spannungen in der Verbindungs
zone zu minimieren und gleichzeitig langzeitbeständig eine belastbare hoch
präzise Fixierung der Fügepartner zueinander gewährleisten.
In der Regel werden heutzutage hierzu sogenannte Leitklebstoffe verwendet.
Unter Leitklebstoffen bzw. Leitklebern werden die Verbindungsmaterialien
zwischen Bauteil und Substrat verstanden. Leitkleber bestehen aus einem leit
fähigen Klebstoff, in der Regel ein Epoxid. Die elektrische Leitfähigkeit wird
durch das Füllen des Klebstoffs mit leitfähigen Partikeln erreicht, so daß
sich die Partikel gegenseitig berühren. Die Schwelle, ab welcher die Anzahl
der Partikel genügt, um eine sichere Leitfähigkeit herzustellen (Perkolati
onsschwelle) liegt bei ca. 50 Gew.-%-Anteil von Partikeln in der Klebstoff
matrix. Während der Aushärtung des Leitklebers schrumpft der Klebstoff und
die Silberpartikel werden aneinandergepreßt. Dieser Kontaktdruck wird durch
die Klebstoffmatrix über die Lebensdauer aufrechterhalten. Die Leitklebstoffe
sind in der Regel Dispersionen aus Licht- und/oder thermisch härtenden
Kunstharzen und Metallpartikeln und werden üblicherweise im Sieb- oder
Schablonen-Druckverfahren oder mit Hilfe von Dispensern auf die Schaltungs
träger und Komponenten aufgetragen.
Bei der Verwendung von Leitklebstoffen stehen den Vorteilen wie Flexibilität,
hohe Verarbeitungsgeschwindigkeit, geringe Kosten etc., jedoch erhebliche
Nachteile gegenüber, die sich je nach Anforderungen an Funktionalität, Quali
tät und die späteren Einsatzbedingungen der Verbindungs- oder Schaltungs
technik zum Teil prohibitiv auswirken.
Der vorliegenden Erfindung liegt die Problemstellung zugrunde, daß für viele
Anwendungen der Einsatz von Leitklebstoffen eine zu geringe Leitfähigkeit,
insbesondere bei sehr dünnen Strukturen, aufweist. Des weiteren führen me
chanische Beanspruchungen, wie z. B. Biegung, zu einer Degradation der
Leitwerte. Auch können alterungsbedingte Gefügeveränderungen, wie z. B.
Versprödung, die Leitwerte herabsetzen. Weiterhin ist problematisch, daß
Leitklebstoffe relativ bruchempfindlich unter mechanischem Stress sind. Dies
schränkt die Anwendung von Leitklebstoffen stark ein, so sind Schaltungen
mit Leitklebstoffen z. B. nur bedingt im Automobilbereich einsetzbar. Als Nach
teil erweist sich ferner, daß Gefügeveränderungen innerhalb der Leitklebstoffe
bei Weiterverarbeitungsprozessen, wie etwa dem Laminieren, auftreten und
dadurch die elektrischen Charakteristika beeinflußt werden. Auch sind die nur
geringen möglichen Stromdichten nachteilig.
Aufgrund der geschilderten Problemstellung liegt der vorliegenden Erfindung
die Aufgabe zugrunde, ein Verfahren zum Herstellen elektrischer Verbindun
gen zwischen Komponenten sowie eine entsprechende Vorrichtung an
zugeben, mittels derer eine elektrische und hochleitfähige Verbindung zwi
schen elektrischen Komponenten, insbesondere zwischen elektrischen Mikro
bauteilen, möglich ist, wobei die Leitwerte dieser elektrischen Verbindung un
abhängig von mechanischen Beanspruchen oder Alterung sind und ferner eine
hohe Stromdichte möglich ist.
Diese Aufgabe wird bei einem Verfahren zur Extrusion von Leiterbahnen mit
einem durchgehenden Leiterstrang erfindungsgemäß durch folgende Verfah
rensschritte gelöst: Dispensen eines kontinuierlichen Profilstranges mit einem
durchgehenden Leiterstrang; anschließendes Stabilisieren und Verfestigen des
Profilstranges auf einem Substrat; und Abtrennen des Profilstranges an der
Anschlussfläche einer Komponente.
Das erfindungsgemäße Verfahren überwindet die beschriebenen Nachteile des
Standes der Technik und erschließt vollkommen neue Anwendungsfelder im
Bereich der Fertigung von elektronischen Systemen. Durch die Verwendung
der Dispenstechnologie ist das erfindungsgemäße Verfahren besonders flexi
bel einzusetzen, des weiteren ist die Verarbeitungsgeschwindigkeit besonders
hoch, so daß die Bestückung eines Schaltungsträgers zur Herstellung elektri
scher Verbindungen zwischen Komponenten oder zum Aufbau von elektrisch,
elektronischen und/oder elektromechanischen funktionalen Elementen, wie
zum Beispiel Induktilitäten, Kapazitäten, Schalterkontakten etc., besonders
kosteneffizient ist. Dadurch, daß beim Dispensen der Profilstrang mit einem
durchgehenden Leiterstrang ausgebildet ist, können in vorteilhafter Weise die
Nachteile der Dispenstechnologie nach dem Stand der Technik umgangen
werden. Der kontinuierliche Profilstrang ist nämlich zum einen bruchunemp
findlich bzgl. mechanischen Stresses, zum anderen kann die Beeinflussung
der elektrischen Charakteristika durch Fügeveränderungen, etwa bedingt
durch Weiterverarbeitungsprozesse wie Laminieren, vermieden werden. Von
Vorteil ist weiterhin, daß in dem erfindungsgemäßen Verfahren die Stabilisie
rung und die Verfestigung des Profilstranges auf dem Substrat vorgesehen ist.
Des weiteren ist das Abtrennen des Profilstranges an der Anschlussfläche ei
ner Komponente vorteilhaft, damit das Verfahren auch zur Herstellung von
Verbindungen zwischen Komponenten, die räumlich voneinander getrennt
sind, einsetzbar ist.
Das der vorliegenden Erfindung zugrunde liegende technische Problem wird
ferner durch eine Vorrichtung zur Durchführung des vorstehend genannten
Verfahrens gelöst, wobei eine Dispenservorrichtung bestehend aus einer
Plastifiziereinheit zum Aufschmelzen von thermoplastischem Ausgangsmateri
al. einer Düsenvorrichtung mit einem Kapillarsystem zur Ausbildung eines
kontinuierlichen Profilstranges aus dem aufgeschlossenen Ausgangsmaterial,
und einem Vorschubsystem zum Vorschieben eines Leiterstranges in einem
Führungsrohr vorgesehen ist, die dadurch gekennzeichnet ist, daß der Leiter
strang in der Düsenvorrichtung dem aufgeschmolzenen thermoplastischen
Ausgangsmaterial im Kapillarsystem zugefügt wird.
Mit der erfindungsgemäßen Vorrichtung wird eine Möglichkeit zur Durchfüh
rung des vorstehend beschriebenen Verfahrens angegeben. Hierbei handelt es
sich um eine besonders einfach zu realisierende und dabei sehr effektive Aus
führungsform. Durch den Einsatz einer Dispenservorrichtung gemäß dem
Stand der Technik ist es in vorteilhafter Weise möglich, die Realisierung der
erfindungsgemäßen Vorrichtung besonders kostengünstig zu gestalten. Be
sonders vorteilhaft ist, daß der Leiterstrang in der Düsenvorrichtung der
Dispenservorrichtung dem aufgeschlossenen thermoplastischen Ausgangsma
terial zugefügt wird. Hierdurch kann erreicht werden, daß bei der Extrusion
die Leiterbahn kontinuierlich mit einem durchgehenden Leiterstrang versehen
ist.
Bevorzugte Weiterbildungen der Erfindung sind bzgl. des Verfahrens in den
Unteransprüchen 2 bis 4 und bzgl. der Vorrichtung in den Unteransprüchen 6
bis 12 angegeben.
So ist für das Verfahren bevorzugt vorgesehen, daß vor dem Dispensen des
kontinuierlichen Profilstranges im Verfahrensschritt a) das thermoplastische
Ausgangsmaterial für den auszubildenden Profilstrang aufgeschmolzen wird.
Im weiteren Verfahrensschritt wird dann das aufgeschmolzene Ausgangsmate
rial durch eine Düsenvorrichtung bei gleichzeitigem Leiterstrangvorschub aus
getrieben. Hierdurch ist ein besonders einfach zu realisierendes und dabei
sehr effektives Verfahren zum Dispensen eines kontinuierlichen Profilstranges
aus einem thermoplastischen Ausgangsmaterial erzielbar. Selbstverständlich
ist es aber auch denkbar, daß das Ausgangsmaterial bereits als viskoses Ma
terial vorliegt, so daß ein explizites Aufschmelzen entfällt.
Besonders bevorzugt ist die Vorschubstärke bzw. -menge des Leiterstrangvor
schubes beim Austreiben des aufgeschmolzenen Ausgangsmaterials durch ei
ne Düsenvorrichtung frei einstellbar. Dies ist besonders sinnvoll und vorteil
haft, da hierdurch die hergestellte Leiterbahn mit dem durchgehenden Leiter
strang entsprechend den jeweiligen Anwendungen optimal angepasst werden
kann. So ist es beispielsweise möglich, bei Leiterbahnen mit einem großen
Querschnitt die Vorschubstärke bzw. -menge entsprechend höher einzu
stellen.
Zur Herstellung einer dauerhaften und sicheren Verbindung zwischen Bautei
len bzw. Komponenten auf der Leiterplatte und dem Profilstrang ist es des
weiteren in vorteilhafter Weise vorgesehen, nach dem Abtrennen des Stran
ges an der Anschlussfläche der Komponente, diese mit dem Strang zu kontak
tieren.
Als vorteilhafte Weiterbildung zur erfindungsgemäßen Vorrichtung ist vorge
sehen, daß die Düsenvorrichtung an der Kapillarspitze ferner eine Schneidvor
richtung zum Abtrennen des hinter der Kapillarspitze ausgebildeten Profil
stranges umfasst. Eine derartige Schneidvorrichtung ist einfach zu realisieren
und stellt dabei ein besonders geeignetes Mittel zum definierten und sauberen
Abtrennen des ausgebildeten Profilstranges dar. Dies ist eine wesentliche
Voraussetzung, damit die Kontaktierung des Profilstranges an einer An
schlussfläche einer Komponente möglichst sauber und exakt durchgeführt
werden kann. So ist es beispielsweise denkbar, die Schneidvorrichtung seitlich
einzuschwenken und somit das Abtrennen des Stranges mit dem eingebette
ten Leiter unterhalb der Kapillare zu verwirklichen.
Eine mögliche Realisierung der erfindungsgemäßen Vorrichtung sieht vor, daß
die Dispenservorrichtung ferner ein Reinigungssystem zur Reinigung der
Schneidvorrichtung umfasst. Durch ein derartiges Reinigungssystem wird er
reicht, daß die Schneidvorrichtung nahezu wartungsfrei einsetzbar ist, so daß
damit die Betriebskosten einer derartigen Vorrichtung deutlich reduziert wer
den. Des weiteren sichert ein Reinigungssystem den problemlosen Einsatz der
Schneidvorrichtung. Selbstverständlich sind hier aber auch andere Lösungen
denkbar.
Als vorteilhafte Weiterbildung der erfindungsgemäßen Vorrichtung ist vorge
sehen, daß eine Steuerungsvorrichtung die Leiterstrangvorschubstärke in dem
Vorschubsystem einstellt und/oder eine Dosiervorrichtung den Kapillardurch
satz des thermoplastischen Ausgangsmaterials in der Düsenvorrichtung do
siert bzw. einstellt. Hierdurch ist es möglich, den Dispensprozeß in vorteilhaf
ter Weise zu steuern und an die jeweiligen Anforderungen anzupassen. Durch
die Dosiervorrichtung wird die Extrusion des Ausgangsmaterials geregelt,
während unabhängig davon der Leiterstrangvorschub über die Steuerungsvor
richtung eingestellt wird.
Eine mögliche Realisierung sieht vor, daß das Einstellen der Leiterstrangvor
schubstärke durch eine Gasströmung erfolgt. Hierbei wird die Gasströmung im
Führungsrohr erzeugt. In Abhängigkeit der Material- und Betriebsbedingungen
(zum Beispiel mechanische Eigenschaft des Leiterstranges, rheologische Ei
genschaften des aufgeschmolzenen Ausgangsmaterials, Verfahrgeschwindig
keit des Dispensers etc.) werden Strömungsgeschwindigkeit und Wirkdauer
der Gasströmung gesteuert, um jeweils passende Vorschubbedingungen zu
erhalten. So ist beispielsweise auch die Anwendung von Schutzgasen denkbar,
wenn unerwünschte chemische Reaktionen - zum Beispiel von Materialober
flächen mit der Atmosphäre - unterbunden werden müssen. Mit diesem Vor
schubsystem wird sichergestellt, daß der Leiterstrang vom fließenden Medium
unter allen Betriebsbedingungen unter Wirkung von Zugkräften mitgenommen
werden kann. Selbstverständlich sind hier aber auch andere Vorrichtungen
zum Einstellen der Leiterstrangvorschubstärke denkbar.
Besonders bevorzugt ist für das thermoplastische Ausgangsmaterial ein Leit
kleber od. dgl. leitfähige Substanz vorgesehen. Leitkleber sind zur Herstellung
für elektrische Verbindungen zwischen Komponenten auf einem Schaltungs
träger bereits Stand der Technik. Sie haben den Vorteil, sehr flexibel, mit ge
ringen Kosten und hoher Verarbeitungsgeschwindigkeit mittels Dispenservor
richtungen verarbeitet werden zu können.
Als Material für den Leiterstrang ist in vorteilhafter Weise ein Bonddraht vor
gesehen. In dieser Ausführungsform weisen die hergestellten Leiterbahnen
eine durchgehende metallische Leitung auf. Aufgrund des durchgehend metal
lischen Kerns einer solchen Leiterbahn könnten Leitwerte realisiert werden,
die im Bereich von Vollmetallverbindungen liegen. Somit sind hohe Stromdich
ten möglich, ferner ist eine streß- oder alterungsbedingte Versprödung des
Polymer-Metallsystems der Leiterbahn ohne Auswirkungen auf die elektrische
Gesamteigenschaft, die im wesentlichen vom metallischen Kern bestimmt
wird. Durch die hohe Duktilität des metallischen Drahtes wirken sich mechani
sche Belastungen, wie zum Beispiel wiederholte Verbiegungen des Schal
tungsträgers, nicht mehr auf die elektrischen Systemeigenschaften aus.
Selbstverständlich kann anstelle eines z. B. Au-Bonddrahtes auch ein beliebi
ger anderer dünner leitfähiger Draht eingesetzt werden.
Als Material für den Leiterstrang ist in einer besonders vorteilhaften Ausfüh
rungsform eine separate oder zusätzliche Lichtleiterfaser vorgesehen. Somit
ist es möglich, mittels der erfindungsgemäßen Vorrichtung auch elektroopti
sche Bauelemente zu verbinden. Selbstverständlich ist aber auch eine Kombi
nation aus einem leitenden Draht, wie Au-Bonddraht, mit einer Lichtleiterfaser
denkbar.
In einer möglichen Realisierung der erfindungsgemäßen Vorrichtung ist vor
gesehen, daß das Abspulen des Leiterstranges über eine Leiterstrangabspul
vorrichtung erfolgt. Der Leiterstrangvorrat befindet sich dann auf einem Wi
ckelkörper, der auf einer entsprechenden Haltervorrichtung sitzt. In die Hal
tevorrichtung ist die Leiterstrangabspulvorrichtung integriert. Derartige Sys
teme sind aus der Halbleiter-Bondtechnik bekannt. Von daher kann hierbei
bereits auf erprobte und technisch entwickelte Komponenten aus dem Stand
der Technik zurückgegriffen werden, so daß die erfindungsgemäße Vorrich
tung besonders kostengünstig zu realisieren ist.
Nachfolgend wird die Erfindung anhand von Ausführungsbeispielen und Figu
ren näher erläutert.
Es zeigen:
Fig. 1 eine schematische Darstellung eines bevorzugten Aus
führungsbeispiels der erfindungsgemäßen Vorrichtung;
Fig. 2a eine schematische Darstellung einer möglichen Realisie
rung einer Düsenvorrichtung in der erfindungsgemäßen
Dispenservorrichtung gemäß einer ersten Ausführungs
form;
Fig. 2b eine schematische Darstellung einer möglichen Realisie
rung einer Düsenvorrichtung in der erfindungsgemäßen
Dispenservorrichtung gemäß einer zweiten Ausfüh
rungsform;
Fig. 3 eine schematische Darstellung einer möglichen Realisie
rung eines Vorschubsystems;
Fig. 4 eine schematische Darstellung einer möglichen Realisie
rung einer Leiterstrangabspulvorrichtung; und
Fig. 5 eine schematische Darstellung einer mittels des erfin
dungsgemäßen Verfahrens hergestellten Leiterbahn auf
einem Substrat.
Fig. 1 zeigt eine schematische Darstellung eines bevorzugten Ausführungs
beispiels der erfindungsgemäßen Vorrichtung. Die Dispenservorrichtung 1 um
faßt dabei eine Plastifiziereinheit 2 zum Aufschmelzen bzw. Viskosieren eines
Ausgangsmaterials 9, welches beispielsweise Leitkleber oder eine ähnliche
leitfähige Dispersion darstellen kann. Das Viskoseausgangsmaterial 9 wird
über ein Kapillarsystem 3 zu einer Düsenvorrichtung 8 geleitet, wodurch ein
kontinuierlicher Profilstrang 4 aus dem Viskosenausgangsmaterial 9 ausgebil
det wird. Der Profilstrang 4 wird dabei auf eine Substratoberfläche 13 aufge
bracht. Eine derartige Substratoberfläche 13 könnte beispielsweise eine Lei
terplatte darstellen.
Bevor der ausgebildete Profilstrang 4 jedoch die Substratoberfläche 13 kon
taktiert, wird über ein Führungsrohr 7 dem Profilstrang 4 ein Leiterstrang 6
zugeführt. Der Leiterstrang 6 könnte beispielsweise ein dünner Bonddraht
oder eine Lichtleiterfaser darstellen. Der Leiterstrang 6 ist ursprünglich auf ei
ner Leiterstrangabspulvorrichtung 12 aufgewickelt. Die Leiterstrangabspulvor
richtung 12 steuert das Abspulen und Ausziehen des Leiterstranges 6.
Zum Einstellen der Leiterstrangvorschubstärke dient ein Vorschubsystem 5.
Bei dem in Fig. 1 dargestellten Ausführungsbeispiel erfolgt das Einstellen der
Leiterstrangvorschubstärke durch eine Gasströmung. Des weiteren umfasst
die Dispenservorrichtung 1 eine Dosiervorrichtung (nicht explizit dargestellt)
zum Einstellen und Dosieren des Kapillardurchsatzes von viskosem Aus
gangsmaterial 9.
Eine seitlich einzuschwenkende Schneidvorrichtung 10 dient zum Trennen des
Profilstranges 4 mit dem eingelagerten Leiterstrang 6 unterhalb der Kapillare
3. Zum Abtrennen des Leiterstranges 6 von der Kapillarenspitze wird die
Schneidvorrichtung 10 unmittelbar unter die Kapillare 3 geschwenkt, wobei
die geöffneten Schneidwerkzeuge den Profilstrang 4 umgreifen. Ein elektro
mechanischer oder pneumatischer Antrieb betätigt die Schneidwerkzeuge und
durchtrennt auf diese Weise den Profilstrang 4 mit dem innen liegenden Lei
terstrang 6. Danach wird die Schneidvorrichtung 10 wieder aus dem Arbeits
bereich herausgeschwenkt und die Kapillare 3 freigegeben (nicht explizit dar
gestellt).
Falls erforderlich kann, wie in der Ausführungsform gemäß Fig. 1 gezeigt,
ein entsprechendes Reinigungssystem 11 an der Ruheposition der Schneidvor
richtung vorgesehen sein, das die Schneidwerkzeuge von eventuell anhaften
den Rückständen leitfähiger Dispersion 9 säubert.
Fig. 2a zeigt eine schematische Darstellung einer möglichen Realisierung
einer Düsenvorrichtung 8 in der erfindungsgemäßen Dispenservorrichtung 1
gemäß einer ersten Ausführungsform. Bei der dargestellten Ausführungsform
wird der Leiterstrang 6 über ein Führungsrohr 7 der Düsenvorrichtung 8 am
Ende des Kapillarsystem 3 dem Profilstrang 4 zugeführt. Die Zuführung des
Leiterstranges 6 erfolgt über ein entsprechendes Vorschubsystem 5 (nicht ex
plizit dargestellt).
Fig. 2b zeigt eine schematische Darstellung einer möglichen Realisierung
einer Düsenvorrichtung 8 in der erfindungsgemäßen Dispenservorrichtung 1
gemäß einer zweiten Ausführungsform. Hierbei ragt das Führungsrohr 7 ko
axial in die Düsenmündung bzw. Mündung der Kapillare 3. Die hier dargestell
te Ausführungsform ermöglicht einen Betrieb der Dispenservorrichtung 1 bei
dem das Viskoseausgangsmaterial 9 nicht kontinuierlich gefördert wird, son
dern nur dann, wenn beispielsweise der Leiterstrang 6 kontaktiert oder me
chanisch fixiert werden muß. Dies ist möglich, da die Leitfähigkeit nicht mehr
von dem Ausgangsmaterial 9, beispielsweise einem Leitkleber, abhängt.
Diese Betriebsweise hat den Vorteil, daß der Verbrauch des Ausgangsmateri
als 9 erheblich reduziert werden kann. Mittels der in Fig. 2b dargestellten
Realisierung der Düsenvorrichtung 8 gemäß der zweiten Ausführungsform ist
der obige Betrieb möglich, da der Leiterstrang 6 erst bei Bedarf am Austritt
der Kapillare 3 von dem viskosen Ausgangsmaterial 9 umhüllt wird. Es sei
hierbei darauf hingewiesen, daß anstelle von Leitklebern als Ausgangsmaterial
9 auch die Verwendung von leitfähigen Polymersystemen mit entsprechenden
Klebeeigenschaften denkbar sind. Zur Isolation und Umhüllung des Leiter
stranges 6 können aber auch nicht leitende Klebstoffe zum Einsatz kommen.
Das beschriebene Extrusionsverfahren eignet sich auch zur Umhüllung von
leitfähigen Dispersionen mit isolierenden Schichten oder zur Umhüllung von
nicht leitenden Substanzen mit leitfähigen Dispersionen, zum Beispiel zur Ma
terialeinsparung bei Leiterbahnen großen Durchmessers für Hochfrequenzan
wendungen (Skin-Effekt).
Fig. 3 zeigt eine schematische Darstellung einer möglichen Realisierung ei
nes Vorschubsystems 5. Der seitlich durch ein dünnes, abwärts gerichtetes
Loch in der Kapillarenwand zugeführte Leiterstrang 6, zum Beispiel ein Au-
Bonddraht, wird vom viskosen Ausgangsmaterial 9 (nicht explizit dargestellt)
umhüllt und in Fließrichtung mitgenommen, so daß bei einer entsprechenden
Bewegung der Dispenservorrichtung 1 ein Profilstrang 4 mit einem Leiter
strangkern entsteht. Da die durch das fließende Medium (viskoses Ausgangs
material 9) auf den Leiterstrang 6 wirkende Kräfte gering sind und somit ein
direktes Abziehen des Leiterstranges zum Beispiel von einer Vorratsspule
(nicht explizit dargestellt) nicht möglich ist, sollte der Leiterstrang 6 mit Hilfe
eines geeigneten Vorschubsystems 5 unmittelbar bis an die Leiterstrangein
trittsöffnung in der kapillaren Wand vorgeschoben werden, so daß eine annä
hernd kräftefreie Mitnahme des Leiterstranges 6 durch das fließende Medium
(viskoses Ausgangsmaterial 9) gewährleistet ist. Dabei wird der Vorschub des
Leiterstranges 6 zum viskosen Ausgangsmaterial 9 korreliert.
Der Vorschub des Leiterstranges 6 wird in der in Fig. 3 dargestellten mögli
chen Realisierung durch eine Gasströmung bewirkt, die in Leiterstrangvor
schubrichtung im Führungsrohr 7 erzeugt wird. In Abhängigkeit der Material-
und Betriebsbedingungen, wie etwa mechanische Eigenschaften des Leiter
stranges 6, rheologische Eigenschaften des viskosen Ausgangsmaterials 9
oder die Verfahrgeschwindigkeit der Dispenservorrichtung 1, werden Strö
mungsgeschwindigkeit und Wirkdauer der Gasströmung mittels einer Steue
rungsvorrichtung (nicht explizit dargestellt) geregelt, um jeweils passende
Vorschubbedingungen zu erhalten.
In einer speziellen Ausführungsform ist die Anwendung von Schutzgas denk
bar, wenn zum Beispiel unerwünschte chemische Reaktionen an der Material
oberfläche mit der Atmosphäre unterbunden werden müssen. Mit dem darge
stellten Vorschubsystem 5 wird sichergestellt, daß der Leiterstrang 6 vom
fließendem Medium (viskoses Ausgangsmaterial 9) unter allen Betriebsbedin
gungen ohne Wirken von Zugkräften mitgenommen werden kann.
Fig. 4 zeigt eine schematische Darstellung einer möglichen Realisierung ei
ner Leiterstrangabspulvorrichtung 12. Hierbei befindet sich der Leiterstrang
vorrat auf einem Wickelkörper, der auf einer entsprechenden Haltevorrichtung
sitzt. In dieser Haltevorrichtung ist die Leiterstrangabspulvorrichtung 12 in
tegriert. Derartige Systeme sind aus der Halbleiterbondtechnik bekannt.
Fig. 5 zeigt eine schematische Darstellung einer mittels des erfindungsge
mäßen Verfahrens hergestellten Leiterbahn auf einem Substrat 13. Während
des Dispensprozesses wird ein Profilstrang 4 mit einem integrierten Leiter
strang 6, der durch die Kapillarenspitze hindurchführt, ausgetrieben (nicht
explizit dargestellt). Am Ende des Dispensvorganges wird mit Hilfe einer
Schneidvorrichtung 10 der Profilstrang 4 mit dem Leiterstrang 6 unmittelbar
am Ende der Kapillare 3 getrennt (nicht explizit dargestellt). Die erzeugten
Profilstränge 4 enthalten somit einen durchgehenden Leiterstrangkern 6.
Aufgrund des durchgehenden Leiterstrangkerns eines solchen Profilstranges 4
können Leitwerte realisiert werden, die im Bereich von Vollmetallverbindun
gen liegen, wenn als Leiterstrang 6 beispielsweise ein dünner; Draht wie ein
Au-Bonddraht eingesetzt ist. Lediglich an den Anschlussflächen 14 der Kom
ponenten oder des Schaltungsträgers ergeben sich Übergangswiderstände,
die noch durch die elektrischen Eigenschaften des Ausgangsmaterials 9, das
bevorzugterweise Leitkleber ist, bestimmt werden. Aufgrund der geringen
Schichtdicke zwischen dem Leiterstrang 6 und der Kontaktfläche 14 spielen
diese Übergangswiderstände aber nur noch eine unbedeutende Rolle. Auch
könnte eine direkte Kontaktierung über den Kerndraht erfolgen.
Eine Degradation der elektrischen Verbindung durch mechanischen Streß bzw.
durch Alterung ist weitgehend ausgeschlossen, da sich die elektrische Funkti
on des Profilstranges 4 nur noch auf den kleinen Bereich der Kontaktfläche
beschränkt, wo sie auf kurzem Weg die elektrische Verbindung zwischen Kon
taktfläche 14 und dem eingebetteten Leiterstrang 6 (Draht) gewährleisten
muß und darüber hinaus nur noch der mechanischen Fixierung des Leiter
stranges 6 auf der Kontaktfläche 14 oder dem Substrat 13 dient. Eine streß-
oder alterungsbedingte Versprödung des Polymer-Leiterstrangsystems bleibt
somit ohne Auswirkungen auf die elektrischen Gesamteigenschaften, die hier
im wesentlichen vom metallischen Kern bestimmt werden.
Durch die hohe Duktilität des metallischen Drahtes wirken sich mechanische
Belastungen, wie zum Beispiel wiederholte Verbiegungen des Schaltungsträ
gers nicht mehr auf die elektrischen Systemeigenschaften aus.
1
Dispenservorrichtung
2
Plastifiziereinheit
3
Kapillarsystem
4
Profilstrang
5
Vorschubsystem
6
Leiterstrang
7
Führungsrohr
8
Düsenvorrichtung
9
Viskoses Ausgangsmaterial; Leitkleber
10
Schneidvorrichtung
11
Reinigungssystem
12
Leiterstrangabspulvorrichtung
13
Substratoberfläche
14
Kontaktfläche
Claims (12)
1. Verfahren zur Extrusion von Leiterbahnen mit einem durchgehenden
Leiterstrang, umfassend folgende Schritte:
- a) Dispensen eines kontinuierlichen Profilstrangs mit einem durchgehenden inneren Leiterstrang;
- b) Stabilisieren und Verfestigen des Profilstrangs auf einem Substrat; und
- c) Abtrennen des Profilstrangs an der Anschlußfläche einer Kompo nente.
2. Verfahren nach Anspruch 1 mit folgenden weiteren Schritten vor Schritt
a):
- 1. Aufschmelzen von thermoplastischem Ausgangsmaterial für einen auszubildenden Profilstrang;
- 2. Austreiben des aufgeschmolzenen Ausgangsmaterials durch eine Düsenvorrichtung bei gleichzeitigem Leiterstrangvorschub.
3. Verfahren nach Anspruch 2,
dadurch gekennzeichnet, daß
die Vorschubstärke beim Leiterstrangvorschub im Verfahrensschritt a2)
frei einstellbar ist.
4. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, mit ferner fol
gendem weiteren Verfahrensschritt nach Verfahrensschritt c):
- a) Kontaktierung des abgetrennten Profilstranges an der Anschlussflä che der Komponente.
5. Vorrichtung zur Extrusion von Leiterbahnen nach einem der Verfahren
gemäß Anspruch 1 bis 4, mit einer Dispenservorrichtung (1) bestehend
aus einer Plastifiziereinheit (2) zum Aufschmelzen von thermoplasti
schem Ausgangsmaterial (9), einer Düsenvorrichtung (8) mit einem Ka
pillarsystem (3) zur Ausbildung eines kontinuierlichen Profilstrangs (4)
aus dem aufgeschmolzenen Ausgangsmaterial (9) und einem Vorschub
system (5) zum Vorschieben eines Leiterstranges (6) in einem Füh
rungsrohr (7),
dadurch gekennzeichnet, daß
der Leiterstrang (6) in der Düsenvorrichtung (8) dem aufgeschmolzenen
thermoplastischen Ausgangsmaterial (9) im Kapillarsystem (3) zugefügt
ist.
6. Vorrichtung nach Anspruch 5,
dadurch gekennzeichnet, daß
die Düsenvorrichtung (8) an der Kapillarspitze eine Schneidvorrichtung
(10) zum Abtrennen des hinter der Kapillarspitze ausgebildeten Profil
strangs (4) umfaßt.
7. Vorrichtung nach Anspruch 6,
gekennzeichnet durch
ein Reinigungssystem (11) zur Reinigung der Schneidvorrichtung (10).
8. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 5 bis 7,
gekennzeichnet durch
eine Steuervorrichtung zum Einstellen der Leiterstrangvorschubstärke in
dem Vorschubsystem (5) und/oder eine Dosiervorrichtung zum Einstel
len und Dosieren des Kapillardurchsatzes von aufgeschmolzenem ther
moplastischen Ausgangsmaterial (9) in der Düsenvorrichtung (8).
9. Vorrichtung nach Anspruch 8,
dadurch gekennzeichnet, daß
das Einstellen der Leiterstrangvorschubstärke durch eine Gasströmung
erfolgt.
10. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 5 bis 9,
dadurch gekennzeichnet, daß
das aufgeschmolzene thermoplastische Ausgangsmaterial (9) ein Leit
kleber od. dgl. leitfähige Substanz,
insbesondere ein Polymer, ist.
11. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 5 bis 10,
dadurch gekennzeichnet, daß
der Leiterstrang (6) ein Bonddraht und/oder eine Lichtleiterfaser ist.
12. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 5 bis 10,
gekennzeichnet durch
eine Leiterstrangabspulvorrichtung (12) zum Abspulen des Leiterstran
ges (6).
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE10216526A DE10216526A1 (de) | 2001-04-30 | 2002-04-15 | Vorrichtung und Verfahren zur Extrusion von Leiterbahnen mit einem durchgehenden Leiterstrang |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE10121129 | 2001-04-30 | ||
DE10154688 | 2001-11-09 | ||
DE10216526A DE10216526A1 (de) | 2001-04-30 | 2002-04-15 | Vorrichtung und Verfahren zur Extrusion von Leiterbahnen mit einem durchgehenden Leiterstrang |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE10216526A1 true DE10216526A1 (de) | 2002-11-21 |
Family
ID=26009201
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE10216526A Withdrawn DE10216526A1 (de) | 2001-04-30 | 2002-04-15 | Vorrichtung und Verfahren zur Extrusion von Leiterbahnen mit einem durchgehenden Leiterstrang |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
DE (1) | DE10216526A1 (de) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2006077167A2 (de) * | 2005-01-24 | 2006-07-27 | Jumatech Gmbh | Verfahren zur durchgehenden verlegung eines leitungsdrahtes auf einer leiterplatte und vorrichtung zur durchführung des verfahrens |
DE102015005931A1 (de) | 2015-05-07 | 2016-11-10 | Oechsler Aktiengesellschaft | Schaltungsanordnung |
-
2002
- 2002-04-15 DE DE10216526A patent/DE10216526A1/de not_active Withdrawn
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DE102015005931A1 (de) | 2015-05-07 | 2016-11-10 | Oechsler Aktiengesellschaft | Schaltungsanordnung |
DE102015005931B4 (de) | 2015-05-07 | 2023-06-15 | Oechsler Aktiengesellschaft | Schaltungsanordnung |
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