DE102021115200A1 - Verfahren zur ausrichtung einer halbleiterscheibe - Google Patents

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Abstract

Ein Verfahren zum Ausrichten einer Halbleiterscheibe umfasst das Definieren einer Bezugsrichtung zum Ausrichten der Halbleiterscheibe, das Erfassen eines Bildes der auf einem Substrathalter gehaltenen Halbleiterscheibe, das Verwenden eines Erkennungsmoduls zur Auswertung einer Geraden auf dem Bild der Halbleiterscheibe, das Berechnen eines Versatzwinkels zwischen der Geraden und der Bezugsrichtung und das Kalibrieren des Versatzwinkels zur Ausrichtung der Geraden auf die Bezugsrichtung durch Drehen des Substrathalters.

Description

  • HINTERGRUND
  • Technisches Gebiet
  • Die vorliegende Offenbarung betrifft Verfahren zum Ausrichten einer Halbleiterscheibe. Insbesondere betrifft die vorliegende Offenbarung Halbleiterscheiben, die von Waferprobern gehalten werden.
  • Beschreibung der verwandten Technik
  • Da die Nachfrage nach elektronischen Geräten heutzutage steigt, wird die Qualität der Bauelemente der elektronischen Geräte dementsprechend zu einem wichtigen Thema in der Halbleiterindustrie. Neben der besser werdenden Technologie für die Herstellung der Bauelemente hat auch die Genauigkeit der Prüfung der Bauelemente an Bedeutung gewonnen.
  • Beispielsweise werden Waferprober üblicherweise zur Prüfung der Qualität der Halbleiterscheiben oder Dies in der Halbleiterindustrie eingesetzt. Daher ist die Genauigkeit von Waferprobern im Betrieb zweifelsohne von Belang.
  • KURZFASSUNG
  • Ein technischer Aspekt der vorliegenden Offenbarung besteht darin, ein Verfahren zum Ausrichten einer Halbleiterscheibe zu schaffen, mit dem die Halbleiterscheibe auf einfache und effiziente Weise ausgerichtet werden kann, unabhängig von den Mustern, die auf den auf der Halbleiterscheibe angeordneten Dies erscheinen.
  • Gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung ist ein Verfahren zum Ausrichten einer Halbleiterscheibe bereitgestellt. Das Verfahren weist Folgendes auf: Definieren einer Bezugsrichtung zum Ausrichten der Halbleiterscheibe, Erfassen eines Bildes der auf einem Substrathalter gehaltenen Halbleiterscheibe, Verwenden eines Erkennungsmoduls zur Auswertung einer Geraden auf dem Bild der Halbleiterscheibe, Berechnen eines Versatzwinkels zwischen der Geraden und der Bezugsrichtung, und Kalibrieren des Versatzwinkels zur Ausrichtung der Geraden auf die Bezugsrichtung durch Drehen des Substrathalters.
  • Bei einer oder mehreren Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung wird die Gerade durch eine längste durchgezogene Linie festgelegt, die von einer kontinuierlichen Anordnung aus mehreren Punkten in dem Bild gebildet ist.
  • Bei einer oder mehreren Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung ist die Gerade ein Rand eines auf der Halbleiterscheibe angeordneten Bauelementes.
  • Bei einer oder mehreren Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung wird die Gerade durch eine längste verdeckte Linie festgelegt, die von einer kontinuierlichen Anordnung aus mehreren Linien in dem Bild gebildet ist.
  • Bei einer oder mehreren Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung sind die Linien Ränder mehrerer auf der Halbleiterscheibe angeordneter Kontaktpads.
  • Gemäß einer weiteren Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung ist ein Verfahren zum Ausrichten einer Halbleiterscheibe bereitgestellt. Das Verfahren weist Folgendes auf: Definieren einer Bezugsrichtung zum Ausrichten der Halbleiterscheibe, Erfassen mehrerer Bilder der auf einem Substrathalter gehaltenen Halbleiterscheibe, Integrieren der Bilder zu einem integrierten Bild, Verwenden eines Erkennungsmoduls zur Auswertung einer Geraden auf dem integrierten Bild der Halbleiterscheibe, Berechnen eines Versatzwinkels zwischen der Geraden und der Bezugsrichtung und Kalibrieren des Versatzwinkels zur Ausrichtung der Geraden auf die Bezugsrichtung durch Drehen des Substrathalters.
  • Bei einer oder mehreren Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung überlappt sich jedes der Bilder zumindest teilweise mit mindestens einem der angrenzenden Bilder.
  • Bei einer oder mehreren Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung wird die Gerade durch eine längste durchgezogene Linie festgelegt, die von einer kontinuierlichen Anordnung aus mehreren Punkten in dem integrierten Bild gebildet ist.
  • Bei einer oder mehreren Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung ist die Gerade ein Rand eines auf der Halbleiterscheibe angeordneten Bauelementes.
  • Bei einer oder mehreren Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung wird die Gerade durch eine längste verdeckte Linie festgelegt, die von einer kontinuierlichen Anordnung aus mehreren Linien in dem integrierten Bild gebildet ist.
  • Bei einer oder mehreren Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung sind die Linien Ränder mehrerer auf der Halbleiterscheibe angeordneter Kontaktpads.
  • Im Vergleich zum Stand der Technik weisen die oben erwähnten Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung wenigstens die folgenden Vorteile auf:
    • (1) Da bei der auf dem Ausrichtverfahren beruhenden Ausrichtung der Halbleiterscheibe das Muster, das auf den auf der Halbleiterscheibe angeordneten Bauelementes erscheint, nicht berücksichtigt wird, ist die Ausrichtung der Halbleiterscheibe leicht und effizient.
    • (2) Da die ausgewertete Gerade die längste Linie im Bild ist, erfolgt die Ausrichtung der Halbleiterscheibe mit hoher Genauigkeit, was einen präzisen Betrieb des Waferprobers in den nachfolgenden Vorgängen erleichtert.
    • (3) Da entweder die durchgezogene Linie, die vom Rand eines der Bauelemente gebildet ist, oder die verdeckte Linie, die von den Rändern einer Anzahl der Kontaktpads gebildet ist, als die Gerade festgelegt werden kann, die dann zur Berechnung des Versatzwinkels mit der Bezugsrichtung zum Ausrichten der Halbleiterscheibe dient, kann das Ausrichtverfahren somit in zweckmäßiger und flexibler Weise eingesetzt werden.
  • Figurenliste
  • Die Offenbarung ist durch die Lektüre der nachstehenden ausführlichen Beschreibung der Ausführungsformen besser verständlich, wobei auf die beigefügten Zeichnungen wie folgt Bezug genommen wird:
    • 1 ist eine schematische Ansicht eines Waferprobers gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung,
    • 2 ist ein Ablaufdiagramm eines Verfahrens zum Ausrichten einer Halbleiterscheibe gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung,
    • 3 ist eine graphische Ansicht des Bildes der Halbleiterscheibe, das vom Mikroskop aus 1 aufgenommen und auf einem Bildschirm angezeigt wird, bei dem die Halbleiterscheibe einen Versatzwinkel mit der Bezugsrichtung der Ausrichtung der Halbleiterscheibe bildet,
    • 4 ist eine graphische Ansicht des Bildes der Halbleiterscheibe, das vom Mikroskop aus 1 aufgenommen und auf einem Bildschirm angezeigt wird, bei dem die Halbleiterscheibe auf die Bezugsrichtung der Ausrichtung der Halbleiterscheibe ausgerichtet ist,
    • 5 ist ein Ablaufdiagramm eines Verfahrens zum Ausrichten einer Halbleiterscheibe gemäß einer weiteren Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung und
    • 6 ist eine graphische Ansicht eines integrierten Bildes, das gemäß einer weiteren Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung gebildet und auf einem Bildschirm angezeigt wird.
  • AUSFÜHRLICHE BESCHREIBUNG
  • Im Folgenden werden Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung mit Hilfe von Zeichnungen offenbart. Aus Gründen der deutlichen Veranschaulichung werden viele praktische Einzelheiten in der nachfolgenden Beschreibung gemeinsam erläutert. Es ist jedoch klar, dass die praktischen Einzelheiten nicht zur Einschränkung des beanspruchten Umfangs herangezogen werden sollten. Mit anderen Worten, bei manchen Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung sind die praktischen Einzelheiten nicht wesentlich. Darüber hinaus werden zur Vereinfachung der Zeichnungen einige gebräuchliche Strukturen und Elemente in den Zeichnungen schematisch in vereinfachter Form gezeigt. Wo es möglich ist, werden in den Zeichnungen und der Beschreibung die gleichen Bezugszeichen verwendet, um auf gleiche oder gleichartige Teile zu verweisen.
  • Sofern nicht anders definiert, haben sämtliche hierin verwendeten Begriffe (einschließlich technischer und wissenschaftlicher Begriffe) die gleiche Bedeutung, wie sie von einem Fachmann auf dem Gebiet, zu dem diese Offenbarung gehört, üblicherweise verstanden wird. Es versteht sich ferner, dass Begriffe, wie sie in allgemein gebräuchlichen Wörterbüchern definiert sind, so ausgelegt werden sollten, dass sie eine Bedeutung haben, die mit ihrer Bedeutung im Kontext der relevanten Technik und der vorliegenden Offenbarung übereinstimmt, und nicht in einem idealisierten oder übermäßig formalen Sinn ausgelegt werden, sofern sie hierin nicht ausdrücklich so definiert sind.
  • Es wird auf 1 Bezug genommen. 1 ist eine schematische Ansicht eines Waferprobers 100 gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung. Bei dieser Ausführungsform, wie sie in 1 gezeigt ist, weist ein Waferprober 100 einen Substrathalter 110 und ein Mikroskop 120 auf. Eine Halbleiterscheibe 200 ist auf dem Substrathalter 110 gehalten. Der Substrathalter 110 ist zweckmäßigerweise drehbar und in drei Dimensionen bewegbar. Das Mikroskop 120 ist oberhalb des Substrathalters 110 angeordnet und relativ zum Substrathalter 110 bewegbar. Das Mikroskop 120 ist zur Erfassung eines Bildes der Halbleiterscheibe 200 eingerichtet. Der Einfachheit der Figur halber sind weitere Bauteile des Waferprobers 100 in 1 nicht gezeigt.
  • Es wird auf 2 Bezug genommen. 2 ist ein Ablaufdiagramm eines Verfahrens 300 zur Ausrichtung einer Halbleiterscheibe 200 gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung. Wie in 2 gezeigt, weist das Ausrichtverfahren 300 bei dieser Ausführungsform die folgenden Schritte auf (es sei darauf hingewiesen, dass die unten genannten Schritte und Teilschritte, sofern nicht anders angegeben, in ihrer Reihenfolge alle je nach den tatsächlichen Erfordernissen angepasst oder sogar gleichzeitig oder teilweise gleichzeitig ausgeführt werden können):
    • (1) Definieren einer Bezugsrichtung DP (siehe 3) zum Ausrichten der Halbleiterscheibe 200 (Schritt 310). Genauer gesagt ist die Bezugsrichtung DP die Richtung, entlang der die Halbleiterscheibe 200 für den anschließenden Betrieb des Waferprobers 100 ausgerichtet werden sollte. In der Praxis kann die Bezugsrichtung DP beispielsweise längs einer vertikalen Richtung oder einer horizontalen Richtung des Substrathalters 110 liegen. Dadurch soll die vorliegende Offenbarung jedoch nicht eingeschränkt werden. Bei anderen Ausführungsformen kann die Bezugsrichtung DP je nach bestimmten Anforderungen eine beliebige Richtung sein.
    • (2) Erfassen eines Bildes M der auf dem Substrathalter 110 des Waferprobers 100 gehaltenen Halbleiterscheibe 200 und Anzeigen des Bildes M auf einem Bildschirm (Schritt 320). Es wird auf 3 Bezug genommen. 3 ist eine graphische Ansicht des Bildes M der Halbleiterscheibe 200, das von dem Mikroskop 120 aus 1 aufgenommen und auf einem Bildschirm angezeigt ist, wobei die Halbleiterscheibe 200 einen Versatzwinkel θ mit der Bezugsrichtung DP der Ausrichtung der Halbleiterscheibe 200 bildet. Bei dieser Ausführungsform sind, wie in 3 gezeigt, mehrere auf der Halbleiterscheibe 200 angeordnete Dies 210 vorhanden, wie auf einem Bildschirm dargestellt ist. Bevor die Ausrichtung der Halbleiterscheibe 200 durchgeführt wird, bildet die Halbleiterscheibe 200 beispielsweise einen Versatzwinkel θ mit der Bezugsrichtung DP zum Ausrichten der Halbleiterscheibe 200. Genauer gesagt bildet mindestens einer der Ränder jedes der Dies 210 einen Versatzwinkel θ mit der Bezugsrichtung DP zum Ausrichten der Halbleiterscheibe 200. Es sei jedoch darauf hingewiesen, dass es in der Praxis nicht zwingend erforderlich ist, das Bild M auf dem Bildschirm anzuzeigen, da die im Bild M erfassten Informationen direkt von einem Erkennungsmodul verarbeitet werden.
    • (3) Verwenden eines Erkennungsmoduls zur Auswertung einer Geraden LS1 auf dem Bild M der Halbleiterscheibe 200, während der Bildschirm unberührt bleibt (Schritt 330). Im Bild M der Halbleiterscheibe 200, das vom Mikroskop 120 erfasst und auf dem Bildschirm angezeigt wird, wie in 3 gezeigt, wird die Gerade LS1 auf der Halbleiterscheibe 200, die die längste gerade Linie in dem Bild M ist, von einem Erkennungsmodul ausgewertet. Bei praktischen Anwendungen kann das Erkennungsmodul zum Beispiel eine Firmware sein. Es sei angemerkt, dass bei der Auswertung der Geraden LS1 im Bild M auf dem Bildschirm, falls vorhanden, der Benutzer den Bildschirm nicht zu berühren braucht, um eine Anweisung einzugeben, da, wie oben erwähnt, die im Bild M festgehaltenen Informationen unmittelbar vom Erkennungsmodul verarbeitet werden. Mit anderen Worten, der Bildschirm, falls vorhanden, wird während des Vorgangs der Auswertung der Geraden LS1 auf dem Bild M auf dem Bildschirm nicht berührt. Graphisch ausgedrückt ist die Gerade LS1 die längste durchgezogene Linie, die von einer fortlaufenden Anordnung aus mehreren Punkten in dem Bild M gebildet wird. In praktischen Anwendungen handelt es sich bei der Geraden LS1 um einen Rand eines der auf der Halbleiterscheibe 200 angeordneten Bauelementes 210, und der Rand ist im Bild M graphisch als eine Reihe miteinander verbundener Punkte dargestellt.
    • (4) Berechnen eines Versatzwinkels θ zwischen der Geraden LS1 und der Bezugsrichtung DP zum Ausrichten der Halbleiterscheibe 200 (Schritt 340). Nachdem die Gerade LS1 auf der Halbleiterscheibe 200 auf dem Bild M auf dem Bildschirm ausgewertet ist, wird der Versatzwinkel θ zwischen der Geraden LS1 und der Bezugsrichtung DP berechnet.
    • (5) Kalibrieren des Versatzwinkels θ zur Ausrichtung der Geraden LS1 auf die Bezugsrichtung DP zum Ausrichten der Halbleiterscheibe 200 durch Drehen des Substrathalters 110 (Schritt 350). Es wird auf 4 verwiesen. 4 ist eine grafische Ansicht des Bildes M der Halbleiterscheibe 200, das vom Mikroskop 120 aus 1 aufgenommen und auf einem Bildschirm angezeigt wird und in dem die Halbleiterscheibe 200 auf die Bezugsrichtung DP zum Ausrichten der Halbleiterscheibe 200 ausgerichtet ist. Nachdem der Versatzwinkel θ berechnet und bekannt ist, wird der Substrathalter 110 um den Versatzwinkel θ so gedreht, dass der Versatzwinkel θ verschwindet und die Gerade LS1 sich mit der Bezugsrichtung DP deckt. Mit anderen Worten, die Gerade LS1 ist parallel zur Bezugsrichtung DP, was die nachfolgenden Abläufe des Waferprobers 100 wirkungsvoll erleichtert.
  • Es ist anzumerken, dass die Ausrichtung der Halbleiterscheibe 200 leicht und effizient ist, da bei der auf dem Ausrichtverfahren 300 beruhenden Ausrichtung der Halbleiterscheibe 200 die Muster, die auf den auf der Halbleiterscheibe 200 angeordneten Bauelemente 210 erscheinen, nicht berücksichtigt werden. Da die ausgewertete Gerade LS1 zudem die längste Linie im Bild M ist, weist die Ausrichtung der Halbleiterscheibe 200 eine hohe Genauigkeit auf, wodurch bei den nachfolgenden Arbeitsabläufen ein präziser Betrieb des Waferprobers 100 erleichtert ist.
  • Andererseits kann die Gerade LS2 je nach der tatsächlichen Situation durch die längste verdeckte Linie bestimmt werden, die von einer kontinuierlichen Anordnung mehrerer Linien LP in den Bildern M gebildet wird, wie in den 3-4 gezeigt. In praktischen Anwendungen sind die Linien LP Ränder mehrerer Kontaktpads 220, die gleichmäßig auf der Halbleiterscheibe 200 bzw. bei manchen Ausführungsformen auf den Bauelementen 210 angeordnet sind. Die Ränder der Kontaktpads 220 sind im Bild M graphisch als eine Reihe kurzer Linien dargestellt, die entlang der gleichen Richtung angeordnet sind und sich entlang dieser erstrecken.
  • Mit anderen Worten, entsprechend der tatsächlichen Situation kann entweder die vom Rand einer der Bauelemente 210 gebildete durchgezogene Linie oder die von den Rändern einer Anzahl der Kontaktpads 220 gebildete verdeckte Linie als die Gerade ermittelt werden, die dann zur Berechnung des Versatzwinkels θ mit der Bezugsrichtung DP zum Ausrichten der Halbleiterscheibe 200 herangezogen wird. Somit kann das Ausrichtverfahren 300 in geeigneter und flexibler Weise eingesetzt werden.
  • Es wird auf 5 Bezug genommen. 5 ist ein Ablaufdiagramm eines Verfahrens 400 zur Ausrichtung einer Halbleiterscheibe 200 gemäß einer weiteren Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung. Der Hauptunterschied zwischen dem Ausrichtverfahren 400 und dem Ausrichtverfahren 300 besteht darin, dass bei dem Ausrichtverfahren 400 mehrere Bilder M anstelle eines einzigen Bildes M der Halbleiterscheibe 200 aufgenommen werden, derart, dass die Gerade LS mit einer noch größeren Länge erhalten wird, was die Genauigkeit der Ausrichtung der Halbleiterscheibe 200 erhöhen könnte.
  • Im Einzelnen weist bei dieser Ausführungsform, wie in 5 gezeigt, das Ausrichtverfahren 400 die folgenden Schritte auf (es sei darauf hingewiesen, dass alle nachstehend genannten Schritte und Teilschritte, sofern nicht anders angegeben, in ihrer Abfolge je nach den tatsächlichen Erfordernissen angepasst oder sogar gleichzeitig oder teilweise gleichzeitig ausgeführt werden können):
    • (1) Definieren der Bezugsrichtung DP zum Ausrichten der Halbleiterscheibe 200 (Schritt 410).
    • (2) Erfassen mehrerer Bilder M der auf dem Substrathalter 110 des Waferprobers 100 gehaltenen Halbleiterscheibe 200 (Schritt 420).
    • (3) Integrieren der Bilder M zu einem auf einem Bildschirm anzuzeigenden integrierten Bild MT (Schritt 430). Es wird auf 6 Bezug genommen. 6 ist eine graphische Ansicht eines integrierten Bildes MT, das gemäß einer anderen Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung gebildet und auf einem Bildschirm angezeigt wird. Bei dieser Ausführungsform werden, wie in 6 gezeigt, mehrere Bilder M gemeinsam zu einem integrierten Bild MT integriert und auf dem Bildschirm angezeigt. Um eine vollständige und präzise Integration des integrierten Bildes MT aus den Bildern M zu erzielen, überschneidet sich außerdem jedes der Bilder M wenigstens teilweise mit wenigstens einem der angrenzenden Bilder M. Es sei jedoch darauf hingewiesen, dass es in der Praxis nicht zwingend erforderlich ist, das integrierte Bild MT auf dem Bildschirm anzuzeigen, da die in den Bildern M erfassten Informationen direkt von einem Erkennungsmodul verarbeitet werden.
    • (4) Verwenden eines Erkennungsmoduls zur Auswertung einer Geraden LS auf dem integrierten Bild MT der Halbleiterscheibe 200 auf dem Bildschirm, während der Bildschirm unberührt bleibt (Schritt 440). Da das integrierte Bild MT aus mehreren der Bilder M gebildet wird, kann die Länge der von einem Erkennungsmodul auszuwertenden Geraden LS im integrierten Bild MT noch größer sein. Bei praktischen Anwendungen kann das Erkennungsmodul zum Beispiel eine Firmware sein. Ebenso sei darauf hingewiesen, dass bei der Auswertung der Geraden LS im integrierten Bild MT auf dem Bildschirm, falls vorhanden, der Benutzer den Bildschirm nicht zu berühren braucht, um eine Anweisung einzugeben, da die in den Bildern M festgehaltenen Informationen, wie oben erwähnt, unmittelbar vom Erkennungsmodul verarbeitet werden. Mit anderen Worten, der Bildschirm, falls vorhanden, wird während des Vorgangs der Auswertung der Geraden LS auf dem integrierten Bild MT auf dem Bildschirm nicht berührt.
    • (5) Berechnen eines Versatzwinkels θ zwischen der Geraden LS und der Bezugsrichtung DP zum Ausrichten der Halbleiterscheibe 200 (Schritt 450). Wie oben erwähnt, wird die Genauigkeit der Ausrichtung der Halbleiterscheibe 200 weiter verbessert, da die Länge der im integrierten Bild MT ausgewerteten Geraden LS größer ist als die in einem einzelnen Bild M ausgewertete Länge.
    • (6) Kalibrieren des Versatzwinkels θ zur Ausrichtung der Geraden LS auf die Bezugsrichtung DP zum Ausrichten der Halbleiterscheibe 200 durch Drehen des Substrathalters 110 (Schritt 460). Mit anderen Worten, der Versatzwinkel θ verschwindet und die Gerade LS ist parallel zur Bezugsrichtung DP, was die nachfolgenden Abläufe des Waferprobers 100 wirkungsvoll erleichtert.
  • Abschließend lässt sich sagen, dass die oben genannten Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung im Vergleich zum Stand der Technik wenigstens die folgenden Vorteile aufweisen:
    • (1) Da bei der auf dem Ausrichtverfahren beruhenden Ausrichtung der Halbleiterscheibe das Muster, das auf den auf der Halbleiterscheibe angeordneten Bauelementes erscheint, nicht berücksichtigt wird, ist die Ausrichtung der Halbleiterscheibe leicht und effizient.
    • (2) Da die ausgewertete Gerade die längste Linie im Bild ist, erfolgt die Ausrichtung der Halbleiterscheibe mit hoher Genauigkeit, was einen präzisen Betrieb des Waferprobers in den nachfolgenden Vorgängen erleichtert.
    • (3) Da entweder die durchgezogene Linie, die vom Rand eines der Bauelemente gebildet ist, oder die verdeckte Linie, die von den Rändern einer Anzahl der Kontaktpads gebildet ist, als die Gerade festgelegt werden kann, die dann zur Berechnung des Versatzwinkels mit der Bezugsrichtung zum Ausrichten der Halbleiterscheibe dient, kann das Ausrichtverfahren somit in zweckmäßiger und flexibler Weise eingesetzt werden.

Claims (11)

  1. Verfahren (300) zum Ausrichten einer Halbleiterscheibe (200), dadurch gekennzeichnet, dass das Verfahren (300) Folgendes umfasst: Definieren einer Bezugsrichtung (DP) zum Ausrichten der Halbleiterscheibe (200), Erfassen eines Bildes (M) der auf einem Substrathalter (110) gehaltenen Halbleiterscheibe (200), Verwenden eines Erkennungsmoduls zur Auswertung einer Geraden (LS1) auf dem Bild (M) der Halbleiterscheibe (200), Berechnen eines Versatzwinkels (θ) zwischen der Geraden (LS1) und der Bezugsrichtung (DP) und Kalibrieren des Versatzwinkels (θ) zur Ausrichtung der Geraden (LS1) auf die Bezugsrichtung (DP) durch Drehen des Substrathalters (110).
  2. Ausrichtverfahren (300) nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Gerade (LS1) durch eine längste durchgezogene Linie festgelegt wird, die von einer kontinuierlichen Anordnung aus mehreren Punkten in dem Bild (M) gebildet ist.
  3. Ausrichtverfahren (300) nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass die Gerade (LS1) ein Rand eines auf der Halbleiterscheibe (200) angeordneten Bauelementes (210) ist.
  4. Ausrichtverfahren (300) nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, dass die Gerade (LS2) durch eine längste verdeckte Linie festgelegt wird, die von einer kontinuierlichen Anordnung aus mehreren Linien (LP) in dem Bild (M) gebildet ist.
  5. Ausrichtverfahren (300) nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, dass die Linien (LP) Ränder mehrerer auf der Halbleiterscheibe (200) angeordneter Kontaktpads (220) sind.
  6. Verfahren (400) zum Ausrichten einer Halbleiterscheibe (200), dadurch gekennzeichnet, dass das Verfahren (400) Folgendes umfasst: Definieren einer Bezugsrichtung (DP) zum Ausrichten der Halbleiterscheibe (200), Erfassen mehrerer Bilder (M) der auf einem Substrathalter (110) gehaltenen Halbleiterscheibe (200), Integrieren der Bilder (M) zu einem integrierten Bild (MT), Verwenden eines Erkennungsmoduls zur Auswertung einer Geraden (LS) auf dem integrierten Bild (MT) der Halbleiterscheibe (200), Berechnen eines Versatzwinkels (θ) zwischen der Geraden (LS) und der Bezugsrichtung (DP) und Kalibrieren des Versatzwinkels (θ) zur Ausrichtung der Geraden (LS) auf die Bezugsrichtung (DP) durch Drehen des Substrathalters (110).
  7. Ausrichtverfahren (400) nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, dass jedes der Bilder (M) sich zumindest teilweise mit mindestens einem der angrenzenden Bilder (M) überlappt.
  8. Ausrichtverfahren (400) nach Anspruch 6 oder 7, dadurch gekennzeichnet, dass die Gerade (LS) durch eine längste durchgezogene Linie festgelegt wird, die von einer kontinuierlichen Anordnung aus mehreren Punkten in dem integrierten Bild (MT) gebildet ist.
  9. Ausrichtverfahren (400) nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, dass die Gerade (LS) ein Rand eines auf der Halbleiterscheibe (200) angeordneten Bauelementes (210) ist.
  10. Ausrichtverfahren (400) nach einem der Ansprüche 6 bis 9, dadurch gekennzeichnet, dass die Gerade (LS2) durch eine längste verdeckte Linie festgelegt wird, die von einer kontinuierlichen Anordnung aus mehreren Linien (LP) in dem integrierten Bild (MT) gebildet ist.
  11. Ausrichtverfahren (400) nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet, dass die Linien (LP) Ränder mehrerer auf der Halbleiterscheibe (200) angeordneter Kontaktpads (220) sind.
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