DE102023135827A1

DE102023135827A1 - Anzeigevorrichtung

Info

Publication number: DE102023135827A1
Application number: DE102023135827.8
Authority: DE
Inventors: MoonBae GEE; Junhyuk SONG
Original assignee: LG Display Co Ltd
Current assignee: LG Display Co Ltd
Priority date: 2022-12-30
Filing date: 2023-12-19
Publication date: 2024-07-11

Abstract

Gemäß einem Aspekt der vorliegenden Offenbarung weist eine Anzeigevorrichtung (100, 200) ein dehnbares unteres Substrat (111) auf. Die Anzeigevorrichtung (100, 200) weist eine Vielzahl von unteren Plattenmustern (121a) auf, die auf dem unteren Substrat (111) angeordnet sind. Die Anzeigevorrichtung (100, 200) weist eine Vielzahl von Pixeln (PX) auf, die auf der Vielzahl der unteren Plattenmuster (121a) angeordnet sind. Jedes der Vielzahl von Pixeln (PX) weist mehrere Leuchtdioden (170) auf. Die Anzeigevorrichtung (100, 200) weist eine Quantenpunktschicht (QD) auf, die in mindestens einer der mehreren Leuchtdioden (170) angeordnet ist. Auf diese Weise können die Lichtausbeute und die Zuverlässigkeit der Anzeigevorrichtung (100, 200) verbessert werden.

Description

QUERVERWEIS AUF VERWANDTE ANMELDUGEN
Diese Anmeldung beansprucht die Priorität der koreanischen Patentanmeldung Nr. 10-2022-0190208 , die am 30. Dezember 2022 beim koreanischen Amt für geistiges Eigentum eingereicht wurde.
HINTERGRUND
Technisches Gebiet
Die vorliegende Offenbarung bezieht sich auf eine dehnbare Anzeigevorrichtung.
Beschreibung der bezogenen Technik
Als Anzeigevorrichtungen, die für den Monitor eines Computers, eines Fernsehers oder eines Mobiltelefons verwendet werden, gibt es eine organische, lichtemittierende Anzeigevorrichtung (OLED), die selbst emittiert, und eine Flüssigkristallanzeigevorrichtung (LCD), die eine separate Lichtquelle benötigt.
Der Anwendungsbereich der Anzeigevorrichtung wird auf persönliche digitale Assistenten sowie Computer- und Fernsehmonitore ausgeweitet, und es wird eine Anzeigevorrichtung mit einer großen Anzeigefläche und einem reduzierten Volumen und Gewicht untersucht.
In jüngster Zeit wird eine Anzeigevorrichtung, die durch Bildung einer Anzeigeeinheit und einer Verdrahtungsleitung auf einem flexiblen Substrat wie Kunststoff, das ein flexibles Material ist, so dass es in einer bestimmten Richtung dehnbar ist und in verschiedenen Formen verändert werden kann, hergestellt wird, als Anzeigevorrichtung der nächsten Generation beachtet.
KURZER ÜBERBLICK
Verschiedene Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung stellen eine Anzeigevorrichtung bereit, die eine Leuchtdiode mit einem Quantenpunkt aufweist und dehnbar ist.
Verschiedene Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung stellen eine Anzeigevorrichtung bereit, die die Lichtausbeute einer Leuchtdiode erhöht oder maximiert.
Die technischen Vorteile der vorliegenden Offenbarung sind nicht auf die oben genannten Vorteile beschränkt, und andere Vorteile, die oben nicht erwähnt sind, können von den Fachleuten aus den folgenden Beschreibungen klar verstanden werden. Gemäß einem Aspekt der vorliegenden Offenbarung wird eine Anzeigevorrichtung gemäß Anspruch 1 bereitgestellt. Gemäß einem weiteren Aspekt der vorliegenden Offenbarung wird eine Anzeigevorrichtung gemäß Anspruch 14 bereitgestellt. Weitere Aspekte der vorliegenden Offenbarung sind in den abhängigen Ansprüchen beschrieben.
Gemäß einem Aspekt der vorliegenden Offenbarung weist eine Anzeigevorrichtung auf: ein dehnbares unteres Substrat, eine Vielzahl von unteren Plattenmustern, die auf dem unteren Substrat angeordnet sind, und eine Vielzahl von Pixeln, die auf der Vielzahl der unteren Plattenmuster angeordnet sind. Jedes der Vielzahl von Pixeln weist mehrere Leuchtdioden auf. Die Anzeigevorrichtung weist eine Quantenpunktschicht auf, die in mindestens einer der mehreren Leuchtdioden angeordnet ist. Auf diese Weise können die Lichtausbeute und die Zuverlässigkeit der Anzeigevorrichtung verbessert werden.
Weitere Einzelheiten zu den beispielhaften Ausführungsformen sind in der detaillierten Beschreibung und den Zeichnungen aufweisen.
Gemäß der vorliegenden Offenbarung kann in der Anzeigevorrichtung eine stabile Niederpotentialspannung an die Leuchtdiode angelegt werden, um die Lichtausbeute und die Stabilität der Leuchtdiode zu gewährleisten.
Gemäß der vorliegenden Offenbarung wird die Zuverlässigkeit einer Quantenpunktschicht verbessert, wodurch die Zuverlässigkeit der Implementierung eines Bildes der Anzeigevorrichtung erhöht wird.
Gemäß der vorliegenden Offenbarung reduziert oder minimiert die Anzeigevorrichtung den Lichtverlust, um die Farbreinheit und die Lichtausbeute zu erhöhen und mit einer geringen Leistung betrieben zu werden.
Die Wirkungen gemäß der vorliegenden Offenbarung sind nicht auf die oben beispielhaft aufgeführten Inhalte beschränkt, und weitere verschiedene Wirkungen sind in der vorliegenden Beschreibung aufweisen.
KURZE BESCHREIBUNG DER VERSCHIEDENEN ANSICHTEN DER ZEICHNUNGEN
Die obigen und andere Aspekte, Merkmale und andere Vorteile der vorliegenden Offenbarung werden aus der folgenden detaillierten Beschreibung in Verbindung mit den beigefügten Zeichnungen klarer verstanden, in denen:

1 eine Draufsicht ist, die eine Anzeigevorrichtung gemäß einer beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung zeigt;
2 eine vergrößerte Draufsicht auf ein unteres Substrat einer Anzeigevorrichtung gemäß einer beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung ist;
3 eine vergrößerte Draufsicht auf ein oberes Substrat einer Anzeigevorrichtung gemäß einer beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung ist;
4 eine Querschnittsansicht entlang der Linie IV-IV' der 2 und 3 ist;
5 eine Querschnittsansicht entlang der Linie V-V' der 2 und 3 ist; und
6 eine Querschnittsansicht einer Anzeigevorrichtung gemäß einer weiteren beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung ist.

AUSFÜHRLICHE BESCHREIBUNG
Vorteile und Merkmale der vorliegenden Offenbarung und ein Verfahren zum Erreichen der Vorteile und Merkmale werden deutlich, wenn man sich auf beispielhafte Ausführungsformen bezieht, die unten im Detail zusammen mit den beigefügten Zeichnungen beschrieben werden. Die vorliegende Offenbarung ist jedoch nicht auf die hier offengelegten beispielhaften Ausführungsformen beschränkt, sondern kann in verschiedenen Formen umgesetzt werden. Die beispielhaften Ausführungsformen sind nur beispielhaft veranschaulicht, damit der Fachmann die Offenbarungen der vorliegenden Offenbarung und den Umfang der vorliegenden Offenbarung vollständig verstehen kann.
Die Formen, Größen, Abmessungen (z.B. Länge, Breite, Höhe, Dicke, Radius, Durchmesser, Fläche usw.), Verhältnisse, Winkel, Zahlen und dergleichen, die in den beigefügten Zeichnungen zur Beschreibung der beispielhaften Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung veranschaulicht sind, sind lediglich Beispiele, und die vorliegende Offenbarung ist nicht darauf beschränkt.
Eine Abmessung, einschließlich der Größe und der Dicke jedes in der Zeichnung veranschaulichten Bauteils, ist der Einfachheit halber veranschaulicht, und die vorliegende Offenbarung ist nicht auf die Größe und die Dicke des veranschaulichten Bauteils beschränkt, aber es ist anzumerken, dass die relativen Abmessungen, einschließlich der relativen Größe, Lage und Dicke der in verschiedenen Zeichnungen veranschaulichten Bauteile, Teil der vorliegenden Offenbarung sind.
Gleiche Bezugszeichen bezeichnen im Allgemeinen gleiche Elemente in der gesamten Beschreibung. Ferner kann in der folgenden Beschreibung der vorliegenden Offenbarung auf eine ausführliche Erläuterung bekannter verwandter Technologien verzichtet werden, um den Gegenstand der vorliegenden Offenbarung nicht unnötig zu vernebeln. Die hier verwendeten Begriffe wie „aufweisen“, „enthalten“ und „haben“ sollen im Allgemeinen die Hinzufügung anderer Komponenten ermöglichen, es sei denn, die Begriffe werden mit dem Begriff „nur“ verwendet. Alle Verweise auf die Einzahl schließen die Vielzahl ein, sofern nicht ausdrücklich anders angegeben.
Komponenten werden so interpretiert, dass sie eine gewöhnliche Fehlerspanne aufweisen, auch wenn dies nicht ausdrücklich angegeben ist.
Wenn die Positionsbeziehung zwischen zwei Teilen mit Begriffen wie „auf“, „über“, „unter“ und „neben“ beschrieben wird, können sich ein oder mehrere Teile zwischen den beiden Teilen befinden, es sei denn, die Begriffe werden zusammen mit dem Begriff „unmittelbar“ oder „direkt“ verwendet.
Wenn ein Element oder eine Schicht „auf“ einem anderen Element oder einer anderen Schicht angeordnet ist, kann das Element oder die Schicht direkt auf einem anderen Element oder einer anderen Schicht angeordnet sein, oder es kann ein anderes Element oder eine andere Schicht dazwischen angeordnet sein.
Obwohl die Begriffe „erster“, „zweiter“ und dergleichen zur Beschreibung verschiedener Komponenten verwendet werden, sind diese Komponenten nicht durch diese Begriffe eingeschränkt. Diese Begriffe werden lediglich zur Unterscheidung einer Komponente von den anderen Komponenten verwendet. Daher kann eine erste Komponente, die im Folgenden erwähnt wird, eine zweite Komponente in einem technischen Konzept der vorliegenden Offenbarung sein.
Die Merkmale der verschiedenen Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung können teilweise oder vollständig aneinander geklebt oder miteinander kombiniert werden und können in technisch verschiedener Weise ineinandergreifen und betrieben werden, und die Ausführungsformen können unabhängig voneinander oder in Verbindung miteinander ausgeführt werden.
Nachfolgend wird eine Anzeigevorrichtung gemäß beispielhaften Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung unter Bezugnahme auf die beigefügten Zeichnungen im Detail beschrieben.
Eine Anzeigevorrichtung gemäß einer beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung ist eine Anzeigevorrichtung, die in der Lage ist, Bilder auch in einem gebogenen oder ausgefahrenen Zustand anzuzeigen, und kann auch als eine dehnbare Anzeigevorrichtung, eine flexible Anzeigevorrichtung und eine ausfahrbare Anzeigevorrichtung bezeichnet werden. Im Vergleich zu den allgemeinen Anzeigevorrichtungen der bezogenen Technik weist die Anzeigevorrichtung nicht nur eine hohe Flexibilität, sondern auch eine Dehnbarkeit auf. Daher kann der Benutzer eine Anzeigevorrichtung biegen oder verlängern, und die Form einer Anzeigevorrichtung kann entsprechend der Manipulation eines Benutzers frei verändert werden. Wenn der Benutzer zum Beispiel an der Anzeigevorrichtung zieht, indem er die Enden der Anzeigevorrichtung festhält, kann die Anzeigevorrichtung in die Zugrichtung des Benutzers verlängert werden. Wenn der Benutzer die Anzeigevorrichtung auf einer nicht ebenen Außenfläche anbringt, kann die Anzeigevorrichtung auch so angeordnet werden, dass sie sich entsprechend der Form der Außenfläche der Wand biegt. Außerdem kann die Anzeigevorrichtung in ihre ursprüngliche Form zurückkehren, wenn eine vom Benutzer ausgeübte Kraft aufgehoben wird.
Dehnbares Substrat und Musterschicht
1 ist eine Draufsicht, die eine Anzeigevorrichtung gemäß einer beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung zeigt.
2 ist eine vergrößerte Draufsicht auf ein unteres Substrat einer Anzeigevorrichtung gemäß einer beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung.
3 ist eine vergrößerte Draufsicht auf ein oberes Substrat einer Anzeigevorrichtung gemäß einer beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung.
4 ist eine Querschnittsansicht entlang der Linie IV-IV' der 2 und 3.
Der Einfachheit halber sind in 1 andere Komponenten als das obere Substrat 112 veranschaulicht. Ferner sind in 2 ein unteres Substrat 111 und Komponenten veranschaulicht, die auf dem unteren Substrat 111 in einem in 1 veranschaulichten Bereich A angeordnet sind. Ferner sind in 3 ein oberes Substrat 112 und Komponenten, die auf dem oberen Substrat 112 in einem in 1 veranschaulichten Bereich A angeordnet sind, veranschaulicht.
Bezugnehmend auf 1 kann eine Anzeigevorrichtung 100 gemäß einer beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung ein unteres Substrat 111, eine Musterschicht 120, eine Vielzahl von Pixeln PX, einen Gate-Treiber GD, einen Daten-Treiber DD und eine Stromversorgung PS aufweisen. In der beispielhaften Ausführungsform, die sich weiter auf die 3 und 4 bezieht, kann die Anzeigevorrichtung 100 ferner eine Füllschicht 190 und ein oberes Substrat 112 aufweisen.
Das untere Substrat 111 ist ein Substrat, das mehrere Komponenten der Anzeigevorrichtung 100 trägt und schützt. Das obere Substrat 112 ist ein Substrat, das mehrere Komponenten der Anzeigevorrichtung 100 abdeckt und schützt. Das heißt, das untere Substrat 111 ist ein Substrat, das die Musterschicht 120 trägt, auf der die Pixel PX, der Gate-Treiber GD und die Stromversorgung PS ausgebildet sind. Das obere Substrat 112 ist ein Substrat, das die Pixel PX, den Gate-Treiber GD und die Stromversorgung PS bedeckt.
Das untere Substrat 111 und das obere Substrat 112, bei denen es sich um flexible Substrate handelt, können aus einem isolierenden Material gebildet sein, das biegbar oder dehnbar ist. Beispielsweise können das untere Substrat 111 und das obere Substrat 112 aus einem Silikongummi wie Polydimethylsiloxan (PDMS) oder einem Elastomer wie Polyurethan (PU) oder Polytetrafluorethylen (PTFE) gebildet sein. Dementsprechend können das untere Substrat 111 und das obere Substrat 112 flexibel sein. Je nach Ausführungsbeispiel können die Materialien des unteren Substrats 111 und des oberen Substrats 112 gleich sein, sind aber nicht darauf beschränkt und können variieren.
Das untere Substrat 111 und das obere Substrat 112 sind dehnbare Substrate, so dass sie reversibel ausdehnbar und zusammenziehbar sind. Dementsprechend kann das untere Substrat 111 auch als ein unteres dehnbares Substrat, ein unteres Strecksubstrat, ein unteres Ausdehnungssubstrat, ein unteres duktiles Substrat, ein unteres flexibles Substrat, ein erstes dehnbares Substrat, ein erstes Strecksubstrat, ein erstes Ausdehnungssubstrat, ein erstes duktiles Substrat oder ein erstes flexibles Substrat bezeichnet werden. Das obere Substrat 112 kann auch als ein oberes dehnbares Substrat, ein oberes Strecksubstrat, ein oberes Ausdehnungssubstrat, ein oberes duktiles Substrat, ein oberes flexibles Substrat, ein zweites dehnbares Substrat, ein zweites Strecksubstrat, ein zweites Ausdehnungssubstrat, ein zweites duktiles Substrat oder ein zweites flexibles Substrat bezeichnet werden. Ferner kann der Elastizitätsmodul des unteren Substrats 111 und der Elastizitätsmodul des oberen Substrats 112 mehrere MPa bis mehrere hundert MPa betragen. Außerdem kann die duktile Bruchrate des unteren Substrats 111 und die duktile Bruchrate des oberen Substrats 112 100% oder mehr betragen. Hier bezieht sich die duktile Bruchrate auf eine Dehnungsrate zu einem Zeitpunkt, zu dem ein zu dehnendes Objekt bricht oder reißt. Die Dicke des unteren Substrats 111 kann 10 µm bis 1 mm betragen, ist aber nicht darauf beschränkt.
Das untere Substrat 111 kann einen aktiven Bereich AA und einen nicht-aktiven Bereich NA aufweisen, der den aktiven Bereich AA umgibt. Der aktive Bereich AA und der nicht-aktive Bereich NA sind jedoch nicht auf das untere Substrat 111 beschränkt, sondern gelten für die gesamte Anzeigevorrichtung 100.
Der aktive Bereich AA kann ein Bereich sein, in dem Bilder auf der Anzeigevorrichtung 100 angezeigt werden. Eine Vielzahl von Pixeln PX kann auf dem aktiven Bereich AA angeordnet sein. Jedes Pixel PX kann ein Anzeigeelement und verschiedene Ansteuerungselemente zur Ansteuerung des Anzeigeelements aufweisen. Die verschiedenen Ansteuerungselemente können sich auf mindestens einen Dünnfilmtransistor (TFT) und einen Kondensator beziehen, sind aber nicht darauf beschränkt. Die Vielzahl von Pixeln PX kann mit verschiedenen Verdrahtungsleitungen verbunden sein. Zum Beispiel kann jedes der Vielzahl von Pixeln PX mit verschiedenen Verdrahtungsleitungen verbunden sein, wie einer Gate-Leitung, einer Daten-Leitung, einer Hochpotentialspannungsleitung, einer Niedrigpotentialspannungsleitung, einer Referenzspannungsleitung und einer Initialisierungsspannungsleitung.
Der nicht-aktive Bereich NA kann ein Bereich sein, in dem kein Bild angezeigt wird. Der nicht-aktive Bereich NA kann so angeordnet sein, dass er an den aktiven Bereich AA angrenzt. Beispielsweise kann der nicht-aktive Bereich NA ein Bereich sein, der den aktiven Bereich AA umgibt. Er ist jedoch nicht darauf beschränkt, so dass der nicht-aktive Bereich NA zu einem Bereich korrespondiert, der den aktiven Bereich AA vom unteren Substrat 111 ausschließt und in verschiedenen Formen modifiziert und getrennt werden kann. Komponenten zur Ansteuerung einer Vielzahl von Pixeln PX, die im aktiven Bereich AA angeordnet sind, können auf dem nicht-aktiven Bereich NA angeordnet sein. Das heißt, der Gate-Treiber GD und die Stromversorgung PS können auf der nicht-aktiven Bereich NA angeordnet sein. Ferner kann auf dem nicht-aktiven Bereich NA eine Vielzahl von Pads angeordnet sein, die mit dem Gate-Treiber GD und dem Daten-Treiber DD verbunden sind, und jedes Pad kann mit jedem der Vielzahl von Pixeln PX des aktiven Bereichs AA verbunden sein.
Die Musterschicht 120 kann zwischen dem unteren Substrat 111 und dem oberen Substrat 112 angeordnet sein. Insbesondere kann die Musterschicht 120, wie in 4 veranschaulicht, untere Musterschichten 121a und 122a und obere Musterschichten 121b und 122b aufweisen. Die unteren Musterschichten 121a und 122a sind Musterschichten, die auf dem unteren Substrat 111 angeordnet sind und mit dem unteren Substrat 111 in Kontakt stehen. Die oberen Musterschichten 121b und 122b sind Musterschichten, die auf dem oberen Substrat 122 angeordnet sind, um mit dem oberen Substrat 112 in Kontakt zu stehen.
Bezugnehmend auf 1 kann die Musterschicht 120 eine Vielzahl von Plattenmustern 121a und 121b, die als voneinander beabstandete Inseln angeordnet sind, und eine Vielzahl von Leitungsmustern 122a und 122b, die die Vielzahl von Plattenmustern miteinander verbinden, aufweisen.
Wie in 2 veranschaulicht, können die unteren Musterschichten 121a und 122a eine Vielzahl von unteren Plattenmustern 121a, die als voneinander beabstandete Inseln angeordnet sind, und eine Vielzahl von unteren Leitungsmustern 122a, die die Vielzahl von unteren Plattenmustern 121a verbinden, aufweisen. Wie in 3 veranschaulicht, können die oberen Musterschichten 121b und 122b eine Vielzahl von oberen Plattenmustern 121b, die als Inseln angeordnet sind, die voneinander beabstandet sind, und eine Vielzahl von oberen Leitungsmustern 122b, die die Vielzahl von oberen Plattenmustern 121b verbinden, aufweisen.
Bezugnehmend auf 1, 2 und 4 kann eine Vielzahl von Pixeln PX auf der Vielzahl von unteren Plattenmustern 121a gebildet sein, die im aktiven Bereich AA angeordnet sind. Darüber hinaus können der Gate-Treiber GD und die Stromversorgung PS auf der Vielzahl von unteren Plattenmustern 121a angeordnet sein, die im nicht-aktiven Bereich NA angeordnet sind.
Mit anderen Worten, die Vielzahl von Pixeln PX kann unter der Vielzahl von oberen Plattenmustern 121b gebildet sein, die im aktiven Bereich AA angeordnet sind. Außerdem können der Gate-Treiber GD und die Stromversorgung PS unter den oberen Musterschichten 121b und 122b im nicht-aktiven Bereich NA angeordnet sein.
Die Vielzahl von oberen Plattenmustern 121b und die Vielzahl von unteren Plattenmustern 121a können jeweils einzeln separiert sein. Dementsprechend kann die Vielzahl der oberen Plattenmuster 121b auch als eine Vielzahl von oberen Inselmustern oder oberen Einzelmustern bezeichnet werden. Die Vielzahl der unteren Plattenmuster 121a kann auch als eine Vielzahl von unteren Inselmustern oder unteren Einzelmustern bezeichnet werden.
In einer beispielhaften Ausführungsform kann der Gate-Treiber GD auf der Vielzahl von unteren Plattenmustern 121a, die im nicht-aktiven Bereich NA angeordnet sind, angeordnet sein. Verschiedene Schaltungskonfigurationen, die den Gate-Treiber GD einrichten, wie z.B. verschiedene Transistoren, Kondensatoren und Verdrahtungsleitungen, können auf der Vielzahl von unteren Plattenmustern 121a angeordnet sein, die in dem nicht-aktiven Bereich NA angeordnet sind. Dies ist jedoch nur ein Beispiel, so dass die beispielhafte Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung nicht darauf beschränkt ist und der Gate-Treiber GD auf der Vielzahl von unteren Plattenmustern 121a, die in dem nicht-aktiven Bereich NA angeordnet sind, in einer Chip-on-Film (COF)-Weise angeordnet sein kann.
In einer beispielhaften Ausführungsform kann die Stromversorgung PS auf der Vielzahl von unteren Plattenmustern 121a angeordnet sein, die in dem nicht-aktiven Bereich NA angeordnet sind. Stromblöcke, die auf unterschiedlichen Schichten angeordnet sind, können auf der Vielzahl von unteren Plattenmustern 121a, die im nicht-aktiven Bereich NA angeordnet sind, angeordnet sein. Ein unterer Stromblock und ein oberer Stromblock können nacheinander auf der Vielzahl von unteren Plattenmustern 121a im nicht-aktiven Bereich NA angeordnet sein. Beispielsweise kann an den unteren Stromblock eine Niedrigpotentialspannung und an den oberen Stromblock eine Hochpotentialspannung angelegt werden. Dementsprechend kann eine Niedrigpotentialspannung über einen unteren Stromblock an die Vielzahl von Pixeln PX angelegt werden und eine Hochpotentialspannung kann über einen oberen Stromblock an die Vielzahl von Pixeln angelegt werden.
Gemäß der beispielhaften Ausführungsform, wie sie in 1 veranschaulicht ist, können die Größen der Vielzahl von unteren Plattenmustern 121a, die in dem nicht-aktiven Bereich NA angeordnet sind, größer sein als die Größen der Vielzahl von unteren Plattenmustern 121a, die in dem aktiven Bereich AA angeordnet sind. Genauer gesagt, ist eine Fläche, die von verschiedenen Schaltungskonfigurationen eingenommen wird, die eine Stufe des Gate-Treibers GD einrichten, relativ größer als eine Fläche, die von den Pixeln PX eingenommen wird. Daher kann eine Größe der Vielzahl von unteren Plattenmustern 121a, die in dem nicht-aktiven Bereich NA angeordnet sind, größer sein als eine Größe der Vielzahl von unteren Plattenmustern 121a, die in dem aktiven Bereich AA angeordnet sind.
Auch wenn in 1 veranschaulicht ist, dass die Vielzahl der im nicht-aktiven Bereich NA angeordneten unteren Plattenmuster 121a auf beiden Seiten einer zweiten Richtung Y im nicht-aktiven Bereich NA angeordnet ist, ist dies nur veranschaulichend, aber die beispielhafte Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung ist darauf nicht beschränkt. Beispielsweise kann die Vielzahl der unteren Plattenmuster 121a, die in dem nicht-aktiven Bereich NA angeordnet sind, in einem beliebigen Bereich des nicht-aktiven Bereichs NA angeordnet sein. Auch wenn in der 1 und der 2 die Vielzahl der unteren Plattenmuster 121a eine quadratische Form hat, ist dies nur ein Beispiel, und die beispielhafte Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung ist nicht darauf beschränkt, und die Vielzahl der unteren Plattenmuster 121a kann in verschiedenen Formen modifiziert werden.
Derweil ist die Vielzahl der unteren Leitungsmuster 122a Muster, die benachbarte untere Plattenmuster 121a verbinden und als untere Verbindungsmuster bezeichnet werden können. Das heißt, die Vielzahl von unteren Leitungsmustern 122a können zwischen der Vielzahl von unteren Plattenmustern 121a angeordnet sein.
Die Vielzahl der oberen Leitungsmuster 122b sind Muster, die benachbarte obere Plattenmuster 121b verbinden und als obere Verbindungsmuster bezeichnet werden können. Das heißt, die Vielzahl von oberen Leitungsmuster 122b können zwischen den mehreren oberen Plattenmustern 121b angeordnet sein.
In einer beispielhaften Ausführungsform, die sich auf 1 bezieht, kann jedes aus der Vielzahl der oberen Leitungsmuster 122b und der Vielzahl der unteren Leitungsmuster 122a eine wellenförmige Form haben. Beispielsweise kann jedes der Vielzahl von oberen Leitungsmuster 122b und der Vielzahl von unteren Leitungsmuster 122a eine sinusförmige Form haben. Dies ist jedoch nur ein Beispiel, und die Formen der Vielzahl der oberen Leitungsmuster 122b und der Vielzahl der unteren Leitungsmuster 122a sind nicht darauf beschränkt. Beispielsweise kann die Vielzahl der oberen Leitungsmuster 122b und die Vielzahl der unteren Leitungsmuster 122a eine Zickzackform haben. Ein weiteres Beispiel ist, dass die Vielzahl der oberen Leitungsmuster 122b und die Vielzahl der unteren Leitungsmuster 122a verschiedene Formen haben können, wie z.B. eine Vielzahl von rhombischen Formen, die an ihren Scheitelpunkten verbunden sind, um verlängert zu werden. Wie oben beschrieben, sind die Anzahl und die Form jedes der Vielzahl von oberen Leitungsmustern 122b und der Vielzahl von unteren Leitungsmustern 122a, die in 1 veranschaulicht sind, veranschaulichend, und die Anzahl und die Form jedes der Vielzahl von oberen Leitungsmustern 122b und der Vielzahl von unteren Leitungsmustern 122a können in Abhängigkeit von dem Design variieren.
In einer beispielhaften Ausführungsform kann jedes aus der Vielzahl der oberen Plattenmuster 121b, der Vielzahl der unteren Plattenmuster 121a, der Vielzahl der oberen Leitungsmuster 122b und der Vielzahl der unteren Leitungsmuster 122a ein starres Muster sein. Beispielsweise kann jedes aus der Vielzahl der oberen Plattenmuster 121b, der Vielzahl der unteren Plattenmuster 121a, der Vielzahl der oberen Leitungsmuster 122b und der Vielzahl der unteren Leitungsmuster 122a steifer sein als das untere Substrat 111 und das obere Substrat 112. Dementsprechend kann der Elastizitätsmodul jedes der Vielzahl von oberen Plattenmustern 121b, der Vielzahl von unteren Plattenmustern 121a, der Vielzahl von oberen Leitungsmustern 122b und der Vielzahl von unteren Leitungsmustern 122a höher sein als die Elastizitätsmodule des unteren Substrats 111 und des oberen Substrats 112. Der Elastizitätsmodul ist ein Parameter, der die Verformungsgeschwindigkeit gegenüber der auf das Substrat ausgeübten Spannung angibt, und je höher der Elastizitätsmodul ist, desto höher ist die Härte. Der Elastizitätsmodul jedes der Vielzahl von oberen Plattenmustern 121b, der Vielzahl von unteren Plattenmustern 121a, der Vielzahl von oberen Leitungsmustern 122b und der Vielzahl von unteren Leitungsmustern 122a kann 1000 Mal höher sein als die Elastizitätsmodule des unteren Substrats 111 und des oberen Substrats 112. Dies ist jedoch nur ein Beispiel und die beispielhafte Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung ist nicht darauf beschränkt.
In einer beispielhaften Ausführungsform kann jedes der Vielzahl von oberen Plattenmustern 121b, der Vielzahl von unteren Plattenmustern 121a, der Vielzahl von oberen Leitungsmustern 122b und der Vielzahl von unteren Leitungsmustern 122a ein Kunststoffmaterial aufweisen, das eine geringere Flexibilität aufweist als das untere Substrat 111 und das obere Substrat 112. Zum Beispiel kann jedes der Vielzahl von oberen Plattenmustern 121b, der Vielzahl von unteren Plattenmustern 121a, der Vielzahl von oberen Leitungsmustern 122b und der Vielzahl von unteren Leitungsmustern 122a mindestens ein Material aus Polyimid (PI), Polyacrylat und Polyacetat aufweisen. Gemäß einer beispielhaften Ausführungsform kann jedes der Vielzahl von oberen Plattenmustern 121b, der Vielzahl von unteren Plattenmustern 121a, der Vielzahl von oberen Leitungsmustern 122b und der Vielzahl von unteren Leitungsmustern 122a aus demselben Material gebildet sein, ist aber nicht darauf beschränkt und kann aus verschiedenen Materialien gebildet sein. Wenn die Vielzahl von oberen Plattenmustern 121b, die Vielzahl von unteren Plattenmustern 121a, die Vielzahl von oberen Leitungsmustern 122b und die Vielzahl von unteren Leitungsmustern 122a aus demselben Material gebildet sind, können die Vielzahl von oberen Plattenmustern 121b und die Vielzahl von oberen Leitungsmustern 122b integral ausgebildet sein. Ferner können die Vielzahl von unteren Plattenmuster 121a und die Vielzahl von unteren Leitungsmuster 122a integral ausgebildet sein.
In einigen beispielhaften Ausführungsformen kann das untere Substrat 111 so definiert sein, dass es eine Vielzahl von ersten unteren Mustern und ein zweites unteres Muster aufweist. Die Vielzahl der ersten unteren Muster kann ein Bereich sein, der die Vielzahl der oberen Plattenmuster 121b und die Vielzahl der unteren Plattenmuster 121a des unteren Substrats 111 überlappt, aber das zweite untere Muster kann ein Bereich sein, der die Vielzahl der oberen Plattenmuster 121b und der unteren Plattenmuster 121a nicht überlappt.
Ferner kann das obere Substrat 112 so definiert sein, dass es eine Vielzahl von ersten oberen Mustern und ein zweites oberes Muster aufweist. Die Vielzahl der ersten oberen Muster kann ein Bereich sein, der die Vielzahl der oberen Plattenmuster 121b und der unteren Plattenmuster 121a des oberen Substrats 112 überlappt, aber das zweite obere Muster kann ein Bereich sein, der die Vielzahl der oberen Plattenmuster 121b und der unteren Plattenmuster 121a nicht überlappt.
Zu diesem Zeitpunkt können die Elastizitätsmoduli der Vielzahl von ersten unteren Mustern und des ersten oberen Musters höher sein als die Elastizitätsmoduli des zweiten unteren Musters und des zweiten oberen Musters. Beispielsweise können die Vielzahl von ersten unteren Mustern und die ersten oberen Muster aus demselben Material wie die Vielzahl von oberen Plattenmustern 121b und die unteren Plattenmuster 121a gebildet sein. Das zweite untere Muster und das zweite obere Muster können ein Material aufweisen, dessen Elastizitätsmodul niedriger ist als die Elastizitätsmoduli der Vielzahl von oberen Plattenmuster 121b und unteren Plattenmuster 121a.
Das erste untere Muster und das erste obere Muster können zum Beispiel auch aus Polyimid (PI), Polyacrylat oder Polyacetat gebildet sein. Ferner können das zweite untere Muster und das zweite obere Muster aus Silikonkautschuk wie Polydimethylsiloxan (PDMS) oder Elastomer wie Polyurethan (PU) oder Polytetrafluorethylen (PTFE) gebildet sein.
Anteuerndes Element des Nicht-aktiven-Bereichs
Der Gate-Treiber GD kann eine Gate-Spannung an die Vielzahl von Pixeln PX zuführen, die im aktiven Bereich AA angeordnet sind. Der Gate-Treiber GD weist eine Vielzahl von Stufen auf, die auf der Vielzahl von unteren Plattenmustern 121a gebildet sind, die in dem nicht-aktiven Bereich NA angeordnet sind, und jede Stufe, die in dem Gate-Treiber GD enthalten ist, kann elektrisch miteinander mittels der Vielzahl von Gate-Verbindungsleitungen verbunden sein. Dementsprechend kann eine Gate-Spannung, die von einer der Stufen ausgegeben wird, an die andere Stufe übertragen werden. Jede Stufe kann die Gate-Spannung sequentiell an die Vielzahl von Pixeln PX zuführen, die mit jeder Stufe verbunden sind.
Die Stromversorgung PS ist mit dem Gate-Treiber GD verbunden, um eine Gate-Ansteuerspannung und eine Gate-Taktspannung an den Gate-Treiber GD zu zuführen. Die Stromversorgung PS ist mit der Vielzahl von Pixeln PX verbunden, um jedem der Vielzahl von Pixeln PX eine Pixel-Ansteuerspannung zu zuführen. Ferner kann die Stromversorgung PS auf der Vielzahl von unteren Plattenmustern 121a gebildet sein, die in dem nicht-aktiven Bereich NA angeordnet sind. Das heißt, die Stromversorgung PS kann auf der Vielzahl von unteren Plattenmustern 121a gebildet sein, die in dem nicht-aktiven Bereich NA angeordnet sind, um an den Gate-Treiber GD anzugrenzen. Eine Vielzahl von Stromversorgungen PS, die auf der Vielzahl von im nicht-aktiven Bereich NA angeordneten unteren Plattenmustern 121a ausgebildet sind, können elektrisch mit dem Gate-Treiber GD und der Vielzahl von Pixeln PX verbunden sein. Das heißt, die Vielzahl von Stromversorgungen PS, die auf der Vielzahl von unteren Plattenmustern 121a gebildet ist, die in dem nicht-aktiven Bereich NA angeordnet sind, können mit dem Gate-Treiber GD und der Vielzahl von Pixeln PX durch eine Gate-Stromverbindungsleitung und eine Pixel-Stromverbindungsleitung verbunden sein. Daher kann jede der Vielzahl von Stromversorgungen PS eine Gate-Ansteuerspannung, eine Gate-Taktspannung und eine Pixel-Ansteuerspannung zuführen.
Die Leiterplatte PCB kann Signale und Spannungen zur Ansteuerung des Anzeigeelements von der Steuereinheit an das Anzeigeelement übertragen. Daher kann die Leiterplatte auch als Treibersubstrat bezeichnet werden. Eine Steuereinheit wie ein IC-Chip oder eine Schaltungseinheit kann auf der Leiterplatte angeordnet sein. Ferner kann auf der Leiterplatte auch ein Speicher oder ein Prozessor angebracht sein. Die in der Anzeigevorrichtung 100 vorgesehene Leiterplatte kann einen dehnbaren und einen nicht-dehnbaren Bereich aufweisen, um die Dehnbarkeit zu gewährleisten. In dem nicht-dehnbaren Bereich können ein IC-Chip, eine Schaltungseinheit, ein Speicher und ein Prozessor angeordnet sein, und in dem dehnbaren Bereich können Verdrahtungsleitungen angeordnet sein, die elektrisch mit dem IC-Chip, der Schaltungseinheit, dem Speicher und dem Prozessor verbunden sind.
Der Daten-Treiber DD kann eine Daten-Spannung an die Vielzahl der im aktiven Bereich AA angeordneten Pixel PX zuführen. Der Daten-Treiber DD kann als IC-Chip eingerichtet sein, so dass er auch als Daten-Integrierte-Schaltung D-IC bezeichnet werden kann. Der Daten-Treiber DD kann in dem nicht-dehnbaren Bereich der Leiterplatte PCB angeordnet sein. Das heißt, der Daten-Treiber DD kann auf der Leiterplatte PCB in Form eines Chip on Board (COB) angeordnet sein. Obwohl in 1 veranschaulicht ist, dass der Daten-Treiber DD in Form eines Chip-on-Film (COF) montiert ist, ist dies nicht darauf beschränkt und der Daten-Treiber DD kann auch in Form eines Chip-on-Board (COB), eines Chip-on-Glass (COG) oder eines Tape-Carrier-Package (TCP) angeordnet sein.
Auch wenn in 1 ein Daten-Treiber DD so angeordnet ist, dass er zu einer Zeile des unteren Plattenmusters 121a korrespondiert, die im aktiven Bereich AA angeordnet sind, ist er nicht darauf beschränkt. Zum Beispiel kann ein Daten-Treiber DD so angeordnet sein, dass er zu einer Vielzahl von Zeilen des unteren Plattenmusters 121 a korrespondiert.
Nachfolgend wird der aktive Bereich AA der Anzeigevorrichtung 100 gemäß der beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung unter Bezugnahme auf die 4 und 5 zusammen näher beschrieben.
Planare Struktur und Querschnittsstruktur des aktiven Bereichs
Bezugnehmend auf die 2 und 4 kann ein Pixel PX, das eine Vielzahl von Subpixeln SPX aufweist, in dem unteren Plattenmuster 121a auf dem unteren Substrat 111 angeordnet sein. Jedes der Vielzahl von Subpixeln SPX kann eine Leuchtdiode 170, die ein Anzeigeelement ist, sowie einen Ansteuerungstransistor 160 und einen Schalttransistor 150 aufweisen, die die Leuchtdiode 170 ansteuern. Allerdings ist das Anzeigeelement in dem Subpixel SPX nicht auf eine LED beschränkt, sondern kann auch in eine organische Leuchtdiode geändert werden. Zum Beispiel kann die Vielzahl von Subpixeln SPX ein rotes Subpixel, ein grünes Subpixel und ein blaues Subpixel aufweisen, ist aber nicht darauf beschränkt, und die Farben der Vielzahl von Subpixeln SPX können je nach Bedarf in verschiedene Farben geändert werden.
Die Vielzahl von Subpixeln SPX kann mit der Vielzahl von unteren Verbindungsleitungen 181a und 182a verbunden sein. Beispielsweise kann die Vielzahl der Subpixel SPX elektrisch mit der ersten unteren Verbindungsleitung 181a verbunden sein, die sich in der ersten Richtung X erstreckt, und die Vielzahl der Subpixel SPX kann elektrisch mit der zweiten unteren Verbindungsleitung 182a verbunden sein, die sich in der zweiten Richtung Y erstreckt.
Bezugnehmend auf 3 und 4 kann ein leitfähiges Muster CP in dem oberen Plattenmuster 121b auf dem oberen Substrat 112 angeordnet sein. Die Vielzahl von leitfähigen Muster CP können mit der Vielzahl von oberen Verbindungsleitungen 181b verbunden sein. Die obere Verbindungsleitung 181b erstreckt sich in der ersten Richtung X, um mit der Vielzahl der leitfähigen Muster CP elektrisch verbunden zu sein.
Nachfolgend wird eine Querschnittsstruktur des aktiven Bereichs AA unter Bezugnahme auf 4 näher beschrieben.
Bezugnehmend auf 4, kann eine Vielzahl anorganischer Isolierschichten auf der Vielzahl der unteren Plattenmuster 121a angeordnet sein. Beispielsweise kann eine Vielzahl anorganischer Isolierschichten eine Pufferschicht 141, eine Gate-Isolierschicht 142, eine erste Zwischenschicht-Isolierschicht 143, eine zweite Zwischenschicht-Isolierschicht 144 und eine Passivierungsschicht 145 aufweisen. Die beispielhafte Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung ist jedoch nicht darauf beschränkt und verschiedene anorganische Isolierschichten sind zusätzlich auf der Vielzahl der unteren Plattenmuster 121a angeordnet. Mindestens eine der Pufferschicht 141, der Gate-Isolierschicht 142, der ersten Zwischenschicht-Isolierschicht 143, der zweiten Zwischenschicht-Isolierschicht 144 und der Passivierungsschicht 145, bei denen es sich um anorganische Isolierschichten handelt, kann auch weggelassen sein.
Genauer gesagt, kann eine Pufferschicht 141 auf der Vielzahl der unteren Plattenmuster 121a angeordnet werden. Die Pufferschicht 141 kann auf der Vielzahl der unteren Plattenmuster 121a gebildet sein, um verschiedene Komponenten der Anzeigevorrichtung 100 vor dem Eindringen von Feuchtigkeit (H₂O) und Sauerstoff (O₂) von der Außenseite des unteren Substrats 111 und der Vielzahl der unteren Plattenmuster 121a zu schützen. Die Pufferschicht 141 kann durch ein isolierendes Material gebildet sein. Beispielsweise kann die Pufferschicht 141 aus einer Einzelschicht oder einer Doppelschicht aus mindestens einem der Materialien Siliziumnitrid (SiNx), Siliziumoxid (SiOx) und Siliziumoxynitrid (SiON) gebildet sein. Die Pufferschicht 141 kann jedoch je nach Struktur oder Eigenschaft der Anzeigevorrichtung 100 auch weggelassen werden.
Hier kann die Pufferschicht 141 nur in einem Bereich gebildet sein, in dem das untere Substrat 111 die Vielzahl der unteren Plattenmuster 121a überlappt. Wie oben beschrieben, kann die Pufferschicht 141 aus einem anorganischen Material gebildet sein, so dass die Pufferschicht 141 während eines Prozesses des Streckens der Anzeigevorrichtung 100 leicht gerissen oder beschädigt werden kann. Daher wird die Pufferschicht 141 nicht in einem Bereich zwischen der Vielzahl von unteren Plattenmustern 121a gebildet, sondern kann so strukturiert sein, dass sie eine Form der Vielzahl von unteren Plattenmustern 121a hat, um nur oberhalb der Vielzahl von unteren Plattenmustern 121a gebildet zu sein. Daher wird in der Anzeigevorrichtung 100 gemäß der beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung die Pufferschicht 141 nur in einem Bereich gebildet, der die Vielzahl der unteren Plattenmuster 121a überlappt, die starre Muster sind. Daher kann die Beschädigung verschiedener Komponenten der Anzeigevorrichtung 100 unterdrückt werden, auch wenn die Anzeigevorrichtung 100 gebogen oder verformt wird.
Ein Schalttransistor 150 mit einer Gate-Elektrode 151, einer aktiven Schicht 152, einer Source-Elektrode 153 und einer Drain-Elektrode 154 und ein Ansteuerungstransistor 160 mit einer Gate-Elektrode 161, einer aktiven Schicht 162, einer Source-Elektrode und einer Drain-Elektrode 164 können auf der Pufferschicht 141 ausgebildet sein.
Zunächst können die aktive Schicht 152 des Schalttransistors 150 und die aktive Schicht 162 des Ansteuerungstransistors 160 auf der Pufferschicht 141 angeordnet sein. Beispielsweise können sowohl die aktive Schicht 152 des Schalttransistors 150 als auch die aktive Schicht 162 des Ansteuerungstransistors 160 aus Oxid-Halbleitern gebildet sein. Alternativ können die aktive Schicht 152 des Schalttransistors 150 und die aktive Schicht 162 des Ansteuerungstransistors 160 auch aus amorphem Silizium (a-Si), polykristallinem Silizium (poly-Si) oder einem organischen Halbleiter gebildet sein.
Die Gate-Isolierschicht 142 kann auf der aktiven Schicht 152 des Schalttransistors 150 und der aktiven Schicht 162 des Ansteuerungstransistors 160 angeordnet sein. Die Gate-Isolierschicht 142 isoliert elektrisch die Gate-Elektrode 151 des Schalttransistors 150 von der aktiven Schicht 152 des Schalttransistors 150 und kann elektrisch die Gate-Elektrode 161 des Ansteuerungstransistors 160 von der aktiven Schicht 162 des Ansteuerungstransistors 160 isolieren. Die Gate-Isolierschicht 142 kann ein isolierendes Material aufweisen. Die Gate-Isolierschicht 142 kann beispielsweise aus einer einzelnen Schicht aus Siliziumnitrid (SiNx) oder Siliziumoxid (SiOx), das ein anorganischen Material ist, oder einer Mehrfachschicht aus Siliziumnitrid (SiNx) oder Siliziumoxid (SiOx) gebildet sein, ist aber nicht darauf beschränkt.
Die Gate-Elektrode 151 des Schalttransistors 150 und die Gate-Elektrode 161 des Ansteuerungstransistors 160 können auf der Gate-Isolierschicht 142 angeordnet sein. Die Gate-Elektrode 151 des Schalttransistors 150 und die Gate-Elektrode 161 des Ansteuerungstransistors 160 können auf der Gate-Isolierschicht 142 beabstandet zueinander angeordnet sein. Die Gate-Elektrode 151 des Schalttransistors 150 überlappt die aktive Schicht 152 des Schalttransistors 150 und die Gate-Elektrode 161 des Ansteuerungstransistors 160 kann die aktive Schicht 162 des Ansteuerungstransistors 160 überlappen.
Die Gate-Elektrode 151 des Schalttransistors 150 und die Gate-Elektrode 161 des Ansteuerungstransistors 160 können aus verschiedenen metallischen Materialien wie Molybdän (Mo), Aluminium (Al), Chrom (Cr), Gold (Au), Titan (Ti), Nickel (Ni), Neodym (Nd) und Kupfer (Cu) oder einer Legierung aus zwei oder mehr dieser Materialien oder einer Mehrfachschicht davon gebildet sein, sind aber nicht darauf beschränkt.
Die erste Zwischenschicht-Isolierschicht 143 kann auf der Gate-Elektrode 151 des Schalttransistors 150 und der Gate-Elektrode 161 des Ansteuerungstransistors 160 angeordnet sein. Die erste Zwischenschicht-Isolierschicht 143 kann die Gate-Elektrode 161 des Ansteuerungstransistors 160 von einer Metallzwischenschicht IM isolieren. Die erste Zwischenschicht-Isolierschicht 143 kann ähnlich wie die Pufferschicht 141 aus einem anorganischen Material gebildet sein. Die erste Isolierzwischenschicht 143 kann beispielsweise aus einer einzelnen Schicht aus Siliziumnitrid (SiNx) oder Siliziumoxid (SiOx), das ein anorganisches Material ist, oder einer Mehrfachschicht aus Siliziumnitrid (SiNx) oder Siliziumoxid (SiOx) gebildet sein, ist aber nicht darauf beschränkt.
Die Metallzwischenschicht IM kann auf der ersten Zwischenschicht-Isolierschicht 143 angeordnet sein. Die Metallzwischenschicht IM kann die Gate-Elektrode 161 des Ansteuerungstransistors 160 überlappen. Daher kann ein Kondensator (z.B. ein Speicherkondensator) in einem Überlappungsbereich der Metallzwischenschicht IM und der Gate-Elektrode 161 des Ansteuerungstransistors 160 gebildet sein. Insbesondere kann der Speicherkondensator durch die Gate-Elektrode 161 des Ansteuerungstransistors 160, die erste Zwischenschicht-Isolierschicht 143 und die Metallzwischenschicht IM gebildet sein. Der Platzierungsbereich der Metallzwischenschicht IM ist jedoch nicht darauf beschränkt, und die Metallzwischenschicht IM überlappt die andere Elektrode, um den Speicherkondensator in verschiedenen Formen zu bilden.
Die Metallzwischenschicht IM kann aus verschiedenen metallischen Materialien gebildet sein, z.B. aus Molybdän (Mo), Aluminium (Al), Chrom (Cr), Gold (Au), Titan (Ti), Nickel (Ni), Neodym (Nd) und Kupfer (Cu) oder einer Legierung aus zwei oder mehr dieser Materialien oder einer Mehrfachschicht davon, ist aber nicht darauf beschränkt.
Die zweite Zwischenschicht-Isolierschicht 144 kann auf der Metallzwischenschicht IM angeordnet sein. Die zweite Zwischenschicht-Isolierschicht 144 kann die Gate-Elektrode 151 des Schalttransistors 150 von der Source-Elektrode 153 und der Drain-Elektrode 154 des Schalttransistors 150 isolieren. Die zweite Zwischenschicht-Isolierschicht 144 kann die Metallzwischenschicht IM von der Source-Elektrode und der Drain-Elektrode 164 des Ansteuerungstransistors 160 isolieren. Die zweite Zwischenschicht-Isolierschicht 144 kann aus einem anorganischen Material gebildet sein, das dasselbe ist wie die Pufferschicht 141. Beispielsweise kann die zweite Zwischenschicht-Isolierschicht 144 durch eine einzelne Schicht aus Siliziumnitrid (SiNx) oder Siliziumoxid (SiOx), das ein anorganisches Material ist, oder eine Mehrfachschicht aus Siliziumnitrid (SiNx) oder Siliziumoxid (SiOx) gebildet sein, ist aber nicht darauf beschränkt.
Die Source-Elektrode 153 und die Drain-Elektrode 154 des Schalttransistors 150 können auf der zweiten Zwischenschicht-Isolierschicht 144 angeordnet sein. Die Source-Elektrode und die Drain-Elektrode 164 des Ansteuerungstransistors 160 können auf der zweiten Zwischenschicht-Isolierschicht 144 angeordnet sein. Die Source-Elektrode 153 und die Drain-Elektrode 154 des Schalttransistors 150 können auf der gleichen Schicht angeordnet sein, um voneinander beabstandet zu sein. Auch wenn in 4 die Source-Elektrode des Ansteuerungstransistors 160 weggelassen ist, kann die Source-Elektrode des Ansteuerungstransistors 160 auch auf derselben Schicht beabstandet von der Drain-Elektrode 164 angeordnet sein. Im Schalttransistor 150 können die Source-Elektrode 153 und die Drain-Elektrode 154 in Kontakt mit der aktiven Schicht 152 stehen, um elektrisch mit der aktiven Schicht 152 verbunden zu sein. Im Ansteuerungstransistor 160 können die Source-Elektrode und die Drain-Elektrode 164 in Kontakt mit der aktiven Schicht 162 stehen, um elektrisch mit der aktiven Schicht 162 verbunden zu sein. Die Drain-Elektrode 154 des Schalttransistors 150 steht durch ein Kontaktloch mit der Gate-Elektrode 161 des Ansteuerungstransistors 160 in Kontakt, um elektrisch mit der Gate-Elektrode 161 des Ansteuerungstransistors 160 verbunden zu sein.
Die Source-Elektrode 153 und die Drain-Elektroden 154 und 164 können aus verschiedenen metallischen Materialien wie Molybdän (Mo), Aluminium (Al), Chrom (Cr), Gold (Au), Titan (Ti), Nickel (Ni), Neodym (Nd) und Kupfer (Cu) oder einer Legierung aus zwei oder mehreren dieser Materialien oder einer Mehrfachschicht davon gebildet sein, sind aber nicht darauf beschränkt.
Auch wenn in dieser Beschreibung beschrieben wird, dass der Ansteuerungstransistor 160 eine koplanare Struktur hat, können auch andere Transistoren, wie z.B. eine versetzte Struktur, verwendet werden. Ferner kann der Transistor in dieser Beschreibung nicht nur mit einer oberen Gate-Struktur, sondern auch mit einer unteren Gate-Struktur ausgebildet sein.
Ein Gate-Pad und ein Daten-Pad DP können auf der zweiten Zwischenschicht-Isolierschicht 144 angeordnet sein.
Insbesondere kann das Gate-Pad ein Pad sein, das eine Gate-Spannung an die Vielzahl von Subpixeln SPX überträgt. Das Gate-Pad kann durch ein Kontaktloch mit der ersten unteren Verbindungsleitung 181a verbunden sein. Ferner kann die von der ersten unteren Verbindungsleitung 181a zugeführte Gate-Spannung von der Gate-Pad durch eine auf dem unteren Plattenmuster 121a gebildete Verdrahtungsleitung an die Gate-Elektrode 151 des Schalttransistors 150 übertragen werden.
Das Daten-Pad DP kann ein Pad sein, das eine Daten-Spannung an die Vielzahl von Subpixeln SPX überträgt. Das Daten-Pad DP kann durch ein Kontaktloch mit der zweiten unteren Verbindungsleitung 182a verbunden sein. Ferner kann die von der zweiten unteren Verbindungsleitung 182a zugeführte Daten-Spannung von dem Daten-Pad DP durch eine auf dem unteren Plattenmuster 121a gebildete Verdrahtungsleitung an die Source-Elektrode 153 des Schalttransistors 150 übertragen werden.
Ein Spannungspad VP kann ein Pad sein, das eine Hochpotentialspannung an die Vielzahl von Subpixeln SPX überträgt. Das Spannungspad VP kann durch ein Kontaktloch mit der ersten unteren Verbindungsleitung 181a verbunden sein. Ferner kann eine Hochpotentialspannung, die von der ersten unteren Verbindungsleitung 181a zugeführt wird, vom Spannungspad VP durch eine auf dem unteren Plattenmuster 121a gebildete Verdrahtungsleitung an den Ansteuerungstransistor 160 übertragen werden. Die oben beschriebene Hochpotentialspannung kann als zweite Ansteuerspannung bezeichnet werden, und eine weiter unten beschriebene Niedrigpotentialspannung kann als erste Ansteuerspannung bezeichnet werden.
Das Gate-Pad, das Daten-Pad DP und das Spannungspad VP können aus demselben Material gebildet sein wie die Source-Elektrode 153 und die Drain-Elektroden 154 und 164, sind aber nicht darauf beschränkt.
Die Passivierungsschicht 145 kann auf dem Schalttransistor 150 und dem Ansteuerungstransistor 160 gebildet sein. Das heißt, die Passivierungsschicht 145 kann so angeordnet werden, dass sie den Schalttransistor 150 und den Ansteuerungstransistor 160 bedeckt, so dass der Schalttransistor 150 und der Ansteuerungstransistor 160 vor dem Eindringen von Feuchtigkeit und Sauerstoff geschützt sind. Die Passivierungsschicht 145 kann aus einem anorganischen Material gebildet sein und aus einer einzelnen Schicht oder einer Doppelschicht gebildet sein, ist aber nicht darauf beschränkt.
Die Gate-Isolierschicht 142, die erste Zwischenschicht-Isolierschicht 143, die zweite Zwischenschicht-Isolierschicht 144 und die Passivierungsschicht 145 sind so strukturiert, dass sie nur in einem Bereich gebildet sind, der die Vielzahl der unteren Plattenmuster 121a überlappt. Die Gate-Isolierschicht 142, die erste Zwischenschicht-Isolierschicht 143, die zweite Zwischenschicht-Isolierschicht 144 und die Passivierungsschicht 145 können auch aus dem anorganischen Material gebildet sein, ähnlich wie die Pufferschicht 141. Daher können die Gate-Isolierschicht 142, die erste Zwischenschicht-Isolierschicht 143, die zweite Zwischenschicht-Isolierschicht 144 und die Passivierungsschicht 145 auch leicht reißen werden, um während des Prozesses des Streckens der Anzeigevorrichtung 100 beschädigt zu werden. Daher sind die Gate-Isolierschicht 142, die erste Zwischenschicht-Isolierschicht 143, die zweite Zwischenschicht-Isolierschicht 144 und die Passivierungsschicht 145 nicht in einem Bereich zwischen der Vielzahl von unteren Plattenmustern 121a ausgebildet, sondern sind so strukturiert, dass sie eine Form der Vielzahl von unteren Plattenmustern 121a haben, die nur oberhalb der Vielzahl von unteren Plattenmustern 121a ausgebildet sind.
Die Planarisierungsschicht 146 kann auf der Passivierungsschicht 145 gebildet sein. Die Planarisierungsschicht 146 kann obere Abschnitte des Schalttransistors 150 und des Ansteuerungstransistors 160 planarisieren. Die Planarisierungsschicht 146 kann aus einer einzigen Schicht oder Vielzahl von Schichten gebildet sein und aus einem organischen Material gebildet sein. Daher kann die zusätzliche Planarisierungsschicht 146 auch als organische Isolierschicht bezeichnet werden. Die Planarisierungsschicht 146 kann zum Beispiel aus einem organischen Acrylmaterial gebildet sein, ist aber nicht darauf beschränkt.
Bezugnehmend auf 4 kann die Planarisierungsschicht 146 so angeordnet sein, dass sie Oberseiten und Seitenflächen der Pufferschicht 141, der Gate-Isolierschicht 142, der ersten Zwischenschicht-Isolierschicht 143, der zweiten Zwischenschicht-Isolierschicht 144 und der Passivierungsschicht 145 auf der Vielzahl der unteren Plattenmuster 121a bedeckt. Ferner kann die Planarisierungsschicht 146 die Pufferschicht 141, die Gate-Isolierschicht 142, die erste Zwischenschicht-Isolierschicht 143, die zweite Zwischenschicht-Isolierschicht 144 und die Passivierungsschicht 145 zusammen mit der Vielzahl der unteren Plattenmuster 121a einschließen. Genauer gesagt kann die Planarisierungsschicht 146 so angeordnet werden, dass sie eine Oberseite und eine Seitenfläche der Passivierungsschicht 145, eine Seitenfläche der ersten Zwischenschicht-Isolierschicht 143, eine Seitenfläche der zweiten Zwischenschicht-Isolierschicht 144, eine Seitenfläche der Gate-Isolierschicht 142, eine Seitenfläche der Pufferschicht 141 und einen Abschnitt einer Oberseite der Vielzahl von unteren Plattenmuster 121a bedeckt. Dementsprechend kann die Planarisierungsschicht 144 eine Stufe auf Seitenflächen der Pufferschicht 141, der Gate-Isolierschicht 142, der ersten Zwischenschicht-Isolierschicht 143, der zweiten Zwischenschicht-Isolierschicht 144 und der Passivierungsschicht 145 ergänzen. Darüber hinaus kann die Planarisierungsschicht 146 eine Haftfestigkeit mit den unteren Verbindungsleitungen 181a und 182a, die auf einer Seitenfläche der Planarisierungsschicht 146 angeordnet sind, verbessern.
Bezugnehmend auf 4 kann ein Neigungswinkel der Seitenfläche der Planarisierungsschicht 146 kleiner sein als ein Neigungswinkel, der durch Seitenflächen der Pufferschicht 141, der Gate-Isolierschicht 142, der ersten Zwischenschicht-Isolierschicht 143, der zweiten Zwischenschicht-Isolierschicht 144 und der Passivierungsschicht 145 gebildet wird. Beispielsweise kann die Seitenfläche der Planarisierungsschicht 146 eine Neigung aufweisen, die geringer ist als eine Neigung, die von jeder der Seitenflächen der Passivierungsschicht 145, der Seitenfläche der ersten Zwischenschicht-Isolierschicht 143, der Seitenfläche der zweiten Zwischenschicht-Isolierschicht 144, der Seitenfläche der Gate-Isolierschicht 142 und der Seitenfläche der Pufferschicht 141 gebildet wird. Daher sind die unteren Verbindungsleitungen 181a und 182a, die so angeordnet sind, dass sie in Kontakt mit der Seitenfläche der Planarisierungsschicht 146 stehen, mit einer geringen Neigung angeordnet, so dass, wenn die Anzeigevorrichtung 100 gedehnt wird, die in den unteren Verbindungsleitungen 181a und 182a erzeugte Spannung reduziert werden kann. Ferner hat die Seitenfläche der Planarisierungsschicht 146 eine relativ geringe Neigung, so dass der Riss der unteren Verbindungsleitungen 181a und 182a oder die Trennung von der Seitenfläche der Planarisierungsschicht 146 unterdrückt werden kann.
Bezugnehmend auf 2 bis 4, beziehen sich die unteren Verbindungsleitungen 181a und 182a auf Verdrahtungsleitungen, die die Pads auf der Vielzahl der unteren Plattenmuster 121a elektrisch verbinden. Die unteren Verbindungsleitungen 181a und 182a können auf der Vielzahl der unteren Leitungsmuster 122a angeordnet sein. Ferner ist das untere Leitungsmuster 122a nicht in einem Bereich zwischen der Vielzahl der unteren Plattenmuster 121a angeordnet, in dem die unteren Verbindungsleitungen 181a und 182a nicht ausgebildet sind.
Die unteren Verbindungsleitungen 181a und 182a können eine erste untere Verbindungsleitung 181a und eine zweite untere Verbindungsleitung 182a aufweisen. Die erste untere Verbindungsleitung 181a und die zweite untere Verbindungsleitung 182a können zwischen der Vielzahl der unteren Plattenmuster 121a angeordnet sein. Insbesondere bezieht sich die erste untere Verbindungsleitung 181a auf eine Verdrahtungsleitung, die sich in einer ersten Richtung X zwischen der Vielzahl von unteren Plattenmustern 121a unter den unteren Verbindungsleitungen 181a und 182a erstreckt. Die zweite untere Verbindungsleitung 182a kann sich auf eine Verdrahtungsleitung beziehen, die sich in einer zweiten Richtung Y zwischen der Vielzahl der unteren Plattenmuster 121a unter den unteren Verbindungsleitungen 181a und 182a erstreckt.
Die unteren Verbindungsleitungen 181a und 182a können aus einem Metallmaterial wie Kupfer (Cu), Aluminium (Al), Titan (Ti) und Molybdän (Mo) oder einer Stapelstruktur aus Metallmaterialien wie Kupfer/Molybdän/Titan (Cu/MoTi) oder Titan/Aluminium/Titan (Ti/Al/Ti) gebildet sein, sind aber nicht darauf beschränkt.
Im Falle eines Anzeigepanels einer allgemeinen Anzeigevorrichtung erstrecken sich verschiedene Verdrahtungsleitungen, wie z.B. eine Vielzahl von Gate-Leitungen und eine Vielzahl von Daten-Leitungen, zwischen der Vielzahl von Subpixeln als eine gerade Leitung, und die Vielzahl von Subpixeln ist mit einer Signal-Leitung verbunden. Daher können sich in dem Anzeigepanel der allgemeinen Anzeigevorrichtung verschiedene Verdrahtungsleitungen, wie eine Gate-Leitung, eine Daten-Leitung, eine Hochpotentialspannungsleitung und eine Referenzspannungsleitung, von einer Seite zur anderen Seite des Anzeigepanels der organischen lichtemittierenden Anzeigevorrichtung erstrecken, ohne auf dem Substrat unterbrochen zu werden.
Im Gegensatz dazu können in der Anzeigevorrichtung 100 gemäß der beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung verschiedene Verdrahtungsleitungen, wie z.B. eine Gate-Leitung, eine Daten-Leitung, eine Hochpotentialspannungsleitung, eine Referenzspannungsleitung oder eine Initialisierungsspannungsleitung mit einer geraden Leitungsform, die als für das Anzeigepanel der allgemeinen Anzeigevorrichtung verwendet angesehen werden, nur auf der Vielzahl von unteren Plattenmustern 121a angeordnet sein. Das heißt, in der Anzeigevorrichtung 100 gemäß der beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung kann eine lineare Verdrahtungsleitung nur auf der Vielzahl der unteren Plattenmuster 121a angeordnet sein.
In der Anzeigevorrichtung 100 gemäß der beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung können die Pads auf zwei benachbarten unteren Plattenmustern 121a durch die unteren Verbindungsleitungen 181a und 182a verbunden sein. Dementsprechend können die unteren Verbindungsleitungen 181a und 182a die Gate-Pads, die Daten-Pads DP oder das Spannungspad VP auf zwei angrenzenden unteren Plattenmustern 121a elektrisch verbinden. Dementsprechend kann die Anzeigevorrichtung 100 gemäß der beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung eine Vielzahl von unteren Verbindungsleitungen 181a und 182a aufweisen, die verschiedene Verdrahtungsleitungen, wie eine Gate-Leitung, eine Daten-Leitung, eine Hochpotentialspannungsleitung und eine Referenzspannungsleitung, zwischen der Vielzahl von unteren Plattenmustern 121a elektrisch verbinden. Beispielsweise kann die Gate-Leitung auf der Vielzahl von unteren Plattenmustern 121a angeordnet sein, die in der ersten Richtung X benachbart zueinander angeordnet sind, und das Gate-Pad kann an beiden Enden der Gate-Leitung angeordnet sein. In diesem Fall können die Vielzahl von Gate-Pads auf den mehreren unteren Plattenmustern 121a, die in der ersten Richtung X aneinandergrenzen, durch die erste untere Verbindungsleitung 181a, die als Gate-Leitung dient, miteinander verbunden werden. Daher können die Gate-Leitung, die auf der Vielzahl der unteren Plattenmuster 121a angeordnet ist, und die erste untere Verbindungsleitung 181a, die auf dem unteren Leitungsmuster 122a angeordnet ist, als eine Gate-Leitung dienen. Die oben beschriebene Gate-Leitung kann auch als Abtastsignalleitung bezeichnet werden. Ferner können Verdrahtungsleitungen, die sich in der ersten Richtung X erstrecken, aus allen verschiedenen Verdrahtungsleitungen, die in der Anzeigevorrichtung 100 vorgesehen sein können, wie eine Emissionssignalleitung und eine Hochpotentialspannungsleitung, auch durch die erste untere Verbindungsleitung 181a, wie oben beschrieben, elektrisch verbunden sein.
Bezugnehmend auf 2 und 4 können die ersten unteren Verbindungsleitungen 181a die Spannungspads VP auf zwei unteren Plattenmustern 121a, die nebeneinander angeordnet sind, von den Spannungspads VP auf der Vielzahl von unteren Plattenmustern 121a, die so angeordnet sind, dass sie in der ersten Richtung X angrenzend sind, verbinden. Die erste untere Verbindungsleitung 181a kann als eine Abtastsignalleitung und eine Emissionssignalleitung dienen, die Gate-Leitungen sind, ist aber nicht darauf beschränkt. Das Spannungspad VP auf der Vielzahl von unteren Plattenmustern 121a, die in der ersten Richtung X angeordnet sind, kann durch die erste untere Verbindungsleitung 181a verbunden sein, die als Hochpotentialspannungsleitung dient und eine Hochpotentialspannung überträgt.
Ferner kann die zweite untere Verbindungsleitung 182a die Daten-Pads DP auf zwei unteren Plattenmustern 121a, die nebeneinander angeordnet sind, von den Daten-Pads DP auf der Vielzahl von unteren Plattenmustern 121a, die so angeordnet sind, dass sie in der ersten Richtung Y angrenzend sind, verbinden. Eine interne Leitung auf der Vielzahl der unteren Plattenmuster 121a, die in der zweiten Richtung Y angeordnet sind, kann durch die Vielzahl der zweiten unteren Verbindungsleitungen 182a verbunden sein, die als Daten-Leitung dienen und eine Daten-Spannung übertragen.
Wie in 4 veranschaulicht, kann die erste untere Verbindungsleitung 181a so angeordnet sein, dass sie mit einer Oberseite und einer Seitenfläche der auf dem unteren Plattenmuster 121a angeordneten Planarisierungsschicht 146 in Kontakt steht. Die erste untere Verbindungsleitung 181a kann sich bis zur oberen Oberfläche des unteren Leitungsmusters 122a erstrecken. Ferner kann die zweite untere Verbindungsleitung 182a so angeordnet sein, dass sie in Kontakt mit einer Oberseite und einer Seitenfläche der auf dem unteren Plattenmuster 121a angeordneten Planarisierungsschicht 146 steht. Die zweite untere Verbindungsleitung 182a kann sich bis zur oberen Oberfläche des unteren Leitungsmusters 122a erstrecken.
Es besteht jedoch keine Notwendigkeit, ein starres Muster in einem Bereich anzuordnen, in dem die erste untere Verbindungsleitung 181a und die zweite untere Verbindungsleitung 182a nicht ausgebildet sind, so dass das untere Leitungsmuster 122a, das ein starres Muster ist, nicht unterhalb der ersten unteren Verbindungsleitung 181a und der zweiten unteren Verbindungsleitung 182a angeordnet ist.
Derweil kann, bezugnehmend auf 4, eine Bank 147 auf dem Verbindungspad CNT, den unteren Verbindungsleitungen 181a und 182a und der Planarisierungsschicht 146 gebildet sein. Die Bank 147 ist eine Komponente, die angrenzende Subpixel SPX separieren kann. Die Bank 147 kann so angeordnet werden, dass sie zumindest einen Abschnitt des Verbindungspads CNT, der unteren Verbindungsleitungen 181a und 182a und der Planarisierungsschicht 146 abdeckt. Die Bank 147 kann aus einem isolierenden Material gebildet sein. Ferner kann die Bank 147 ein schwarzes Material aufweisen. Die Bank 147 weist das schwarze Material auf, um Verdrahtungsleitungen zu blockieren, die durch den aktiven Bereich AA sichtbar sein können. Die Bank 147 kann zum Beispiel aus einem Kohlenstoffgemisch gebildet sein und beispielsweise Ruß aufweisen. Die Bank 147 kann jedoch auch aus einem transparenten isolierenden Material gebildet sein. Auch wenn in 4 veranschaulicht ist, dass die Höhe der Bank 147 niedriger ist als die Höhe der Leuchtdiode 170, ist die vorliegende Offenbarung nicht darauf beschränkt, und die Höhe der Bank 147 kann gleich der Höhe der Leuchtdiode 170 sein.
Derweil, bezugnehmend auf 3, können in Bezug auf das obere Substrat 112 die Vielzahl von oberen Plattenmustern 121b und die Vielzahl von oberen Leitungsmustern 122b, die die Vielzahl von oberen Plattenmustern 121b verbinden, auf dem oberen Substrat 112 angeordnet sein. Bezugnehmend auf 4 können in Bezug auf das obere Substrat 112 die Vielzahl der oberen Plattenmuster 121b und die Vielzahl der oberen Leitungsmuster 122b, die die Vielzahl der oberen Plattenmuster 121b verbinden, unterhalb des oberen Substrats 112 angeordnet sein. Das heißt, die Vielzahl der oberen Plattenmuster 121b und die Vielzahl der oberen Leitungsmuster 122b können so angeordnet werden, dass sie in Kontakt mit dem oberen Substrat 112 stehen.
Insbesondere verbindet die Vielzahl von oberen Leitungsmustern 122b obere Plattenmuster 121b, die so angeordnet sind, dass sie in der ersten Richtung X aneinandergrenzen. Daher kann sich die Vielzahl von oberen Leitungsmustern 122b in der ersten Richtung X erstrecken. Sie ist jedoch nicht darauf beschränkt, und die Vielzahl von oberen Leitungsmustern 122b kann sich in der ersten Richtung X oder in jeder der ersten Richtung X und der zweiten Richtung Y erstrecken.
In Bezug auf das obere Substrat 112 kann das leitfähige Muster CP auf dem oberen Plattenmuster 121b und die obere Verbindungsleitung 181b auf dem oberen Leitungsmuster 122b angeordnet sein. In Bezug auf das obere Substrat 112 kann das leitfähige Muster CP unterhalb des oberen Plattenmusters 121b und die obere Verbindungsleitung 181b unterhalb des oberen Leitungsmusters 122b angeordnet sein.
Das leitfähige Muster CP kann die gleiche Form haben wie das obere Plattenmuster 121b. Zum Beispiel hat das obere Plattenmuster 121b Inselformen, die voneinander beabstandet sind, so dass die leitfähigen Muster CP auch Inselformen haben können, die voneinander beabstandet sind. Die Form des leitfähigen Musters CP ist jedoch nicht darauf beschränkt und kann mit verschiedenen Formen variieren, die die Form des oberen Plattenmusters 121b überlappen.
Die obere Verbindungsleitung 181b kann auch die gleiche Form haben wie das obere Leitungsmuster 122b. Zum Beispiel kann die obere Verbindungsleitung 181b auch eine sinusförmige Form haben. Dies ist jedoch nur ein Beispiel, so dass die Form der Vielzahl von oberen Verbindungsleitungen 181b nicht darauf beschränkt ist. Beispielsweise können die Vielzahl von oberen Leitungsmuster 122b und die Vielzahl von oberen Verbindungsleitungen 181b auch eine Zickzackform haben. Als weiteres Beispiel kann die Vielzahl der oberen Verbindungsleitungen 181b auch verschiedene Formen haben, wie z.B. eine Vielzahl von rhombischen Formen, die miteinander verbunden sind und sich an den Scheitelpunkten erstrecken.
Die Vielzahl der leitfähigen Muster CP und die Vielzahl der oberen Verbindungsleitungen 181b können aus einem Metallmaterial wie Kupfer (Cu), Aluminium (Al), Titan (Ti) und Molybdän oder einer gestapelten Struktur aus Metallmaterialien wie Kupfer/Molybdän/Titan (Cu/MoTi) oder Titan/Aluminium/Titan (Ti/Al/Ti) gebildet sein. Sie ist jedoch nicht darauf beschränkt. Die Vielzahl der leitfähigen Muster CP und die Vielzahl der oberen Verbindungsleitungen 181b können integral ausgebildet sein, sind aber nicht darauf beschränkt.
Eine Niedrigpotentialspannung zum Ansteuern der Leuchtdiode 170 kann an die Vielzahl von leitfähigen Mustern CP und die Vielzahl von oberen Verbindungsleitungen 181b angelegt werden. Das heißt, die Vielzahl von leitfähigen Mustern CP und die Vielzahl von oberen Verbindungsleitungen 181b können eine leitfähige Oberfläche bilden, an die eine Niedrigpotentialspannung angelegt wird.
Planare Struktur und Querschnittstruktur von Leuchtdioden
5 ist eine Querschnittsansicht entlang der Linie V-V' der 2 und 3.
Bezugnehmend auf 4, kann die Leuchtdiode 170 auf dem Verbindungspad CNT angeordnet sein. Die Leuchtdiode 170 weist eine erste Elektrode 171, eine erste Halbleiterschicht 172, eine Emissionsschicht 173, eine zweite Halbleiterschicht 174 und eine zweite Elektrode 175 auf. Die erste Halbleiterschicht 172, die Emissionsschicht 173, die zweite Halbleiterschicht 174 und die zweite Elektrode 175 können nacheinander auf der ersten Elektrode 171 angeordnet sein. Daher ist die Leuchtdiode 170 eine vertikale Leuchtdiode 170, bei der die zweite Elektrode 175 in vertikaler Richtung über der ersten Elektrode 171 angeordnet ist.
Die erste Halbleiterschicht 172 ist auf der ersten Elektrode 171 angeordnet und die zweite Halbleiterschicht 174 ist auf der ersten Halbleiterschicht 172 angeordnet. Die erste Halbleiterschicht 172 und die zweite Halbleiterschicht 174 können Schichten sein, die durch Dotierung von n-Typ- und p-Typ-Verunreinigungen in einem bestimmten Material gebildet sind. Beispielsweise können die erste Halbleiterschicht 172 und die zweite Halbleiterschicht 174 Schichten sein, die durch Dotierung von Verunreinigungen des p-Typs und des n-Typs in ein Material wie Galliumnitrid (GaN), Indiumaluminiumphosphid (InAlP) oder Galliumarsenid (GaAs) gebildet sind. Die p-Typ-Verunreinigung kann Magnesium (Mg), Zink (Zn) und Beryllium (Be) sein, und die n-Typ-Verunreinigung kann Silizium (Si), Germanium und Zinn (Sn) sein, ist aber nicht darauf beschränkt.
Die Emissionsschicht 173 ist zwischen der ersten Halbleiterschicht 172 und der zweiten Halbleiterschicht 174 angeordnet. Die Emissionsschicht 173 wird von der ersten Halbleiterschicht 172 und der zweiten Halbleiterschicht 174 mit Löchern und Elektronen versorgt, um Licht zu emittieren. Die Emissionsschicht 173 kann aus einer einzelnen Schicht oder einer Multi-Quantentopf-Struktur (MQW) gebildet sein und kann beispielsweise aus Indium-Gallium-Nitrid (InGaN) oder Gallium-Nitrid (GaN) gebildet sein, ist aber nicht darauf beschränkt.
Die erste Elektrode 171 ist unterhalb der ersten Halbleiterschicht 172 angeordnet. Die erste Elektrode 171 ist eine Elektrode, die den Ansteuerungstransistor 160 und die erste Halbleiterschicht 172 elektrisch verbindet. Die erste Elektrode 171 kann aus einem leitfähigen Material gebildet sein, z.B. aus einem transparenten leitfähigen Material wie Indiumzinnoxid (ITO) oder Indiumzinkoxid (IZO) oder einem undurchsichtigen leitfähigen Material wie Titan (Ti), Gold (Au), Silber (Ag), Kupfer (Cu) oder einer Legierung davon, ist aber nicht darauf beschränkt.
Die zweite Elektrode 175 ist auf der zweiten Halbleiterschicht 174 angeordnet. Die zweite Elektrode 175 kann auf der Oberseite der zweiten Halbleiterschicht 174 angeordnet sein. Die zweite Elektrode 175 ist eine Elektrode, die das leitfähige Muster CP und die zweite Halbleiterschicht 174 elektrisch verbindet. Die zweite Elektrode 175 kann aus einem transparenten leitfähigen Material wie Indiumzinnoxid (ITO) oder Indiumzinkoxid (IZO) oder einem undurchsichtigen leitfähigen Material wie Titan (Ti), Gold (Au), Silber (Ag), Kupfer (Cu) oder einer Legierung davon gebildet sein, ist aber nicht darauf beschränkt.
Die erste Klebstoffschicht AD1 ist zwischen dem Verbindungspad CNT und der ersten Elektrode 171 angeordnet, so dass die Leuchtdiode 170 auf das Verbindungspad CNT geklebt werden kann. Die zweite Klebstoffschicht AD2 ist zwischen dem leitfähigen Muster CP und der zweiten Elektrode 175 angeordnet, so dass die Leuchtdiode 170 unter das leitfähige Muster CP geklebt werden kann.
Die erste Klebstoffschicht AD1 und die zweite Klebstoffschicht AD2 können jeweils leitfähige Klebstoffschichten sein, in denen leitfähige Kugeln in einem isolierenden Grundelement verteilt sind. Wenn also Wärme oder Druck auf die Klebstoffschichten AD1 und AD2 ausgeübt wird, werden die leitfähigen Kugeln in einem Abschnitt, der mit der Wärme oder dem Druck beaufschlagt wird, elektrisch verbunden, um eine leitfähige Eigenschaft zu erhalten.
Das Verbindungspad CNT ist elektrisch mit der Drain-Elektrode 164 des Ansteuerungstransistors 160 verbunden, an die eine Steuerspannung vom Ansteuerungstransistor 160 angelegt wird, um die Leuchtdiode 170 zu steuern. Auch wenn in 4 veranschaulicht ist, dass das Verbindungspad CNT nicht in direktem Kontakt mit der Drain-Elektrode 164 des Ansteuerungstransistors 160 steht, sondern in indirektem Kontakt mit dieser, ist die vorliegende Offenbarung nicht darauf beschränkt. Daher können das Verbindungspad CNT und die Drain-Elektrode 164 des Ansteuerungstransistors 160 auch in direktem Kontakt zueinander stehen. Ferner kann eine Niedrigpotentialspannung an die erste untere Verbindungsleitung 181a angelegt werden, um die Leuchtdiode 170 anzusteuern.
Wenn die Anzeigevorrichtung 100 eingeschaltet ist, wird daher die Steuerspannung an die erste Elektrode 171 über das Verbindungspad CNT angelegt, und die Niedrigpotentialspannung kann an die zweite Elektrode über das leitfähige Muster CP angelegt werden. Daher werden unterschiedliche Spannungspegel an die erste Elektrode 171 und die zweite Elektrode 175 übertragen, damit die Leuchtdiode 170 Licht emittieren kann.
Die Füllschicht 190 kann auf der gesamten Oberfläche des unteren Substrats 111 angeordnet werden, um zwischen den auf dem oberen Substrat 112 und dem unteren Substrat 111 angeordneten Komponenten gefüllt zu werden. Die Füllschicht 190 kann durch einen härtbaren Klebstoff gebildet sein. Insbesondere wird das Material, das die Füllschicht 190 bildet, auf die gesamte Oberfläche des unteren Substrats 111 aufgetragen und dann ausgehärtet, so dass die Füllschicht 190 zwischen den auf dem oberen Substrat 112 und dem unteren Substrat 111 angeordneten Komponenten angeordnet werden kann. Bei der Füllschicht 190 kann es sich beispielsweise um einen optisch klaren Klebstoff (OCA) handeln, der durch einen Acrylklebstoff, einen Klebstoff auf Silikonbasis und einen Klebstoff auf Urethanbasis gebildet sein kann.
Wie oben beschrieben, kann die Anzeigevorrichtung gemäß der beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung die Leuchtdiode über die obere Verbindungsleitung 181b und das auf dem oberen Substrat 112 angebrachte leitfähige Muster CP mit einer Niedrigpotentialspannung versorgen.
Die Gesamtfläche der oberen Verbindungsleitung 181b und des leitfähigen Musters CP ist größer als die Gesamtfläche der unteren Verbindungsleitungen 181a und 182a, so dass der Gesamtwiderstand der oberen Verbindungsleitung 181b und des leitfähigen Musters CP relativ gering sein kann.
Daher kann der Spannungsabfall der Niedrigpotentialspannung, die über die obere Verbindungsleitung 181b und das leitfähige Muster CP zugeführt wird, unterdrückt werden. Dementsprechend kann der Leuchtdiode 170 eine stabile Niedrigpotentialspannung zugeführt werden.
Derweil kann in der Leuchtdiode 170 eine Quantenpunktschicht QD angeordnet sein.
Wie in 4 veranschaulicht, kann die Quantenpunktschicht QD zwischen der ersten Elektrode 171 und der ersten Halbleiterschicht 172 angeordnet sein.
In der Quantenpunktschicht QD können Quantenpunkte unterschiedlicher Größe angeordnet sein. Die Wellenlänge des von der Quantenpunktschicht QD emittierten Lichts kann in Abhängigkeit von der Größe des Quantenpunkts variieren. Wenn beispielsweise die Größe des Quantenpunkts erhöht wird, wird Licht mit einer längeren Wellenlänge emittiert, und wenn die Größe des Quantenpunkts verringert wird, wird Licht mit einer kürzeren Wellenlänge emittiert.
Die Passivierungsschicht PAS bedeckt eine zu schützende Außenseite der Leuchtdiode 170. Insbesondere kann die Passivierungsschicht PAS so angeordnet werden, dass sie Seitenflächen der ersten Elektrode 171, der ersten Halbleiterschicht 172, der Emissionsschicht 173, der zweiten Halbleiterschicht 174 und der zweiten Elektrode 175 der Leuchtdiode sowie eine Seitenfläche der Quantenpunktschicht QD bedeckt.
Daher kann die Außenfläche der Quantenpunktschicht QD von der ersten Elektrode 171, der ersten Halbleiterschicht 172 und der Passivierungsschicht PAS bedeckt sein.
Die Passivierungsschicht PAS kann aus einer Einzelschicht oder einer Doppelschicht gebildet sein, die aus mindestens einem der Elemente Siliziumnitrid (SiNx), Siliziumoxid (SiOx) und Siliziumoxynitrid (SiON) gebildet wird.
Quantenpunkte, die in der Quantenpunktschicht QD angeordnet sind, sind aufgrund der Beschaffenheit des Materials sehr anfällig für Feuchtigkeit oder Sauerstoff von außen. Dementsprechend ist die Verkapselung über der Quantenpunktschicht QD von entscheidender Bedeutung, um einen gleichbleibenden Wirkungsgrad zu gewährleisten.
Die Anzeigevorrichtung 100 gemäß der beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung hat den Vorteil, dass die Quantenpunktschicht QD in der Leuchtdiode 170 angeordnet ist, so dass die Quantenpunktschicht QD ohne eine separate Verkapselungsschicht verkapselt werden kann.
Daher wird die Zuverlässigkeit der Quantenpunktschicht QD der Anzeigevorrichtung 100 gemäß der beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung verbessert, wodurch die Zuverlässigkeit bei der Implementierung des Bildes der Anzeigevorrichtung weiter erhöht wird. Darüber hinaus, weil eine separate Verkapselungsschicht nicht notwendig ist, kann die Dicke der Anzeigevorrichtung reduziert werden und der Herstellungsprozess für das Hinzufügen der separaten Verkapselungsschicht kann entfernt werden, wodurch die Gesamtkosten der Anzeigevorrichtung reduziert werden.
Bezugnehmend auf 4, weist die erste Elektrode 171 einen ersten Abschnitt FP, einen geneigten Abschnitt IP und einen zweiten Abschnitt SP auf. Der erste Abschnitt FP der ersten Elektrode 171 ist ein Abschnitt auf der ersten Klebstoffschicht AD1. Der erste Abschnitt FP hat eine erste Oberfläche FS, die im Wesentlichen eben ist. Der geneigte Abschnitt IP hat eine erste geneigte Oberfläche FIS, die einen ersten Neigungswinkel θ1 hat. Der zweite Abschnitt SP weist eine zweite Oberfläche SS auf, die im Wesentlichen eben ist. Der geneigte Abschnitt IP befindet sich zwischen dem ersten Abschnitt FP und dem zweiten Abschnitt SP, und die erste Oberfläche FS und die erste geneigte Oberfläche FIS sind durchgehend verbunden, und die zweite Oberfläche SS und die erste geneigte Oberfläche FIS sind durchgehend verbunden.
In einigen Ausführungsformen grenzt die Quantenpunktschicht QD an die erste Oberfläche FS des ersten Abschnitts FP und die erste geneigte Oberfläche FIS des geneigten Abschnitts IP an und steht mit ihnen in Kontakt. Die Quantenpunktschicht QD weist eine dritte Oberfläche TS, die im Wesentlichen eben ist, auf. Die dritte Oberfläche TS kann auch als obere Oberfläche der Quantenpunktschicht QD bezeichnet werden. Hier ist die dritte Oberfläche TS der Quantenpunktschicht QD von der zweiten Oberfläche SS des zweiten Abschnitts SP beabstandet. Ferner ist in einigen Ausführungsformen die dritte Oberfläche TS der Quantenpunktschicht QD näher am unteren Substrat 111 als die zweite Oberfläche SS des zweiten Abschnitts SP der ersten Elektrode 171. Wie gezeigt, ist ein Abstand D1 zwischen einer oberen Oberfläche oder Oberseite 111TS des unteren Substrats 111 und der dritten Oberfläche TS der Quantenpunktschicht QD kleiner als ein Abstand D2 zwischen einer oberen Oberfläche 111TS des unteren Substrats 111 und der zweiten Oberfläche SS des zweiten Abschnitts SP der ersten Elektrode 171.
In einigen Ausführungsformen grenzt die dritte Oberfläche TS der Quantenpunktschicht QD an die erste Halbleiterschicht 172 und steht mit ihr in Kontakt. Das heißt, die dritte Oberfläche TS der Quantenpunktschicht QD berührt die erste Halbleiterschicht 172 direkt.
In einigen Ausführungsformen grenzt die Passivierungsschicht PAS an die Quantenpunktschicht QD. Wie in 4 gezeigt, hat die Passivierungsschicht PAS eine zweite geneigte Oberfläche SIS, die einen zweiten Neigungswinkel θ2 hat. In einigen Ausführungsformen haben die zweite geneigte Oberfläche SIS der Passivierungsschicht PAS und die erste geneigte Oberfläche FIS des geneigten Abschnitts IP der ersten Elektrode 171 einen unterschiedlichen Neigungswinkel zueinander. In einer Ausführungsform kann der zweite Neigungswinkel θ2 größer sein als der erste Neigungswinkel θ1. In anderen Ausführungsformen kann der zweite Neigungswinkel θ2 kleiner als der erste Neigungswinkel θ1 sein.
Die zweite geneigte Oberfläche SIS der Passivierungsschicht PAS grenzt an die Quantenpunktschicht QD und steht mit ihr in Kontakt. Die zweite geneigte Oberfläche SIS der Passivierungsschicht PAS kann sich auf eine Oberfläche beziehen, die der Leuchtdiode nach innen zugewandt ist.
Derweil, bezugnehmend auf 5, können die mehreren Leuchtdioden eine erste Leuchtdiode 170R aufweisen, die so eingerichtet ist, dass sie Licht mit einer ersten Wellenlänge emittiert, eine zweite Leuchtdiode 170G aufweisen, die so eingerichtet ist, dass sie Licht mit einer zweiten Wellenlänge emittiert, und eine dritte Leuchtdiode 170B aufweisen, die so eingerichtet ist, dass sie Licht mit einer dritten Wellenlänge emittiert.
Die erste Wellenlänge ist länger als die zweite Wellenlänge und die zweite Wellenlänge ist länger als die dritte Wellenlänge. Die erste Wellenlänge korrespondiert beispielsweise zu einer roten Wellenlänge, die zweite Wellenlänge korrespondiert zu einer grünen Wellenlänge und die dritte Wellenlänge korrespondiert zu einer blauen Wellenlänge.
Die erste Leuchtdiode 170R weist eine erste Quantenpunktschicht RQD auf, die zweite Leuchtdiode 170G weist eine zweite Quantenpunktschicht GQD auf und die dritte Leuchtdiode 170B weist eine Transmissionsschicht TR auf.
Das Platzierungsverhältnis der ersten Quantenpunktschicht RQD, der zweiten Quantenpunktschicht GQD und der Transmissionsschicht TR kann gleich dem Platzierungsverhältnis der Quantenpunktschicht QD sein, das oben mit Bezug auf 4 beschrieben wurde. Daher können in einer Ausführungsform die Dicken der ersten Quantenpunktschicht RQD, der zweiten Quantenpunktschicht GQD und der Transmissionsschicht TR gleich sein.
Die erste Quantenpunktschicht RQD wandelt Licht mit einer dritten Wellenlänge in Licht mit einer ersten Wellenlänge um und die zweite Quantenpunktschicht GQD kann das Licht mit der dritten Wellenlänge in Licht mit einer zweiten Wellenlänge umwandeln.
Daher, bezugnehmend auf 4 und 5, erzeugt die Emissionsschicht der ersten Leuchtdiode 170R Licht mit der dritten Wellenlänge und die erste Quantenpunktschicht RQD der ersten Leuchtdiode 170R wandelt Licht mit der dritten Wellenlänge in Licht mit der ersten Wellenlänge um. Infolgedessen kann die erste Leuchtdiode 170R Licht mit der ersten Wellenlänge emittieren.
Die Emissionsschicht der zweiten Leuchtdiode 170G erzeugt Licht mit der dritten Wellenlänge und die zweite Quantenpunktschicht GQD der zweiten Leuchtdiode 170G wandelt Licht mit der dritten Wellenlänge in Licht mit der zweiten Wellenlänge um. Infolgedessen kann die zweite Leuchtdiode 170G Licht mit der zweiten Wellenlänge emittieren.
Die Emissionsschicht der dritten Leuchtdiode 170B erzeugt Licht mit der dritten Wellenlänge, und die dritte Leuchtdiode 170B kann mit Hilfe der Transmissionsschicht TR Licht mit der dritten Wellenlänge emittieren.
Wie oben beschrieben, können die erste Leuchtdiode 170R und die zweite Leuchtdiode 170G Licht mittels Farbumwandlung durch die erste Quantenpunktschicht RQD und die zweite Quantenpunktschicht GQD emittieren.
Die oben beschriebene Passivierungsschicht PAS hat eine niedrigere Brechungseigenschaft bei einer langen Wellenlänge im Vergleich zu einer kurzen Wellenlänge. Daher wird, wenn eine Rotverschiebung durch die Farbumwandlung mittels der ersten Quantenpunktschicht RQD und der zweiten Quantenpunktschicht GQD auftritt, ein Winkel, bei dem Totalreflexion an einer Grenzfläche der Passivierungsschicht PAS auftritt, vergrößert. Daher tritt die Totalreflexion effektiv an der Passivierungsschicht PAS der Anzeigevorrichtung gemäß der beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung auf, so dass der Lichtverlust reduziert oder minimiert werden kann.
Daher kann die Lichtausbeute der Anzeigevorrichtung gemäß der beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung erhöht werden.
Ferner kann in der Anzeigevorrichtung gemäß der beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung ein Bragg-Spiegel (DBR), der eine Art von Reflektor ist, auf der ersten Leuchtdiode 170R und der zweiten Leuchtdiode 170G angeordnet sein.
Der Bragg-Spiegel DBR reflektiert Licht mit der dritten Wellenlänge und kann Licht mit der ersten Wellenlänge und der zweiten Wellenlänge transmittieren. Es können auch andere geeignete Reflektoren verwendet werden, die die gleichen oder ähnliche Reflexionseigenschaften aufweisen.
Das heißt, dass in jeder der ersten Leuchtdiode 170R und der zweiten Leuchtdiode 170G die Farbumwandlung nicht durch die erste Quantenpunktschicht RQD und die zweite Quantenpunktschicht GQD durchgeführt wird, sondern das Licht mit der dritten Wellenlänge nach oben abgestrahlt werden kann.
Daher reflektiert der Bragg-Spiegel DBR das Licht mit der dritten Wellenlänge, das sowohl von der ersten Leuchtdiode 170R als auch von der zweiten Leuchtdiode 170G ausgestrahlt wird, nach unten, um das Licht wieder zu verwenden.
Daher kann das Licht mit der dritten Wellenlänge, das durch den Bragg-Spiegel DBR zur ersten Quantenpunktschicht RQD und zur zweiten Quantenpunktschicht GQD reflektiert wird, wieder in Licht mit der ersten Wellenlänge oder Licht mit der zweiten Wellenlänge umgewandelt werden.
Daher kann die Lichtausbeute des von der ersten Leuchtdiode 170R der Anzeigevorrichtung gemäß der beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung emittierten Lichts mit der ersten Wellenlänge und die Lichtausbeute des von der zweiten Leuchtdiode 170G emittierten Lichts mit der zweiten Wellenlänge erhöht werden.
In einigen Ausführungsformen befindet sich der Bragg-Spiegel DBR auf der ersten Leuchtdiode 170R, der zweiten Leuchtdiode 170G und der dritten Leuchtdiode 170B. Der Bragg-Spiegel DBR ist jedoch seitlich von der dritten Leuchtdiode 170B beabstandet. Das heißt, der Bragg-Spiegel DBR überlappt die erste Leuchtdiode 170R und die zweite Leuchtdiode 170G in der Draufsicht. Andererseits überlappt der Bragg-Spiegel DBR in der Draufsicht nicht mit der dritten Leuchtdiode 170B.
Folglich kann die Farbreinheit der Anzeigevorrichtung gemäß der beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung verbessert werden.
Eine weitere beispielhafte Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung
Nachfolgend wird eine Anzeigevorrichtung gemäß einer weiteren beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung beschrieben. Der Unterschied zwischen der Anzeigevorrichtung gemäß der beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung und einer Anzeigevorrichtung gemäß einer weiteren beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung ist ein Typ einer Leuchtdiode, die hauptsächlich beschrieben werden wird. In der Anzeigevorrichtung gemäß der beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung und der Anzeigevorrichtung gemäß einer weiteren beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung werden gleiche Komponenten durch gleiche Bezugszeichen bezeichnet und eine redundante Beschreibung wird weggelassen.
6 ist eine Querschnittsansicht einer Anzeigevorrichtung gemäß einer weiteren beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung.
Bezugnehmend auf 6 weisen die mehreren Leuchtdioden eine erste Leuchtdiode 270R, eine zweite Leuchtdiode 270G und eine dritte Leuchtdiode 270B auf, und jede der Leuchtdioden 270R, 270G und 270B kann auf dem ersten Verbindungspad CNT1 und dem zweiten Verbindungspad CNT2 angeordnet sein. Die Leuchtdioden 270R, 270G und 270B können zweite Halbleiterschichten 274R, 274G und 274B, Emissionsschichten 273R, 273G und 273B, erste Halbleiterschichten 272R, 272G und 272B, zweite Elektroden 275R, 275G und 275B bzw. erste Elektroden 271R, 271G und 271B aufweisen. Die Leuchtdioden 270R, 270G und 270B der Anzeigevorrichtung 200 gemäß einer weiteren beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung können eine Flip-Chip-Struktur aufweisen, bei der die zweiten Elektroden 275R, 275G und 275B und die ersten Elektroden 271R, 271G und 271B auf einer Oberfläche ausgebildet sind. Das heißt, die Leuchtdioden 270R, 270G und 270B können horizontale Leuchtdioden sein, bei denen die zweiten Elektroden 275R, 275G und 275B und die ersten Elektroden 271R, 271G und 271B in horizontaler Richtung angeordnet sind.
Die zweiten Halbleiterschichten 274R, 274G und 274B können durch Injektion einer n-Typ-Verunreinigung in Galliumnitrid (GaN) mit ausgezeichneter Kristallinität gebildet sein. Die zweiten Halbleiterschichten 274R, 274G und 274B können auch auf einem separaten Basissubstrat angeordnet sein, das aus einem Material besteht, das Licht emittieren kann.
Die Emissionsschichten 273R, 273G, und 273B können auf den zweiten Halbleiterschichten 274R, 274G, und 274B angeordnet sein. Die Emissionsschichten 273R, 273G und 273B sind lichtemittierende Schichten, die in der Leuchtdiode 270R, 270G und 270B Licht emittieren, und können aus einem Nitrid-Halbleiter, z.B. Indiumgalliumnitrid (InGaN), gebildet sein. Die ersten Halbleiterschichten 272R, 272G und 272B können auf den Emissionsschichten 273R, 273G und 273B angeordnet sein. Die ersten Halbleiterschichten 272R, 272G und 272B können durch Injektion einer p-Typ-Verunreinigung in Galliumnitrid (GaN) gebildet sein.
Wie oben beschrieben, können die Leuchtdioden 270R, 270G und 270B gemäß einer weiteren beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung hergestellt werden, indem die zweiten Halbleiterschichten 274R, 274G und 274B, der zweiten Halbleiterschichten 274R, 273G und 274B, der Emissionsschichten 273R, 273G und 273B und der ersten Halbleiterschichten 272R, 272G und 272B nacheinander laminiert werden, durch Ätzen eines vorbestimmten Teils und anschließendes Ausbilden der zweiten Elektroden 275R, 275G und 275B und der ersten Elektroden 271R, 271G und 271B. Zu diesem Zeitpunkt ist der vorbestimmte Teil ein Raum zum Beabstanden der zweiten Elektroden 275R, 275G und 275B von den ersten Elektroden 271R, 271G und 271B, so dass ein vorbestimmter Teil geätzt werden kann, um einen Teil der zweiten Halbleiterschichten 274R, 274G und 274B freizulegen. Mit anderen Worten, die Oberflächen der Leuchtdioden 270R, 270G und 270B, auf denen die zweiten Elektroden 275R, 275G und 275B und die ersten Elektroden 271R, 271G und 271B ausgebildet sind, sind keine ebenen Oberflächen, sondern können unterschiedliche Höhen aufweisen.
Wie oben beschrieben, sind in dem geätzten Bereich die zweiten Elektroden 275R, 275G und 275B angeordnet, und die zweiten Elektroden 275R, 275G und 275B können aus einem leitfähigen Material gebildet sein. Ferner sind in einem nicht geätzten Bereich die ersten Elektroden 271R, 271G und 271B angeordnet, und die ersten Elektroden 271R, 271G und 271B können ebenfalls aus einem leitfähigen Material gebildet sein. Beispielsweise sind die zweiten Elektroden 275R, 275G und 275B auf den zweiten Halbleiterschichten 274R, 274G und 274B angeordnet, die durch den Ätzprozess freigelegt werden, und die ersten Elektroden 271R, 271G und 271B können auf den ersten Halbleiterschichten 272R, 272G und 272B angeordnet sein. Die ersten Elektroden 271R, 271G und 271B können aus demselben Material gebildet sein wie die zweiten Elektroden 275R, 275G und 275B.
Eine Klebstoffschicht AD ist auf den oberen Oberflächen des ersten Verbindungspads CNT1 und des zweiten Verbindungspads CNT2 sowie zwischen dem ersten Verbindungspad CNT1 und dem zweiten Verbindungspad CNT2 ausgebildet. Daher können die Leuchtdioden 270R, 270G und 270B auf das erste Verbindungspad CNT1 und das zweite Verbindungspad CNT2 gebondet werden. Zu diesem Zeitpunkt sind die zweiten Elektroden 275R, 275G und 275B auf dem ersten Verbindungspad CNT1 angeordnet und die ersten Elektroden 271R, 271G und 271B können auf dem zweiten Verbindungspad CNT2 angeordnet sein.
Die Klebstoffschicht AD kann eine leitfähige Klebstoffschicht sein, in der leitfähige Kugeln in einem isolierenden Grundelement verteilt sind. Wenn also Wärme oder Druck auf die Klebstoffschicht AD ausgeübt wird, werden die leitfähigen Kugeln in einem Abschnitt, der mit der Wärme oder dem Druck beaufschlagt wird, elektrisch verbunden, um eine leitfähige Eigenschaft zu haben, und ein Bereich, der nicht unter Druck steht, kann eine isolierende Eigenschaft haben. Beispielsweise sind die zweiten Elektroden 275R, 275G und 275B mittels der Klebstoffschicht AD elektrisch mit dem ersten Verbindungspad CNT1 verbunden und die ersten Elektroden 271R, 271G und 271B können mittels der Klebstoffschicht AD elektrisch mit dem zweiten Verbindungspad CNT2 verbunden sein. Nach dem Aufbringen der Klebstoffschicht AD auf das erste Verbindungspad CNT1 und das zweite Verbindungspad CNT2 mittels Tintenstrahlverfahren werden die Leuchtdioden 270R, 270G und 270B auf die Klebstoffschicht AD übertragen, unter Druck gesetzt und dann erhitzt, um das zweite Verbindungspad CNT2 und die ersten Elektroden 271R, 271G und 271B sowie das erste Verbindungspad CNT1 und die zweiten Elektroden 275R, 275G und 275B elektrisch zu verbinden. Der verbleibende Teil der Klebstoffschicht AD mit Ausnahme eines Teils der Klebstoffschicht AD, der zwischen den zweiten Elektroden 275R, 275G und 275B und dem ersten Verbindungspad CNT1 angeordnet ist, und eines Teils der Klebstoffschicht AD, der zwischen den ersten Elektroden 271R, 271G und 271B und dem zweiten Verbindungspad CNT2 angeordnet ist, kann jedoch eine isolierende Eigenschaft aufweisen. Derweil kann die Klebstoffschicht AD geteilt sein, um auch auf dem ersten Verbindungspad CNT1 bzw. dem zweiten Verbindungspad CNT2 angeordnet zu sein.
Das erste Verbindungspad CNT1 kann mit der Niedrigpotentialspannung zum Ansteuern der Leuchtdioden 270R, 270G und 270B von der Stromversorgung versorgt werden.
Das zweite Verbindungspad CNT2 ist elektrisch mit einer Drain-Elektrode eines Ansteuerungstransistors verbunden, an die eine Ansteuerspannung angelegt wird, um die Leuchtdioden 270R, 270G und 270B vom Ansteuerungstransistor aus zu betreiben.
Wenn die Anzeigevorrichtung 200 eingeschaltet wird, werden daher unterschiedliche Spannungspegel, die an das erste Verbindungspad CNT1 und das zweite Verbindungspad CNT2 angelegt sind, an die zweiten Elektroden 275R, 275G und 275B und die ersten Elektroden 271R, 271G und 271B übertragen. Auf diese Weise können die Leuchtdioden 270R, 270G und 270B Licht emittieren.
Derweil kann eine Quantenpunktschicht QD in den Leuchtdioden 270R, 270G und 270B angeordnet sein.
Wie in 6 veranschaulicht, können die Quantenpunktschichten RQD und GQD zwischen den ersten Elektroden 271R und 271G und den zweiten Elektroden 275R und 275G und den ersten Halbleiterschichten 272R und 272G und den zweiten Halbleiterschichten 274R und 274G angeordnet sein.
Genauer gesagt können die Quantenpunktschichten RQD und GQD auf den Oberseiten der ersten Elektroden 271R und 271G und der zweiten Elektroden 275R und 275G und den Unterseiten der ersten Halbleiterschichten 272R und 272G und der zweiten Halbleiterschichten 274R und 274G angeordnet sein.
In den Quantenpunktschichten RQD und GQD können Quantenpunkte unterschiedlicher Größe angeordnet sein. Die Wellenlänge des von den Quantenpunktschichten RQD und GQD emittierten Lichts kann in Abhängigkeit von der Größe des Quantenpunkts variieren. So wird beispielsweise mit zunehmender Größe des Quantenpunkts Licht mit längerer Wellenlänge emittiert, und mit abnehmender Größe des Quantenpunkts wird Licht mit kürzerer Wellenlänge emittiert.
Die Passivierungsschicht PAS bedeckt die Außenseiten der zu schützenden Leuchtdioden 270R, 270G und 270B. Insbesondere kann die Passivierungsschicht PAS so angeordnet werden, dass sie Seitenflächen der ersten Halbleiterschichten 272R, 272G und 272B, der Emissionsschichten 273R, 273G und 273B und der zweiten Halbleiterschichten 274R, 274G und 274B der Leuchtdiode sowie Seitenflächen der Quantenpunktschichten RQD und GQD bedeckt.
Daher können die Außenflächen der Quantenpunktschichten RQD und GQD von den ersten Elektroden 271R und 271G, den ersten Halbleiterschichten 272R und 272G, den Emissionsschichten 273R und 273G, den zweiten Halbleiterschichten 274R und 274G, den zweiten Elektroden 275R und 275G und der Passivierungsschicht PAS bedeckt sein.
Die Passivierungsschicht PAS kann aus einer Einzelschicht oder einer Doppelschicht gebildet sein, die aus mindestens einem von Siliziumnitrid (SiNx), Siliziumoxid (SiOx) und Siliziumoxynitrid (SiON) gebildet ist.
Quantenpunkte in den Quantenpunktschichten RQD und GQD sind aufgrund der Beschaffenheit des Materials sehr anfällig für Feuchtigkeit oder Sauerstoff von außen. Dementsprechend ist die Verkapselung über den Quantenpunktschichten RQD und GQD unerlässlich, um eine gleichbleibende Effizienz zu gewährleisten.
Die Anzeigevorrichtung 200 gemäß einer weiteren beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung ist insofern vorteilhaft, als die Quantenpunktschichten RQD und GQD in den Leuchtdioden 270R und 270G angeordnet sind, so dass die Quantenpunktschichten RQD und GQD ohne eine separate Verkapselungsschicht verkapselt werden können.
Daher wird die Zuverlässigkeit der Quantenpunktschichten RQD und GQD der Anzeigevorrichtung 200 gemäß einer weiteren beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung verbessert, wodurch die Zuverlässigkeit bei der Implementierung des Bildes der Anzeigevorrichtung weiter erhöht wird. Darüber hinaus kann, wie bereits erwähnt, die Dicke der Anzeigevorrichtung reduziert werden, da eine separate Verkapselungsschicht nicht erforderlich ist. Da der Herstellungsprozess zum Hinzufügen der separaten Verkapselungsschicht nicht erforderlich ist, können außerdem die Gesamtkosten für die Herstellung der Anzeigevorrichtung reduziert werden. In einer Ausführungsform weist die Anzeigevorrichtung eine Passivierungsschicht auf, die an die Quantenpunktschicht angrenzt, wobei die Passivierungsschicht eine zweite geneigte Oberfläche aufweist und die zweite geneigte Oberfläche an die Quantenpunktschicht angrenzt und mit dieser in Kontakt steht. Ferner haben die zweite geneigte Oberfläche der Passivierungsschicht und die erste geneigte Oberfläche des geneigten Abschnitts der ersten Elektrode einen unterschiedlichen Neigungswinkel zueinander.
Derweil, bezugnehmend auf 6, können die mehreren Leuchtdioden eine erste Leuchtdiode 270R aufweisen, die so eingerichtet ist, dass sie Licht mit einer ersten Wellenlänge emittiert, eine zweite Leuchtdiode 270G aufweisen, die so eingerichtet ist, dass sie Licht mit einer zweiten Wellenlänge emittiert, und eine dritte Leuchtdiode 270B aufweisen, die so eingerichtet ist, dass sie Licht mit einer dritten Wellenlänge emittiert.
Die erste Wellenlänge ist länger als die zweite Wellenlänge und die zweite Wellenlänge kann länger sein als die dritte Wellenlänge. Beispielsweise korrespondiert die erste Wellenlänge zu einer roten Wellenlänge, die zweite Wellenlänge korrespondiert zu einer grünen Wellenlänge und die dritte Wellenlänge kann zu einer blauen Wellenlänge korrespondieren.
Die erste Leuchtdiode 270R weist eine erste Quantenpunktschicht RQD auf, die zweite Leuchtdiode 270G weist eine zweite Quantenpunktschicht GQD auf und die dritte Leuchtdiode 270B weist eine Transmissionsschicht TR auf.
Das Platzierungsverhältnis der ersten Quantenpunktschicht RQD, der zweiten Quantenpunktschicht GQD und der Transmissionsschicht TR kann gleich sein. Daher können die Dicken der ersten Quantenpunktschicht RQD, der zweiten Quantenpunktschicht GQD und der Transmissionsschicht TR gleich sein.
Die erste Quantenpunktschicht RQD wandelt Licht mit einer dritten Wellenlänge in Licht mit einer ersten Wellenlänge um und die zweite Quantenpunktschicht GQD kann das Licht mit der dritten Wellenlänge in Licht mit einer zweiten Wellenlänge umwandeln.
Daher erzeugt die Emissionsschicht 273R der ersten Leuchtdiode 270R Licht mit der dritten Wellenlänge und die erste Quantenpunktschicht RQD der ersten Leuchtdiode 270R wandelt Licht mit der dritten Wellenlänge in Licht mit der ersten Wellenlänge um. Infolgedessen kann die erste Leuchtdiode 270R Licht mit der ersten Wellenlänge emittieren.
Die Emissionsschicht 273G der zweiten Leuchtdiode 270G erzeugt Licht mit der dritten Wellenlänge und die zweite Quantenpunktschicht GQD der zweiten Leuchtdiode 270G wandelt Licht mit der dritten Wellenlänge in Licht mit der zweiten Wellenlänge um. Infolgedessen kann die zweite Leuchtdiode 270G Licht mit der zweiten Wellenlänge emittieren.
Die Emissionsschicht 273B der dritten Leuchtdiode 270B erzeugt Licht mit der dritten Wellenlänge, und die dritte Leuchtdiode 270B kann mit Hilfe der Transmissionsschicht TR Licht mit der dritten Wellenlänge emittieren.
Wie oben beschrieben, können die erste Leuchtdiode 270R und die zweite Leuchtdiode 270G Licht mittels Farbumwandlung durch die erste Quantenpunktschicht RQD und die zweite Quantenpunktschicht GQD emittieren.
Die oben beschriebene Passivierungsschicht PAS hat eine niedrigere Brechungseigenschaft bei einer langen Wellenlänge im Vergleich zu einer kurzen Wellenlänge. Wenn daher eine Rotverschiebung durch die Farbumwandlung mittels der ersten Quantenpunktschicht RQD und der zweiten Quantenpunktschicht GQD auftritt, wird ein Winkel, bei dem Totalreflexion an einer Grenzfläche der Passivierungsschicht PAS auftritt, erhöht. Daher tritt die Totalreflexion effizient an der Passivierungsschicht PAS der Anzeigevorrichtung 200 gemäß einer weiteren beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung auf, so dass der Lichtverlust reduziert oder minimiert werden kann.
Daher kann die Lichtausbeute der Anzeigevorrichtung gemäß einer weiteren beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung erhöht werden.
Ferner kann in der Anzeigevorrichtung gemäß einer weiteren beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung ein Bragg-Spiegel (DBR) auf der ersten Leuchtdiode 270R und der zweiten Leuchtdiode 270G angeordnet sein.
Der Bragg-Spiegel DBR reflektiert Licht mit der dritten Wellenlänge und kann Licht mit der ersten und zweiten Wellenlänge transmittieren.
Das heißt, in jeder der ersten Leuchtdiode 270R und der zweiten Leuchtdiode 270G wird die Farbumwandlung nicht durch die erste Quantenpunktschicht RQD und die zweite Quantenpunktschicht GQD durchgeführt, sondern das Licht mit der dritten Wellenlänge kann nach oben abgestrahlt werden.
Daher reflektiert der Bragg-Spiegel DBR das Licht mit der dritten Wellenlänge, das von der ersten Leuchtdiode 270R und der zweiten Leuchtdiode 270G emittiert wird, nach unten, um das Licht wiederzuverwenden.
Daher kann das Licht mit der dritten Wellenlänge, das durch den Bragg-Spiegel DBR zur ersten Quantenpunktschicht RQD und zur zweiten Quantenpunktschicht GQD reflektiert wird, in Licht mit der ersten Wellenlänge oder Licht mit der zweiten Wellenlänge umgewandelt werden.
Daher kann die Lichtausbeute des von der ersten Leuchtdiode 270R der Anzeigevorrichtung 200 gemäß einer weiteren beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung emittierten Lichts mit der ersten Wellenlänge und die Lichtausbeute des von der zweiten Leuchtdiode 270G emittierten Lichts mit der zweiten Wellenlänge erhöht werden.
Folglich kann die Farbreinheit der Anzeigevorrichtung gemäß einer weiteren beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung verbessert werden.
Die beispielhaften Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung können auch wie folgt beschrieben werden:
Gemäß einem Aspekt der vorliegenden Offenbarung weist eine Anzeigevorrichtung ein dehnbares unteres Substrat; eine Vielzahl von unteren Plattenmustern, die auf dem unteren Substrat angeordnet sind; und eine Vielzahl von Pixeln, die auf der Vielzahl von unteren Plattenmustern angeordnet sind, auf, und jedes der Vielzahl von Pixeln weist mehrere Leuchtdioden auf und eine Quantenpunktschicht ist in mindestens einer der mehreren Leuchtdioden angeordnet. Auf diese Weise können die Lichtausbeute und die Zuverlässigkeit der Anzeigevorrichtung verbessert werden.
Jede der Leuchtdioden kann eine erste Elektrode, eine erste Halbleiterschicht, eine Emissionsschicht, eine zweite Halbleiterschicht und eine zweite Elektrode aufweisen, und jede der Leuchtdioden kann eine vertikale Leuchtdiode sein, bei der die erste Elektrode und die zweite Elektrode in einer vertikalen Richtung angeordnet sind und die Quantenpunktschicht zwischen der ersten Elektrode und der ersten Halbleiterschicht angeordnet sein kann.
Jede der Leuchtdioden kann außerdem eine Passivierungsschicht aufweisen, die Seitenflächen der ersten Halbleiterschicht, der Emissionsschicht, der zweiten Halbleiterschicht und der Quantenpunktschicht bedeckt.
Eine Außenfläche der Quantenpunktschicht kann von der ersten Elektrode, der ersten Halbleiterschicht und der Passivierungsschicht bedeckt sein.
Eine Anzeigevorrichtung kann ferner ein oberes Substrat aufweisen, das dem unteren Substrat gegenüberliegt und dehnbar ist; ein oberes Plattenmuster aufweisen, das unter dem oberen Substrat angeordnet ist; und eine Vielzahl von leitfähigen Mustern aufweisen, die unter dem oberen Plattenmuster angeordnet und elektrisch mit der zweiten Elektrode verbunden sind.
Die Anzeigevorrichtung kann ferner eine Vielzahl von oberen Leitungsmustern aufweisen, die unter dem oberen Substrat angeordnet sind, sowie eine Vielzahl von oberen Verbindungsleitungen aufweisen, die unter der Vielzahl von oberen Leitungsmustern angeordnet sind und die Vielzahl von leitfähigen Mustern verbinden.
Jede der Leuchtdioden kann eine erste Elektrode, eine erste Halbleiterschicht, eine Emissionsschicht, eine zweite Halbleiterschicht und eine zweite Elektrode aufweisen, und jede der Leuchtdioden kann eine horizontale Leuchtdiode sein, bei der die erste Elektrode und die zweite Elektrode in einer horizontalen Richtung angeordnet sind und die Quantenpunktschicht zwischen den oberen Oberflächen der ersten Elektrode und der zweiten Elektrode und den unteren Oberflächen der ersten Halbleiterschicht und der zweiten Halbleiterschicht angeordnet ist.
Jede der Leuchtdioden kann außerdem eine Passivierungsschicht aufweisen, die Seitenflächen der ersten Halbleiterschicht, der Emissionsschicht, der zweiten Halbleiterschicht und der Quantenpunktschicht bedeckt.
Eine äußere Oberfläche der Quantenpunktschicht kann durch die erste Elektrode, die erste Halbleiterschicht, die Emissionsschicht, die zweite Halbleiterschicht, die zweite Elektrode und die Passivierungsschicht bedeckt sein.
Die mehreren Leuchtdioden können eine erste Leuchtdiode aufweisen, die so eingerichtet ist, dass sie Licht mit einer ersten Wellenlänge emittiert; eine zweite Leuchtdiode aufweisen, die so eingerichtet ist, dass sie Licht mit einer zweiten Wellenlänge emittiert; und eine dritte Leuchtdiode aufweisen, die so eingerichtet ist, dass sie Licht mit einer dritten Wellenlänge emittiert; und die erste Wellenlänge ist länger als die zweite Wellenlänge und die zweite Wellenlänge ist länger als die dritte Wellenlänge.
Die Anzeigevorrichtung kann ferner einen Bragg-Spiegel aufweisen, der auf der ersten Leuchtdiode und der zweiten Leuchtdiode angeordnet ist, um Licht mit der dritten Wellenlänge zu reflektieren und Licht mit der ersten Wellenlänge und der zweiten Wellenlänge zu transmittieren.
Die erste Leuchtdiode kann eine erste Quantenpunktschicht aufweisen, die Licht mit der dritten Wellenlänge in Licht mit der ersten Wellenlänge umwandelt, und die zweite Leuchtdiode weist eine zweite Quantenpunktschicht auf, die Licht mit der dritten Wellenlänge in Licht mit der zweiten Wellenlänge umwandelt.
Die dritte Leuchtdiode kann eine Übertragungsschicht mit der gleichen Dicke wie die erste Quantenpunktschicht und die zweite Quantenpunktschicht aufweisen.
Obwohl die beispielhaften Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung unter Bezugnahme auf die beigefügten Zeichnungen detailliert beschrieben wurden, ist die vorliegende Offenbarung nicht darauf beschränkt und kann in vielen verschiedenen Formen verkörpert werden, ohne vom technischen Konzept der vorliegenden Offenbarung abzuweichen. Die beispielhaften Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung dienen daher nur der Veranschaulichung und sollen das technische Konzept der vorliegenden Offenbarung nicht einschränken. Der Umfang des technischen Konzepts der vorliegenden Offenbarung ist nicht darauf beschränkt. Es sollte daher verstanden werden, dass die oben beschriebenen beispielhaften Ausführungsformen in allen Aspekten veranschaulichend sind und die vorliegende Offenbarung nicht einschränken.
Die verschiedenen oben beschriebenen Ausführungsformen können kombiniert werden, um weitere Ausführungsformen zu erhalten.
Diese und andere Änderungen können an den Ausführungsformen im Lichte der obigen detaillierten Beschreibung vorgenommen werden. Im Allgemeinen sollten die in den folgenden Ansprüchen verwendeten Begriffe nicht so ausgelegt werden, dass sie die Ansprüche auf die in der Beschreibung und den Ansprüchen offenbarten spezifischen Ausführungsformen beschränken, sondern so, dass sie alle möglichen Ausführungsformen aufweisen. Dementsprechend sind die Ansprüche nicht durch die Offenbarung beschränkt.
ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
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Zitierte Patentliteratur

KR 1020220190208 [0001]

Claims

Anzeigevorrichtung (100, 200), aufweisend: ein unteres Substrat (111); eine Vielzahl von unteren Plattenmustern (121a), die auf dem unteren Substrat (111) angeordnet sind; eine Vielzahl von Pixeln (PX), die auf der Vielzahl von unteren Plattenmustern (121a) angeordnet sind, wobei jedes der Vielzahl von Pixeln (PX) mehrere Leuchtdioden (170R, 170G, 170B, 270R, 270G, 270B) aufweist; und eine Quantenpunktschicht (QD), die in mindestens einer der mehreren Leuchtdioden (170R, 170G, 170B, 270R, 270G, 270B) angeordnet ist.
Anzeigevorrichtung (100) nach Anspruch 1, wobei jede der Leuchtdioden (170R, 170G, 170B) der mehreren Leuchtdioden (170R, 170G, 170B) eine erste Elektrode (171), eine erste Halbleiterschicht (172), eine Emissionsschicht (173), eine zweite Halbleiterschicht (174) und eine zweite Elektrode (175) aufweist, wobei jede der Leuchtdioden (170R, 170G, 170B) eine vertikale Leuchtdiode (170) ist, bei der die erste Elektrode (171) und die zweite Elektrode (175) in vertikaler Richtung angeordnet sind, und wobei die Quantenpunktschicht (QD) zwischen der ersten Elektrode (171) und der ersten Halbleiterschicht (172) angeordnet ist.
Anzeigevorrichtung (100) nach Anspruch 2, wobei jede der Leuchtdioden (170R, 170G, 170B) ferner eine Passivierungsschicht (PAS) aufweist, welche Seitenflächen der ersten Halbleiterschicht (172), der Emissionsschicht (173), der zweiten Halbleiterschicht (174) und der Quantenpunktschicht (QD) bedeckt.
Anzeigevorrichtung (100) nach Anspruch 3, wobei eine äußere Oberfläche der Quantenpunktschicht (QD) durch die erste Elektrode (171), die erste Halbleiterschicht (172) und die Passivierungsschicht (PAS) bedeckt ist.
Anzeigevorrichtung (100) nach einem der Ansprüche 2 bis 4, ferner aufweisend: ein oberes Substrat (112), das dem unteren Substrat (111) gegenüberliegt und dehnbar ist; ein oberes Plattenmuster (121b), das unterhalb des oberen Substrats (112) angeordnet ist; und eine Vielzahl von leitfähigen Mustern (CP), die unterhalb des oberen Plattenmusters (121b) angeordnet und elektrisch mit der zweiten Elektrode (175) verbunden sind.
Anzeigevorrichtung (100) nach Anspruch 5, ferner aufweisend: eine Vielzahl von oberen Leitungsmustern (122b), die unterhalb des oberen Substrats (112) angeordnet sind; und eine Vielzahl von oberen Verbindungsleitungen (181b), die unterhalb der Vielzahl von oberen Leitungsmustern (122b) angeordnet ist und die Vielzahl von leitfähigen Mustern (CP) elektrisch verbindet.
Anzeigevorrichtung (200) nach Anspruch 1, wobei jede der Leuchtdioden (270R, 270G, 270B) eine erste Elektrode (271R, 271G, 271B), eine erste Halbleiterschicht (272R, 272G, 272B), eine Emissionsschicht (273R, 273G, 273B), eine zweite Halbleiterschicht (274R, 274G, 274B) und eine zweite Elektrode (275R, 275G, 275B) aufweist, und wobei jede der Leuchtdioden (270R, 270G, 270B) eine horizontale Leuchtdiode ist, bei der die erste Elektrode (271R, 271G, 271B) und die zweite Elektrode (275R, 275G, 275B) in einer horizontalen Richtung angeordnet sind und die Quantenpunktschicht (RQD, GQD) zwischen oberen Oberflächen der ersten Elektrode (271R, 271G, 271B) und der zweiten Elektrode (275R, 275G, 275B) und unteren Oberflächen der ersten Halbleiterschicht (272R, 272G, 272R) und der zweiten Halbleiterschicht (274R, 274G, 274B) angeordnet ist.
Anzeigevorrichtung (200) nach Anspruch 7, wobei jede der Leuchtdioden (270R, 270G, 270B) ferner eine Passivierungsschicht (PAS) aufweist, welche Seitenflächen der ersten Halbleiterschicht (272R, 272G, 272B), der Emissionsschicht (273R, 273G, 273B), der zweiten Halbleiterschicht (274R, 274G, 274B) und der Quantenpunktschicht (RQD, GQD) bedeckt.
Anzeigevorrichtung (200) nach Anspruch 8, wobei eine äußere Oberfläche der Quantenpunktschicht (RQD, GQD) durch die erste Elektrode (271R, 271G, 271B), die erste Halbleiterschicht (272R, 272G, 272B), die Emissionsschicht (273R, 273G, 273B), die zweite Halbleiterschicht (274R, 274G, 274B), die zweite Elektrode (275R, 275G, 275B) und die Passivierungsschicht (PAS) bedeckt ist.
Anzeigevorrichtung (100, 200) nach einem der Ansprüche 1 bis 9, wobei die mehreren Leuchtdioden (170R, 170G, 170B, 270R, 270G, 270B) aufweisen: eine erste Leuchtdiode (170R, 270R), die so eingerichtet ist, dass sie Licht mit einer ersten Wellenlänge emittiert; eine zweite Leuchtdiode (170G, 270G), die so eingerichtet ist, dass sie Licht mit einer zweiten Wellenlänge emittiert; eine dritte Leuchtdiode (170B, 270B), die so eingerichtet ist, dass sie Licht mit einer dritten Wellenlänge emittiert; und wobei die erste Wellenlänge länger ist als die zweite Wellenlänge und die zweite Wellenlänge länger ist als die dritte Wellenlänge.
Anzeigevorrichtung (100, 200) nach Anspruch 10, ferner aufweisend: einen Bragg-Spiegel (DBR) der auf der ersten Leuchtdiode (170R, 270R) und der zweiten Leuchtdiode (170G, 270G) angeordnet ist, um Licht mit der dritten Wellenlänge zu reflektieren und Licht mit der ersten Wellenlänge und der zweiten Wellenlänge zu transmittieren.
Anzeigevorrichtung (100, 200) nach Anspruch 10 oder 11, wobei die erste Leuchtdiode (170R, 270R) eine erste Quantenpunktschicht (RQD) aufweist, die Licht mit der dritten Wellenlänge in Licht mit der ersten Wellenlänge umwandelt, und die zweite Leuchtdiode (170G, 270G) eine zweite Quantenpunktschicht (GQD) aufweist, die Licht mit der dritten Wellenlänge in Licht mit der zweiten Wellenlänge umwandelt.
Anzeigevorrichtung (100, 200) nach Anspruch 12, wobei die dritte Leuchtdiode (170B, 270B) eine Transmissionsschicht (TR) mit der gleichen Dicke wie die erste Quantenpunktschicht (RQD) und die zweite Quantenpunktschicht (GQD) aufweist.
Anzeigevorrichtung (100), aufweisend: ein Substrat (111); eine Vielzahl von Plattenmustern (121a), die auf dem Substrat (111) angeordnet sind; eine Vielzahl von Pixeln (PX) auf der Vielzahl von Plattenmustern (121a), wobei jedes Pixel (PX) der Vielzahl von Pixeln (PX) eine Leuchtdiode (170) aufweist, wobei die Leuchtdiode aufweist: eine erste Elektrode (171); eine Quantenpunktschicht (QD), die an die erste Elektrode (171) angrenzt; eine erste Halbleiterschicht (172) auf der ersten Elektrode (171); eine Emissionsschicht (173) auf der ersten Halbleiterschicht (172); und eine zweite Elektrode (175) auf der Emissionsschicht (173).
Anzeigevorrichtung (100) nach Anspruch 14, wobei die erste Elektrode (171) einen ersten Abschnitt (FP), einen geneigten Abschnitt (IP) und einen zweiten Abschnitt (SP) aufweist, wobei der geneigte Abschnitt (IP) zwischen dem ersten Abschnitt (FP) und dem zweiten Abschnitt (SP) ist, wobei der geneigte Abschnitt (IP) eine erste geneigte Oberfläche (FIS) aufweist und der erste Abschnitt (FP) eine erste Oberfläche (FS) aufweist, und wobei die Quantenpunktschicht (QD) an die erste Oberfläche (FS) des ersten Abschnitts (FP) und die erste geneigte Oberfläche (FIS) des geneigten Abschnitts (IP) angrenzt und mit diesen in Kontakt steht.
Anzeigevorrichtung (100, 200) nach Anspruch 14 oder 15, wobei der zweite Abschnitt (SP) eine zweite Oberfläche (SS) aufweist und die Quantenpunktschicht (QD) eine dritte Oberfläche (TS) aufweist, wobei die dritte Oberfläche (TS) der Quantenpunktschicht (QD) von der zweiten Oberfläche (SS) des zweiten Abschnitts (SP) beabstandet ist, wobei die dritte Oberfläche (TS) der Quantenpunktschicht (QD) im Vergleich zur zweiten Oberfläche (SS) des zweiten Abschnitts (SP) der ersten Elektrode (171) näher am Substrat (111) ist.
Anzeigevorrichtung (100, 200) nach Anspruch 16, wobei die dritte Oberfläche (TS) der Quantenpunktschicht (QD) an die erste Halbleiterschicht (172) angrenzt und mit dieser in Kontakt steht.
Anzeigevorrichtung (100, 200) nach einem der Ansprüche 14 bis 17, aufweisend: eine zweite Leuchtdiode (170G), die an die Leuchtdiode (170R) angrenzt; und eine dritte Leuchtdiode (170B), die an die zweite Leuchtdiode (170G) angrenzt, wobei die Leuchtdiode (170R) eine erste Quantenpunktschicht (RQD) aufweist, die so eingerichtet ist, dass sie Licht mit einer dritten Wellenlänge in Licht mit einer ersten Wellenlänge umwandelt, wobei die zweite Leuchtdiode (170G) eine zweite Quantenpunktschicht (GQD) aufweist, die so eingerichtet ist, dass sie Licht mit der dritten Wellenlänge in Licht mit einer zweiten Wellenlänge umwandelt, und wobei die erste Quantenpunktschicht (RQD) die Quantenpunktschicht (QD) ist.
Anzeigevorrichtung (100, 200) nach Anspruch 18, ferner aufweisend: einen Reflektor (DBR) auf der Leuchtdiode (170R) und der zweiten Leuchtdiode (170G), wobei der Reflektor (DBR) die Leuchtdiode (170R) und die zweite Leuchtdiode (170G) in einer Draufsicht überlappt.
Anzeigevorrichtung (100, 200) nach Anspruch 19, wobei der Reflektor (DBR) von der dritten Leuchtdiode (170B) beabstandet ist, wobei der Reflektor (DBR) in der Draufsicht nicht mit der dritten Leuchtdiode (170B) überlappt.