DE10211077A1 - Verfahren zur Ansteuerung von MOS-Gate gesteuerten Leistungshalbleitern - Google Patents

Verfahren zur Ansteuerung von MOS-Gate gesteuerten Leistungshalbleitern

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gate
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DE2002111077
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German (de)
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Mark-Matthias Bakran
Rainer Graba
Ruediger Kleffel
Michael Munschauer
Ekkehard Pittius
Thomas Schroeck
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Original Assignee
Siemens AG
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Publication date
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    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03K—PULSE TECHNIQUE
    • H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
    • H03K17/04—Modifications for accelerating switching
    • H03K17/0406—Modifications for accelerating switching in composite switches

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