DE102021114658A1

DE102021114658A1 - Leiterplatte für ein Leistungshalbleitermodul, Leistungshalbleitermodul sowie Verfahren zur Herstellung einer Leiterplatte und eines Leistungshalbleitermoduls

Info

Publication number: DE102021114658A1
Application number: DE102021114658.5A
Authority: DE
Inventors: Detlev Bagung; Christina Quest-Matt; Holger Baldreich
Original assignee: Continental Automotive GmbH; Vitesco Technologies GmbH
Current assignee: Vitesco Technologies GmbH; Continental Automotive Technologies GmbH
Priority date: 2021-06-08
Filing date: 2021-06-08
Publication date: 2022-12-08
Also published as: EP4353055A1; CN117426144A; WO2022258656A1

Abstract

Leiterplatte (1) für ein Leistungshalbleitermodul (13), aufweisend zumindest eine Oberseite (2) und eine Unterseite (3), wobei auf der Oberseite (2) zumindest eine Montagefläche (4) für ein Leistungshalbleiterbauteil (12) vorgesehen ist, wobei auf der Montagefläche (4) zumindest eine zur Verbindung zumindest eines Leistungshalbleiterbauteils (12) mit der Montagefläche (4) vorgesehene Lotschicht (8) angeordnet ist, die in durch Zwischenräume (11) voneinander getrennte Bereiche (9) unterteilt ist, und wobei in der Leiterplatte (1) eine Mehrzahl thermischer Vias (5) angeordnet ist, die sich im Bereich der Montagefläche (4) von der Oberseite (2) zur Unterseite (3) der Leiterplatte (2) erstrecken, wobei eine obere Öffnung (6) der thermischen Vias (5) jeweils von einem Bereich (9) der Lotschicht (8) unmittelbar umgeben ist und eine untere Öffnung (7) der Vias (5) von einer Schicht (10) aus elektrisch isolierendem Material bedeckt ist.

Description

Die vorliegende Erfindung betrifft eine Leiterplatte für ein Leistungshalbleitermodul sowie ein Leistungshalbleitermodul. Sie betrifft weiter ein Verfahren zur Herstellung einer derartigen Leiterplatte sowie eines Leistungshalbleitermoduls.
Bei leistungselektronischen Bauteilen ist es üblich, die Leistungshalbleiterbauteile sowie die Leiterplatten, auf die sie zur Bildung von Leistungshalbleitermodulen aufgebracht werden, so auszugestalten, dass eine möglichst wirksame Abführung der im Betrieb entstehenden Verlustwärme möglich ist.
In dem Bereich, in dem ein Leistungshalbleiterbauteil montiert wird, im folgenden Montagebereich genannt, werden teilweise Bohrungen vorgesehen, die die Leiterplatte vollständig durchdringen und die typischerweise ganz oder teilweise mit Metall gefüllt sind. Derartige als „thermische Vias“ bezeichnete Bohrungen haben nicht die Aufgabe, elektrische Verbindungen zwischen Metallisierungslagen herzustellen, sondern sie verbessern die Wärmeleitung durch die Leiterplatte. Daher sind sie typischerweise gegen Leiterbahnstrukturen elektrisch isoliert.
Da in dem Montagebereich auch eine elektrische und mechanische Verbindung des Leistungshalbleiterbauteils mit der Leiterplatte erfolgen soll, sind zudem in dem Montagebereich Lotdepots vorgesehen.
Zur Montage wird das Leistungshalbleiterbauteil in dem Montagebereich auf die Leiterplatte aufgesetzt und in einem Reflow-Prozess über die Lotdepots mit der Leiterplatte verbunden. Rund um die Öffnungen der Vias aufgebrachter Lötstopplack verhindert, dass während des Reflow-Prozesses Lot in die Vias eindringt, was auf der Unterseite der Leiterplatte zu Kurzschlüssen führen könnte.
Durch die zunehmend höheren Anforderungen, die an die Entwärmung von Leistungsmodulen gestellt werden, beispielsweise für den Einsatz im Bereich der Elektromobilität, besteht der Bedarf, die Entwärmung von Leistungshalbleitermodulen weiter zu verbessern.
Es ist daher eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung, eine Leiterplatte für ein Leistungshalbleitermodul anzugeben, die eine besonders wirksame Entwärmung des Leistungshalbleitermoduls ermöglicht, wobei gleichzeitig eine sichere und langzeitstabile elektrische und mechanische Verbindung zwischen zumindest einem Leistungshalbleiterbauteil und der Leiterplatte sichergestellt sein soll. Ferner soll ein Verfahren zur Herstellung einer derartigen Leiterplatte angegeben werden.
Diese Aufgabe wird gelöst durch den Gegenstand der unabhängigen Ansprüche. Vorteilhafte Ausführungsformen und Weiterbildungen sind Gegenstand der Unteransprüche.
Gemäß einem Aspekt der Erfindung wird eine Leiterplatte für ein Leistungshalbleitermodul angegeben, aufweisend zumindest eine Oberseite und eine Unterseite, wobei auf der Oberseite zumindest eine Montagefläche für ein Leistungshalbleiterbauteil vorgesehen ist. Auf der Montagefläche ist zumindest eine zur Verbindung zumindest eines Leistungshalbleiterbauteils mit der Montagefläche vorgesehene Lotschicht angeordnet, die in durch Zwischenräume voneinander getrennte Bereiche unterteilt ist.
Dabei dient die Montagefläche zur elektrischen und mechanischen Verbindung des Leistungshalbleiterbauteils mit der Leiterplatte und bezeichnet diejenige Fläche auf der Oberseite der Leiterplatte, die im Wesentlichen der Ausdehnung des aufzusetzen Leistungshalbleiterbauteils entspricht und auf der die elektrische und mechanische Verbindung erfolgt.
Die Lotschicht ist in durch Zwischenräume voneinander getrennte Bereiche unterteilt. Darunter wird hier und im Folgenden verstanden, dass die Lotschicht nicht als durchgehende Schicht aufgebracht ist, sondern aus einzelnen Bereichen besteht, die durch Zwischenräume, d.h. von der Lotschicht frei gehaltene Bereiche, voneinander getrennt sind.
In der Leiterplatte ist eine Mehrzahl thermischer Vias angeordnet, die sich im Bereich der Montagefläche von der Oberseite zur Unterseite der Leiterplatte erstrecken, wobei eine obere Öffnung der thermischen Vias jeweils von einem Bereich der Lotschicht unmittelbar umgeben ist und eine untere Öffnung der Vias von einer Schicht aus elektrisch isolierendem Material bedeckt ist.
Dabei bezeichnet die obere Öffnung der thermischen Vias die an der Oberseite der Leiterplatte freiliegende Öffnung und die untere Öffnung die an der Unterseite der Leiterplatte freiliegende Öffnung der Vias. Die Vias können eine Metallisierung aufweisen, d.h. zumindest ihre Wände sind ganz oder teilweise mit einer metallischen Schicht bedeckt, um die Wärmeleitfähigkeit zu verbessern.
Gemäß einer Ausführungsform sind lediglich die Wände der Vias metallisiert, sodass die Vias jeweils ein zentrales Durchgangsloch aufweisen. In einer alternativen Ausführungsform sind die Vias vollständig mit Metall gefüllt. Denkbar ist auch, dass die Vias zunächst keine Metallisierung aufweisen, sondern die Metallisierung erst während des Auflötens eines Leistungshalbleiterbauteils auf die Montagefläche dadurch eingebracht wird, dass verflüssigtes Lot durch die obere Öffnung in die Vias fließt.
Die Leiterplatte weist den Vorteil auf, dass sie eine besonders gute Entwärmung eines auf die Montagefläche aufgebrachten Leistungshalbleiterbauteils erlaubt. Durch das Anordnen der Vias nicht in separaten Bereichen der Montagefläche, die dafür von der Lotschicht freigehalten sind, sondern auch in Bereichen, die die Lotschicht für die elektrische und mechanische Verbindung des Leistungshalbleiterbauteils mit der Leiterplatte aufweisen, ist es möglich, eine sehr große Anzahl von Vias für eine besonders wirksame Entwärmung auf der Montagefläche vorzusehen und gleichzeitig eine zuverlässige und gleichmäßige Lotanbindung des Leistungshalbleiterbauteils zu erreichen.
Es ist nicht mehr erforderlich, bestimmte Bereiche der Montagefläche für die Anordnung der Vias und andere, davon getrennte Bereiche für die Lotverbindungen vorzusehen, sondern Vias und Lotbereiche können über die gesamte Montagefläche verteilt angeordnet sein. Dadurch wird eine gleichmäßigere Verteilung beider Funktionen (Entwärmung einerseits und elektrische und mechanische Verbindung andererseits) über die Fläche und insgesamt eine höhere Anzahl von Vias und eine größere Menge an Lot ermöglicht.
Die oberen Öffnungen der thermischen Vias werden nicht, wie im Stand der Technik bisher vorgesehen, von einer Schicht aus Lötstopplack umgeben, um ein Eindringen von Lot während des Reflow-Prozesses in die Vias zu verhindern. Vielmehr ist das Eindringen von Lot nicht nachteilig und gegebenenfalls sogar wünschenswert, weil es zu einer besonders guten Wärmeleitung beiträgt. Kurzschlüsse auf der Unterseite der Leiterplatte werden dadurch verhindert, dass die unteren Öffnungen der Vias von einer Schicht aus elektrisch isolierendem Material, insbesondere aus Lötstopplack, bedeckt sind.
Somit ist es möglich, die oberen Öffnungen der thermischen Vias unmittelbar mit Lot zu umgeben. Während des Lötprozesses verhindern die oberen Öffnungen der Vias, dass das Lot sich ungleichmäßig über die Montagefläche verteilt. Durch die Anordnung der Vias auf der Montagefläche kann eine besonders gleichmäßige Verteilung des Lots und somit eine besonders gleichmäßige Anbindung des Leistungshalbleiterbauteils erreicht werden.
Das Vorsehen von Zwischenräumen zwischen Bereichen der Lotschicht hat den Vorteil, dass Fluss- und Lösungsmittel während des Lötprozesses durch die Zwischenräume entweichen können. Während des Lötprozesses können die Zwischenräume ganz oder teilweise durch verfließendes Lot geschlossen werden.
Gemäß einer Ausführungsform sind die durch die Zwischenräume voneinander getrennten Bereiche der Lotschicht in einem geometrischen Raster angeordnet. Beispielsweise können die Bereiche der Lotschicht als quadratische oder rechteckige Bereiche ausgebildet sein und die Zwischenräume zwischen den Bereichen als schmale, gerade Korridore.
Typischerweise können auch die Vias in einem geometrischen Raster angeordnet sein, das beispielsweise dem Raster der Bereiche der Lotschicht entsprechen kann.
Gemäß einer Ausführungsform ist jeweils mindestens ein thermisches Via pro Bereich der Lotschicht vorgesehen. Dies ist insbesondere deshalb vorteilhaft, weil das zumindest eine Via dann für diesen Bereich die Aufgabe erfüllen kann, das Lotmaterial während des Lötprozesses an Ort und Stelle zu halten. Es ist auch denkbar, dass in jedem Bereich der Lotschicht mehrere thermische Vias angeordnet sind.
Gemäß einer Ausführungsform ist die Schicht aus isolierendem Material als durchgehende Schicht auf der Unterseite der Leiterplatte ausgebildet.
Unter einer durchgehenden Schicht wird hier und im Folgenden verstanden, dass die Schicht keine Zwischenräume aufweist. Eine derartige durchgehende Schicht kann besonders leicht aufgebracht werden. Die elektrisch isolierende Schicht kann die gesamte Unterseite der Leiterplatte bedecken. Sie kann jedoch auch nur im der Montagefläche gegenüberliegenden Bereich der Unterseite aufgebracht sein, in dem die unteren Öffnungen der Vias liegen, die durch die elektrisch isolierende Schicht abgedeckt werden sollen.
Gemäß einer Ausführungsform ist die Schicht aus isolierendem Material als Lötstopplackschicht ausgebildet. Eine derartige Schicht ist einfach aufzubringen und erfüllt den Zweck der elektrischen Isolation.
Gemäß einer Ausführungsform sind in der Leiterplatte unterhalb der Montagefläche Metallisierungen zur Verbesserung der Wärmeleitfähigkeit angeordnet. Bei den Metallisierungen kann es sich beispielsweise um Metalllagen handeln, die zumindest die laterale Ausdehnung der Montagefläche aufweisen und eine Wärmeleitung in Richtung der Unterseite sowie eine seitliche Wärmespreizung bewirken. Unter einer Anordnung der Metallisierungen unterhalb der Montagefläche wird eine Anordnung zwischen der Montagefläche und dem der Montagefläche gegenüberliegenden Bereich der Unterseite der Leiterplatte verstanden.
Derartige Metallisierungen sind bekannt und verbessern die Entwärmung des Leistungshalbleitermoduls.
Die Leiterplatte kann insbesondere als PCB ausgebildet sein. Es sind jedoch auch andere Technologien denkbar, bei denen metallische Lagen in eine elektrisch isolierende Matrix eingebettet sind.
Gemäß einem Aspekt der Erfindung wird ein Leistungshalbleitermodul mit zumindest einem Leistungshalbleiterbauteil angegeben, das auf einer Montagefläche der beschriebenen Leiterplatte angeordnet ist.
Gemäß einer Ausführungsform sind die thermischen Vias zumindest teilweise mit Lot gefüllt. Dabei handelt es sich um Lot, das während des Auflötens des Leistungshalbleiterbauteils aus der Lotschicht in die Vias geflossen ist.
Gemäß einem weiteren Aspekt der Erfindung wird ein Verfahren zur Herstellung einer Leiterplatte für ein Leistungshalbleitermodul angegeben, das das Bereitstellen einer Leiterplatte aufweisend zumindest eine Oberseite und eine Unterseite umfasst, wobei auf der Oberseite zumindest eine Montagefläche für ein Leistungshalbleiterbauteil vorgesehen ist, wobei die Leiterplatte thermische Vias aufweist, die sich im Bereich der Montagefläche von der Oberseite zur Unterseite der Leiterplatte erstrecken. Ferner umfasst das Verfahren das Aufbringen einer Lotschicht, die in durch Zwischenräume voneinander getrennte Bereiche unterteilt ist, auf die Montagefläche, derart, dass obere Öffnungen der thermischen Vias jeweils von einem Bereich der Lotschicht unmittelbar umgeben sind. Die Lotschicht kann insbesondere auf die Oberseite der Leiterplatte aufgedruckt werden.
Das Verfahren umfasst ferner das Aufbringen einer Schicht aus isolierendem Material auf die Unterseite der Leiterplatte, sodass zumindest die unteren Öffnungen der Vias von der Schicht aus isolierendem Material bedeckt sind.
Das Verfahren weist die bereits im Zusammenhang mit der Leiterplatte beschriebenen Vorteile auf.
Gemäß einem weiteren Aspekt der Erfindung umfasst ein Verfahren zur Herstellung eines Leistungshalbleitermoduls neben dem bereits beschriebenen Bereitstellen einer Leiterplatte auch das Aufbringen zumindest eines Leistungshalbleiterbauteils auf die Montagefläche mittels eines Lötprozesses.
Gemäß einer Ausführungsform tritt dabei während des Lötprozesses Lot aus der Lotschicht zumindest teilweise in die thermischen Vias ein.
Ausführungsformen der Erfindung werden im Folgenden anhand schematischer Zeichnungen beispielhaft beschrieben.

1 zeigt eine Leiterplatte für ein Leistungshalbleitermodul während eines Verfahrens zur Herstellung einer Leiterplatte gemäß einer Ausführungsform der Erfindung in einer perspektivischen Ansicht;
2 zeigt eine Draufsicht auf die Oberseite der Leiterplatte gemäß 1 nach dem Aufbringen einer Lotschicht;
3 zeigt eine Draufsicht auf die Unterseite der Leiterplatte gemäß den 1 und 2 nach dem Aufbringen einer isolierenden Schicht;
4 zeigt eine Schnittansicht der Leiterplatte gemäß den 2 und 3;
5 zeigt eine Schnittansicht eines Leistungshalbleitermoduls nach dem Aufbringen eines Leistungshalbleiterbauteils auf eine Leiterplatte gemäß 4;
6 zeigt eine Schnittansicht des Leistungshalbleitermoduls gemäß 5 nach einem Reflow-Prozess;
7 zeigt eine Draufsicht auf eine Leiterplatte gemäß einer alternativen Ausführungsform und
8 zeigt eine Draufsicht auf eine Leiterplatte gemäß einer weiteren alternativen Ausführungsform.

1 zeigt eine Leiterplatte 1 für ein Leistungshalbleitermodul, die eine Oberseite 2 und eine dieser gegenüberliegende Unterseite 3 aufweist. Bei der Leiterplatte 1 kann es sich beispielsweise um ein PCB handeln.
Auf der Oberseite 2 ist eine Montagefläche 4 als Teilbereich der Oberseite 2 vorgesehen. Die Montagefläche 4, die durch die gestrichelte Linie angedeutet ist, bezeichnet die Fläche, auf der ein Leistungshalbleiterbauteil zur Bildung eines Leistungshalbleitermoduls aufgebracht werden soll. Da im Betrieb des Leistungshalbleitermoduls hohe Verlustwärmemengen anfallen, ist eine Entwärmung der Leiterplatte 1 im Bereich der Montagefläche 4 besonders von Bedeutung.
Im Bereich der Montagefläche 4 ist eine Mehrzahl von Vias 5 in die Leiterplatte 1 eingebracht, die die Leiterplatte 1 von der Oberseite 2 bis zur Unterseite 3 durchdringen. Die Vias 5 sind als Durchgangsbohrungen in die Leiterplatte 1 eingebracht und weisen für eine bessere Wärmeleitung Metallisierungen, insbesondere eine Auskleidung ihrer Innenwände mit Metall, auf. Die Vias 5 weisen obere Öffnungen 6 auf, die an der Oberseite 2 der Leiterplatte 1 freiliegen, sowie untere Öffnungen, die in 1 nicht sichtbar sind.
In der gezeigten Ausführungsform sind insgesamt neun thermische Vias 5 vorgesehen und in einem geometrischen Raster angeordnet.
2 zeigt eine Draufsicht auf die Leiterplatte 1 gemäß 1 nach einem weiteren Verfahrensschritt zur Herstellung der Leiterplatte 1. In diesem Verfahrensschritt wurde auf die Oberseite 2 zumindest im Bereich der Montagefläche 4 eine Lotschicht 8 aufgebracht, beispielsweise aufgedruckt. Die Lotschicht 8 ist in der Form separater Bereiche 9 aufgebracht, wobei die Bereiche 9 durch Zwischenräume 11, die von der Lotschicht 8 freigehalten sind, voneinander getrennt sind.
Jeder der in der gezeigten Ausführungsform rechteckig ausgebildeten Bereiche 9 umschließt unmittelbar eine obere Öffnung 6 eines Vias 5, d.h. um den Rand der oberen Öffnungen 6 ist keine Barriere aus Lötstopplack angeordnet. In der gezeigten Ausführungsform ist in jedem Bereich 9 der Lotschicht genau ein Via 5 vorgesehen.
3 zeigt eine Draufsicht auf die Unterseite 3 der Leiterplatte 1 gemäß 1 nach dem Aufbringen einer elektrisch isolierenden Schicht 10 auf die Unterseite 3 der Leiterplatte 1. Die isolierende Schicht 10 ist in der gezeigten Ausführungsform als durchgehende Schicht aufgebracht, die sich über die gesamte Unterseite 3 der Leiterplatte 1 erstreckt und die die unteren Öffnungen 7 der Vias 5 bedeckt. Somit isoliert die isolierende Schicht 10 die metallisierten Vias 5 gegeneinander, auch wenn während eines Lötprozesses Lot in die Vias 5 fließt und auf der Unterseite 3 der Leiterplatte 1 wieder austritt.
Bei der isolierenden Schicht 10 auf der Unterseite 3 der Leiterplatte 1 handelt es sich in der gezeigten Ausführungsform um Lötstopplack.
4 zeigt eine Schnittansicht der Leiterplatte 1 gemäß den 2 und 3. Eine Metallisierung der Vias 5 ist der Übersichtlichkeit halber in der Figur nicht gezeigt.
5 zeigt eine Schnittansicht der Leiterplatte 1 gemäß den 1 bis 4 nach einem weiteren Schritt eines Verfahrens zur Herstellung eines Leistungshalbleitermoduls. In diesem Schritt wurde mindestens ein Leistungshalbleiterbauteil 12 auf die Oberseite 2 der Leiterplatte 1 aufgesetzt, und zwar auf der dafür vorgesehenen Montagefläche 4. Dabei können nicht gezeigte Kontaktanschlussflächen des Leistungshalbleiterbauteils 12 mit den Bereichen 9 der Lotschicht 8 in Kontakt gebracht werden.
Zur Bildung eines Leistungshalbleitermoduls 13 können auch weitere Leistungshalbleiterbauteile oder andere Komponenten auf die Leiterplatte 1 aufgebracht werden, die in den Figuren jedoch nicht gezeigt sind.
6 zeigt das Leistungshalbleitermodul 13 gemäß 5 nach einem Reflow-Prozess. Wie in der Schnittansicht erkennbar ist, ist während des Lötprozesses verflüssigtes Lot aus der Lotschicht 8 teilweise in die Vias 5 eingetreten. Auch die Zwischenräume 11 zwischen Bereichen der Lotschicht 8 haben sich teilweise geschlossen. Während des Lötens können Flussmittel und Lösungsmittel durch die Zwischenräume 11 aus der Lotschicht 8 entweichen und die einzelnen Bereiche 9 der Lotschicht 8 können ganz oder teilweise ineinander verlaufen.
Die an der Oberseite 2 der Leiterplatte 1 freiliegenden oberen Öffnungen 6 der Vias 5, die in der gezeigten Ausführungsform jeweils von einem Bereich der Lotschicht 8 umgeben sind, verhindern, dass sich das Lot der Lotschicht 8 ungleichmäßig über die Montagefläche 4 verteilt. Nach dem Lötprozess ist somit das Leistungshalbleiterbauteil 12 gleichmäßig mit der Leiterplatte 1 verbunden und die Leiterplatte 1 enthält unterhalb der Montagefläche 4 mit den ganz oder teilweise mit Metall gefüllten Vias 5 wirksam wärmeleitende Strukturen.
7 zeigt eine weitere Ausführungsform der Leiterplatte 1, bei der in jedem Bereich 9 der Lotschicht 8 vier obere Öffnungen 6 der Vias 5 frei liegen. Auch bei dieser Ausführungsform ist eine gleichmäßige Verteilung von Lot auf der Montagefläche 4 gewährleistet.
8 zeigt eine weitere Ausführungsform der Leiterplatte 1, die sich von der in 2 gezeigten darin unterscheidet, dass die einzelnen Bereiche 9 der Lotschicht 8 rautenförmig ausgebildet und in einem Raster angeordnet sind. Alternativ sind auch andere Formen für die Bereiche 9 denkbar, beispielsweise runde Formen und/oder Kombinationen aus den in den 2, 7 und 8 gezeigten Ausführungsformen.
Bezugszeichenliste

1: Leiterplatte
2: Oberseite
3: Unterseite
4: Montagefläche
5: Via
6: obere Öffnung
7: untere Öffnung
8: Lotschicht
9: Bereich
10: isolierende Schicht
11: Zwischenraum
12: Leistungshalbleiterbauteil
13: Leistungshalbleitermodul

Claims

Leiterplatte (1) für ein Leistungshalbleitermodul (13), aufweisend zumindest eine Oberseite (2) und eine Unterseite (3), wobei auf der Oberseite (2) zumindest eine Montagefläche (4) für ein Leistungshalbleiterbauteil (12) vorgesehen ist, wobei auf der Montagefläche (4) zumindest eine zur Verbindung zumindest eines Leistungshalbleiterbauteils (12) mit der Montagefläche (4) vorgesehene Lotschicht (8) angeordnet ist, die in durch Zwischenräume (11) voneinander getrennte Bereiche (9) unterteilt ist, und wobei in der Leiterplatte (1) eine Mehrzahl thermischer Vias (5) angeordnet ist, die sich im Bereich der Montagefläche (4) von der Oberseite (2) zur Unterseite (3) der Leiterplatte (2) erstrecken, wobei eine obere Öffnung (6) der thermischen Vias (5) jeweils von einem Bereich (9) der Lotschicht (8) unmittelbar umgeben ist und eine untere Öffnung (7) der Vias (5) von einer Schicht (10) aus elektrisch isolierendem Material bedeckt ist.
Leiterplatte (1) nach Anspruch 1, wobei die durch die Zwischenräume (11) voneinander getrennten Bereiche (9) der Lotschicht (8) in einem geometrischen Raster angeordnet sind.
Leiterplatte (1) nach Anspruch 1 oder 2, wobei jeweils mindestens ein thermisches Via (5) pro Bereich (9) der Lotschicht (8) vorgesehen ist.
Leiterplatte (1) nach einem der Anspruche 1 bis 3, wobei die Schicht (10) aus elektrisch isolierendem Material als durchgehende Schicht auf der Unterseite (3) der Leiterplatte (1) ausgebildet ist.
Leiterplatte (1) nach einem der Ansprüche 1 bis 4, wobei die Schicht (10) aus isolierendem Material als Lötstopplackschicht ausgebildet ist.
Leiterplatte (1) nach einem der Ansprüche 1 bis 5, wobei in der Leiterplatte (1) unterhalb der Montagefläche (4) Metallisierungen zur Verbesserung der Wärmeleitfähigkeit angeordnet sind.
Leiterplatte (1) nach einem de Ansprüche 1 bis 6, die als PCB ausgebildet ist.
Leistungshalbleitermodul (13) mit zumindest einem Leistungshalbleiterbauteil (12), das auf einer Montagefläche (4) einer Leiterplatte (1) nach einem der Ansprüche 1 bis 7 angeordnet ist.
Leistungshalbleitermodul (13) nach Anspruch 8, wobei die thermischen Vias (5) zumindest teilweise mit Lot gefüllt sind.
Verfahren zur Herstellung einer Leiterplatte (1) für ein Leistungshalbleitermodul (13), aufweisend - Bereitstellen einer Leiterplatte (1) aufweisend zumindest eine Oberseite (2) und eine Unterseite (3), wobei auf der Oberseite (2) zumindest eine Montagefläche (4) für ein Leistungshalbleiterbauteil (12) vorgesehen ist, wobei die Leiterplatte (1) thermische Vias (5) aufweist, die sich im Bereich der Montagefläche (4) von der Oberseite (2) zur Unterseite (3) der Leiterplatte (1) erstrecken; - Aufbringen einer Lotschicht (8), die in durch Zwischenräume (11) voneinander getrennte Bereiche (9) unterteilt ist, auf die Montagefläche (4), derart, dass obere Öffnungen (6) der thermischen Vias (5) jeweils von einem Bereich (9) der Lotschicht (8) unmittelbar umgeben sind; - Aufbringen einer Schicht (10) aus isolierendem Material auf die Unterseite (3) der Leiterplatte (1), so dass zumindest die unteren Öffnungen (7) der Vias (5) von der Schicht (10) aus isolierendem Material bedeckt sind.
Verfahren zur Herstellung eines Leistungshalbleitermoduls (13), aufweisend - Bereitstellen einer Leiterplatte (1) nach dem Verfahren gemäß Anspruch 10; - Aufbringen zumindest eines Leistungshalbleiterbauteils (12) auf die Montagefläche (4) mittels eines Lötprozesses.
Verfahren nach Anspruch 11, wobei während des Lötprozesses Lot aus der Lotschicht (8) zumindest teilweise in die thermischen Vias (5) eintritt.