DE102019201791B4 - Dividing device and dividing method - Google Patents

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Abstract

Teilungsvorrichtung (1) zum Aufweiten eines Bandes (T), das eine Wärmeschrumpfeigenschaft aufweist, in einer Werkstückanordnung, in der ein Wafer (W), der mit Startpunkten für eine Teilung ausgebildet ist, vom Band (T) in einer Öffnung eines Ringrahmens (F) durch ein Anhaften des Bandes (T) am Ringrahmen (F) getragen wird, sodass es die Öffnung des Ringrahmens (F) schließt, und zum Teilen des Wafers (W) an den Startpunkten für eine Teilung, wobei die Teilungsvorrichtung (1) aufweist:einen Tisch (10), der eine Ansaugoberfläche zum Halten der Werkstückanordnung unter Ansaugung aufweist;einen Ringrahmenhalteabschnitt (20), der eingerichtet ist, um den Ringrahmen (F) in der Werkstückanordnung zu halten;ein Anhebemittel, das eingerichtet ist, um den Tisch (10) und den Ringrahmenhalteabschnitt (20) in einer zur Ansaugoberfläche orthogonalen Richtung relativ aufeinander zu/voneinander weg zu bewegen;eine Heizung, die eingerichtet ist, um das ringartige Band (T1) zwischen einem äußeren Umfang des Wafers (W) und einem inneren Umfang des Ringrahmens (F) in der Werkstückanordnung zu erwärmen; undein Steuerungsmittel, das eingerichtet ist, um mindestens einen Ansaugbetrieb des Tischs (10), einen Anhebebetrieb des Ringrahmenhalteabschnitts (20) und einen Erwärmungsbetrieb der Heizung zu steuern,wobei der Tisch (10) beinhaltet:einen ersten Ansaugabschnitt (11), der eine erste Ansaugoberfläche mit einem Durchmesser, der gleich oder größer als ein äußerer Durchmesser des Wafers (W), bevor er geteilt wird, und kleiner als ein äußerer Durchmesser des Wafers (W) ist, nachdem er durch ein Aufweiten des Bandes (T) geteilt worden ist, aufweist, und der eingerichtet ist, um eine Mitte des Bandes (T) in der Werkstückanordnung unter Ansaugung zu halten,einen nicht ansaugenden Abschnitt (13), der eine äußere Seitenoberfläche des ersten Ansaugabschnitts (11) umgibt und eine Nicht-Ansaugoberfläche in der ringartigen Form aufweist, die mit der ersten Ansaugoberfläche (11a) ausgerichtet ist, undeinen zweiten Ansaugabschnitt (12), der eine äußere Seitenoberfläche des nicht ansaugenden Abschnitts (13) umgibt und eine zweite Ansaugoberfläche (12a) in der ringartigen Form aufweist, die mit der ersten Ansaugoberfläche (11a) und der Nicht-Ansaugoberfläche ausgerichtet ist, unddas Steuerungsmittel beinhaltet:einen ersten Steuerungsabschnitt, der eingerichtet ist, um das Anhebemittel zu steuern, um zu bewirken, dass der Tisch (10) und der Ringrahmenhalteabschnitt (20) relativ voneinander auf eine solche Art um einen ersten Abstand getrennt werden, dass sich der Tisch (10) in der Richtung nach oben bewegt und der Ringrahmenhalteabschnitt (20) in der Richtung nach unten bewegt, und das Band (T) aufweitet, sodass er den Wafer (W) an den Startpunkten für eine Teilung teilt,einen zweiten Steuerungsabschnitt, der eingerichtet ist, um zu bewirken, dass die erste Ansaugoberfläche (11a) nach einem Teilen des Wafers (W) mit einer Ansaugquelle in Verbindung steht,einen dritten Steuerungsabschnitt, der eingerichtet ist, um das Anhebemittel zu steuern, um das ringartige Band (T1) zwischen dem äußeren Umfang der ersten Ansaugoberfläche (11a) und dem inneren Umfang des Ringrahmens (F) aufzuweiten, wobei das ringartige Band (T1) an der ersten Ansaugoberfläche (11a) nicht unter Ansaugung gehalten wird, indem der Tisch (10) und der Ringrahmenhalteabschnitt (20) relativ zueinander um einen Abstand voneinander getrennt werden, der größer ist als der erste Abstand,einen vierten Steuerungsabschnitt, der eingerichtet ist, um zu bewirken, dass die zweite Ansaugoberfläche (12a) nach einem Aufweiten des ringartigen Bandes (T1) mit der Ansaugquelle in Verbindung steht, undeinen fünften Steuerungsabschnitt, der eingerichtet ist, um nach der Steuerung des vierten Steuerungsabschnitts zu bewirken, dass das Anhebemittel den Tisch (10) und den Ringrahmenhalteabschnitt (20) näher aufeinander zu bewegt, um dadurch das ringartige Band (T1) dazu zu bringen, durchzuhägen, und um zu bewirken, dass die Heizung das ringartige Band (T1), was dazu gebracht worden ist, durchzuhängen, erwärmt, sodass es schrumpft.Dividing device (1) for expanding a tape (T), which has a heat-shrinking property, in a workpiece arrangement in which a wafer (W), which is formed with starting points for division, is separated from the tape (T) in an opening of a ring frame (F ) is supported by adhering the tape (T) to the ring frame (F) so that it closes the opening of the ring frame (F), and for dividing the wafer (W) at the starting points for division, the dividing device (1) having : a table (10) having a suction surface for holding the workpiece assembly under suction; a ring frame holding portion (20) adapted to hold the ring frame (F) in the workpiece assembly; a lifting means adapted to support the table (10) and the ring frame holding portion (20) relative to / away from each other in a direction orthogonal to the suction surface; a heater which is arranged to surround the ring-like band (T1) between an outer circumference heating the wafer (W) and an inner periphery of the ring frame (F) in the workpiece assembly; andcontrol means configured to control at least a suction operation of the table (10), a lifting operation of the ring frame holding portion (20) and a heating operation of the heater, the table (10) including: a first suction portion (11) having a first Suction surface having a diameter equal to or larger than an outer diameter of the wafer (W) before it is divided and smaller than an outer diameter of the wafer (W) after it is divided by expanding the tape (T) , and configured to hold a center of the belt (T) in the workpiece assembly under suction, a non-suction portion (13) surrounding an outer side surface of the first suction portion (11) and a non-suction surface in the has a ring-like shape aligned with the first suction surface (11a), and a second suction portion (12) which is an outer side surface of the non-suction portion ts (13) and has a second suction surface (12a) in the ring-like shape aligned with the first suction surface (11a) and the non-suction surface, and the control means includes: a first control portion configured to close the lifting means control to cause the table (10) and the ring frame holding portion (20) to be relatively separated from each other by a first distance in such a manner that the table (10) moves in the upward direction and the ring frame holding portion (20) moves in the downward direction, and widens the belt (T) so that it divides the wafer (W) at the starting points for division, a second control section arranged to cause the first suction surface (11a) to follow dividing the wafer (W) in communication with a suction source, a third control section arranged to control the lifting means to feed the ring-like belt (T1) between the expanding the outer periphery of the first suction surface (11a) and the inner periphery of the ring frame (F), the ring-like band (T1) on the first suction surface (11a) not being held under suction by the table (10) and the ring frame holding portion (20 ) are separated from each other by a distance greater than the first distance, a fourth control section which is arranged to cause the second suction surface (12a) after expanding the ring-like band (T1) with the suction source in And a fifth control section which, after the control of the fourth control section, is arranged to cause the lifting means to move the table (10) and the ring frame holding section (20) closer to each other, thereby to move the ring-like band (T1) therefor bring to sag, and to cause the heater to heat the ring-like band (T1), which has been made to sag, so that it shrinks.

Description

HINTERGRUND DER ERFINDUNGBACKGROUND OF THE INVENTION

Technisches GebietTechnical area

Die vorliegende Erfindung betrifft eine Teilungsvorrichtung, die einen Wafer teilt, und ein Teilungsverfahrens zum Teilen eines Wafers.The present invention relates to a dividing device that divides a wafer and a dividing method for dividing a wafer.

Beschreibung der verwandten TechnikDescription of the related art

Einzelne Chips werden durch ein Ausbilden einer modifizierten Schicht innerhalb eines Wafers und ein Aufweiten eines Bandes, das an einem Ringrahmen haftet, hergestellt, um den am Band angebrachten Wafer mit der modifizierten Schicht des Wafers als ein Startpunkt in die Chips zu teilen. Nach einem Teilen des Wafers wird das Band erwärmt, sodass es schrumpft, um einen Abstand zwischen den benachbarten Chips aufrechtzuerhalten. In einem Fall, in dem der Chip ein kleiner Chip ist, ist es erforderlich, das Band um einen großen Betrag aufzuweiten und als eine Folge wird eine hohe Spannung auf das Band aufgebracht. Nach einem Aufweiten des Bandes wird das Band zwischen einem äußeren Umfang des Wafers und einem inneren Umfang des Ringrahmens dazu gebracht durchzuhängen, bevor das Band einem Schrumpfen durch Wärme unterzogen wird. Zu diesem Zeitpunkt wird das Band an einer Ansaugoberfläche eines Tischs unter Ansaugung gehalten, um den Abstand zwischen den benachbarten Chips aufrechtzuerhalten (siehe beispielsweise japanische Offenlegungsschrift JP 2002-334852 A und japanische Offenlegungsschrift. JP 2013-239557 A ).Individual chips are made by forming a modified layer within a wafer and expanding a tape adhered to a ring frame to divide the tape attached wafer with the modified layer of the wafer as a starting point into the chips. After dividing the wafer, the tape is heated so that it shrinks in order to maintain a distance between the neighboring chips. In a case where the chip is a small chip, it is necessary to expand the tape by a large amount, and as a result, a high tension is applied to the tape. After the tape is expanded, the tape is caused to sag between an outer periphery of the wafer and an inner periphery of the ring frame before the tape is subjected to heat shrinkage. At this time, the tape is sucked on a suction surface of a table to maintain the spacing between the adjacent chips (see, for example, Japanese Patent Laid-Open JP 2002-334852 A and Japanese Patent Laid-Open. JP 2013-239557 A ).

DARSTELLUNG DER ERFINDUNGDISCLOSURE OF THE INVENTION

Allerdings löst sich, wenn das Band zum dazu gebracht wird, durchzuhängen, das Band zwischen dem äußeren Umfang des Wafers und dem inneren Umfang des Ringrahmens von der Ansaugoberfläche, und demgemäß wird eine Ansaugkraft an der Ansaugoberfläche abgeschwächt, was bewirkt, dass sich in einigen Fällen der Abstand zwischen den benachbarten Chips vor einem Schrumpfen des Bandes durch Wärme verringert.However, when the tape is caused to slack, the tape between the outer periphery of the wafer and the inner periphery of the ring frame comes off the suction surface, and accordingly, a suction force on the suction surface is weakened, causing in some cases the distance between the adjacent chips is reduced before the tape is shrunk by heat.

Es ist daher ein Ziel der vorliegenden Erfindung, eine Teilungsvorrichtung und ein Teilungsverfahren bereitzustellen, durch die das Band zwischen dem äußeren Umfang des Wafers und dem inneren Umfang des Ringrahmens dazu gebracht wird, durchzuhängen, und das durchhängende Band erwärmt wird, sodass es schrumpft, sodass es den Abstand zwischen den benachbarten Chips, der aufgeweitet worden ist, nicht verringert, und die es dadurch erlauben, dass der Abstand zwischen den benachbarten Chips aufrechterhalten wird.It is therefore an object of the present invention to provide a dividing device and a dividing method by which the ribbon between the outer periphery of the wafer and the inner periphery of the ring frame is caused to sag and the sagging ribbon is heated so that it shrinks so that it does not reduce the spacing between the adjacent chips that has been widened and thereby allow the spacing between the adjacent chips to be maintained.

Gemäß einem Aspekt der vorliegenden Erfindung wird eine Teilungsvorrichtung zum Aufweiten eines Bandes, das eine Wärmeschrumpfeigenschaft aufweist, in einer Werkstückanordnung bereitgestellt, in der ein mit Startpunkten für eine Teilung ausgebildeter Wafer vom Band in einer Öffnung eines Rangrahmens durch ein Anhaften des Bandes am Ringrahmen getragen wird, sodass es die Öffnung des Ringrahmens abschließt, und ein Teilen des Wafers an den Startpunkten für eine Teilung. Die Teilungsvorrichtung beinhaltet einen Tisch, der eine Ansaugoberfläche zum Halten der Werkstückanordnung unter Ansaugung, einen Ringrahmenhalteabschnitt, der den Ringrahmen in der Werkstückanordnung hält, ein Anhebemittel, das den Tisch und den Ringrahmenhalteabschnitt in einer zur Ansaugoberfläche senkrechten Richtung relativ aufeinander zu/voneinander weg bewegt, eine Heizung, die das ringartige Band zwischen einem äußeren Umfang des Wafers und einem inneren Umfang des Ringrahmens in der Werkstückanordnung erwärmt, und ein Steuerungsmittel aufweist, das mindestens einen Ansaugbetrieb des Tischs, einen Anhebebetrieb des Ringrahmenhalteabschnitts, und einen Erwärmungsbetrieb der Heizung steuert. In der Teilungsvorrichtung beinhaltet der Tisch einen ersten Ansaugabschnitt, der eine erste Ansaugoberfläche mit einem Durchmesser gleich oder größer als ein äußere Durchmesser des Wafers, bevor er geteilt wird, und kleiner als ein äußerer Durchmesser des Wafers, nachdem er durch ein Aufweiten des Bandes geteilt worden ist, aufweist, und eine Mitte des Bandes in der Werkstückanordnung unter Ansaugung hält, einen nicht ansaugenden Abschnitt, der eine äußere Seitenoberfläche des ersten Ansaugabschnitts umgibt und eine Nicht-Ansaugoberfläche in der ringartigen Form aufweist, die mit der ersten Ansaugoberfläche ausgerichtet ist, und einen zweiten Ansaugabschnitt, der eine äußere Seitenoberfläche des nicht ansaugenden Abschnitts umgibt und eine zweite Ansaugoberfläche in der ringartigen Form aufweist, die mit der ersten Ansaugoberfläche und der Nicht-Ansaugoberfläche ausgerichtet ist. Das Steuerungsmittel beinhaltet auch einen ersten Steuerungsabschnitt, der das Anhebemittel steuert, um zu bewirken, dass der Tisch und der Ringrahmenhalteabschnitt voneinander auf eine solche Weise um eine erste Distanz relativ getrennt werden, dass sich der Tisch in die Richtung nach oben bewegt und der Ringrahmenhalteabschnitt in die Richtung nach unten bewegt, und das Band aufweitet, um dadurch den Wafer an den Startpunkten für eine Teilung zu teilen, einen zweiten Steuerungsabschnitt, der bewirkt, dass die erste Ansaugoberfläche nach einem Teilen des Wafers mit einer Ansaugquelle in Verbindung steht, einen dritten Steuerungsabschnitt, der das Anhebemittel steuert, um das ringartige Band zwischen dem äußeren Umfang der ersten Ansaugoberfläche und dem inneren Umfang des Ringrahmens aufzuweiten, wobei das ringartige Band an der ersten Ansaugoberfläche nicht unter Ansaugung gehalten wird, durch ein relatives Trennen des Tischs und des Ringrahmenhalteabschnitts voneinander um einen Abstand, der größer als der erste Abstand ist, einen vierten Steuerungsabschnitt, der bewirkt, dass die zweite Ansaugoberfläche nach einem Aufweiten des ringartigen Bandes mit der Ansaugquelle in Verbindung steht, und einen fünften Steuerungsabschnitt, der nach der Steuerung des vierten Steuerungsabschnitts bewirkt, dass das Anhebemittel den Tisch und den Ringrahmenhalteabschnitt näher zueinander bringt, um dadurch das ringartige Band dazu zu bringen, durchzuhängen, und bewirkt, dass die Heizung das ringartige Band, was zum Durchhängen gebracht worden ist, erwärmt, sodass es schrumpft.According to one aspect of the present invention, there is provided a dividing device for expanding a tape having a heat-shrinking property in a workpiece assembly in which a wafer formed with starting points for division is supported by the tape in an opening of a rank frame by adhering the tape to the ring frame so that it completes the opening of the ring frame, and dividing the wafer at the starting points for a division. The dividing device includes a table that has a suction surface for holding the workpiece assembly under suction, a ring frame holding portion that holds the ring frame in the workpiece assembly, a lifting means that moves the table and the ring frame holding portion relatively toward / away from each other in a direction perpendicular to the suction surface, a heater that heats the ring-like band between an outer periphery of the wafer and an inner periphery of the ring frame in the workpiece assembly, and a control means that controls at least a suction operation of the table, a lifting operation of the ring frame holding portion, and a heating operation of the heater. In the dividing device, the table includes a first suction portion having a first suction surface having a diameter equal to or larger than an outer diameter of the wafer before it is divided and smaller than an outer diameter of the wafer after it has been divided by expanding the belt and holds a center of the belt in the workpiece assembly under suction, a non-suction portion surrounding an outer side surface of the first suction portion and having a non-suction surface in the ring-like shape that is aligned with the first suction surface, and a second suction portion surrounding an outer side surface of the non-suction portion and having a second suction surface in the ring-like shape that is aligned with the first suction surface and the non-suction surface. The control means also includes a first control section that controls the lifting means to cause the table and the ring frame holding section to be relatively separated from each other by a first distance in such a manner that the table moves in the upward direction and the ring frame holding section in moves the direction downward, and widens the belt to thereby divide the wafer at the starting points for division, a second control section that causes the first suction surface to communicate with a suction source after dividing the wafer, a third control section which controls the lifting means to expand the ring-like band between the outer periphery of the first suction surface and the inner periphery of the ring frame, the ring-like band not being held under suction on the first suction surface, by a relative separating the table and the ring frame holding portion from each other by a distance greater than the first distance, a fourth control portion which causes the second suction surface to communicate with the suction source after expanding the ring-like band, and a fifth control portion which after the control of the fourth control section, causes the lifting means to bring the table and the ring frame holding section closer to each other, thereby causing the ring-like band to sag, and causes the heater to heat the ring-like band that has been slackened, so that it shrinks.

Gemäß einem anderen Aspekt der vorliegenden Erfindung wird ein Teilungsverfahren zum Aufweiten eines Bandes, das eine Wärmeschrumpfeigenschaft aufweist, in einer Werkstückanordnung bereitgestellt, in der ein Wafer, der mit Startpunkten für eine Teilung ausgebildet ist, in einem Bereich des Wafers, der einer Öffnung eines Ringrahmens entspricht, durch das Band durch ein Anheften des Bandes am Ringrahmen, sodass es die Öffnung des Ringrahmens abschließt, getragen wird, und zum Teilen des Wafers an Startpunkten für eine Teilung unter Benutzung der oben beschriebenen Teilungsvorrichtung. Das Teilungsverfahren beinhaltet einen Halteschritt zum Halten des Ringrahmens in der Werkstückanordnung durch einen Ringrahmenhalteabschnitt, einen Teilungsschritt, nachdem der Halteschritt ausgeführt worden ist, zum Bewirken, das ein Anhebemittel den Ringrahmenhalteabschnitt in einer solchen Richtung bewegt, dass ein Tisch und der Ringrahmenhalteabschnitt voneinander getrennt werden, sodass das Band aufgeweitet wird, und dadurch zum Teilen des Wafers an den Startpunkten für eine Teilung, und dann zum Ausbilden einer vorgegebenen Lücke zwischen benachbarten Chips, einen Bandhalteschritt, nachdem der Teilungsschritt ausgeführt worden ist, zum Halten des aufgeweiteten Bandes unter Ansaugung an einer ersten Ansaugoberfläche des Tischs, einen Aufweitschritt des ringartigen Bandes, nachdem der Bandhalteschritt ausgeführt worden ist, zum Bewegen des Ringrahmenhalteabschnittes in einer solchen Richtung, dass der Tisch und der Ringrahmenhalteabschnitt voneinander weiter getrennt werden, um das ringartige Band, das an der ersten Ansaugoberfläche nicht unter Ansaugung gehalten wird, zwischen einem äußeren Umfang der ersten Ansaugoberfläche und einem inneren Umfang des Ringrahmens aufzuweiten, einen Halteschritt des ringartigen Bandes, nachdem der Aufweitschritt des ringartigen Bandes ausgeführt worden ist, zum Halten des ringartigen Bandes an einer zweiten Ansaugoberfläche des Tischs unter Ansaugung, und einen Fixierungsschritt, nachdem der Halteschritt des ringartigen Bandes ausgeführt worden ist, zum Bewirken, dass das Anhebemittel den Ringrahmenhalteabschnitt in einer solchen Richtung bewegt, dass der Tisch und der Ringrahmenhalteabschnitt aufeinander zu gebracht werden, um das ringartige Band dazu zu bringen, durchzuhängen, und zum Bewirken, dass die Heizung das durchhängende ringartige Band erwärmt, sodass es schrumpft, und dadurch zum Aufrechterhalten der Lücke zwischen den benachbarten Chips, um eine Position jedes Chips zu fixieren.According to another aspect of the present invention, there is provided a dividing method for expanding a tape having a heat-shrinking property in a workpiece arrangement in which a wafer formed with starting points for division in a region of the wafer which is an opening of a ring frame is carried by the tape by attaching the tape to the ring frame so that it closes the opening of the ring frame, and for dividing the wafer at starting points for division using the dividing device described above. The dividing method includes a holding step of holding the ring frame in the workpiece assembly by a ring frame holding portion, a dividing step, after the holding step has been carried out, for causing a lifting means to move the ring frame holding portion in such a direction that a table and the ring frame holding portion are separated from each other, so that the tape is expanded, thereby dividing the wafer at the starting points for division, and then forming a predetermined gap between adjacent chips, a tape holding step after the dividing step has been carried out for holding the expanded tape with suction on a first one Suction surface of the table, an expanding step of the ring-like band after the band holding step has been carried out, for moving the ring frame holding portion in such a direction that the table and the ring frame holding portion are further separated from each other in order to there s ring-like band, which is not held under suction on the first suction surface, between an outer periphery of the first suction surface and an inner periphery of the ring frame, a holding step of the ring-like band after the expanding step of the ring-like band has been carried out to hold the ring-like Tape on a second suction surface of the table under suction, and a fixing step after the ring-like tape holding step has been carried out for causing the lifting means to move the ring frame holding portion in such a direction that the table and the ring frame holding portion are brought toward each other to causing the ring-like band to sag and causing the heater to heat the slacking ring-like band so that it shrinks, and thereby maintaining the gap between the adjacent chips to fix a position of each chip.

Gemäß der Teilungsvorrichtung der vorliegenden Erfindung ist es möglich, die Mitte des Bandes und das ringartige Band zwischen dem äußeren Umfang des Wafers, nachdem er geteilt worden ist, und dem inneren Umfang des Ringrahmens getrennt am Tisch unter Ansaugung zu halten. Demgemäß besteht, nachdem der Wafer geteilt worden ist, wenn das ringartige Band durchhängt und einem Wärmeschrumpfen unterzogen wird, keine Gefahr, eine Vakuumleckage aufgrund eines Lösens des ringartigen Bandes von der Ansaugoberfläche an der äußeren Umfangseite des Tischs zu erzeugen. Gemäß der vorliegenden Erfindung, ist es, selbst wenn der Chip ein kleiner Chip ist, möglich, das ringartige Band separat an der zweiten Oberfläche unter Ansaugung zu halten und den Abstand zwischen den benachbarten Chips durch ein positives Wärmeschrumpfen des ringartigen Bandes aufrechtzuerhalten, sodass der Abstand zwischen den benachbarten Chips, der aufgeweitet worden ist, nicht vermindert wird.According to the dividing device of the present invention, it is possible to keep the center of the tape and the ring-like tape between the outer periphery of the wafer after it has been divided and the inner periphery of the ring frame separately on the table under suction. Accordingly, after the wafer is divided, when the ring-like band is slackened and subjected to heat shrinkage, there is no fear of generating vacuum leakage due to peeling of the ring-like band from the suction surface on the outer peripheral side of the table. According to the present invention, even if the chip is a small chip, it is possible to separately hold the ring-like band on the second surface with suction and maintain the spacing between the adjacent chips by positively heat shrinking the ring-like band so that the distance between the adjacent chips that has been widened is not decreased.

Gemäß dem Teilungsverfahren der vorliegenden Erfindung ist es, wenn der Fixierungsschritt ausgeführt worden ist, möglich, das ringartige Band zu schrumpfen, während die Mitte des Bandes und das ringartige Band zwischen dem äußeren Umfang des Wafers, nachdem er geteilt worden ist, und dem inneren Umfang des Ringrahmens getrennt unter Ansaugung am Tisch gehalten werden. Demgemäß besteht keine Gefahr des Erzeugens einer Vakuumleckage aufgrund eines Lösens des ringartigen Bandes von der Ansaugoberfläche an der äußeren Umfangsseite des Tischs. Somit ist es, ähnlich zur vorangegangenen Beschreibung, beispielsweise, wenn der Chip ein kleiner Chip ist, möglich, den Abstand der Lücke zwischen den benachbarten Chips durch ein Erwärmen des ringartigen Bandes, sodass es positiv geschrumpft wird, aufrechtzuerhalten.According to the dividing method of the present invention, when the fixing step has been carried out, it is possible to shrink the ring-like band while keeping the center of the band and the ring-like band between the outer periphery of the wafer after it has been divided and the inner periphery of the ring frame are held separately under suction on the table. Accordingly, there is no fear of generating vacuum leakage due to the ring-like band loosening from the suction surface on the outer peripheral side of the table. Thus, similarly to the foregoing description, for example, when the chip is a small chip, it is possible to maintain the spacing of the gap between the adjacent chips by heating the ring-like band so that it is positively shrunk.

Die obigen und weitere Ziele, Merkmale und Vorteile der vorliegenden Erfindung und die Art, diese zu realisieren, werden ersichtlicher und die Erfindung selbst wird am besten durch ein Studium der folgenden Beschreibung und der angehängten Ansprüche unter Bezugnahme auf die angehängten Zeichnungen, die eine bevorzugte Ausführungsform der Erfindung zeigen, verstanden.The above and other objects, features and advantages of the present invention and the manner in which they can be realized will become more apparent, and the invention itself will best be best understood from a study of the following description and appended claims with reference to the appended drawings depicting a preferred embodiment of the invention show understood.

FigurenlisteFigure list

  • 1 ist eine Perspektivansicht, die eine Ausgestaltung einer Werkstückanordnung und einer Teilungsvorrichtung darstellt; 1 Fig. 13 is a perspective view showing a configuration of a workpiece assembly and a dividing device;
  • 2 ist eine Querschnittsansicht, die einen Halteschritt darstellt; 2 Fig. 13 is a cross-sectional view illustrating a holding step;
  • 3 ist eine Querschnittsansicht, die einen Teilungsschritt darstellt; 3 Fig. 13 is a cross-sectional view illustrating a dividing step;
  • 4 ist eine Querschnittsansicht, die einen Bandhalteschritt darstellt; 4th Fig. 13 is a cross-sectional view illustrating a tape holding step;
  • 5 ist eine Querschnittsansicht, die einen Aufweitschritt eines ringartigen Bandes darstellt; 5 Fig. 13 is a cross-sectional view illustrating an expanding step of a ring-like band;
  • 6 ist eine Querschnittsansicht, die einen Halteschritt eines ringartigen Bandes darstellt; und 6th Fig. 13 is a cross-sectional view showing a holding step of a ring-like band; and
  • 7 ist eine Querschnittsansicht, die einen Fixierungsschritt darstellt. 7th Fig. 13 is a cross-sectional view illustrating a fixing step.

AUSFÜHRLICHE BESCHREIBUNG DER BEVORZUGTEN AUSFÜHRUNGSFORMDETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENT

[Werkstückanordnung][Workpiece arrangement]

Eine in 1 dargestellte Werkstückanordnung WS wird durch ein Anbringen eines Bandes T, das eine Wärmeschrumpfeigenschaft aufweist, an einem Ringrahmen F in einer Ringform, sodass es eine Öffnung des Ringrahmens F abschließt, und durch ein Anbringen eines Wafers W, der mit Startpunkten für eine Teilung ausgebildet ist, am Band T, sodass die Werkstückanordnung WS über das Band T vom Ringrahmen F getragen wird, erhalten. Der Wafer W ist ein Beispiel eines Werkstücks, das ein Substrat in einer kreisförmigen Plattenform aufweist, und seine Vorderseite ist durch mehrere Teilungslinien L in einem Gittermuster so geteilt, dass sie mehrere Bereiche ausbilden, und dadurch in jedem der Bereiche ein Bauelement D ausbilden. Ein Material des den Wafer W bildenden Substrats ist nicht besonders beschränkt, und Beispiele dafür beinhalten Silizium (Si), Siliziumcarbid (SiC), Glas, Keramik, Saphir und dergleichen.One in 1 illustrated workpiece assembly WS is formed by attaching a tape T, which has a heat shrinking property, to a ring frame F in a ring shape so that it closes an opening of the ring frame F, and by attaching a wafer W formed with starting points for division, on the belt T, so that the workpiece arrangement WS is carried by the ring frame F via the belt T. The wafer W is an example of a workpiece having a substrate in a circular plate shape, and its front side is divided by a plurality of dividing lines L in a lattice pattern to form a plurality of areas, thereby forming a device D in each of the areas. A material of the substrate constituting the wafer W is not particularly limited, and examples thereof include silicon (Si), silicon carbide (SiC), glass, ceramic, sapphire, and the like.

Das Band T ist nicht besonders auf ein Material beschränkt, solange das Band T eine Dehneigenschaft und eine Wärmeschrumpfeigenschaft aufweist. Zusätzlich weist das Band T mindestens einen Durchmesser auf, der größer ist als der Wafer W, und weist beispielsweise eine Zweischichtstruktur auf, in der eine haftende Schicht auf einer Basisschicht, die Polyolefin, Polyvinylchlorid, Polypropylen oder dergleichen beinhaltet, aufgebracht ist. Ein Band T1 des Bandes T in einem in 1 dargestellten Beispiel, das ein freiliegender Abschnitt in einer Ringform zwischen einem äußeren Umfang des Wafers W und einem inneren Umfang des Ringrahmens F ist, ist ein Abschnitt, auf den eine externe Kraft von einer unten beschriebenen Teilungsvorrichtung 1 aufzubringen ist, sowie ein Abschnitt, in dem ein Durchhängen leicht auftritt, nachdem ein Bandaufweiten von der Teilungsvorrichtung 1 ausgeführt worden ist.The tape T is not particularly limited to a material as long as the tape T has a stretch property and a heat shrink property. In addition, the tape T has at least one diameter larger than the wafer W and has, for example, a two-layer structure in which an adhesive layer is applied to a base layer including polyolefin, polyvinyl chloride, polypropylene or the like. One tape T1 of the tape T in an in 1 illustrated example, which is an exposed portion in a ring shape between an outer periphery of the wafer W and an inner periphery of the ring frame F, is a portion to which an external force from a dividing device described below 1 is to be applied, as well as a portion where sagging easily occurs after banding from the dividing device 1 has been executed.

[Teilungsvorrichtung][Dividing device]

Die in 1 dargestellte Teilungsvorrichtung 1 ist eine Art der Teilungsvorrichtung, die das Band T in der oben beschriebenen Werkstückanordnung WS aufweitet, um den Wafer W am Startpunkt für eine Teilung in einzelne Chips aufzuteilen, in denen sich jeweils ein Bauelement D befindet. Die Teilungsvorrichtung 1 beinhaltet einen Tisch 10, einen Ringrahmenhalteabschnitt 20, ein Anhebemittel 30, ein Wärmeschrumpfmittel 40, ein Steuerungsmittel 50. Der Tisch 10 weist eine Ansaugoberfläche zum Halten der Werkstückanordnung WS unter Ansaugen auf. Der Ringrahmenhalteabschnitt 20 hält den Ringrahmen F in der Werkstückanordnung WS. Das Anhebemittel 30 bewirkt, dass sich der Tisch 10 und der Ringrahmenhalteabschnitt 20 in einer Richtung senkrecht zur Ansaugoberfläche relativ aufeinander zu oder voneinander weg bewegen. Das Wärmeschrumpfmittel 40 weist ein Paar Heizungen 41 auf, die das ringartige Band T1 zwischen dem äußeren Umfang des Wafers W und dem inneren Umfang des Ringrahmens F in der Werkstückanordnung WS erwärmen. Das Steuerungsmittel 50 steuert mindestens einen Ansaugbetrieb des Tischs 10, einen Anhebebetrieb des Ringrahmenhalteabschnitts 20 und einen Erwärmungsbetrieb der Heizung 41.In the 1 shown dividing device 1 is a type of dividing device that expands the belt T in the workpiece arrangement WS described above in order to divide the wafer W at the starting point for division into individual chips, in each of which a component D is located. The dividing device 1 includes a table 10 , a ring frame holding portion 20th , a lifting device 30th , a heat shrink agent 40 , a control means 50 . The table 10 has a suction surface for holding the workpiece assembly WS under suction. The ring frame holding section 20th holds the ring frame F in the workpiece arrangement WS. The lifting device 30th causes the table 10 and the ring frame holding portion 20th move relatively toward or away from each other in a direction perpendicular to the suction surface. The heat shrink agent 40 has a pair of heaters 41 on that the ring-like band T1 heat between the outer periphery of the wafer W and the inner periphery of the ring frame F in the workpiece assembly WS. The control means 50 controls at least one suction operation of the table 10 , a lifting operation of the ring frame holding portion 20th and a heating operation of the heater 41 .

Der Ringrahmenhalteabschnitt 20 beinhaltet eine Anbringplatte 21, die einen kreisförmige Öffnung 23 in ihrer Mitte aufweist, und an der eine untere Oberfläche des Ringrahmens F angebracht ist, und eine Abdeckplatte 22, die in ihrer Mitte eine kreisförmige Öffnung 24 aufweist und eine obere Oberfläche des Ringrahmens F drückt. Der Ringrahmenhalteabschnitt 20 kann sich beispielsweise über vier der Anhebemittel 30 (in 1 sind nur drei dargestellt) nach oben und nach unten bewegen. Das Anhebemittel 30 beinhaltet einen Zylinder 31 und einen Kolben 32, an dessen distalem Ende die Anbringplatte 21 befestigt ist. Im Ringrahmenhalteabschnitt 20 bewirkt das Anhebemittel 30, dass ich die Anbringplatte 21 mit dem an der Anbringplatte 21 angebrachten Ringrahmen F nach oben bewegt, und demgemäß wird der Ringrahmen F von der Anbringplatte 21 und Abdeckplatte 22 umgriffen, wodurch es ermöglicht wird, die Werkstückanordnung WS zu halten. Wenn der Ringrahmenhalteabschnitt 20 die Werkstückanordnung WS hält, liegen der Wafer W und ein Teil des Bandes T (ringartiges Band T1) von den kreisförmigen Öffnungen 23 und 24 frei.The ring frame holding section 20th includes a mounting plate 21 that have a circular opening 23 at its center, and to which a lower surface of the ring frame F is attached, and a cover plate 22nd that have a circular opening in their center 24 and an upper surface of the ring frame F presses. The ring frame holding section 20th can for example be about four of the lifting means 30th (in 1 only three are shown) move up and down. The lifting device 30th includes a cylinder 31 and a piston 32 , at the distal end of which the mounting plate 21 is attached. In the ring frame holding section 20th causes the lifting means 30th that I have the mounting plate 21 with the one on the mounting plate 21 attached ring frame F is moved upward, and accordingly, the ring frame F is removed from the attachment plate 21 and cover plate 22nd encompassed, which makes it possible to hold the workpiece assembly WS. When the ring frame holding portion 20th holds the workpiece arrangement WS, the wafer W and part of the tape T (ring-like tape T1 ) from the circular openings 23 and 24 free.

Oberhalb des Ringrahmenhalteabschnitts 20 ist das Wärmeschrumpfmittel 40 angeordnet. Das in der vorliegenden Ausführungsform dargestellte Wärmeschrumpfmittel 40 beinhaltet das Paar Heizungen 41, einen Anhebeabschnitt 43 und ein Drehmittel 44. Das Paar Heizungen 41 ist an gegenüberliegenden Enden eines Arms 42 angeordnet, wobei eine Mitte des Wafers W dazwischen angeordnet ist. Der Anhebeabschnitt 43 an einem Mittenabschnitt des Arms 42 bewirkt, dass sich das Paar Heizungen 41 mit dem Arm 42 in Richtungen nach oben und nach unten bewegt. Das Drehmittel 44 dreht das Paar Heizungen 41, wobei die Mitte des Wafers W eine Rotationsachse ist.Above the ring frame holding section 20th is the heat shrink agent 40 arranged. This in the heat shrinkage means shown in the present embodiment 40 includes the pair of heaters 41 , a lifting section 43 and a rotating means 44 . The pair of heaters 41 is at opposite ends of an arm 42 with a center of the wafer W interposed therebetween. The lifting section 43 at a central portion of the arm 42 causes the pair of heaters 41 with the arm 42 moved in directions up and down. The turning means 44 turns the pair of heaters 41 wherein the center of the wafer W is an axis of rotation.

Die Heizung 41 beinhaltet beispielsweise eine Ferninfrarotheizung und kann eine Punktbestrahlung mit einem Ferninfrarotstrahl, der eine vorgegebene Peak-Wellenform aufweist, durchführen. Da es ausreichend ist, wenn die Heizung 41 das ringartige Band T1 so erwärmt, dass es geschrumpft wird, ist die Heizung 41 nicht auf die obige Ferninfrarotheizung beschränkt, sondern kann eine Heizung sein, die eine vorgegebene heiße Luft bläst.The heating system 41 includes, for example, far infrared heater and can perform point irradiation with a far infrared ray having a predetermined peak waveform. As it is sufficient when the heater 41 the ring-like band T1 so heated that it is shrunk is the heater 41 not limited to the above far infrared heater, but may be a heater that blows a predetermined hot air.

Der Anhebabschnitt 43 kann eine Höhenposition der Heizung 41 in Bezug auf das Band T1 gemäß einem Anhebebetrieb des Ringrahmenhalteabschnitts 20 einstellen. Das Drehmittel 44 ist beispielsweise ein gepulster Motor und kann das Paar Heizungen 41 mit einer vorgegebenen Drehgeschwindigkeit drehen, sodass ein gesamter Umfang des ringartigen Bandes T1 erwärmt wird. Im derartig ausgestalteten Wärmeschrumpfmittel 40 wird ein Ferninfrarotstrahl nach unten emittiert, während sich das Paar Heizungen 41 mit der Mitte des Wafers W als die Drehachse dreht, und ein Durchhang des Bandes T1 zwischen dem äußeren Umfang des Wafers W und dem inneren Umfang des Ringrahmens F wird zum Teil erwärmt, wodurch ermöglicht wird, dass das Band T1 durch Wärme geschrumpft wird.The lifting section 43 can be a height position of the heater 41 in terms of tape T1 according to a lifting operation of the ring frame holding portion 20th to adjust. The turning means 44 is for example a pulsed motor and can be the pair of heaters 41 rotate at a predetermined rotational speed so that an entire circumference of the ring-like band T1 is heated. In the heat-shrinkable means configured in this way 40 a far infrared beam is emitted downward while the pair heats up 41 with the center of the wafer W rotating as the axis of rotation, and a slack of the ribbon T1 between the outer periphery of the wafer W and the inner periphery of the ring frame F is partially heated, thereby allowing the tape T1 is shrunk by heat.

Der Tisch 10 beinhaltet einen ersten Ansaugabschnitt 11, einen nicht ansaugenden Abschnitt 13 und einen zweiten Ansaugabschnitt 12. Der erste Ansaugabschnitt 11 weist eine erste Ansaugoberfläche 11a mit einem Durchmesser auf, der gleich oder größer ist als ein äußerer Durchmesser des Wafers W, bevor er geteilt wird, und kleiner ist als ein äußerer Durchmesser des Wafers W, nachdem er durch ein Aufweiten des Bands T geteilt worden ist, und hält eine Mitte des Bandes T in der Werkstückanordnung WS unter Ansaugung. Der nicht ansaugende Abschnitt 13 umgibt eine äußere Seitenoberfläche des ersten Ansaugabschnitts 11 und weist eine Nicht-Ansaugoberfläche in einer Ringform auf, die mit der ersten Ansaugoberfläche 11a ausgerichtet ist. Der zweite Ansaugabschnitt 12 umgibt eine äußere Seitenoberfläche des nicht ansaugenden Abschnitts 13 und weist eine zweite Ansaugoberfläche 12a in einer Ringform auf, die mit der ersten Ansaugoberfläche 11a und der Nicht-Ansaugoberfläche ausgerichtet ist. Der Tisch 10 wird von mehreren Tragsäulenabschnitten 100 getragen und ist so ausgestaltet, dass der Tisch 10 von den kreisförmigen Öffnungen 23 und 24 der Anbringplatte 21 und der Abdeckplatte 22 vorstehen kann. Entlang einer äußeren Umfangskante des Tischs 10 sind mehrere Rollen 18 auf eine drehbare Weise angeordnet. Wenn das Band T aufgeweitet wird, nimmt das ringartige Band T1 Kontakt mit den mehreren Rollen 18 auf, sodass eine Reibung mit dem Band T1, die an der äußeren Umfangskante des Tischs 10 auftritt, reduziert werden kann.The table 10 includes a first suction section 11 , a non-aspirating section 13th and a second suction section 12th . The first suction section 11 has a first suction surface 11a has a diameter equal to or larger than an outer diameter of the wafer W before it is divided and smaller than an outer diameter of the wafer W after being divided by expanding the tape T, and holds a center of the belt T in the workpiece arrangement WS with suction. The non-aspirating section 13th surrounds an outer side surface of the first suction portion 11 and has a non-suction surface in an annular shape coincident with the first suction surface 11a is aligned. The second suction section 12th surrounds an outer side surface of the non-suction portion 13th and has a second suction surface 12a in a ring shape that coincides with the first suction surface 11a and the non-suction surface is aligned. The table 10 is supported by several support column sections 100 worn and is designed so that the table 10 from the circular openings 23 and 24 the mounting plate 21 and the cover plate 22nd can protrude. Along an outer peripheral edge of the table 10 are multiple roles 18th arranged in a rotatable manner. When the band T is expanded, the ring-like band decreases T1 Contact with the multiple roles 18th on, so that there is friction with the belt T1 that is on the outer peripheral edge of the table 10 occurs, can be reduced.

Wie in 2 dargestellt, ist der erste Ansaugabschnitt 11 aus einem porösen Element, wie beispielsweise einer porösen Keramik, ausgebildet. Der erste Ansaugabschnitt 11 steht mit einem Durchgang 110 in Verbindung, durch den eine Ansaugkraft übertragen wird. Im Durchgang 110 ist ein erstes Öffnungs-/Schließventil 14 angeordnet, um zu bewirken, dass die erste Ansaugoberfläche 11a und eine erste Ansaugquelle 15 miteinander verbunden werden. Ein Öffnen des ersten Öffnungs-/Schließventils 14 bewirkt, dass die erste Ansaugoberfläche 11a mit der ersten Ansaugquelle 15 verbunden wird, sodass die Mitte des Bandes T an der ersten Ansaugoberfläche 11a, auf die eine Ansaugkraft aufgebracht wird, unter Ansaugung gehalten werden kann.As in 2 shown is the first suction section 11 formed from a porous member such as a porous ceramic. The first suction section 11 stands with a passage 110 in connection through which a suction force is transmitted. In the passage 110 is a first opening / closing valve 14th arranged to cause the first suction surface 11a and a first source of suction 15th be connected to each other. An opening of the first opening / closing valve 14th causes the first suction surface 11a with the first suction source 15th connected so that the center of the tape T is at the first suction surface 11a to which suction force is applied can be kept under suction.

Ähnlich zum ersten Ansaugabschnitt 11 ist der zweite Ansaugabschnitt 12 auch aus einem porösen Element wie beispielsweise einer porösen Keramik ausgebildet. Der zweite Ansaugabschnitt 12 steht mit einem Durchgang 120 in Verbindung, durch den eine Ansaugkraft übertragen wird. Im Durchgang 120 ist ein zweites Öffnungs-/Schließventil 16 angeordnet, um zu bewirken, dass die zweite Ansaugoberfläche 12a und eine zweite Ansaugquelle 17 miteinander verbunden werden. Ein Öffnen des zweiten Öffnungs-/Schließventils 16 bewirkt, dass die zweite Ansaugoberfläche 12a mit der zweiten Ansaugquelle 17 verbunden wird, sodass das ringartige Band T1 zwischen dem äußeren Umfang des Wafers W und dem inneren Umfangs des Ringrahmens F unter Ansaugung an der zweiten Ansaugoberfläche 12a, auf die eine Ansaugkraft aufgebracht wird, gehalten werden kann. Beachte, dass in einem Beispiel in 2 zwei Ansaugquellen für den Tisch 10 vorgesehen sind, dies jedoch nicht beschränkend ist. Es kann eine solche Ausgestaltung anwendbar sein, dass eine Ansaugquelle eine Ansaugkraft auf sowohl die erste Ansaugoberfläche 11a, als auch die zweite Ansaugoberfläche 12a aufbringt.Similar to the first suction section 11 is the second suction section 12th also formed from a porous member such as a porous ceramic. The second suction section 12th stands with a passage 120 in connection through which a suction force is transmitted. In the passage 120 is a second open / close valve 16 arranged to cause the second suction surface 12a and a second source of suction 17th be connected to each other. An opening of the second opening / closing valve 16 causes the second suction surface 12a with the second suction source 17th is connected so that the ring-like band T1 between the outer periphery of the wafer W and the inner periphery of the ring frame F with suction on the second suction surface 12a to which suction force is applied can be held. Note that in one example in 2 two suction sources for the table 10 are provided, but this is not limiting. Such a configuration may be applicable that a suction source applies suction force to both the first suction surface 11a , as well as the second suction surface 12a brings up.

Der nicht ansaugende Abschnitt 13 ist in einer Ringform zwischen dem ersten Ansaugabschnitt 11 und dem zweiten Ansaugabschnitt 12 vorgesehen, und eine vordere Oberfläche davon dient als eine Nicht-Ansaugoberfläche. Der nicht ansaugende Abschnitt 13 saugt das Band T nicht an, sondern funktioniert als eine Trennwand, die den ersten Ansaugabschnitt 11 und den zweiten Ansaugabschnitt 12 so voneinander trennt, dass die Mitte des Bandes T und das ringartige Band T1 zwischen dem äußeren Umfang des Wafers W und dem inneren Umfang des Ringrahmens F getrennt am Tisch 10 angesaugt werden.The non-aspirating section 13th is in a ring shape between the first suction portion 11 and the second suction section 12th is provided, and a front surface thereof serves as a non-suction surface. The non-aspirating section 13th the tape T does not suck in, but functions as a partition that separates the first Suction section 11 and the second suction section 12th so separates that the center of the band T and the ring-like band T1 between the outer periphery of the wafer W and the inner periphery of the ring frame F separated on the table 10 be sucked in.

Das Steuerungsmittel 50 beinhaltet ein Speicherelement wie beispielsweise eine zentrale Recheneinheit (CPU) und einen Speicher, der eine Berechnungsverarbeitung gemäß einem Steuerungsprogram ausführt. Das Steuerungsmittel 50 beinhaltet einen ersten Steuerungsabschnitt 51, einen zweiten Steuerungsabschnitt 52, einen dritten Steuerungsabschnitt 53, einen vierten Steuerungsabschnitt 54 und einen fünften Steuerungsabschnitt 55. Der erste Steuerungsabschnitt 51 steuert das Anhebemittel 30, um zu bewirken, dass der Tisch 10 und der Ringrahmenhalteabschnitt 20 relativ voneinander um einen ersten Abstand so getrennt werden, dass sich der Tisch 10 in der Richtung nach oben bewegt, und der Ringrahmenhalteabschnitt 20 in der Richtung nach unten bewegt, und das Band T aufweitet, um dadurch den Wafer W an den Startpunkten für eine Teilung zu trennen. Der zweite Steuerungsabschnitt 52 bewirkt, dass die erste Ansaugoberfläche 11a nach einem Teilen des Wafers W mit der ersten Ansaugquelle 15 in Verbindung steht. Der dritte Steuerungsabschnitt 53 steuert das Anhebemittel 30, um das ringartige Band T1 zwischen dem äußeren Umfang der Ansaugoberfläche 11a und dem inneren Umfang des Ringrahmens F aufzuweiten, wobei das ringartige Band T1 nicht unter Ansaugung an der Ansaugoberfläche 11a gehalten wird, indem es bewirkt, dass der Tisch 10 und der Ringrahmenhalteabschnitt 20 relativ zueinander um einen Abstand, der größer ist als der erste Abstand, voneinander getrennt werden. Der vierte Steuerungsabschnitt 54 bewirkt, dass die zweite Ansaugoberfläche 12a nach einem Aufweiten des ringartigen Bands T1 durch den dritten Steuerungsabschnitt 53 mit der zweiten Ansaugquelle 17 in Verbindung steht. Nach dem Steuern des vierten Steuerungsabschnitts 54 steuert der fünfte Steuerungsabschnitt 55 das Anhebemittel 30 so, dass der Tisch 10 und der Ringrahmenhalteabschnitt 20 aufeinander zu bewegt werden, um dadurch das ringartige Band T1 dazu zu bringen, durchzuhängen, und bewirkt, dass das Paar Heizungen 41 das ringartige Band T1, das dazu gebracht wurde, durchzuhängen, geschrumpft wird. Das Steuerungsmittel 50 ist mindestens mit dem Anhebemittel 30, dem Wärmeschrumpfmittel 40, dem ersten Öffnungs-/Schließventil 14 und dem zweiten Öffnungs-/Schließventil 16 verbunden. Auf diese Weise kann das Steuerungsmittel 50 den Anhebebetrieb des Ringrahmenhalteabschnitts 20, den Ansaugbetrieb der ersten Ansaugoberfläche 11a oder der zweiten Ansaugoberfläche 12a und den Erwärmungsbetrieb des Wärmeschrumpfmittels 40 gemeinsam steuern. Der oben beschriebene erste Abstand ist ein Bewegungsabstand des Ringrahmenhalteabschnitts 20, bei dem der Wafer W in einem solchen Ausmaß geteilt werden kann, dass die benachbarten Chips eine Lücke dazwischen aufweisen.The control means 50 includes a storage element such as a central processing unit (CPU) and a memory that performs calculation processing according to a control program. The control means 50 includes a first control section 51 , a second control section 52 , a third control section 53 , a fourth control section 54 and a fifth control section 55 . The first control section 51 controls the lifting means 30th to cause the table 10 and the ring frame holding portion 20th relative to each other by a first distance so that the table 10 moved in the upward direction, and the ring frame holding portion 20th moves in the downward direction, and widens the belt T, thereby dividing the wafer W at the starting points for division. The second control section 52 causes the first suction surface 11a after dividing the wafer W with the first suction source 15th communicates. The third control section 53 controls the lifting means 30th to make the ring-like band T1 between the outer periphery of the suction surface 11a and expand the inner periphery of the ring frame F, the ring-like band T1 not under suction on the suction surface 11a is held by it causes the table 10 and the ring frame holding portion 20th relative to one another by a distance which is greater than the first distance. The fourth control section 54 causes the second suction surface 12a after widening the ring-like band T1 by the third control section 53 with the second suction source 17th communicates. After controlling the fourth control section 54 controls the fifth control section 55 the lifting device 30th so that the table 10 and the ring frame holding portion 20th are moved towards each other, thereby creating the ring-like band T1 to cause the pair to sag and cause the pair of heaters 41 the ring-like band T1 that has been caused to sag is shrunk. The control means 50 is at least with the lifting device 30th , the heat shrink agent 40 , the first opening / closing valve 14th and the second opening / closing valve 16 tied together. In this way the control means 50 the lifting operation of the ring frame holding portion 20th , the suction operation of the first suction surface 11a or the second suction surface 12a and the heating operation of the heat shrink agent 40 control together. The first distance described above is a moving distance of the ring frame holding portion 20th wherein the wafer W can be divided to such an extent that the adjacent chips have a gap therebetween.

Wie oben beschrieben, beinhaltet die Teilungsvorrichtung 1 gemäß der vorliegenden Erfindung den Tisch 10, der die Werkstückanordnung WS unter Ansaugung hält, den Ringrahmenhalteabschnitt 20, der den Ringrahmen F hält, das Anhebemittel 30, das den Ringrahmenhalteabschnitt 20 in den Richtungen nach oben und nach unten bewegt, das Paar Heizungen 41, die das ringartige Band T1 zwischen dem äußeren Umfang des Wafers W und dem inneren Umfang des Ringrahmens F erwärmen, und das Steuerungsmittel 50. Der Tisch 10 beinhaltet den ersten Ansaugabschnitt 11, der die erste Ansaugoberfläche 11a mit dem Durchmesser, der gleich oder größer ist als der äußere Durchmesser des Wafers W, bevor er geteilt wird, und dem Durchmesser, der kleiner ist als der äußere Durchmesser des Wafers W, nachdem er durch ein Aufweiten des Bands T geteilt worden ist, aufweist, und die Mitte des Bandes T in der Werkstückanordnung WS unter Ansaugung hält, den nicht saugenden Abschnitt 13, der die äußere Seitenoberfläche des ersten Ansaugabschnitts 11 umgibt und die Nicht-Ansaugoberfläche in einer Ringform aufweist, die mit der ersten Ansaugoberfläche 11a ausgerichtet ist, und den zweiten Ansaugabschnitt 12, der die äußere Seitenoberfläche des nicht ansaugenden Abschnitts 13 umgibt und die zweite Ansaugoberfläche 12a in einer Ringform aufweist, die mit der ersten Ansaugoberfläche 11a und der Nicht-Ansaugoberfläche ausgerichtet ist.As described above, the dividing device includes 1 according to the present invention the table 10 holding the workpiece assembly WS under suction, the ring frame holding portion 20th holding the ring frame F, the lifting means 30th that is the ring frame holding portion 20th moved in the up and down directions, the pair of heaters 41 who have favourited the ring-like band T1 heat between the outer periphery of the wafer W and the inner periphery of the ring frame F, and the control means 50 . The table 10 includes the first suction section 11 that is the first suction surface 11a having the diameter equal to or larger than the outer diameter of the wafer W before it is divided and the diameter smaller than the outer diameter of the wafer W after it is divided by expanding the tape T , and holds the center of the belt T in the workpiece assembly WS under suction, the non-sucking portion 13th that is the outer side surface of the first suction portion 11 surrounds and has the non-suction surface in an annular shape that coincides with the first suction surface 11a is aligned, and the second suction portion 12th that is the outer side surface of the non-suction portion 13th surrounds and the second suction surface 12a in an annular shape associated with the first suction surface 11a and the non-suction surface is aligned.

Das Steuerungsmittel 50 beinhaltet den ersten Steuerungsabschnitt 51, der das Anhebemittel 30 steuert, um das Band T aufzuweiten und den Wafer W am Teilungsstartpunkt zu teilen, den zweiten Steuerungsabschnitt 52, der bewirkt, dass die erste Ansaugoberfläche 11a nach einem Teilen des Wafers W mit der ersten Ansaugquelle 15 in Verbindung steht, den dritten Steuerungsabschnitt 53, der das Anhebemittel 30 steuert, um das ringartige Band T1, das nicht an der ersten Ansaugoberfläche 11a unter Ansaugung gehalten wird und sich zwischen dem äußeren Umfang der ersten Ansaugoberfläche 11a und dem inneren Umfang des Ringrahmens F befindet, aufzuweiten, den vierten Steuerungsabschnitt 54, der bewirkt, dass die zweite Ansaugoberfläche 12a nach einem Aufweiten des ringartigen Bandes T1 mit der zweiten Ansaugquelle 17 in Verbindung steht und den fünften Steuerungsabschnitt 55, der nach der Steuerung des vierten Steuerungsabschnitt 54 bewirkt, dass das Anhebemittel 30 den Tisch 10 und den Ringrahmenhalteabschnitt 20 näher zueinander bringt, und dadurch das ringartige Band T1 dazu bringt, durchzuhängen, und bewirkt, dass das Paar Heizungen 41 das ringartige Band T1, das dazu gebracht worden ist, durchzuhängen, erwärmt, sodass es zu schrumpft. Demgemäß ist es möglich, die Mitte des Bandes T und das ringartige Band T1 zwischen dem äußeren Umfang des Wafers W, nachdem der geteilt worden ist, und dem inneren Umfang des Ringrahmens F getrennt unter Ansaugung zu halten. Daher muss, wenn das ringartige Band T1 dazu gebracht wird, durchzuhängen, und einem Schrumpfen durch Wärme unterzogen wird, nachdem der Wafer W geteilt worden ist, nicht befürchtet werden, eine Vakuumleckage aufgrund eines Lösens des ringartigen Bands T1 von der Ansaugoberfläche an der äußeren Umfangsseite des Tischs 10 zu erzeugen. Somit ist es gemäß der vorliegenden Erfindung, selbst in einem Fall, in dem der Chip ein Chip mit einer geringen Größe ist, möglich, das ringartige Band T1 an der zweiten Ansaugoberfläche 12a getrennt unter Ansaugung zu halten, um den Abstand zwischen den benachbarten Chips, der aufgeweitet worden ist, nicht zu verkleinern, und demgemäß wird das ringartige Band T1 mit den Paar Heizungen 41 erwärmt, sodass es schrumpft, sodass der Abstand zwischen den benachbarten Chips aufrechterhalten werden kann.The control means 50 includes the first control section 51 who is the lifting device 30th controls the second control section to expand the belt T and divide the wafer W at the division start point 52 that causes the first suction surface 11a after dividing the wafer W with the first suction source 15th is in communication, the third control section 53 who is the lifting device 30th controls to the ring-like band T1 that is not on the first suction surface 11a is maintained under suction and is located between the outer periphery of the first suction surface 11a and the inner periphery of the ring frame F is to expand the fourth control portion 54 that causes the second suction surface 12a after widening the ring-like band T1 with the second suction source 17th communicates and the fifth control section 55 after the control of the fourth control section 54 causes the lifting means 30th the table 10 and the ring frame holding portion 20th closer to each other, and thereby the ring-like band T1 causes the couple to sag and causes the pair of heaters 41 the ring-like band T1 that has been caused to sag is heated so that it shrinks. Accordingly, it is possible to use the Middle of the band T and the ring-like band T1 between the outer periphery of the wafer W after it has been divided and the inner periphery of the ring frame F separated under suction. Therefore, if the ring-like band must T1 is caused to sag and heat shrinkage after the wafer W is divided, there is no fear of vacuum leakage due to loosening of the ring-like band T1 from the suction surface on the outer peripheral side of the table 10 to create. Thus, according to the present invention, even in a case where the chip is a chip having a small size, it is possible to use the ring-like band T1 on the second suction surface 12a kept separately under suction so as not to reduce the distance between the adjacent chips that has been expanded, and accordingly the ring-like band becomes T1 with the pair of heaters 41 heated so that it shrinks so that the distance between the neighboring chips can be maintained.

[Teilungsverfahren des Wafers][Division method of the wafer]

Als nächstes erfolgt eine Beschreibung eines Teilungsverfahrens des Aufweitens des Bandes T, das eine Wärmeschrumpfeigenschaft aufweist, in der Werkstückanordnung WS, in der der in einem Bereich des Wafers W, der der Öffnung des Ringrahmens F entspricht, mit Startpunkten für eine Teilung ausgebildete Wafer W über das Band T durch ein Haften des Bandes T am Ringrahmen F so getragen wird, dass er die Öffnung des Ringrahmens F abschließt, und eines Teilens des Wafers W an den Startpunkten für eine Teilung unter Benutzung der oben beschriebenen Teilungsvorrichtung 1. Es wird angenommen, dass der in der vorliegenden Ausführungsform dargestellte Wafer W ein Wafer ist, in dem die Startpunkte für eine Teilung entlang der Teilungslinien L beispielsweise durch eine Laserbearbeitung von der vorderen Oberflächenseite ausgebildet worden sind. Dieser Startpunkt für eine Teilung ist beispielsweise eine modifizierte Schicht M, die innerhalb des in 2 dargestellten Wafers W eine reduzierte Festigkeit aufweist. Der Startpunkt für eine Teilung ist nicht auf die modifizierte Schicht M beschränkt. Als ein Alternativbeispiel kann der Startpunkt für eine Teilung eine geschnittene Nut sein, in der der Wafer W durch ein Durchführen einer Schneidbearbeitung entlang aller Teilungslinien L vollständig geschnitten ist. Alternativ wird der Wafer W vollständig durch ein Laserbearbeiten entlang aller Teilungslinien L so geschnitten, dass er Nuten ausbildet, die als Startpunkte für eine Teilung anwendbar sind.Next, a description will be given of a dividing method of expanding the tape T having a heat-shrinking property in the workpiece assembly WS in which the wafer W formed with starting points for division in an area of the wafer W corresponding to the opening of the ring frame F over the tape T is supported by adhering the tape T to the ring frame F so as to close the opening of the ring frame F and dividing the wafer W at the starting points for division using the dividing device described above 1 . It is assumed that the wafer W shown in the present embodiment is a wafer in which the starting points for division along the division lines L have been formed by, for example, laser processing from the front surface side. This starting point for a division is, for example, a modified layer M, which is located within the in 2 shown wafer W has a reduced strength. The starting point for division is not limited to the modified layer M. As an alternative example, the starting point for division may be a cut groove in which the wafer W is completely cut by performing cutting processing along all of the division lines L. Alternatively, the wafer W is completely cut by laser machining along all the dividing lines L so that it forms grooves which can be used as starting points for a division.

HalteschrittHolding step

Der in 1 dargestellte Ringrahmenhalteabschnitt 20 hält die Werkstückanordnung WS. Insbesondere ist der Ringrahmen F in der Werkstückanordnung WS an der Anbringplatte 21 angebracht. Der Ringrahmen F ist konzentrisch zur kreisförmigen Öffnung 23 angebracht und der Wafer W befindet sich in einem Zustand, dass er in der kreisförmigen Öffnung 23 getragen ist. Dann wird, wie in 2 dargestellt, die Anbringplatte 21 durch das Anhebemittel 30 nach oben bewegt, wodurch der Ringrahmen F zwischen der Abdeckplatte 22 und der Anbringplatte 21 umgriffen wird, um die Werkstückanordnung WS zu halten.The in 1 Ring frame holding section shown 20th holds the workpiece arrangement WS. In particular, the ring frame F is in the workpiece arrangement WS on the mounting plate 21 appropriate. The ring frame F is concentric with the circular opening 23 is attached and the wafer W is in a state that it is in the circular opening 23 is worn. Then, as in 2 shown, the mounting plate 21 by the lifting means 30th moved upwards, whereby the ring frame F between the cover plate 22nd and the mounting plate 21 is grasped to hold the workpiece assembly WS.

TeilungsschrittDivision step

Nachdem der Halteschritt durchgeführt worden ist, steuert der in 1 dargestellte erste Steuerungsabschnitt 51 das Anhebemittel 30, wodurch das Anhebemittel 30 den Ringrahmenhalteabschnitt 20 in einer solchen Richtung bewegt, dass der Tisch 10 und der Ringrahmenhalteabschnitt 20 voneinander um den ersten Abstand getrennt werden, um dadurch das Band T aufzuweiten. Insbesondere bewegt sich der Kolben 32 im Zylinder 31 nach unten und demgemäß werden der Tisch 10 und der Ringrahmenhalteabschnitt 20 relativ voneinander auf solche Weise getrennt, dass sich der Tisch 10 in der Richtung nach oben bewegt und sich der Ringrahmenhalteabschnitt 20 in der Richtung nach unten bewegt, wodurch das Band T in einer Radialrichtung aufgeweitet wird. Zusammen mit der Aufweitung des Bandes T wird der Wafer W entlang der Teilungslinien L mit den in 2 dargestellten modifizierten Schichten M als Startpunkten für eine Teilung geteilt, um dadurch eine vorgegebene Lücke G zwischen den benachbarten Chips C auszubilden. Ein äußerer Umfangsabschnitt des Wafers W, der durch ein Aufweiten des Bandes T geteilt worden ist, wird am nicht ansaugenden Abschnitt 13 angebracht. Somit wird der Wafer W in einzelne Chips C geteilt. Beachte, dass der in der vorliegenden Ausführungsform dargestellte Halteschritt und der Teilungsschritt ausgeführt werden, ohne, dass die Werkstückanordnung WS am Tisch 10 gehalten wird.After the holding step has been carried out, the in 1 illustrated first control section 51 the lifting device 30th , making the lifting means 30th the ring frame holding portion 20th in such a direction that the table moves 10 and the ring frame holding portion 20th are separated from each other by the first distance to thereby expand the tape T. In particular, the piston moves 32 in the cylinder 31 down and accordingly will be the table 10 and the ring frame holding portion 20th relatively separated from each other in such a way that the table is 10 moves in the upward direction and the ring frame holding portion moves 20th is moved in the downward direction, thereby expanding the tape T in a radial direction. Together with the widening of the belt T, the wafer W is cut along the dividing lines L with the in 2 modified layers M shown as starting points for division to thereby form a predetermined gap G between the adjacent chips C. An outer peripheral portion of the wafer W that has been divided by expanding the tape T becomes at the non-sucking portion 13th appropriate. Thus, the wafer W is divided into individual chips C. Note that the holding step and the dividing step shown in the present embodiment are carried out without leaving the workpiece assembly WS on the table 10 is held.

BandhalteschrittTape holding step

Nachdem der Teilungsschritt durchgeführt worden ist, wird, wie in 4 dargestellt, dass aufgeweitete Band T unter Ansaugung an der ersten Ansaugoberfläche 11a gehalten. Der in 1 dargestellte zweite Steuerungsabschnitt 52 öffnet das erste Öffnungs-/Schließventil 14, um zu bewirken, dass die erste Ansaugoberfläche 11a über die Passage 110 mit der ersten Ansaugquelle 15 in Verbindung steht. Demgemäß wird eine Ansaugkraft auf die erste Ansaugoberfläche 11a aufgebracht, um dadurch das Band T daran unter Ansaugung zu halten. Zu diesem Zeitpunkt ist der Durchmesser des Wafers W, nachdem er geteilt worden ist, größer als der Durchmesser der ersten Ansaugoberfläche 11a, und der äußere Umfangsabschnitt des Wafers W ist am nicht ansaugenden Abschnitt 13 angebracht. Somit kann der Mittenabschnitt des Wafers W vorteilhaft über das Band T unter Ansaugung an der ersten Ansaugoberfläche 11a gehalten werden, während das am äußeren Umfangsabschnitt des am nicht ansaugenden Abschnitt 13 angebrachten Wafers W angebrachte Band T nicht unter Ansaugung gehalten wird. Im Bandhalteschritt ist das zweite Öffnungs-/Schließventil 16 geschlossen und demgemäß wird das ringartige Band T1 an der zweiten Ansaugoberfläche 12a nicht unter Ansaugung gehalten.After the dividing step has been performed, as in 4th shown that expanded band T under suction at the first suction surface 11a held. The in 1 illustrated second control section 52 opens the first opening / closing valve 14th to cause the first suction surface 11a across the passage 110 with the first suction source 15th communicates. Accordingly, a suction force on the first suction surface becomes 11a is applied to thereby keep the tape T thereon under suction. At this time, the diameter of the wafer W after it has been divided is larger than the diameter of the first suction surface 11a , and the outer peripheral portion of the wafer W is at the non-suction portion 13th appropriate. Consequently The central portion of the wafer W can advantageously be drawn via the belt T with suction on the first suction surface 11a while that on the outer peripheral portion of the non-suction portion 13th attached wafer W attached tape T is not held under suction. In the tape holding step is the second open / close valve 16 closed and accordingly the ring-like band is closed T1 on the second suction surface 12a not held under suction.

Aufweitschritt des ringartigen BandesExpansion step of the ring-like band

Nachdem der Bandhalteschritt ausgeführt worden ist, werden, wie in 5 dargestellt, durch ein Bewegen des Ringrahmenhalteabschnitts 20 in einer solchen Richtung, dass der Tisch 10 und der Ringrahmenhalteabschnitt 20 weiter voneinander getrennt werden, das am äußeren Umfangsabschnitt des am nicht ansaugenden Abschnitt 13 angebrachten Wafers W haftende Band T und das ringartige Band T1 zwischen dem äußeren Umfang des Wafers und dem inneren Umfang des Ringrahmens F aufgeweitet. Der in 1 dargestellte dritte Steuerungsabschnitt 53 steuert das Anhebemittel 30 so, dass sich der Kolben 32 im Zylinder 31 weit nach unten bewegt und dadurch bewirkt, dass der Tisch 10 und der Ringrahmenhalteabschnitt 20 um einen Abstand, der größer ist als der oben beschriebene erste Abstand, voneinander getrennt werden, und das Band T, das am äußeren Umfangsabschnitt des am nicht ansaugenden Abschnitt 13 angebrachten Wafers W haftet, und das ringartige Band T1 aufweitet. Als ein Ergebnis wird die vorgegebene Lücke G, die zwischen den benachbarten Chips C am äußeren Umfangsabschnitt des Wafers W ausgebildet ist, aufgeweitet.After the tape holding step has been performed, as shown in FIG 5 shown by moving the ring frame holding portion 20th in such a direction that the table 10 and the ring frame holding portion 20th are further separated from each other on the outer peripheral portion of the non-suction portion 13th attached wafer W, adhesive tape T and the ring-like tape T1 widened between the outer periphery of the wafer and the inner periphery of the ring frame F. The in 1 illustrated third control section 53 controls the lifting means 30th so that the piston 32 in the cylinder 31 moves far down and this causes the table 10 and the ring frame holding portion 20th by a distance larger than the above-described first distance, and the tape T attached to the outer peripheral portion of the non-sucking portion 13th attached wafer W adheres, and the ring-like tape T1 expands. As a result, the predetermined gap G formed between the adjacent chips C on the outer peripheral portion of the wafer W is widened.

Halteschritt des ringartigen BandsHolding step of the ring-like band

Nachdem der Aufweitschritt des ringartigen Bands ausgeführt worden ist, wird, wie in 6 dargestellt, das ringartige Band T1 an der zweiten Ansaugoberfläche 12a unter Ansaugung gehalten. Der in 1 dargestellte vierte Steuerungsabschnitt 54 öffnet das zweite Öffnungs-/Schließventil 16 und bewirkt, dass die zweite Ansaugoberfläche 12a über den Durchgang 120 mit der zweiten Ansaugquelle 17 in Verbindung steht. Demgemäß wird eine Ansaugkraft auf die zweite Ansaugoberfläche 12a aufgebracht, um das ringartige Band T1 unter Ansaugung zu halten. Zu diesem Zeitpunkt wird, da das erste Öffnungs-/Schließventil 14 auch geöffnet ist, der Zustand, in dem das Band T unter Ansaugung an der ersten Ansaugoberfläche 11a gehalten wird, aufrechterhalten.After the ring-like band expanding step has been carried out, as shown in FIG 6th shown, the ring-like band T1 on the second suction surface 12a kept under suction. The in 1 illustrated fourth control section 54 opens the second opening / closing valve 16 and causes the second suction surface 12a across the passage 120 with the second suction source 17th communicates. Accordingly, a suction force on the second suction surface becomes 12a applied to the ring-like band T1 keep under suction. At this point, since the first open / close valve 14th is also opened, the state in which the belt T is sucked on the first suction surface 11a is maintained.

FixierungsschrittFixation step

Nachdem der Halteschritt des ringartigen Bandes ausgeführt worden ist, bewegt, wie in 7 dargestellt, das Anhebemittel 30 den Ringrahmenhalteabschnitt 20 in einer solchen Richtung, dass der Tisch 10 und der Ringrahmenhalteabschnitt 20 näher aufeinander zu gebracht werden, um dadurch das ringartige Band T1 dazu zu bringen, durchzuhängen, und die Heizungen 41 erwärmen das ringartige Band T1, das dazu gebracht worden ist, durchzuhängen, sodass es geschrumpft wird. Besonders steuert der in 1 dargestellte fünfte Steuerungsabschnitt 55 das Anhebemittel 30, wodurch sich der Ringrahmenhalteabschnitt 20 so in die Richtung nach oben bewegt, dass der Tisch 10 und der Ringrahmenhalteabschnitt 20 näher aufeinander zu gebracht werden, wodurch das ringartige Band T1 dazu gebracht wird, durchzuhängen. Beim Beginnen des Fixierungsschritts ist das ringartige Band T1 vollständig gedehnt und demgemäß tritt ein Durchhängen beim ringartigen Band T1 einfach auf. Daher erreicht das ringartige Band T1, wenn der Tisch 10 und der Ringrahmenhalteabschnitt 20 näher aufeinander zu gebracht werden, wie in 7 dargestellt, den durchhängenden Zustand.After the ring-like band holding step has been carried out, moved as in FIG 7th shown, the lifting means 30th the ring frame holding portion 20th in such a direction that the table 10 and the ring frame holding portion 20th are brought closer together, thereby creating the ring-like band T1 to sag, and the heaters 41 heat the ring-like band T1 that has been caused to sag so that it is shrunk. In particular, the in 1 illustrated fifth control section 55 the lifting device 30th , whereby the ring frame holding portion 20th so in the upward direction that the table moves 10 and the ring frame holding portion 20th are brought closer together, creating the ring-like band T1 is made to sag. When starting the fixing step, the ring-like band is T1 fully stretched and, accordingly, sagging occurs in the ring-like band T1 just on. Therefore, the ring-like band achieves T1 when the table 10 and the ring frame holding portion 20th be brought closer together, as in 7th shown, the sagging state.

Beim Durchhängen des ringartigen Bandes T1 wird das Band T an der Mitte an der ersten Ansaugoberfläche 11a unter Ansaugung gehalten, während das ringartige Band T1 getrennt an der zweiten Ansaugoberfläche 12a unter Ansaugung gehalten wird. Demgemäß löst sich das ringartige Band T1 nicht von der zweiten Ansaugoberfläche 12a. Mit anderen Worten tritt ein solcher Fall nicht auf, in dem eine Ansaugkraft vor einem Schrumpfen des ringartigen Bandes T1 durch Wärme an der äußeren Umfangsseite des Tischs 10 geschwächt wird, sodass sich das ringartige Band T1 löst, was in einem Schrumpfen des gesamten Bandes T in Richtung der Mitte resultiert. Daher verringert sich ein Abstand jeder Lücke G zwischen den benachbarten Chips C nicht.When the ring-like band sags T1 becomes the tape T at the center on the first suction surface 11a held under suction while the ring-like band T1 separated on the second suction surface 12a is kept under suction. Accordingly, the ring-like band comes off T1 not from the second suction surface 12a . In other words, there does not occur such a case that suction force is prevented from shrinking the ring-like band T1 by heat on the outer peripheral side of the table 10 is weakened, so that the ring-like band T1 solves, resulting in a shrinkage of the entire tape T towards the center. Therefore, a distance of each gap G between the adjacent chips C does not decrease.

Als nächstes steuert der fünfte Steuerungsabschnitt 55 derart, dass das Wärmeschrumpfmittel 40 über der Werkstückanordnung WS positioniert wird und das ringartige Band T1 mit dem Ferninfrarotstrahl bestrahlt, während es bewirkt, dass das Drehmittel 44 das Paar Heizungen 41 mit der Mitte des Wafers W als die Drehachse dreht, um dadurch das ringartige Band T1 zu erwärmen, sodass es schrumpft. Wenn das ringartige Band T1 als ein Ergebnis des Bestrahlens mit dem Infrarotstrahl geschrumpft wird, kehrt das gesamte Band T zu einem gespannten Zustand ohne Durchhängen zurück, sodass der Abstand jeder Lücke G zwischen den benachbarten Chips C aufrechterhalten werden kann und eine Position jedes Chips C fixiert werden kann. Beachte, dass, nachdem der Fixierungsschritt abgeschlossen ist, die Werkstückanordnung WS beispielsweise in eine Reinigungseinheit geladen wird und einer Reinigungsbehandlung und einer Trocknungsbehandlung unterzogen wird.Next, the fifth control section controls 55 such that the heat shrink agent 40 is positioned over the workpiece assembly WS and the ring-like band T1 irradiated with the far infrared ray while it causes the rotating means 44 the pair of heaters 41 rotates with the center of the wafer W as the axis of rotation, thereby making the ring-like band T1 to heat so that it shrinks. When the ring-like band T1 is shrunk as a result of irradiating the infrared ray, the entire tape T returns to a tensioned state with no slack, so that the distance of each gap G between the adjacent chips C can be maintained and a position of each chip C can be fixed. Note that after the fixing step is completed, the workpiece assembly WS is loaded into a cleaning unit, for example, and is subjected to a cleaning treatment and a drying treatment.

Daher ist es, da das Teilungsverfahren gemäß der vorliegenden Erfindung den Halteschritt des Haltens des Ringrahmens F in der Werkstückanordnung WS durch den Ringrahmenhalteabschnitt 20, den Teilungsschritt des Bewirkens, dass das Anhebemittel 30 den Ringrahmenhalteabschnitt 20 in einer solchen Richtung bewegt, dass der Tisch 10 und der Ringrahmenhalteabschnitt 20 voneinander getrennt werden, um das Band T aufzuweiten, und dadurch den Wafer W an den Teilungsstartpunkten teilt, und dann die vorgegebene Lücke G zwischen den benachbarten Chips C ausbildet, den Bandhalteschritt des Haltens des aufgeweiteten Bandes T an der ersten Ansaugoberfläche 11a des Tischs 10 unter Ansaugung, den Aufweitschritt des ringartigen Bandes des Bewegens des Ringrahmenhalteabschnitts 20 in einer solchen Richtung, das der Tisch 10 und der Ringrahmenhalteabschnitt 20 weiter voneinander getrennt werden, um das Band T, das am äußeren Umfangsabschnitt des Wafers W haftet, der an dem nicht ansaugenden Abschnitt 13 angebracht ist, und das ringartige Band T1 zwischen dem äußeren Umfang des Wafers W und dem inneren Umfang des Ringrahmens F aufzuweiten, den Halteschritt des ringartigen Bandes, der das ringartige Band T1 an der zweiten Ansaugoberfläche 12a des Tischs 10 unter Ansaugung hält, und den Fixierungsschritt des Bewirkens, dass das Anhebemittel 30 den Ringrahmenhalteabschnitt 20 in einer solchen Richtung bewegt, dass der Tisch 10 und der Ringrahmenhalteabschnitt 20 einander angenähert werden, um das ringartige Band T1 dazu zu bringen, durchzuhängen, und des Bewirkens, das die Heizungen 41 das durchhängende ringartige Band T1 erwärmen, sodass es schrumpft, und dadurch die Lücke G zwischen den benachbarten Chips C aufrechterhalten, um eine Position jedes Chips C zu fixieren, möglich, die Mitte des Bandes T und des ringartigen Bandes T1 zwischen dem äußeren Umfang des Wafers W, nachdem er geteilt worden ist, und dem inneren Umfang des Ringrahmens F am Tisch 10 getrennt unter Ansaugung zu halten, während das ringartige Band T1 erwärmt wird, sodass es schrumpft. Somit muss nicht befürchtet werden, dass eine Vakuumleckage aufgrund von einem Lösen des ringartigen Bandes T1 von der Ansaugoberfläche an der äußeren Umfangsseite des Tischs 10 erzeugt wird. Demgemäß ist es, ähnlich wie in der vorangegangenen Beschreibung, beispielsweise, wenn der Chip C ein kleiner Chip ist, möglich, den Abstand jeder Lücken G zwischen den benachbarten Chips C aufrechtzuerhalten, indem bewirkt wird, dass die Heizungen 41 das ringartige Band T1 erwärmen, sodass es positiv geschrumpft wird. Beachte, dass, auch wenn der aufgeweitete äußere Umfangsabschnitt des Wafers W im in der vorliegenden Ausführungsform dargestellten Teilungsschritt am nicht ansaugenden Abschnitt 13 angebracht ist, der aufgeweitete äußerere Umfangsabschnitt des Wafers W an der zweiten Ansaugoberfläche 12a angebracht sein kann.Therefore, since the dividing method according to the present invention includes the holding step of holding the ring frame F in the workpiece assembly WS by the ring frame holding portion 20th , the dividing step of causing the lifting means 30th the ring frame holding portion 20th in such a direction that the table moves 10 and the ring frame holding portion 20th are separated from each other to expand the tape T, thereby dividing the wafer W at the division start points, and then forming the predetermined gap G between the adjacent chips C, the tape holding step of holding the expanded tape T on the first suction surface 11a of the table 10 under suction, the ring-like band expanding step of moving the ring frame holding portion 20th in such a direction that the table 10 and the ring frame holding portion 20th are further separated from each other, around the tape T adhered to the outer peripheral portion of the wafer W that of the non-sucking portion 13th is attached, and the ring-like band T1 widening between the outer periphery of the wafer W and the inner periphery of the ring frame F, the step of holding the ring-like band that the ring-like band T1 on the second suction surface 12a of the table 10 holds under suction, and the fixing step of causing the lifting means 30th the ring frame holding portion 20th in such a direction that the table moves 10 and the ring frame holding portion 20th are approached to form the ring-like band T1 causing the heaters to sag and causing the heaters 41 the sagging ring-like band T1 heat so that it shrinks, thereby maintaining the gap G between the adjacent chips C to fix a position of each chip C, possibly the center of the tape T and the ring-like tape T1 between the outer periphery of the wafer W after it has been divided and the inner periphery of the ring frame F on the table 10 keep separately under suction while the ring-like band T1 is heated so that it shrinks. Thus, there is no need to fear that vacuum leakage due to loosening of the ring-like band T1 from the suction surface on the outer peripheral side of the table 10 is produced. Accordingly, similarly to the foregoing description, for example, when the chip C is a small chip, it is possible to maintain the spacing of each gap G between the adjacent chips C by causing the heaters 41 the ring-like band T1 heat so that it is positively shrunk. Note that, even if the expanded outer peripheral portion of the wafer W in the dividing step shown in the present embodiment is at the non-suction portion 13th is attached, the expanded outer peripheral portion of the wafer W on the second suction surface 12a may be appropriate.

Claims (2)

Teilungsvorrichtung (1) zum Aufweiten eines Bandes (T), das eine Wärmeschrumpfeigenschaft aufweist, in einer Werkstückanordnung, in der ein Wafer (W), der mit Startpunkten für eine Teilung ausgebildet ist, vom Band (T) in einer Öffnung eines Ringrahmens (F) durch ein Anhaften des Bandes (T) am Ringrahmen (F) getragen wird, sodass es die Öffnung des Ringrahmens (F) schließt, und zum Teilen des Wafers (W) an den Startpunkten für eine Teilung, wobei die Teilungsvorrichtung (1) aufweist: einen Tisch (10), der eine Ansaugoberfläche zum Halten der Werkstückanordnung unter Ansaugung aufweist; einen Ringrahmenhalteabschnitt (20), der eingerichtet ist, um den Ringrahmen (F) in der Werkstückanordnung zu halten; ein Anhebemittel, das eingerichtet ist, um den Tisch (10) und den Ringrahmenhalteabschnitt (20) in einer zur Ansaugoberfläche orthogonalen Richtung relativ aufeinander zu/voneinander weg zu bewegen; eine Heizung, die eingerichtet ist, um das ringartige Band (T1) zwischen einem äußeren Umfang des Wafers (W) und einem inneren Umfang des Ringrahmens (F) in der Werkstückanordnung zu erwärmen; und ein Steuerungsmittel, das eingerichtet ist, um mindestens einen Ansaugbetrieb des Tischs (10), einen Anhebebetrieb des Ringrahmenhalteabschnitts (20) und einen Erwärmungsbetrieb der Heizung zu steuern, wobei der Tisch (10) beinhaltet: einen ersten Ansaugabschnitt (11), der eine erste Ansaugoberfläche mit einem Durchmesser, der gleich oder größer als ein äußerer Durchmesser des Wafers (W), bevor er geteilt wird, und kleiner als ein äußerer Durchmesser des Wafers (W) ist, nachdem er durch ein Aufweiten des Bandes (T) geteilt worden ist, aufweist, und der eingerichtet ist, um eine Mitte des Bandes (T) in der Werkstückanordnung unter Ansaugung zu halten, einen nicht ansaugenden Abschnitt (13), der eine äußere Seitenoberfläche des ersten Ansaugabschnitts (11) umgibt und eine Nicht-Ansaugoberfläche in der ringartigen Form aufweist, die mit der ersten Ansaugoberfläche (11a) ausgerichtet ist, und einen zweiten Ansaugabschnitt (12), der eine äußere Seitenoberfläche des nicht ansaugenden Abschnitts (13) umgibt und eine zweite Ansaugoberfläche (12a) in der ringartigen Form aufweist, die mit der ersten Ansaugoberfläche (11a) und der Nicht-Ansaugoberfläche ausgerichtet ist, und das Steuerungsmittel beinhaltet: einen ersten Steuerungsabschnitt, der eingerichtet ist, um das Anhebemittel zu steuern, um zu bewirken, dass der Tisch (10) und der Ringrahmenhalteabschnitt (20) relativ voneinander auf eine solche Art um einen ersten Abstand getrennt werden, dass sich der Tisch (10) in der Richtung nach oben bewegt und der Ringrahmenhalteabschnitt (20) in der Richtung nach unten bewegt, und das Band (T) aufweitet, sodass er den Wafer (W) an den Startpunkten für eine Teilung teilt, einen zweiten Steuerungsabschnitt, der eingerichtet ist, um zu bewirken, dass die erste Ansaugoberfläche (11a) nach einem Teilen des Wafers (W) mit einer Ansaugquelle in Verbindung steht, einen dritten Steuerungsabschnitt, der eingerichtet ist, um das Anhebemittel zu steuern, um das ringartige Band (T1) zwischen dem äußeren Umfang der ersten Ansaugoberfläche (11a) und dem inneren Umfang des Ringrahmens (F) aufzuweiten, wobei das ringartige Band (T1) an der ersten Ansaugoberfläche (11a) nicht unter Ansaugung gehalten wird, indem der Tisch (10) und der Ringrahmenhalteabschnitt (20) relativ zueinander um einen Abstand voneinander getrennt werden, der größer ist als der erste Abstand, einen vierten Steuerungsabschnitt, der eingerichtet ist, um zu bewirken, dass die zweite Ansaugoberfläche (12a) nach einem Aufweiten des ringartigen Bandes (T1) mit der Ansaugquelle in Verbindung steht, und einen fünften Steuerungsabschnitt, der eingerichtet ist, um nach der Steuerung des vierten Steuerungsabschnitts zu bewirken, dass das Anhebemittel den Tisch (10) und den Ringrahmenhalteabschnitt (20) näher aufeinander zu bewegt, um dadurch das ringartige Band (T1) dazu zu bringen, durchzuhägen, und um zu bewirken, dass die Heizung das ringartige Band (T1), was dazu gebracht worden ist, durchzuhängen, erwärmt, sodass es schrumpft.Dividing device (1) for expanding a tape (T), which has a heat-shrinking property, in a workpiece arrangement in which a wafer (W), which is formed with starting points for division, is separated from the tape (T) in an opening of a ring frame (F ) is supported by adhering the tape (T) to the ring frame (F) so that it closes the opening of the ring frame (F), and for dividing the wafer (W) at the starting points for division, the dividing device (1) having : a table (10) having a suction surface for holding the workpiece assembly under suction; a ring frame holding portion (20) configured to hold the ring frame (F) in the workpiece assembly; a lifting means configured to move the table (10) and the ring frame holding portion (20) relative to / from each other in a direction orthogonal to the suction surface; a heater configured to heat the ring-like band (T1) between an outer periphery of the wafer (W) and an inner periphery of the ring frame (F) in the workpiece assembly; and a control means configured to control at least a suction operation of the table (10), a lifting operation of the ring frame holding portion (20) and a heating operation of the heater, wherein the table (10) includes: a first suction portion (11), the one first suction surface having a diameter equal to or larger than an outer diameter of the wafer (W) before it is divided and smaller than an outer diameter of the wafer (W) after it has been divided by expanding the tape (T) and configured to hold a center of the belt (T) in the workpiece assembly under suction, a non-suction portion (13) surrounding an outer side surface of the first suction portion (11) and a non-suction surface in of the ring-like shape that is aligned with the first suction surface (11a), and a second suction portion (12) that has an outer side surface of the non-suction Abs section (13) and having a second suction surface (12a) in the ring-like shape that is aligned with the first suction surface (11a) and the non-suction surface, and the control means includes: a first control section configured to move the lifting means to control to cause the table (10) and the Ring frame holding portion (20) are relatively separated from each other by a first distance in such a manner that the table (10) moves in the upward direction and the ring frame holding portion (20) moves in the downward direction, and the tape (T) expands so that it divides the wafer (W) at the starting points for division, a second control section configured to make the first suction surface (11a) communicate with a suction source after dividing the wafer (W), a third control section adapted to control the lifting means to expand the ring-like band (T1) between the outer periphery of the first suction surface (11a) and the inner periphery of the ring frame (F), the ring-like band (T1) on the first suction surface (11a) is not kept under suction by separating the table (10) and the ring frame holding portion (20) relative to each other by a distance that is greater is as the first distance, a fourth control section configured to cause the second suction surface (12a) to communicate with the suction source after expanding the ring-like band (T1), and a fifth control section configured to after the control of the fourth control section to cause the lifting means to move the table (10) and the ring frame holding section (20) closer to each other, thereby causing the ring-like band (T1) to sag and to cause the Heater heats the ring-like band (T1) that has been made to sag, so that it shrinks. Teilungsverfahren zum Aufweiten eines Bandes (T), das eine Wärmeschrumpfeigenschaft aufweist, in einer Werkstückanordnung, in der ein Wafer (W), der mit Startpunkten für eine Teilung in einem Gebiet des Wafers (W), das einer Öffnung eines Ringrahmens (F) entspricht, ausgebildet ist, vom Band (T) durch ein Anbringen des Bandes (T) am Ringrahmen (F) so getragen wird, das es die Öffnung des Ringrahmens (F) schließt, und zum Teilen des Wafers (W) an den Startpunkten für eine Teilung unter Benutzung der Teilungsvorrichtung (1) nach Anspruch 1, wobei das Verfahren aufweist: einen Halteschritt zum Halten des Ringrahmens (F) in der Werkstückanordnung durch einen Ringrahmenhalteabschnitt (20); einen Teilungsschritt zum Bewirken, dass ein Anhebemittel den Ringrahmenhalteabschnitt (20) in einer solchen Richtung bewegt, dass ein Tisch (10) und der Ringrahmenhalteabschnitt (20) voneinander getrennt werden, sodass das Band (T) aufgeweitet wird, nachdem der Halteschritt ausgeführt worden ist, und dadurch zum Teilen des Wafers (W) an den Startpunkten für eine Teilung, und dann zum Ausbilden einer vorgegebenen Lücke zwischen benachbarten Chips; einen Bandhalteschritt zum Ansaughalten des aufgeweiteten Bandes (T) an einer ersten Ansaugoberfläche (11a) des Tisches (10), nachdem der Teilungsschritt ausgeführt worden ist; einen Aufweitschritt des ringartigen Bandes (T1) zum Bewegen des Ringrahmenhalteabschnitts (20) in einer solchen Richtung, dass der Tisch (10) und der Ringrahmenhalteabschnitt (20) weiter voneinander getrennt werden, sodass das ringartige Band (T1), das nicht unter Ansaugung an der ersten Ansaugoberfläche (11a) zwischen einem äußeren Umfang der ersten Ansaugoberfläche (11a) und einem inneren Umfang des Ringrahmens (F) nicht unter Ansaugung gehalten wird, aufgeweitet wird, nachdem der Bandhalteschritt ausgeführt worden ist; einen Halteschritt des ringartigen Bandes (T1) zum Ansaughalten des ringartigen Bandes (T1) an einer zweiten Ansaugoberfläche (12a) des Tischs (10), nachdem der Aufweitschritt des ringartigen Bandes (T1) ausgeführt worden ist; und einen Fixierungsschritt zum Bewirken, dass das Anhebemittel den Ringrahmenhalteabschnitt (20) in einer solchen Richtung bewegt, dass der Tisch (10) und der Ringrahmenhalteabschnitt (20) aufeinander zu bewegt werden, sodass das ringartige Band (T1) dazu gebracht wird, durchzuhängen, und zum Bewirken, dass die Heizung das durchhängende ringartige Band (T1) erwärmt, sodass es schrumpft, und dadurch die Lücke zwischen den benachbarten Chips aufrechterhält, sodass eine Position jedes Chips fixiert wird, nachdem der Halteschritt des ringartigen Bandes (T1) ausgeführt worden ist.Division method for expanding a tape (T), which has a heat shrink property, in a workpiece arrangement, in which a wafer (W), which with starting points for division in a region of the wafer (W) which corresponds to an opening of a ring frame (F) , is carried by the tape (T) by attaching the tape (T) to the ring frame (F) so that it closes the opening of the ring frame (F), and dividing the wafer (W) at the starting points for one Division using the dividing device (1) Claim 1 the method comprising: a holding step of holding the ring frame (F) in the workpiece assembly by a ring frame holding portion (20); a dividing step of causing a lifting means to move the ring frame holding portion (20) in such a direction that a table (10) and the ring frame holding portion (20) are separated from each other so that the tape (T) is expanded after the holding step is performed , and thereby dividing the wafer (W) at the starting points for division, and then forming a predetermined gap between adjacent chips; a tape holding step of suction holding the expanded tape (T) on a first suction surface (11a) of the table (10) after the dividing step has been carried out; an expanding step of the ring-like band (T1) for moving the ring frame holding portion (20) in such a direction that the table (10) and the ring frame holding portion (20) are further separated from each other, so that the ring-like band (T1), which is not under suction the first suction surface (11a) between an outer periphery of the first suction surface (11a) and an inner periphery of the ring frame (F) is not held under suction, is expanded after the tape holding step has been carried out; a ring-like band (T1) holding step of sucking the ring-like band (T1) on a second suction surface (12a) of the table (10) after the ring-like band (T1) expanding step has been carried out; and a fixing step for causing the lifting means to move the ring frame holding portion (20) in such a direction that the table (10) and the ring frame holding portion (20) are moved toward each other so that the ring-like band (T1) is caused to slack, and for causing the heater to heat the slack ring-like band (T1) to shrink, thereby maintaining the gap between the adjacent chips so that a position of each chip is fixed after the ring-like band (T1) holding step is performed .
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