DE102019220150A1

DE102019220150A1 - Integrierte Hüllkurvenverfolgungsschaltung und verwandte Vorrichtung

Info

Publication number: DE102019220150A1
Application number: DE102019220150.4A
Authority: DE
Inventors: Nadim Khlat
Original assignee: Qorvo US Inc
Current assignee: Qorvo US Inc
Priority date: 2018-12-19
Filing date: 2019-12-19
Publication date: 2020-06-25

Abstract

Eine integrierte Hüllkurvenverfolgungsschaltung (ETIC) (Envelope Tracking - ET) (Integrated Circuit - IC) wird bereitgestellt. Die ETIC beinhaltet eine Anzahl von ET-Schaltungen, die mit einer Anzahl von Verstärkerschaltungen gekoppelt sind, die konfiguriert sind, um ein Hochfrequenzsignal jeweils basierend auf einer Anzahl von ET-Spannungen zu verstärken. Die ET-Schaltungen sind konfiguriert, um die ET-Spannungen jeweils basierend auf einer Anzahl von ET-Zielspannungen zu erzeugen. Die ETIC beinhaltet eine Referenz-ET-Schaltung, die konfiguriert ist, um eine Referenz-ET-Spannung basierend auf einer maximalen ET-Zielspannung unter den ET-Zielspannungen zu erzeugen. Eine oder mehrere ausgewählte ET-Schaltung(en) unter den ET-Schaltungen kann/können konfiguriert sein, um keine jeweilige ET-Spannung(en) zu erzeugen, sondern stattdessen die Referenz-ET-Spannung als die jeweilige(n) ET-Spannung(en) an eine jeweilige Verstärkerschaltung(en) weiterzuleiten. Daher kann es möglich sein, die ausgewählte(n) ET-Schaltung(en) teilweise oder vollständig auszuschalten, um dazu beizutragen, den Spitzenbatteriestrom zu reduzieren und die Wärmeableitung in einer ET-Verstärkervorrichtung zu verbessern.

Description

Verwandte Anmeldungen
Diese Anmeldung beansprucht den Vorteil der vorläufigen Patentanmeldung mit der Seriennummer 62/782,103, eingereicht am 19. Dezember 2018, deren Offenbarung hier in ihrer Gesamtheit durch Bezugnahme aufgenommen wird.
Gebiet der Offenbarung
Die Technologie der Offenbarung betrifft allgemein Hochfrequenz(HF)-Leistungsverstärkerschaltungen.
Hintergrund
Mobile Kommunikationsgeräte haben sich in der heutigen Gesellschaft mehr und mehr etabliert, um drahtlose Kommunikationsdienste bereitzustellen. Die Verbreitung dieser mobilen Kommunikationsgeräte wird zum Teil durch die vielen Funktionen vorangetrieben, die jetzt auf solchen Geräten aktiviert sind. Durch die verbesserten Verarbeitungsmöglichkeiten in solchen Geräten haben sich mobile Kommunikationsgeräte von reinen Kommunikationswerkzeugen zu hoch entwickelten mobilen Multimedia-Zentren entwickelt, die ein verbessertes Benutzererlebnis ermöglichen.
Die neue 5G-NR-Funktechnologie (Fünfte Generation - 5G; New Radio - NR) gilt weithin als der nächste drahtlose Kommunikationsstandard, der über den aktuellen 3G-Kommunikationsstandard (3G = Dritte Generation) hinausgeht, z. B. WCDMA (Wideband Code Division Multiple Access) und der Kommunikationsstandard der vierten Generation (4G), z. B. Long Term Evolution (LTE). Von einem 5G-NR-fähigen mobilen Kommunikationsgerät wird erwartet, dass es im Vergleich zu einem herkömmlichen mobilen Kommunikationsgerät, das nur die 3G- und 4G-Kommunikationsstandards unterstützt, signifikant höhere Datenraten, eine verbesserte Reichweite, eine verbesserte Signalisierungseffizienz und eine verringerte Latenz erreicht.
Das 5G-NR-fähige mobile Kommunikationsgerät kann konfiguriert sein, um ein Hochfrequenzsignal(e) (HF-Signal(e)) in einem Millimeterwellen(mmWellen)-HF-Spektrum(en), wie einem HF-Spektrum über 28 GHz, zu übertragen. HF-Signale, die im mmWellen-HF-Spektrum übertragen werden, sind gegenüber Dämpfung und Interferenz anfällig. In dieser Hinsicht verwendet das 5G-NR-fähige mobile Kommunikationsgerät typischerweise eine Leistungsverstärker-Phasenanordnung und Antennenanordnung, um das HF-Signal (die HF-Signale) in einen gerichteten HF-Strahl (gerichtete HF-Strahlen) zur Übertragung in dem (den) mmWellen-HF-Spektrum(en) zu formen. Abhängig von den Anwendungsszenarien, die von dem 5G-NR-fähigen mobilen Kommunikationsgerät unterstützt werden, kann die Leistungsverstärker-Phasenanordnung so konfiguriert sein, dass sie von zig bis Hunderte Leistungsverstärker umfasst. Insbesondere können Leistungsverstärker in der Leistungsverstärker-Phasenanordnung übermäßige Wärme erzeugen, wenn sie mit einem suboptimalen Wirkungsgrad betrieben werden. Daher kann es wünschenswert sein, die Betriebseffizienz der Leistungsverstärker-Phasenanordnung zu verbessern, um die Wärmeableitung in dem 5G-NR-fähigen mobilen Kommunikationsgerät zu reduzieren.
Hüllkurvenverfolgung (Envelope Tracking - ET) ist eine Leistungsverwaltungstechnologie, die konzipiert ist, um Effizienzniveaus der Leistungsverstärker in der Leistungsverstärker-Phasenanordnung zu verbessern, um die Leistungsaufnahme und die Wärmeabgabe in dem 5G-NR-fähigen mobilen Kommunikationsgerät zu reduzieren. In einem ET-System ist jeder der Leistungsverstärker konfiguriert, um das HF-Signal (die HF-Signale) basierend auf einer zeitvarianten ET-Spannung zu verstärken, die in Übereinstimmung mit einer zeitvarianten Leistungshüllkurve des HF-Signals (der HF-Signale) erzeugt wird. Die zeitvariante ET-Spannung steigt an, wenn die zeitvariante Leistungshüllkurve ansteigt, und sinkt, wenn die zeitvariante Leistungshüllkurve abfällt. Verständlicherweise kann in den Leistungsverstärkern ein höherer Wirkungsgrad erzielt werden, je besser die zeitvariante ET-Spannung die zeitvariante Leistungshüllkurve verfolgt. In dieser Hinsicht kann es wünschenswert sein, ET in dem 5G-NR-fähigen mobilen Kommunikationsgerät zu aktivieren, um dazu beizutragen, die Effizienzniveaus der Leistungsverstärker in der Leistungsverstärker-Phasenanordnung zu verbessern.
Kurzdarstellung
Ausführungsformen der Offenbarung betreffen eine integrierte Hüllkurvenverfolgungsschaltung (ETIC) (Envelope Tracking - ET) (Integrated Circuit - IC) und eine verwandte ET-Verstärkervorrichtung. Die ETIC beinhaltet eine Anzahl von ET-Schaltungen, die mit einer Anzahl von Verstärkerschaltungen gekoppelt sind, die konfiguriert sind, um ein Hochfrequenzsignal (HF-Signal) jeweils basierend auf einer Anzahl von ET-Spannungen zu verstärken. Die ET-Schaltungen sind konfiguriert, um die ET-Spannungen jeweils basierend auf einer Anzahl von ET-Zielspannungen zu erzeugen. Die ETIC beinhaltet auch eine Referenz-ET-Schaltung, die konfiguriert ist, um eine Referenz-ET-Spannung basierend auf einer maximalen ET-Zielspannung unter den ET-Zielspannungen zu erzeugen. In den hier erörterten Beispielen ist/sind eine ausgewählte ET-Schaltung(en) unter den ET-Schaltungen ursprünglich konfiguriert, um eine jeweilige ET-Spannung(en) basierend auf einer jeweiligen ET-Zielspannung(en) zu erzeugen, die zufällig die maximale ET-Zielspannung ist/sind. In dieser Hinsicht kann/können die ausgewählte(n) ET-Schaltung(en) konfiguriert sein, um die jeweilige(n) ET-Spannung(en) nicht zu erzeugen. Stattdessen kann die ausgewählte ET-Schaltung die Referenz-ET-Spannung als die jeweilige ET-Spannung an eine jeweilige Verstärkerschaltung(en) weiterleiten. Daher kann es möglich sein, die ausgewählten ET-Schaltkreise teilweise oder vollständig auszuschalten, was dazu beiträgt, dass der Spitzenbatteriestrom verringert und die Wärmeableitung in einer ET-Verstärkervorrichtung verbessert wird, welche die ETIC beinhaltet.
In einem Aspekt wird eine ETIC bereitgestellt. Die ETIC beinhaltet eine Anzahl von Verstärkeranschlüssen, die mit einer Anzahl von Verstärkerschaltungen gekoppelt sind, die konfiguriert sind, um jeweils ein Hochfrequenzsignal (HF-Signal) basierend auf einer Anzahl von ET-Spannungen zu verstärken. Die ETIC beinhaltet eine Anzahl von ET-Schaltungen, die jeweils mit den Verstärkeranschlüssen gekoppelt sind. Die ET-Schaltungen sind konfiguriert, um die ET-Spannungen jeweils basierend auf einer Anzahl von ET-Zielspannungen zu erzeugen. Die ET-Schaltungen sind auch konfiguriert, um jeweils die ET-Spannungen an die Verstärkeranschlüsse bereitzustellen. Die ETIC beinhaltet auch eine Referenz-ET-Schaltung. Die Referenz-ET-Schaltung ist konfiguriert, um eine Referenz-ET-Spannung basierend auf einer maximalen ET-Zielspannung unter den ET-Zielspannungen zu erzeugen. Die Referenz-ET-Schaltung ist auch konfiguriert, um die Referenz-ET-Spannung an die ET-Schaltungen bereitzustellen. Mindestens eine ausgewählte ET-Schaltung unter den ET-Schaltungen ist konfiguriert, um ein Bereitstellen einer jeweiligen ET-Spannung unter den ET-Spannungen für mindestens einen ausgewählten Verstärkeranschluss zu stoppen, der mit der mindestens einen ausgewählten ET-Schaltung gekoppelt ist. Die mindestens eine ausgewählte ET-Schaltung unter den ET-Schaltungen ist auch konfiguriert, um die Referenz-ET-Spannung an den mindestens einen ausgewählten Verstärkeranschluss bereitzustellen, der mit der mindestens einen ausgewählten ET-Schaltung gekoppelt ist.
In einem anderen Aspekt wird eine ET-Verstärkervorrichtung bereitgestellt. Die ET-Verstärkervorrichtung beinhaltet eine Anzahl von Verstärkerschaltungen, die konfiguriert sind, um jeweils ein HF-Signal basierend auf einer Anzahl von ET-Spannungen zu verstärken. Die ET-Verstärkervorrichtungen beinhalten auch eine ETIC. Die ETIC beinhaltet eine Anzahl von Verstärkeranschlüssen, die jeweils mit den Verstärkerschaltungen gekoppelt sind. Die ETIC beinhaltet eine Anzahl von ET-Schaltungen, die jeweils mit den Verstärkeranschlüssen gekoppelt sind. Die ET-Schaltungen sind konfiguriert, um die ET-Spannungen jeweils basierend auf einer Anzahl von ET-Zielspannungen zu erzeugen. Die ET-Schaltungen sind auch konfiguriert, um jeweils die ET-Spannungen an die Verstärkeranschlüsse bereitzustellen. Die ETIC beinhaltet auch eine Referenz-ET-Schaltung. Die Referenz-ET-Schaltung ist konfiguriert, um eine Referenz-ET-Spannung basierend auf einer maximalen ET-Zielspannung unter den ET-Zielspannungen zu erzeugen. Die Referenz-ET-Schaltung ist auch konfiguriert, um die Referenz-ET-Spannung an die ET-Schaltungen bereitzustellen. Mindestens eine ausgewählte ET-Schaltung unter den ET-Schaltungen ist konfiguriert, um ein Bereitstellen einer jeweiligen ET-Spannung unter den ET-Spannungen für mindestens einen ausgewählten Verstärkeranschluss zu stoppen, der mit der mindestens einen ausgewählten ET-Schaltung gekoppelt ist. Die mindestens eine ausgewählte ET-Schaltung unter den ET-Schaltungen ist auch konfiguriert, um die Referenz-ET-Spannung an den mindestens einen ausgewählten Verstärkeranschluss bereitzustellen, der mit der mindestens einen ausgewählten ET-Schaltung gekoppelt ist.
Der Fachmann wird den Umfang der vorliegenden Offenbarung erkennen und zusätzliche Aspekte davon realisieren, nachdem sie die folgende detaillierte Beschreibung der bevorzugten Ausführungsformen in Verbindung mit den beigefügten Zeichnungsfiguren gelesen haben.
Figurenliste
Die beigefügten Zeichnungsfiguren, die in diese Beschreibung aufgenommen sind und einen Teil davon bilden, veranschaulichen mehrere Aspekte der Offenbarung und dienen zusammen mit der Beschreibung dazu, die Prinzipien der Offenbarung zu erläutern.

1 ist eine schematische Darstellung einer beispielhaften integrierten Hüllkurvenverfolgungsschaltung (ETIC) (Envelope Tracking - ET) (Integrated Circuit - IC), die gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung konfiguriert ist, um eine Anzahl von ET-Spannungen an eine Anzahl von Verstärkerschaltungen zum Verstärken eines Hochfrequenz(HF)-Signals bereitzustellen; und
2 ist eine schematische Darstellung einer beispielhaften ET-Verstärkervorrichtung, welche die ETIC von 1 beinhaltet.

Detaillierte Beschreibung
Die nachstehend aufgeführten Ausführungsformen stellen die notwendigen Informationen dar, um es dem Fachmann zu ermöglichen, die Ausführungsformen auszuführen und die beste Art der Ausführung der Ausführungsformen zu veranschaulichen. Beim Lesen der folgenden Beschreibung im Lichte der beigefügten Zeichnungsfiguren wird der Fachmann die Konzepte der Offenbarung verstehen und Anwendungen dieser Konzepte erkennen, auf die hier nicht besonders eingegangen wird. Es versteht sich, dass diese Konzepte und Anwendungen in den Umfang der Offenbarung und der beigefügten Ansprüche fallen.
Es versteht sich, dass, obwohl die Begriffe erstes, zweites, usw. hierin verwendet werden können, um verschiedene Elemente zu beschreiben, diese Elemente durch diese Begriffe nicht beschränkt werden sollen. Diese Begriffe werden nur verwendet, um ein Element von einem anderen zu unterscheiden. Beispielsweise könnte ein erstes Element als zweites Element bezeichnet werden, und ebenso könnte ein zweites Element als erstes Element bezeichnet werden, ohne vom Umfang der vorliegenden Offenbarung abzuweichen. Im hierin verwendeten Sinne beinhaltet der Begriff „und/oder“ jegliche und alle Kombinationen von einem oder mehreren der zugeordneten aufgelisteten Gegenstände.
Es versteht sich, dass, wenn ein Element wie etwa eine Schicht, ein Bereich oder ein Substrat als „auf“ einem anderen Element liegend oder sich „auf“ ein solches erstreckend bezeichnet wird, es direkt darauf liegen oder sich direkt auf das andere Element erstrecken kann oder dazwischenliegende Elemente ebenfalls vorhanden sein können. Wenn dagegen ein Element als „direkt auf“ einem anderen Element liegend oder sich „direkt auf“ ein solches erstreckend bezeichnet wird, sind keine dazwischenliegenden Elemente vorhanden. Es versteht sich ebenso, dass, wenn ein Element wie etwa eine Schicht, ein Bereich oder ein Substrat als „über“ einem anderen Element liegend oder sich „über“ ein solches erstreckend bezeichnet wird, es direkt darüber liegen oder sich direkt über das andere Element erstrecken kann oder dazwischenliegende Elemente ebenfalls vorhanden sein können. Wenn dagegen ein Element als „direkt über“ einem anderen Element liegend oder sich „direkt über“ ein solches erstreckend bezeichnet wird, sind keine dazwischenliegenden Elemente vorhanden. Es versteht sich ebenfalls, dass, wenn ein Element als mit einem anderen Element „verbunden“ oder „gekoppelt“ bezeichnet wird, es direkt mit dem anderen Element verbunden oder gekoppelt sein kann oder dazwischenliegende Elemente vorhanden sein können. Wenn dagegen ein Element als „direkt verbunden“ oder „direkt gekoppelt“ mit einem anderen Element bezeichnet wird, sind keine dazwischenliegenden Elemente vorhanden.
Relative Begriffe wie „unten“ oder „oben“ oder „obere“ oder „untere“ oder „horizontal“ oder „vertikal“ können hier verwendet werden, um eine Beziehung eines Elements, einer Schicht oder eines Bereichs zu einem anderen Element, einer anderen Schicht oder eines anderen Bereichs zu beschreiben, wie in den Figuren dargestellt. Es versteht sich, dass diese und die oben erörterten Begriffe zusätzlich zu der in den Figuren dargestellten Ausrichtung unterschiedliche Ausrichtungen des Geräts einschließen sollen.
Die hier verwendete Terminologie dient lediglich dem Zwecke der Beschreibung bestimmter Ausführungsformen und ist nicht dafür vorgesehen, die Offenbarung zu beschränken. Im hier verwendeten Sinne sollen die Singularformen „ein“, „eine“ und „der“, „die“ oder „das“ auch die Pluralformen einschließen, sofern der Kontext nicht eindeutig etwas anderes angibt. Es versteht sich ferner, dass die Begriffe „umfasst“, „umfassend“, „beinhaltet“ und/oder „beinhalten“, die hier verwendet werden, das Vorhandensein von angegebenen Merkmalen, Ganzzahlen, Schritten, Operationen, Elementen und/oder Komponenten angeben, aber das Vorhandensein oder Hinzufügen eines oder mehrerer anderer Merkmale, Ganzzahlen, Schritte, Operationen, Elemente, Komponenten und/oder Gruppen davon nicht ausschließen.
Wenn nicht anders definiert, haben alle Begriffe (einschließlich technischer und wissenschaftlicher Begriffe), die hier verwendet werden, die gleiche Bedeutung wie ein Durchschnittsfachmann auf dem Gebiet versteht, dem diese Offenbarung angehört. Es versteht sich ferner, dass hier verwendete Begriffe so ausgelegt werden sollten, dass sie eine Bedeutung haben, die mit ihrer Bedeutung im Zusammenhang mit dieser Beschreibung und dem relevanten Fachgebiet übereinstimmt, und nicht in einem idealisierten oder übermäßig formalen Sinne ausgelegt werden, sofern dies nicht ausdrücklich hier definiert ist.
Ausführungsformen der Offenbarung betreffen eine integrierte Hüllkurvenverfolgungsschaltung (ETIC) (Envelope Tracking - ET) (Integrated Circuit - IC) und eine verwandte ET-Verstärkervorrichtung. Die ETIC beinhaltet eine Anzahl von ET-Schaltungen, die mit einer Anzahl von Verstärkerschaltungen gekoppelt sind, die konfiguriert sind, um ein Hochfrequenzsignal (HF-Signal) jeweils basierend auf einer Anzahl von ET-Spannungen zu verstärken. Die ET-Schaltungen sind konfiguriert, um die ET-Spannungen jeweils basierend auf einer Anzahl von ET-Zielspannungen zu erzeugen. Die ETIC beinhaltet auch eine Referenz-ET-Schaltung, die konfiguriert ist, um eine Referenz-ET-Spannung basierend auf einer maximalen ET-Zielspannung unter den ET-Zielspannungen zu erzeugen. In den hier erörterten Beispielen ist/sind eine ausgewählte ET-Schaltung(en) unter den ET-Schaltungen ursprünglich konfiguriert, um eine jeweilige ET-Spannung(en) basierend auf einer jeweiligen ET-Zielspannung(en) zu erzeugen, die zufällig die maximale ET-Zielspannung ist. In dieser Hinsicht kann/können die ausgewählte(n) ET-Schaltung(en) konfiguriert sein, um die jeweilige(n) ET-Spannung(en) nicht zu erzeugen. Stattdessen kann die ausgewählte ET-Schaltung die Referenz-ET-Spannung als die jeweilige ET-Spannung an eine jeweilige Verstärkerschaltung(en) weiterleiten. Daher kann es möglich sein, den/die ausgewählten ET-Schaltkreis(e) teilweise oder vollständig auszuschalten, was dazu beiträgt, dass der Spitzenbatteriestrom verringert und die Wärmeableitung in einer ET-Verstärkervorrichtung verbessert wird, welche die ETIC beinhaltet.
In dieser Hinsicht ist 1 eine schematische Darstellung einer beispielhaften ETIC 10, die gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung konfiguriert ist, um eine Anzahl von ET-Spannungen V_CC-1-V_CC-N an eine Anzahl von Verstärkerschaltungen 12(1)-12(N) bereitzustellen, um ein HF-Signal 14 zu verstärken. Die ETIC 10 ist jeweils über eine Anzahl von Verstärkeranschlüssen 16(1)-16(N) mit den Verstärkerschaltungen 12(1)-12(N) gekoppelt. Die ETIC 10 beinhaltet eine Anzahl von ET-Schaltungen 18(1)-18(N), die jeweils mit den Verstärkeranschlüssen 16(1)-16(N) gekoppelt sind. Die ET-Schaltungen 18(1)-18(N) sind konfiguriert, um die ET-Spannungen V_CC-1-V_CC-N basierend auf einer Anzahl von ET-Zielspannungen V_TGT-1-V_TGT-N zu erzeugen. Mit anderen Worten, die ET-Spannungen V_CC-1-V_CC-N werden erzeugt, dass sie jeweils in Übereinstimmung mit den ET-Zielspannungen V_TGT-1-V_TGT-N ansteigen und abfallen. Je näher die ET-Spannungen V_CC-1-V_CC-N den ET-Zielspannungen V_TGT-1-V_TGT-N folgen, desto effizienter werden verständlicherweise die Verstärkerschaltungen 12(1)-12(N).
In einem nicht einschränkenden Beispiel sind die Verstärkerschaltungen 12(1)-12(N) konfiguriert, um das HF-Signal 14, das mit den gleichen oder unterschiedlichen Phasenbegriffen θ₁ - θ_N moduliert worden sein kann, für die gleichzeitige Übertragung in einem gebildeten HF-Strahl (auch als „Strahlbildung“ bekannt) zu verstärken. In dieser Hinsicht kann es erforderlich sein, dass die ET-Schaltungen 18(1)-18(N) gleichzeitig arbeiten, um die ET-Spannungen V_CC-1-V_CC-N jeweils an die Verstärkerschaltungen 12(1)-12(N) bereitzustellen. Es ist zu beachten, dass jede der ET-Schaltungen 18(1)-18(N) einen entsprechenden Batteriestrom zieht, während eine entsprechende ET-Spannung unter den ET-Spannungen V_CC-1-V_CC-N erzeugt wird. Somit können die ET-Schaltungen 18(1)-18(N) eine erhebliche Wärmemenge verursachen, um die Leistung der ETIC 10 möglicherweise zu verschlechtern.
Obwohl das HF-Signal 14 in den Phasenbegriffen θ₁-θ_N moduliert worden sein kann, bevor es durch die Verstärkerschaltungen 12(1)-12(N) verstärkt wird, kann ein Teil des oder das ganze HF-Signal(s) 14 in den Phasenbegriffen θ₁-θ_N identischen Spitze-Spitze-Signalamplituden entsprechen. In dieser Hinsicht können einige oder alle der ET-Schaltungen 18(1)-18(N) eine identische ET-Spannung unter den ET-Spannungen V_CC-1-V_CC-N basierend auf einer identischen ET-Zielspannung unter den ET-Zielspannungen V_TGT-1-V_TGT-N erzeugen. Daher kann es möglich sein, die identische ET-Spannung unter Verwendung einer einzelnen ET-Schaltung zu erzeugen und einige oder alle ET-Schaltungen 18(1)-18(N) auszuschalten, um dazu beizutragen, den Batteriestromverbrauch zu reduzieren und die Wärmeableitung in der ETIC 10 zu verbessern.
In dieser Hinsicht ist die ETIC 10 konfiguriert, um zusätzlich zu den ET-Schaltungen 18(1)-18(N) eine Referenz-ET-Schaltung 20 zu beinhalten. Die Referenz-ET-Schaltung 20 ist konfiguriert, um eine Referenz-ET-Spannung V_CCr basierend auf einer maximalen ET-Zielspannung V_TGT-MAX unter den ET-Zielspannungen V_TGT-1-V_TGT-N zu erzeugen. In einem nicht einschränkenden Beispiel kann die maximale ET-Zielspannung V_TGT-MAX gleich einem Maximum der ET-Zielspannungen V_TGT-1-V_TGT-N sein. In einem anderen nicht einschränkenden Beispiel kann die maximale ET-Zielspannung V_TGT-MAX gleich dem Maximum der ET-Zielspannungen V_TGT-1-V_TGT-N plus einer Kopfraumspannung (z. B. 0,1 V) sein. Mit anderen Worten ist die maximale ET-Zielspannung V_TGT-MAX größer oder gleich einer der ET-Zielspannungen V_TGT-1-V_TGT-N .
Dementsprechend kann mindestens eine ausgewählte ET-Schaltung unter den ET-Schaltungen 18(1)-18(N) konfiguriert sein, um ein Bereitstellen einer jeweiligen ET-Spannung V_CC1 an mindestens einen ausgewählten Verstärkeranschluss unter den Verstärkeranschlüssen 16(1)-16(N), der mit der ausgewählten ET-Schaltung gekoppelt ist, zu stoppen. Stattdessen kann die ausgewählte ET-Schaltung konfiguriert sein, um die Referenz-ET-Spannung V_CCr an den gekoppelten Verstärkeranschluss bereitzustellen. Dementsprechend kann es möglich sein, die ausgewählte ET-Schaltung teilweise oder vollständig auszuschalten, um dazu beizutragen, den Batteriestromverbrauch zu reduzieren und die Wärmeableitung in der ETIC 10 zu verbessern.
Die ausgewählte ET-Schaltung kann eine oder mehrere beliebige ET-Schaltung(en) unter den ET-Schaltungen 18(1)-18(N) sein, die zum Empfangen von einer jeweiligen ET-Zielspannung(en) konfiguriert worden sein können, die gleich der maximalen ET-Zielspannung V_TGT-MAX oder um eine definierte Spanne (z. B. 0,1 V) niedriger als die maximale ET-Zielspannung V_TGT-MAX ist. Beispielsweise kann die ET-Schaltung 18(1) konfiguriert sein, um die ET-Zielspannung V_TGT-1 zu empfangen, die gleich der maximalen ET-Zielspannung V_TGT-MAX ist oder um die definierte Spanne niedriger als die maximale ET-Zielspannung V_TGT-MAX ist. Daher kann die ET-Schaltung 18(1) die ausgewählte ET-Schaltung werden, die konfiguriert ist, um ein Bereitstellen der jeweiligen ET-Spannung V_CC1 an den Verstärkeranschluss 16(1) zu stoppen und stattdessen die Referenz-ET-Spannung V_CCr an den Verstärkeranschluss 16(1) weiterzuleiten. Dementsprechend kann die ET-Schaltung 18(1) teilweise oder vollständig ausgeschaltet werden. Es ist zu beachten, dass, da mehr der ET-Schaltungen 18(1)-18(N) als die ausgewählte ET-Schaltung arbeiten können, mehr der ET-Schaltungen 18(1)-18(N) teilweise oder vollständig ausgeschaltet werden können und daher eine weitere Verbesserung der Wärmeableitung in der ETIC 10 erzielt werden kann.
Die ETIC 10 kann konfiguriert sein, um eine Gleichstrom(DC)-Schaltung 22 zu beinhalten, die eine mehrstufige Ladungspumpe (Multi-level Charge Pump - MCP) 24 beinhalten kann, die in Reihe mit einem Induktor 26 geschaltet ist. In einem nicht einschränkenden Beispiel kann die MCP 24 eine Kombination von Buck-Boost-Schaltungen basierend auf Mikroinduktivität und Mikrokapazität sein, die konfiguriert sind, um eine Anzahl von Gleichspannungen V_DC1-V_DCM basierend auf einer Batteriespannung VBAT zu erzeugen. Obwohl die MCP 24 in der Lage ist, die Gleichspannungen V_DC1-V_DCM mit unterschiedlichen Pegeln zu erzeugen, ist die MCP 24 konfiguriert, um zu einem gegebenen Zeitpunkt nur eine ausgewählte Gleichspannung V_DC unter den Gleichspannungen V_DC1-V_DCM auszugeben. Dementsprechend kann der Induktor 26 einen Gleichstrom I_DC basierend auf der ausgewählten Gleichspannung Voc erzeugen.
Die Referenz-ET-Schaltung 20 beinhaltet einen Referenzspannungsverstärker 28 (als „R-AMP“ bezeichnet) und eine Referenzsteuerung 30 (als „R-CONTROLLER“ bezeichnet). Der Referenzspannungsverstärker 28 ist konfiguriert, um die maximale ET-Zielspannung V_TGT-MAX zu empfangen und eine anfängliche Referenz-ET-Spannung V'_CCr basierend auf der maximalen ET-Zielspannung V_TGT-MAX zu erzeugen. Der Referenzspannungsverstärker 28 kann mit einem Referenz-Offset-Kondensator 32 gekoppelt sein. Der Referenz-Offset-Kondensator 32 kann konfiguriert sein, um die anfängliche Referenz-ET-Spannung V'_CCr um eine Referenz-Offset-Spannung V_OFFr (z. B. 0,8 V) anzuheben, um die Referenz-ET-Spannung V_CCr (V_CCr = V'_CCr + V_OFFr) zu erzeugen. Zusätzlich kann der Referenzspannungsverstärker 28 auch konfiguriert sein, um einen Referenzwechselstrom I_ACr gemäß der maximalen ET-Ziel-V_TGT-MAX zu beziehen.
In einem nicht einschränkenden Beispiel sind die Referenz-ET-Schaltung 20 und die DC-Schaltung 22 mit einem Kopplungsknoten 34 gekoppelt. In dieser Hinsicht ist die Referenz-ET-Schaltung 20 konfiguriert, um die Referenz-ET-Spannung V_CCr und den Referenzwechselstrom I_ACr an den Kopplungsknoten 34 bereitzustellen, und die DC-Schaltung 22 ist konfiguriert, um den Gleichstrom I_DC an den Kopplungsknoten 34 bereitzustellen. Der Kopplungsknoten 34 kann mit den ET-Schaltungen 18(1)-18(N) gekoppelt sein, um die Referenz-ET-Spannung V_CCr und einen Referenz-ET-Strom I_CCr (I_CCr = I_DC + I_ACr) an eine beliebige der ET-Schaltungen 18(1)-18(N) bereitzustellen.
Die Referenzsteuerung 30 kann konfiguriert sein, um die anfängliche Referenz-ET-Spannung V'_CCR und die Referenz-ET-Spannung V_CCr zu empfangen. Dementsprechend kann die Referenzsteuerung 30 einen gewünschten Pegel des Gleichstroms I_DC basierend auf der anfänglichen Referenz-ET-Spannung V_CCr und/oder der Referenz-ET-Spannung V_CCr bestimmen. Dementsprechend kann die Referenzsteuerung 30 die MCP 24 steuern, um die ausgewählte Gleichspannung V_DC auszugeben, die dem gewünschten Pegel des Gleichstroms I_DC entspricht. Die Referenzsteuerung 30 kann ferner konfiguriert sein, um den Referenzspannungsverstärker 28 zu steuern (z. B. durch Einstellen der Versorgungsspannung auf die Ausgangsstufe des Referenzspannungsverstärkers 28), um die anfängliche Referenz-ET-Spannung V'_CCr und/oder den Referenzwechselstrom I_ACr in Übereinstimmung mit der maximalen ET-Zielspannung V_TGT-MAX zu ändern.
Die ET-Schaltungen 18(1)-18(N) beinhalten jeweils eine Anzahl von Schalt-/Regelschaltungen 36(1)-36(N), eine Anzahl von Spannungsverstärkern 38(1)-38(N) (bezeichnet als „AMP“) und eine Anzahl von Steuerungen 40(1)-40(N). Die Schalt-/Regelschaltungen 36(1)-36(N) beinhalten jeweils eine Anzahl von Eingängen 42(1)-42(N) und eine Anzahl von Ausgängen 44(1)-44(N). Jeder der Eingänge 42(1)-42(N) ist mit dem Kopplungsknoten 34 und somit mit der Referenz-ET-Schaltung 20 und der Gleichstromschaltung 22 gekoppelt. Daher kann jede der Schalt-/Regelschaltungen 36(1)-36(N) die Referenz-ET-Spannung V_CCr , den Gleichstrom I_DC und den Referenzwechselstrom I_ACr empfangen. Die Ausgänge 44(1)-44(N) sind jeweils mit den Verstärkeranschlüssen 16(1)-16(N) gekoppelt.
Die Spannungsverstärker 38(1)-38(N) sind jeweils konfiguriert, um eine Anzahl von anfänglichen ET-Spannungen V'_CC-1-V'_CC-N basierend auf den ET-Zielspannungen V_TGT-1-V_TGT-N zu erzeugen. Die Spannungsverstärker 38(1)-38(N) können jeweils mit einer Anzahl von Offset-Kondensatoren 46(1)-46(N) gekoppelt sein. Die Offset-Kondensatoren 46(1)-46(N) sind konfiguriert, um die anfänglichen ET-Spannungen V'_CC-1-V'_CC-N um eine Anzahl von Offset-Spannungen V_OFF-1-V_OFF-N anzuheben, um die ET-Spannungen V_CC-1-V_CC-N zu erzeugen. Die Offset-Kondensatoren 46(1)-46(N) sind mit den Ausgängen 44(1)-44(N) gekoppelt, um jeweils die ET-Spannungen V_CC-1-V_CC-N an den Ausgängen 44(1)-44(N) bereitzustellen. Zusätzlich können die Spannungsverstärker 38(1)-38(N) auch konfiguriert sein, um eine Anzahl von Wechselströmen I_AC-1-I_AC-N zu beziehen und jeweils die Wechselströme I_AC-1-I_AC-N an den Ausgängen 44(1)-44(N) bereitzustellen.
Angesichts dessen, dass die Referenz-ET-Schaltung 20 konfiguriert ist, um die Referenz-ET-Spannung V_CCr basierend auf der maximalen ET-Zielspannung V_TGT-MAX zu erzeugen, die höher oder gleich einer beliebigen der ET-Zielspannungen V_TGT-1-V_TGT-N ist, wird die Referenz-ET-Spannung V_CCr , die an den Eingängen 42(1)-42(N) bereitgestellt wird, höher oder gleich den an den Ausgängen 44(1)-44(N) bereitgestellten ET-Spannungen V_CC-1-V_CC-N sein. Daher können die Schalt-/Regelschaltungen 36(1)-36(N) verhindern, dass der Gleichstrom I_DC , der Referenzwechselstrom I_ACR und die Wechselströme I_AC-1-I_AC-N in Richtung der Referenz-ET-Schaltung 20 und dem Gleichstromkreis 22 zurückfließen.
In einem nicht einschränkenden Beispiel ist der Spannungsverstärker 38(1) in der ET-Schaltung 18(1) konfiguriert, um die ET-Zielspannung V_TGT-1 zu empfangen, die entweder gleich der maximalen ET-Zielspannung V_TGT-MAX ist oder innerhalb der definierten Spanne von der maximalen ET-Zielspannung V_TGT-MAX liegt. Von daher kann die Steuerung 40(1) konfiguriert sein, um den Spannungsverstärker 38(1) zu deaktivieren, um ein Bereitstellen der ET-Spannung V_CC-1 und des Wechselstroms I_AC-1 an den Verstärkeranschluss 16(1) zu stoppen. Stattdessen kann die Steuerung 40(1) die Schalt-/Regelschaltung 36(1) konfigurieren, um als geschlossener Schalter zu arbeiten, um den Eingang 42(1) direkt mit dem Verstärkeranschluss 16(1) zu koppeln, so dass der Verstärkeranschluss 16(1) die Referenz-ET-Spannung V_CCr , den Gleichstrom I_DC und den Referenzwechselstrom I_ACR empfangen kann.
In der Zwischenzeit kann der Rest der Spannungsverstärker 38(2)-38(N) konfiguriert sein, um die ET-Zielspannungen V_TGT-2-V_TGT-N zu empfangen, die um mehr als die definierte Spanne unter der maximalen ET-Zielspannung V_TGT-MAX liegen. In dieser Hinsicht sind die Steuerungen 40(2)-40(N) konfiguriert, um die Spannungsverstärker 38(2)-38(N) jeweils aktiviert zu halten, um die ET-Spannungen V_CC-2-V_CC-N und die Wechselströme I_AC-2-I_AC-N zu erzeugen. Dementsprechend können die Steuerungen 40(2)-40(N) die Schalt-/Regelschaltungen 36(2)-36(N) jeweils steuern, um die Referenz-ET-Spannung V_CCr und/oder den Referenzwechselstrom I_ACr von den Verstärkeranschlüssen 16(2)-16(N) zu blockieren. Ferner können die Steuerungen 40(2)-40(N) die Schalt-/Regelschaltungen 36(2)-36(N) jeweils konfigurieren, um als Regler (z. B. Regler mit niedriger Dropout-Spannung) arbeiten, um eine Menge des Gleichstroms I_DC , der zu den Verstärkeranschlüssen 16(2)-16(N) fließt, einzustellen. In einem nicht einschränkenden Beispiel können die Steuerungen 40(2)-40(N) die Schalt-/Regelschaltungen 36(2)-36(N) konfigurieren, um die Menge des zu den Verstärkeranschlüssen 16(2)-16(N) fließenden Gleichstroms I_DC jeweils in Übereinstimmung mit den ET-Spannungen V_CC-2-V_CC-N einzustellen.
In einem anderen nicht einschränkenden Beispiel kann, anstatt den Spannungsverstärker 38(1) in der ET-Schaltung 18(1) zu deaktivieren, die Steuerung 40(1) konfiguriert sein, um den Spannungsverstärker 38(1) aktiviert zu halten, um die ET-Spannung V_CC-1 an den Verstärkeranschluss 16(1) bereitzustellen. Die Steuerung 40(1) kann die Schalt-/Regelschaltung 36(1) steuern, um die Referenz-ET-Spannung V_CCr zu blockieren. Die Steuerung 40(1) kann die Schalt-/Regelschaltung 36(1) konfigurieren, um als Regler zum Regeln des Gleichstroms I_DC und/oder des Referenzwechselstroms I_ACr zu arbeiten. Zum Beispiel kann die Steuerung 40(1) die Schalt-/Regelschaltung 36(1) konfigurieren, um eine Hälfte (1/2) des Referenzwechselstroms I_ACr durchzulassen, und den Spannungsverstärker 38 (1) steuern, um die andere 1/2 des Referenzwechselstroms I_ACr (I_AC-1 = ½I_ACr) zu ergänzen.
In dem Fall, dass alle Spannungsverstärker 38(1)-38(N) konfiguriert sind, um die ET-Zielspannungen V_TGT-1-V_TGT-N zu empfangen, die entweder gleich der maximalen ET-Zielspannung V_TGT-MAX sind oder innerhalb der definierten Spanne unter der maximalen ET-Zielspannung V_TGT-MAX liegen, können die Steuerungen 40(1)-40(N) jeweils konfiguriert sein, um alle Spannungsverstärker 38(1)-38(N) zu deaktivieren. In dieser Hinsicht können die Steuerungen 40(1)-40(N) alle Schalt-/Regelschaltungen 36(1)-36(N) konfigurieren, um als Schalter zu arbeiten, um die Referenz-ET-Spannung V_CCr , den Gleichstrom I_DC , und den Referenzwechselstrom I_ACr an die Verstärkeranschlüsse 16(1)-16(N) bereitzustellen.
Alternativ können die Steuerungen 40(1)-40(N) jeweils auch alle Spannungsverstärker 38(1)-38(N) aktiviert halten, um die ET-Spannungen V_CC-1-V_CC-N an die Verstärkeranschlüsse 16(1)-16(N) bereitzustellen. Zusätzlich können die Steuerungen 40(1)-40(N) jeweils die Schalt-/Regelschaltungen 36(1)-36(N) konfigurieren, um die Referenz-ET-Spannung V_CCr von den Verstärkeranschlüssen 16(1)-16(N) zu blockieren. Ferner können die Steuerungen 40(1)-40(N) die Schalt-/Regelschaltungen 36(1)-36(N) steuern, um den Gleichstrom I_DC und den Referenzwechselstrom I_ACr zu regeln, die von den Schalt-/Regelschaltungen 36(1)-36(N) zu den Verstärkeranschlüssen 16(1)-16(N) fließen. Dementsprechend können die Steuerungen 40(1)-40(N) die Spannungsverstärker 38(1)-38(N) veranlassen, die Wechselströme I_AC-1-I_AC-N zu reduzieren oder zu beseitigen, um zu beizutragen, den Wirkungsgrad der Spannungsverstärker 38(1)-38(N) zu verbessern.
Die ETIC 10 kann in einer ET-Verstärkervorrichtung bereitgestellt sein, um einen ET-Betrieb mit verbesserter Wärmeableitung zu ermöglichen. In dieser Hinsicht ist 2 eine schematische Darstellung einer beispielhaften ET-Verstärkervorrichtung 48, welche die ETIC 10 von 1 beinhaltet. Gemeinsame Elemente zwischen den 1 und 2 sind darin mit gemeinsamen Elementnummern gezeigt und werden hier nicht erneut beschrieben.
Die ET-Verstärkervorrichtung 48 beinhaltet eine Zielspannungsschaltung 50, die konfiguriert ist, um die maximale ET-Zielspannung V_TGT-MAX und die ET-Zielspannungen V_TGT-1-V_TGT-N zu erzeugen und an die ETIC 10 bereitzustellen. In einem nicht einschränkenden Beispiel beinhaltet die Zielspannungsschaltung 50 eine Spannungssteuerung 52, eine Anzahl von Multiplizierern 54(1)-54(N) und eine Anzahl von Kombinierern 56(1)-56(N). Die Spannungssteuerung 52 ist konfiguriert, um die maximale ET-Zielspannung V_TGT-MAX als einen Eingang zu empfangen und die maximale ET-Zielspannung V_TGT-MAX an den ETIC 10 weiterzuleiten. Die Spannungssteuerung 52 kann konfiguriert sein, um die maximale ET-Zielspannung V_TGT-MAX an die Multiplizierer 54(1)-54(N) bereitzustellen, die konfiguriert sind, um die maximale ET-Zielspannung V_TGT-MAX zu skalieren, um die ET-Zielspannungen V_TGT-1-V_TGT-N niedriger oder gleich der maximalen ET-Zielspannung V_TGT-MAX basierend auf einer Anzahl von Nachschlagetabellen (Look-Up Tables - LUTs), die jeweils einer Anzahl von Steigungen SLOPE₁-SLOPE_N entsprechen, zu erzeugen. Die Kombinierer 56(1)-56(N) sind jeweils konfiguriert, um ferner die ET-Zielspannungen V_TGT-1-V_TGT-N basierend auf einer Anzahl von Offset-Faktoren OFFSET₁-OFFSET_N einzustellen. Für eine beispielhafte Implementierung einer Zielspannungsschaltung, wie der Zielspannungsschaltung 50, wird auf die US-Patentanmeldung mit der Seriennummer 16/270,119 mit dem Titel „MULTI-VOLTAGE GENERATION CIRCUIT AND RELATED ENVELOPE TRACKING AMPLIFIER APPARATUS“ verwiesen, die am 7. Februar 2019 eingereicht wurde.
Die ET-Verstärkervorrichtung 48 kann eine Sender/Empfänger-Schaltung 58 enthalten oder mit einer solchen gekoppelt sein, die konfiguriert ist, um die maximale ET-Zielspannung V_TGT-MAX und das HF-Signal 14 zu erzeugen. Die ET-Verstärkervorrichtung 48 kann auch eine Signalverarbeitungsschaltung 60 beinhalten, die konfiguriert ist, um das HF-Signal 14 in die Phasenbegriffe θ₁-θ_N zu modulieren und das HF-Signal 14 jeweils in den Phasenbegriffen θ₁-θ_N an die Verstärkerschaltungen 12(1)-12(N) bereitzustellen.
Der Fachmann wird Verbesserungen und Modifikationen der bevorzugten Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung erkennen. Alle derartigen Verbesserungen und Modifikationen werden als im Umfang der hierin offenbarten Konzepte und der folgenden Ansprüche liegend betrachtet.

Claims

Integrierte Hüllkurvenverfolgungsschaltung (ETIC) (Envelope Tracking - ET) (Integrated Circuit - IC), umfassend: eine Vielzahl von Verstärkeranschlüssen, die mit einer Vielzahl von Verstärkerschaltungen gekoppelt sind, die konfiguriert sind, um jeweils ein Hochfrequenzsignal (HF-Signal) basierend auf einer Vielzahl von ET-Spannungen zu verstärken; eine Vielzahl von ET-Schaltungen, die jeweils mit der Vielzahl von Verstärkeranschlüssen gekoppelt und konfiguriert sind zum: Erzeugen der Vielzahl von ET-Spannungen jeweils basierend auf einer Vielzahl von ET-Zielspannungen; und Bereitstellen der Vielzahl von ET-Spannungen jeweils an die Vielzahl von Verstärkeranschlüssen; und eine Referenz-ET-Schaltung, die konfiguriert ist zum: Erzeugen einer Referenz-ET-Spannung basierend auf einer maximalen ET-Zielspannung unter der Vielzahl von ET-Zielspannungen; und Bereitstellen der Referenz-ET-Spannung an die Vielzahl von ET-Schaltungen; wobei mindestens eine ausgewählte ET-Schaltung unter der Vielzahl von ET-Schaltungen konfiguriert ist zum: Stoppen eines Bereitstellens einer jeweiligen ET-Spannung unter der Vielzahl von ET-Spannungen an mindestens einen ausgewählten Verstärkeranschluss, der mit der mindestens einen ausgewählten ET-Schaltung gekoppelt ist; und Bereitstellen der Referenz-ET-Spannung an den mindestens einen ausgewählten Verstärkeranschluss, der mit der mindestens einen ausgewählten ET-Schaltung gekoppelt ist.
ETIC nach Anspruch 1, wobei die mindestens eine ausgewählte ET-Schaltung konfiguriert ist, um eine jeweilige ET-Zielspannung unter der Vielzahl von ET-Zielspannungen zu empfangen, die der maximalen ET-Zielspannung entspricht.
ETIC nach Anspruch 1, ferner umfassend: eine mehrstufige Ladungspumpe (MCP), die konfiguriert ist, um eine Vielzahl von Gleichspannungen (DC) basierend auf einer Batteriespannung zu erzeugen; und einen Induktor, der mit der Vielzahl von ET-Schaltungen gekoppelt und konfiguriert ist, um einen Gleichstrom basierend auf einer ausgewählten Gleichspannung unter der Vielzahl von Gleichspannungen zu erzeugen.
ETIC nach Anspruch 3, wobei die Referenz-ET-Schaltung umfasst: einen Referenzspannungsverstärker, der konfiguriert ist, um die Referenz-ET-Spannung basierend auf der maximalen ET-Zielspannung zu erzeugen; und eine Referenzsteuerung, die konfiguriert ist zum: Bestimmen eines gewünschten Pegels des Gleichstroms basierend auf der maximalen ET-Zielspannung; und Steuern der MCP, um die ausgewählte Gleichspannung auszugeben, um den Induktor zu veranlassen, den Gleichstrom auf dem gewünschten Pegel zu erzeugen.
ETIC nach Anspruch 4, wobei die Vielzahl von ET-Schaltungen umfasst: eine Vielzahl von Schalt/Regelschaltungen, umfassend: eine Vielzahl von Eingängen, die jeweils mit dem Induktor und der Referenz-ET-Schaltung gekoppelt sind, um den Gleichstrom und die Referenz-ET-Spannung zu empfangen; und eine Vielzahl von Ausgängen, die mit der Vielzahl von Verstärkeranschlüssen gekoppelt und konfiguriert sind, um jeweils den Gleichstrom an die Vielzahl von Verstärkeranschlüssen bereitzustellen; eine Vielzahl von Spannungsverstärkern, die mit der Vielzahl von Ausgängen gekoppelt und konfiguriert sind zum: jeweiligen Erzeugen der Vielzahl von ET-Spannungen basierend auf einer Vielzahl von ET-Zielspannungen; jeweiligen Erzeugen einer Vielzahl von Wechselströmen basierend auf der Vielzahl von ET-Spannungen; und jeweiligen Bereitstellen der Vielzahl von ET-Spannungen und der Vielzahl von Wechselströmen an die Vielzahl von Verstärkeranschlüssen; und eine Vielzahl von Steuerungen, die konfiguriert sind, um die Vielzahl von Schalt-/Regelschaltungen zu steuern, um den Gleichstrom jeweils basierend auf der Vielzahl von ET-Spannungen zu regeln, bevor der Gleichstrom an die Vielzahl von Verstärkeranschlüssen bereitgestellt wird.
ETIC nach Anspruch 5, wobei eine jeweilige Steuerung in der mindestens einen ausgewählten ET-Schaltung ferner konfiguriert ist zum: Deaktivieren eines jeweiligen Spannungsverstärkers, um ein Bereitstellen der jeweiligen ET-Spannung und eines jeweiligen Wechselstroms an den mindestens einen ausgewählten Verstärkeranschluss zu stoppen; und Steuern einer jeweiligen Schalt-/Regelschaltung, um die Referenz-ET-Spannung an den mindestens einen ausgewählten Verstärkeranschluss bereitzustellen.
ETIC nach Anspruch 6, wobei: der Referenzspannungsverstärker ferner konfiguriert ist, um einen Referenzwechselstrom basierend auf der Referenz-ET-Spannung zu erzeugen; und die jeweilige Steuerung in der mindestens einen ausgewählten ET-Schaltung ferner konfiguriert ist, um die jeweilige Schalt-/Regelschaltung zu steuern, um zu veranlassen, dass der Referenzwechselstrom an den mindestens einen ausgewählten Verstärkeranschluss bereitgestellt wird.
ETIC nach Anspruch 5, wobei eine jeweilige Steuerung in der mindestens einen ausgewählten ET-Schaltung ferner konfiguriert ist zum: Veranlassen eines jeweiligen Spannungsverstärkers, einen entsprechenden Wechselstrom an den mindestens einen ausgewählten Verstärkeranschluss bereitzustellen; und Steuern einer jeweiligen Schalt-/Regelschaltung, um die Referenz-ET-Spannung von dem mindestens einen ausgewählten Verstärkeranschluss zu blockieren.
ETIC nach Anspruch 8, wobei: der Referenzspannungsverstärker ferner konfiguriert ist, um einen Referenzwechselstrom basierend auf der Referenz-ET-Spannung zu erzeugen; und die jeweilige Steuerung in der mindestens einen ausgewählten ET-Schaltung ferner konfiguriert ist, um die jeweilige Schalt-/Regelschaltung zu steuern, um den Referenzwechselstrom zu regeln.
Hüllkurvenverfolgungs(Envelope Tracking - ET)-Verstärkervorrichtung umfassend: eine Vielzahl von Verstärkeranschlüssen, die konfiguriert sind, um jeweils ein Hochfrequenzsignal (HF-Signal) basierend auf einer Vielzahl von ET-Spannungen zu verstärken; und eine integrierte ET-Schaltung (ETIC), umfassend: eine Vielzahl von Verstärkeranschlüssen, die jeweils mit der Vielzahl von Verstärkerschaltungen gekoppelt sind; eine Vielzahl von ET-Schaltungen, die jeweils mit der Vielzahl von Verstärkeranschlüssen gekoppelt und konfiguriert sind zum: jeweiligen Erzeugen der Vielzahl von ET-Spannungen basierend auf einer Vielzahl von ET-Zielspannungen; und jeweiligen Bereitstellen der Vielzahl von ET-Spannungen an die Vielzahl von Verstärkeranschlüssen; und eine Referenz-ET-Schaltung, die konfiguriert ist zum: Erzeugen einer Referenz-ET-Spannung basierend auf einer maximalen ET-Zielspannung unter der Vielzahl von ET-Zielspannungen; und Bereitstellen der Referenz-ET-Spannung an die Vielzahl von ET-Schaltungen; wobei mindestens eine ausgewählte ET-Schaltung unter der Vielzahl von ET-Schaltungen konfiguriert ist zum: Stoppen eines Bereitstellens einer jeweiligen ET-Spannung unter der Vielzahl von ET-Spannungen an mindestens einen ausgewählten Verstärkeranschluss, der mit der mindestens einen ausgewählten ET-Schaltung gekoppelt ist; und Bereitstellen der Referenz-ET-Spannung an den mindestens einen ausgewählten Verstärkeranschluss, der mit der mindestens einen ausgewählten ET-Schaltung gekoppelt ist.
ET-Verstärkervorrichtung nach Anspruch 10, wobei die mindestens eine ausgewählte ET-Schaltung konfiguriert ist, um eine jeweilige ET-Zielspannung unter der Vielzahl von ET-Zielspannungen zu empfangen, die der maximalen ET-Zielspannung entspricht.
ET-Verstärkervorrichtung nach Anspruch 10, wobei die ETIC ferner umfasst: eine mehrstufige Ladungspumpe (MCP), die konfiguriert ist, um eine Vielzahl von Gleichspannungen (Direct Current - DC) basierend auf einer Batteriespannung zu erzeugen; und einen Induktor, der mit der Vielzahl von ET-Schaltungen gekoppelt und konfiguriert ist, um einen Gleichstrom basierend auf einer ausgewählten Gleichspannung unter der Vielzahl von Gleichspannungen zu erzeugen.
ET-Verstärkervorrichtung nach Anspruch 12, wobei die Referenz-ET-Schaltung umfasst: einen Referenzspannungsverstärker, der konfiguriert ist, um die Referenz-ET-Spannung basierend auf der maximalen ET-Zielspannung zu erzeugen; und eine Referenzsteuerung, die konfiguriert ist zum: Bestimmen eines gewünschten Pegels des Gleichstroms basierend auf der maximalen ET-Zielspannung; und Steuern der MCP, um die ausgewählte Gleichspannung auszugeben, um den Induktor zu veranlassen, den Gleichstrom auf dem gewünschten Pegel zu erzeugen.
ET-Verstärkervorrichtung nach Anspruch 13, wobei die Vielzahl von ET-Schaltungen umfasst: eine Vielzahl von Schalt/Regelschaltungen, umfassend: eine Vielzahl von Eingängen, die jeweils mit dem Induktor und der Referenz-ET-Schaltung gekoppelt sind, um den Gleichstrom und die Referenz-ET-Spannung zu empfangen; und eine Vielzahl von Ausgängen, die mit der Vielzahl von Verstärkeranschlüssen gekoppelt und konfiguriert sind, um jeweils den Gleichstrom an die Vielzahl von Verstärkeranschlüssen bereitzustellen; eine Vielzahl von Spannungsverstärkern, die mit der Vielzahl von Ausgängen gekoppelt und konfiguriert sind zum: jeweiligen Erzeugen der Vielzahl von ET-Spannungen basierend auf der Vielzahl von ET-Zielspannungen; jeweiligen Erzeugen einer Vielzahl von Wechselströmen basierend auf der Vielzahl von ET-Spannungen; und jeweiligen Bereitstellen der Vielzahl von ET-Spannungen und der Vielzahl von Wechselströmen an die Vielzahl von Verstärkeranschlüssen; und eine Vielzahl von Steuerungen, die konfiguriert sind, um die Vielzahl von Schalt-/Regelschaltungen jeweils zu steuern, um den Gleichstrom basierend auf der Vielzahl von ET-Spannungen zu regeln, bevor der Gleichstrom an die Vielzahl von Verstärkeranschlüssen bereitgestellt wird.
ET-Verstärkervorrichtung nach Anspruch 14, wobei eine jeweilige Steuerung in der mindestens einen ausgewählten ET-Schaltung ferner konfiguriert ist zum: Deaktivieren eines jeweiligen Spannungsverstärkers, um ein Bereitstellen der jeweiligen ET-Spannung und eines jeweiligen Wechselstroms an den mindestens einen ausgewählten Verstärkeranschluss zu stoppen; und Steuern einer jeweiligen Schalt-/Regelschaltung, um die Referenz-ET-Spannung an den mindestens einen ausgewählten Verstärkeranschluss bereitzustellen.
ET-Verstärkervorrichtung nach Anspruch 15, wobei: der Referenzspannungsverstärker ferner konfiguriert ist, um einen Referenzwechselstrom basierend auf der Referenz-ET-Spannung zu erzeugen; und die jeweilige Steuerung in der mindestens einen ausgewählten ET-Schaltung ferner konfiguriert ist, um die jeweilige Schalt-/Regelschaltung zu steuern, um zu veranlassen, dass der Referenzwechselstrom an den mindestens einen ausgewählten Verstärkeranschluss bereitgestellt wird.
ET-Verstärkervorrichtung nach Anspruch 14, wobei eine jeweilige Steuerung in der mindestens einen ausgewählten ET-Schaltung ferner konfiguriert ist zum: Veranlassen eines jeweiligen Spannungsverstärkers, einen jeweiligen Wechselstrom an den mindestens einen ausgewählten Verstärkeranschluss bereitzustellen; und Steuern einer jeweiligen Schalt-/Regelschaltung, um die Referenz-ET-Spannung von dem mindestens einen ausgewählten Verstärkeranschluss zu blockieren.
ET-Verstärkervorrichtung nach Anspruch 17, wobei: der Referenzspannungsverstärker ferner konfiguriert ist, um einen Referenzwechselstrom basierend auf der Referenz-ET-Spannung zu erzeugen; und die jeweilige Steuerung in der mindestens einen ausgewählten ET-Schaltung ferner konfiguriert ist, um die jeweilige Schalt-/Regelschaltung zu steuern, um den Referenzwechselstrom zu regeln.
ET-Verstärkervorrichtung nach Anspruch 10, ferner umfassend eine Zielspannungsschaltung, die konfiguriert ist zum jeweiligen: Empfangen der maximalen ET-Zielspannung; Bereitstellen der maximalen ET-Zielspannung an die Referenz-ET-Schaltung; Skalieren der maximalen ET-Zielspannung, um die Vielzahl von ET-Zielspannungen so zu erzeugen, dass sie niedriger oder gleich der maximalen ET-Zielspannung sind; und Bereitstellen der Vielzahl von ET-Zielspannungen an die Vielzahl von ET-Schaltungen.
ET-Verstärkervorrichtung nach Anspruch 19, ferner umfassend eine Sender/Empfänger-Schaltung, die konfiguriert ist zum: Erzeugen der maximalen ET-Zielspannung und Bereitstellen dieser an die Zielspannungsschaltung; Erzeugen des HF-Signals in einer Vielzahl von Phasenbegriffen; und Bereitstellen des HF-Signals in der Vielzahl von Phasenbegriffen jeweils an die Vielzahl von Verstärkerschaltungen zur gleichzeitigen Übertragung.