DE102013215197A1 - Extreme UV (EUV) projection exposure system used for microlithography process, has control unit that controls heating/cooling device, so that absolute constant temperature profile is adjustable in partial region of mirrors - Google Patents
Extreme UV (EUV) projection exposure system used for microlithography process, has control unit that controls heating/cooling device, so that absolute constant temperature profile is adjustable in partial region of mirrors Download PDFInfo
- Publication number
- DE102013215197A1 DE102013215197A1 DE201310215197 DE102013215197A DE102013215197A1 DE 102013215197 A1 DE102013215197 A1 DE 102013215197A1 DE 201310215197 DE201310215197 DE 201310215197 DE 102013215197 A DE102013215197 A DE 102013215197A DE 102013215197 A1 DE102013215197 A1 DE 102013215197A1
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- optical element
- temperature
- heat
- projection exposure
- heating
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Ceased
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/70858—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature
- G03F7/70883—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature of optical system
- G03F7/70891—Temperature
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F24—HEATING; RANGES; VENTILATING
- F24H—FLUID HEATERS, e.g. WATER OR AIR HEATERS, HAVING HEAT-GENERATING MEANS, e.g. HEAT PUMPS, IN GENERAL
- F24H2250/00—Electrical heat generating means
Landscapes
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Atmospheric Sciences (AREA)
- Toxicology (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Environmental & Geological Engineering (AREA)
- Epidemiology (AREA)
- Public Health (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
Description
HINTERGRUND DER ERFINDUNGBACKGROUND OF THE INVENTION
GEBIET DER ERFINDUNGFIELD OF THE INVENTION
Die vorliegende Erfindung betrifft eine Projektionsbelichtungsanlage für die Mikrolithographie, insbesondere eine EUV-Projektionsbelichtungsanlage mit mindestens einem optischen Element und mindestens einer dem optischen Element zugeordneten Temperiereinrichtung, welche das optische Element zumindest teilweise beheizen und/oder kühlen kann, und mit einer Steuer- und/oder Regelungseinrichtung zur Steuerung und/oder Regelung der Temperiereinrichtung. Die vorliegende Erfindung betrifft weiterhin ein Verfahren zum Betrieb einer derartigen Projektionsbelichtungsanlage.The present invention relates to a projection exposure apparatus for microlithography, in particular an EUV projection exposure apparatus having at least one optical element and at least one tempering device associated with the optical element, which at least partially heat and / or cool the optical element, and with a control and / or Control device for controlling and / or regulating the tempering device. The present invention further relates to a method for operating such a projection exposure apparatus.
STAND DER TECHNIKSTATE OF THE ART
Projektionsbelichtungsanlagen für die Mikrolithographie werden für die Herstellung von mikrostrukturierten oder nanostrukturierten Bauteilen der Elektrotechnik oder der Mikrostrukturtechnik eingesetzt, wobei die entsprechenden Strukturen, die in einem Retikel ausgebildet sind, mittels der Projektionsbelichtungsanlage verkleinert abgebildet werden, zum Beispiel auf einem mit einem Fotolack versehenen Silizium-Wafer. Microlithographic projection exposure apparatuses are used for the production of microstructured or nanostructured components in electrical engineering or microstructure technology, wherein the corresponding structures formed in a reticle are reduced in size by means of the projection exposure apparatus, for example on a silicon wafer provided with a photoresist ,
Durch die zunehmende Miniaturisierung der Strukturen werden die Projektionsbelichtungsanlagen zunehmend mit Licht, d. h. elektromagnetischer Strahlung, mit kleinen Wellenlängen betrieben, wie beispielsweise mit Licht im extrem ultravioletten Wellenlängenspektrum, beispielsweise mit einer Wellenlänge von 13,5 Nanometer. As a result of the increasing miniaturization of the structures, the projection exposure systems are becoming increasingly associated with light, i. H. electromagnetic radiation, operated at small wavelengths, such as with light in the extreme ultraviolet wavelength spectrum, for example, with a wavelength of 13.5 nanometers.
Bei derartigen Anlagen können bereits kleinste Umgebungseinflüsse oder Änderungen des vorgesehenen Anlagendesigns zu erheblichen Einschränkungen bei der Abbildungsqualität führen. So können bereits geringste Temperaturschwankungen und damit einhergehende Änderungen der Form und/oder Dimensionen der in der Projektionsbelichtungsanlage verwendeten optischen Elemente sowie durch Temperaturdifferenzen in den optischen Elementen eingebrachte Verspannungen und Verformungen zu erheblichen Beeinträchtigungen der Abbildungsqualität führen. Entsprechend muss sichergestellt werden, dass derartige negative Einflüsse vermieden werden.In such systems, even the smallest environmental influences or changes in the proposed system design can lead to significant limitations in the imaging quality. Thus, even the slightest temperature fluctuations and concomitant changes in the shape and / or dimensions of the optical elements used in the projection exposure apparatus as well as distortions and deformations introduced by temperature differences in the optical elements can lead to considerable impairment of the imaging quality. Accordingly, it must be ensured that such negative influences are avoided.
Beispielsweise ist es bekannt, dass während des Betriebs einer Projektionsbelichtungsanlage durch die Strahlungsbelastung der optischen Elemente mit dem in der Projektionsbelichtungsanlage verwendeten Nutzlicht entsprechende Temperaturänderungen und/oder Temperaturdifferenzen in die optischen Elemente eingebracht werden können, was zu verschlechterten Abbildungseigenschaften führen kann. Um diesen Fehler zu beheben, ist es aus dem Stand der Technik bekannt, optische Elemente von Projektionsbelichtungsanlagen zu beheizen. Üblicherweise wird hierzu eine Strahlungsheizung vorgesehen, welche das optische Element mit Heizlicht bestrahlt, wie beispielsweise Infrarotstrahlung, die komplementär zu der Bestrahlung mit Nutzlicht ist. Die Idee dahinter ist, dass durch die komplementäre Heizstrahlung eine homogene Temperaturbelastung erzielt werden soll.For example, it is known that during the operation of a projection exposure apparatus by the radiation exposure of the optical elements with the useful light used in the projection exposure system corresponding temperature changes and / or temperature differences can be introduced into the optical elements, which can lead to deteriorated imaging properties. To remedy this error, it is known from the prior art to heat optical elements of projection exposure equipment. Usually for this purpose, a radiant heater is provided, which irradiates the optical element with heating light, such as infrared radiation, which is complementary to the irradiation with useful light. The idea behind this is that a homogeneous temperature load should be achieved by the complementary heating radiation.
Obwohl damit bereits Verbesserungen in der Abbildungsqualität erreicht werden können, sind weitere Anstrengungen zur Verbesserung der Abbildungsqualität und Abbildungsgenauigkeit erforderlich. Although improvements in imaging quality can already be achieved with this, further efforts are required to improve the imaging quality and imaging accuracy.
OFFENBARUNG DER ERFINDUNGDISCLOSURE OF THE INVENTION
AUFGABE DER ERFINDUNGOBJECT OF THE INVENTION
Es ist deshalb Aufgabe der vorliegenden Erfindung eine Projektionsbelichtungsanlage bereitzustellen, bei der die Abbildungsqualität und Abbildungsgenauigkeit weiter verbessert werden kann, wobei die Projektionsbelichtungsanlage gleichzeitig einfach aufgebaut und einfach betreibbar sein soll.It is therefore an object of the present invention to provide a projection exposure apparatus in which the image quality and imaging accuracy can be further improved, wherein the projection exposure system should be simple and easy to operate at the same time.
TECHNISCHE LÖSUNGTECHNICAL SOLUTION
Diese Aufgabe wird gelöst durch eine Projektionsbelichtungsanlage mit den Merkmalen des Anspruchs 1 sowie ein Verfahren zum Betreiben einer Projektionsbelichtungsanlage mit den Merkmalen der Ansprüche 6 oder 9. Vorteilhafte Ausgestaltungen sind Gegenstand der abhängigen Ansprüche. This object is achieved by a projection exposure apparatus having the features of claim 1 and a method for operating a projection exposure apparatus having the features of claims 6 or 9. Advantageous embodiments are the subject of the dependent claims.
Die Erfindung geht aus von der Erkenntnis, dass die entscheidende Größe nicht ein homogener Wärmeeintrag in das einzelne optische Element einer Projektionsbelichtungsanlage bestehend aus dem Wärmeeintrag durch das Nutzlicht und dem zusätzlichen komplementären Wärmeeintrag durch eine Heizeinrichtung ist, sondern dass der Wärmeeintrag und/oder eine Kühlung durch eine Temperiereinrichtung darauf abgestellt werden muss, dass eine konstante Temperatur in zumindest einem Teilbereich des optischen Elements oder ein Temperaturprofil in zumindest einem Teilbereich des optischen Elements eingestellt wird. Entsprechend wird bei der erfindungsgemäßen Projektionsbelichtungsanlage für die Mirkolithographie mindestens ein optisches Element vorgesehen, welchem mindestens eine Temperiereinrichtung zugeordnet ist, die das optische Element zumindest teilweise beheizen und/oder kühlen kann und wobei zusätzlich eine Steuer- und/oder Regelungseinrichtung zur Steuerung und/oder Regelung der Temperiereinrichtung vorgesehen ist, die so ausgebildet ist, dass sie zusammen mit der Temperiereinrichtung zumindest in einem Teilbereich des optischen Elements eine örtlich im Wesentlichen konstante Temperatur oder ein örtliches Temperaturprofil einstellen kann. Dabei wird jedoch die Gesamtenergiebilanz des jeweiligen optischen Elements berücksichtigt, also möglichst alle Wärmezuflüsse und Wärmeabflüsse zu oder von dem optischen Element, die neben dem Nutzlicht und der Temperiereinrichtung auch durch Umgebungseinflüsse erfolgen. Beispielsweise wird bei einer kalten Umgebungstemperatur das optische Element Wärme an die Umgebung abgeben, was entsprechend berücksichtigt werden muss. In gleicher Weise müsste umgekehrt eine Wärmeabgabe an das optische Element durch eine wärmere Umgebung berücksichtigt werden. Zudem sind geometrische Einflüsse auf die Energiebilanz ebenfalls einzubeziehen. So wird beispielsweise der Rand des optischen Elements bei Wärmeabgabe an die Umgebung eine stärkere Temperaturabsenkung erfahren als ein mittlerer Bereich eines optischen Elements.The invention is based on the recognition that the decisive variable is not a homogeneous heat input into the individual optical element of a projection exposure system consisting of the heat input by the useful light and the additional complementary heat input by a heater, but that the heat input and / or cooling by A tempering device must be set up so that a constant temperature is set in at least a partial area of the optical element or a temperature profile in at least a partial area of the optical element. Accordingly, at least one optical element is provided in the projection exposure apparatus according to the invention for micro-lithography, which is associated with at least one tempering, which at least partially heat and / or cool the optical element and additionally wherein a control and / or regulating device for controlling and / or regulating the tempering is provided, which is designed so that they together with the Tempering device can set a locally substantially constant temperature or a local temperature profile at least in a partial region of the optical element. In this case, however, the total energy balance of the respective optical element is taken into account, that is, as far as possible all heat inflows and outflows to or from the optical element, which take place in addition to the useful light and the tempering by environmental influences. For example, at a cold ambient temperature, the optical element will release heat to the environment, which must be taken into account accordingly. In the same way, conversely, a heat transfer to the optical element would have to be taken into account by a warmer environment. In addition, geometric influences on the energy balance must also be included. Thus, for example, the edge of the optical element will experience a greater temperature reduction when heat is released to the environment than a central region of an optical element.
Dies bedeutet, dass bei der Einstellung einer örtlich konstanten Temperatur, also derselben Temperatur über einen bestimmten Flächenbereich des optischen Elements hinweg, die Temperiereinrichtung so betrieben wird, dass neben dem Wärmeeintrag durch das Nutzlicht der Projektionsbelichtungsanlage das entsprechende optische Element genauso viel gekühlt und/oder beheizt wird, dass sich unter Berücksichtigung der Gesamtwärmebilanz des optischen Elements eine konstante Temperatur zumindest in einem Teilbereich des optischen Elements, vorzugsweise jedoch über das gesamte optische Element einstellt. Es wird somit nicht nur darauf geachtet, eine gleichmäßige Wärmemenge in das optische Element einzubringen, wie dies der Fall ist, wenn eine zu einer Strahlungserwärmung durch Nutzlicht komplementäre Beheizung des optischen Elements vorgenommen wird. Stattdessen werden zusätzliche Umgebungseinflüsse, wie Randabkühlung und dergleichen berücksichtigt. This means that when setting a locally constant temperature, ie the same temperature across a certain surface area of the optical element, the tempering is operated so that in addition to the heat input by the useful light of the projection exposure system, the corresponding optical element cooled and / or heated as much is that, taking into account the total heat balance of the optical element, a constant temperature at least in a partial region of the optical element, but preferably sets over the entire optical element. It is thus not only ensured to introduce a uniform amount of heat in the optical element, as is the case when a heating of the optical element complementary to a radiation heating by the use of useful light is made. Instead, additional environmental influences such as edge cooling and the like are taken into account.
Darüber hinaus kann es jedoch auch sinnvoll sein, statt einer örtlich konstanten Temperatur, d.h. einer einheitlich gleichen Temperatur des optischen Elements über das gesamte optische Element hinweg, ein örtliches Temperaturprofil einzustellen, bei dem die Temperatur sich über das optische Element in einer definierten Art und Weise ändert. Auch dies kann entsprechend der Erfindung verwirklicht werden, wobei wiederum sämtliche Einflüsse auf den Wärmehaushalt des optischen Elements berücksichtigt werden. In addition, however, it may also be appropriate to use, instead of a locally constant temperature, i. at a uniform temperature of the optical element throughout the optical element, to set a local temperature profile at which the temperature changes across the optical element in a defined manner. This too can be realized according to the invention, again taking into account all the influences on the heat balance of the optical element.
Sowohl bei einer örtlich konstanten Temperatur als auch einem örtlichen Temperaturprofil ist zusätzlich die Zeitkomponente zu berücksichtigen. Bei einer örtlich konstanten Temperatur wird üblicherweise davon ausgegangen, dass die Temperatur auch im Zeitverlauf konstant auf demselben Wert gehalten werden soll, also weder angehoben noch abgesenkt werden soll. Es wird also üblicherweise ein stationärer Zustand betrachtet, der nach dem Anfahren der Anlage beibehalten werden soll. Both at a locally constant temperature and a local temperature profile, the time component must also be taken into account. At a locally constant temperature, it is usually assumed that the temperature should also be kept constant at the same value over time, ie neither raised nor lowered. It is therefore usually considered a steady state, which should be maintained after starting the system.
Dies gilt zunächst auch für ein örtliches Temperaturprofil, das eingestellt werden soll. Bei einem örtlichen Temperaturprofil gilt es jedoch noch zu beachten, dass das Temperaturprofil an sich, also die örtliche Verteilung der Temperaturunterschiede, sich ändern könnte, ohne dass sich das Grundniveau, also beispielsweise die niedrigste oder höchste Temperatur oder die Durchschnittstemperatur, an sich ändern würde. Darüber hinaus ist zudem eine Änderung des Grundniveaus, also der absolut höchsten oder niedrigsten Temperatur oder der Durchschnittstemperatur möglich. Dies bedeutet, die Form des Temperaturprofils mit den relativen Temperaturschwankungen über das optische Element könnte gleich bleiben, während die Temperaturwerte an sich schwanken könnten. Normalerweise wird bei einem nicht stationären Zustand sowohl ein Änderung der Profilform als auch der absoluten Temperaturwerte stattfinden. This also applies initially to a local temperature profile that is to be set. At a local temperature profile, however, it should be noted that the temperature profile per se, ie the local distribution of the temperature differences, could change without the basic level, for example the lowest or highest temperature or the average temperature, changing per se. In addition, a change in the basic level, ie the absolute highest or lowest temperature or the average temperature is possible. This means that the shape of the temperature profile with the relative temperature variations across the optical element could remain the same while the temperature values themselves could vary. Normally, in a non-steady state, both a change in profile shape and absolute temperature values will occur.
Selbst wenn sich das Grundniveau des Temperaturprofils jedoch nicht ändert, sind Variationen des Profils über der Zeit nicht erwünscht, da Änderungen in der Temperaturverteilung des optischen Elements zu Eigenspannungen führen können, die vermieden werden sollten. Entsprechend ist im Normalfall weder eine Veränderung der Form noch des Grundniveaus des Temperaturprofils erwünscht. Bei einem derartig örtlich und zeitlich bezogen auf das Grundniveau und die Profilform konstanten Temperaturprofil wird im Folgenden von einem absolut konstanten Temperaturniveau gesprochen.However, even if the base level of the temperature profile does not change, variations in the profile over time are undesirable because changes in the temperature distribution of the optical element can lead to residual stresses that should be avoided. Accordingly, neither a change in shape nor the basic level of the temperature profile is desired in the normal case. In such a locally and temporally related to the base level and the profile shape constant temperature profile is spoken in the following of an absolutely constant temperature level.
Es kann aber bereits auch vorteilhaft sein, wenn das Temperaturprofil nur bezüglich der Form, also der relativen örtlichen Verteilung der Temperatur über dem optischen Element über den Zeitverlauf konstant gehalten wird, da durch die Vermeidung von Veränderungen der Form des Temperaturprofils über dem optischen Element im Verlauf der Zeit unkontrollierte Temperaturänderungen von einem Bereich des optischen Elements zum anderen Bereich des optischen Elements und dadurch induzierte Spannungen vermieden werden können. Hierbei kann es vorteilhaft sein, wenn das Temperaturniveau mit der Zeit geändert wird, ohne die relativen örtlichen Verhältnisse zu verändern. Beispielsweise könnte die Temperatur des optischen Elements mit zunehmender Strahlungsbelastung lokal zunehmen, so dass zur Beibehaltung der Form des Temperaturprofils auch die übrigen Bereiche auf eine höhere Temperatur gebracht werden. In diesem Fall wird im Folgenden von einem zeitlich relativ konstanten Temperaturprofil gesprochen. However, it may also be advantageous if the temperature profile is kept constant only with respect to the shape, ie the relative local distribution of the temperature over the optical element over time, since by avoiding changes in the shape of the temperature profile over the optical element in the course the time uncontrolled temperature changes from one region of the optical element to the other region of the optical element and thereby induced voltages can be avoided. It may be advantageous here if the temperature level is changed over time without changing the relative local conditions. For example, the temperature of the optical element could increase locally with increasing radiation load, so that the remaining regions are brought to a higher temperature in order to maintain the shape of the temperature profile. In this case, a temporally relatively constant temperature profile is discussed below.
Darüber hinaus kann bei einer derartigen Projektionsbelichtungsanlage die örtlich konstante Temperatur oder das zeitlich relativ konstante Temperaturprofil verstellt werden. Damit ist eine Erhöhung oder Absenkung der absoluten Temperatur gemeint. Bei einem zeitlich relativ konstanten Temperaturprofil kann die Absenkung oder Erhöhung der Temperatur so erfolgen, dass das Temperaturprofil zumindest über einem bestimmten Teilbereich des optischen Elements zeitlich relativ konstant bleibt, d.h. die relativen Verhältnisse der Temperaturen in dem Temperaturprofil bleiben gleich, während die absoluten Temperaturen erhöht oder abgesenkt werden können. Dies bedeutet, die Temperaturgradienten bleiben konstant, auch wenn die absoluten Temperaturen geändert werden. In addition, in such a projection exposure system, the locally constant temperature or the temporally relatively constant temperature profile can be adjusted. This means an increase or decrease of the absolute temperature. With a temporally relatively constant temperature profile, the decrease or increase in the temperature can take place such that the temperature profile remains relatively constant in time over at least a certain portion of the optical element, ie the relative ratios of the temperatures in the temperature profile remain the same, while the absolute temperatures increase can be lowered. This means that the temperature gradients remain constant, even if the absolute temperatures are changed.
Durch die Einstellbarkeit eines zeitlich relativ oder absolut konstanten Temperaturprofils, welches den Fall einer örtlich konstanten Temperatur als Spezialfall eines Temperaturprofils mit einschließt, kann eine gleichbleibende oder nahezu gleichbleibende Abbildungsqualität über der Betriebsdauer der Projektionsbelichtungsanlage gewährleistet werden, da bei zunehmender Erwärmung des optischen Elements durch das Nutzlicht das Temperaturprofil des optischen Elements zumindest in einem Teilbereich relativ oder absolut konstant gehalten werden kann. Dadurch lässt sich über zumindest einem Teilbereich des optischen Elements bzw. bevorzugt über das gesamte optische Element die Einbringung von Spannungen und Verformungen aufgrund von Temperaturdifferenzen vermeiden, sodass das optische Element seine vorgegebene Form behält und damit seine optische Funktion entsprechend den Vorgaben erfüllen kann.Due to the adjustability of a temporally relatively or absolutely constant temperature profile, which includes the case of a locally constant temperature as a special case of a temperature profile, a consistent or nearly constant imaging quality over the operating life of the projection exposure can be ensured, as with increasing heating of the optical element by the Nutzlicht the temperature profile of the optical element can be kept relatively or absolutely constant at least in a partial area. As a result, the introduction of stresses and deformations due to temperature differences can be avoided over at least a partial area of the optical element or preferably over the entire optical element, so that the optical element retains its predetermined shape and can thus fulfill its optical function in accordance with the specifications.
Während das optische Element, wie beispielsweise ein Spiegel in einer EUV-Projektionsbelichtungsanlage, vorzugsweise über das gesamte optische Element bei einer örtlich und zeitlich konstanten Temperatur oder bei einem zeitlich relativ oder absolut konstanten Temperaturprofil gehalten wird, ist es jedoch auch möglich lediglich Teilbereiche des optischen Elements bei einer konstanten Temperatur oder einem konstanten Temperaturprofil zu halten, wie beispielsweise lediglich die Oberfläche des optischen Elements oder die optisch genutzte Oberfläche des optischen Elements. While the optical element, such as, for example, a mirror in an EUV projection exposure apparatus, is preferably maintained over the entire optical element at a spatially and temporally constant temperature or at a temporally relatively or absolutely constant temperature profile, it is also possible only for partial regions of the optical element at a constant temperature or a constant temperature profile, such as only the surface of the optical element or the optically used surface of the optical element.
Nach einem weiteren Aspekt der vorliegenden Erfindung, für den selbstständig und in Kombination mit anderen Aspekten der vorliegenden Erfindung Schutz begehrt wird, wird die Temperiereinrichtung so betrieben, dass die Temperatur des optischen Elements über oder unterhalb eines Grenzwerts oder innerhalb eines Temperaturbereichs gehalten wird. Damit ist es möglich die Änderung der optischen Eigenschaften unabhängig davon, ob eine gleichmäßige Temperaturverteilung über dem optischen Element eingestellt wird oder nicht, zu begrenzen, da beispielsweise die Temperatur in einem Bereich gehalten werden kann, in dem die Wärmeausdehnungskoeffizienten des optischen Elements einen derart geringen Wert aufweisen, dass Temperaturunterschiede keine großen Auswirkungen zeigen. Dies ist z.B. bei Materialien wie Zerodur (Marke der Fa. Schott) oder ULE (Marke der Fa. Corning) der Fall. According to a further aspect of the present invention, for which protection is sought on its own and in combination with other aspects of the present invention, the tempering device is operated so that the temperature of the optical element is kept above or below a limit value or within a temperature range. Thus, it is possible to limit the change of the optical characteristics irrespective of whether a uniform temperature distribution is set over the optical element or not, since, for example, the temperature can be maintained in a range in which the thermal expansion coefficients of the optical element have such a small value show that temperature differences show no major impact. This is e.g. in the case of materials such as Zerodur (trademark of Schott) or ULE (trademark of Corning).
Zur Steuerung und/oder Regelung der Temperiereinrichtungen werden Daten bezüglich des Wärmeeintrags und der Wärmeabfuhr durch das Nutzlicht und durch die Umgebung verwendet, wobei beispielsweise das optische Element durch Strahlung, Konvektion und/oder Wärmeleitung Wärme an eine kältere Umgebung abgeben kann oder Wärme von einer wärmeren Umgebung aufnehmen kann. Mit diesen Daten ist eine Berechnung eines Wärmeeintrags- und/oder Kühlprofils der Temperiereinrichtung möglich, so dass beispielsweise eine konstante Temperatur in einem Teilbereich des optischen Elements, beispielsweise im Bereich der optisch genutzten Oberfläche, erzielt werden kann.For controlling and / or regulating the tempering devices, data relating to the heat input and the heat dissipation through the useful light and the environment are used, wherein for example the optical element can emit heat to a colder environment by radiation, convection and / or heat conduction or heat from a warmer one Environment can absorb. With this data, a calculation of a heat input and / or cooling profile of the temperature control is possible, so that, for example, a constant temperature in a portion of the optical element, for example in the optically used surface, can be achieved.
Die Daten bezüglich des Wärmeeintrags und/oder der Wärmeabfuhr können durch Berechnungund/oder Simulation ermittelt werden. Die Einstellung der daraus resultierenden Heizund/oder Kühlvorgaben für die Temperiervorrichtungen erfolgt über die Steuer- und/oder Regelungseinrichtung. Die Rückkoppelung der Regelung kann über gemessene Temperaturen, die sich beispielsweise durch berührungslose Messung mittels Pyrometer erfassen lassen.The data relating to the heat input and / or the heat dissipation can be determined by calculation and / or simulation. The setting of the resulting heating and / or cooling specifications for the temperature control via the control and / or regulating device. The feedback of the control can be measured temperatures, which can be detected for example by non-contact measurement by means of a pyrometer.
Die Temperiereinrichtungen können eine oder mehrere Strahlungswärmequellen umfassen, wobei die Strahlungswärmequellen verteilt über dem zu beheizenden optischen Element örtlich unterschiedliche Strahlungsleistungen einstrahlen können. The tempering devices can comprise one or more radiant heat sources, wherein the radiant heat sources distributed over the optical element to be heated can radiate locally different radiant powers.
Hierzu können Strahlformungseinheiten vorgesehen werden, die beispielsweise mittels defraktiver optischer Elemente, Freiformflächen oder dergleichen eine entsprechende Intensitätsverteilung des einfallenden Heizlichts ermöglichen.For this purpose, beam shaping units can be provided which, for example, allow a corresponding intensity distribution of the incident heating light by means of defractive optical elements, free-form surfaces or the like.
Darüber hinaus können die Temperiereinrichtungen mehrfach angeordnet sein oder mehrere Wärmequellen und/oder Kühleinrichtungen umfassen, die verteilt an der Oberfläche des optischen Elements angeordnet sind oder im Inneren des optischen Elements vorgesehen sind. In addition, the temperature control devices may be arranged several times or comprise a plurality of heat sources and / or cooling devices, which are arranged distributed on the surface of the optical element or are provided in the interior of the optical element.
Die Wärmequellen können unterschiedlicher Art sein und alle geeigneten Heizeinrichtungen umfassen, wie insbesondere Strahlungsheizgeräte, Infrarotstrahler, Laser-Tomographiesysteme und dergleichen.The heat sources can be of different types and include all suitable heating devices, in particular radiant heaters, Infrared radiators, laser tomography systems and the like.
Die Heizquellen können auch sogenannte Resonatoren umfassen, die Heizlicht von Strahlungsheizquellen besonders absorbieren und die entsprechende Wärme an das optische Element abgeben. The heating sources may also comprise so-called resonators, which particularly absorb heating light from radiant heat sources and deliver the corresponding heat to the optical element.
Die Kühleinrichtungen können beispielsweise Peltierelemente umfassen.The cooling devices may, for example, comprise Peltier elements.
KURZE BESCHREIBUNG DER FIGURENBRIEF DESCRIPTION OF THE FIGURES
In den beigefügten Zeichnungen zeigt in rein schematischer Weise die In the accompanying drawings shows in a purely schematic way the
über einem optischen Element und die resultierende Temperaturverteilung ohne Korrektur und gemäß der Korrektur nach dem Stand der Technik sowie
bei einer Korrektur nach einer ersten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung;
over an optical element and the resulting temperature distribution without correction and according to the prior art correction as well
in a correction according to a first embodiment of the present invention;
über einem optischen Element und die resultierende Temperaturverteilung ohne Korrektur und gemäß der Korrektur nach dem Stand der Technik sowie
bei einer Korrektur nach einer zweiten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung;
over an optical element and the resulting temperature distribution without correction and according to the prior art correction as well
in a correction according to a second embodiment of the present invention;
über einem optischen Element und die resultierende Temperaturverteilung ohne Korrektur und gemäß der Korrektur nach dem Stand der Technik sowie
bei einer Korrektur nach einer dritten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung; und in
over an optical element and the resulting temperature distribution without correction and according to the prior art correction as well
in a correction according to a third embodiment of the present invention; and in
AUSFÜHRUNGSBEISPIELEEMBODIMENTS
Weitere Vorteile, Kennzeichen und Merkmale der vorliegenden Erfindung werden bei der nachfolgenden detaillierten Beschreibung von Ausführungsbeispielen anhand der beigefügten Figuren deutlich. Further advantages, characteristics and features of the present invention will become apparent in the following detailed description of embodiments with reference to the accompanying figures.
In
Die von der Lichtquelle
Die einzelnen Spiegel der Mikrolithographieprojektionsbelichtungsanlage sind als erfindungsgemäß heizbare optische Elemente ausgeführt, wobei eine nicht näher dargestellte Steuerungsund/oder Regelungseinrichtung separat für jeden Spiegel vorgesehen sein kann oder gemeinsam für alle beheizbaren optischen Elemente (Spiegel). The individual mirrors of the microlithography projection exposure apparatus are designed as heatable optical elements according to the invention, wherein a control and / or regulating device (not shown) may be provided separately for each mirror or together for all heatable optical elements (mirrors).
Im Beleuchtungssystem
Über die Oberfläche des Kollektorspiegels
Bei Verwendung von Strahlungsheizern, wie Infrarotstrahlern beim vorliegenden Ausführungsbeispiel, kann der Wärmeeintrag auch dadurch eingestellt werden, dass der Auftreffwinkel der Heizstrahlung entsprechend eingestellt wird. Bei einem spitzeren Auftreffwinkel der Heizstrahlung wird eine bestimmte erste Heizleistung erzielt, während bei einem nahezu senkrechten Auftreffen der Heizstrahlung auf das zu beheizende optische Element, d.h. in diesem Fall dem Spiegel, eine zweite, zur ersten Heizleistung unterschiedliche Heizleistung erzielt wird. When using radiant heaters, such as infrared radiators in the present embodiment, the heat input can also be adjusted by the angle of incidence of the heating radiation is adjusted accordingly. At a more acute angle of incidence of the heating radiation, a certain first heating power is achieved, while with a nearly vertical impingement of the heating radiation on the optical element to be heated, i. in this case, the mirror, a second, for the first heating power different heating power is achieved.
Insgesamt kann somit über der Betriebsdauer ein absolut oder relativ konstantes Temperaturprofil am Spiegel
Weitere kritische Komponenten der Projektionsbelichtungsanlage sind insbesondere die Spiegel des Projektionsobjektivs
Die Erwärmung des Spiegels der Projektionsobjektivs
Darüber hinaus erfolgt die Erwärmung der Spiegel
Hierzu wird die Strahlungswärme, die durch das Nutzlicht in den Spiegeln
Dies kann beispielsweise durch Berechnung bzw. Simulation mittels eine Finite-Elemente-Moduls durchgeführt werden, wobei lediglich die thermischen Eigenschaften des entsprechenden Spiegels
Bei einem CAD(Computer Aided Design)-Modell eines Spiegels kann durch Eingabe der entsprechenden thermischen Kenndaten des Spiegels ein sogenanntes Thermalmodell des EUV-Spiegels
Aufgrund des Wärmeeintrags- und/oder Kühlprofils kann mit Kenntnis der Heiz- und/oder Kühlleistung der Temperiereinrichtung bestimmt werden, mit welcher Leistung die Temperiereinrichtung(en) betrieben werden müssen. Bei Verwendung von Infrarotstrahlern zur Strahlungsheizung des Spiegels
Die
Die
Gemäß der Erfindung wird dieser Effekt nunmehr dadurch berücksichtigt, dass die Heizstrahlung so gewählt wird, dass sich eine Strahlungsbelastung ergibt, wie sie in
Die
Die
Die
Durch die erfindungsgemäße Beheizung und/oder Kühlung von optischen Elementen einer Projektionsbelichtungsanlage kann sowohl die Veränderung der Abbildungsqualität in Abhängigkeit von der Betriebsdauer vermieden werden, als auch negative Einflüsse auf die Abbildungsqualität durch eine inhomogene Temperaturbelastung des optischen Elements. Durch die Berücksichtigung der gesamten Wärmebilanz und Steuerung bzw. Regelung der Heiz- und/oder Kühlleistung der Temperireinrichtung zur Erzielung einer konstanten Temperatur bzw. eines konstanten Temperaturprofils oder einer Mindest- und/oder Maximaltemperatur zumindest in einem Teilbereich des optischen Elements kann eine deutliche Verbesserung der Abbildungsqualität von Projektionsbelichtungsanlagen erzielt werden. Durch die Ausrichtung der Heizung und/oder Kühlung auf eine konstante Temperatur bzw. ein konstantes Temperaturprofil in zumindest einem Teilbereich des optischen Elements werden Fehler vermieden, die bei einer lediglich komplementären Strahlungsbelastung mit Heizstrahlung auftreten, die komplementär zur Belastung mit Nutzlicht ist. By the heating and / or cooling of optical elements of a projection exposure apparatus according to the invention, both the change in the imaging quality as a function of the operating time can be avoided, as well as negative influences on the imaging quality by an inhomogeneous temperature loading of the optical element. By taking into account the total heat balance and control or regulation of the heating and / or cooling capacity of the Temperireinrichtung to achieve a constant temperature or a constant temperature profile or a minimum and / or maximum temperature at least in a portion of the optical element can significantly improve the Imaging quality of projection exposure systems can be achieved. By aligning the heating and / or cooling to a constant temperature or a constant temperature profile in at least a portion of the optical element errors are avoided, which occur in a merely complementary radiation load with heating radiation, which is complementary to the load with useful light.
Obwohl die vorliegende Erfindung anhand der Ausführungsbeispiele detailliert beschrieben worden ist, ist für den Fachmann selbstverständlich, dass die Erfindung nicht auf diese Ausführungsbeispiele beschränkt ist, sondern dass vielmehr Abwandlungen in der Weise möglich sind, dass einzelne Merkmale weggelassen oder andersartige Kombinationen von Merkmalen vorgenommen werden können, solange der Schutzbereich der beigefügten Ansprüche nicht verlassen wird. Insbesondere umfasst die vorliegende Erfindung sämtliche Kombinationen aller vorgestellter Einzelmerkmale. Although the present invention has been described in detail with reference to the embodiments, it will be understood by those skilled in the art that the invention is not limited to these embodiments, but rather modifications are possible in the manner that individual features omitted or other combinations of features can be made as long as the scope of protection of the appended claims is not abandoned. In particular, the present invention encompasses all combinations of all presented individual features.
Claims (11)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE201310215197 DE102013215197A1 (en) | 2013-08-02 | 2013-08-02 | Extreme UV (EUV) projection exposure system used for microlithography process, has control unit that controls heating/cooling device, so that absolute constant temperature profile is adjustable in partial region of mirrors |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE201310215197 DE102013215197A1 (en) | 2013-08-02 | 2013-08-02 | Extreme UV (EUV) projection exposure system used for microlithography process, has control unit that controls heating/cooling device, so that absolute constant temperature profile is adjustable in partial region of mirrors |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE102013215197A1 true DE102013215197A1 (en) | 2014-06-12 |
Family
ID=50778338
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE201310215197 Ceased DE102013215197A1 (en) | 2013-08-02 | 2013-08-02 | Extreme UV (EUV) projection exposure system used for microlithography process, has control unit that controls heating/cooling device, so that absolute constant temperature profile is adjustable in partial region of mirrors |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
DE (1) | DE102013215197A1 (en) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102015206114A1 (en) * | 2015-04-07 | 2016-05-25 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Cooler for use in a vacuum device |
DE102017219151A1 (en) * | 2017-10-25 | 2019-04-25 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Method for tempering a component |
DE102018215727A1 (en) * | 2018-09-17 | 2019-06-27 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Projection exposure system with a compacted optical element |
DE102018212400A1 (en) * | 2018-07-25 | 2020-01-30 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Method and device for determining the heating state of an optical element in an optical system for microlithography |
US11022903B2 (en) | 2017-10-25 | 2021-06-01 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Method for temperature control of a component |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE19963587A1 (en) * | 1999-12-29 | 2001-07-19 | Zeiss Carl | Optical arrangement |
DE19956353C1 (en) * | 1999-11-24 | 2001-08-09 | Zeiss Carl | Optical arrangement |
US20050157284A1 (en) * | 2004-01-16 | 2005-07-21 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus, device manufacturing method, and device manufactured thereby |
DE102007039671A1 (en) * | 2006-08-22 | 2008-03-20 | Carl Zeiss Smt Ag | Projection exposure apparatus for semiconductor lithography, has temperature regulating element i.e. Peltier element, regulating temperature of regions of optical elements, where sensor is placed in edge region of optical elements |
DE102011086513A1 (en) * | 2011-11-16 | 2013-05-16 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Projection exposure method for exposure of semiconductor wafer with image of pattern of reticle for manufacturing semiconductor component, involves heating mask corresponding to two-dimensional heating profile by heating device |
DE102012201075A1 (en) * | 2012-01-25 | 2013-07-25 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Optical assembly, EUV lithography apparatus and method of configuring an optical assembly |
-
2013
- 2013-08-02 DE DE201310215197 patent/DE102013215197A1/en not_active Ceased
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE19956353C1 (en) * | 1999-11-24 | 2001-08-09 | Zeiss Carl | Optical arrangement |
DE19963587A1 (en) * | 1999-12-29 | 2001-07-19 | Zeiss Carl | Optical arrangement |
US20050157284A1 (en) * | 2004-01-16 | 2005-07-21 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus, device manufacturing method, and device manufactured thereby |
DE102007039671A1 (en) * | 2006-08-22 | 2008-03-20 | Carl Zeiss Smt Ag | Projection exposure apparatus for semiconductor lithography, has temperature regulating element i.e. Peltier element, regulating temperature of regions of optical elements, where sensor is placed in edge region of optical elements |
DE102011086513A1 (en) * | 2011-11-16 | 2013-05-16 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Projection exposure method for exposure of semiconductor wafer with image of pattern of reticle for manufacturing semiconductor component, involves heating mask corresponding to two-dimensional heating profile by heating device |
DE102012201075A1 (en) * | 2012-01-25 | 2013-07-25 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Optical assembly, EUV lithography apparatus and method of configuring an optical assembly |
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102015206114A1 (en) * | 2015-04-07 | 2016-05-25 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Cooler for use in a vacuum device |
US10303067B2 (en) | 2015-04-07 | 2019-05-28 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Cooler for use in a device in a vacuum |
DE102017219151A1 (en) * | 2017-10-25 | 2019-04-25 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Method for tempering a component |
US11022903B2 (en) | 2017-10-25 | 2021-06-01 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Method for temperature control of a component |
US11372341B2 (en) | 2017-10-25 | 2022-06-28 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Method for temperature control of a component |
DE102018212400A1 (en) * | 2018-07-25 | 2020-01-30 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Method and device for determining the heating state of an optical element in an optical system for microlithography |
US11320314B2 (en) | 2018-07-25 | 2022-05-03 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Method and device for determining the heating state of an optical element in an optical system for microlithography |
DE102018215727A1 (en) * | 2018-09-17 | 2019-06-27 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Projection exposure system with a compacted optical element |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
WO2021115641A1 (en) | Optical system, heating arrangement, and method for heating an optical element in an optical system | |
DE102013204427A1 (en) | Arrangement for the thermal actuation of a mirror, in particular in a microlithographic projection exposure apparatus | |
DE102008042356A1 (en) | Projection exposure system with optimized adjustment option | |
DE102013215197A1 (en) | Extreme UV (EUV) projection exposure system used for microlithography process, has control unit that controls heating/cooling device, so that absolute constant temperature profile is adjustable in partial region of mirrors | |
DE102009029776B3 (en) | Optical element | |
DE102012211256A1 (en) | Projection exposure machine for projection lithography | |
DE102009033818A1 (en) | Temperature control device for an optical assembly | |
WO2008113605A2 (en) | Method for improving the imaging properties of an optical system and such an optical system | |
WO2012041589A1 (en) | Projection exposure apparatus with optimized adjustment capability | |
DE102012201075A1 (en) | Optical assembly, EUV lithography apparatus and method of configuring an optical assembly | |
DE102016209876A1 (en) | Projection exposure apparatus for semiconductor lithography with a heat light source and method for heating a component of the projection exposure apparatus | |
EP1291720B1 (en) | Zoom system for illumination apparatus | |
DE102018203925A1 (en) | Beam shaping and illumination system for a lithography system and method | |
DE102015203267A1 (en) | Optical system for a lithography system and lithography system | |
DE102012200733A1 (en) | Mirror assembly for optical system e.g. microlithographic projection exposure apparatus, has radiator whose sections are designed in such way that relative contribution of sections compensate to temperature-induced deformation | |
DE102015207153A1 (en) | Wavefront correction element for use in an optical system | |
DE102015200328A1 (en) | Method for producing an optical element for an optical system, in particular for a coprolithographic projection exposure apparatus | |
WO2023242060A1 (en) | Method for heating an optical element, and optical system | |
DE102011104543A1 (en) | Illuminating system for extreme UV projection exposure system for transferring structures on photoresist, has control device controlling heating device such that quantity of heat supplied to carrier body is spatially and temporally variable | |
DE10317662A1 (en) | Projection objective, microlithographic projection exposure system and method for producing a semiconductor circuit | |
EP4212962A1 (en) | Method and device for determining the heating state of an optical element in an optical system for microlithography | |
DE102010003938A1 (en) | Optical arrangement i.e. projection illumination system, operating method for microlithography, involves illuminating lens with light, such that non-uniform temperature distribution is produced in lens to correct defect of system | |
DE102012212758A1 (en) | System correction from long time scales | |
WO2022156926A1 (en) | Method and device for determining the heating state of an optical element in an optical system | |
DE102019202531A1 (en) | Optical correction element, projection exposure system for semiconductor lithography with a correction element and method for designing a correction element |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
R012 | Request for examination validly filed | ||
R230 | Request for early publication | ||
R002 | Refusal decision in examination/registration proceedings | ||
R003 | Refusal decision now final |