DE102022114974A1 - Method for heating an optical element and optical system - Google Patents

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Malte Langenhorst
Maximilian Raab
Werner Weiss
Fabian Letscher
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Abstract

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Heizen eines optischen Elements in einem optischen System, insbesondere in einer mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage, sowie ein optisches System. Bei einem erfindungsgemäßen Verfahren wird in das optische Element (200) zur Erzeugung einer thermisch induzierten Deformation eine Heizleistung unter Verwendung eines thermischen Manipulators (210) eingebracht, wobei diese Heizleistung vor Aufnahme eines Betriebs des optischen Systems, in welchem Nutzlicht auf das optische Element trifft, im Hinblick auf einen Sollzustand des optischen Elements eingestellt wird, in welchem erste optische Aberration wenigstens teilweise kompensiert wird, und wobei nach Aufnahme des Betriebs des optischen Systems eine Regelung der Heizleistung auf den Sollzustand in Abhängigkeit von der Wärmelast des auf das optische Element treffenden Nutzlichts erfolgt.The invention relates to a method for heating an optical element in an optical system, in particular in a microlithographic projection exposure system, and to an optical system. In a method according to the invention, a heating power is introduced into the optical element (200) to produce a thermally induced deformation using a thermal manipulator (210), this heating power being used before the optical system begins to operate, in which useful light hits the optical element. is set with regard to a target state of the optical element, in which the first optical aberration is at least partially compensated, and wherein after the operation of the optical system has started, the heating power is regulated to the target state depending on the heat load of the useful light striking the optical element .

Description

HINTERGRUND DER ERFINDUNGBACKGROUND OF THE INVENTION

Gebiet der ErfindungField of invention

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Heizen eines optischen Elements in einem optischen System, insbesondere in einer mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage, sowie ein optisches System.The invention relates to a method for heating an optical element in an optical system, in particular in a microlithographic projection exposure system, and to an optical system.

Stand der TechnikState of the art

Mikrolithographie wird zur Herstellung mikrostrukturierter Bauelemente, wie beispielsweise integrierter Schaltkreise oder LCD's, angewendet. Der Mikrolithographieprozess wird in einer sogenannten Projektionsbelichtungsanlage durchgeführt, welche eine Beleuchtungseinrichtung und ein Projektionsobjektiv aufweist. Das Bild einer mittels der Beleuchtungseinrichtung beleuchteten Maske (= Retikel) wird hierbei mittels des Projektionsobjektivs auf ein mit einer lichtempfindlichen Schicht (Photoresist) beschichtetes und in der Bildebene des Projektionsobjektivs angeordnetes Substrat (z.B. ein Siliziumwafer) projiziert, um die Maskenstruktur auf die lichtempfindliche Beschichtung des Substrats zu übertragen.Microlithography is used to produce microstructured components, such as integrated circuits or LCDs. The microlithography process is carried out in a so-called projection exposure system, which has an illumination device and a projection lens. The image of a mask (= reticle) illuminated by the lighting device is projected using the projection lens onto a substrate (e.g. a silicon wafer) that is coated with a light-sensitive layer (photoresist) and arranged in the image plane of the projection lens in order to project the mask structure onto the light-sensitive coating of the Transfer substrate.

In für den EUV-Bereich ausgelegten Projektionsobjektiven, d.h. bei Wellenlängen von z.B. etwa 13 nm oder etwa 7 nm, werden mangels Verfügbarkeit geeigneter lichtdurchlässiger refraktiver Materialien Spiegel als optische Komponenten für den Abbildungsprozess verwendet.In projection lenses designed for the EUV range, i.e. at wavelengths of, for example, approximately 13 nm or approximately 7 nm, mirrors are used as optical components for the imaging process due to the lack of availability of suitable translucent refractive materials.

Ein in der Praxis auftretendes Problem ist, dass infolge von Fertigungsschwankungen der Spiegel sowie auch einer endlichen Präzision von beim Zusammenbau der Projektionsbelichtungsanlage durchzuführenden Montage- bzw. Justageprozessen unvermeidliche optische Aberrationen aufgrund vorhandener Abweichungen vom idealen Optikdesign resultieren. Zur Korrektur solcher (auch als „Kaltaberrationen“ bezeichneten) optischen Aberrationen ist es - neben der gezielten Aktuierung der jeweiligen Spiegel in ihren Starrkörper-Freiheitsgraden - ein möglicher Ansatz, die Spiegel unter Verwendung einer (z.B. Infrarotstrahlung einkoppelnden) Heizanordnung gezielt mit einem geeigneten Heizprofil zu beaufschlagen, um über die auf diese Weise erzielte thermisch induzierte Deformation eine Korrektur der optischen Kaltaberrationen zu erreichen.A problem that occurs in practice is that as a result of manufacturing fluctuations of the mirrors as well as a finite precision of assembly or adjustment processes to be carried out when assembling the projection exposure system, unavoidable optical aberrations result due to existing deviations from the ideal optical design. To correct such optical aberrations (also known as “cold aberrations”), one possible approach - in addition to the targeted actuation of the respective mirrors in their rigid body degrees of freedom - is to specifically heat the mirrors with a suitable heating profile using a heating arrangement (e.g. coupling in infrared radiation). in order to achieve a correction of the optical cold aberrations via the thermally induced deformation achieved in this way.

Ein weiteres in der Praxis auftretendes Problem ist, dass die EUV-Spiegel u.a. infolge Absorption der von der EUV-Lichtquelle emittierten Strahlung eine (auch als „Mirror Heating“ bezeichnete) Erwärmung und eine damit einhergehende thermische Ausdehnung bzw. Deformation erfahren, welche wiederum eine Beeinträchtigung der Abbildungseigenschaften des optischen Systems zur Folge haben kann. Zur Vermeidung von durch Wärmeeinträge in einen EUV-Spiegel verursachten Oberflächendeformationen und damit einhergehenden optischen Aberrationen ist es unter anderem bekannt, als Spiegelsubstratmaterial ein Material mit ultraniedriger thermischer Expansion („Ultra-Low-Expansion-Material“), z.B. ein unter der Bezeichnung ULE™ von der Firma Corning Inc. vertriebenes Titanium-Silicatglas, zu verwenden und in einem der optischen Wirkfläche nahen Bereich die sogenannte Nulldurchgangstemperatur (ZCT = „Zero-Crossing-Temperatur“) einzustellen. Bei dieser Zero-Crossing-Temperatur, welche z.B. für ULE™ bei etwa ϑ = 30°C liegt, weist der thermische Ausdehnungskoeffizient in seiner Temperaturabhängigkeit einen Nulldurchgang auf, in dessen Umgebung keine oder nur eine vernachlässigbare Abhängigkeit der thermischen Ausdehnung des Spiegelsubstratmaterials von auftretenden Temperaturvariationen gegeben ist. Des Weiteren kann durch Einsatz einer Heizanordnung (z.B. auf Basis von Infrarotstrahlung) in Phasen vergleichsweise geringer Absorption von EUV-Nutzstrahlung eine aktive Spiegelerwärmung erfolgen, wobei diese aktive Spiegelerwärmung mit steigender Absorption der EUV-Nutzstrahlung entsprechend zurückgefahren wird.Another problem that occurs in practice is that the EUV mirrors experience heating (also known as “mirror heating”) and the associated thermal expansion or deformation as a result of, among other things, absorption of the radiation emitted by the EUV light source, which in turn causes a This can result in impairment of the imaging properties of the optical system. In order to avoid surface deformations caused by heat input into an EUV mirror and the associated optical aberrations, it is known, among other things, to use a material with ultra-low thermal expansion (“ultra-low expansion material”) as the mirror substrate material, for example one known as ULE™ to use titanium silicate glass sold by Corning Inc. and to set the so-called zero crossing temperature (ZCT = “zero crossing temperature”) in an area close to the optical effective surface. At this zero-crossing temperature, which for ULE™, for example, is approximately ϑ = 30°C, the thermal expansion coefficient has a zero crossing in its temperature dependence, in the vicinity of which there is no or only a negligible dependence of the thermal expansion of the mirror substrate material on temperature variations that occur given is. Furthermore, by using a heating arrangement (e.g. based on infrared radiation), active mirror heating can take place in phases of comparatively low absorption of useful EUV radiation, with this active mirror heating being reduced accordingly as the absorption of the useful EUV radiation increases.

Hierbei tritt nun in der Praxis das weitere Problem auf, dass die vorstehend beschriebenen Ansätze zur Korrektur von „Kaltaberrationen“ einerseits und zur Vermeidung von im Betrieb des optischen Systems durch die Beaufschlagung mit EUV- bzw. Nutzlicht im jeweiligen Spiegel (d.h. das „Mirror Heating“) induzierten Deformationen andererseits insofern gegenläufige bzw. einander widersprechende Anforderungen beinhalten, als - wie in dem schematischen Diagramm von 3a angedeutet - die für die beiden Ansätze jeweils günstigen bzw. favorisierten Temperaturbereiche bzw. Sollwerte sich voneinander unterscheiden. So ist für die Vermeidung von im Betrieb des optischen Systems durch EUV-Strahlung thermisch induzierten optischen Aberrationen ein Temperaturfenster im Bereich der o.g. Nulldurchgangstemperatur (= ZCT) wünschenswert, in welchem die auftretenden thermisch induzierten Deformationen möglichst insensitiv in Bezug auf lokale Temperaturvariationen an unterschiedlichen Spiegelpositionen sind. Dagegen ist für die angestrebte Korrekturwirkung hinsichtlich der „Kaltaberrationen“ eine Erwärmung des jeweiligen Spiegels in einen Temperaturbereich erforderlich, in welchem der Spiegel in seiner Deformation hinreichend sensitiv auf zusätzliche Wärmeeinstrahlung ist, wodurch dann jedoch die im Betrieb durch die Beaufschlagung mit EUV-Licht induzierten Aberrationen bzw. der Einfluss des o.g. „Mirror Heating“ wiederum verstärkt werden.In practice, the further problem arises that the approaches described above for correcting "cold aberrations" on the one hand and for avoiding on the one hand during operation of the optical system by applying EUV or useful light in the respective mirror (ie "mirror heating “) induced deformations, on the other hand, contain opposing or contradictory requirements, as - as in the schematic diagram of 3a indicated - the temperature ranges or setpoints that are favorable or favored for the two approaches differ from one another. In order to avoid optical aberrations thermally induced by EUV radiation during operation of the optical system, a temperature window in the range of the above-mentioned zero crossing temperature (= ZCT) is desirable, in which the thermally induced deformations that occur are as insensitive as possible with respect to local temperature variations at different mirror positions . On the other hand, for the desired corrective effect with regard to “cold aberrations”, the respective mirror must be heated to a temperature range in which the deformation of the mirror is sufficiently sensitive to additional heat radiation, which then results in the aberrations induced during operation by exposure to EUV light or the influence of the above-mentioned “mirror heating” can be increased in turn.

Auch bei Einstellung der von einem thermischen Manipulator in den Spiegel eingebrachten Heizleistung auf einen Sollzustand, in welchem neben den zu kompensierenden Kaltaberrationen bereits die im Betrieb des optischen Systems auf den Spiegel durch auftreffendes Nutzlicht wirkende Wärmelast berücksichtigt ist und bei dem insoweit - wie in 3b angedeutet - die vom thermischen Manipulator erzeugte Heizleistung zunächst mit Blick sowohl auf die Kaltaberrationen als auch auf den Aspekt des „Mirror Heating“ optimiert wird, tritt das weitere Problem auf, dass infolge der prinzipbedingten Abkehr von der o.g. Nulldurchgangstemperatur (ZCT) die mit der EUV-Last im Betrieb einhergehende Temperaturerhöhung unweigerlich zu transienten bzw. sich vom Betriebsbeginn (d.h. Startzeitpunkt) an zeitlich verändernden Aberrationen führt, wodurch die Leistungsfähigkeit des optischen Systems bzw. der Projektionsbelichtungsanlage beeinträchtigt wird.Even when the heating power introduced into the mirror by a thermal manipulator is set to a target state in which, in addition to the cold aberrations to be compensated, the heat load acting on the mirror during operation of the optical system due to useful light is already taken into account and in which - as in 3b indicated - the heating power generated by the thermal manipulator is initially optimized with a view to both the cold aberrations and the aspect of "mirror heating", the further problem arises that as a result of the principle-related move away from the above-mentioned zero crossing temperature (ZCT) with the EUV -Load-related temperature increase during operation inevitably leads to transient aberrations or aberrations that change over time from the start of operation (ie starting time), which impairs the performance of the optical system or the projection exposure system.

Zum Stand der Technik wird lediglich beispielhaft auf DE 10 2019 219 289 A1 verwiesen.The state of the art is only given as an example DE 10 2019 219 289 A1 referred.

ZUSAMMENFASSUNG DER ERFINDUNGSUMMARY OF THE INVENTION

Es ist eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung, ein Verfahren zum Heizen eines optischen Elements, insbesondere in einer mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage, sowie ein optisches System bereitzustellen, welche eine wirksame Vermeidung von durch Wärmeeinträge in dem optischen Element verursachten Oberflächendeformationen und damit einhergehenden optischen Aberrationen ermöglichen.It is an object of the present invention to provide a method for heating an optical element, in particular in a microlithographic projection exposure system, as well as an optical system, which enable effective avoidance of surface deformations caused by heat input in the optical element and associated optical aberrations.

Diese Aufgabe wird durch das Verfahren bzw. das optische System gemäß den Merkmalen der nebengeordneten Patentansprüche gelöst.This task is solved by the method or the optical system according to the features of the independent patent claims.

Gemäß einem Aspekt betrifft die Erfindung ein Verfahren zum Heizen eines optischen Elements in einem optischen System, insbesondere einer mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage,

  • - wobei in das optische Element zur Erzeugung einer thermisch induzierten Deformation eine Heizleistung unter Verwendung eines thermischen Manipulators eingebracht wird;
  • - wobei diese Heizleistung vor Aufnahme eines Betriebs des optischen Systems, in welchem Nutzlicht auf das optische Element trifft, im Hinblick auf einen Sollzustand des optischen Elements eingestellt wird, in welchem eine erste optische Aberration wenigstens teilweise kompensiert wird; und
  • - wobei nach Aufnahme des Betriebs des optischen Systems eine Regelung der Heizleistung auf den Sollzustand in Abhängigkeit von der Wärmelast des auf das optische Element treffenden Nutzlichts erfolgt.
According to one aspect, the invention relates to a method for heating an optical element in an optical system, in particular a microlithographic projection exposure system,
  • - wherein a heating power is introduced into the optical element to produce a thermally induced deformation using a thermal manipulator;
  • - wherein this heating power is adjusted before starting operation of the optical system, in which useful light hits the optical element, with regard to a target state of the optical element, in which a first optical aberration is at least partially compensated; and
  • - After the optical system has started operating, the heating output is regulated to the desired state depending on the heat load of the useful light hitting the optical element.

Die erste optische Aberration kann insbesondere wenigstens teilweise fertigungs- oder justagebedingt sein. Die Erfindung ist jedoch nicht hierauf beschränkt, so dass die erste optische Aberration auch durch andere Fehlerquellen verursacht sein kann.The first optical aberration can in particular be at least partially due to production or adjustment. However, the invention is not limited to this, so that the first optical aberration can also be caused by other sources of error.

Die Erfindung geht zunächst von dem Ansatz aus, im Hinblick auf die eingangs erläuterte Grundproblematik gegenläufiger bzw. einander widersprechender Anforderungen an den für eine Korrektur von Kaltaberrationen favorisierten Temperaturbereich einerseits und den für eine Kompensation des Einflusses von „Mirror Heating“ favorisierten Temperaturbereich andererseits schon bei Festlegung eines geeigneten Satzes von Sollwerten der durch einen thermischen Manipulator in das optische Element eingebrachten Heizleistung bereits beide Aspekte „Korrektur von Kaltaberrationen“ und „Kompensation des Einflusses von Mirror Heating“ einzubeziehen. Dies erfolgt, indem bereits bei der Einstellung der Heizleistung zusätzlich zur Korrektur der o.g. „Kaltaberrationen“ die entsprechende Auswirkung der Heizleistung auf die im eigentlichen Betrieb des optischen Elements bzw. des dieses Element aufweisenden optischen Systems infolge auftreffenden Nutzlichts erzeugte optische Aberration (insbesondere im Wege einer „Co-Optimierung“) berücksichtigt wird.The invention is initially based on the approach, with regard to the basic problem explained at the beginning of opposing or contradicting requirements for the temperature range favored for correcting cold aberrations on the one hand and the temperature range favored for compensating for the influence of “mirror heating” on the other hand, already at the time of definition A suitable set of target values for the heating power introduced into the optical element by a thermal manipulator already includes both aspects of “correction of cold aberrations” and “compensation of the influence of mirror heating”. This is done by, when setting the heating power, in addition to correcting the above-mentioned "cold aberrations", the corresponding effect of the heating power on the optical aberration generated during the actual operation of the optical element or the optical system having this element as a result of incident useful light (in particular by way of a “Co-optimization”) is taken into account.

Die Erfindung ist hinsichtlich der konkreten Ausgestaltung des thermischen Manipulators, also der Art und Weise der Einbringung von Heizleistung in das optische Element, nicht weiter eingeschränkt. Lediglich beispielhaft kann etwa die Einbringung der Heizleistung in für sich bekannter Weise über Infrarot (IR)-Strahler erfolgen, wobei insbesondere auch einzelne Sektoren durch die Einstellung entsprechender Heizprofile mit IR-Strahlung beaufschlagt werden können. Hierzu kann z.B. eine in DE 10 2019 219 289 A1 beschriebene Heizanordnung verwendet werden. Alternativ kann die Einbringung der Heizleistung auch über mit elektrischer Spannung beaufschlagbare, an dem zu heizenden optischen Element bzw. Spiegel angeordnete Elektroden erfolgen.The invention is not further restricted with regard to the specific design of the thermal manipulator, i.e. the manner in which heating power is introduced into the optical element. Merely as an example, the heating power can be introduced in a manner known per se via infrared (IR) radiators, with individual sectors in particular also being able to be exposed to IR radiation by setting appropriate heating profiles. For this purpose, for example, an in DE 10 2019 219 289 A1 The heating arrangement described can be used. Alternatively, the heating power can also be introduced via electrodes that can be supplied with electrical voltage and are arranged on the optical element or mirror to be heated.

Dabei soll durch die Formulierung „Satz von Sollwerten“ zum Ausdruck kommen, dass der thermische Manipulator gegebenenfalls auch gezielt einzelne Sektoren durch die Einstellung entsprechender Heizprofile mit IR-Strahlung (z.B. mit der in DE 10 2019 219 289 A1 beschriebenen Heizanordnung) beaufschlagen kann. Insofern umfasst der „Satz von Sollwerten“ für die Heizleistung des thermischen Manipulators gegebenenfalls einen Wert für jeden der Sektoren (nach Art eines Vektors mit einer Mehrzahl von Komponenten) .The wording “set of target values” is intended to express that the thermal manipulator may also target individual sectors by setting appropriate heating profiles with IR radiation (e.g. with the in DE 10 2019 219 289 A1 described heating arrangement). In this respect, the “set of setpoints” for the heating output of the thermal manipulator may include a value for each of the sectors (in the manner of a vector with a plurality of components).

Die (z.B. fertigungs- oder justagebedingte) erste optische Aberration kann durch das optische Element selbst oder auch anderenorts im optischen System (z.B. durch ein anderes optisches Element) bewirkt werden.The first optical aberration (e.g. due to manufacturing or adjustment) can be caused by the optical element itself or elsewhere in the optical system (e.g. by another optical element).

Von dem o.g. Ansatz ausgehend liegt der Erfindung nun das weitere Konzept zugrunde, die wie zuvor beschrieben insbesondere im Hinblick auf die Korrektur von Kaltaberrationen zu Betriebsbeginn eingestellte Heizleistung des thermischen Manipulators im Betrieb des optischen Systems nicht etwa zeitlich konstant zu halten, sondern vielmehr in Abhängigkeit von der Wärmelast des auf das optische Element treffenden Nutzlichts nachzuregeln.Starting from the above-mentioned approach, the invention is now based on the further concept of keeping the heating power of the thermal manipulator, which is set at the start of operation, not constant over time during operation of the optical system, as described above, in particular with regard to the correction of cold aberrations, but rather as a function of to adjust the heat load of the useful light hitting the optical element.

Dabei unterscheidet sich das erfindungsgemäße Konzept insbesondere von herkömmlichen Vorheiz-Ansätzen („Preheating“) dadurch, dass während des Betriebs des optischen Systems nicht etwa eine homogene bzw. konstante Temperaturverteilung innerhalb des optischen Elements bzw. Spiegels angestrebt wird, sondern vielmehr - unter Berücksichtigung vorhandener Kaltaberrationen - eine konstante Wellenfrontwirkung aufrechterhalten wird, was wiederum durch Erzeugung eines entsprechend inhomogenen Heizprofils innerhalb des Spiegels und gegebenenfalls auch durch Beibehaltung dieses inhomogenen Heizprofils unter Nutzlast im Wege einer Nachregelung der Heizleistung im laufenden Betrieb des optischen Systems erfolgen kann.The concept according to the invention differs in particular from conventional preheating approaches (“preheating”) in that the aim is not to achieve a homogeneous or constant temperature distribution within the optical element or mirror during operation of the optical system, but rather - taking existing ones into account Cold aberrations - a constant wavefront effect is maintained, which in turn can be done by generating a correspondingly inhomogeneous heating profile within the mirror and, if necessary, also by maintaining this inhomogeneous heating profile under payload by readjusting the heating power during ongoing operation of the optical system.

Die erfindungsgemäße Nachregelung der Heizleistung des thermischen Manipulators kann erfindungsgemäß wie im Weiteren beschrieben auf unterschiedliche Weise erfolgen. Die Erfindung umfasst insoweit zum einen Ausführungsformen mit einem temperaturbasierten Regelungskonzept, welches wiederum auf der Ermittlung einer mittleren Temperatur an der optischen Wirkfläche oder alternativ auch basierend auf einer Temperaturverteilung an der optischen Wirkfläche (bei welcher gegebenenfalls unterschiedliche Temperaturwerte für unterschiedliche Sektoren an der optischen Wirkfläche zugrundegelegt werden) basieren kann. Des Weiteren umfasst die Erfindung auch Ausführungsformen, bei welchen die erfindungsgemäße Nachregelung auf Basis einer (unter Verwendung wenigstens eines Wellenfrontsensors und/oder modellgestützt abgeschätzten) Wellenfrontwirkung des optischen Elements erfolgt.The readjustment of the heating power of the thermal manipulator according to the invention can be carried out in different ways according to the invention, as described below. In this respect, the invention includes, on the one hand, embodiments with a temperature-based control concept, which in turn is based on the determination of an average temperature on the optical effective surface or alternatively also based on a temperature distribution on the optical effective surface (which may be based on different temperature values for different sectors on the optical effective surface ) can be based. Furthermore, the invention also includes embodiments in which the readjustment according to the invention takes place on the basis of a wavefront effect of the optical element (estimated using at least one wavefront sensor and/or based on a model).

Gemäß einer Ausführungsform erfolgt die Einstellung der Heizleistung vor Aufnahme des Betriebs des optischen Systems unter zusätzlicher Berücksichtigung der jeweiligen Auswirkung der Heizleistung auf eine zweite optische Aberration, die im nachfolgenden Betrieb des optischen Systems durch auf das optische Element treffendes Nutzlicht bewirkt wird. Mit anderen Worten wird vor Aufnahme des Betriebs des optischen Systems die Heizleistung wie bereits erwähnt im Sinne einer Co-Optimierung sowohl mit Blick auf die Kaltaberrationen als auch mit Blick auf das im nachfolgenden Betrieb durch die EUV-Last stattfindende „Mirror Heating“ eingestellt.According to one embodiment, the heating power is adjusted before the optical system begins operation, taking into account the respective effect of the heating power on a second optical aberration, which is caused in the subsequent operation of the optical system by useful light hitting the optical element. In other words, before the optical system starts operating, the heating power is adjusted as already mentioned in the sense of co-optimization both with regard to the cold aberrations and with regard to the “mirror heating” that occurs in the subsequent operation due to the EUV load.

Gemäß einer Ausführungsform erfolgt die Regelung der Heizleistung nach Aufnahme des Betriebs des optischen Systems auf Basis wenigstens einer unter Verwendung wenigstens einer Temperaturmesseinrichtung gemessenen Temperatur. Die Temperaturmesseinrichtung kann in beliebiger geeigneter Weise, z.B. als Temperatursensor oder auch Wärmebildkamera, ausgestaltet sein.According to one embodiment, the heating power is regulated after the optical system has started operating on the basis of at least one temperature measured using at least one temperature measuring device. The temperature measuring device can be designed in any suitable way, for example as a temperature sensor or thermal imaging camera.

Gemäß einer Ausführungsform erfolgt die Regelung der Heizleistung nach Aufnahme des Betriebs des optischen Systems auf Basis wenigstens einer unter Verwendung wenigstens einer Temperaturmesseinrichtung abgeschätzten mittleren Temperatur an der optischen Wirkfläche des optischen Elements.According to one embodiment, the heating power is regulated after the optical system has started operating on the basis of at least one average temperature on the optical effective surface of the optical element, estimated using at least one temperature measuring device.

Gemäß einer weiteren Ausführungsform erfolgt die Regelung der Heizleistung nach Aufnahme des Betriebs des optischen Systems auf Basis einer unter Verwendung einer oder mehrerer Temperaturmesseinrichtungen abgeschätzten Temperaturverteilung an der optischen Wirkfläche des optischen Elements.According to a further embodiment, the heating power is regulated after the optical system has started operating on the basis of a temperature distribution on the optical effective surface of the optical element estimated using one or more temperature measuring devices.

Gemäß einer Ausführungsform erfolgt die Abschätzung der Temperaturverteilung an der optischen Wirkfläche des optischen Elements aus von den Temperaturmesseinrichtungen gelieferten Messsignalen unter Verwendung eines Beobachters anhand eines Modells.According to one embodiment, the temperature distribution on the optical effective surface of the optical element is estimated from measurement signals supplied by the temperature measuring devices using an observer based on a model.

Gemäß einer Ausführungsform erfolgt die Regelung der Heizleistung nach Aufnahme des Betriebs des optischen Systems auf Basis einer, z.B. unter Verwendung wenigstens eines Wellenfrontsensors, abgeschätzten Wellenfrontwirkung des optischen Elements. Insbesondere kann die Abschätzung der Wellenfrontwirkung des optischen Elements, z.B. aus von dem wenigstens einen Wellenfrontsensor gelieferten Sensorsignalen, anhand eines Feed-Forward-Modells erfolgen.According to one embodiment, the heating power is regulated after the optical system has started operating on the basis of an estimated wavefront effect of the optical element, for example using at least one wavefront sensor. In particular, the estimation of the wavefront effect of the optical element, for example from sensor signals supplied by the at least one wavefront sensor, can be carried out using a feed-forward model.

Gemäß einer weiteren Ausführungsform erfolgt die Abschätzung der Wellenfrontwirkung des optischen Elements aus Sollwerten für die von dem thermischen Manipulator eingestellte Heizleistung anhand eines Feed-Forward-Modells.According to a further embodiment, the wavefront effect of the optical element is estimated from setpoint values for the heating power set by the thermal manipulator using a feed-forward model.

Gemäß einer Ausführungsform ist das optische Element ein Spiegel.According to one embodiment, the optical element is a mirror.

Gemäß einer Ausführungsform ist das optische Element für eine Arbeitswellenlänge von weniger als 400 nm, insbesondere weniger als 250 nm, weiter insbesondere weniger als 200 nm, ausgelegt.According to one embodiment, the optical element is designed for a working wavelength of less than 400 nm, in particular less than 250 nm, more particularly less than 200 nm.

Gemäß einer Ausführungsform ist das optische Element für eine Arbeitswellenlänge von weniger als 30 nm, insbesondere weniger als 15 nm, ausgelegt.According to one embodiment, the optical element is designed for a working wavelength of less than 30 nm, in particular less than 15 nm.

Die Erfindung betrifft weiter auch ein optisches System, insbesondere einer mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage, mit

  • - wenigstens einem optischen Element,
  • - einem thermischen Manipulator zum Heizen dieses optischen Elements, und
  • - einer Regelungseinheit zur Regelung der durch den thermischen Manipulator in das optische Element eingebrachten Heizleistung,
  • - wobei diese Regelung auf Basis eines Sollzustandes, in welchem eine erste optische Aberration wenigstens teilweise kompensiert wird, und in Abhängigkeit von der Wärmelast des auf das optische Element treffenden Nutzlichts erfolgt.
The invention also relates to an optical system, in particular a microlithographic projection exposure system
  • - at least one optical element,
  • - a thermal manipulator for heating this optical element, and
  • - a control unit for regulating the heating power introduced into the optical element by the thermal manipulator,
  • - This control takes place on the basis of a target state in which a first optical aberration is at least partially compensated, and depending on the heat load of the useful light striking the optical element.

Gemäß einer Ausführungsform ist die erste optische Aberration wenigstens teilweise fertigungs- oder justagebedingt.According to one embodiment, the first optical aberration is at least partially due to manufacturing or adjustment.

Gemäß einer Ausführungsform ist das optische System dazu konfiguriert, ein Verfahren mit den vorstehend beschriebenen Merkmalen durchzuführen. Zu Vorteilen und weiteren bevorzugten Ausgestaltungen des optischen Systems wird auf die o.g. Ausführungen im Zusammenhang mit dem erfindungsgemäßen Verfahren Bezug genommen.According to one embodiment, the optical system is configured to perform a method with the features described above. For advantages and further preferred embodiments of the optical system, reference is made to the above statements in connection with the method according to the invention.

Weitere Ausgestaltungen der Erfindung sind der Beschreibung sowie den Unteransprüchen zu entnehmen.Further refinements of the invention can be found in the description and the subclaims.

Die Erfindung wird nachstehend anhand von in den beigefügten Abbildungen dargestellten Ausführungsbeispielen näher erläutert.The invention is explained in more detail below using exemplary embodiments shown in the accompanying figures.

KURZE BESCHREIBUNG DER ZEICHNUNGENBRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS

Es zeigen:

  • 1 eine schematische Darstellung des möglichen Aufbaus einer für den Betrieb im EUV ausgelegten mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage;
  • 2 eine schematische Darstellung zur Erläuterung einer möglichen Realisierung eines erfindungsgemäßen Verfahrens; und
  • 3a-3b Diagramme zur Erläuterung eines der vorliegenden Erfindung zugrundeliegenden, prinzipiellen Problems.
Show it:
  • 1 a schematic representation of the possible structure of a microlithographic projection exposure system designed for operation in EUV;
  • 2 a schematic representation to explain a possible implementation of a method according to the invention; and
  • 3a-3b Diagrams to explain a fundamental problem underlying the present invention.

DETAILLIERTE BESCHREIBUNG BEVORZUGTER AUSFÜHRUNGSFORMENDETAILED DESCRIPTION OF PREFERRED EMBODIMENTS

1 zeigt zunächst eine schematische Darstellung einer für den Betrieb im EUV ausgelegten Projektionsbelichtungsanlage 1, in der die Erfindung beispielsweise realisierbar ist. 1 first shows a schematic representation of a projection exposure system 1 designed for operation in EUV, in which the invention can be implemented, for example.

Gemäß 1 weist die Projektionsbelichtungsanlage 1 eine Beleuchtungseinrichtung 2 und ein Projektionsobjektiv 10 auf. Die Beleuchtungseinrichtung 2 dient dazu, ein Objektfeld 5 in einer Objektebene 6 mit Strahlung einer Strahlungsquelle 3 über eine Beleuchtungsoptik 4 zu beleuchten. Belichtet wird hierbei ein im Objektfeld 5 angeordnetes Retikel 7. Das Retikel 7 ist von einem Retikelhalter 8 gehalten. Der Retikelhalter 8 ist über einen Retikelverlagerungsantrieb 9 insbesondere in einer Scanrichtung verlagerbar. In 1 ist zur Erläuterung ein kartesisches xyz-Koordinatensystem eingezeichnet. Die x-Richtung verläuft senkrecht zur Zeichenebene hinein. Die y-Richtung verläuft horizontal und die z-Richtung verläuft vertikal. Die Scanrichtung verläuft in 1 längs der y-Richtung. Die z-Richtung verläuft senkrecht zur Objektebene 6.According to 1 the projection exposure system 1 has an illumination device 2 and a projection lens 10. The illumination device 2 serves to illuminate an object field 5 in an object plane 6 with radiation from a radiation source 3 via illumination optics 4. A reticle 7 arranged in the object field 5 is exposed. The reticle 7 is held by a reticle holder 8. The reticle holder 8 can be displaced in particular in a scanning direction via a reticle displacement drive 9. In 1 A Cartesian xyz coordinate system is shown for explanation. The x direction runs perpendicular to the drawing plane. The y-direction is horizontal and the z-direction is vertical. The scanning direction is in 1 along the y direction. The z direction runs perpendicular to the object plane 6.

Das Projektionsobjektiv 10 dient zur Abbildung des Objektfeldes 5 in ein Bildfeld 11 in einer Bildebene 12. Abgebildet wird eine Struktur auf dem Retikel 7 auf eine lichtempfindliche Schicht eines im Bereich des Bildfeldes 11 in der Bildebene 12 angeordneten Wafers 13. Der Wafer 13 wird von einem Waferhalter 14 gehalten. Der Waferhalter 14 ist über einen Waferverlagerungsantrieb 15 insbesondere längs der y-Richtung verlagerbar. Die Verlagerung einerseits des Retikels 7 über den Retikelverlagerungsantrieb 9 und andererseits des Wafers 13 über den Waferverlagerungsantrieb 15 kann synchronisiert zueinander erfolgen.The projection lens 10 is used to image the object field 5 into an image field 11 in an image plane 12. A structure on the reticle 7 is imaged onto a light-sensitive layer of a wafer 13 arranged in the area of the image field 11 in the image plane 12. The wafer 13 is formed by a Wafer holder 14 held. The wafer holder 14 can be displaced in particular along the y direction via a wafer displacement drive 15. The displacement, on the one hand, of the reticle 7 via the reticle displacement drive 9 and, on the other hand, of the wafer 13 via the wafer displacement drive 15 can take place in synchronization with one another.

Bei der Strahlungsquelle 3 handelt es sich um eine EUV-Strahlungsquelle. Die Strahlungsquelle 3 emittiert insbesondere EUV-Strahlung, welche im Folgenden auch als Nutzstrahlung oder Beleuchtungsstrahlung bezeichnet wird. Die Nutzstrahlung hat insbesondere eine Wellenlänge im Bereich zwischen 5 nm und 30 nm. Bei der Strahlungsquelle 3 kann es sich zum Beispiel um eine Plasmaquelle, eine synchrotronbasierte Strahlungsquelle oder um einen Freie-Elektronen-Laser („Free-Electron-Laser“, FEL) handeln. Die Beleuchtungsstrahlung 16, die von der Strahlungsquelle 3 ausgeht, wird von einem Kollektor 17 gebündelt und propagiert durch einen Zwischenfokus in einer Zwischenfokusebene 18 in die Beleuchtungsoptik 4. Die Beleuchtungsoptik 4 weist einen Umlenkspiegel 19 und diesem im Strahlengang nachgeordnet einen ersten Facettenspiegel 20 (mit schematisch angedeuteten Facetten 21) und einen zweiten Facettenspiegel 22 (mit schematisch angedeuteten Facetten 23) auf.The radiation source 3 is an EUV radiation source. The radiation source 3 emits in particular EUV radiation, which is also referred to below as useful radiation or illumination radiation. The useful radiation in particular has a wavelength in the range between 5 nm and 30 nm. The radiation source 3 can be, for example, a plasma source, a synchrotron-based radiation source or a free electron laser (“free electron laser”, FEL). act. The illumination radiation 16, which emanates from the radiation source 3, is bundled and propagated by a collector 17 through an intermediate focus in an intermediate focus plane 18 into the illumination optics 4. The illumination optics 4 has a deflection mirror 19 and, downstream of it in the beam path, a first facet mirror 20 (with schematically indicated facets 21) and a second facet mirror 22 (with schematically indicated facets 23).

Das Projektionsobjektiv 10 weist eine Mehrzahl von Spiegeln Mi (i= 1, 2, ...) auf, welche gemäß ihrer Anordnung im Strahlengang der Projektionsbelichtungsanlage 1 durchnummeriert sind. Bei dem in der 1 dargestellten Beispiel weist das Projektionsobjektiv 10 sechs Spiegel M1 bis M6 auf. Alternativen mit vier, acht, zehn, zwölf oder einer anderen Anzahl an Spiegeln Mi sind ebenso möglich. Der vorletzte Spiegel M5 und der letzte Spiegel M6 weisen jeweils eine Durchtrittsöffnung für die Beleuchtungsstrahlung 16 auf. Bei dem Projektionsobjektiv 10 handelt es sich um eine doppelt obskurierte Optik. Das Projektionsobjektiv 10 hat eine bildseitige numerische Apertur, die lediglich beispielhaft größer sein kann als 0.3, und insbesondere auch größer als 0.5, weiter insbesondere größer als 0.6, sein kann.The projection lens 10 has a plurality of mirrors Mi (i = 1, 2, ...), which are numbered consecutively according to their arrangement in the beam path of the projection exposure system 1. At the one in the 1 In the example shown, the projection lens 10 has six mirrors M1 to M6. Alternatives with four, eight, ten, twelve or another number of mirrors Mi are also possible. The penultimate mirror M5 and the last mirror M6 each have a passage opening for the illumination radiation 16. The projection lens 10 is a double obscured optic. The projection lens 10 has an image-side numerical aperture, which can be larger than 0.3 only by way of example, and in particular also larger than 0.5, further in particular larger than 0.6.

Im Betrieb der mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage 1 wird die auf die optische Wirkfläche der Spiegel auftreffende elektromagnetische Strahlung zum Teil absorbiert und führt wie eingangs erläutert zu einer Erwärmung und einer damit einhergehenden thermischen Ausdehnung bzw. Deformation, welche wiederum eine Beeinträchtigung der Abbildungseigenschaften des optischen Systems zur Folge haben kann. Über einen thermischen Manipulator in Form einer Heizanordnung kann nun wie eingangs beschrieben in Phasen vergleichsweise geringer Absorption von EUV-Nutzstrahlung jeweils eine aktive Spiegelerwärmung erfolgen, wobei diese aktive Spiegelerwärmung mit steigender Absorption der EUV-Nutzstrahlung entsprechend zurückgefahren wird.During operation of the microlithographic projection exposure system 1, the electromagnetic radiation striking the optical effective surface of the mirror is partially absorbed and, as explained at the beginning, leads to heating and an associated thermal expansion or deformation, which in turn results in an impairment of the imaging properties of the optical system can. As described above, active mirror heating can now take place via a thermal manipulator in the form of a heating arrangement in phases of comparatively low absorption of useful EUV radiation, with this active mirror heating being reduced accordingly as the absorption of the useful EUV radiation increases.

In 1 ist lediglich schematisch eine Heizanordnung eingezeichnet und mit „25“ bezeichnet, wobei diese Heizanordnung 25 im Beispiel zur Einbringung einer Heizleistung in den Spiegel M3 dient. Dabei ist die Erfindung hinsichtlich der Art und Weise der Einbringung von Heizleistung bzw. Ausgestaltung der hierzu verwendeten Heizanordnung nicht weiter eingeschränkt. Lediglich beispielhaft kann etwa die Einbringung der Heizleistung in für sich bekannter Weise über Infrarot-Strahler oder auch über mit elektrischer Spannung beaufschlagbare, an dem zu heizenden optischen Element bzw. Spiegel angeordnete Elektroden erfolgen.In 1 A heating arrangement is only shown schematically and labeled “25”, this heating arrangement 25 being used in the example to introduce heating power into the mirror M3. The invention is not further restricted with regard to the manner in which heating power is introduced or the design of the heating arrangement used for this purpose. By way of example only, the heating power can be introduced in a manner known per se via infrared radiators or via electrodes which can be supplied with electrical voltage and are arranged on the optical element or mirror to be heated.

Des Weiteren ist die Erfindung hinsichtlich der Anzahl der zu heizenden optischen Elemente bzw. Spiegel nicht weiter eingeschränkt, so dass die erfindungsgemäße Regelung auf die Heizung lediglich eines einzigen optischen Elements oder auch auf die Heizung einer Mehrzahl von optischen Elementen angewendet werden kann.Furthermore, the invention is not further restricted with regard to the number of optical elements or mirrors to be heated, so that the control according to the invention can be applied to the heating of only a single optical element or also to the heating of a plurality of optical elements.

Den im Weiteren beschriebenen Ausführungsformen ist gemeinsam, dass die Einbringung einer Heizleistung in ein optisches Element bzw. einen Spiegel nicht nur unter (initialer) Einstellung auf einen Sollzustand unter Berücksichtigung sowohl von zu kompensierenden optischen Aberrationen infolge Fertigungs- oder Justagefehlern als auch gegebenenfalls unter Berücksichtigung der Auswirkungen der Heizleistung auf eine im nachfolgenden Betrieb durch „Mirror Heating“ bewirkte zweite optische Aberration erfolgt, sondern dass zusätzlich - nach Aufnahme des Betriebs des optischen Systems bzw. Beaufschlagung des optischen Elements mit Nutzlicht - auch eine Regelung der Heizleistung in Abhängigkeit von der Wärmelast des auf das optische Element treffenden Nutzlichts (d.h. der EUV-Strahlung) erfolgt.What the embodiments described below have in common is that the introduction of a heating power into an optical element or a mirror is not only carried out with (initial) adjustment to a target state, taking into account both optical aberrations to be compensated for due to manufacturing or adjustment errors and, if necessary, taking into account the Effects of the heating power on a second optical aberration caused by “mirror heating” in subsequent operation, but in addition - after the optical system has started operating or the optical element has been exposed to useful light - the heating power is also regulated depending on the heat load of the useful light hitting the optical element (i.e. EUV radiation).

Insbesondere wird somit erfindungsgemäß berücksichtigt, dass in einer Projektionsbelichtungsanlage während des mikrolithographischen Belichtungsprozesses neben der z.B. über IR-Strahlung in einen Spiegel eingebrachten Heizleistung auch Nutzlicht in Form von EUV-Strahlung auf die Spiegeloberfläche einwirkt mit der Folge, dass sich die Spiegeltemperatur an der optischen Wirkfläche lokal und abhängig vom gewählten Beleuchtungssetting gegenüber dem ohne EUV-Strahlung vorhandenen Temperaturprofil erhöht, wie bereits anhand von 3b erläutert wurde.In particular, according to the invention, it is taken into account that in a projection exposure system during the microlithographic exposure process, in addition to the heating power introduced into a mirror via IR radiation, for example, useful light in the form of EUV radiation also acts on the mirror surface, with the result that the mirror temperature on the optical effective surface locally and depending on the selected lighting setting compared to the temperature profile existing without EUV radiation, as already shown by 3b was explained.

Zur Berücksichtigung dieses Effekts werden im Weiteren unterschiedliche Regelungskonzepte gemäß der Erfindung beschrieben, wobei zunächst unter Bezugnahme auf 2 temperaturbasierte Regelungskonzepte erläutert werden. Hierzu sind in dem betreffenden optischen Element bzw. Spiegel 200 in für sich bekannter Weise ein oder mehrere Temperaturmesseinrichtungen 203a, 203b (z.B. Temperatursensoren) in innerhalb des Spiegelsubstrats 201 befindlichen Zugangskanälen 202 angeordnet, wobei über diese Temperaturmesseinrichtungen 203a, 203b eine Abschätzung der mittleren Temperatur oder auch einer Temperaturverteilung an der optischen Wirkfläche des Spiegels 200 erfolgt.To take this effect into account, different control concepts according to the invention are described below, initially with reference to 2 Temperature-based control concepts are explained. For this purpose, one or more temperature measuring devices 203a, 203b (e.g. temperature sensors) are arranged in the relevant optical element or mirror 200 in a manner known per se in access channels 202 located within the mirror substrate 201, an estimate of the average temperature or a temperature distribution on the optical effective surface of the mirror 200 also takes place.

In 2 ist ferner ein thermischer Manipulator in Form einer Infrarot-Heizanordnung mit „210“ und die im Betrieb auf den Spiegel 200 einwirkende EUV-Strahlung (= Nutzlicht) mit „220“ bezeichnet. Des Weiteren sind mit „211“ bis „214“ mehrere Sektoren im Bereich der optischen Wirkfläche des Spiegels bezeichnet, wobei in Ausführungsformen bei Vorhandensein einer hinreichenden Anzahl von Temperaturmesseinrichtungen 203a, 203b sowie gegebenenfalls auch unter Verwendung eines Beobachters 230 und anhand eines Modells eine Abschätzung einer lokalen Temperaturverteilung an der optischen Wirkfläche des Spiegels 200 vorgenommen werden kann.In 2 A thermal manipulator in the form of an infrared heating arrangement is also designated “210” and the EUV radiation (= useful light) acting on the mirror 200 during operation is designated “220”. Furthermore, “211” to “214” denotes several sectors in the area of the optical effective surface of the mirror, in embodiments with the presence of a sufficient number of temperature measuring devices 203a, 203b and, if necessary, also using an observer ters 230 and an estimate of a local temperature distribution on the optical effective surface of the mirror 200 can be made using a model.

In einer ersten Ausführungsform eines temperaturbasierten Regelungskonzepts gemäß der vorliegenden Erfindung kann die Regelung der nach Aufnahme des Betriebs über den thermischen Manipulator 210 dem Spiegel 200 zugeführten Heizleistung auf Basis der abgeschätzten mittleren Temperatur an der optischen Wirkfläche (d.h. zunächst noch unter Verzicht auf eine ortsaufgelöste Bestimmung der Temperaturverteilung über mehrere Sektoren) erfolgen. Diesem Ansatz liegt die Überlegung zugrunde, dass in einer vereinfachten Betrachtung die vom Spiegel 200 absorbierte EUV-Strahlung 220 zu einer Erhöhung der mittleren Spiegeltemperatur führt: T ges ¯ = T IR + T EUV ¯

Figure DE102022114974A1_0001
In a first embodiment of a temperature-based control concept according to the present invention, the heating power supplied to the mirror 200 after the start of operation via the thermal manipulator 210 can be controlled on the basis of the estimated mean temperature at the optical effective surface (ie initially without a spatially resolved determination of the Temperature distribution over several sectors). This approach is based on the idea that, in a simplified view, the EUV radiation 220 absorbed by the mirror 200 leads to an increase in the average mirror temperature: T total ¯ = T IR + T EUV ¯
Figure DE102022114974A1_0001

Im Weiteren wird nun davon ausgegangen, dass der thermische Manipulator 210 insofern als „Sektorheizer“ ausgestaltet ist, als er die Einbringung von Heizleistung in den Spiegel 200 gezielt in unterschiedliche Sektoren (z.B. „211“ bis „214“ gemäß 2) ermöglicht. Hierzu kann z.B. eine in DE 10 2019 219 289 A1 beschriebene Heizanordnung verwendet werden.Furthermore, it is now assumed that the thermal manipulator 210 is designed as a “sector heater” in that it controls the introduction of heating power into the mirror 200 in a targeted manner in different sectors (eg “211” to “214”) 2 ) enables. For this purpose, for example, an in DE 10 2019 219 289 A1 The heating arrangement described can be used.

Gemäß der ersten Ausführungsform kann nun nach Abschätzung der mittleren Temperatur an der optischen Wirkfläche des Spiegels 200 eine Regelung der Heizleistung dahingehend erfolgen, dass diese mittlere Temperatur während des Betriebs und der Einwirkung von EUV-Strahlung 220 auf den Spiegel 200 konstant gehalten wird. Dies kann alternativ zum einen in solcher Weise erfolgen, dass der thermische Manipulator 210 bzw. IR-Heizstrahler eine entsprechende homogene Erwärmung der optischen Wirkfläche ermöglicht, welche dann im Zuge der mit der EUV-Strahlung 220 einhergehenden Erhöhung der mittleren Spiegeltemperatur entsprechend heruntergeregelt werden kann. Alternativ kann auch über die einzelnen, vom als Sektorheizer ausgestalteten IR-Strahlungsheizer Heizleistung in solcher Weise subtrahiert werden, dass insgesamt eine Senkung der mittleren Temperatur an der optischen Wirkfläche unter Beibehaltung des inhomogenen Heizprofils, welches über den thermischen Manipulator 210 bzw. IR-Strahlungsheizer eingebracht wird, erzielt wird. Dies kann z.B. über einen globalen Skalierungsfaktor S gemäß T S P 1 , , S P N + T euv ¯ = T init ¯

Figure DE102022114974A1_0002
erfolgen.According to the first embodiment, after estimating the average temperature on the optical effective surface of the mirror 200, the heating power can be regulated in such a way that this average temperature is kept constant during operation and the effect of EUV radiation 220 on the mirror 200. Alternatively, this can be done in such a way that the thermal manipulator 210 or IR heater enables a corresponding homogeneous heating of the optical effective surface, which can then be regulated down accordingly in the course of the increase in the average mirror temperature associated with the EUV radiation 220. Alternatively, heating power can also be subtracted from the individual IR radiation heater designed as a sector heater in such a way that overall there is a reduction in the average temperature on the optical effective surface while maintaining the inhomogeneous heating profile, which is introduced via the thermal manipulator 210 or IR radiation heater is achieved. This can be done, for example, using a global scaling factor S T S P 1 , , S P N + T euv ¯ = T init ¯
Figure DE102022114974A1_0002
take place.

Alternativ kann auch eine Linearkombination von je Sektor eingebrachten Heizleistungen bestimmt werden, die eine möglichst homogene Temperaturerhöhung erzeugt und dann für die erfindungsgemäße Regelung verwendet werden kann. Anstelle eines globalen Skalierungsfaktors können auch andere geeignete mathematische Ansätze zur Reduzierung der mittleren Temperatur an der optischen Wirkfläche verwendet werden.Alternatively, a linear combination of heating powers introduced per sector can also be determined, which generates the most homogeneous possible temperature increase and can then be used for the control according to the invention. Instead of a global scaling factor, other suitable mathematical approaches can also be used to reduce the average temperature at the optical effective surface.

Zur Realisierung des vorstehend beschriebenen, temperaturbasierten Regelungskonzepts auf Basis der mittleren Temperatur an der optischen Wirkfläche wird vorzugsweise bereits bei initialer Einstellung der Heizleistung des thermischen Manipulators 210 (im Wege einer Co-Optimierung der entsprechenden Merit-Funktion sowohl im Hinblick auf Kaltaberrationen als auch im Hinblick auf „Mirror Heating“) ein hinreichend großer Offset der mittleren Temperatur an der optischen Wirkfläche vorgehalten. Mit anderen Worten sollte die gemäß dem entsprechend „co-optimierten“ Sollwert für die Heizleistung initial resultierende (mittlere) Temperatur an der optischen Wirkfläche in jedem Sektor in der Regel größer sein als die maximal durch EUV-Strahlung 220 bewirkte Temperatur in diesem Sektor. In Einzelfällen kann es, insbesondere abhängig vom konkreten Ausdehnungsverhalten des optischen Elementes (Lage der ZCT) sinnvoll sein, mit weniger als der maximal durch EUV-Strahlung 220 bewirkten Temperatur zu heizen.In order to implement the temperature-based control concept described above based on the average temperature at the optical effective surface, the heating power of the thermal manipulator 210 is preferably already set during the initial setting (by means of a co-optimization of the corresponding merit function both with regard to cold aberrations and with regard to on “Mirror Heating”) a sufficiently large offset of the mean temperature is maintained on the optical effective surface. In other words, the (average) temperature initially resulting from the corresponding “co-optimized” setpoint for the heating power at the optical effective surface in each sector should generally be greater than the maximum temperature caused by EUV radiation 220 in this sector. In individual cases, particularly depending on the specific expansion behavior of the optical element (position of the ZCT), it may make sense to heat with less than the maximum temperature caused by EUV radiation 220.

Wie bereits erwähnt kann in weiteren Ausführungsformen das temperaturbasierte Regelungskonzept insofern erweitert werden, als die Temperatur für die einzelnen Sektoren 211, 212, 213, 214 an der optischen Wirkfläche gegenüber dem jeweiligen initialen Wert (d.h. der mit Betriebsaufnahme über den thermischen Manipulator 210 eingestellten Temperaturwert) zeitlich konstant gehalten wird. Damit wird nicht nur die mittlere Temperatur des Spiegels 200 zeitlich konstant gehalten, sondern es wird in erster Näherung auch die zur Korrektur der Kaltaberrationen gewünschte räumliche Temperaturverteilung konstant gehalten. Da typischerweise infolge von Randbedingungen im optischen System die Anzahl von in den Spiegel 200 integrierbaren Temperaturmesseinrichtungen 203a, 203b,... limitiert ist und mitunter N > K gilt (wobei N die Anzahl der Sektoren 211, 212,... und K die Anzahl der Temperaturmesseinrichtungen 203a, 203b,... bezeichnet), wird in Ausführungsformen der Erfindung vorzugsweise zusätzlich ein Beobachter 230 gemäß 2 eingesetzt, um anhand der Temperaturmesswerte sowie zusätzlich eines Prozessmodells die Temperaturverteilung in den einzelnen Sektoren 211, 212,... abzuschätzen. Die hierbei erreichbare Schätzgüte ist sowohl abhängig von der Qualität des Prozessmodells als auch der Kenntnis der Eingangssignale. Zur Verbesserung der Schätzgüte kann auch die EUV-Last (als signifikante Wärmelast) dem Beobachter 230 zugeführt werden.As already mentioned, in further embodiments, the temperature-based control concept can be expanded to the extent that the temperature for the individual sectors 211, 212, 213, 214 on the optical effective surface is compared to the respective initial value (ie the temperature value set via the thermal manipulator 210 upon start of operation) is kept constant over time. This not only keeps the average temperature of the mirror 200 constant over time, but also, in a first approximation, the spatial temperature distribution desired to correct the cold aberrations is kept constant. Since typically due to boundary conditions in the optical system, the number of temperature measuring devices 203a, 203b,... that can be integrated into the mirror 200 is limited and sometimes N > K applies (where N is the number of sectors 211, 212,... and K is the number the temperature measuring devices 203a, 203b,...), in embodiments of the invention, an observer 230 according to is preferably additionally used 2 used to estimate the temperature distribution in the individual sectors 211, 212,... based on the temperature measurements and also a process model. The quality of the estimate that can be achieved depends on both the quality of the process model and the knowledge of the input signals. To improve the quality of the estimation, the EUV load (as a significant heat load) is supplied to the observer 230.

In weiteren Ausführungsformen kann die erfindungsgemäße Regelung der über den thermischen Manipulator 210 in das optische Element bzw. den Spiegel 200 im Betrieb eingekoppelten Heizleistung auch wellenfrontbasiert erfolgen, d.h. das über den - wiederum insbesondere als Sektorheizer ausgestalteten - thermischen Manipulator 210 eingestellte Heizprofil wird direkt hinsichtlich der durch den Spiegel 200 bzw. das zugehörige optische System erzeugten Wellenfront optimiert. Dabei kann die jeweilige Erfassung bzw. Abschätzung der aktuellen Wellenfrontwirkung unter Verwendung eines (z.B. im Bereich der Waferstage angeordneten) Wellenfrontsensors sowie vorzugsweise unter zusätzlicher Heranziehung eines Feed-Forward-Modells erfolgen. Da bei diesem wellenfrontbasierten Ansatz nicht das Ziel verfolgt wird, die initiale (d.h. mit Betriebsaufnahme bzw. zu Beginn der Beaufschlagung des Spiegels 200 mit Nutzlicht bzw. EUV-Strahlung 220 eingestellte) Temperaturverteilung gemäß dem insbesondere zur Korrektur der Kaltaberrationen eingestellten Sollwert für die Heizleistung konstant zu halten, sondern das Ziel verfolgt wird, direkt die Wellenfrontwirkung des Spiegels konstant zu halten, können deutliche Abweichungen von der initialen Temperaturverteilung entstehen.In further embodiments, the control according to the invention of the heating power coupled into the optical element or the mirror 200 during operation can also be carried out on a wavefront basis, i.e. the heating profile set via the thermal manipulator 210 - again designed in particular as a sector heater - is directly adjusted with regard to the optimized by the wave front generated by the mirror 200 or the associated optical system. The respective detection or estimation of the current wavefront effect can be carried out using a wavefront sensor (e.g. arranged in the area of the wafer stage) and preferably with the additional use of a feed-forward model. Since the aim of this wavefront-based approach is not to keep the initial temperature distribution constant (i.e. set at the start of operation or at the beginning of exposure of the mirror 200 with useful light or EUV radiation 220) in accordance with the setpoint for the heating power, which is set in particular to correct the cold aberrations Instead, the goal is to keep the wavefront effect of the mirror constant, significant deviations from the initial temperature distribution can occur.

Die entsprechende wellenfrontbasierte Optimierung kann durch Minimierung einer Merit-Funktion erfolgen, bei welcher für eine vorgegebene Störung 5, eine Wellenfrontwirkung l ( x )

Figure DE102022114974A1_0003
der Position und Orientierung der optischen Elemente x ,
Figure DE102022114974A1_0004
eine weitere Wellenfrontwirkung f ( h )
Figure DE102022114974A1_0005
des thermischen Manipulators bzw. Sektorheizers, sowie eine über diesen thermischen Manipulator eingestellte (Heizleistungs-)Amplitude h
Figure DE102022114974A1_0006
über eine Gewichtungs-Metrik D ein skalarer Wert zugeordnet wird. Die wellenfrontbasierte Optimierung entspricht dann einer Minimierung dieser Merit-Funktion gemäß x * , h * = argmin x , h D ( S + l ( x ) + f ( h ) ) .
Figure DE102022114974A1_0007
The corresponding wavefront-based optimization can be carried out by minimizing a merit function, in which for a given disturbance 5, a wavefront effect l ( x )
Figure DE102022114974A1_0003
the position and orientation of the optical elements x ,
Figure DE102022114974A1_0004
another wavefront effect f ( H )
Figure DE102022114974A1_0005
of the thermal manipulator or sector heater, as well as a (heating power) amplitude set via this thermal manipulator H
Figure DE102022114974A1_0006
A scalar value is assigned via a weighting metric D. The wavefront-based optimization then corresponds to a minimization of this merit function x * , H * = argmin x , H D ( S + l ( x ) + f ( H ) ) .
Figure DE102022114974A1_0007

Erfindungsgemäß wird nun diese Merit-Funktion zur transienten, wellenfrontbasierten „Co-Optimierung“ durch Vorhersage der durch den thermischen Manipulator bzw. Sektorheizer eingebrachten Wellenfrontwirkung f(h) und der durch „Mirror Heating“ infolge EUV-Last induzierten Aberrationen Z ( h , t ) F F , M H

Figure DE102022114974A1_0008
erweitert: x * ( t ) , h * ( t ) = argmin x , h D ( S + l ( x ) + f ( h ) + Z ( h , t ) F F , M H )
Figure DE102022114974A1_0009
According to the invention, this merit function now becomes a transient, wavefront-based “co-optimization” by predicting the wavefront effect f(h) introduced by the thermal manipulator or sector heater and the aberrations induced by “mirror heating” as a result of EUV load Z ( H , t ) F F , M H
Figure DE102022114974A1_0008
expanded: x * ( t ) , H * ( t ) = argmin x , H D ( S + l ( x ) + f ( H ) + Z ( H , t ) F F , M H )
Figure DE102022114974A1_0009

Die Störung 5 kann hierbei insbesondere über eine initiale Wellenfrontmessung bestimmt und anhand weiterer Wellenfrontmessungen wiederholt aktualisiert werden. Alternativ kann die Störung 5 auch durch Simulationen ermittelt werden. Die Verzögerung des Aufheiz- und Abkühlverhaltens des Sektorheizers kann in der Optimierung berücksichtigt werden. Ein Feed-Forward-Modell kann dazu genutzt werden, die jeweilige Wellenfrontwirkung auch zwischen den jeweiligen Wellenfrontmessungen vorherzusagen. Des Weiteren kann das Feed-Forward-Modell auch für eine modellbasierte prädiktive Regelung verwendet werden, um die über den thermischen Manipulator bzw. Sektorheizer eingebrachte Heizleistung bei einem anstehenden Setting-Wechsel bereits auf die neue EUV-Last vorzubereiten.The disturbance 5 can be determined in particular via an initial wavefront measurement and updated repeatedly using further wavefront measurements. Alternatively, fault 5 can also be determined through simulations. The delay in the heating and cooling behavior of the sector heater can be taken into account in the optimization. A feed-forward model can be used to predict the respective wavefront effect between the respective wavefront measurements. Furthermore, the feed-forward model can also be used for model-based predictive control in order to prepare the heating power introduced via the thermal manipulator or sector heater for the new EUV load when a setting change is pending.

Wenn die Erfindung auch anhand spezieller Ausführungsformen beschrieben wurde, erschließen sich für den Fachmann zahlreiche Variationen und alternative Ausführungsformen, z.B. durch Kombination und/oder Austausch von Merkmalen einzelner Ausführungsformen. Dementsprechend versteht es sich für den Fachmann, dass derartige Variationen und alternative Ausführungsformen von der vorliegenden Erfindung mit umfasst sind, und die Reichweite der Erfindung nur im Sinne der beigefügten Patentansprüche und deren Äquivalente beschränkt ist.Although the invention has also been described using specific embodiments, numerous variations and alternative embodiments will become apparent to those skilled in the art, for example by combining and/or exchanging features of individual embodiments. Accordingly, it will be understood by those skilled in the art that such variations and alternative embodiments are intended to be encompassed by the present invention, and the scope of the invention is limited only in terms of the appended claims and their equivalents.

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Zitierte PatentliteraturCited patent literature

  • DE 102019219289 A1 [0008, 0014, 0015, 0049]DE 102019219289 A1 [0008, 0014, 0015, 0049]

Claims (16)

Verfahren zum Heizen eines optischen Elements in einem optischen System, insbesondere einer mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage, - wobei in das optische Element (200) zur Erzeugung einer thermisch induzierten Deformation eine Heizleistung unter Verwendung eines thermischen Manipulators (210) eingebracht wird; - wobei diese Heizleistung vor Aufnahme eines Betriebs des optischen Systems, in welchem Nutzlicht auf das optische Element (200) trifft, im Hinblick auf einen Sollzustand des optischen Elements eingestellt wird, in welchem eine erste optische Aberration wenigstens teilweise kompensiert wird; und - wobei nach Aufnahme des Betriebs des optischen Systems eine Regelung der Heizleistung auf den Sollzustand in Abhängigkeit von der Wärmelast des auf das optische Element treffenden Nutzlichts (220) erfolgt.Method for heating an optical element in an optical system, in particular a microlithographic projection exposure system, - wherein a heating power is introduced into the optical element (200) to produce a thermally induced deformation using a thermal manipulator (210); - wherein this heating power is adjusted before starting operation of the optical system, in which useful light hits the optical element (200), with regard to a target state of the optical element, in which a first optical aberration is at least partially compensated; and - After the optical system has started operating, the heating output is regulated to the desired state depending on the heat load of the useful light (220) striking the optical element. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die erste optische Aberration wenigstens teilweise fertigungs- oder justagebedingt ist.Procedure according to Claim 1 , characterized in that the first optical aberration is at least partially due to manufacturing or adjustment. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass die Einstellung der Heizleistung vor Aufnahme des Betriebs des optischen Systems unter zusätzlicher Berücksichtigung der jeweiligen Auswirkung der Heizleistung auf eine zweite optische Aberration erfolgt, die durch im nachfolgenden Betrieb des optischen Systems auf das optische Element (200) treffendes Nutzlicht bewirkt wird.Procedure according to Claim 1 or 2 , characterized in that the heating power is adjusted before the optical system begins to operate, taking into account the respective effect of the heating power on a second optical aberration, which is caused by useful light striking the optical element (200) during the subsequent operation of the optical system . Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, dass die Regelung der Heizleistung nach Aufnahme des Betriebs des optischen Systems auf Basis wenigstens einer unter Verwendung wenigstens einer Temperaturmesseinrichtung (203a, 203b) gemessenen Temperatur erfolgt.Procedure according to one of the Claims 1 until 3 , characterized in that the heating power is regulated after the optical system has started operating on the basis of at least one temperature measured using at least one temperature measuring device (203a, 203b). Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Regelung der Heizleistung nach Aufnahme des Betriebs des optischen Systems auf Basis wenigstens einer unter Verwendung wenigstens einer Temperaturmesseinrichtung (203a, 203b) abgeschätzten mittleren Temperatur an der optischen Wirkfläche des optischen Elements (200) erfolgt.Method according to one of the preceding claims, characterized in that the heating power is regulated after operation of the optical system has started on the basis of at least one average temperature on the optical effective surface of the optical element (200) estimated using at least one temperature measuring device (203a, 203b). . Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Regelung der Heizleistung nach Aufnahme des Betriebs des optischen Systems auf Basis einer unter Verwendung einer oder mehrerer Temperaturmesseinrichtungen (203a, 203b) abgeschätzten Temperaturverteilung an der optischen Wirkfläche des optischen Elements (200) erfolgt.Method according to one of the preceding claims, characterized in that the heating power is regulated after the optical system has started operating on the basis of a temperature distribution on the optical effective surface of the optical element (200) estimated using one or more temperature measuring devices (203a, 203b). Verfahren nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, dass die Abschätzung der Temperaturverteilung an der optischen Wirkfläche des optischen Elements (200) aus von den Temperaturmesseinrichtungen (203a, 203b) gelieferten Messsignalen unter Verwendung eines Beobachters (230) anhand eines Modells erfolgt.Procedure according to Claim 6 , characterized in that the temperature distribution on the optical effective surface of the optical element (200) is estimated from measurement signals supplied by the temperature measuring devices (203a, 203b) using an observer (230) based on a model. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Regelung der Heizleistung nach Aufnahme des Betriebs des optischen Systems auf Basis einer unter Verwendung wenigstens eines Wellenfrontsensors abgeschätzten Wellenfrontwirkung des optischen Elements (200) erfolgt.Method according to one of the preceding claims, characterized in that the heating power is regulated after operation of the optical system has started on the basis of a wavefront effect of the optical element (200) estimated using at least one wavefront sensor. Verfahren nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, dass die Abschätzung der Wellenfrontwirkung des optischen Elements (200) aus von dem wenigstens einen Wellenfrontsensor gelieferten Sensorsignalen anhand eines Feed-Forward-Modells erfolgt.Procedure according to Claim 8 , characterized in that the wavefront effect of the optical element (200) is estimated from sensor signals supplied by the at least one wavefront sensor using a feed-forward model. Verfahren nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, dass die Abschätzung der Wellenfrontwirkung des optischen Elements (200) aus Sollwerten für die von dem thermischen Manipulator eingestellte Heizleistung anhand eines Feed-Forward-Modells erfolgt.Procedure according to Claim 8 , characterized in that the wavefront effect of the optical element (200) is estimated from target values for the heating power set by the thermal manipulator using a feed-forward model. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass das optische Element (200) ein Spiegel ist.Method according to one of the preceding claims, characterized in that the optical element (200) is a mirror. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass das optische Element (200) für eine Arbeitswellenlänge von weniger als 400 nm, insbesondere weniger als 250 nm, weiter insbesondere weniger als 200 nm, ausgelegt ist.Method according to one of the preceding claims, characterized in that the optical element (200) is designed for a working wavelength of less than 400 nm, in particular less than 250 nm, more particularly less than 200 nm. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass das optische Element (200) für eine Arbeitswellenlänge von weniger als 30 nm, insbesondere weniger als 15 nm, ausgelegt ist.Method according to one of the preceding claims, characterized in that the optical element (200) is designed for a working wavelength of less than 30 nm, in particular less than 15 nm. Optisches System, insbesondere einer mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage, mit • wenigstens einem optischen Element (200); • einem thermischen Manipulator (210) zum Heizen dieses optischen Elements (200); und • einer Regelungseinheit zur Regelung der durch den thermischen Manipulator (210) in das optische Element (200) eingebrachten Heizleistung, • wobei diese Regelung auf Basis eines Sollzustandes, in welchem eine erste optische Aberration wenigstens teilweise kompensiert wird, und in Abhängigkeit von der Wärmelast des auf das optische Element (200) treffenden Nutzlichts erfolgt.Optical system, in particular a microlithographic projection exposure system, with at least one optical element (200); • a thermal manipulator (210) for heating this optical element (200); and • a control unit for controlling the heating power introduced into the optical element (200) by the thermal manipulator (210), • this control being based on a target state in which a first optical aberration is at least partially compensated, and depending on the heat load of the useful light striking the optical element (200). Optisches System nach Anspruch 14, dadurch gekennzeichnet, dass die erste optische Aberration wenigstens teilweise fertigungs- oder justagebedingt ist.Optical system according to Claim 14 , characterized in that the first optical aberration is at least partially due to manufacturing or adjustment. Optisches System nach Anspruch 14 oder 15, dadurch gekennzeichnet, dass dieses dazu konfiguriert ist, ein Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 13 durchzuführen.Optical system according to Claim 14 or 15 , characterized in that it is configured to implement a method according to one of the Claims 1 until 13 to carry out.
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Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE10140208A1 (en) 2001-08-16 2003-03-13 Zeiss Carl Optical arrangement
DE102010041528A1 (en) 2010-09-28 2012-03-29 Carl Zeiss Smt Gmbh Projection exposure system with optimized adjustment option
DE102012212757A1 (en) 2012-07-20 2014-01-23 Carl Zeiss Smt Gmbh METHOD FOR OPERATING A MICROLITHOGRAPHIC PROJECTION EXPOSURE PLANT
DE102015201020A1 (en) 2015-01-22 2016-07-28 Carl Zeiss Smt Gmbh Projection exposure apparatus with manipulator and method for controlling a projection exposure apparatus
DE102017200934A1 (en) 2017-01-20 2017-03-23 Carl Zeiss Smt Gmbh Method for operating a manipulator of a projection exposure apparatus
DE102019219289A1 (en) 2019-12-11 2021-06-17 Carl Zeiss Smt Gmbh Optical system, as well as heating arrangement and method for heating an optical element in an optical system

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE10140208A1 (en) 2001-08-16 2003-03-13 Zeiss Carl Optical arrangement
DE102010041528A1 (en) 2010-09-28 2012-03-29 Carl Zeiss Smt Gmbh Projection exposure system with optimized adjustment option
DE102012212757A1 (en) 2012-07-20 2014-01-23 Carl Zeiss Smt Gmbh METHOD FOR OPERATING A MICROLITHOGRAPHIC PROJECTION EXPOSURE PLANT
DE102015201020A1 (en) 2015-01-22 2016-07-28 Carl Zeiss Smt Gmbh Projection exposure apparatus with manipulator and method for controlling a projection exposure apparatus
DE102017200934A1 (en) 2017-01-20 2017-03-23 Carl Zeiss Smt Gmbh Method for operating a manipulator of a projection exposure apparatus
DE102019219289A1 (en) 2019-12-11 2021-06-17 Carl Zeiss Smt Gmbh Optical system, as well as heating arrangement and method for heating an optical element in an optical system

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