DE102023210304A1 - Bearbeitungsverfahren für einen verbundwafer - Google Patents

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Abstract

Ein Bearbeitungsverfahren für einen Verbundwafer weist einen Koordinatenerzeugungsschritt zum Erzeugen von Koordinaten eines äußersten Umfangs einer Verbindungsschicht auf, einen Ausbildungsschritt der modifizierten Schicht zum Ausbilden mehrerer modifizierter Schichten durch Positionieren von Fokuspunkten von Laserstrahlen mit einer Wellenlänge, die eine Durchlässigkeit in Bezug auf einen ersten Wafer aufweist, an Positionen innerhalb des ersten Wafers, an denen ein abgeschrägter Teil zu entfernen ist, von einer hinteren Oberfläche des ersten Wafers und Ausführen einer Bestrahlung, und einen Schleifschritt des Haltens einer Seite des zweiten Wafers an einem Einspanntisch und Schleifen der hinteren Oberfläche des ersten Wafers, um den ersten Wafer auszudünnen. In dem Ausbildungsschritt der modifizierten Schicht werden, basierend auf den Koordinaten des äußersten Umfangs der Verbindungsschicht, die mehreren Fokuspunkte der Laserstrahlen in Form absteigender Stufen festgelegt, um den untersten Fokuspunkt vom obersten Fokuspunkt aus zu erreichen, so dass sie sich der Verbindungsschicht von einer inneren Seite zu einer äußeren Seite in einer radialen Richtung des ersten Wafers allmählich nähern, und ein Riss, der sich von der modifizierten Schicht aus erstreckt, die durch den untersten Fokuspunkt ausgebildet wird, erreicht die Koordinaten des äußersten Umfangs der Verbindungsschicht, die in dem Koordinatenerzeugungsschritt erzeugt wurden.

Description

  • TECHNISCHER HINTERGRUND
  • Gebiet der Erfindung
  • Die vorliegende Erfindung betrifft ein Bearbeitungsverfahren für einen Verbundwafer.
  • Beschreibung des Standes der Technik
  • Ein Wafer mit einer vorderen Oberfläche, an der mehrere Bauelemente wie integrierte Schaltungen (ICs) und Large-Scale-Integration (LSI)-Schaltungen so ausgebildet sind, dass sie durch mehrere geplante Teilungslinien, die sich schneiden, unterteilt sind, wird durch eine Teilungsvorrichtung in einzelne Bauelementchips geteilt, und die so erhaltenen Bauelementchips werden für elektrische Geräte wie Mobiltelefone und Personal Computer verwendet.
  • Ferner werden zur Verbesserung des Integrationsgrades von Bauelementen in einigen Fällen zwei Wafer nach der Ausbildung eines Musters miteinander verbunden, und einer der Wafer wird an seiner hinteren Oberfläche geschliffen, um dünn ausgestaltet zu werden.
  • Wenn jedoch der eine Wafer geschliffen wird, um dünn ausgestaltet zu werden, besteht ein Problem dahingehend, dass ein am äußeren Umfang des Wafers ausgebildeter abgeschrägter Teil eine scharfe Form wie eine Messerkante („knife-edge“) annimmt und dass eine Verletzung eines Arbeiters hervorgerufen wird oder sich Risse von der Messerkante zum Inneren des Wafers entwickeln und die Bauelementchips beschädigt werden.
  • Daher wurde ein Vorgehen vorgeschlagen, bei dem eine Schneidklinge oder abrasive Schleifsteine direkt am äußeren Umfang eines Wafers positioniert werden, der geschliffen und dünn ausgestaltet werden soll, und der abgeschrägte Teil entfernt wird, um das Auftreten einer Messerkante zu verringern (siehe beispielsweise japanische Offenlegungsschrift Nr. 2010-225976 und japanische Offenlegungsschrift Nr. 2016-96295 ).
  • DARSTELLUNG DER ERFINDUNG
  • Bei dem in der japanischen Offenlegungsschrift Nr. 2010-225976 und der japanischen Offenlegungsschrift Nr. 2016-96295 offenbarten Verfahren besteht jedoch ein Problem dahingehend, dass das Entfernen der abgeschrägten Teile durch die Schneidklinge oder die abrasiven Schleifsteine sehr viel Zeit in Anspruch nimmt und die Produktivität gering ist. Zusätzlich besteht ein Problem dahingehend, dass der andere Wafer zerkratzt wird.
  • Dementsprechend ist es ein Ziel der vorliegenden Erfindung, ein Bearbeitungsverfahren für einen Verbundwafer bereitzustellen, das das Problem beseitigen kann, dass es lange dauert, einen abgeschrägten Teil des einen Wafers eines Verbundwafers zu entfernen, der durch Verbinden von zwei Wafern erhalten wird, und dass die Produktivität niedrig ist, sowie das Problem, dass der andere Wafer verkratzt wird.
  • Gemäß einem Aspekt der vorliegenden Erfindung wird ein Bearbeitungsverfahren für einen Verbundwafer bereitgestellt, der durch Verbinden einer vorderen Oberfläche eines ersten Wafers und einer vorderen Oberfläche oder einer hinteren Oberfläche eines zweiten Wafers mittels einer Verbindungsschicht ausgebildet ist, wobei der erste Wafer an seiner vorderen Oberfläche einen Bauelementbereich, in dem mehrere Bauelemente ausgebildet sind, und einen Außenumfangsüberschussbereich aufweist, der den Bauelementbereich umgibt und der einen abgeschrägten Teil aufweist, der an seinem Außenumfangsrand ausgebildet ist, wobei das Bearbeitungsverfahren umfasst: einen Koordinatenerzeugungsschritt eines Detektierens eines äußersten Umfangs der Verbindungsschicht und eines Erzeugens von Koordinaten des äußersten Umfangs der Verbindungsschicht, einen Fokuspunktfestlegungsschritt eines Bewirkens, dass ein Laserstrahl mit einer Wellenlänge, die eine Durchlässigkeit in Bezug auf den ersten Wafer aufweist, sich in mehrere Zweig-Laserstrahlen aufteilt, und eines Festlegens von Fokuspunkten der jeweiligen Zweig-Laserstrahlen an verschiedenen Positionen, einen Ausbildungsschritt der modifizierten Schicht eines Ausbildens von mehreren modifizierten Schichten in Form von Ringen innerhalb des ersten Wafers durch ein Halten einer Seite des zweiten Wafers durch einen ersten Einspanntisch, eines Positionierens der Fokuspunkte der Zweig-Laserstrahlen innerhalb des ersten Wafers an einer inneren Seite in einer radialen Richtung relativ zu dem abgeschrägten Teil von einer hinteren Oberfläche des ersten Wafers, und eines Ausführens einer Bestrahlung mit den Zweig-Laserstrahlen, und einen Schleifschritt eines Haltens der Seite des zweiten Wafers durch einen zweiten Einspanntisch und eines Schleifens der hinteren Oberfläche des ersten Wafers, um den ersten Wafer dünn auszugestalten, nachdem der Ausbildungsschritt der modifizierten Schicht ausgeführt ist. In dem Ausbildungsschritt der modifizierten Schicht werden die Fokuspunkte der Zweig-Laserstrahlen in Form absteigender Stufen derart ausgebildet, dass sie sich in einer Richtung von der inneren Seite zu einer äußeren Seite in der radialen Richtung des ersten Wafers der Verbindungsschicht annähern, wobei ein Riss, der sich von der modifizierten Schicht erstreckt, die durch einen untersten der Fokuspunkte ausgebildet wird, die Koordinaten des äußersten Umfangs der Verbindungsschicht erreicht, die in dem Koordinatenerzeugungsschritt erzeugt werden.
  • Bevorzugt werden im Schleifschritt die modifizierten Schichten aufgrund des Schleifens der hinteren Oberfläche des ersten Wafers entfernt und der abgeschrägte Teil wird aufgrund der Risse vom ersten Wafer entfernt.
  • Gemäß dem Bearbeitungsverfahren für einen Verbundwafer der vorliegenden Erfindung verkürzt sich im Vergleich zur Entfernung des abgeschrägten Teils bei bestehenden Verfahren die Bearbeitungszeit, und die Produktivität verbessert sich. Zusätzlich wird das Problem, dass der zweite Wafer zerkratzt wird, beseitigt. Außerdem entwickelt sich der Riss, der sich von der untersten modifizierten Schicht erstreckt, nicht in Richtung der inneren Seite der Verbindungsschicht. Daher kann der abgeschrägte Teil des ersten Wafers sicher entfernt werden, ohne von der Verbindungsschicht beeinträchtigt zu werden.
  • Die obigen und andere Gegenstände, Merkmale und Vorteile der vorliegenden Erfindung, sowie die Weise ihrer Umsetzung werden am besten durch ein Studium der folgenden Beschreibung und beigefügten Ansprüche, unter Bezugnahme auf die angehängten Zeichnungen, die eine bevorzugte Ausführungsform der Erfindung zeigen, deutlicher, und die Erfindung selbst wird hierdurch am besten verstanden.
  • KURZE BESCHREIBUNG DER ZEICHNUNGEN
    • 1 ist eine perspektivische Gesamtansicht einer Bearbeitungsvorrichtung;
    • 2 ist ein Blockdiagramm, das ein optisches System einer Laserstrahl-Bestrahlungseinheit darstellt, die in der in 1 dargestellten Bearbeitungsvorrichtung angebracht ist;
    • 3A ist eine perspektivische Ansicht eines Verbundwafers, der ein Werkstück ist;
    • 3B ist eine Seitenansicht, in der ein Teil des in 3A dargestellten Verbundwafers vergrößert ist;
    • 4A ist eine perspektivische Ansicht, die eine Ausführungsform eines Koordinatenerzeugungsschritts darstellt;
    • 4B ist ein konzeptionelles Diagramm, das einen Zustand darstellt, in dem eine durch den Koordinatenerzeugungsschritt erzeugte Verbindungsschicht auf einer Anzeigeeinheit abgebildet ist;
    • 5 ist ein konzeptionelles Diagramm des Verbundwafers, der durch eine Abbildungseinheit in 4A abgebildet wird;
    • 6A ist eine perspektivische Ansicht, die eine Ausführungsform eines Ausbildungsschritts der modifizierten Schicht darstellt;
    • 6B ist ein Konzeptdiagramm, das Positionen darstellt, an denen mehrere Fokuspunkte in dem Ausbildungsschritt der modifizierten Schicht ausgebildet werden;
    • 6C ist ein konzeptionelles Diagramm, das modifizierte Schichten und Risse darstellt, die in dem Ausbildungsschritt der modifizierten Schichten ausgebildet werden;
    • 7A ist eine perspektivische Ansicht, die eine Ausführungsform eines Schleifschritts darstellt; und
    • 7B ist eine Seitenansicht, die einen Teil des Verbundwafers, der durch den Schleifschritt dünn ausgestaltet wurde, in einer vergrößerten Darstellung darstellt.
  • DETAILLIERTE BESCHREIBUNG DER BEVORZUGTEN AUSFÜHRUNGSFORM
  • Ein Bearbeitungsverfahren für einen Verbundwafer gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung wird im Folgenden unter Bezugnahme auf die beigefügten Zeichnungen detailliert beschrieben.
  • In 1 ist eine perspektivische Gesamtansicht einer Bearbeitungsvorrichtung 1 dargestellt, die geeignet ist, das Bearbeitungsverfahren für einen Verbundwafer gemäß der vorliegenden Ausführungsform auszuführen. Die Bearbeitungsvorrichtung 1 ist eine Vorrichtung, die die Laserbearbeitung eines Verbundwafers W, wie in der Abbildung dargestellt, ausführt. Der Verbundwafer W ist ein Wafer, der durch Verbinden und Schichten eines ersten Wafers 10 und eines zweiten Wafers 12 (später ausführlich beschrieben) erhalten wird. Die Bearbeitungsvorrichtung 1 weist eine Halteeinheit 3 auf, die einen Einspanntisch 35 enthält, der den oben beschriebenen Verbundwafer W hält und einen nicht dargestellten Drehmechanismus aufweist, eine Abbildungseinheit 6, die mindestens eine Infrarotkamera aufweist, die einen Infrarotstrahl einfängt, um eine Abbildung auszubilden, und eine Laserstrahl-Bestrahlungseinheit 7, die eine Bestrahlung mit einem Laserstrahl mit einer Wellenlänge durchführt, die eine Durchlässigkeit in Bezug auf den ersten Wafer 10 aufweist, der den Verbundwafer W ausbildet. Die Bearbeitungsvorrichtung 1 weist ferner einen X-Achsen-Zuführmechanismus 4a zum Ausführen eines Bearbeitungsvorschubs des Einspanntisches 35 und der Laserstrahl-Bestrahlungseinheit 7 relativ zueinander in einer X-Achsen-Richtung, einen Y-Achsen-Zuführmechanismus 4b zum Ausführen eines Bearbeitungsvorschubs des Einspanntisches 35 und der Laserstrahl-Bestrahlungseinheit 7 relativ zueinander in einer Y-Achsen-Richtung orthogonal zur X-Achsen-Richtung, eine Infrarot-Bestrahlungseinrichtung 8, eine Anzeigeeinheit 9 und eine Steuerungseinrichtung 100 auf, welche die jeweiligen Betriebsteile steuert. In der oben beschriebenen Abbildungseinheit 6 ist zusätzlich zu der Infrarotkamera eine allgemeine Kamera angeordnet, die einen sichtbaren Strahl aufnimmt, um eine Abbildung auszuführen.
  • Die Bearbeitungsvorrichtung 1 ist auf einer Basis 2 angeordnet und weist zusätzlich zu der oben beschriebenen Ausgestaltung einen Rahmenkörper 5 auf, der einen vertikalen Wandteil 5a, der an einer lateralen Seite des X-Achsen-Zuführmechanismus 4a und des Y-Achsen-Zuführmechanismus 4b errichtet ist, und einen horizontalen Wandteil 5b aufweist, der sich in horizontaler Richtung von einem oberen Endteil des vertikalen Wandteils 5a erstreckt.
  • Die Halteeinheit 3 ist ein Mittel, das den oben beschriebenen Einspanntisch 35 zum Halten des Verbundwafers W aufweist. Wie in 1 dargestellt ist, weist die Halteeinheit 3 eine rechteckige, in der X-Achsen-Richtung bewegliche Platte 31 auf, die über der Basis 2 in der X-Achsen-Richtung beweglich angebracht ist, eine rechteckige, in der Y-Achsen-Richtung bewegliche Platte 32, die über der in der X-Achsen-Richtung beweglichen Platte 31 in Y-Achsen-Richtung beweglich angebracht ist, eine kreiszylindrische Tragsäule 33, die an einer oberen Oberfläche der in der Y-Achsen-Richtung beweglichen Platte 32 befestigt ist, und eine rechteckige Abdeckplatte 34, die an einem oberen Ende der Tragsäule 33 befestigt ist. Der Einspanntisch 35 ist so angeordnet, dass er durch ein in der Abdeckplatte 34 ausgebildetes Langloch hindurchgeht und sich nach oben erstreckt, und ist so ausgestaltet, dass er durch den nicht dargestellten Drehantriebsmechanismus, der in der Tragsäule 33 untergebracht ist, gedreht werden kann. Eine Halteoberfläche des Einspanntisches 35 weist eine Ansauganhafteinspanneinrichtung 36 aus einem porösen, luftdurchlässigen Material auf und ist über eine Leitung, die durch die Tragsäule 33 verläuft, mit einer nicht dargestellten Trageinrichtung verbunden. Die Infrarot-Bestrahlungseinrichtung 8 ist an einer Position auf der Abdeckplatte 34 neben dem Einspanntisch 35 und auf einer X-Achsenlinie angeordnet, die durch die Mitte des Einspanntisches 35 verläuft, und ist so angeordnet, dass sie eine Bestrahlung mit einem Infrarotstrahl G horizontal von einer lateralen Seite des am Einspanntisch 35 platzierten Verbundwafers W ausführen kann.
  • Der X-Achsen-Zuführmechanismus 4a wandelt die Drehbewegung eines Motors 42 über eine Kugelgewindespindel 43 in eine lineare Bewegung um und überträgt die lineare Bewegung auf die in der X-Achsen-Richtung bewegliche Platte 31, um die in der X-Achsen-Richtung bewegliche Platte 31 in der X-Achsen-Richtung entlang eines Paares von Führungsschienen 2A zu bewegen, die entlang der X-Achsen-Richtung auf der Basis 2 angeordnet sind. Der Y-Achsen-Zuführmechanismus 4b wandelt die Drehbewegung eines Motors 45 über eine Kugelgewindespindel 44 in eine lineare Bewegung um und überträgt die lineare Bewegung auf die in der Y-Achsen-Richtung bewegliche Platte 32, um die in der Y-Achsen-Richtung bewegliche Platte 32 in Y-Achsen-Richtung entlang eines Paars von Führungsschienen 31a zu bewegen, die entlang der Y-Achsen-Richtung auf der in der X-Achsen-Richtung bewegliche Platte 31 angeordnet sind. Aufgrund einer solchen Ausgestaltung kann der Einspanntisch 35 an Positionen mit beliebiger X-Koordinate und beliebiger Y-Koordinate auf der Bearbeitungsvorrichtung 1 bewegt werden.
  • Die Abbildungseinheit 6 und ein optisches System, das die oben beschriebene Laserstrahl-Bestrahlungseinheit 7 ausgestaltet, sind innerhalb des horizontalen Wandteils 5b des Rahmenkörpers 5 untergebracht. An der Seite der unteren Oberfläche eines Spitzenteils des horizontalen Wandteils 5b ist ein Lichtkollektor 71 angeordnet, der einen Teil der Laserstrahl-Bestrahlungseinheit 7 ausgestaltet. Die Abbildungseinheit 6 ist ein Mittel, das den von der Halteeinheit 3 gehaltenen Verbundwafer W abbildet und das einen äußersten Umfang 17 einer später zu beschreibenden Verbindungsschicht 20 und eine Mitte C des Verbundwafers W detektiert und an einer Position in der X-Achsen-Richtung angeordnet ist, die durch einen Pfeil X im Diagramm angezeigt wird.
  • In 2 ist ein Blockdiagramm dargestellt, das einen Umriss des optischen Systems der oben beschriebenen Laserstrahl-Bestrahlungseinheit 7 zeigt. Die Laserstrahl-Bestrahlungseinheit 7 weist einen Laseroszillator 72 auf, der einen Laserstrahl LB emittiert, eine Dämpfungseinrichtung 73, welche die Ausgabeleistung des vom Laseroszillator 72 emittierten Laserstrahls LB einstellt, und eine Fokuspunkt-Ausbildungseinheit 74, die bewirkt, dass der Laserstrahl LB, der die Dämpfungseinrichtung 73 durchlaufen hat, sich verzweigt und mehrere Fokuspunkte in Form von absteigenden Stufen innerhalb des Verbundwafers W bildet, der vom Einspanntisch 35 gehalten wird.
  • Beispielsweise, wie in 2 dargestellt ist, weist die Fokuspunkt-Ausbildungseinheit 74 bei der vorliegenden Ausführungsform eine erste Halbwellenplatte 75a, einen ersten Strahlteiler 76a, eine zweite Halbwellenplatte 75b, einen zweiten Strahlteiler 76b, eine dritte Halbwellenplatte 75c, einen dritten Strahlteiler 76c, eine erste Strahlaufweiteinrichtung 77a, eine zweite Strahlaufweiteinrichtung 77b, eine dritte Strahlaufweiteinrichtung 77c, einen ersten Reflexionsspiegel 78a, einen zweiten Reflexionsspiegel 78b, einen dritten Reflexionsspiegel 78c, einen vierten Reflexionsspiegel 78d und einen vierten Strahlteiler 79 auf.
  • Der oben beschriebene Laserstrahl LB, der vom Laseroszillator 72 emittiert wurde und die Dämpfungseinrichtung 73 durchlaufen hat, wird durch die erste Halbwellenplatte 75a in den ersten Strahlteiler 76a eingeführt, und der Drehwinkel der ersten Halbwellenplatte 75a wird entsprechend eingestellt. Dadurch wird ein erster Zweig-Laserstrahl LB1 (s-polarisiertes Licht) mit der Lichtmenge von 1/4 in Bezug auf den oben beschriebenen Laserstrahl LB dazu gebracht, sich vom ersten Strahlteiler 76a aufzuteilen und wird in der ersten Strahlaufweiteinrichtung 77a eingeführt. Ferner wird der verbleibende Laserstrahl (p-polarisiertes Licht), der nicht durch den ersten Strahlteiler 76a zum Aufteilen gebracht wird, durch die zweite Halbwellenplatte 75b in den zweiten Strahlteiler 76b eingeführt, und der Drehwinkel der zweiten Halbwellenplatte 75b wird entsprechend eingestellt. Dadurch wird ein zweiter Zweig-Laserstrahl LB2 (s-polarisiertes Licht) mit einer Lichtmenge von 1/4 in Bezug auf den oben beschriebenen Laserstrahl LB dazu gebracht, sich vom zweiten Strahlteiler 76b aufzuteilen und in der zweiten Strahlaufweiteinrichtung 77b einzuleiten. Darüber hinaus wird der verbleibende Laserstrahl (p-polarisiertes Licht), der nicht durch den zweiten Strahlteiler 76b zum Aufteilen gebracht wird, durch die dritte Halbwellenplatte 75c in den dritten Strahlteiler 76c eingeführt, und der Drehwinkel der dritten Halbwellenplatte 75c wird entsprechend eingestellt. Dadurch wird ein dritter Zweig-Laserstrahl LB3 (s-polarisiertes Licht) mit einer Lichtmenge von 1/4 in Bezug auf den oben beschriebenen Laserstrahl LB vom dritten Strahlteiler 76c aufgeteilt und in die dritte Strahlaufweiteinrichtung 77c eingeleitet. Der verbleibende Laserstrahl (p-polarisiertes Licht), der nicht durch den dritten Strahlteiler 76c aufgeteilt wird, wird zu einem vierten Zweig-Laserstrahl LB4 (p-polarisiertes Licht) mit der Lichtmenge von 1/4 in Bezug auf den oben beschriebenen Laserstrahl LB und wird in den vierten Reflexionsspiegel 78d eingeführt. Wie oben beschrieben, werden die ersten bis vierten Zweig-Laserstrahlen LB1 bis LB4 jeweils mit der 1/4 Lichtmenge in Bezug auf den oben beschriebenen Laserstrahl LB aufgeteilt.
  • Der erste Zweig-Laserstrahl LB1 ist das s-polarisierte Licht. Nachdem sein Strahldurchmesser durch die erste Strahlaufweiteinrichtung 77a aufgeweitet wurde, wird der erste Zweig-Laserstrahl LB1 durch den ersten Reflexionsspiegel 78a reflektiert, zum vierten Strahlteiler 79 geleitet, um dort reflektiert zu werden, und dann zu einer Sammellinse 71a des Lichtkollektors 71 geleitet. Ferner ist der zweite Zweig-Laserstrahl LB2 ebenfalls s-polarisiertes Licht. Nachdem sein Strahldurchmesser durch die zweite Strahlaufweiteinrichtung 77b aufgeweitet wurde, wird der zweite Zweig-Laserstrahl LB2 durch den zweiten Reflexionsspiegel 78b reflektiert, zur Reflexion in den vierten Strahlteiler 79 und dann in die Sammellinse 71a des Lichtkollektors 71 geleitet. Auch der dritte Zweig-Laserstrahl LB3 ist s-polarisiertes Licht. Nachdem sein Strahldurchmesser mit der dritten Strahlaufweiteinrichtung 77c eingestellt wurde, wird der dritte Zweig-Laserstrahl LB3 von dem dritten Reflexionsspiegel 78c reflektiert, zur Reflexion in den vierten Strahlteiler 79 und dann in die Sammellinse 71a des Lichtkollektors 71 geleitet. Zusätzlich wird der vierte Zweig-Laserstrahl LB4, der vom vierten Reflexionsspiegel 78d reflektiert wird, als p-polarisiertes Licht gerade durch den vierten Strahlteiler 79 geleitet und in die Sammellinse 71a des Lichtkollektors 71 eingeführt. Die Größe der jeweiligen Strahldurchmesser wird durch die ersten bis dritten Strahlaufweiteinrichtungen 77a bis 77c so eingestellt, dass sie das Verhältnis LB1 > LB2 > LB3 > LB4 erfüllt. Zusätzlich wird der Winkel des ersten bis vierten Reflexionsspiegels 78a bis 78d entsprechend eingestellt. Daher sind, wie in 2 dargestellt, die Fokuspunkte P1 bis P4, die den ersten bis vierten Zweig-Laserstrahlen LB1 bis LB4 entsprechen, an verschiedenen Positionen in Aufwärts-Abwärts-Richtung und in horizontaler Richtung ausgebildet und in Form absteigender Stufen zur linken Seite im Diagramm vom Fokuspunkt P4 zum Fokuspunkt P1 hin positioniert.
  • Der Einfachheit halber wird in der oben beschriebenen Fokuspunkt-Ausbildungseinheit 74 der Laserstrahl LB, der die Dämpfungseinrichtung 73 aufweist, in die ersten bis vierten Zweig-Laserstrahlen LB1 bis LB4 (die Anzahl der Aufteilungseinheiten ist vier) aufgeteilt, und es werden vier Fokuspunkte ausgebildet. Die vorliegende Erfindung ist jedoch nicht auf dieses Beispiel beschränkt. Es ist möglich, die Einstellung so vorzunehmen, dass mehr Zweig-Laserstrahlen (beispielsweise acht Zweige) ausgebildet werden, indem die Halbwellenplatte, der Strahlteiler, die Strahlaufweiteinrichtung, der Reflexionsspiegel usw. in geeigneter Weise vergrößert werden, und Fokuspunkte gemäß der Anzahl der Zweige, beispielsweise acht Fokuspunkte, können in Form von absteigenden Stufen ausgebildet werden.
  • Die Steuerungseinrichtung 100 ist durch einen Computer ausgestaltet und weist eine zentrale Verarbeitungseinheit (CPU) auf, die eine Berechnungsverarbeitung gemäß einem Steuerprogramm ausführt, einen Festspeicher (ROM), der das Steuerprogramm usw. speichert, einen lesbaren und beschreibbaren Arbeitsspeicher (RAM) zur vorübergehenden Speicherung eines detektierten Erfassungswerts, eines Berechnungsergebnisses usw., eine Eingabeschnittstelle und eine Ausgabeschnittstelle (auf eine Darstellung von Einzelheiten wird verzichtet). In der Steuerungseinrichtung 100 ist ein Koordinatenspeicherabschnitt 102 angeordnet, der Koordinaten eines äußeren Umfangs des zu bearbeitenden Verbundwafers W, der Mitte des Verbundwafers W und des äußersten Umfangs 17 der später zu beschreibenden Verbindungsschicht 20, Koordinaten, die Bearbeitungspositionen entsprechen, auf die der Laserstrahl LB aufgebracht werden soll, und so weiter speichert. Der X-Achsen-Zuführmechanismus 4a, der Y-Achsen-Zuführmechanismus 4b, die Abbildungseinheit 6, die Laserstrahl-Bestrahlungseinheit 7, die Infrarot-Bestrahlungseinrichtung 8, die Anzeigeeinheit 9, der Drehantriebsmechanismus des oben beschriebenen Einspanntisches 35 usw. sind mit der Steuerungseinrichtung 100 verbunden, und die jeweiligen Betriebsteile werden auf der Grundlage der im Koordinatenspeicherabschnitt 102 gespeicherten Informationen gesteuert.
  • Die Bearbeitungsvorrichtung 1 der vorliegenden Ausführungsform weist im Wesentlichen die oben beschriebene Ausgestaltung auf, und das Bearbeitungsverfahren für einen Verbundwafer gemäß der vorliegenden Ausführungsform wird im Folgenden beschrieben.
  • Ein Werkstück des Bearbeitungsverfahrens, das in der vorliegenden Ausführungsform ausgeführt wird, ist der Verbundwafer W, der beispielsweise in 3A und 3B dargestellt ist. Der Verbundwafer W ist ein Verbundwafer, der beispielsweise einen Durchmesser von 300 mm aufweist und durch ein Verbinden des ersten Wafers 10 und des zweiten Wafers 12 miteinander erhalten wird. Der erste Wafer 10 ist beispielsweise ein Silizium-auf-Isolator-Wafer (SOI-Wafer), bei dem eine Oxidfolienschicht innerhalb eines Siliziumsubstrats ausgebildet ist, und mehrere Bauelemente D sind an einer vorderen Oberfläche 10a so ausgebildet, dass sie durch mehrere geplante Teilungslinien L abgegrenzt sind, die sich kreuzen, wie in der Abbildung dargestellt. Die vordere Oberfläche 10a des ersten Wafers 10 weist einen Bauelementbereich 10A auf, der näher an der Mitte liegt und in dem die oben beschriebene Mehrzahl von Bauelementen D ausgebildet ist, sowie einen Außenumfangsüberschussbereich 10B, der den Bauelementbereich 10A umgibt. An einem Außenumfangs-Endteil des Außenumfangsüberschussbereichs 10B ist ein ringförmig abgeschrägter Teil 10C ausgebildet, der eine gekrümmte Form der Oberfläche aufweist. Außerdem ist am äußeren Umfang des Außenumfangsüberschussbereichs 10B eine Kerbe 10d ausgebildet, die eine Kristallorientierung des ersten Wafers 10 anzeigt. In 3A ist eine Segmentierungslinie 16 dargestellt, die eine Unterteilung in den Bauelementbereich 10A und den Außenumfangsüberschussbereich 10B vornimmt. Die Segmentierungslinie 16 ist jedoch der Einfachheit halber dargestellt und ist an der vorderen Oberfläche 10a des tatsächlichen ersten Wafers 10 nicht vorhanden.
  • Der zweite Wafer 12 der vorliegenden Ausführungsform weist wie der erste Wafer 10 eine Kerbe 12d auf, die seine Kristallorientierung angibt, und hat im Wesentlichen die gleiche Ausgestaltung wie der erste Wafer 10. Daher wird auf die Beschreibung von Einzelheiten der weiteren Ausgestaltung verzichtet. Wie aus 3B in Verbindung mit 3A hervorgeht, wird der Verbundwafer W ausgebildet, indem der erste Wafer 10 umgedreht wird, um die vordere Oberfläche 10a nach unten auszurichten, und die vordere Oberfläche 10a des ersten Wafers 10 und eine vordere Oberfläche 12a des zweiten Wafers 12 unter Zwischenanordnung der Verbindungsschicht 20 auf der Basis eines geeigneten Haftmittels zu verbunden werden. Zu diesem Zeitpunkt werden die beiden Wafer, wie in der Abbildung dargestellt, so geschichtet, dass ihre Kristallorientierungen einander entsprechen, indem die Kerbe 10d des ersten Wafers 10 dazu gebracht wird, mit der Kerbe 12d des zweiten Wafers 12 übereinzustimmen. Der durch das Bearbeitungsverfahren für einen Wafers gemäß der vorliegenden Erfindung bearbeitete Verbundwafer W ist nicht auf den oben beschriebenen Verbundwafer W beschränkt, der durch ein Verbinden der vorderen Oberfläche 10a des ersten Wafers 10 und der vorderen Oberfläche 12a des zweiten Wafers 12 erhalten wird, um die beiden Wafer zu schichten, und könnte ein Verbundwafer sein, der durch ein Verbinden der vorderen Oberfläche 10a des ersten Wafers 10 und einer hinteren Oberfläche 12b des zweiten Wafers 12 erhalten wird.
  • Wenn das Bearbeitungsverfahren für einen Verbundwafer gemäß der vorliegenden Ausführungsform ausgeführt werden soll, wird der oben beschriebene Verbundwafer W zu der anhand von 1 beschriebenen Bearbeitungsvorrichtung 1 befördert und so an dem Einspanntisch 35 platziert, dass die Seite des ersten Wafers 10 nach oben und die Seite des zweiten Wafers 12 nach unten ausgerichtet ist. Dann wird das oben beschriebene Ansaugmittel betätigt, um den Verbundwafer W unter Ansaugen zu halten. Danach werden der X-Achsen-Zuführmechanismus 4a und der Y-Achsen-Zuführmechanismus 4b betätigt, um den Verbundwafer W direkt unter der Abbildungseinheit 6 zu positionieren, und ein Koordinatenerzeugungsschritt zum Erzeugen der Koordinaten des äußersten Umfangs der Verbindungsschicht 20 wird ausgeführt. Der Koordinatenerzeugungsschritt wird unter Bezugnahme auf die 4A und 4B und 5 genauer beschrieben.
  • Zur Ausführung des Koordinatenerzeugungsschritts der vorliegenden Ausführungsform wird der oben beschriebene X-Achsen-Zuführmechanismus 4a betätigt, und ein Außenumfangsbereich des Verbundwafers W wird direkt unter der Abbildungseinheit 6 positioniert, wie in 4A dargestellt. Wie oben beschrieben, ist die Infrarot-Bestrahlungseinrichtung 8 an einer Position an der Abdeckplatte 34 in der X-Achsen-Richtung neben dem Einspanntisch 35 angeordnet. Ein Spitzenteil 81, der die Bestrahlung mit dem Infrarotstrahl G in der Infrarot-Bestrahlungseinrichtung 8 ausführt, wird auf eine Höhe eingestellt, an der die Verbindungsschicht 20 des vom Einspanntisch 35 gehaltenen Verbundwafers W ausgebildet ist, und führt eine Bestrahlung mit dem Infrarotstrahl G horizontal von einer lateralen Seite des Verbundwafers W aus. Der Infrarotstrahl G wird durch die Siliziumsubstrate des ersten und zweiten Wafers 10 und 12, die den Verbundwafer W ausgestalten, transmittiert, aber am äußersten Umfang 17 der Verbindungsschicht 20, die das Haftmittel enthält, reflektiert. Dieser Zustand wird von der an der oberen Seite positionierten Abbildungseinheit 6 abgebildet, und die Lichtreflexion, welche die Position des äußersten Umfangs 17 anzeigt, wird an der Anzeigeeinheit 9 angezeigt, wie in 4B dargestellt, und der äußerste Umfang 17 wird von der Steuerungseinrichtung 100 detektiert. Zusätzlich zu der auf diese Weise erfolgenden Bestrahlung des Verbundwafers W mit dem Infrarotstrahl G von einer lateralen Seite her und der Detektion des äußersten Umfangs 17 der Verbindungsschicht 20 durch die Abbildungseinheit 6 wird der oben beschriebene Einspanntisch 35 in eine Richtung gedreht, die in 4A durch einen Pfeil R1 dargestellt ist. Dadurch werden Koordinaten, definiert durch die X-Koordinate und die Y-Koordinate, des äußersten Umfangs 17 am gesamten Umfang der Verbindungsschicht 20 des Verbundwafers W erzeugt (Koordinatenerzeugungsschritt). Dann werden die oben beschriebenen Koordinaten des äußersten Umfangs 17 der Verbindungsschicht 20 des Verbundwafers W, Koordinaten (x0, y0) der Mitte C, die separat von der Abbildungseinheit 6 detektiert werden, die Koordinaten der Kerbe 10d usw. in dem Koordinatenspeicherabschnitt 102 der Steuerungseinrichtung 100 gespeichert.
  • Hier werden, wie in 5 dargestellt, die XY-Koordinaten der Bearbeitungspositionen 18, an denen die Fokuspunkte P1 bis P4 der oben beschriebenen Zweig-Laserstrahlen LB1 bis LB4 positioniert und modifizierte Schichten ausgebildet werden sollen, auf der Grundlage der Koordinaten des äußersten Umfangs 17 der Verbindungsschicht 20 des Verbundwafers W und der Koordinaten der Mitte C des Verbundwafers W eingestellt, die im Koordinatenspeicherabschnitt 102 der Steuerungseinrichtung 100 gespeichert sind. Die Bearbeitungspositionen 18 werden entlang des äußersten Umfangs 17 der Verbindungsschicht 20 festgelegt. Genauer gesagt sind die mehreren Fokuspunkte P1 bis P4 der Zweig-Laserstrahlen LB1 bis LB4 so ausgebildet, dass sie sich der Verbindungsschicht 20 in einer Richtung von einer inneren Seite zu einer äußeren Seite des Verbundwafers W am Außenumfang des Verbundwafers W allmählich nähern, und zwar in einer Form absteigender Stufen, die den untersten Fokuspunkt P1 vom obersten Fokuspunkt P4 aus erreichen, wie in 6B dargestellt, und modifizierte Schichten S1 bis S4 werden durch die Fokuspunkte P1 bis P4 ausgebildet, wie in 6C dargestellt. In diesem Zusammenhang werden die Bearbeitungspositionen 18 so festgelegt, dass, wenn ein Riss 11, der sich von der durch den untersten Fokuspunkt P1 ausgebildeten modifizierten Schicht S1 erstreckt, die vordere Oberfläche 10a des ersten Wafers 10 erreicht, der Riss 11 die Koordinaten des äußersten Umfangs 17 der Verbindungsschicht 20 erreicht, die im Koordinatenerzeugungsschritt erzeugt wurden. Die auf diese Weise festgelegten Koordinaten der Bearbeitungspositionen 18 werden im Koordinatenspeicherabschnitt 102 der Steuerungseinrichtung 100 gespeichert. Da der äußerste Umfang 17 der Verbindungsschicht 20 an einer um etwa 0,5 mm vom äußeren Umfangsende des Verbundwafers W nach innen getrennten Position ausgebildet ist, werden die Koordinaten der Bearbeitungspositionen 18 auf einem Umfang in einer Distanz von etwa 149,5 mm von der Mitte C des Verbundwafers W positioniert.
  • Nachdem die Bearbeitungspositionen 18 wie oben beschrieben eingestellt sind, werden der X-Achsen-Zuführmechanismus 4a und der Y-Achsen-Zuführmechanismus 4b durch die Steuerungseinrichtung 100 betätigt, und eine der Bearbeitungspositionen 18 in dem Verbundwafer W wird direkt unter dem Lichtkollektor 71 der Laserstrahl-Bestrahlungseinheit 7 positioniert, wie in 6A dargestellt. Danach wird die oben beschriebene Laserstrahl-Bestrahlungseinheit 7 betätigt, um die Bestrahlung mit den ersten bis vierten Zweig-Laserstrahlen LB1 bis LB4 auszuführen. Wie in 6B dargestellt, sind die mehreren Fokuspunkte P1 bis P4 der ersten bis vierten Zweig-Laserstrahlen LB1 bis LB4 stufenförmig ausgebildet, so dass sie sich in Richtung von der inneren Seite des ersten Wafers 10 zu dessen äußerer Seite der Verbindungsschicht 20 allmählich nähern. Beachte, dass der Abstand der jeweiligen Fokuspunkte P1 bis P4, die durch die oben beschriebenen ersten bis vierten Zweig-Laserstrahlen LB1 bis LB4 ausgebildet werden, in horizontaler Richtung betrachtet auf 10 um und in der Aufwärts-Abwärts-Richtung betrachtet beispielsweise auf einen Bereich von 1 bis 10 um festgelegt ist.
  • In der vorliegenden Ausführungsform sind die entsprechend dem äußersten Umfang 17 der Verbindungsschicht 20 festgelegten Bearbeitungspositionen 18 der Einfachheit halber durch eine ringförmige gestrichelte Linie dargestellt. Da jedoch die Laserstrahl-Bestrahlungseinheit 7 der Bearbeitungsvorrichtung 1 der vorliegenden Ausführungsform die mehreren Fokuspunkte P1 bis P4 in Form absteigender Stufen ausbildet, wie oben beschrieben, werden die X-Koordinate und die Y-Koordinate der Bearbeitungspositionen 18 in der Praxis so festgelegt, dass sie einem jeweiligen der jeweiligen Fokuspunkte P1 bis P4 entsprechen.
  • Ferner wird der Einspanntisch 35 in einer Richtung gedreht, die in 6A durch einen Pfeil R2 angezeigt ist, und der X-Achsen-Zuführmechanismus 4a und der Y-Achsen-Zuführmechanismus 4b werden betätigt. Dadurch werden, wie in 6C dargestellt, die modifizierten Schichten S1 bis S4 innerhalb des ersten Wafers 10 entlang der oben beschriebenen Bearbeitungspositionen 18 so ausgebildet, dass sie sich zur unteren Seite hin verbreitern, und Risse 11, welche die modifizierten Schichten S1 bis S4 verbinden, werden entlang der Bearbeitungspositionen 18 ausgebildet. Infolgedessen erreicht der Riss 11, der sich von der modifizierten Schicht S1 aus erstreckt, die durch den untersten Fokuspunkt P1 ausgebildet wurde, die Koordinaten des äußersten Umfangs 17 der Verbindungsschicht 20, die in dem oben beschriebenen Koordinatenerzeugungsschritt erzeugt wurden. In der vorliegenden Ausführungsform wird der Einspanntisch 35 veranlasst, zwei Umdrehungen zu machen, so dass derselbe Ort entlang der Bearbeitungspositionen 18 zweimal mit den oben beschriebenen ersten bis vierten Zweig-Laserstrahlen LB1 bis LB4 bestrahlt wird. Durch das Ausführen des oben beschriebenen Ausbildungsschritts der modifizierten Schicht wird diffuse Reflexion der Zweig-Laserstrahlen LB1 bis LB4 an dem abgeschrägten Teil 10C, der eine gekrümmte Oberfläche aufweist, vermieden, und die modifizierten Schichten S1 bis S4 können mit hoher Genauigkeit ausgebildet werden, wobei die Risse 11 ausgebildet werden.
  • Laserbearbeitungsbedingungen, die verwendet werden, wenn die Laserbearbeitung in dem oben beschriebenen Ausbildungsschritt der modifizierten Schicht ausgeführt wird, sind beispielsweise wie folgt festgelegt.
    Wellenlänge: 1342 nm
    Wiederholfrequenz: 60 kHz
    Ausgabeleistung: 2,4 W
    Anzahl der Verzweigungen des Laserstrahls: 4
    Einspanntisch-Drehgeschwindigkeit: 107,3 Grad/s (Umfangsgeschwindigkeit 280 mm/s)
  • Nachdem der Ausbildungsschritt der modifizierten Schicht wie oben beschrieben ausgeführt wurde, wird der Verbundwafer W zu einer in 7A dargestellten Schleifvorrichtung 60 befördert (nur ein Teil davon ist abgebildet). Wie in 7A dargestellt, weist die Schleifvorrichtung 60 eine Schleifeinheit 62 zum Schleifen und Ausdünnen des an einem Einspanntisch 61 unter Ansaugung gehaltenen Verbundwafers W auf. Die Schleifeinheit 62 weist eine Drehspindel 63 auf, die durch einen nicht dargestellten Drehantriebsmechanismus gedreht wird, eine an einem unteren Ende der Drehspindel 63 angebrachte Scheibenanbringeinrichtung 64 und eine an einer unteren Oberfläche der Scheibenanbringeinrichtung 64 angeordnete Schleifscheibe 65 und mehrere abrasive Schleifsteine 66 sind ringförmig an einer unteren Oberfläche der Schleifscheibe 65 angeordnet.
  • Nachdem der Verbundwafer W, an dem der oben beschriebene Ausbildungsschritt der modifizierten Schicht ausgeführt wurde, zu der Schleifvorrichtung 60 befördert wird und die Seite des zweiten Wafers 12 an dem Einspanntisch 61 platziert und unter Ansaugung gehalten wird, während die Drehspindel 63 der Schleifeinheit 62 mit beispielsweise 6000 U/min in einer durch einen Pfeil R3 in 7A angegebenen Richtung gedreht wird, wird der Einspanntisch 61 mit beispielsweise 300 U/min in einer durch einen Pfeil R4 angegebenen Richtung gedreht. Dann werden die abrasiven Schleifsteine 66 mit der hinteren Oberfläche 10b des ersten Wafers 10 in Kontakt gebracht, während Schleifwasser an die hintere Oberfläche 10b des ersten Wafers 10 des Verbundwafers W durch ein nicht dargestelltes Schleifwasserzufuhrmittel zugeführt wird, und die Schleifzufuhr der Schleifscheibe 65 wird in einer durch einen Pfeil R5 angezeigten Richtung mit einer Schleifzufuhrrate von beispielsweise 1 um/Sekunde ausgeführt. Zu diesem Zeitpunkt kann das Schleifen vorangetrieben werden, während die Dicke des Verbundwafers W durch eine nicht dargestellte Messeinrichtung eines kontaktbehafteten oder kontaktlosen Typs gemessen wird. Wie in 7B dargestellt, werden durch Schleifen der hinteren Oberfläche 10b des ersten Wafers 10 um einen vorgegebenen Betrag die oben beschriebenen modifizierten Schichten S1 bis S4 entfernt, und der abgeschrägte Teil 10C, der die Kerbe 10d des ersten Wafers 10 enthält, wird aufgrund der Risse 11 verteilt und entfernt. Nachdem der abgeschrägte Teil 10C entfernt und der Schleifschritt des Schleifens des Verbundwafers W abgeschlossen ist, wird die Schleifeinheit 62 angehalten, und das Bearbeitungsverfahren für einen Wafer gemäß der vorliegenden Ausführungsform wird durch Reinigen, Trocknen und andere Schritte, auf deren Erläuterung verzichtet wird, abgeschlossen.
  • Wie oben beschrieben, werden durch Ausführen des Ausbildungsschritts der modifizierten Schicht des Bearbeitungsverfahrens für einen Verbundwafer gemäß der vorliegenden Ausführungsform die mehreren Fokuspunkte P1 bis P4 in Form absteigender Stufen festgelegt, und die modifizierten Schichten S1 bis S4 werden innerhalb des ersten Wafers 10, der den Verbundwafer W ausgestaltet, so ausgebildet, dass sie sich zur unteren Seite hin aufweiten. Ferner entwickeln sich die Risse 11 so, dass sie die modifizierten Schichten S1 bis S4 verbinden, so dass sich die Risse 11 zu den Koordinaten des äußersten Umfangs 17 der Verbindungsschicht 20 entwickeln, die in dem oben beschriebenen Koordinatenerzeugungsschritt erzeugt wurden, während sie sich schräg nach unten in Richtung der Verbindungsschicht 20 erstrecken. Wenn der oben beschriebene Schleifschritt ausgeführt wird, wird auf den Verbundwafer W eine Brechkraft aufgebracht, und der abgeschrägte Teil 10C wird aufgrund der Risse 11 entfernt. Verglichen mit der Entfernung eines abgeschrägten Teils bei bestehenden Vorgehensweisen verkürzt sich daher die Bearbeitungszeit, und die Produktivität steigt. Zusätzlich wird auch das Problem, dass der andere Wafer (zweiter Wafer 12) zerkratzt wird, beseitigt. Außerdem entwickelt sich aufgrund der oben beschriebenen Ausgestaltung der Riss 11, der sich von der untersten modifizierten Schicht S1 aus erstreckt, nicht in Richtung der inneren Seite der Verbindungsschicht 20. Daher kann der abgeschrägte Teil 10C sicher entfernt werden, ohne von der Verbindungsschicht 20 beeinträchtigt zu werden.
  • In der oben beschriebenen Ausführungsform wird die Fokuspunkt-Ausbildungseinheit 74, welche die Laserstrahl-Bestrahlungseinheit 7 ausbildet, durch ein Kombinieren der mehreren Halbwellenplatten, der mehreren Strahlteiler, der mehreren Strahlaufweiteinrichtungen, der mehreren Reflexionsspiegel usw. realisiert. Die vorliegende Erfindung ist jedoch nicht auf dieses Beispiel beschränkt. Beispielsweise könnte die folgende Ausgestaltung verwendet werden. Insbesondere wird ein räumlicher Lichtmodulator (Flüssigkristall auf Silizium (LCOS)) anstelle der in 2 dargestellten Fokuspunkt-Ausbildungseinheit 74 angeordnet, der vom Laseroszillator 72 emittierte Laserstrahl LB wird dazu gebracht, auf den räumlichen Lichtmodulator aufzutreffen, und der Laserstrahl LB wird dazu gebracht, sich in mehrere Zweig-Laserstrahlen aufzuteilen. Dann werden mehrere Fokuspunkte der jeweiligen Zweig-Laserstrahlen in Form absteigender Stufen derart ausgebildet, dass sie sich der Verbindungsschicht 20 von der inneren Seite zur äußeren Seite des ersten Wafers 10 in radialer Richtung allmählich annähern, und eine Oberfläche, die die modifizierten Schichten koppelt, die entsprechend der Mehrzahl von Fokuspunkten ausgebildet ist, wird in eine geneigte Oberfläche in Form eines Kegelstumpfes geformt.
  • Darüber hinaus wird in der oben beschriebenen Ausführungsform der Verbundwafer W zu der Schleifvorrichtung 60 in dem Zustand befördert, in dem der abgeschrägte Teil 10C des ersten Wafers 10 belassen wird, der Schleifschritt wird ausgeführt und der abgeschrägte Teil 10C dann durch die zum Zeitpunkt des Schleifens ausgeübte Brechkraft entfernt, wobei die zwischen den modifizierten Schichten S1 bis S4 ausgebildeten Risse 11 der Ausgangspunkt sind. Die vorliegende Erfindung ist jedoch nicht auf dieses Beispiel beschränkt, und der abgeschrägte Teil 10C könnte durch eine äußere Kraft entfernt werden, die auf den Außenumfang des ersten Wafers 10 aufgebracht wird, wobei die zwischen den modifizierten Schichten S1 bis S4 ausgebildeten Risse 11 der Ausgangspunkt sind, bevor der Verbundwafer W in die Schleifvorrichtung 60 gebracht und dem Schleifschritt unterzogen wird.
  • Die vorliegende Erfindung ist nicht auf die Details der oben beschriebenen bevorzugten Ausführungsform beschränkt. Der Schutzbereich der Erfindung wird durch die beigefügten Ansprüche definiert und sämtliche Änderungen und Abwandlungen, die in den äquivalenten Schutzbereich der Ansprüche fallen, sind folglich durch die Erfindung einbezogen.
  • ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
  • Diese Liste der vom Anmelder aufgeführten Dokumente wurde automatisiert erzeugt und ist ausschließlich zur besseren Information des Lesers aufgenommen. Die Liste ist nicht Bestandteil der deutschen Patent- bzw. Gebrauchsmusteranmeldung. Das DPMA übernimmt keinerlei Haftung für etwaige Fehler oder Auslassungen.
  • Zitierte Patentliteratur
    • JP 2010225976 [0005, 0006]
    • JP 201696295 [0005, 0006]

Claims (2)

  1. Bearbeitungsverfahren für einen Verbundwafer, der durch Verbinden einer vorderen Oberfläche eines ersten Wafers und einer vorderen Oberfläche oder einer hinteren Oberfläche eines zweiten Wafers mittels einer Verbindungsschicht ausgebildet ist, wobei der erste Wafer an seiner vorderen Oberfläche einen Bauelementbereich, in dem mehrere Bauelemente ausgebildet sind, und einen Außenumfangsüberschussbereich aufweist, der den Bauelementbereich umgibt und der einen abgeschrägten Teil aufweist, der an seinem Außenumfangsrand ausgebildet ist, wobei das Bearbeitungsverfahren aufweist: einen Koordinatenerzeugungsschritt eines Detektierens eines äußersten Umfangs der Verbindungsschicht und eines Erzeugens von Koordinaten des äußersten Umfangs der Verbindungsschicht; einen Fokuspunktfestlegungsschritt eines Bewirkens, dass ein Laserstrahl mit einer Wellenlänge, die eine Durchlässigkeit in Bezug auf den ersten Wafer aufweist, sich in mehrere Zweig-Laserstrahlen aufteilt, und eines Festlegens von Fokuspunkten der jeweiligen Zweig-Laserstrahlen an verschiedenen Positionen; einen Ausbildungsschritt der modifizierten Schicht eines Ausbildens von mehreren modifizierten Schichten in Form von Ringen innerhalb des ersten Wafers durch ein Halten einer Seite des zweiten Wafers durch einen ersten Einspanntisch, eines Positionierens der Fokuspunkte der Zweig-Laserstrahlen innerhalb des ersten Wafers an einer inneren Seite in einer radialen Richtung relativ zu dem abgeschrägten Teil von einer hinteren Oberfläche des ersten Wafers, und eines Ausführens einer Bestrahlung mit den Zweig-Laserstrahlen; und einen Schleifschritt eines Haltens der Seite des zweiten Wafers durch einen zweiten Einspanntisch und eines Schleifens der hinteren Oberfläche des ersten Wafers, um den ersten Wafer dünn auszugestalten, nachdem der Ausbildungsschritt der modifizierten Schicht ausgeführt ist, wobei, in dem Ausbildungsschritt der modifizierten Schicht die Fokuspunkte der Zweig-Laserstrahlen in Form absteigender Stufen derart ausgebildet werden, dass sie sich in einer Richtung von der inneren Seite zu einer äußeren Seite in der radialen Richtung des ersten Wafers der Verbindungsschicht annähern, wobei ein Riss, der sich von der modifizierten Schicht erstreckt, die durch einen untersten der Fokuspunkte ausgebildet wird, die Koordinaten des äußersten Umfangs der Verbindungsschicht erreicht, die in dem Koordinatenerzeugungsschritt erzeugt werden.
  2. Bearbeitungsverfahren gemäß Anspruch 1, wobei im Schleifschritt die modifizierten Schichten aufgrund des Schleifens der hinteren Oberfläche des ersten Wafers entfernt werden und der abgeschrägte Teil aufgrund der Risse vom ersten Wafer entfernt wird.
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