DE10210024A1 - Verfahren zum Herstellen von Halbleiterscheiben - Google Patents

Abstract

Gegenstand der Erfindung ist ein Verfahren zum Herstellen von Halbleiterscheiben, umfassend DOLLAR A das Bereitstellen eines Kristalls aus Halbleitermaterial mit einem sich axial erstreckenden Hohlraum, das Abtrennen der Halbleiterscheiben mit einer Drahtsäge, wobei der Kristall über einen im Hohlraum fixierten Aufnahmedorm gedreht wird, und mindestens zwei Verfahrensschritte, von denen einer eine Einzelscheibenbehandlung und eine andere eine Mehrscheibenbehandlung ist, wobei die Halbleiterscheiben bei der Mehrscheibenbehandlung in einer Reihenfolge angeordnet sind, in der sie nach dem Abtrennen vom Kristall angeordnet waren.

Description

Gegenstand der Erfindung ist ein Verfahren zum Herstellen von Halbleiterscheiben, insbesondere von Halbleiterscheiben aus Silicium.

Solche Halbleiterscheiben werden in großer Stückzahl als polykristallines oder einkristallines Grundmaterial für Solarzellen und für elektronische Bauelemente benötigt. Sie werden in der Regel mit Drahtsägen aus Einkristallen herausgetrennt, wobei nach jeder Trennoperation eine Vielzahl von Halbleiterscheiben gleichzeitig entsteht. Die Halbleiterscheiben werden anschließend einer weiteren Bearbeitung, die mehrere Verfahrensschritte umfaßt und hauptsächlich dem Ziel dient, möglichst ebene und parallele Seitenflächen zu schaffen, unterzogen. Zu solchen Verfahrensschritten zählen beispielsweise das Verrunden der Kanten, die mechanische Bearbeitung der Seitenflächen durch Läppen und/oder Schleifen, sowie das Ätzen und Polieren der Kanten und Seitenflächen.

Die vorliegende Erfindung löst insbesondere die Aufgabe, die Kosten für die Herstellung von Halbleiterscheiben ohne Qualitätseinbußen zu reduzieren.

Gegenstand der Erfindung ist ein Verfahren zum Herstellen von Halbleiterscheiben, umfassend das Bereitstellen eines Kristalls aus Halbleitermaterial mit einem sich axial erstreckendem Hohlraum, das Abtrennen der Halbleiterscheiben mit einer Drahtsäge, wobei der Kristall über einen im Hohlraum fixierten Aufnahmedorn gedreht wird, und mindestens zwei Verfahrensschritte, von denen einer eine Einzelscheibenbehandlung und eine anderer eine Mehrscheiben­ behandlung ist, wobei die Halbleiterscheiben bei der Mehrscheibenbehandlung in einer Reihenfolge angeordnet sind, in der sie nach dem Abtrennen vom Kristall angeordnet waren.

Neben einer Kostenersparnis bringt das Verfahren weitere Vorteile mit sich. So können die Seitenflächen besonders eben geschliffen werden, weil beim Schleifen vollflächiger Scheiben ein durch die Schleifkinematik bedingter, erhöhter Materialabtrag im Scheibenzentrum beim Schleifen von Scheiben, die im Zentrum ein Loch aufweisen, nicht auftritt. Darüber hinaus lassen sich die Halbleiterscheiben vom Entstehen bis zum Liefern an den Kunden individuell identifizieren, womit gemeint ist, dass zu jeder Zeit angegeben werden kann, an welcher Position eines Kristalls eine Halbleiterscheibe herausgetrennt wurde. Dieses zur Qualitätskontrolle gehörende Erfordernis gewinnt zunehmend an Bedeutung.

Das vorgeschlagene Verfahren beschreitet einen Weg, der erheblich von dem abweicht, was auf dem Gebiet der Herstellung von Halbleiterscheiben bisher üblich ist, wenn auch Halbleiterscheiben mit einem Loch im Zentrum bereits als solche beschrieben worden sind. Gemäß der US-5,890,269 läßt sich das Loch im Zentrum ausnützen, um eine Halbleiterscheibe, ohne die Seitenflächen berühren zu müssen, halten zu können.

Die erfindungsgemäße Herstellung der Halbleiterscheiben greift auf eine Drahtsägetechnik mit rotierendem Werkstück zurück, die im Zusammenhang mit der Herstellung von Halbleiterscheiben noch nicht beschrieben worden ist. Die DE-198 51 070 A1 beschreibt zwar ein ähnliches Verfahren, allerdings zum Zweck der Trennung von vollflächigen Halbleiterscheiben von einem Einkristall. Dieses Verfahren hat jedoch den schwerwiegenden Nachteil, dass der Einkristall vor dem Ende des Trennvorgangs umgespannt werden muß, um die entstehenden Halbleiterscheiben halten zu können. Die vorliegende Erfindung umgeht dieses Problem, indem sie einen Einkristall einsetzt, der einen sich axial erstreckenden Hohlraum aufweist. In diesen Hohlraum wird ein Aufnahmedorn geschoben, der als Antriebswelle zum Drehen des Einkristalls und als Halterung zur Aufnahme der entstehenden Halbleiterscheiben dient. Im Hinblick auf seine Form ist der Einkristall mit einem hohlzylindrischen Werkstück aus Keramik vergleichbar, wie es zur Herstellung magnetischer Speicherplatten in Scheiben benötigt wird. Solche Speicherplatten müssen ein zentrales Loch aufweisen, da sie im Betrieb bei hohen Drehzahlen gedreht werden. Die US-5,564,409 beschreibt ein geeignetes Trennverfahren zur Herstellung solcher Speicherplatten, bei dem eine Drahtsäge als Trennwerkzeug eingesetzt wird. Für eine Übertragung dieses Trennprinzips auf die Herstellung von Halbleiterscheiben bestand jedoch keine Veranlassung, da für ein zentrales Loch in Halbleiterscheiben keine Notwendigkeit bestand und der in der bereits genannten US-5,890,269 beschriebene Vorteil bezüglich der Handhabung von Halbleiterscheiben mit zentralem Loch den Aufwand nicht kompensiert, der mit der Bereitstellung eines solchen Lochs verbunden ist. Darüber hinaus stand auch der mit dem Anbringen eines zentralen Lochs verbundene Verlust von Fläche für die Herstellung elektronischer Bauelemente einer solchen Übertragung entgegen. Erst das Einbinden eines solchen Trennverfahrens in das beanspruchte, auf diese Scheibenform abgestimmte Herstellungsverfahren führt zu den bereits beschriebenen Vorteilen der Erfindung.

Die Erfindung und ihre bevorzugten Ausführungsformen werden nachfolgend näher beschrieben. Dabei wird auch Bezug auf Figuren genommen. Fig. 1 zeigt eine Anordnung von Halbleiterscheiben und einen Aufnahmedorn im Längsschnitt. Fig. 2 zeigt eine Trommel im Querschnitt, die die Anordnung gemäß Fig. 1 enthält. Fig. 3 ist eine Längsschnittdarstellung von Fig. 2. Fig. 4 zeigt von vorne eine Anordnung von Halbleiterscheiben und einem Klemmdorn, wobei die Anordnung in in einer Horde abgelegt ist. Fig. 5 zeigt die Anordnung gemäß Fig. 4 im Längsschnitt, jedoch ohne die Horde.

Kristalle im Sinne des beanspruchten Verfahrens sind vorzugsweise polykristalline oder einkristalline Kristalle aus Silicium. Das beanspruchte Verfahren dient besonders bevorzugt zur Herstellung von Halbleiterscheiben aus Silicium, da Silicium das am häufigsten verwendete Halbleitermaterial ist und Einkristalle aus diesem Material herstellbar sind, die Durchmesser von 200 mm und darüber besitzen. Andererseits kann die Erfindung natürlich auch auf anderes Halbleitermaterial angewendet werden, insbesondere auf Verbindungshalbleiter der zweiten und sechsten Hauptgruppe und der dritten und fünften Hauptgruppe. Einkristalle sind als Ausgangsmaterial für das erfindungsgemäße Verfahren besonders bevorzugt, jedoch nicht unbedingt notwendig. Je größer der Durchmesser des Einkristalls ist, desto vorteilhafter kann die Erfindung eingesetzt werden, denn zum einen wird es bei Einkristallen mit großem Durchmesser einfacher den sich axial durch den Einkristall erstreckenden Hohlraum zu schaffen und zum anderen wird der prozentuale Flächenverlust, der durch das zentrale Loch verursacht wird, bei Halbleiterscheiben mit größerem Durchmesser geringer. Bei einem Scheibendurchmesser von 300 mm beträgt der Anteil der vom Loch beanspruchten Fläche an der gesamten Seitenfläche der Halbleiterscheibe nur noch etwa 1%.

Der Einkristall wird vorzugsweise nach der Czochralski-Methode aus einer Schmelze gezogen, die in einem Tiegel vorgehalten wird. Ebenso bevorzugt ist die Herstellung des Einkristalls nach dem Zonenziehverfahren, bei dem ein polykristalliner Vorratsstab mit Hilfe einer Hochfrequenzspule zu einem Einkristall umgeschmolzen wird. Der sich axial durch den Einkristall erstreckende Hohlraum wird zweckmäßigerweise in den Einkristall gebohrt. Obwohl es noch nicht ernsthaft versucht wurde, scheint es zumindest nicht ausgeschlossen, dass ein solcher Hohlraum bereits beim Ziehen des Einkristalls nach der Czochralski-Methode geschaffen werden kann, indem ein als rohrförmiger Hohlkörper ausgebildeter Impflingskristall zum Ziehen des Einkristalls eingesetzt wird. Im Falle von Silicium kann von der Schmelze ausdampfendes Siliciumoxid den durch die Form des Impfkristalls erzwungenen Hohlraum offenhalten und in den entstehenden Einkristall ausdehnen.

Der Hohlraum wird vorzugsweise so gebohrt, dass er mit der Drehachse zusammenfällt, um die der Einkristall beim Abtrennen der Halbleiterscheiben gedreht werden wird. Die Drehachse fällt in der Regel mit einer kristallographischen Achse des Einkristalls zusammen oder liegt definiert zu einer solchen Achse (Offset-Lage). Die vorgesehene Richtung der Bohrung kann mit Hilfe eines Röntgengoniometers bestimmt und kontrolliert werden.

Bevor der Einkristall in Halbleiterscheiben getrennt wird, wird er am Umfang auf einen einheitlichen Durchmesser rundgeschliffen. Dies geschieht vorzugsweise nach dem Anbringen der Bohrung, weil die Bohrung ein korrektes Orientieren des Einkristalls relativ zum Schleifwerkzeug problemlos ermöglicht. Besonders bevorzugt ist es, den Einkristall bereits zum Schleifen des Umfangs so vorzubereiten, dass der Einkristall nach dem Schleifen des Umfangs direkt zum Abtrennen der Halbleiterscheiben in die Drahtsäge umgesetzt werden kann. Es ist auch nicht ausgeschlossen, das Schleifwerkzeug in die Drahtsäge zu integrieren, so dass nach der Schleifoperation unverzüglich und ohne ein Umsetzen des Werkstücks mit der Trennoperation fortgefahren werden kann.

Um den Einkristall beim Rundschleifen und beim Abtrennen der Halbleiterscheiben drehen zu können, wird ein Aufnahmedorn in den geschaffenen Hohlraum geschoben und rutschfest fixiert, vorzugsweise geklebt oder geklemmt. Als Klebstoff ist ein Kitt auf Harzbasis bevorzugt. Der Aufnahmedorn dient beim Abtrennen der Halbleiterscheiben nicht nur als Antriebswelle zum Drehen des Einkristalls um die gewählte Drehachse sondern auch als Aufnahme, die die abgetrennten Halbleiterscheiben in Position hält. Während des Abtrennens der Halbeiterscheiben wird eine hohe Sägegeschwindigkeit vorzugsweise durch eine hohe Drehgeschwindigkeit des Einkristalls erzielt, während die Drahtbewegung vergleichsweise langsam sein kann. Dies ist insbesondere bei der Verwendung von Sägedraht von Vorteil, der fest gebundenes Schneidkorn, beispielsweise Diamantkorn, enthält, weil eine langsame Drahtbewegung den Sägedraht und die Drahtführungsrollen weniger verschleißt. Die Verwendung von Sägedraht mit gebundenem Schneidkorn ist auch deshalb bevorzugt, weil sich damit besonders hohe Sägegeschwindigkeiten und damit kurze Schneidperioden erzielen lassen. Trotzdem ist es auch möglich, Drahtsägen einzusetzen, bei denen loses Schneidkorn als Sägesuspension (slurry) dem schneidkornfreien Sägedraht zugeführt wird. Der Einkristall kann beim Sägen gegen das Drahtgatter aus parallelen Drahtabschnitten der Drahtsäge bewegt werden oder umgekehrt. Das Drahtgatter und der Einkristall können auch gegeneinander bewegt werden. Das Abtrennen der Halbleiterscheiben ist vollzogen, wenn die Drahtabschnitte in den Aufnahmedorn eingedrungen sind. Die Halbleiterscheiben sind dann mittig auf dem Aufnahmedorn fixiert und werden innen exakt auf Abstand gehalten. Im Gegensatz zu Verfahren, bei denen die Halbleiterscheiben nur am Umfang gehalten werden, können sie in dieser Anordnung nicht zusammenkleben.

Gemäß einer bevorzugten Ausführungsform, die in Fig. 1 dargestellt ist, ist der Aufnahmedorn 1 mit Kanälen versehen, um die abgetrennten Halbleiterscheiben 2 effizient vorreinigen zu können. Zu diesem Zweck wird durch die äußere Wand 3 des Aufnahmedorns in die Kanäle gesägt und eine Reinigungsflüssigkeit 4 durch die vom Sägedraht 5 in der Wand erzeugten Öffnungen zwischen den rotierenden Halbleiterscheiben radial nach außen gefördert. Auf diese Weise werden die Halbleiterscheiben von Rückständen befreit, insbesondere von Sägeschlamm, der Abrieb und Schneidflüssigkeit enthält.

Anschließend werden die Halbleiterscheiben in einem Bad gründlich gereinigt, beispielsweise in einem Bad mit Abflußspülung (quick dump cleaning). Dieser Reinigungsschritt umfasst auch das Lösen der Klebeverbindung, durch die die Halbleiterscheiben auf dem Aufnahmedorn gehalten werden. Zu diesem Zweck enthält das Bad einen die Klebeverbindung lösenden Wirkstoff. Vorzugsweise wird eine Trommel eingesetzt, die die Halbleiterscheiben zumindest teilweise am Umfang umschließt. Die Trommel wird in das Bad getaucht und gegebenenfalls gedreht. Gemäß einer bevorzugten Ausführungsform, die in Fig. 2 dargestellt ist, wird eine Trommel 6 verwendet, die die Halbleiterscheiben mittels Kämmen 7, die in die Zwischenräume zwischen den Halbleiterscheiben geschoben werden, auf Abstand halten. Die dargestellte Trommel ist mit drei versetzt angeordneten Kämmen 7 versehen, von denen ein Kamm 7a verschiebbar ausgeführt ist. Dieser Kamm wird erst nach dem Einführen der Halbleiterscheiben in die Trommel zwischen die Halbleiterscheiben gesteckt. Fig. 3 zeigt die Anordnung der Halbleiterscheiben 2 und des Aufnahmedorns 1 bei geschlossenem Kamm 7a im Längsschnitt.

Die gereinigten Halbleiterscheiben werden anschließend einzeln aus der Trommel entnommen und in Horden umgesetzt, wobei darauf zu achten ist, dass gleichbleibende Nachbarschaftsbeziehungen die Identifizierbarkeit der Position einer Halbleiterscheibe im Einkristall gewährleisten. Die Halbleiterscheiben werden mit einem Werkzeug, beispielsweise einem Sauger in die Horden umgesetzt, wobei dies wegen der zentrischen Anordnung der Halbleiterscheiben einfach zu bewältigen ist und deshalb vorzugsweise automatisiert erfolgt. Bevorzugt wird die Trommel 6 gemäß Fig. 2 zu diesem Zweck horizontal angeordnet, der Kamm 7a nach oben zurückgezogen, wobei Gegenhalter 12 die Halbleiterscheiben fixieren, und die jeweils erste Halbleiterscheibe 2 mit dem Werkzeug von den Kämmen 7 angehoben und axial aus der Trommel bewegt und in die nicht dargestellte Horde gestellt. In der Horde ist der Abstand zwischen den Halbleiterscheiben zweckmäßigerweise größer, als der beim Abtrennen der Halbleiterscheiben sich ergebende Abstand. Die Halbleiterscheiben liegen in der Horde positionstreu, das heißt, in der gleichen Reihenfolge, in der sie nach dem Abtrennen vom Einkristall angeordnet waren.

Die Trommel kann auch nur dazu verwendet werden, um die Halbleiterscheiben vom Aufnahmedorn zu lösen und sie in Horden zu überführen. Gemäß einer gleichermaßen bevorzugten Vorgehensweise werden die Halbleiterscheiben erst nach dem Einhorden gründlich gereinigt, wobei statt einer Trommel ein Klemmdorn zum Einsatz kommt. Der Klemmdorn wird durch die Löcher der parallel in der Horde liegenden Halbleiterscheiben geschoben. Danach werden die Halbleiterscheiben auf dem Klemmdorn fixiert. Die resultierende Situation ist in Fig. 4 am Beispiel eines bevorzugt ausgebildeten Klemmdorns dargestellt.

Sie zeigt in Seitenansicht die vorderste Halbleiterscheibe 2 in einer Horde 8 stehend. Die Halbleiterscheiben sind durch drei radial nach außen gedrückte Leisten 9 am Klemmdorn 10 fixiert. Sie können daher im Paket aus der Horde gehoben und einer gründlichen Reinigung, beispielsweise in einem Reinigungsbad, unterzogen werden. Durch diese Art des Umgangs mit den Halbleiterscheiben werden Randausbrüche vermieden.

Gemäß einer besonders bevorzugten Ausführungsform, die in Fig. 5 dargestellt ist, ist der Klemmdorn 10 als Rohr ausgebildet, in dessen Wand Bohrungen 11 vorgesehen sind, die den Durchtritt einer in das Rohr geförderten Reinigungsflüssigkeit oder Spülflüssigkeit wie Wasser nach außen ermöglichen. Beim Drehen des Klemmdorns wird die Flüssigkeit an den Halbleiterscheiben entlang radial nach außen geschleudert. Wird die Zufuhr von Flüssigkeit abgebrochen und gegebenenfalls durch einen Dampf oder ein Gas ersetzt, können die Halbleiterscheiben auch trockengeschleudert werden. Der Klemmdorn ermöglicht in Verbindung mit dem Loch im Zentrum der Halbleiterscheiben, dass eine Vielzahl von Halbleiterscheiben gleichzeitig und posi­ tionstreu verschiedenen Verfahrensschritten unterzogen werden kann. Dazu gehören insbesondere der Transport, die Reinigung, das Ätzen, das Spülen und das Trocknen der Halbleiterscheiben und auch eine Wärmebehandlung. Ein Greifen der Halbleiter­ scheiben am Umfang oder ein Berühren der Seitenflächen der Halbleiterscheiben ist dabei nicht erforderlich. Das gleich­ zeitige Prozessieren einer Vielzahl von Halbleiterscheiben ver­ kürzt auch die Dauer des Herstellungsprozesses erheblich und führt wegen der damit verbundenen Durchsatzsteigerung zu einer beträchtlichen Kostenersparnis, welche durch Ausschöpfen eines hohen Automatisierungspotenzials noch gesteigert werden kann.

Die Vielzahl der am Klemmdorn fixierten Halbleiterscheiben kann jederzeit in eine Horde zurückgesetzt und vom Klemmdorn gelöst werden, so dass Verfahrensschritte, die eine Einzelscheiben­ behandlung erfordern und solche, die eine Behandlung im Paket ermöglichen, problemlos aneinandergereiht werden können. Zu den Verfahrensschritten, bei denen eine Einzelscheibenbehandlung vorteilhaft ist, zählen beispielsweise das Verrunden und Polieren der Kanten und das Schleifen der Seitenflächen.

Um zu vermeiden, dass Material beim Prozessieren der Halbleiterscheiben von deren Kanten absplittert, werden die Kanten der gereinigten Halbleiterscheiben gemäß dem Stand der Technik verrundet und gegebenenfalls poliert, wobei die zusätzliche, das Loch im Zentrum der Halbleiterscheibe begrenzende innere Kante mitberücksichtigt wird.

Anschließend wird mindestens eine Seitenfläche der Halbleiter­ scheiben mechanisch geglättet, beispielsweise indem die Halbleiterscheiben geläppt oder geschliffen werden. Es können auch beide Verfahrensschritte vorgesehen sein, beispielsweise ein Schleifen, dem später ein Läppen der Halbleiterscheiben folgt. Besonders bevorzugt ist es jedoch, die Halbleiter­ scheiben nur zu schleifen, und zwar einzeln, wobei nur eine Seitenfläche oder beide Seitenflächen gleichzeitig oder beide Seitenflächen nacheinander geschliffen werden, gegebenenfalls weiter unterteilt in einen Grob- und einen Feinschliff. Dabei werden übliche Schleifmaschinen eingesetzt, insbesondere solche, bei denen eine rotierende Topfschleifscheibe als Schleifwerkzeug auf die rotierende Halbleiterscheibe zugestellt wird. Die damit verbundene Schleifkinematik zieht nach sich, dass die Verweildauer des Schleifwerkzeugs im Zentrum der Halbleiterscheibe am größten ist und der Materialabtrag an dieser Stelle am höchsten wird. Da aber im erfindungsgemäßen Verfahren Halbleiterscheiben geschliffen werden, die im Zentrum ein Loch aufweisen, wird in diesem Bereich ins Freie geschliffen und damit vermieden, dass die Ebenheit der geschliffenen Seitenfläche wegen eines erhöhten Materialabtrags im Zentrum beeinträchtigt ist.

Die geschliffenen Halbleiterscheiben werden vorzugsweise in Horden gesammelt und wie bereits beschrieben, gründlich gereinigt. Das beanspruchte Verfahren kann weitere übliche Schritte umfassen, beispielsweise eine Kennzeichnung der Halbleiterscheiben mittels eines Lasers, eine naßchemische Ätze bei vorzugsweise saurem pH-Wert, um beschädigte Bereiche im oberflächennahen Bereich zu beseitigen, sowie eine Abtragspolitur, vorzugsweise eine Doppelseitenpolitur und gegebenenfalls eine Endpolitur mit geringem Materialabtrag, um die Ebenheit zu perfektionieren. Schließlich sind auch Wärmebehandlungen und ein- oder doppelseitige Beschichtungen, beispielsweise das Abscheiden einer epitaktischen Schicht möglich.

Eine besonders bevorzugte Verfahrenssequenz umfasst folgende Schritte, wobei ein hinzugefügtes "(B)" für eine gleichzeitige, positionstreue Behandlung mehrerer Halbleiterscheiben im Paket steht:

• a) Bereitstellen eine Einkristalls mit einem sich axial erstreckendem Hohlraum
• b) Rundschleifen des Einkristalls
• c) Abtrennen von Halbleiterscheiben vom rotierenden Einkristall mittels einer Drahtsäge
• d) Vorreinigen der abgetrennten Halbleiterscheiben (B)
• e) Lösen der Halbleiterscheiben vom Aufnahmedorn und gründliches Reinigen der Halbleiterscheiben (B)
• f) Trocknen der Halbleiterscheiben (B)
• g) Verrunden von Kanten und Orientierungskerben der Halbleiterscheiben
• h) Schleifen von mindestens einer Seitenfläche der Halbleiterscheiben
• i) Anbringen einer Lasermarkierung
• j) Gründliches Reinigen der Halbleiterscheiben (B)
• k) Saures Ätzen der Halbleiterscheiben (B)
• l) Wärmebehandeln der Halbleiterscheiben
• m) Doppelseitenpolitur
• n) Endreinigen der Halbleiterscheiben (B)
• o) Verpacken der Halbleiterscheiben

Es ist auch möglich, die Halbleiterscheiben auf einem Klemmdorn aufgereiht zu verpacken.

Claims (9)

1. Verfahren zum Herstellen von Halbleiterscheiben, umfassend das Bereitstellen eines Kristalls aus Halbleitermaterial mit einem sich axial erstreckendem Hohlraum, das Abtrennen der Halbleiterscheiben mit einer Drahtsäge, wobei der Kristall über einen im Hohlraum fixierten Aufnahmedorn gedreht wird, und mindestens zwei Verfahrensschritte, von denen einer eine Einzelscheibenbehandlung und ein anderer eine Mehrscheiben­ behandlung ist, wobei die Halbleiterscheiben bei der Mehrscheibenbehandlung in einer Reihenfolge angeordnet sind, in der sie nach dem Abtrennen vom Kristall angeordnet waren.

2. Verfahren nach Anspruch 1, wobei der Aufnahmedorn in den Kristall geklebt oder geklemmt wird.

3. Verfahren nach Anspruch 1 oder Anspruch 2, wobei in den Aufnahmedorn gesägt wird bis Öffnungen entstehen, und eine Flüssigkeit durch Kanäle im Aufnahmedorn und die Öffnungen zwischen die Halbleiterscheiben gefördert wird.

4. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 3, wobei die Halbleiterscheiben nach dem Abtrennen vom Kristall in einer Trommel gereinigt werden, wobei die Halbleiterscheiben in einer Reihenfolge angeordnet sind, in der sie nach dem Abtrennen vom Kristall angeordnet waren.

5. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 4, wobei die Halbleiterscheiben vom Aufnahmedorn einzeln in Horden überführt werden und in den Horden in der Reihenfolge angeordnet werden, in der sie nach dem Abtrennen vom Kristall angeordnet waren.

6. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 5, wobei die Halbleiterscheiben vor der Mehrscheibenbehandlung auf einen Klemmdorn geklemmt werden.

7. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 6, wobei die Halbleiterscheiben einer als Mehrscheibenbehandlung durchgeführten Reinigung unterzogen werden und dabei in der Reihenfolge angeordnet sind, in der sie nach dem Abtrennen vom Kristall angeordnet waren.

8. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 7, wobei die Halbleiterscheiben einem als Einzelscheibenbehandlung durchgeführten Schleifen von mindestens einer Seitenfläche unterzogen werden.

9. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 8, wobei die Halbleiterscheiben einer oder mehrerer Behandlungen unterzogen werden, die das Verrunden und die Politur von Kanten und Orientierungskerben, das Ätzen, Reinigen, Spülen und Polieren der Halbleiterscheiben, und Anbringen einer Lasermarkierung auf den Halbleiterscheiben, das Behandeln der Halbleiterscheiben mit Wärme und das Beschichten der Halbeiterscheiben umfasst.