DE102020204722A1 - OPTICAL SYSTEM, LITHOGRAPHY SYSTEM AND METHOD FOR OPERATING AN OPTICAL SYSTEM - Google Patents

OPTICAL SYSTEM, LITHOGRAPHY SYSTEM AND METHOD FOR OPERATING AN OPTICAL SYSTEM Download PDF

Info

Publication number
DE102020204722A1
DE102020204722A1 DE102020204722.7A DE102020204722A DE102020204722A1 DE 102020204722 A1 DE102020204722 A1 DE 102020204722A1 DE 102020204722 A DE102020204722 A DE 102020204722A DE 102020204722 A1 DE102020204722 A1 DE 102020204722A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
optical element
peltier elements
heating
optical
temperature
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Ceased
Application number
DE102020204722.7A
Other languages
German (de)
Inventor
Gunther Schulz
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Carl Zeiss SMT GmbH
Original Assignee
Carl Zeiss SMT GmbH
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Carl Zeiss SMT GmbH filed Critical Carl Zeiss SMT GmbH
Priority to DE102020204722.7A priority Critical patent/DE102020204722A1/en
Publication of DE102020204722A1 publication Critical patent/DE102020204722A1/en
Ceased legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/70858Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature
    • G03F7/70883Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature of optical system
    • G03F7/70891Temperature
    • FMECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F25REFRIGERATION OR COOLING; COMBINED HEATING AND REFRIGERATION SYSTEMS; HEAT PUMP SYSTEMS; MANUFACTURE OR STORAGE OF ICE; LIQUEFACTION SOLIDIFICATION OF GASES
    • F25BREFRIGERATION MACHINES, PLANTS OR SYSTEMS; COMBINED HEATING AND REFRIGERATION SYSTEMS; HEAT PUMP SYSTEMS
    • F25B21/00Machines, plants or systems, using electric or magnetic effects
    • F25B21/02Machines, plants or systems, using electric or magnetic effects using Peltier effect; using Nernst-Ettinghausen effect
    • F25B21/04Machines, plants or systems, using electric or magnetic effects using Peltier effect; using Nernst-Ettinghausen effect reversible
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/70808Construction details, e.g. housing, load-lock, seals or windows for passing light in or out of apparatus
    • G03F7/70825Mounting of individual elements, e.g. mounts, holders or supports
    • FMECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F25REFRIGERATION OR COOLING; COMBINED HEATING AND REFRIGERATION SYSTEMS; HEAT PUMP SYSTEMS; MANUFACTURE OR STORAGE OF ICE; LIQUEFACTION SOLIDIFICATION OF GASES
    • F25BREFRIGERATION MACHINES, PLANTS OR SYSTEMS; COMBINED HEATING AND REFRIGERATION SYSTEMS; HEAT PUMP SYSTEMS
    • F25B2321/00Details of machines, plants or systems, using electric or magnetic effects
    • F25B2321/02Details of machines, plants or systems, using electric or magnetic effects using Peltier effects; using Nernst-Ettinghausen effects
    • F25B2321/021Control thereof
    • F25B2321/0212Control thereof of electric power, current or voltage
    • FMECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F25REFRIGERATION OR COOLING; COMBINED HEATING AND REFRIGERATION SYSTEMS; HEAT PUMP SYSTEMS; MANUFACTURE OR STORAGE OF ICE; LIQUEFACTION SOLIDIFICATION OF GASES
    • F25BREFRIGERATION MACHINES, PLANTS OR SYSTEMS; COMBINED HEATING AND REFRIGERATION SYSTEMS; HEAT PUMP SYSTEMS
    • F25B2321/00Details of machines, plants or systems, using electric or magnetic effects
    • F25B2321/02Details of machines, plants or systems, using electric or magnetic effects using Peltier effects; using Nernst-Ettinghausen effects
    • F25B2321/025Removal of heat
    • F25B2321/0252Removal of heat by liquids or two-phase fluids
    • FMECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F25REFRIGERATION OR COOLING; COMBINED HEATING AND REFRIGERATION SYSTEMS; HEAT PUMP SYSTEMS; MANUFACTURE OR STORAGE OF ICE; LIQUEFACTION SOLIDIFICATION OF GASES
    • F25BREFRIGERATION MACHINES, PLANTS OR SYSTEMS; COMBINED HEATING AND REFRIGERATION SYSTEMS; HEAT PUMP SYSTEMS
    • F25B2700/00Sensing or detecting of parameters; Sensors therefor
    • F25B2700/21Temperatures

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Environmental & Geological Engineering (AREA)
  • Epidemiology (AREA)
  • Public Health (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Thermal Sciences (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Atmospheric Sciences (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)

Abstract

Es wird offenbart ein optisches System (200, 200') für eine Lithographieanlage (100A, 100B), aufweisend:
ein optisches Element (201);
mehrere Temperatursensoren (203), die jeweils geeignet sind, eine Temperatur eines Bereichs des optischen Elements (201) zu erfassen;
mehrere Peltier-Elemente (204), die an dem optischen Element (201) angeordnet sind, wobei jedes Peltier-Element (204) geeignet ist, anhand eines jeweiligen Steuersignals angesteuert zu werden und in Abhängigkeit des jeweiligen Steuersignals das optische Element (201) lokal zu erwärmen und/oder zu kühlen;
eine Steuereinheit (205) zum Erzeugen der jeweiligen Steuersignale in Abhängigkeit der durch die Temperatursensoren (203) erfassten Temperaturen; und
ein Wärme-/Kühlsystem (207) zur Wärmeabgabe an die Peltier-Elemente (204) und/oder zur Wärmeabfuhr von den Peltier-Elementen (204).

Figure DE102020204722A1_0000
An optical system (200, 200 ') for a lithography system (100A, 100B) is disclosed, comprising:
an optical element (201);
a plurality of temperature sensors (203) each suitable for detecting a temperature of a region of the optical element (201);
a plurality of Peltier elements (204) which are arranged on the optical element (201), each Peltier element (204) being suitable for being controlled using a respective control signal and the optical element (201) locally as a function of the respective control signal to heat and / or cool;
a control unit (205) for generating the respective control signals as a function of the temperatures detected by the temperature sensors (203); and
a heating / cooling system (207) for dissipating heat to the Peltier elements (204) and / or for dissipating heat from the Peltier elements (204).
Figure DE102020204722A1_0000

Description

Die vorliegende Erfindung betrifft ein optisches System, eine Lithographieanlage mit einem derartigen optischen System und ein Verfahren zum Betreiben eines derartigen optischen Systems.The present invention relates to an optical system, a lithography system with such an optical system and a method for operating such an optical system.

Die Mikrolithographie wird zur Herstellung mikrostrukturierter Bauelemente, wie beispielsweise integrierter Schaltkreise, angewendet. Der Mikrolithographieprozess wird mit einer Lithographieanlage durchgeführt, welche ein Beleuchtungssystem und ein Projektionssystem aufweist. Das Bild einer mittels des Beleuchtungssystems beleuchteten Maske (Retikel) wird hierbei mittels des Projektionssystems auf ein mit einer lichtempfindlichen Schicht (Photoresist) beschichtetes und in der Bildebene des Projektionssystems angeordnetes Substrat, beispielsweise einen Siliziumwafer, projiziert, um die Maskenstruktur auf die lichtempfindliche Beschichtung des Substrats zu übertragen.Microlithography is used to manufacture microstructured components, such as integrated circuits. The microlithography process is carried out with a lithography system which has an illumination system and a projection system. The image of a mask (reticle) illuminated by means of the illumination system is projected by means of the projection system onto a substrate, for example a silicon wafer, coated with a light-sensitive layer (photoresist) and arranged in the image plane of the projection system, in order to create the mask structure on the light-sensitive coating of the substrate transferred to.

Insbesondere während der Belichtung des Wafers kann es zu einer nicht rotationssymmetrischen, lichtinduzierten Erwärmung eines optischen Elements (Spiegel oder Linse) der Projektionsbelichtungsanlage (auch „Projektionssystem“ benannt) kommen. Diese lokalen Erwärmungen können eine entsprechende nicht rotationssymmetrische Ausdehnung des optischen Elements zur Folge haben, wodurch die Abbildungsqualität des optischen Elements reduziert wird.Particularly during the exposure of the wafer, a non-rotationally symmetrical, light-induced heating of an optical element (mirror or lens) of the projection exposure system (also called “projection system”) can occur. This local heating can result in a corresponding, non-rotationally symmetrical expansion of the optical element, as a result of which the imaging quality of the optical element is reduced.

Bei hohen Anforderungen an die Abbildungsqualität, wie sie insbesondere bei Projektionsbelichtungsverfahren in der Mikrolithographie bestehen, können die beschriebenen erwärmungsbasierten, insbesondere lichtinduzierten, Abbildungsfehler nicht toleriert werden.In the case of high demands on the image quality, such as exist in particular in the case of projection exposure methods in microlithography, the heating-based, in particular light-induced, image errors described cannot be tolerated.

Eine Möglichkeit zur Reduzierung der beschriebenen Abbildungsfehler ist, das optische Element derart zu beheizen und/oder zu kühlen, dass die Temperatur und/oder die Temperaturverteilung des optischen Elements konstant bleibt.One possibility for reducing the aberrations described is to heat and / or cool the optical element in such a way that the temperature and / or the temperature distribution of the optical element remains constant.

In dem Dokument DE 10 2010 061 950 A1 wird die Durchschnittstemperatur eines Spiegels mit einem Messstrahl, der durch den Spiegel geleitet wird, gemessen. In Abhängigkeit der Durchschnittstemperatur werden geeignete Korrekturmaßnahmen eingeleitet. Hierzu werden beispielsweise Peltier-Elemente verwendet, die von dem Spiegel beabstandet angeordnet sind und in Abhängigkeit der gemessenen Durchschnittstemperatur den Spiegel erwärmen oder kühlen.In the document DE 10 2010 061 950 A1 the average temperature of a mirror is measured with a measuring beam that is passed through the mirror. Appropriate corrective measures are initiated depending on the average temperature. For this purpose, Peltier elements are used, for example, which are arranged at a distance from the mirror and heat or cool the mirror as a function of the measured average temperature.

Vor diesem Hintergrund besteht eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung darin, ein verbessertes optisches Element für eine Lithographieanlage bereitzustellen.Against this background, it is an object of the present invention to provide an improved optical element for a lithography system.

Gemäß einem ersten Aspekt wird ein optisches System für eine Lithographieanlage vorgeschlagen. Das optische System umfasst:

  • ein optisches Element;
  • mehrere Temperatursensoren, die jeweils geeignet sind, eine Temperatur eines Bereichs des optischen Elements zu erfassen;
  • mehrere Peltier-Elemente, die an dem optischen Element angeordnet sind, wobei jedes Peltier-Element geeignet ist, anhand eines jeweiligen Steuersignals angesteuert zu werden und in Abhängigkeit des jeweiligen Steuersignals das optische Element lokal zu erwärmen und/oder zu kühlen;
  • eine Steuereinheit zum Erzeugen der jeweiligen Steuersignale in Abhängigkeit der durch die Temperatursensoren erfassten Temperaturen; und
  • ein Wärme-/Kühlsystem zur Wärmeabgabe an die Peltier-Elemente und/oder zur Wärmeabfuhr von den Peltier-Elementen.
According to a first aspect, an optical system for a lithography system is proposed. The optical system includes:
  • an optical element;
  • a plurality of temperature sensors each suitable for detecting a temperature of a region of the optical element;
  • a plurality of Peltier elements which are arranged on the optical element, each Peltier element being suitable for being controlled on the basis of a respective control signal and for locally heating and / or cooling the optical element as a function of the respective control signal;
  • a control unit for generating the respective control signals as a function of the temperatures detected by the temperature sensors; and
  • a heating / cooling system for dissipating heat to the Peltier elements and / or for dissipating heat from the Peltier elements.

Dadurch, dass die Peltier-Elemente einzeln durch ihre jeweiligen Steuersignale angesteuert werden, können die Peltier-Elemente das optische Elemente unabhängig voneinander erwärmen und/oder kühlen. Die Peltier-Elemente erwärmen und/oder kühlen insbesondere unterschiedliche lokale Bereiche des optischen Elements, wodurch eine lokale Temperaturanpassung des optischen Elements erfolgen kann. Somit kann die Temperatur des optischen Elements derart geregelt werden, dass eine konstante und/oder vorbestimmte Temperaturverteilung erzielt wird. Insbesondere können Verformungen des optischen Elements, die aufgrund der Absorption des einfallenden Lichts entstehen, kompensiert werden.Because the Peltier elements are controlled individually by their respective control signals, the Peltier elements can heat and / or cool the optical element independently of one another. The Peltier elements heat and / or cool, in particular, different local areas of the optical element, whereby a local temperature adjustment of the optical element can take place. The temperature of the optical element can thus be regulated in such a way that a constant and / or predetermined temperature distribution is achieved. In particular, deformations of the optical element that arise due to the absorption of the incident light can be compensated.

Das optische Element kann ein Spiegel oder eine Linse sein. Insbesondere handelt es sich bei dem optischen Element um ein optisches Element für eine Projektionsbelichtungsanlage einer Lithographieanlage, zum Beispiel einer EUV-(„extreme ultraviolet“) oder einer DUV- („deep ultraviolet“) Lithographieanlage. Während des Betriebs der Lithographieanlage, zum Beispiel während der Belichtung des Wafers, können unterschiedliche Lichtmengen auf unterschiedliche Bereiche der optischen Oberfläche des optischen Elements einfallen und zu den zuvor bereits beschriebenen Verformungen und unerwünschten optischen Aberrationen führen.The optical element can be a mirror or a lens. In particular, the optical element is an optical element for a projection exposure system of a lithography system, for example an EUV (“extreme ultraviolet”) or a DUV (“deep ultraviolet”) lithography system. During the operation of the lithography system, for example during the exposure of the wafer, different amounts of light can be incident on different areas of the optical surface of the optical element and lead to the deformations and undesired optical aberrations already described above.

Die Temperatursensoren können innerhalb des optischen Elements angeordnet sein, um eine lokale Innentemperatur des optischen Elements zu erfassen. Dabei kann jeder Temperatursensor einem Bereich des optischen Elements zugeordnet sein und eine Temperatur dieses Bereichs erfassen. Die einzelnen Temperatursensoren können in der Nähe der jeweiligen Peltier-Elemente angeordnet sein. Beispielsweise ist jedem Peltier-Element ein Temperatursensor zugeordnet. Zugeordnete Peltier-Elemente und Temperatursensoren können nebeneinander angeordnet sein. Die Anzahl an Peltier-Elementen kann der Anzahl an Temperatursensoren entsprechen. Es können aber auch mehr Peltier-Elemente als Temperatursensoren oder umgekehrt vorgesehen sein. Mithilfe der mehreren Temperatursensoren kann ein genaueres Temperaturbild des optischen Elements erfasst werden. Dies erhöht wiederum die Genauigkeit, mit der die Steuersignale erzeugt werden können. Insgesamt kann die Temperaturkorrektur durch die Peltier-Elemente verbessert werden.The temperature sensors can be arranged inside the optical element in order to detect a local internal temperature of the optical element. Each temperature sensor can have one Be assigned area of the optical element and detect a temperature of this area. The individual temperature sensors can be arranged in the vicinity of the respective Peltier elements. For example, a temperature sensor is assigned to each Peltier element. Associated Peltier elements and temperature sensors can be arranged next to one another. The number of Peltier elements can correspond to the number of temperature sensors. However, more Peltier elements than temperature sensors or vice versa can also be provided. A more precise temperature image of the optical element can be recorded with the aid of the multiple temperature sensors. This in turn increases the accuracy with which the control signals can be generated. Overall, the temperature correction can be improved by the Peltier elements.

Die Temperatursensoren und/oder die Peltier-Elemente können in gleichmäßigen Abständen über die Fläche des Spiegels hinweg verteilt angeordnet sein. Sie können jedoch auch ungleichmäßig angeordnet sein, zum Beispiel um bestimmte technische Voraussetzungen und/oder einen bestimmten Kühlbedarf zu erfüllen.The temperature sensors and / or the Peltier elements can be arranged distributed over the surface of the mirror at regular intervals. However, they can also be arranged unevenly, for example in order to meet certain technical requirements and / or a certain cooling requirement.

Jedes der Peltier-Elemente ist ein elektrothermischer Wandler, der basierend auf dem Peltier-Effekt bei Stromdurchfluss eine Temperaturdifferenz erzeugt. Die jeweiligen Peltier-Elemente können sowohl zur Kühlung als auch - bei Stromrichtungsumkehr - zum Heizen verwendet werden. Heizen wird vorliegend synonym zu Erwärmen verwendet und bezeichnet insbesondere eine Wärmezufuhr. Kühlen bedeutet hingegen eine Wärmeabfuhr. Es ist denkbar, alle Peltier-Elemente derart anzusteuern, dass sie alle heizen oder alle kühlen. Alternativ kann auch ein Teil der Peltier-Elemente zum Kühlen und ein anderer Teil zum Heizen angesteuert werden. Ferner können einige Peltier-Elemente derart angesteuert werden (insbesondere nicht angesteuert werden), dass sie weder heizen noch kühlen.Each of the Peltier elements is an electrothermal transducer which, based on the Peltier effect, generates a temperature difference when a current flows through it. The respective Peltier elements can be used both for cooling and - if the current direction is reversed - for heating. In the present case, heating is used synonymously with warming and in particular denotes a supply of heat. Cooling, on the other hand, means dissipating heat. It is conceivable to control all Peltier elements in such a way that they all heat or all cool. Alternatively, part of the Peltier elements can be controlled for cooling and another part for heating. Furthermore, some Peltier elements can be activated (in particular not activated) in such a way that they neither heat nor cool.

Die mehreren Peltier-Elemente können auch als ein Netz an Peltier-Elementen betrachtet werden. Die Anzahl an verwendeten Peltier-Elementen und die Größe der den Peltier-Elementen zugeordneten Zonen kann der zunehmenden Leistungssteigerung der Lichtquelle Rechnung tragen.The multiple Peltier elements can also be viewed as a network of Peltier elements. The number of Peltier elements used and the size of the zones assigned to the Peltier elements can take into account the increasing power increase of the light source.

Die einzelnen Peltier-Elemente können anhand der jeweiligen Steuersignale individuell angesteuert werden und entsprechend heizen und/oder kühlen. Hierbei enthält jedes Peltier-Element ein eigenes Steuersignal. Die Steuersignale können elektrische Stromsignale sein. So können die Peltier-Elemente zum Beispiel dadurch gesteuert werden, dass sie durch unterschiedliche Strommengen bestromt werden.The individual Peltier elements can be controlled individually using the respective control signals and heat and / or cool accordingly. Each Peltier element contains its own control signal. The control signals can be electrical current signals. For example, the Peltier elements can be controlled by being supplied with different amounts of current.

Die Steuereinheit kann zum Erzeugen der Steuersignale durch die Temperatursensoren erfasste Temperaturwerte und/oder vorgespeicherte Temperaturverteilungsmodelle berücksichtigen. Die Temperaturverteilungsmodelle geben beispielsweise die Temperaturverteilung in dem optischen Element an, wenn an einer bestimmten Stelle (zum Beispiel in einem bestimmten Bereich) in dem optischen Element (oder an mehreren Stellen in dem optischen Element) eine bestimmte Temperatur erfasst wird. Die Steuersignale werden insbesondere derart erzeugt, dass sie die Peltier-Elemente derart ansteuern können, dass diese die Temperatur des optischen Elements in räumlicher (bezogen auf Dimensionen des optischen Elements) und/oder zeitlicher Hinsicht konstant halten, und/oder dass diese die Temperatur des optischen Elements in räumlicher (bezogen auf Dimensionen des optischen Elements) und/oder zeitlicher Hinsicht an ein vorbestimmtes Temperaturprofil anpassen. Das vorbestimmte Temperaturprofil kann ein Temperaturprofil sein, dass den durch Erwärmung auf einem oder mehreren optischen Elementen erzeugten Abbildungsfehler kompensiert. Das beschriebene optische System kann Abbildungsfehler mehrerer optischen Elemente, die nacheinander angeordnet sind, kompensieren. Es ist auch denkbar, mehrere optische Systeme hintereinander in einer Lithographieanlage anzuordnen.To generate the control signals, the control unit can take into account temperature values recorded by the temperature sensors and / or pre-stored temperature distribution models. The temperature distribution models indicate, for example, the temperature distribution in the optical element if a certain temperature is detected at a certain point (for example in a certain area) in the optical element (or at several points in the optical element). The control signals are generated in particular in such a way that they can control the Peltier elements in such a way that they keep the temperature of the optical element constant in terms of space (based on dimensions of the optical element) and / or time, and / or that they keep the temperature of the Adjust the optical element in spatial (based on dimensions of the optical element) and / or in terms of time to a predetermined temperature profile. The predetermined temperature profile can be a temperature profile that compensates for the imaging error generated by heating on one or more optical elements. The optical system described can compensate for aberrations of several optical elements which are arranged one after the other. It is also conceivable to arrange several optical systems one behind the other in a lithography system.

Das Wärme-/Kühlsystem (also Wärme- und/oder Kühlsystem) dient insbesondere dazu, dem eingeschränkten Temperaturbereich, innerhalb dessen die Peltier-Elemente eine bestimmte Temperatur einstellen und aufrechterhalten können, Rechnung zu tragen. Anhand des Wärme-/Kühlsystems kann bei Einsatz der Peltier-Elemente als Kühlelemente eine Absenkung der Temperatur ermöglicht werden (Wärmeabfuhrfunktion des Wärme-/Kühlsystems). Anders herum kann mithilfe des Wärme-/Kühlsystems eine Erhöhung der Temperatur ermöglicht werden (Wärmezugabefunktion des Wärme-/Kühlsystems). Das Wärme-/Kühlsystem ist insbesondere an einer Rückseite der Peltier-Elemente, also an einer Seite, die dem optischen Element abgewandt ist, angeordnet. Es kann ein einziges Wärme-/Kühlsystem für alle Peltier-Elemente vorgesehen sein.The heating / cooling system (that is to say heating and / or cooling system) serves in particular to take into account the restricted temperature range within which the Peltier elements can set and maintain a certain temperature. The heating / cooling system can be used to lower the temperature when using the Peltier elements as cooling elements (heat dissipation function of the heating / cooling system). Conversely, the heating / cooling system can be used to increase the temperature (heat addition function of the heating / cooling system). The heating / cooling system is arranged in particular on a rear side of the Peltier elements, that is to say on a side that faces away from the optical element. A single heating / cooling system can be provided for all Peltier elements.

Gemäß einer Ausführungsform sind die Peltier-Elemente auf einer Rückseite des optischen Elements befestigt, insbesondere aufgeklebt, und/oder in die Rückseite des optischen Elements eingelassen.According to one embodiment, the Peltier elements are fastened, in particular glued, on a rear side of the optical element and / or embedded in the rear side of the optical element.

Die Peltier-Elemente können derart an dem optischen Element angeordnet sein, dass sie im direkten Kontakt zu dem optischen Element stehen. Zum Einlassen in die Rückseite des optischen Elements können in der Rückseite passende Aussparungen und/oder Bohrungen vorgesehen sein, in die die Peltier-Elemente eingeklebt werden. Die Rückseite des optischen Elements ist insbesondere eine optisch inaktive Oberfläche, auf die während des Betriebs der Lithographieanlage kein Arbeitslicht fällt. Im Regelfall reicht auch ein Aufkleben der Peltier-Elemente auf die Rückseite des optischen Elements. Anstelle des Aufklebens können die Peltier-Elemente beispielsweise durch Ansprengen am optischen Element befestigt werden.The Peltier elements can be arranged on the optical element in such a way that they are in direct contact with the optical element. Suitable recesses and / or bores, into which the Peltier elements are glued, can be provided in the rear side for insertion into the rear side of the optical element. The The back of the optical element is in particular an optically inactive surface on which no work light falls during the operation of the lithography system. As a rule, it is also sufficient to glue the Peltier elements to the back of the optical element. Instead of being glued on, the Peltier elements can be attached to the optical element, for example by wringing them on.

Gemäß einer weiteren Ausführungsform ist zumindest einer der Temperatursensoren auf einer Rückseite des optischen Elements befestigt, insbesondere aufgeklebt, und/oder innerhalb des optischen Elements angeordnet. Aufgeklebte Temperatursensoren sind insbesondere leichter anzubringen, erfassen die Temperatur innerhalb des optischen Elements jedoch mit weniger Genauigkeit.According to a further embodiment, at least one of the temperature sensors is fastened, in particular glued on, to a rear side of the optical element and / or is arranged within the optical element. Glued-on temperature sensors are, in particular, easier to attach, but detect the temperature within the optical element with less accuracy.

Gemäß einer weiteren Ausführungsform umfasst das Wärme-/Kühlsystem eine Kühlleitung, insbesondere eine wassergekühlte Leitung, die entlang einer Rückseite der Peltier-Elemente verläuft, und wobei eine Kühlleistung des Wärme-/Kühlsystems entlang der Rückseite der Peltier-Elemente entsprechend einem Wärme-/Kühlsystemgradienten variiert.According to a further embodiment, the heating / cooling system comprises a cooling line, in particular a water-cooled line, which runs along a rear side of the Peltier elements, and a cooling capacity of the heating / cooling system along the rear side of the Peltier elements corresponding to a heating / cooling system gradient varies.

Die Kühlleitung verläuft insbesondere innerhalb einer Grundplatte und kühlt somit die Rückseite der Peltier-Elemente. Die Rückseite der Peltier-Elemente ist insbesondere die Seite, die dem optischen Element abgewandt ist. Die Temperatur entlang der Kühlleitung kann deshalb variieren, weil das Kühlmittel durch die Wärmeabfuhr von den Peltier-Elementen (also Kältezufuhr an die Peltier-Elemente) erwärmt wird. Das Kühlmittel kann sich somit in Strömungsrichtung erwärmen, wodurch ein Wärme-/Kühlsystemgradient entsteht.The cooling line runs in particular within a base plate and thus cools the rear of the Peltier elements. The back of the Peltier elements is in particular the side that faces away from the optical element. The temperature along the cooling line can vary because the coolant is heated by the dissipation of heat from the Peltier elements (i.e. cold supply to the Peltier elements). The coolant can thus heat up in the direction of flow, which creates a heating / cooling system gradient.

Gemäß einer weiteren Ausführungsform berücksichtigt die Steuereinheit bei dem Erzeugen der Steuersignale den Wärme-/Kühlsystemgradienten. Dadurch kann der Korrektureffekt verbessert werden, weil das Heizen und/oder Kühlen durch die Peltier-Elemente mit erhöhter Genauigkeit erfolgen kann.According to a further embodiment, the control unit takes the heating / cooling system gradient into account when generating the control signals. As a result, the correction effect can be improved because the heating and / or cooling by the Peltier elements can take place with increased accuracy.

Gemäß einer weiteren Ausführungsform erzeugt die Steuereinheit die Steuersignale derart, dass die Peltier-Elemente das optische Element derart lokal erwärmen und/oder kühlen, dass eine Temperatur über das gesamte optische Element konstant ist und/oder einem vorbestimmten Temperaturprofil entspricht.According to a further embodiment, the control unit generates the control signals such that the Peltier elements locally heat and / or cool the optical element in such a way that a temperature is constant over the entire optical element and / or corresponds to a predetermined temperature profile.

Gemäß einem zweiten Aspekt wird eine Lithographieanlage mit einem optischen System gemäß dem ersten Aspekt und/oder gemäß einer Ausführungsform des ersten Aspekts vorgeschlagen.According to a second aspect, a lithography system with an optical system according to the first aspect and / or according to an embodiment of the first aspect is proposed.

Gemäß einem dritten Aspekt wird ein Verfahren zum Betreiben eines optischen Systems für eine Lithographieanlage, insbesondere zum Betreiben eines optischen Systems gemäß dem ersten Aspekt und/oder gemäß einer Ausführungsform des ersten Aspekts, vorgeschlagen. Das Verfahren umfasst:

  • Erfassen einer Temperatur eines optischen Elements mit mehreren Temperatursensoren;
  • Erzeugen von Steuersignalen in Abhängigkeit der erfassten Temperaturen;
  • Ansteuern von mehreren Peltier-Elementen, die an dem optischen Element angeordnet sind, wobei jedes der Peltier-Elemente anhand eines individuellen Steuersignals angesteuert wird und in Abhängigkeit des Steuersignals das optische Element lokal erwärmt und/oder kühlt; und
  • Abgeben von Wärme an die Peltier-Elemente mit einem Wärme-/Kühlsystem und/oder Abführen von Wärme von den Peltier-Elementen mit dem Wärme-/Kühlsystem.
According to a third aspect, a method for operating an optical system for a lithography system, in particular for operating an optical system according to the first aspect and / or according to an embodiment of the first aspect, is proposed. The procedure includes:
  • Detecting a temperature of an optical element with a plurality of temperature sensors;
  • Generating control signals as a function of the recorded temperatures;
  • Controlling a plurality of Peltier elements which are arranged on the optical element, each of the Peltier elements being controlled using an individual control signal and locally heating and / or cooling the optical element as a function of the control signal; and
  • Transferring heat to the Peltier elements with a heating / cooling system and / or dissipating heat from the Peltier elements with the heating / cooling system.

Gemäß einer Ausführungsform umfasst das Verfahren ferner:

  • beim Hochfahren der Lithographieanlage, Erwärmen des optischen Elements anhand der Peltier-Elemente derart, dass eine Arbeitstemperatur des optischen Elements erreicht wird; und/oder
  • während des Betriebs (insbesondere Produktivbetrieb) der Lithographieanlage, Kühlen und/oder Heizen des optischen Elements anhand der Peltier-Elemente derart, dass Temperaturunterschiede im optischen Element aufgrund der Lichteinstrahlung reduziert werden.
According to one embodiment, the method further comprises:
  • when starting up the lithography system, heating the optical element using the Peltier elements in such a way that a working temperature of the optical element is reached; and or
  • during operation (in particular productive operation) of the lithography system, cooling and / or heating of the optical element using the Peltier elements in such a way that temperature differences in the optical element due to the light irradiation are reduced.

Beim Hochfahren der Lithographieanlage können die Peltier-Elemente in einer Aufwärmphase zum gezielten Aufwärmen der optischen Elemente verwendet werden. Damit können zusätzliche Aufwärmelemente entfallen. „Hochfahren“ meint den einem Produktivbetrieb (insbesondere Chipherstellung) unmittelbar vorausgehenden Zeitraum, in dem die Anlage entsprechend gerüstet wird.When the lithography system is started up, the Peltier elements can be used in a warm-up phase for the targeted warm-up of the optical elements. This means that additional heating elements can be omitted. “Startup” means the period immediately preceding productive operation (especially chip manufacture) in which the system is set up accordingly.

Die für das optische System beschriebenen Ausführungsformen und Merkmale gelten für die vorgeschlagene Lithographieanlage sowie für das vorgeschlagene Verfahren entsprechend und umgekehrt.The embodiments and features described for the optical system apply accordingly to the proposed lithography system and to the proposed method, and vice versa.

„Ein“ ist vorliegend nicht zwingend als beschränkend auf genau ein Element zu verstehen. Vielmehr können auch mehrere Elemente, wie beispielsweise zwei, drei oder mehr, vorgesehen sein. Auch jedes andere hier verwendete Zählwort ist nicht dahingehend zu verstehen, dass eine Beschränkung auf genau die genannte Anzahl von Elementen gegeben ist. Vielmehr sind zahlenmäßige Abweichungen nach oben und nach unten möglich, soweit nichts Gegenteiliges angegeben ist.In the present case, “a” is not necessarily to be understood as restricting to exactly one element. Rather, several elements, such as two, three or more, can also be provided. Any other counting word used here is not to be understood as implying a restriction to precisely the specified number of elements given is. Rather, numerical deviations upwards and downwards are possible, unless otherwise stated.

Weitere mögliche Implementierungen der Erfindung umfassen auch nicht explizit genannte Kombinationen von zuvor oder im Folgenden bezüglich der Ausführungsbeispiele beschriebenen Merkmalen oder Ausführungsformen. Dabei wird der Fachmann auch Einzelaspekte als Verbesserungen oder Ergänzungen zu der jeweiligen Grundform der Erfindung hinzufügen.Further possible implementations of the invention also include combinations, not explicitly mentioned, of features or embodiments described above or below with regard to the exemplary embodiments. The person skilled in the art will also add individual aspects as improvements or additions to the respective basic form of the invention.

Weitere vorteilhafte Ausgestaltungen und Aspekte der Erfindung sind Gegenstand der Unteransprüche sowie der im Folgenden beschriebenen Ausführungsbeispiele der Erfindung. Im Weiteren wird die Erfindung anhand von bevorzugten Ausführungsformen unter Bezugnahme auf die beigelegten Figuren näher erläutert.

  • 1A zeigt eine schematische Ansicht einer Ausführungsform einer EUV-Lithographieanlage;
  • 1B zeigt eine schematische Ansicht einer Ausführungsform einer DUV-Lithographieanlage;
  • 2 zeigt ein optisches System für eine Lithographieanlage;
  • 3 zeigt eine Draufsicht einer Rückseite eines optischen Elements des optischen Systems gemäß 2;
  • 4 zeigt eine Schnittansicht des Wärme-/Kühlsystems; und
  • 5 zeigt eine alternative Ausführungsform eines optischen Systems für eine Lithographieanlage.
Further advantageous configurations and aspects of the invention are the subject matter of the subclaims and the exemplary embodiments of the invention described below. In the following, the invention is explained in more detail on the basis of preferred embodiments with reference to the attached figures.
  • 1A shows a schematic view of an embodiment of an EUV lithography system;
  • 1B shows a schematic view of an embodiment of a DUV lithography system;
  • 2 shows an optical system for a lithography system;
  • 3 FIG. 13 shows a plan view of a rear side of an optical element of the optical system according to FIG 2 ;
  • 4th Figure 3 shows a sectional view of the heating / cooling system; and
  • 5 shows an alternative embodiment of an optical system for a lithography system.

In den Figuren sind gleiche oder funktionsgleiche Elemente mit denselben Bezugszeichen versehen worden, soweit nichts Gegenteiliges angegeben ist. Ferner sollte beachtet werden, dass die Darstellungen in den Figuren nicht notwendigerweise maßstabsgerecht sind.In the figures, elements that are the same or have the same function have been provided with the same reference symbols, unless otherwise indicated. It should also be noted that the representations in the figures are not necessarily to scale.

1A zeigt eine schematische Ansicht einer EUV-Lithographieanlage 100A, welche ein Strahlformungs- und Beleuchtungssystem 102 und ein Projektionssystem 104 umfasst. Dabei steht EUV für „extremes Ultraviolett“ (Engl.: extreme ultraviolet, EUV) und bezeichnet eine Wellenlänge des Arbeitslichts zwischen 0,1 nm und 30 nm. Das Strahlformungs- und Beleuchtungssystem 102 und das Projektionssystem 104 sind jeweils in einem nicht gezeigten Vakuum-Gehäuse vorgesehen, wobei jedes Vakuum-Gehäuse mit Hilfe einer nicht dargestellten Evakuierungsvorrichtung evakuiert wird. Die Vakuum-Gehäuse sind von einem nicht dargestellten Maschinenraum umgeben, in welchem Antriebsvorrichtungen zum mechanischen Verfahren beziehungsweise Einstellen von optischen Elementen vorgesehen sind. Ferner können auch elektrische Steuerungen und dergleichen in diesem Maschinenraum vorgesehen sein. 1A shows a schematic view of an EUV lithography system 100A , which is a beam shaping and lighting system 102 and a projection system 104 includes. EUV stands for "extreme ultraviolet" (English: extreme ultraviolet, EUV) and designates a wavelength of work light between 0.1 nm and 30 nm. The beam shaping and lighting system 102 and the projection system 104 are each provided in a vacuum housing, not shown, with each vacuum housing being evacuated with the aid of an evacuation device, not shown. The vacuum housings are surrounded by a machine room, not shown, in which drive devices are provided for mechanically moving or adjusting optical elements. Furthermore, electrical controls and the like can also be provided in this machine room.

Die EUV-Lithographieanlage 100A weist eine EUV-Lichtquelle 106A auf. Als EUV-Lichtquelle 106A kann beispielsweise eine Plasmaquelle (oder ein Synchrotron) vorgesehen sein, welche Strahlung 108A im EUV-Bereich (extrem ultravioletter Bereich), also beispielsweise im Wellenlängenbereich von 5 nm bis 20 nm, aussendet. Im Strahlformungs- und Beleuchtungssystem 102 wird die EUV-Strahlung 108A gebündelt und die gewünschte Betriebswellenlänge aus der EUV-Strahlung 108A herausgefiltert. Die von der EUV-Lichtquelle 106A erzeugte EUV-Strahlung 108A weist eine relativ niedrige Transmissivität durch Luft auf, weshalb die Strahlführungsräume im Strahlformungs- und Beleuchtungssystem 102 und im Projektionssystem 104 evakuiert sind.The EUV lithography system 100A has an EUV light source 106A on. As an EUV light source 106A For example, a plasma source (or a synchrotron) can be provided, which radiation 108A in the EUV range (extreme ultraviolet range), for example in the wavelength range from 5 nm to 20 nm. In the beam shaping and lighting system 102 becomes the EUV radiation 108A bundled and the desired operating wavelength from the EUV radiation 108A filtered out. The one from the EUV light source 106A generated EUV radiation 108A has a relatively low transmissivity through air, which is why the beam guidance spaces in the beam shaping and lighting system 102 and in the projection system 104 are evacuated.

Das in 1A dargestellte Strahlformungs- und Beleuchtungssystem 102 weist fünf Spiegel 110, 112, 114, 116, 118 auf. Nach dem Durchgang durch das Strahlformungs- und Beleuchtungssystem 102 wird die EUV-Strahlung 108A auf eine Photomaske (Engl.: reticle) 120 geleitet. Die Photomaske 120 ist ebenfalls als reflektives optisches Element ausgebildet und kann außerhalb der Systeme 102, 104 angeordnet sein. Weiter kann die EUV-Strahlung 108A mittels eines Spiegels 122 auf die Photomaske 120 gelenkt werden. Die Photomaske 120 weist eine Struktur auf, welche mittels des Projektionssystems 104 verkleinert auf einen Wafer 124 oder dergleichen abgebildet wird.This in 1A beam shaping and lighting system shown 102 has five mirrors 110 , 112 , 114 , 116 , 118 on. After going through the beam shaping and lighting system 102 becomes the EUV radiation 108A guided onto a photomask (Engl .: reticle) 120. The photo mask 120 is also designed as a reflective optical element and can be used outside of the systems 102 , 104 be arranged. The EUV radiation can continue 108A by means of a mirror 122 on the photo mask 120 be steered. The photo mask 120 has a structure which by means of the projection system 104 scaled down to a wafer 124 or the like is mapped.

Das Projektionssystem 104 (auch als Projektionsobjektiv bezeichnet) weist sechs Spiegel M1 bis M6 zur Abbildung der Photomaske 120 auf den Wafer 124 auf. Dabei können einzelne Spiegel M1 bis M6 des Projektionssystems 104 symmetrisch zu einer optischen Achse 126 des Projektionssystems 104 angeordnet sein. Es sollte beachtet werden, dass die Anzahl der Spiegel M1 bis M6 der EUV-Lithographieanlage 100A nicht auf die dargestellte Anzahl beschränkt ist. Es können auch mehr oder weniger Spiegel M1 bis M6 vorgesehen sein. Des Weiteren sind die Spiegel M1 bis M6 in der Regel an ihrer Vorderseite zur Strahlformung gekrümmt.The projection system 104 (also known as a projection lens) has six mirrors M1 to M6 for imaging the photomask 120 on the wafer 124 on. Individual mirrors can be used M1 to M6 of the projection system 104 symmetrical about an optical axis 126 of the projection system 104 be arranged. It should be noted that the number of mirrors M1 to M6 the EUV lithography system 100A is not limited to the number shown. There can also be more or less mirrors M1 to M6 be provided. Furthermore are the mirrors M1 to M6 usually curved on their front side to shape the beam.

1B zeigt eine schematische Ansicht einer DUV-Lithographieanlage 100B, welche ein Strahlformungs- und Beleuchtungssystem 102 und ein Projektionssystem 104 umfasst. Dabei steht DUV für „tiefes Ultraviolett“ (Engl.: deep ultraviolet, DUV) und bezeichnet eine Wellenlänge des Arbeitslichts zwischen 30 nm und 250 nm. Das Strahlformungs- und Beleuchtungssystem 102 und das Projektionssystem 104 können - wie bereits mit Bezug zu 1A beschrieben - in einem Vakuumgehäuse angeordnet und/oder von einem Maschinenraum mit entsprechenden Antriebsvorrichtungen umgeben sein. 1B shows a schematic view of a DUV lithography system 100B , which is a beam shaping and lighting system 102 and a projection system 104 includes. DUV stands for "deep ultraviolet" (Engl .: deep ultraviolet, DUV) and designates a wavelength of work light between 30 nm and 250 nm Lighting system 102 and the projection system 104 can - as already with reference to 1A described - be arranged in a vacuum housing and / or surrounded by a machine room with appropriate drive devices.

Die DUV-Lithographieanlage 100B weist eine DUV-Lichtquelle 106B auf. Als DUV-Lichtquelle 106B kann beispielsweise ein ArF-Excimerlaser vorgesehen sein, welcher Strahlung 108B im DUV-Bereich bei beispielsweise 193 nm emittiert.The DUV lithography system 100B has a DUV light source 106B on. As a DUV light source 106B For example, an ArF excimer laser can be provided, which radiation 108B emitted in the DUV range at 193 nm, for example.

Das in 1B dargestellte Strahlformungs- und Beleuchtungssystem 102 leitet die DUV-Strahlung 108B auf eine Photomaske 120. Die Photomaske 120 ist als transmissives optisches Element ausgebildet und kann außerhalb der Systeme 102, 104 angeordnet sein. Die Photomaske 120 weist eine Struktur auf, welche mittels des Projektionssystems 104 verkleinert auf einen Wafer 124 oder dergleichen abgebildet wird.This in 1B beam shaping and lighting system shown 102 directs the DUV radiation 108B on a photo mask 120 . The photo mask 120 is designed as a transmissive optical element and can be used outside of the systems 102 , 104 be arranged. The photo mask 120 has a structure which by means of the projection system 104 scaled down to a wafer 124 or the like is mapped.

Das Projektionssystem 104 weist mehrere Linsen 128 und/oder Spiegel 130 zur Abbildung der Photomaske 120 auf den Wafer 124 auf. Dabei können einzelne Linsen 128 und/oder Spiegel 130 des Projektionssystems 104 symmetrisch zu einer optischen Achse 126 des Projektionssystems 104 angeordnet sein. Es sollte beachtet werden, dass die Anzahl der Linsen 128 und Spiegel 130 der DUV-Lithographieanlage 100B nicht auf die dargestellte Anzahl beschränkt ist. Es können auch mehr oder weniger Linsen 128 und/oder Spiegel 130 vorgesehen sein. Des Weiteren sind die Spiegel 130 in der Regel an ihrer Vorderseite zur Strahlformung gekrümmt.The projection system 104 has multiple lenses 128 and / or mirror 130 for imaging the photomask 120 on the wafer 124 on. Individual lenses 128 and / or mirror 130 of the projection system 104 symmetrical about an optical axis 126 of the projection system 104 be arranged. It should be noted that the number of lenses 128 and mirror 130 the DUV lithography system 100B is not limited to the number shown. There can also be more or fewer lenses 128 and / or mirror 130 be provided. Furthermore are the mirrors 130 usually curved on their front side to shape the beam.

Ein Luftspalt zwischen der letzten Linse 128 und dem Wafer 124 kann durch ein flüssiges Medium 132 ersetzt sein, welches einen Brechungsindex > 1 aufweist. Das flüssige Medium 132 kann beispielsweise hochreines Wasser sein. Ein solcher Aufbau wird auch als Immersionslithographie bezeichnet und weist eine erhöhte photolithographische Auflösung auf. Das Medium 132 kann auch als Immersionsflüssigkeit bezeichnet werden.An air gap between the last lens 128 and the wafer 124 can through a liquid medium 132 be replaced, which has a refractive index> 1. The liquid medium 132 can for example be ultrapure water. Such a structure is also referred to as immersion lithography and has an increased photolithographic resolution. The medium 132 can also be referred to as immersion liquid.

Die 2 zeigt ein optisches System 200 für eine Lithographieanlage 100A, 100B. Das optische System 200 umfasst ein optisches Element 201. Bei dem optischen Element handelt es sich beispielsweise um einen der im Zusammenhang mit der 1A beschriebenen Spiegel 110, 112, 114, 116, 118 oder M1 - M6 der EUV-Lithographieanlage 100A. Alternativ kann es sich jedoch auch um einen Spiegel 130 handeln, der in einer DUV-Lithographieanlage 100B Anwendung findet.The 2 shows an optical system 200 for a lithography system 100A , 100B . The optical system 200 includes an optical element 201 . The optical element is, for example, one of those in connection with 1A described mirror 110 , 112 , 114 , 116 , 118 or M1 - M6 the EUV lithography system 100A . Alternatively, however, it can also be a mirror 130 act in a DUV lithography system 100B Applies.

Wie in der 2 gezeigt, weist der Spiegel 201 eine optisch aktive Oberfläche 202 auf, auf die im Betrieb der Lithographieanlage 100A Arbeitslicht einfällt. Auf einer Rückseite 209 des Spiegels 201 befindet sich eine Kleberschicht 210, in der Temperatursensoren 203 und Peltier-Elemente 204 eingebettet sind. Die Kleberschicht 210 ist insbesondere aus einem nicht elektrisch leitfähigen, temperaturbeständigen Kleber gebildet.Like in the 2 shown, the mirror points 201 an optically active surface 202 on, on the operation of the lithography system 100A Work light comes in. On a back 209 of the mirror 201 there is an adhesive layer 210 , in the temperature sensors 203 and Peltier elements 204 are embedded. The adhesive layer 210 is formed in particular from a non-electrically conductive, temperature-resistant adhesive.

Die 3 zeigt, wie die Temperatursensoren 203 und die Peltier-Elemente 204 zueinander angeordnet sind. Die Temperatursensoren 203 und die Peltier-Elemente 204 sind jeweils in gleichmäßigen Abständen über die Fläche des Spiegels 201 hinweg verteilt angeordnet. Die Temperatursensoren 203 sind zwischen den Peltier-Elementen 204 angeordnet.The 3 shows how the temperature sensors 203 and the Peltier elements 204 are arranged to each other. The temperature sensors 203 and the Peltier elements 204 are each equally spaced across the surface of the mirror 201 arranged distributed across. The temperature sensors 203 are between the Peltier elements 204 arranged.

Die Peltier-Elemente 204 sind derart in der Schicht 210 angeordnet, dass eine obere Fläche 204A einer jeweiligen Peltier-Elements 204 flächig an der Rückseite 209 des Spiegels 201 anliegt. Die Temperatursensoren 203 liegen auch im Kontakt zur Rückseite 209 des Spiegels 201.The Peltier elements 204 are like that in the layer 210 arranged that a top surface 204A a respective Peltier element 204 flat on the back 209 of the mirror 201 is applied. The temperature sensors 203 are also in contact with the back 209 of the mirror 201 .

Eine untere Fläche 204B (Rückseite) der Peltier-Elemente 204 steht mit einem Wärme-/Kühlsystem 207 in Verbindung. Das Wärme-/Kühlsystem 207 umfasst eine wassergekühlte Kühlleitung 208, die serpentinenartig unterhalb der Peltier-Elemente 204 verläuft. Alternativ ist auch eine mäanderförmige Kühlleitung 208 denkbar. Eine Schnittansicht A-A des Wärme-/Kühlsystems 207 ist in der 4 gezeigt. Eine Strömungsrichtung des Wassers (Kühlmittel) in der Leitung 208 ist in der 4 durch Pfeile angedeutet. Eine Anfangstemperatur des Wassers in der Leitung 208 beträgt T0 und eine Endtemperatur oder Ausgangstemperatur beträgt TE . Ein „Übereinanderlegen“ der 3 und 4 deutet an, wo die Leitung 208 in Bezug zu den Peltier-Elementen 204 und den Temperatursensoren 203 verlaufen.A lower surface 204B (Back) of the Peltier elements 204 stands with a heating / cooling system 207 in connection. The heating / cooling system 207 includes a water-cooled cooling line 208 that are serpentine beneath the Peltier elements 204 runs. Alternatively, there is also a meandering cooling line 208 conceivable. A sectional view AA of the heating / cooling system 207 is in the 4th shown. A direction of flow of the water (coolant) in the pipe 208 is in the 4th indicated by arrows. An initial temperature of the water in the pipe 208 amounts T 0 and is a final temperature or exit temperature T E . A "superimposition" of the 3 and 4th indicates where the line 208 in relation to the Peltier elements 204 and the temperature sensors 203 run away.

Das Wärme-/Kühlsystem 207 dient dazu, die beim Kühlen durch die Peltier-Elemente 204 auf die Rückseite 204B der Peltier-Elemente 204 transportierte Wärme abzuführen. Beim Heizen durch die Peltier-Elemente 204 dient das Wärme-/Kühlsystem 207 ferner dazu, Wärme auf der Rückseite 204B der Peltier-Elemente 204 zur Verfügung zu stellen.The heating / cooling system 207 is used for cooling by the Peltier elements 204 on the back 204B the Peltier elements 204 dissipate transported heat. When heating by the Peltier elements 204 is used by the heating / cooling system 207 also, heat on the back 204B the Peltier elements 204 to provide.

Die jeweiligen Peltier-Elemente 204 sind über Leitungen 206 mit einer Steuereinheit 205 verbunden, die die Peltier-Elemente 204 individuell bestromt. Die Steuereinheit 205 berechnet in Abhängigkeit von den erfassten Temperaturwerten ein Steuersignal und sendet dann eine entsprechende Leistung (zum Beispiel analog oder als Pulsdauermodulationssignal) an die Peltier-Elemente 204. Die Steuereinheit 205 steuert die Peltier-Elemente 204 individuell an, indem sie die Peltier-Elemente 204 mit einer adäquaten Stromstärke als Steuersignal bestromt. Die jeweiligen Peltier-Elemente 204 heizen und/oder kühlen den Spiegel 201 lokal in Abhängigkeit von dem empfangenen Steuersignal. Die durch ein Peltier-Element 204 gelieferte Wärme ist proportional zur Stromstärke, die das Peltier-Element 204 durchfließt.The respective Peltier elements 204 are over lines 206 with a control unit 205 connected to the Peltier elements 204 individually energized. The control unit 205 calculates a control signal as a function of the recorded temperature values and then sends a corresponding power (for example analog or as a pulse duration modulation signal) to the Peltier elements 204 . The control unit 205 controls the Peltier elements 204 individually by using the Peltier elements 204 energized with an adequate current strength as a control signal. The respective Peltier elements 204 heat and / or cool the mirror 201 locally depending on the received control signal. Made by a Peltier element 204 Delivered heat is proportional to the current that the Peltier element 204 flows through.

In der 2 ist die Verschaltung der Steuereinheit 205, der Peltier-Elemente 204 und der Temperatursensoren 203 nur schematisch angedeutet und ist nicht vollständig. Insbesondere ist der Verlauf der Leitungen 206 in der Kleberschicht 210 nicht gezeigt. Vielmehr ist jeder Temperatursensor 203 separat mit der Steuereinheit 205 verbunden und liefert ihr den erfassten Temperaturwert. Darüber hinaus ist die Steuereinheit 205 geeignet, in Abhängigkeit der erhaltenen Temperaturwerte die jeweiligen Steuersignale für die Ansteuerung der jeweiligen Peltier-Elemente 204 zu bestimmen. Hierbei bestimmt die Steuereinheit 205, welche Strommenge an welches Peltier-Element 204 geliefert werden soll, um die Temperaturunterschiede zu korrigieren.In the 2 is the interconnection of the control unit 205 , the Peltier elements 204 and the temperature sensors 203 only indicated schematically and is not complete. In particular, the course of the lines 206 in the adhesive layer 210 Not shown. Rather, every temperature sensor is 203 separately with the control unit 205 connected and provides you with the recorded temperature value. In addition, the control unit 205 suitable, depending on the temperature values obtained, the respective control signals for activating the respective Peltier elements 204 to determine. The control unit determines 205 which amount of current to which Peltier element 204 should be delivered to correct the temperature differences.

Bei der Bestimmung der Steuersignale durch die Steuereinheit 205 berücksichtigt diese zusätzlich zu den empfangenen Temperaturwerten auch ein vorgespeichertes Temperaturverteilungsmodell. Das Temperaturverteilungsmodell gibt an, welche Temperatur der Spiegel 201 an welcher Stelle hat, wenn eine bestimmte Temperatur durch die Sensoren 203 erfasst wird. Ferner berücksichtig die Steuereinheit 205 bei der Bestimmung der Steuersignale den Temperaturgradienten zwischen der Anfangstemperatur T0 und der Endtemperatur TE der Leitung 208. Hierzu werden entweder die zuvor beschriebenen Temperatursensoren 203 eingesetzt, oder es werden entlang des Wärme-/Kühlsystems 207 weitere Temperatursensoren angeordnet.When determining the control signals by the control unit 205 In addition to the received temperature values, this also takes into account a pre-stored temperature distribution model. The temperature distribution model indicates what temperature the mirror 201 at what point has when a certain temperature through the sensors 203 is captured. Also take into account the control unit 205 the temperature gradient between the initial temperature when determining the control signals T 0 and the final temperature T E the line 208 . Either the temperature sensors described above are used for this 203 used, or along the heating / cooling system 207 further temperature sensors arranged.

Den bestimmten Steuersignalen entsprechend liefern Stromquellen der Steuereinheit 205, die mit den jeweiligen Peltier-Elementen 204 elektrisch verbunden sind, den jeweiligen Peltier-Elementen 204 die Strommenge, die für die Temperaturkorrektur erforderlich ist. Die Peltier-Elemente 204 heizen und/oder kühlen die Rückseite 209 des Spiegels 201 und somit auch den gesamten Spiegel 201. Dadurch werden optische Aberrationen verringert und/oder verhindert.Current sources supply the control unit in accordance with the specific control signals 205 with the respective Peltier elements 204 are electrically connected to the respective Peltier elements 204 the amount of current required for temperature correction. The Peltier elements 204 heat and / or cool the back 209 of the mirror 201 and thus the entire mirror 201 . This reduces and / or prevents optical aberrations.

Die 5 zeigt eine alternative Ausführungsform eines optischen Systems 200' für eine Lithographieanlage 100A, 100B. Statt die Temperatursensoren 203 in der Kleberschicht 210 vorzusehen, sind die Temperatursensoren 203 hier in dem Spiegel 201 eingebettet. Dazu wird eine präzisere Temperaturerfassung ermöglicht. Ferner sind die Peltier-Elemente 204 in Aussparungen 211 auf der Rückseite 209 des Spiegels 201 vorgesehen. Dadurch gewinnt ein Erwärmen und/oder Kühlen des Spiegels 201 durch die Peltier-Elemente 204 an Effizienz.The 5 Figure 3 shows an alternative embodiment of an optical system 200 ' for a lithography system 100A , 100B . Instead of the temperature sensors 203 in the adhesive layer 210 the temperature sensors are to be provided 203 here in the mirror 201 embedded. In addition, a more precise temperature detection is made possible. Furthermore, the Peltier elements 204 in recesses 211 on the back side 209 of the mirror 201 intended. As a result, the mirror is heated and / or cooled 201 through the Peltier elements 204 of efficiency.

In den Ausführungsformen der 2 bis 5 wird während des Betriebs der Lithographieanlage 100A, 100B, insbesondere bei der Chipherstellung, mit den Peltier-Elementen 204 üblicherweise lokal gekühlt, um Erwärmungen des Spiegels 201 durch einfallendes Licht zu kompensieren. Durch eine Umkehr der Stromrichtung kann mit den Peltier-Elementen 204 jedoch auch geheizt werden, was zum Beispiel in der Aufwärmphase der Lithographieanlage 100A, 100B beim Hochfahren der Lithographieanlage 100A, 100B besonders nützlich ist.In the embodiments of 2 to 5 is during the operation of the lithography system 100A , 100B , especially in chip production, with the Peltier elements 204 usually locally cooled in order to heat the mirror 201 to compensate by incident light. By reversing the direction of the current, the Peltier elements 204 However, they can also be heated, for example in the warm-up phase of the lithography system 100A , 100B when starting up the lithography system 100A , 100B is particularly useful.

Obwohl die vorliegende Erfindung anhand von Ausführungsbeispielen beschrieben wurde, ist sie vielfältig modifizierbar. Anstelle der mehreren Temperatursensoren 203 kann zum Beispiel nur ein einziger Temperatursensor an dem optischen Element 201 vorgesehen sein.Although the present invention has been described on the basis of exemplary embodiments, it can be modified in many ways. Instead of the multiple temperature sensors 203 for example, only a single temperature sensor on the optical element 201 be provided.

BezugszeichenlisteList of reference symbols

100A100A
EUV-LithographieanlageEUV lithography system
100B100B
DUV-LithographieanlageDUV lithography system
102102
Strahlformungs- und BeleuchtungssystemBeam shaping and lighting system
104104
ProjektionssystemProjection system
106A106A
EUV-LichtquelleEUV light source
106B106B
DUV-LichtquelleDUV light source
108A108A
EUV-StrahlungEUV radiation
108B108B
DUV-StrahlungDUV radiation
110110
Spiegelmirror
112112
Spiegelmirror
114114
Spiegelmirror
116116
Spiegelmirror
118118
Spiegelmirror
120120
PhotomaskePhotomask
122122
Spiegelmirror
124124
WaferWafer
126126
optische Achseoptical axis
128128
Linselens
130130
Spiegelmirror
132132
Mediummedium
200200
optisches Systemoptical system
200'200 '
optisches Systemoptical system
201201
optisches Elementoptical element
202202
optische Oberflächeoptical surface
203203
TemperatursensorTemperature sensor
204204
Peltier-ElementPeltier element
204A204A
obere Flächeupper surface
204B204B
untere Flächelower surface
205205
SteuereinheitControl unit
206206
Leitungmanagement
207207
Wärme-/KühlsystemHeating / cooling system
208208
KühlleitungCooling pipe
209209
Rückseiteback
210210
KleberschichtAdhesive layer
211211
AussparungRecess
M1M1
Spiegelmirror
M2M2
Spiegelmirror
M3M3
Spiegelmirror
M4M4
Spiegelmirror
M5M5
Spiegelmirror
M6M6
Spiegelmirror
T0 T 0
AnfangstemperaturInitial temperature
TE T E
EndtemperaturFinal temperature

ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNGQUOTES INCLUDED IN THE DESCRIPTION

Diese Liste der vom Anmelder aufgeführten Dokumente wurde automatisiert erzeugt und ist ausschließlich zur besseren Information des Lesers aufgenommen. Die Liste ist nicht Bestandteil der deutschen Patent- bzw. Gebrauchsmusteranmeldung. Das DPMA übernimmt keinerlei Haftung für etwaige Fehler oder Auslassungen.This list of the documents listed by the applicant was generated automatically and is included solely for the better information of the reader. The list is not part of the German patent or utility model application. The DPMA assumes no liability for any errors or omissions.

Zitierte PatentliteraturPatent literature cited

  • DE 102010061950 A1 [0006]DE 102010061950 A1 [0006]

Claims (9)

Optisches System (200, 200') für eine Lithographieanlage (100A, 100B), aufweisend: ein optisches Element (201); mehrere Temperatursensoren (203), die jeweils geeignet sind, eine Temperatur eines Bereichs des optischen Elements (201) zu erfassen; mehrere Peltier-Elemente (204), die an dem optischen Element (201) angeordnet sind, wobei jedes Peltier-Element (204) geeignet ist, anhand eines jeweiligen Steuersignals angesteuert zu werden und in Abhängigkeit des jeweiligen Steuersignals das optische Element (201) lokal zu erwärmen und/oder zu kühlen; eine Steuereinheit (205) zum Erzeugen der jeweiligen Steuersignale in Abhängigkeit der durch die Temperatursensoren (203) erfassten Temperaturen; und ein Wärme-/Kühlsystem (207) zur Wärmeabgabe an die Peltier-Elemente (204) und/oder zur Wärmeabfuhr von den Peltier-Elementen (204).Optical system (200, 200 ') for a lithography system (100A, 100B), comprising: an optical element (201); a plurality of temperature sensors (203) each suitable for detecting a temperature of a region of the optical element (201); a plurality of Peltier elements (204) which are arranged on the optical element (201), each Peltier element (204) being suitable for being controlled using a respective control signal and the optical element (201) locally as a function of the respective control signal to heat and / or cool; a control unit (205) for generating the respective control signals as a function of the temperatures detected by the temperature sensors (203); and a heating / cooling system (207) for dissipating heat to the Peltier elements (204) and / or for dissipating heat from the Peltier elements (204). Optisches System nach Anspruch 1, wobei die Peltier-Elemente (204) auf einer Rückseite (209) des optischen Elements (201) befestigt, insbesondere aufgeklebt, sind und/oder in die Rückseite (209) des optischen Elements (201) eingelassen sind.Optical system according to Claim 1 wherein the Peltier elements (204) are fastened, in particular glued, on a rear side (209) of the optical element (201) and / or are embedded in the rear side (209) of the optical element (201). Optisches System nach Anspruch 1 oder 2, wobei zumindest einer der Temperatursensoren (203) auf einer Rückseite (209) des optischen Elements (201) befestigt, insbesondere aufgeklebt, ist und/oder innerhalb des optischen Elements (201) angeordnet ist.Optical system according to Claim 1 or 2 wherein at least one of the temperature sensors (203) is fastened, in particular glued, on a rear side (209) of the optical element (201) and / or is arranged within the optical element (201). Optisches System nach einem der Ansprüche 1 bis 3, wobei das Wärme-/Kühlsystem (207) eine Kühlleitung (208), insbesondere eine wassergekühlte Leitung, umfasst, die entlang einer Rückseite (204B) der Peltier-Elemente (204) verläuft, und wobei eine Kühlleistung des Wärme-/Kühlsystems (207) entlang der Rückseite (204B) der Peltier-Elemente (204) entsprechend einem Wärme-/Kühlsystemgradienten variiert.Optical system according to one of the Claims 1 to 3 , wherein the heating / cooling system (207) comprises a cooling line (208), in particular a water-cooled line, which runs along a rear side (204B) of the Peltier elements (204), and wherein a cooling capacity of the heating / cooling system (207 ) varies along the rear side (204B) of the Peltier elements (204) according to a heating / cooling system gradient. Optisches System nach Anspruch 4, wobei die Steuereinheit (205) bei dem Erzeugen der Steuersignale den Wärme-/Kühlsystemgradienten berücksichtigt.Optical system according to Claim 4 , wherein the control unit (205) takes into account the heating / cooling system gradient when generating the control signals. Optisches System nach einem der Ansprüche 1 bis 5, wobei die Steuereinheit (205) die Steuersignale derart erzeugt, dass die Peltier-Elemente (204) das optische Element (201) derart lokal erwärmen und/oder kühlen, dass eine Temperatur über das gesamte optische Element (201) konstant ist und/oder einem vorbestimmten Temperaturprofil entspricht.Optical system according to one of the Claims 1 to 5 , wherein the control unit (205) generates the control signals in such a way that the Peltier elements (204) locally heat and / or cool the optical element (201) such that a temperature is constant over the entire optical element (201) and / or corresponds to a predetermined temperature profile. Lithographieanlage (100A, 100B) mit einem optischen System (200, 200') nach einem der Ansprüche 1 bis 6.Lithography system (100A, 100B) with an optical system (200, 200 ') according to one of the Claims 1 to 6th . Verfahren zum Betreiben eines optischen Systems (200, 200') für eine Lithographieanlage (100A, 100B), insbesondere zum Betreiben eines optischen Systems (200, 200') nach einem der Ansprüche 1 bis 6, umfassend: Erfassen von Temperaturen von Bereichen eines optischen Elements (201) mit mehreren Temperatursensoren (203); Erzeugen von Steuersignalen in Abhängigkeit der erfassten Temperaturen; Ansteuern von mehreren Peltier-Elementen (204), die an dem optischen Element (201) angeordnet sind, wobei jedes der Peltier-Elemente (204) anhand eines individuellen Steuersignals angesteuert wird und in Abhängigkeit des Steuersignals das optische Element (201) lokal erwärmt und/oder kühlt; und Abgeben von Wärme an die Peltier-Elemente (204) mit einem Wärme-/Kühlsystem (207) und/oder Abführen von Wärme von den Peltier-Elementen (204) mit dem Wärme-/Kühlsystem (207).Method for operating an optical system (200, 200 ') for a lithography system (100A, 100B), in particular for operating an optical system (200, 200') according to one of the Claims 1 to 6th comprising: detecting temperatures of regions of an optical element (201) with a plurality of temperature sensors (203); Generating control signals as a function of the recorded temperatures; Controlling a plurality of Peltier elements (204) which are arranged on the optical element (201), each of the Peltier elements (204) being controlled using an individual control signal and locally heating and controlling the optical element (201) as a function of the control signal / or cools; and releasing heat to the Peltier elements (204) with a heating / cooling system (207) and / or removing heat from the Peltier elements (204) with the heating / cooling system (207). Verfahren nach Anspruch 8, ferner umfassend: beim Hochfahren der Lithographieanlage, Erwärmen des optischen Elements (201) anhand der Peltier-Elemente (204) derart, dass eine Arbeitstemperatur des optischen Elements erreicht wird; und/oder während des Betriebs der Lithographieanlage, Kühlen und/oder Heizen des optischen Elements (201) anhand der Peltier-Elemente (204) derart, dass Temperaturunterschiede im optischen Element (201) aufgrund der Lichteinstrahlung reduziert werden.Procedure according to Claim 8 , further comprising: when starting up the lithography system, heating the optical element (201) using the Peltier elements (204) in such a way that a working temperature of the optical element is reached; and / or during operation of the lithography system, cooling and / or heating the optical element (201) using the Peltier elements (204) in such a way that temperature differences in the optical element (201) due to the light irradiation are reduced.
DE102020204722.7A 2020-04-15 2020-04-15 OPTICAL SYSTEM, LITHOGRAPHY SYSTEM AND METHOD FOR OPERATING AN OPTICAL SYSTEM Ceased DE102020204722A1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102020204722.7A DE102020204722A1 (en) 2020-04-15 2020-04-15 OPTICAL SYSTEM, LITHOGRAPHY SYSTEM AND METHOD FOR OPERATING AN OPTICAL SYSTEM

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102020204722.7A DE102020204722A1 (en) 2020-04-15 2020-04-15 OPTICAL SYSTEM, LITHOGRAPHY SYSTEM AND METHOD FOR OPERATING AN OPTICAL SYSTEM

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE102020204722A1 true DE102020204722A1 (en) 2020-11-12

Family

ID=72943617

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE102020204722.7A Ceased DE102020204722A1 (en) 2020-04-15 2020-04-15 OPTICAL SYSTEM, LITHOGRAPHY SYSTEM AND METHOD FOR OPERATING AN OPTICAL SYSTEM

Country Status (1)

Country Link
DE (1) DE102020204722A1 (en)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2022258253A1 (en) 2021-06-10 2022-12-15 Carl Zeiss Smt Gmbh Optical assembly and lithography system with radiative cooling
DE102022212570A1 (en) 2022-11-24 2023-12-14 Carl Zeiss Smt Gmbh Heating device and optical system, in particular EUV lithography system
WO2024068286A1 (en) * 2022-09-28 2024-04-04 Carl Zeiss Smt Gmbh Mirror device and method for measuring the temperature of a mirror

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102009054869A1 (en) * 2009-04-09 2010-10-14 Carl Zeiss Smt Ag Mirror for guiding a radiation beam
DE102010061950A1 (en) * 2010-11-25 2012-05-31 Carl Zeiss Smt Gmbh Method and device for determining the heating state of a mirror in an optical system
DE102012201075A1 (en) * 2012-01-25 2013-07-25 Carl Zeiss Smt Gmbh Optical assembly, EUV lithography apparatus and method of configuring an optical assembly
DE102015212859A1 (en) * 2015-07-09 2016-07-07 Carl Zeiss Smt Gmbh Lithography plant and method

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102009054869A1 (en) * 2009-04-09 2010-10-14 Carl Zeiss Smt Ag Mirror for guiding a radiation beam
DE102010061950A1 (en) * 2010-11-25 2012-05-31 Carl Zeiss Smt Gmbh Method and device for determining the heating state of a mirror in an optical system
DE102012201075A1 (en) * 2012-01-25 2013-07-25 Carl Zeiss Smt Gmbh Optical assembly, EUV lithography apparatus and method of configuring an optical assembly
DE102015212859A1 (en) * 2015-07-09 2016-07-07 Carl Zeiss Smt Gmbh Lithography plant and method

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2022258253A1 (en) 2021-06-10 2022-12-15 Carl Zeiss Smt Gmbh Optical assembly and lithography system with radiative cooling
DE102021205908A1 (en) 2021-06-10 2022-12-15 Carl Zeiss Smt Gmbh Optical arrangement and lithography system with radiation cooling
WO2024068286A1 (en) * 2022-09-28 2024-04-04 Carl Zeiss Smt Gmbh Mirror device and method for measuring the temperature of a mirror
DE102022212570A1 (en) 2022-11-24 2023-12-14 Carl Zeiss Smt Gmbh Heating device and optical system, in particular EUV lithography system

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE102020204722A1 (en) OPTICAL SYSTEM, LITHOGRAPHY SYSTEM AND METHOD FOR OPERATING AN OPTICAL SYSTEM
DE60308758T2 (en) Method and apparatus for compensating transient thermal stress of a photolithography mirror
EP4073588A1 (en) Optical system, heating arrangement, and method for heating an optical element in an optical system
DE602004008009T2 (en) Lithographic apparatus
CN1904741B (en) Mask-free exposure method
DE102018202687A1 (en) Production method for components of a projection exposure apparatus for semiconductor lithography and projection exposure apparatus
EP2465011B1 (en) Method and device for keeping mask dimensions constant
DE102015224281A1 (en) METHOD FOR PRODUCING A MIRROR FOR A LITHOGRAPHIC SYSTEM
DE60315986T2 (en) Lithographic apparatus and method of making a device
DE102016219357A1 (en) Projection exposure apparatus for semiconductor lithography with reduced thermal deformation
DE102012200733A1 (en) Mirror assembly for optical system e.g. microlithographic projection exposure apparatus, has radiator whose sections are designed in such way that relative contribution of sections compensate to temperature-induced deformation
JPH03133119A (en) Photographic plate making device for semiconductor wafer and its method
DE102018203925A1 (en) Beam shaping and illumination system for a lithography system and method
DE102011086513A1 (en) Projection exposure method for exposure of semiconductor wafer with image of pattern of reticle for manufacturing semiconductor component, involves heating mask corresponding to two-dimensional heating profile by heating device
DE102019219231A1 (en) Projection exposure system for semiconductor lithography
DE102018123328B4 (en) Subassembly of an optical system, in particular in a microlithographic projection exposure system, and method for operating such an optical system
DE102020214130A1 (en) Process for temperature control of an optical element and optical assembly
WO2004092843A2 (en) Projection lens, microlithographic projection exposure system and method for producing a semiconductor circuit
WO2022161659A1 (en) Optical system, and method for operating an optical system
DE102021200788A1 (en) Optical system and method for operating an optical system
DE102019217185A1 (en) Projection exposure system for semiconductor lithography
DE102021201026A1 (en) PROCEDURE FOR REPLACING A FIRST OPTICS MODULE FOR A SECOND OPTICS MODULE IN A LITHOGRAPHY SYSTEM
DE102021201162A1 (en) PROCEDURE FOR REPLACING A FIRST OPTICS MODULE FOR A SECOND OPTICS MODULE IN A LITHOGRAPHY SYSTEM
DE102020208007A1 (en) Optical system with an aperture stop
DE102019207559A1 (en) Assembly for cooling an optical element, in particular for a microlithographic projection exposure system

Legal Events

Date Code Title Description
R012 Request for examination validly filed
R230 Request for early publication
R002 Refusal decision in examination/registration proceedings
R003 Refusal decision now final