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HINTERGRUND DER ERFINDUNG
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Gebiet der Erfindung
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Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Herstellen eines wenigstens eine Getter-Fläche bereitstellenden Bauteils, insbesondere für ein optisches System der Mikrolithographie, sowie auch ein mit einem solchen Verfahren hergestelltes Bauteil.
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Stand der Technik
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Mikrolithographie wird zur Herstellung mikrostrukturierter Bauelemente, wie beispielsweise integrierter Schaltkreise oder LCD's, angewendet. Der Mikrolithographieprozess wird in einer sogenannten Projektionsbelichtungsanlage durchgeführt, welche eine Beleuchtungseinrichtung und ein Projektionsobjektiv aufweist. Das Bild einer mittels der Beleuchtungseinrichtung beleuchteten Maske (= Retikel) wird hierbei mittels des Projektionsobjektivs auf ein mit einer lichtempfindlichen Schicht (Photoresist) beschichtetes und in der Bildebene des Projektionsobjektivs angeordnetes Substrat (z.B. ein Siliziumwafer) projiziert, um die Maskenstruktur auf die lichtempfindliche Beschichtung des Substrats zu übertragen.
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In für den EUV-Bereich ausgelegten Projektionsobjektiven, z.B. bei Wellenlängen von z.B. etwa 13 nm oder etwa 7 nm, werden mangels Verfügbarkeit geeigneter lichtdurchlässiger refraktiver Materialien Spiegel als optische Komponenten für den Abbildungsprozess verwendet.
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Um im Betrieb einer Projektionsbelichtungsanlage u.a. einen Reflexionsverlust der Spiegel durch in das jeweilige optische System eindringende Kontaminanten zu vermeiden, ist es bekannt, die unmittelbare Umgebung der betreffenden Spiegel mit einer Atmosphäre aus z.B. Wasserstoff (als „Spülgas“) zu beaufschlagen, welches das Eindringen unerwünschter Kontaminanten im optischen System in die unmittelbare Umgebung dieser Spiegel verhindert.
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Dabei tritt jedoch in der Praxis das Problem auf, dass der Wasserstoff durch die Projektionsbelichtungsanlage im Betrieb durchlaufende elektromagnetische Nutzstrahlung bzw. EUV-Strahlung ionisiert werden kann, wobei hierbei entstehende Wasserstoff-Radikale wiederum ein Ausgasen sogenannter HIO-Elemente, HIO = „Hydrogen Induced Outgassing“) wie z.B. Silizium oder Magnesium aus dem jeweiligen Material anderer Komponenten, insbesondere aus einer Tragstruktur des jeweiligen optischen Systems, bewirken können. Infolgedessen in der jeweiligen Spiegelumgebung gebildete HIO-Verbindungen können sich wiederum ohne geeignete Gegenmaßnahmen auf den jeweiligen optischen Wirkflächen der Spiegel niederschlagen und haben dann einen unerwünschten Reflexionsverlust und somit eine Beeinträchtigung der Leistungsfähigkeit der Projektionsbelichtungsanlage zur Folge.
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Ein bekannter Ansatz zur Verminderung der Ablagerung besagter HIO-Elemente auf den jeweiligen optischen Wirkflächen der Spiegel sowie damit einhergehender Reflexionsverluste ist die zusätzliche Bereitstellung sogenannter Getter-Flächen innerhalb des jeweiligen optischen Systems bzw. im Bereich der betreffenden Spiegel, wobei über eine auf der jeweiligen Getter-Fläche vorhandene und für die betreffenden HIO-Elemente affine Beschichtung die HIO-Elemente zumindest teilweise gebunden werden mit der Folge, dass diese sich nicht mehr auf den zu schützenden optischen Wirkflächen niederschlagen können.
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Dabei stellt die praktische Realisierung der zur Erzielung einer möglichst effizienten Bindung der HIO-Elemente geeignet beschichteten sowie eine möglichst große Oberfläche aufweisenden Bauteile im Hinblick auf die gerade in Lithographie-Anwendungen typischerweise bestehenden Vakuumbedingungen sowie Reinheitsanforderungen eine anspruchsvolle Herausforderung dar.
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Insbesondere erweist sich etwa ein Verschweißen von das zur Bereitstellung der Getter-Fläche dienende Bauteil bildenden Komponenten in mehrfacher Hinsicht als problematisch. So kann sich im Bereich nicht verschlossener Spalte Reinigungsmittel absetzen, welches im weiteren Betrieb ausgasen und somit Kontaminationsprobleme zur Folge haben kann. Weitere fertigungstechnische Probleme resultieren aus beim Verschweißen bereits beschichteter Komponenten auftretenden Schichtablösungen und möglichen Ablösungen von Kontaminations-Partikeln. Zudem gestaltet sich der Fertigungsprozess insgesamt angesichts typischerweise erforderlichen Nachbearbeitungen der jeweiligen Schweißnaht im Hinblick auf vorhandene Oberflächenrauigkeiten als aufwändig. Ferner ist angesichts einer bei fortschreitender Sättigung der Getter-Flächen nachlassenden Getterwirkung nach gewisser Zeit eine Prüfung bzw. ein Austausch des betreffenden, die Getter-Fläche bereitstellenden Bauteils geboten, wodurch der erforderliche Zeit- und Kostenaufwand weiter vergrößert werden.
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ZUSAMMENFASSUNG DER ERFINDUNG
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Vor dem obigen Hintergrund ist es eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung, ein Verfahren zum Herstellen eines wenigstens eine Getter-Fläche bereitstellenden Bauteils, insbesondere für ein optisches System der Mikrolithographie, unter zumindest teilweiser Vermeidung der vorstehend beschriebenen Probleme bereitzustellen.
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Diese Aufgabe wird durch das Verfahren gemäß den Merkmalen des unabhängigen Patentanspruchs 1 gelöst.
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Gemäß einem Aspekt der Erfindung weist ein Verfahren zum Herstellen eines wenigstens eine Getter-Fläche bereitstellenden Bauteils, insbesondere für ein optisches System der Mikrolithographie, folgende Schritte auf:
- - Bereitstellen eines Trägers;
- - Bereitstellen einer Lamellenanordnung, welche eine Mehrzahl von als Getter-Flächen dienenden Lamellen aufweist;
wobei diese Lamellen an dem Träger über eine Schraubverbindung fixiert oder in einem spanenden oder einem additiven Fertigungsprozess in dem Träger ausgebildet werden.
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Der Erfindung liegt insbesondere das Konzept zugrunde, bei der Herstellung eines wenigstens eine Getter-Fläche bereitstellenden Bauteils eine Lamellenanordnung mit einer Mehrzahl von als Getter-Flächen dienenden Lamellen an einem Träger entweder im Wege wenigstens einer Schraubverbindung zu fixieren oder auch in einem spanenden oder additiven Fertigungsprozess in dem Träger auszubilden mit der Folge, dass Verschweißungsprozesse und die damit verbundenen, eingangs beschriebenen Nachteile vermieden werden.
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Was zunächst die gemäß einer Ausgestaltung der Erfindung realisierte Schraubverbindung betrifft, so bietet dieses Konzept insbesondere die Möglichkeit, großflächige Bauteile von vergleichsweise geringer Komplexität aneinander zu fügen, wobei gegebenenfalls vor dem Verschrauben die betreffenden Bauteile (Lamellen, Träger sowie weitere Komponenten wie Schrauben oder Unterlegscheiben) bereits einzeln beschichtet und gereinigt werden können und der anschließende Füge- bzw. Verschraubungsprozess dann unter Reinraumbedingungen durchgeführt werden kann. Dabei können insbesondere auch bei der Verschraubung bzw. zur Erzeugung der erforderlichen Klemmwirkung benötigte Komponenten ebenfalls vorab beschichtet sowie gereinigt werden, um die Getter-Fläche zu vergrößern bzw. zu maximieren.
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Was die Anwendung eines spanenden oder additiven Fertigungsprozess zur Ausbildung der Lamellen der Lamellenanordnung an dem Träger betrifft, so kann hierbei das die wenigstens eine Getter-Fläche bereitstellende Bauteil insbesondere monolithisch hergestellt und anschließend mit der geeigneten, für die zu bindenden HIO-Elemente affinen Beschichtung versehen werden, wobei ebenfalls die eingangs im Zusammenhang mit Verschweißungsprozessen einhergehenden Probleme vermieden werden können.
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Gemäß einer Ausführungsform umfasst der spanende Fertigungsprozess ein Fräsen oder Drehen.
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Gemäß einer Ausführungsform besitzt die Lamellenanordnung zur Bereitstellung einer Getter-Fläche einen bereichsweise U-förmigen oder L-förmigen Querschnitt. Ein solcher U-förmiger Querschnitt stellt eine besonders vorteilhafte Geometrie im Hinblick auf die angestrebte Optimierung der Getterwirkung dar. Ein solcher L-förmiger Querschnitt stellt eine besonders vorteilhafte Geometrie im Hinblick auf die Optimierung eines Montageaufwandes dar.
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Gemäß einer Ausführungsform besitzt das Bauteil zur Ermöglichung der Demontage einzelner Abschnitte der Lamellenanordnung oder des Bauteils einen modularen Aufbau. Ein solcher modularer Aufbau hat den Vorteil, dass für eine spätere Prüfung der Getterwirkung (im Hinblick auf eine gegebenenfalls eingetretene Sättigung mit angelagerten HIO-Elementen) kein vollständiger Ausbau des gesamten Bauteils erforderlich ist, wobei auch ein gegebenenfalls erforderlich werdender Ersatz gesättigter Getter-Flächen nur partiell (d.h. nicht für das gesamte Bauteil) durchzuführen ist.
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Gemäß einer Ausführungsform werden die Lamellen mit einer für HIO-Elemente, insbesondere Silizium (Si) oder Magnesium (Mg), affinen Beschichtung versehen. Diese Beschichtung kann insbesondere wenigstens ein Material aus der Gruppe Titan (Ti), Vanadium (V), Kobalt (Co), Nickel (Ni), Zirkonium (Zr), Niob (Nb), Molybdän (Mo), Ruthenium (Ru), Rhodium (Rh), Palladium (Pd), Tantal (Ta), Iridium (Ir), Platin (Pt), Nickel-Phosphor (NiP) umfassen. Die Erfindung ist jedoch nicht hierauf beschränkt, wobei in weiteren Ausführungsformen auch andere Beschichtungsmaterialien verwendbar sind. Insbesondere können die Lamellen ausschließlich aus dem Beschichtungsmaterial bestehen.
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Gemäß einer Ausführungsform ist der Träger aus Edelstahl, Aluminium, Aluminium-haltiger Legierung, Titan, Kupfer und Keramiken hergestellt.
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Gemäß einer Ausführungsform sind die Lamellen jeweils als Biegeblechteile ausgestaltet.
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Gemäß einer Ausführungsform weist der Träger oder das Bauteil zumindest abschnittsweise eine im Wesentlichen zylinderförmige Geometrie auf.
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Gemäß einer Ausführungsform erfolgt das Fixieren der Lamellen der Lamellenanordnung an dem Träger jeweils über eine Halteleiste. Eine solche Halteleiste kann als „Niederhalter“ die erforderliche Klemmwirkung über die jeweilige Längsausdehnung der Lamelle bereitstellen. Die Halteleiste kann zur Vergrößerung der Getter-Fläche ebenfalls beschichtet sein.
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Die Erfindung betrifft weiter ein Bauteil, welches mit einem Verfahren mit den vorstehend beschriebenen Merkmalen hergestellt ist, sowie ein optisches System mit einem solchen Bauteil. Das optische System kann insbesondere für eine Arbeitswellenlänge von weniger als 30 nm, insbesondere von weniger als 15 nm, ausgelegt sein.
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Die Erfindung betrifft weiter auch eine mikrolithographische Projektionsbelichtungsanlage mit einer Beleuchtungseinrichtung und einem Projektionsobjektiv, wobei die Beleuchtungseinrichtung im Betrieb der Projektionsbelichtungsanlage eine in einer Objektebene des Projektionsobjektivs befindliche Maske beleuchtet und das Projektionsobjektiv Strukturen auf dieser Maske auf eine in einer Bildebene des Projektionsobjektivs befindliche lichtempfindliche Schicht abbildet, wobei die Projektionsbelichtungsanlage wenigstens ein optisches System mit den vorstehend beschriebenen Merkmalen aufweist.
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Weitere Ausgestaltungen der Erfindung sind der Beschreibung sowie den Unteransprüchen zu entnehmen.
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Die Erfindung wird nachstehend anhand von in den beigefügten Abbildungen dargestellten Ausführungsbeispielen näher erläutert.
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Figurenliste
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Es zeigen:
- 1 eine schematische Darstellung des möglichen Aufbaus eines mit einem erfindungsgemäßen Verfahren hergestellten Bauteils gemäß einer beispielhaften Ausführungsform;
- 2a-2c schematische Darstellungen zur Erläuterung des möglichen Aufbaus eines mit einem erfindungsgemäßen Verfahren hergestellten Bauteils gemäß einer weiteren Ausführungsform;
- 3 eine schematische Darstellung zur Erläuterung eines erfindungsgemäßen Verfahrens gemäß einer weiteren Ausführungsform; und
- 4 eine schematische Darstellung einer für den Betrieb im EUV ausgelegten Projektionsbelichtungsanlage.
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DETAILLIERTE BESCHREIBUNG BEVORZUGTER AUSFÜHRUNGSFORMEN
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Im Weiteren werden mögliche Ausführungsformen eines erfindungsgemäßen, wenigstens eine Getter-Fläche bereitstellenden Bauteils bzw. eines Verfahrens zu dessen Herstellung unter Bezugnahme auf die schematischen Darstellungen in 1, 2a-2c und 3 beschrieben. Diesen Ausführungsformen ist insbesondere gemeinsam, dass jeweils ein Verschweißen von das betreffende Bauteil bildenden Komponenten und die damit einhergehenden, eingangs beschriebenen Nachteile zumindest teilweise vermieden werden.
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Unter Bezugnahme zunächst auf 1 kann ein erfindungsgemäßes Bauteil 10 in einer ersten Ausführungsform dadurch hergestellt werden, dass in einem Fräsprozess eine Mehrzahl dünnwandiger Lamellen aus einem Rohling herausgearbeitet werden oder additiv gefertigt werden, so dass diese Lamellen eine Lamellenanordnung 12 auf einem Träger 11 bilden. Der Rohling kann im Ausführungsbeispiel z.B. aus Edelstahl, Aluminium, einer Aluminium-haltigen Legierung, Titan, Kupfer oder Keramik bestehen. Die Lamellen werden im Anschluss mit einer geeigneten, für die zu bindenden HIO-Elemente affinen Beschichtung, im Ausführungsbeispiel aus Ru, Ti, V, Co, Ni, Zr, Nb, Mo, Rh, Pd, Ta, Ir, Pt und/oder NiP, versehen.
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Des Weiteren können insbesondere zwei der in 1 dargestellten Bauteile 10 als im Wesentlichen halbzylindrische Komponenten zu einem insgesamt im Wesentlichen zylindrischen Bauteil zusammengesetzt werden, wobei dann eine Fixierung der beiden Bauteile 10 aneinander analog zu der im Folgenden noch beschriebenen Ausführungsform gemäß 2a-2c (d.h. über einen oder mehrere Gewindestäbe sowie an gegenüberliegenden Endabschnitten angebrachte Befestigungsmuttern) erfolgen kann.
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Die Lamellen der Lamellenanordnung 12 erstrecken sich entlang der x-Achse im eingezeichneten Koordinatensystem und können lediglich beispielhaft (und ohne dass die Erfindung hierauf beschränkt wäre) eine Wanddicke von größenordnungsmäßig einem oder wenigen Millimetern (mm) aufweisen. Bei Ausbildung eines im Wesentlichen zylindrischen Bauteils aus zwei der dargestellten halbzylindrischen Komponenten können dann die jeweils zu beiden Seiten des Trägers 11 einander gegenüberliegenden Lamellen paarweise im Wesentlichen H-förmige Querschnittsprofile bilden, welche im Hinblick auf die angestrebte maximale Getterwirkung (d.h. möglichst effiziente Bindung von HIO-Elementen) besonders vorteilhaft sind. Besonders vorteilhaft ist eine Höhe der Lamelle, die einem Faktor Zwei mal einer Breite eines zwei gegenüberliegende Lamellen verbindenden Stegs entspricht. Dabei beträgt die Breite des Stegs typischerweise zwischen 5 - 20 mm.
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2a-2c zeigen lediglich schematische Darstellungen einer weiteren möglichen Ausführungsform eines erfindungsgemäßen Bauteils 20. Im Unterschied zur Ausführungsform von 1 werden zur Herstellung des Bauteils 20 dünnwandige Lamellen einer Lamellenanordnung 22 in einem (wiederum beispielhaft aus Edelstahl, Aluminium, Aluminium-haltiger Legierung, Titan, Kupfer oder Keramiken gefertigten) Rohling durch Drehen (d.h. ebenfalls in einem spanenden Prozess) eingearbeitet, wozu vorzugsweise ein zylindrischer Rohling in einer geeigneten Drehbank bearbeitet und nach Eindrehen der besagten Lamellen der Lamellenanordnung 22 in zwei halbzylindrische Bauteile wie in 2a gezeigt aufgeteilt wird. Die auf diese Weise erhaltenen halbzylindrischen Bauteile können dann in vorteilhafter Weise mit der zur Erzielung der gewünschten Getterwirkung erforderlichen, für HIO-Elemente affinen Beschichtung, z.B. aus Ru, Ti, V, Co, Ni, Zr, Nb, Mo, Rh, Pd, Ta, Ir, Pt und/oder NiP, versehen sowie gereinigt werden.
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Zur Ermöglichung einer Demontage einzelner Abschnitte der Lamellenanordnung 22 gemäß 2a oder auch der Lamellenanordnung 12 gemäß 1 kann die betreffende Lamellenanordnung 12 bzw. 22 auch in eine Mehrzahl separater Bauteilabschnitte unterteilt sein und damit einen modularen Aufbau aufweisen. Diese Bauteilabschnitte können wiederum Bohrungen (z.B. wie in 2c angedeutet und mit „23“ bezeichnet) zum Hindurchführen von Gewindestäben aufweisen, wobei abschließend an den entlang der x-Achse einander gegenüberliegenden Endabschnitten des Bauteils bzw. der modularen Anordnung entsprechende Befestigungsmuttern zur Ausübung der erforderlichen Klemmkraft zwecks Fixierung der jeweiligen Bauteilabschnitte aneinander angebracht werden können.
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3 zeigt eine schematische Darstellung zur Erläuterung der möglichen Herstellung eines erfindungsgemäßen Bauteils 30 in einer weiteren Ausführungsform, wobei in besonders vorteilhafter Weise eine Mehrzahl von als Getter-Flächen dienenden Lamellen im Wege von Schraubverbindungen an einem Träger 31 fixiert werden. Die zur Realisierung der jeweiligen Schraubenverbindungen verwendeten Komponenten können dabei jeweils bereits vor dem Verschrauben einzeln beschichtet und gereinigt werden, wobei der anschließende Verschraubungsprozess dann unter Reinraumbedingungen durchgeführt werden kann. Des Weiteren können auch die (jeweils wiederum vorzugsweise dünnwandigen und großflächigen) Lamellen der Lamellenanordnung 32 selbst vor dem betreffenden Verschraubungsprozess mit der zur Bindung der HIO-Elemente erforderlichen, affinen Beschichtung z.B. aus Titan (Ti), Vanadium (V), Kobalt (Co), Nickel (Ni), Zirkonium (Zr), Niob (Nb), Molybdän (Mo), Ruthenium (Ru), Rhodium (Rh), Palladium (Pd), Tantal (Ta), Iridium (Ir), Platin (Pt), Nickel-Phosphor (NiP) versehen werden.
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Zur Herstellung des erfindungsgemäßen Bauteils werden gemäß 3 im konkreten Ausführungsbeispiel jeweils ein U-Profil (mit Seitenabschnitten 32a, 32b und einem Bodenabschnitt 32c) aufweisende Lamellen an einen Träger 31 unter Verwendung von Befestigungsschrauben 35 sowie einer Halteleiste 33 angeschraubt. Dabei ist auch eine Ausführungsform möglich, bei der nur ein Seitenabschnitt 32a oder 32b mit dem Bodenabschnitt 32c verbunden ist (L-Form). Die Halteleiste 33 dient hierbei dazu, die erforderliche Klemmlänge der Schraube 35 bereitzustellen. Des Weiteren können bei der beschriebenen Schraubverbindung auch Unterlegscheiben (nicht dargestellt) zur verbesserten Einleitung der jeweiligen Klemmkraft in die Lamellen der Lamellenanordnung 32 sowie den Träger 31 und darüber hinaus auch zum Schutz der an den Lamellen vorhandenen, für die HIO-Elemente affinen Beschichtung verwendet werden. Zur Verbesserung der Stabilität der Lamellen können diese an ihren Kanten gefalzt sein. Besonders vorteilhaft für eine optimierte Getterwirkung ist eine Höhe der Seitanabschnitte 32a und 32b der Lamellen, die einem Faktor Zwei mal einer Breite des Bodenabschnitts 32c entspricht. Dabei beträgt die Breite des Bodenabschnitts typischerweise zwischen 5 - 20 mm.
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Infolge des bei dem Herstellungsverfahren gemäß 3 bereitgestellten modularen Aufbaus des erfindungsgemäßen Bauteils kann eine Prüfung einzelner Abschnitte bzw. Lamellen der Lamellenanordnung 32 hinsichtlich der bereitgestellten Getterwirkung bzw. einer gegebenenfalls bereits erfolgten Sättigung mit HIO-Elementen insofern zerstörungsfrei erfolgen, als lediglich der betreffende Abschnitt der Lamellenanordnung 32 (und nicht das gesamte Bauteil 30) demontiert, geprüft und gegebenenfalls ersetzt werden muss.
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4 zeigt schematisch im Meridionalschnitt den möglichen Aufbau einer für den Betrieb im EUV ausgelegten mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage als beispielhafte Anwendung der Erfindung. Dabei kann ein mit dem erfindungsgemäßen Verfahren hergestelltes Bauteil an einer oder mehreren geeigneten Positionen innerhalb der Projektionsbelichtungsanlage eingesetzt werden, um wie eingangs beschrieben eine Ablagerung von HIO-Elementen auf den jeweiligen optischen Wirkflächen eines oder mehrerer Spiegel sowie damit einhergehende Reflexionsverluste zu vermeiden.
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Gemäß 4 weist die Projektionsbelichtungsanlage 101 eine Beleuchtungseinrichtung 102 und ein Projektionsobjektiv 110 auf. Eine Ausführung der Beleuchtungseinrichtung 102 der Projektionsbelichtungsanlage 101 hat neben einer Licht- bzw. Strahlungsquelle 103 eine Beleuchtungsoptik 104 zur Beleuchtung eines Objektfeldes 105 in einer Objektebene 106. Bei einer alternativen Ausführung kann die Lichtquelle 103 auch als ein zur sonstigen Beleuchtungseinrichtung separates Modul bereitgestellt sein. In diesem Fall umfasst die Beleuchtungseinrichtung die Lichtquelle 103 nicht.
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Belichtet wird hierbei ein im Objektfeld 105 angeordnetes Retikel 107. Das Retikel 107 ist von einem Retikelhalter 108 gehalten. Der Retikelhalter 108 ist über einen Retikelverlagerungsantrieb 109 insbesondere in einer Scanrichtung verlagerbar. In 4 ist zur Erläuterung ein kartesisches xyz-Koordinatensystem eingezeichnet. Die x-Richtung verläuft senkrecht zur Zeichenebene hinein. Die y-Richtung verläuft horizontal und die z-Richtung verläuft vertikal. Die Scanrichtung verläuft in 4 längs der y-Richtung. Die z-Richtung verläuft senkrecht zur Objektebene 106.
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Das Projektionsobjektiv 110 dient zur Abbildung des Objektfeldes 105 in ein Bildfeld 111 in einer Bildebene 112. Abgebildet wird eine Struktur auf dem Retikel 107 auf eine lichtempfindliche Schicht eines im Bereich des Bildfeldes 111 in der Bildebene 112 angeordneten Wafers 113. Der Wafer 113 wird von einem Waferhalter 114 gehalten. Der Waferhalter 114 ist über einen Waferverlagerungsantrieb 115 insbesondere längs der y-Richtung verlagerbar. Die Verlagerung einerseits des Retikels 107 über den Retikelverlagerungsantrieb 109 und andererseits des Wafers 113 über den Waferverlagerungsantrieb 115 kann synchronisiert zueinander erfolgen.
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Bei der Strahlungsquelle 103 handelt es sich um eine EUV-Strahlungsquelle. Die Strahlungsquelle 103 emittiert insbesondere EUV-Strahlung, welche im Folgenden auch als Nutzstrahlung oder Beleuchtungsstrahlung bezeichnet wird. Die Nutzstrahlung hat insbesondere eine Wellenlänge im Bereich zwischen 5 nm und 30 nm. Bei der Strahlungsquelle 103 kann es sich zum Beispiel um eine Plasmaquelle, eine synchrotronbasierte Strahlungsquelle oder um einen Freie-Elektronen-Laser („Free-Electron-Laser“, FEL) handeln. Die Beleuchtungsstrahlung 116, die von der Strahlungsquelle 103 ausgeht, wird von einem Kollektor 117 gebündelt und propagiert durch einen Zwischenfokus in einer Zwischenfokusebene 118 in die Beleuchtungsoptik 104. Die Beleuchtungsoptik 104 weist einen Umlenkspiegel 119 und diesem im Strahlengang nachgeordnet einen ersten Facettenspiegel 120 (mit schematisch angedeuteten Facetten 121) und einen zweiten Facettenspiegel 122 (mit schematisch angedeuteten Facetten 123) auf.
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Das Projektionsobjektiv 110 weist eine Mehrzahl von Spiegeln Mi (i= 1, 2, ...) auf, welche gemäß ihrer Anordnung im Strahlengang der Projektionsbelichtungsanlage 101 durchnummeriert sind. Bei dem in der 4 dargestellten Beispiel weist das Projektionsobjektiv 110 sechs Spiegel M1 bis M6 auf. Alternativen mit vier, acht, zehn, zwölf oder einer anderen Anzahl an Spiegeln Mi sind ebenso möglich. Der vorletzte Spiegel M5 und der letzte Spiegel M6 weisen jeweils eine Durchtrittsöffnung für die Beleuchtungsstrahlung 116 auf. Bei dem Projektionsobjektiv 110 handelt es sich um eine doppelt obskurierte Optik. Das Projektionsobjektiv 110 hat eine bildseitige numerische Apertur, die größer ist als 0.5 und die auch größer sein kann als 0.6 und die beispielsweise 0.7 oder 0.75 betragen kann.
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Wenn die Erfindung auch anhand spezieller Ausführungsformen beschrieben wurde, erschließen sich für den Fachmann zahlreiche Variationen und alternative Ausführungsformen, z.B. durch Kombination und/oder Austausch von Merkmalen einzelner Ausführungsformen. Dementsprechend versteht es sich für den Fachmann, dass derartige Variationen und alternative Ausführungsformen von der vorliegenden Erfindung mit umfasst sind, und die Reichweite der Erfindung nur im Sinne der beigefügten Patentansprüche und deren Äquivalente beschränkt ist.
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ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
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Zitierte Patentliteratur
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- EP 1531365 A1 [0009]
- EP 1223468 B1 [0009]
