DE10203096A1 - Befestigung für ein Halbleitermodul - Google Patents

Befestigung für ein Halbleitermodul

Info

Publication number
DE10203096A1
DE10203096A1 DE2002103096 DE10203096A DE10203096A1 DE 10203096 A1 DE10203096 A1 DE 10203096A1 DE 2002103096 DE2002103096 DE 2002103096 DE 10203096 A DE10203096 A DE 10203096A DE 10203096 A1 DE10203096 A1 DE 10203096A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
substrate
clamping screw
heat
screw
semiconductor module
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
DE2002103096
Other languages
English (en)
Inventor
Andreas Liebsch
Holger Ulrich
Ronald Eisele
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Danfoss Silicon Power GmbH
Original Assignee
Danfoss Silicon Power GmbH
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Danfoss Silicon Power GmbH filed Critical Danfoss Silicon Power GmbH
Priority to DE2002103096 priority Critical patent/DE10203096A1/de
Publication of DE10203096A1 publication Critical patent/DE10203096A1/de
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/10Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices having separate containers
    • H01L25/11Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L29/00
    • H01L25/115Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L29/00 the devices being arranged next to each other
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/07Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L29/00
    • H01L25/072Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L29/00 the devices being arranged next to each other
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/30Technical effects
    • H01L2924/35Mechanical effects
    • H01L2924/351Thermal stress
    • H01L2924/3511Warping

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)

Abstract

Befestigung für ein Leistungshalbleitermodul mit einem Substrat (10), auf dem die Leistungselektronikbauteile angeordnet sind, mit einer in einem mittigen Durchlaß (16) im Substrat (10) und der wärmesenkenden Bodenplatte (14) vorgesehenen und auf letztere wirkenden Befestigungsschraube.

Description

  • Leistungshalbleiter werden mit dem sie tragenden Substrat üblicherweise auf Wärmesenken-Wärmespreizplatten aufgelötet, um einen schnellen Wärmeabfluß zu gewährleisten, so daß bei dem Betrieb mit hohen Strömen die Temperaturen in den Leistungshalbleitern nicht zu stark ansteigen.
  • Weiter werden im Stand der Technik die Wärmespreizplatten durch im Randbereich angeordnete Befestigen auf den sie tragenden Strukturen, beispielsweise größeren Kühlkörpern befestigt.
  • Insbesondere beim Zusammenlöten ergibt sich das Problem, das die während des Lötvorganges aufgeheizten, später auf Umgebungstemperatur abgekühlten Stapel unterschiedlicher Materialien aufgrund der unterschiedlichen Ausdehnungskoeffizienten der einzelnen Schichten sich (z. B. konvex) verformen.
  • Weiter ergibt sich das Problem auch im Gebrauch, wenn die sich bei Erwärmung ausdehnenden Wärmespreizplatten - zwischen den Befestigungspunkten bei klassischer Schraubbefestigung eingespannt - sich längen und verwölben und so beispielsweise konvex von einem Kühlkörper abheben. Dieses Problem verschärft sich noch bei größeren Stapelhöhen.
  • Die statische und thermische Verformung bedingt thermische Übergangsverluste an Spalten, die nur zum Teil mit Wärmeleitpaste ausgeglichen werden können. Folge kann dann die Überhitzung der Halbleiter sein.
  • Typische thermische Stapel entstehen durch folgenden Materialaufbau (in den beigefügten Fig. 1-3 von oben nach unten):
    • - auf einem Leistungshalbleiter aus Silizium, nicht dargestellt, mit einem thermischen Expansionskoeffizienten (CTE) von z. B. 4,2 ppm/K folgt
    • - ein Substrat, das entweder als Aluminium-Oxid- Kernsubstrat (Al2O3-DCB) mit einem CTE von 7-8 ppm/K oder als Aluminium-Nitrid-Kern-Substrat (AlN-DCB) mit einem CTE von 5 ppm/K sich deutlich stärker ausdehnt. Noch stärker dehnt sich die
    • - Wärmespreizplatte, die entweder aus Kupfer mit einem CTE von 17 ppm/K oder als Aluminium- Siliziumkarbid (AlSiC) mit einem CTE von 8-12 ppm/K ausgebildet ist.
  • Diese einzelnen Schichten des thermischen Stapels werden nun noch durch Lötungen miteinander verbunden um guten thermischen Kontakt zu gewähren.
  • Schon beim Löten mit Temperaturen von typischerweise 220°C ergeben sich nun in dem Stapel thermisch induzierte mechanische Verformungen aufgrund der horizontalen thermischen Kontraktionen der einzelnen Schichten.
  • In den Figuren zum Stand der Technik (Fig. 1-3) sind die Hauptkomponenten, das Substrat für die Halbleiter (ggf. mit aufgedruckten Lackschichten), die Lotschicht (weiß mit schwarzen Strichen) und die Wärmespreizplatte (schwarz mit weißer Schraffur) zunächst separat parallel zueinander dargestellt. Ganz oben sind die aufgelöteten Leistungs-Halbleiter dargestellt. Im Rahmen üblicher Fertigungstechniken sind die Platten und das Substrat als eben anzusehen, und die Lotschicht wird ebenfalls gern als ebenes Plättchen eingefügt, um eine gleichmäßige Dicke sicherzustellen.
  • Während sie in Fig. 1 noch getrennt dargestellt sind, sind in der Fig. 2 die Komponenten im Zustand des aufgeschmolzenen Lotes, das heißt bei der Schmelztemperatur des Lotes von z. B. 220°C ebenfalls noch eben dargestellt.
  • Die Fig. 3 zeigt dann aber den Stapel bei Raumtemperatur, bei dem sich eine konvexe Verformung eingestellt hat. Diese konvexe Verformung führt zu einem sehr schlechten thermischen Kontakt auf einem Kühlkörper. Lediglich am Rand kann die Wärmespreizplatte diesen Kühlkörper, der in der Fig. 4 zum ersten Mal dargestellt ist, noch thermisch kontaktieren.
  • Diesem Problem wird in der DE A1-43 38 107 durch ein Abdrehen der Metall-Wärmespreizplatte an ihrer Unterseite bis zu einem konvexen Zustand begegnet, der die Platte bei nach oben konvexer Vorspannung wieder plan auf einen Kühlkörper aufsetzbar macht.
  • Es ist leicht einzusehen, daß das Maß der Konvexität hier eine kritische Größe ist, die andererseits einer Vielzahl von Parametern unterliegt, so daß schon der Austausch eines Materials wie z. B. des Lots, oder eine etwas höhere Löttemperatur ein anderes Maß erfordern. Dies ist aufwendig und kostenintensiv in Planung und Herstellung.
  • Auch Weiterentwicklungen, wie in der DE-A1 197 07 514, vermögen das Problem nicht befriedigend zu lösen, ebenso andere Arten der Vorbiegung, wie ein Prägen (mit Prägepressen), die die Oberseite der Wärmespreizplatte mit verbiegen.
  • Der Erfindung liegt nun die Aufgabe zugrunde, die thermische Kontaktierung der auf einer Wärmespreizplatte verlöteten Schichten zu verbessern.
  • Erfindungsgemäß wird die Aufgabe durch eine Befestigung mit den Merkmalen des Hauptanspruches gelöst. Die Unteransprüche geben vorteilhafte Ausführungsformen der Erfindung wieder.
  • Die Anordnung einer Spannschraube in der Mitte des Substrats und der Wärmespreizplatte ergibt die Möglichkeit, die Vorspannung der Wärmespreizplatte durch eine entsprechend gewählte Spannung beim Festsetzen der Schraube auszugleichen.
  • Zwar ist die mittige Anordnung einer Befestigungsschraube schon in der DE C2 196 30 173 beschrieben, dort ist sie jedoch nur zur Halterung eines Druckstücks mit einer Mehrzahl von Kontakten für die Halbleiter vorgesehen. Eine Wärmespreizplatte als Kühlungsreservoir und zur Verteilung der punktuell anfallenden Wärme fehlt, so daß sich das Problem nicht stellt.
  • Sinnvollerweise soll nach der Erfindung die Bohrung in der Mitte bzw. bei rechteckigen Formen im Zentrum des Stapels geführt werden. Andere Orte sind jedoch insbesondere bei der Verwendung einer Mehrzahl von Schrauben nicht ausgeschlossen.
  • Dabei darf die Druckfläche der Schraube jedoch nicht auf die Keramik-Kernsubstrate drücken, da sonst die akute Gefahr der Zerstörung besteht. Aus diesem Zweck ist die zentrische Bohrung im Substrat größer vorzusehen als die Druckfläche der Schraube, so daß die Schraube direkt auf die Wärmespreizplatte drückt. Gleichzeitig können auf diese Weise auch die notwendigen Isolationsabstände gewahrt werden.
  • Insbesondere ist vorteilhaft, daß durch die Erfindung auch bei Verwendung von AlSiC (Aluminiumsiliziumcarbid) für die Wärmespreizplatten dieses hochsteife, gegenüber Kupfer aber wesentlich leichtere Material vollflächig auf Kühlkörpern oder dergleichen angesetzt werden kann. Dabei kann eine vorbestehende Wölbung, die angesichts des hochsteifen Materials lediglich im Bereich zwischen 50-80 µm gewählt werden kann, durch die Kraft, mit der die Spannschraube angezogen wird, ausgeglichen werden. Man erhält dann eine sich auch bei vielen Temperaturzyklen gegen Durchbiegung der Wärmesenke und dadurch erfolgende Abhebung am Rand gesicherte Verbindung zu gewähren.
  • Die in der Mitte des Substrates vorgesehene Bohrung sollte dabei zusätzlich mit einer nicht leitenden Hülse (insbesondere mit einem T-förmigen Längsschnitt) aus Kunststoffmaterial versehen sein, damit die aus leitendem Material (Stahl) gefertigten Schrauben keine elektrische Verbindung zwischen dem Leistungshalbleiterbauteil und der elektrisch leitenden Wärmespreizplatte schaffen. An einen hohlzylindrischen Abschnitt wird sich in einer bevorzugten Ausführungsform aber keine Andruckringfläche als Kragen unter dem Schraubenkopf anschließen, sondern es wird nur die zur Seite ragende Mantelfläche genutzt.
  • Die Länge des hohlzylindrischen Abschnitts sollte dabei etwas kürzer als die genau bekannte Dicke des Substrates sein.
  • Schließlich kann in einer weiter bevorzugten Ausführungsform die bei steigender Betriebstemperatur durch die thermische Dehnung der Schrauben, die sich stärker längen als der thermische Stapel, geschaffene Differenz durch einen Federring oder einen exakt dimensionierten Dehnungsstapel, z. B. aus Kupfer- oder Aluminiumschichten, entsprechend kompensiert werden. Dieser Federring oder Dehnungsstapel kann in die Hülse integriert werden, oder separat unter der Andruckringfläche vorgesehen werden.
  • Weitere Vorteile und Merkmale der Erfindung ergeben sich aus nachfolgender Beschreibung eines bevorzugten Ausführungsbeispiels der Erfindung.
  • Dabei zeigt:
  • Fig. 1 die einzelnen Schichten eines thermischen Stapels separat,
  • Fig. 2 die Schichten in einem Hochtemperaturzustand,
  • Fig. 3 die Schichten bei Raumtemperatur in ihrem erstarrten konvex verformten Zustand nach dem Stand der Technik, und
  • Fig. 4 die Anordnung einer Bohrung nach der Erfindung in dem Substrat, der Lotschicht und der Wärmespreizplatte, sowie eine darunterliegende Struktur in Form eines Kühlkörpers, einen Kontaktrahmen mit einem innenliegenden Druckstück, einen Deckel und die Spannschraube.
  • Der in der Fig. 4 dargestellte Durchlaß 16 in Substrat 10 und Wärmespreizplatte 14 für eine im Kühlkörper 18 in einem Gewinde festgesetzte Spannschraube 22 führt dazu, daß sich eine zentrische Druckverbindung oder aber auch eine Niete mit definierter Vorspannung auf die Wärmespreizplatte 14 wirkend bei der Befestigung eines die Leistungshalbleiter 32 tragenden Substrates 10 auf der Wärmespreizplatte 14 einstellen läßt.
  • In einer bevorzugten Ausführungsform sind die bei steigenden Betriebstemperaturen durch die thermische Dehnung der Schrauben, die sich stärker längen als der thermische Stapel durch einen Federring oder einen exakt dimensionierten Dehnungsstapel, z. B. aus Kupfer- oder Aluminiumschichten entsprechend zu kompensieren. Dieser Stapel kann parallel zum Gewinde unter dem Schraubenkopf 22 als ein Druckstück 20 angeordnet werden. Der Deckel 24 ist also mit einer Ausnehmung versehen, die größer als der Kopf 22 der Schraube ist.
  • Der Rahmen 26 dient lediglich zur Kontaktierung und wird üblicherweise über den Halbleiter mit einem Isolationsgel aus Silikon vergossen.
  • Es wird darauf hingewiesen, daß technisch lediglich ein steigender CTE-Unterschied von Silizium zur Wärmespreizplatte möglich ist. Ein anderer Aufbau des thermischen Stapels ist technisch praktisch nicht möglich, so daß sich der Stapel stets konvex durchbiegt und so die zentrische Befestigung stets die gewünschte Befestigungswirkung entfaltet.
  • Lediglich für den Fall, daß die Wärmespreizplatten eine sehr starke konkave Vorbiegung erhalten, wird sich diese auch nach dem Löten und Abkühlen erhalten und durch mehrere, in den Randbereichen vorgesehene Befestigungen nach der Erfindung auf den Kühlkörper gedrückt werden können.
  • Die Befestigung des Leistungshalbleitermoduls mit einem Substrat 10 auf dem die Leistungselektronikbauteile 32 angeordnet sind, kann mittels der in dem mittigen Durchlaß 16 im Substrat 10 und der Wärmespreizplatte 14 vorgesehenen Spannschraube auch direkt auf wärmeableitende z. B. metallische Körper erfolgen und muß nicht notwendigerweise in einem Kühlkörper 18 geschehen.
  • Der Durchlaß im Substrat 10 sollte größer als der Schaft, bevorzugt größer als ein Kopf 22 der Spannschraube sein, die bevorzugt mit einem Gewinde in einer unter der Wärmespreizplatte 14 liegenden Struktur verankert ist. Eine Spannniete soll ausdrücklich mit umfasst werden.
  • Ein Federring zwischen dem Kopf 22 der Spannschraube und der Wärmespreizplatte 14 ist insbesondere zur Aufrechterhaltung eines Anpressdrucks auch im heißen Zustand vorgesehen.
  • Ein sich parallel zur Spannschraube ausdehnender Dehnungsstapel als Druckstück 20 zwischen dem Druckpunkt des Spannschraubenkopfes 22 und der Wärmespreizplatte 14 kann die Längenänderungen der sich ebenfalls bei Erhitzung ausdehnenden Spannschraube auffangen.
  • Eine trichterförmige Hülse, die in ihren Außenabmessungen in die Ausnehmung 16 im Substrat 10 einpassend, kann schließlich über den Beherbergungsort des Schraubenkopfes hinausreichend einen Trichterabschnitt aufweisen oder ausbilden, damit der des darüberliegende Schraubgang von der auf der Leistungselektronik aufgebrachten Silikonvergußmasse freigehalten wird.

Claims (5)

1. Befestigung für ein Leistungshalbleitermodul mit einem Substrat (10) auf dem die Leistungselektronikbauteile angeordnet sind, gekennzeichnet durch eine in einem mittigen Durchlaß (16) im Substrat (10) und einer Wärmespreizplatte (14) vorgesehene Spannschraube.
2. Befestigung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Durchlaß im Substrat (10) größer als ein Kopf der Spannschraube, die in einer unter der Wärmespreizplatte (14) liegenden Struktur verankert ist.
3. Befestigung nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß ein Federring zwischen einem Kopf (22) der Spannschraube und der Wärmespreiplatte (14) vorgesehen ist.
4. Befestigung nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß ein sich sich parallel zur Spannschraube ausdehnender Dehnungsstapel als Druckstück (20) zwischen dem Spannschraubenkopf (22) und der Wärmespreizplatte (14) vorgesehen ist.
5. Befestigung nach einem der vorangehenden Ansprüche, gekennzeichnet durch eine trichterförmige Hülse, die in ihren Außenabmessungen in die Ausnehmung (16) im Substrat (10) einpassend, eine über den Beherbergungsort des Schraubenkopfes hinausreichenden Trichterabschnitt aufweist, zum Freihalten des darüberliegenden Schraubganges von auf der Leistungselektronik aufgebrachter Silikonvergußmasse.
DE2002103096 2002-01-25 2002-01-25 Befestigung für ein Halbleitermodul Withdrawn DE10203096A1 (de)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE2002103096 DE10203096A1 (de) 2002-01-25 2002-01-25 Befestigung für ein Halbleitermodul

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE2002103096 DE10203096A1 (de) 2002-01-25 2002-01-25 Befestigung für ein Halbleitermodul

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE10203096A1 true DE10203096A1 (de) 2003-08-07

Family

ID=7713168

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE2002103096 Withdrawn DE10203096A1 (de) 2002-01-25 2002-01-25 Befestigung für ein Halbleitermodul

Country Status (1)

Country Link
DE (1) DE10203096A1 (de)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1860696A1 (de) * 2006-05-26 2007-11-28 Abb Research Ltd. Halbleitermodul

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE4409593A1 (de) * 1994-03-21 1995-09-28 Abb Patent Gmbh Spannelement für eine Halbleiterzelle

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE4409593A1 (de) * 1994-03-21 1995-09-28 Abb Patent Gmbh Spannelement für eine Halbleiterzelle

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1860696A1 (de) * 2006-05-26 2007-11-28 Abb Research Ltd. Halbleitermodul

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE102014213564B4 (de) Halbleitervorrichtung und Verfahren zu ihrer Herstellung
EP1982355B1 (de) Leistungselektronikanordnung
DE102008009510B3 (de) Verfahren zum Niedertemperatur-Drucksintern
DE112014007285B4 (de) Halbleitermodul
DE10149886A1 (de) Leistunghalbleitermodul
DE10162966A1 (de) Leistungshalbleitermodul
DE102011079708B4 (de) Trägervorrichtung, elektrische vorrichtung mit einer trägervorrichtung und verfahren zur herstellung dieser
EP2436032A1 (de) Gekühlte elektrische baueinheit
WO2005013352A2 (de) Verfahren zum herstellen eines halbleiterbauelements mit einem kunststoffgehäuse und trägerplatte zur durchführung des verfahrens
EP1378008A2 (de) Leistungsmodul
WO1998038678A1 (de) Halbleitermodul
EP3273473B1 (de) Leistungselektronische schalteinrichtung, anordnung hiermit und verfahren zur herstellung der schalteinrichtung
EP0494153B1 (de) Verbundanordnung mit leiterplatte
EP0805492B1 (de) Gewölbtes Metall-Keramik-Substrat
EP3555913B1 (de) Halbleitermodul mit bodenplatte mit hohlwölbung
DE102015115132B4 (de) Halbleitermodul mit integrierter Stift- oder Rippenkühlstruktur und Verfahren zu seiner Herstellung
EP0243637A2 (de) Leistungshalbleitermodul
DE10203096A1 (de) Befestigung für ein Halbleitermodul
DE19609929B4 (de) Leistungshalbleitermodul
DE202018100486U1 (de) Leistungshalbleitermodul
EP3526814B1 (de) Halbleitermodul mit stützstruktur auf der unterseite
EP2609620B1 (de) Verfahren zur herstellung einer elektrischen schaltung und elektrische schaltung
DE10126508B4 (de) Vorrichtung mit mittels Spritzgusstechnik verpackten elektronischen Bauteilen, Spritzgusswerkzeug und Verfahren zum Verpacken von elektronischen Bauteilen
DE2729074C2 (de) Anordnung für ein gekapseltes Halbleiterschaltungsplättchen und Verfahren zu deren Herstellung
DE102022134916B4 (de) Gehäuse mit verzugsarmem Träger

Legal Events

Date Code Title Description
OP8 Request for examination as to paragraph 44 patent law
8139 Disposal/non-payment of the annual fee