DE102014218759A1 - Machining process for a workpiece - Google Patents

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c/o DISCO CORPORATION Koyanagi Tasuku
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Abstract

Ein Verfahren zum Bearbeiten eines Werkstücks beinhaltet: einen Modifikationsschichts-Ausbildungsschritt zum Aufbringen eines Laserstrahls mit einer solchen Wellenlänge, dass dieser durch das Werkstück transmittiert werden kann, um dadurch modifizierte Schichten innerhalb des Werkstücks auszubilden; und einen Teilungsschritt nach der Durchführung des Modifikationsschichts-Ausbildungsschritts zum Aufbringen eines Laserstrahls mit einer Wellenlänge nahe zu einer Absorptionskante des Werkstücks und an einer Absorptionsseite der Absorptionskante entlang der modifizierten Schichten, um dadurch das Werkstück mit den modifizierten Schichten als Teilungsausgangspunkten zu teilen.A method of processing a workpiece includes: a modification layer forming step for applying a laser beam having a wavelength such that it can be transmitted through the workpiece to thereby form modified layers within the workpiece; and a dividing step after performing the modification layer forming step for applying a laser beam having a wavelength near to an absorption edge of the workpiece and an absorption side of the absorption edge along the modified layers, thereby dividing the workpiece with the modified layers as dividing starting points.

Description

HINTERGRUND DER ERFINDUNGBACKGROUND OF THE INVENTION

Gebiet der ErfindungField of the invention

Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zum Bearbeiten eines Werkstücks, bei dem ein Laserstrahl in das Innere des Werkstücks konvergiert wird, um so modifizierte Schichten auszubilden, die als Teilungsausgangspunkte dienen.The present invention relates to a method of machining a workpiece in which a laser beam is converged to the inside of the workpiece to form thus modified layers serving as division starting points.

Beschreibung des Stands der TechnikDescription of the Related Art

Um ein Werkstück, wie zum Beispiel einen Halbleiterwafer, in mehrere Chips zu teilen, wurde ein Verfahren zum Bearbeiten eines Werkstücks vorgeschlagen, bei dem ein Laserstrahl, der in dem Werkstück in geringem Maße absorbiert wird, in das Innere des Werkstücks konvergiert wird, um so eine modifizierte Schicht (Modifikationsschicht) auszubilden, die als ein Teilungsausgangspunkt dient (siehe zum Beispiel das japanische Patent Nr. 3408805 ). Nachdem die modifizierten Schichten, die sich jeweils entlang jeder von Straßen (Trennlinien) an dem Werkstück erstrecken, durch das oben genannte Bearbeitungsverfahren innerhalb des Werkstücks ausgebildet wurden, wird das Werkstück entlang jeder der Straßen gedrückt. Alternativ wird ein an dem Werkstück befestigtes Band aufgeweitet (siehe zum Beispiel das offengelegte japanische Patent Nr. 2006-229021 ). Durch äußere Kräfte, die durch eines dieser Verfahren auf das Werkstück aufgebracht werden, das die darin ausgebildeten modifizierten Schichten aufweist, kann das Werkstück entlang der Straßen geteilt werden.In order to divide a workpiece such as a semiconductor wafer into a plurality of chips, there has been proposed a method of machining a workpiece by converging a laser beam, which is slightly absorbed in the workpiece, into the inside of the workpiece to form a modified layer (modification layer) serving as a division starting point (see, for example, U.S. Pat Japanese Patent No. 3408805 ). After the modified layers each extending along each of streets (parting lines) on the workpiece are formed inside the workpiece by the above-mentioned machining method, the workpiece is pressed along each of the streets. Alternatively, a band attached to the workpiece is widened (see, for example, the Laid-Open Patent Publication) Japanese Patent No. 2006-229021 ). By external forces applied to the workpiece by one of these methods having the modified layers formed therein, the workpiece can be divided along the streets.

ZUSAMMENFASSUNG DER ERFINDUNGSUMMARY OF THE INVENTION

Indes wird bei dem Verfahren zum Drücken des Werkstücks entlang jeder Straße (Brechen) eine Schneide zum Drücken (Brechleiste) gegen die Straße gedrückt, wodurch eine Kraft auf das Werkstück ausgeübt wird. Wenn die Anzahl der Straßen entsprechend einer Verringerung der Chipgröße ansteigt, wird deshalb die zum Teilen des Werkstücks erforderliche Zeit länger, was zu einer verringerten Produktivität führt.Meanwhile, in the method of pressing the workpiece along each road (breaking), a blade for pressing (crushing bar) is pressed against the road, whereby a force is applied to the workpiece. Therefore, as the number of roads increases in accordance with a reduction in the chip size, the time required for splitting the work becomes longer, resulting in a decreased productivity.

Andererseits werden bei dem Verfahren zum Aufweiten des an dem Werkstück befestigten Bands (Bandaufweitung) äußere Kräfte gleichzeitig auf alle Straßen zum Zweck der Teilung ausgeübt, was eine hervorragende Produktivität verspricht. Wenn die Anzahl der Straßen entsprechend einer Verringerung der Chipgröße ansteigt, wird jedoch die durch Aufweitung des Bands auf jede Straße aufgebrachte Kraft verringert, wodurch es unmöglich wird, das Werkstück geeignet zu teilen. Dieses Problem wird besonders für den Fall von Werkstücken mit einer hohen Mohshärte, wie zum Beispiel GaN-Wafern und SiC-Wafern, schwerwiegend. Deshalb ist es, falls die Bandaufweitung unter den oben genannten Bedingungen verwendet wird, dennoch unvermeidlich, das Brechverfahren oder ein ähnliches Verfahren gemeinsam anzuwenden, wodurch es unmöglich wird, eine geeignet hohe Produktivität aufrechtzuerhalten.On the other hand, in the method of expanding the band attached to the workpiece (band widening), external forces are exerted simultaneously on all roads for the purpose of division, which promises excellent productivity. However, if the number of roads increases in accordance with a reduction in chip size, the force applied to each road by expanding the belt is reduced, making it impossible to properly split the workpiece. This problem becomes particularly serious in the case of workpieces with a high Mohs hardness, such as GaN wafers and SiC wafers. Therefore, if the band widening is used under the above conditions, it is inevitable to apply the crushing method or a like method together, making it impossible to maintain a suitably high productivity.

In Anbetracht der vorhergehenden Erörterungen ist es ein Ziel der vorliegenden Erfindung, ein Verfahren zum Bearbeiten eines Werkstücks bereitzustellen, bei dem das Werkstück geeignet geteilt werden kann, während eine hohe Produktivität aufrechterhalten wird.In view of the foregoing discussions, it is an object of the present invention to provide a method of machining a workpiece, in which the workpiece can be divided appropriately while maintaining high productivity.

Gemäß einem Aspekt der vorliegenden Erfindung wird ein Verfahren zum Bearbeiten eines Werkstücks bereitgestellt, das beinhaltet: einen Modifikationsschichts-Ausbildungsschritt zum Aufbringen eines Laserstrahls mit einer solchen Wellenlänge, dass dieser durch das Werkstück transmittiert werden kann (transmittierbar ist), um dadurch eine modifizierte Schicht (Modifikationsschicht) innerhalb des Werkstücks auszubilden; und einen Teilungsschritt nach der Durchführung des Modifikationsschichts-Ausbildungsschritts zum Aufbringen eines Laserstrahls mit einer Wellenlänge nahe zu einer Absorptionskante des Werkstücks und an einer Absorptionsseite der Absorptionskante entlang der modifizierten Schicht, um dadurch das Werkstück mit der modifizierten Schicht als einem Teilungsausgangspunkt zu teilen.According to one aspect of the present invention, there is provided a method of machining a workpiece, comprising: a modification layer forming step of applying a laser beam having a wavelength such that it can be transmitted through the workpiece, thereby to form a modified layer ( Modification layer) within the workpiece; and a dividing step after performing the modification layer forming step for applying a laser beam having a wavelength near an absorption edge of the workpiece and an absorption side of the absorption edge along the modified layer, thereby dividing the workpiece with the modified layer as a division starting point.

Bei dem Verfahren zum Bearbeiten eines Werkstücks gemäß der vorliegenden Erfindung wird der Modifikationsschichts-Ausbildungsschritt zum Aufbringen eines Laserstrahls, der in hohem Maße durch das Werkstück transmittiert werden kann (transmittierbar ist), durchgeführt, um so modifizierte Schichten innerhalb des Werkstücks auszubilden, gefolgt von dem Teilungsschritt zum Aufbringen eines Laserstrahls, der zu einem gewissen Grad in dem Werkstück absorbiert werden kann (absorbierbar ist), entlang jeder der modifizierten Schichten. Deshalb bewirkt die durch das Aufbringen des absorbierbaren Laserstrahls erzeugte Wärme eine Spannung, die auf jede der modifizierten Schichten ausgeübt wird, wodurch das Werkstück geeignet geteilt werden kann. Außerdem reicht es bei dem Verfahren zum Bearbeiten eines Werkstücks gemäß der vorliegenden Erfindung aus, dass das Aufbringen des Laserstrahls zweimal in dem Modifikationsschichts-Ausbildungsschritt und dem Teilungsschritt durchgeführt wird. Dies ermöglicht es, eine ausreichend hohe Produktivität aufrechtzuerhalten.In the method of machining a workpiece according to the present invention, the modification layer forming step for applying a laser beam that can be transmitted (transmissible) highly by the workpiece is performed so as to form modified layers within the workpiece, followed by A dividing step of applying a laser beam which can be absorbed to some extent in the workpiece (absorbable) along each of the modified layers. Therefore, the heat generated by the application of the absorbable laser beam causes a stress applied to each of the modified layers, whereby the workpiece can be divided appropriately. In addition, in the method for machining a workpiece according to the present invention, it is sufficient that the application of the laser beam is performed twice in the modification layer formation step and the division step. This makes it possible to maintain a sufficiently high productivity.

Daher ist es gemäß der vorliegenden Erfindung möglich, ein Verfahren zum Bearbeiten eines Werkstücks bereitzustellen, bei dem das Werkstück geeignet geteilt werden kann, während eine hohe Produktivität aufrechterhalten wird.Therefore, according to the present invention, it is possible to provide a method of machining a workpiece, in which the workpiece can be divided appropriately while maintaining high productivity.

Die obigen und weitere Ziele, Merkmale und Vorteile der vorliegenden Erfindung und die Art und Weise, diese zu verwirklichen, werden offenkundiger werden und die Erfindung selbst wird am besten verstanden werden, indem die folgende Beschreibung und der angefügte Anspruch mit Bezug auf die beigefügten Zeichnungen, die eine bevorzugte Ausführungsform der Erfindung zeigen, studiert werden. The above and other objects, features and advantages of the present invention and the manner in which these will be accomplished will become more apparent and the invention itself will best be understood by the following description and the appended claim with reference to the accompanying drawings in which: which show a preferred embodiment of the invention.

KURZE BESCHREIBUNG DER ZEICHNUNGENBRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS

1 ist eine perspektivische Ansicht, die schematisch ein Aufbaubeispiel eines Werkstücks zeigt; 1 Fig. 15 is a perspective view schematically showing a structural example of a workpiece;

2 ist eine teilweise geschnittene Seitenansicht, die einen Modifikationsschichts-Ausbildungsschritt schematisch veranschaulicht; 2 Fig. 16 is a partially sectional side view schematically illustrating a modification layer forming step;

3 ist eine teilweise geschnittene Seitenansicht, die einen Teilungsschritt schematisch veranschaulicht; und 3 Fig. 10 is a partially sectional side view schematically illustrating a dividing step; and

4A und 4B sind Schnittdarstellungen, die Zustände eines Werkstücks, auf das der Laserstrahl in dem Teilungsschritt aufgebracht wird, schematisch veranschaulichen. 4A and 4B 12 are sectional views schematically illustrating states of a workpiece to which the laser beam is applied in the dividing step.

AUSFÜHRLICHE BESCHREIBUNG DER BEVORZUGTEN AUSFÜHRUNGSFORMDETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENT

Nachfolgend wird eine Ausführungsform der vorliegenden Erfindung mit Bezug auf die beigefügten Zeichnungen beschrieben. Ein Teilungsverfahren gemäß dieser Ausführungsform beinhaltet einen Modifikationsschichts-Ausbildungsschritt (siehe 2) und einen Teilungsschritt (siehe 3). In dem Modifikationsschichts-Ausbildungsschritt wird ein Laserstrahl, der in hohem Maße durch das Werkstück transmittiert werden kann, entlang jeder von Straßen (Trennlinien) an dem Werkstück aufgebracht, um so dort eine modifizierte Schicht auszubilden, die als ein Teilungsausgangspunkt dient. In dem Teilungsschritt wird ein Laserstrahl, der zu einem gewissen Grad in dem Werkstück absorbiert werden kann, entlang der modifizierten Schichten aufgebracht, um so das Werkstück mit den modifizierten Schichten als Teilungsausgangspunkten zu teilen. Das Teilungsverfahren gemäß dieser Ausführungsform wird nachfolgend im Einzelnen beschrieben.Hereinafter, an embodiment of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings. A dividing method according to this embodiment includes a modification layer forming step (see 2 ) and a division step (see 3 ). In the modification layer forming step, a laser beam, which can be highly transmitted through the workpiece, is applied along each of streets (parting lines) on the workpiece so as to form there a modified layer serving as a division starting point. In the dividing step, a laser beam, which can be absorbed to some degree in the workpiece, is applied along the modified layers so as to divide the workpiece with the modified layers as dividing starting points. The dividing method according to this embodiment will be described in detail below.

1 ist eine perspektivische Ansicht, die schematisch ein Aufbaubeispiel eines Werkstücks bei dieser Ausführungsform zeigt. Wie in 1 gezeigt ist, ist ein Werkstück 11 zum Beispiel ein kreisförmiger, scheibenförmiger Halbleiterwafer. Eine Oberseitenoberfläche 11a des Werkstücks 11 ist in einen mittleren Bauelementbereich 13 und einen Umfangsüberschussbereich 15, der den Bauelementbereich 13 umgibt, aufgeteilt. Der Bauelementbereich 13 ist ferner durch Straßen (Trennlinien) 17, die in einem Gittermuster angeordnet sind, in mehrere Bereiche abgeteilt, wobei ein Bauelement 19, wie zum Beispiel eine IC, in jedem der mehreren Bereiche ausgebildet ist. Ein äußerer Umfang 11c des Werkstücks 11 ist abgeschrägt, so dass er eine bogenförmige Querschnittsform aufweist. Bevor das Verfahren zum Bearbeiten eines Werkstücks gemäß dieser Ausführungsform durchgeführt wird, wird vorher ein Schutzband 21 an dem zuvor genannten Werkstück 11 befestigt, wobei eine Oberseitenoberfläche 21a des Schutzbands 21 in Kontakt mit der Oberseitenoberfläche 11a des Werkstücks 11 angeordnet ist (siehe 2 etc.). Zusätzlich wird vorher ein ringförmiger Rahmen 23 an einem äußeren Umfangsabschnitt des Schutzbands 21 befestigt. 1 FIG. 15 is a perspective view schematically showing a structural example of a workpiece in this embodiment. FIG. As in 1 is shown is a workpiece 11 for example, a circular disc-shaped semiconductor wafer. A top surface 11a of the workpiece 11 is in a middle component area 13 and a circumferential excess area 15 that the component area 13 surrounds, split. The component area 13 is further by roads (dividing lines) 17 , which are arranged in a grid pattern, divided into several areas, wherein a component 19 , such as an IC, is formed in each of the multiple regions. An outer circumference 11c of the workpiece 11 is bevelled so that it has an arcuate cross-sectional shape. Before the method of machining a workpiece according to this embodiment is performed, a guard tape is previously formed 21 on the aforementioned workpiece 11 attached, with a top surface 21a of the protective tape 21 in contact with the top surface 11a of the workpiece 11 is arranged (see 2 Etc.). In addition, an annular frame will be previously 23 on an outer peripheral portion of the protective tape 21 attached.

Bei dem Verfahren zum Bearbeiten eines Werkstücks gemäß dieser Ausführungsform wird zunächst ein Modifikationsschichts-Ausbildungsschritt durchgeführt, bei dem ein Laserstrahl entlang jeder der Straßen 17 des zuvor genannten Werkstücks 11 so aufgebracht wird, dass dort eine modifizierte Schicht ausgebildet wird, die als ein Teilungsausgangspunkt dient. 2 ist eine teilweise geschnittene Seitenansicht, die den Modifikationsschichts-Ausbildungsschritt schematisch veranschaulicht.In the method of processing a workpiece according to this embodiment, first, a modification layer forming step is performed, in which a laser beam is taken along each of the streets 17 of the aforementioned workpiece 11 is applied so that there is formed a modified layer, which serves as a division starting point. 2 Fig. 16 is a partially sectional side view schematically illustrating the modification layer forming step.

Der Modifikationsschichts-Ausbildungsschritt wird durch Verwendung einer in 2 gezeigten Laserstrahlbearbeitungsvorrichtung 2 durchgeführt. Die Laserstrahlbearbeitungsvorrichtung 2 weist einen Haltetisch (Einspanntisch) 4 auf, an dem das Werkstück 11 durch Ansaugen gehalten wird. Klemmen 6 zum festen Einspannen des ringförmigen Rahmens 23, der das Werkstück 11 hält, sind an einem Umfang des Haltetischs 4 angeordnet. Der Haltetisch 4 ist mit einem Drehmechanismus (nicht gezeigt), wie zum Beispiel einem Motor, verbunden und wird um eine vertikale Achse gedreht. Zusätzlich ist ein Bewegungsmechanismus (nicht gezeigt) unterhalb des Haltetischs 4 vorgesehen und wird der Haltetisch 4 durch den Bewegungsmechanismus in horizontalen Richtungen bewegt. Eine Oberfläche des Haltetischs 4 ist als eine Halteoberfläche 4a vorgesehen, an der das Werkstück 11 durch Ansaugen gehalten wird, wobei die Seite der Oberseitenoberfläche 11a (die Seite des Schutzbands 21) nach unten weist. Ein Unterdruck einer Ansaugquelle (nicht gezeigt) wird durch einen innerhalb des Haltetischs 4 ausgebildeten Kanal (nicht gezeigt) auf die Halteoberfläche 4a aufgebracht, wodurch eine Ansaugkraft zum Ansaugen des Werkstücks 11 erzeugt wird. Ein erster Laserstrahlbearbeitungskopf 8 ist oberhalb des Haltetischs 4 angeordnet. Der erste Laserstrahlbearbeitungskopf 8 ist so aufgebaut, dass ein durch einen ersten Laserstrahloszillator (nicht gezeigt) oszillierter Laserstrahl L1 in das Innere des Werkstücks 11, das unter Ansaugen an dem Haltetisch 4 gehalten wird, konvergiert wird.The modification layer forming step is performed by using an in 2 shown laser beam processing apparatus 2 carried out. The laser beam processing device 2 has a holding table (clamping table) 4 on, on which the workpiece 11 is held by suction. jam 6 for tight clamping of the annular frame 23 that the workpiece 11 are on a perimeter of the holding table 4 arranged. The holding table 4 is connected to a rotating mechanism (not shown) such as a motor and is rotated about a vertical axis. In addition, a moving mechanism (not shown) is below the holding table 4 provided and becomes the holding table 4 moved in horizontal directions by the movement mechanism. A surface of the holding table 4 is as a holding surface 4a provided on which the workpiece 11 is held by suction, with the side of the top surface 11a (the side of the protective tape 21 ) points downwards. A negative pressure of a suction source (not shown) is provided by one within the holding table 4 formed channel (not shown) on the holding surface 4a applied, whereby a suction force for sucking the workpiece 11 is produced. A first laser beam machining head 8th is above the holding table 4 arranged. The first laser beam machining head 8th is constructed such that a laser beam L1 oscillated by a first laser beam oscillator (not shown) enters the inside of the workpiece 11 , sucking on the holding table 4 held, is converged.

Bei dem Modifikationsschichts-Ausbildungsschritt wird zuerst eine Rückseitenoberfläche 21b des Schutzbands 21 mit der Halteoberfläche 4a des Haltetischs 4 in Kontakt gebracht und der Unterdruck der Ansaugquelle auf diese aufgebracht. Als Folge dessen wird das Werkstück 11 an dem Haltetisch 4 durch das dazwischen angeordnete Schutzband 21 unter Ansaugen gehalten. In diesem Zustand ist die Seite der Rückseitenoberfläche 11b des Werkstücks 11 an der oberen Seite freigelegt. Anschließend wird der Haltetisch 4 bewegt und gedreht, so dass der erste Laserstrahlbearbeitungskopf 8 zu der Straße 17 des Bearbeitungsobjekts ausgerichtet wird. Nach der Ausrichtung wird der Laserstrahl L1 von dem ersten Laserstrahlbearbeitungskopf 8 in Richtung auf die Seite der Rückseitenoberfläche 11b des Werkstücks 11 abgestrahlt und werden gleichzeitig der Haltetisch 4 und der erste Laserstrahlbearbeitungskopf 8 in einer ersten Richtung parallel zu der Straße 17 des Bearbeitungsobjekts in relative Bewegung (Bearbeitungszuführung) gebracht. Es ist zu beachten, dass in 2 nur der Haltetisch 4 bewegt wird. In the modification layer forming step, a back surface is first formed 21b of the protective tape 21 with the holding surface 4a of the holding table 4 brought into contact and applied the negative pressure of the suction on this. As a result, the workpiece becomes 11 on the holding table 4 through the interposed protective tape 21 kept under suction. In this state, the side of the back surface is 11b of the workpiece 11 exposed on the upper side. Subsequently, the holding table 4 moved and rotated so that the first laser beam machining head 8th to the street 17 of the edit object. After alignment, the laser beam L1 from the first laser beam machining head 8th towards the side of the back surface 11b of the workpiece 11 radiated and become at the same time the holding table 4 and the first laser beam machining head 8th in a first direction parallel to the road 17 of the machining object in relative motion (machining feed) brought. It should be noted that in 2 only the holding table 4 is moved.

Die Wellenlänge des von dem ersten Laserstrahlbearbeitungskopf 8 abgestrahlten Laserstrahls L1 ist eine solche Wellenlänge, dass dieser in geringem Maße in dem Werkstück 11 absorbiert (also durch dieses transmittiert) wird. Wenn der Laserstrahl L1 mit einer solchen Wellenlänge in das Innere des Werkstücks 11 konvergiert wird, kann ein Werkstücksbereich in der Umgebung eines Konvergenzpunkts P1 durch Multiphotonenabsorption modifiziert werden. Deshalb wird, wenn das Aufbringen des Laserstrahls L1 gleichzeitig mit der oben genannten relativen Bewegung (Bearbeitungszuführung) durchgeführt wird, eine modifizierte Schicht 25 entlang der Straße 17 des Bearbeitungsobjekts ausgebildet. Falls das Werkstück 11 ein Siliziumwafer ist, wird zum Beispiel ein gepulster YAG- oder YVO4-Laserstrahloszillator als der erste Laserstrahloszillator verwendet, ein Laserstrahl L1 mit einer Wellenlänge von 1064 nm bei einer Ausgangsleistung von 0,25 W oszilliert und der Laserstrahl L1 so konvergiert, dass ein Aufbringfleckdurchmesser von annähernd 1 µm erhalten wird. Dies ermöglicht die Ausbildung modifizierter Schichten 25 mit hoher Qualität. Falls das Werkstück 11 ein 4H-SiC-Wafer mit n-Leitfähigkeit ist, wird zum Beispiel ein gepulster YVO4-Laserstrahloszillator als der erste Laserstrahloszillator verwendet, ein Laserstrahl L1 mit einer Wellenlänge von 532 nm bei einer Ausgangsleistung von 0,9 W oszilliert und der Laserstrahl L1 so konvergiert, dass ein Aufbringfleckdurchmesser von annähernd 1 µm erhalten wird. Dies ermöglicht die Ausbildung modifizierter Schichten 25 mit hoher Qualität.The wavelength of the first laser beam processing head 8th emitted laser beam L1 is such a wavelength that this little in the workpiece 11 absorbed (that is transmitted by this) is. When the laser beam L1 with such a wavelength in the interior of the workpiece 11 is converged, a workpiece area in the vicinity of a convergence point P1 can be modified by multiphoton absorption. Therefore, when the laser beam L1 is applied simultaneously with the above-mentioned relative movement (machining feed), a modified film is formed 25 along the road 17 formed the machining object. If the workpiece 11 For example, a pulsed YAG or YVO4 laser beam oscillator is used as the first laser beam oscillator, a laser beam L1 having a wavelength of 1064 nm oscillates at an output power of 0.25 W, and the laser beam L1 converges so that an application spot diameter of approximately 1 micron is obtained. This allows the formation of modified layers 25 with high quality. If the workpiece 11 For example, if a 4H SiC wafer with n conductivity is used, a pulsed YVO4 laser beam oscillator is used as the first laser beam oscillator, a laser beam L1 having a wavelength of 532 nm is oscillated at an output power of 0.9 W, and the laser beam L1 is converged in that an application spot diameter of approximately 1 μm is obtained. This allows the formation of modified layers 25 with high quality.

Nach der Ausbildung der modifizierten Schicht 25 entlang der Straße 17 des Bearbeitungsobjekts wird die Abstrahlung des Laserstrahls L1 gestoppt und werden der Haltetisch 4 und der erste Laserstrahlbearbeitungskopf 8 in einer zweiten Richtung senkrecht zu der Straße 17 des Bearbeitungsobjekts in relative Bewegung (Einteilungszuführung) gebracht. Als Folge dessen wird der erste Laserstrahlbearbeitungskopf 8 zu einer daneben liegenden Straße 17 ausgerichtet. Nach dieser Ausrichtung wird eine der zuvor genannten modifizierten Schicht ähnliche modifizierte Schicht 25 entlang der daneben liegenden Straße 17 ausgebildet. Dieser Vorgang wird wiederholt, um die modifizierten Schichten 25 entlang aller Straßen 17, die sich in der ersten Richtung erstrecken, auszubilden, wonach der Haltetisch 4 um 90 Grad um die vertikale Achse gedreht wird und eine modifizierte Schicht 25 entlang jeder der Straßen 17, die sich in einer zweiten Richtung senkrecht zu der ersten Richtung erstrecken, ausgebildet wird. Wenn die modifizierten Schichten 25 jeweils entlang aller Straßen 17 ausgebildet wurden, ist der Modifikationsschichts-Ausbildungsschritt abgeschlossen.After the formation of the modified layer 25 along the road 17 of the processing object, the radiation of the laser beam L1 is stopped and becomes the holding table 4 and the first laser beam machining head 8th in a second direction perpendicular to the road 17 of the processing object in relative motion (Einteilungszuführung) brought. As a result, the first laser beam machining head becomes 8th to an adjacent street 17 aligned. After this alignment, a modified layer similar to the aforementioned modified layer becomes 25 along the adjacent street 17 educated. This process is repeated to the modified layers 25 along all the roads 17 , which extend in the first direction, form, after which the holding table 4 is rotated by 90 degrees about the vertical axis and a modified layer 25 along each of the streets 17 formed in a second direction perpendicular to the first direction is formed. If the modified layers 25 each along all roads 17 have been formed, the modification layer forming step is completed.

Nach dem Modifikationsschichts-Ausbildungsschritt wird ein Teilungsschritt zum Aufbringen eines Laserstrahls entlang der modifizierten Schichten 25, um so das Werkstück 11 zu teilen, durchgeführt. 3 ist eine teilweise geschnittene Seitenansicht, die den Teilungsschritt schematisch veranschaulicht. Wie in 3 gezeigt ist, wird in dem Teilungsschritt ein von dem ersten Laserstrahlbearbeitungskopf 8 unterschiedlicher zweiter Laserstrahlbearbeitungskopf 10 verwendet. Der zweite Laserstrahlbearbeitungskopf 10 bringt einen durch einen zweiten Laserstrahloszillator (nicht gezeigt) oszillierten Laserstrahl L2 auf das Werkstück 11 auf, das an dem Haltetisch 4 durch Ansaugen gehalten wird.After the modification layer forming step, a dividing step for applying a laser beam along the modified layers 25 so as to get the workpiece 11 to share. 3 is a partially sectioned side view schematically illustrating the division step. As in 3 is shown in the dividing step, one of the first laser beam machining head 8th different second laser beam machining head 10 used. The second laser beam machining head 10 Brings a laser beam L2 oscillated by a second laser beam oscillator (not shown) onto the workpiece 11 on the holding table 4 is held by suction.

In dem Teilungsschritt wird der Haltetisch 4 zunächst bewegt und gedreht, um den zweiten Laserstrahlbearbeitungskopf 10 zu der modifizierten Schicht 25 des Teilungsobjekts auszurichten. Nach der Ausrichtung wird der Laserstrahl L2 von dem zweiten Laserstrahlbearbeitungskopf 10 in Richtung auf die Seite der Rückseitenoberfläche 11b des Werkstücks 11 abgestrahlt und werden gleichzeitig der Haltetisch 4 und der zweite Laserstrahlbearbeitungskopf 10 in einer ersten Richtung parallel zu der modifizierten Schicht 25 des Teilungsobjekts in relative Bewegung (Bearbeitungszuführung) gebracht. Es ist zu beachten, dass in 3 nur der Haltetisch 4 bewegt wird.In the division step, the holding table 4 initially moved and rotated about the second laser beam machining head 10 to the modified layer 25 align the division object. After alignment, the laser beam L2 from the second laser beam machining head 10 towards the side of the back surface 11b of the workpiece 11 radiated and become at the same time the holding table 4 and the second laser beam machining head 10 in a first direction parallel to the modified layer 25 of the division object into relative movement (machining feed). It should be noted that in 3 only the holding table 4 is moved.

Eine Wellenlänge des von dem zweiten Laserstrahlbearbeitungskopf 10 abgestrahlten Laserstrahls L2 ist eine Wellenlänge nahe zu einer Absorptionskante (optischen Absorptionskante) des Werkstücks 11 und an der Absorptionsseite der Absorptionskante, an der der Absorptionsgrad (oder das Absorptionsvermögen) höher als an der Absorptionskante ist. Hierin bezeichnet die Absorptionskante (optische Absorptionskante) eine Wellenlänge (oder Energie), an der sich der Absorptionsgrad in einem Absorptionsspektrum abrupt ändert. Wenn der Laserstrahl L2 mit einer solchen Wellenlänge auf das Werkstück 11 aufgebracht wird, wird der Laserstrahl L2 in dem Werkstück 11 absorbiert, wodurch ein Werkstücksbereich um jede modifizierte Schicht 25 herum erwärmt wird. Das Aufbringen des Laserstrahls L2 wird gleichzeitig mit der relativen Bewegung (Bearbeitungszuführung) durchgeführt, wodurch das Werkstück 11 entlang der modifizierten Schicht 25 geteilt werden kann.A wavelength of the second laser beam machining head 10 emitted laser beam L2 is a wavelength near to an absorption edge (absorption optical edge) of the workpiece 11 and on the absorption side of the absorption edge where the absorptivity (or absorbency) is higher than at the absorption edge. Here, the absorption edge (optical absorption edge) denotes a wavelength (or energy) at which the absorption coefficient in abruptly changes an absorption spectrum. When the laser beam L2 with such a wavelength on the workpiece 11 is applied, the laser beam L2 in the workpiece 11 absorbed, creating a workpiece area around each modified layer 25 is heated around. The application of the laser beam L2 is performed simultaneously with the relative movement (machining feed), whereby the workpiece 11 along the modified layer 25 can be shared.

4A und 4B sind Schnittdarstellungen, die Zustände des Werkstücks 11, auf das der Laserstrahl L2 in dem Teilungsschritt aufgebracht wird, schematisch veranschaulichen. Es ist zu beachten, dass die 4A und 4B einen Querschnitt zeigen, der senkrecht zu dem in 3 gezeigten Querschnitt liegt. Wie in 4A gezeigt ist, wird, wenn der Laserstrahl L2 auf das Werkstück 11 aufgebracht wird, ein Werkstücksbereich um die modifizierte Schicht 25 herum erwärmt. Der durch den Laserstrahl L2 erwärmte Bereich wird thermisch ausgedehnt, so dass eine Spannung um die modifizierte Schicht 25 herum erzeugt wird. Als Folge dessen wird, wie in 4B gezeigt ist, ein Riss 27, der sich von der modifizierten Schicht 25 in Richtung auf die Oberseitenoberfläche 11a und die Rückseitenoberfläche 11b erstreckt, ausgebildet und das Werkstück 11 somit mit der modifizierten Schicht 25 als Teilungsausgangspunkt geteilt. 4A and 4B are sectional views, the states of the workpiece 11 to which the laser beam L2 is applied in the division step schematically illustrate. It should be noted that the 4A and 4B show a cross section perpendicular to the in 3 shown cross-section is. As in 4A is shown, when the laser beam L2 on the workpiece 11 is applied, a workpiece area around the modified layer 25 warmed around. The area heated by the laser beam L2 is thermally expanded, so that a stress around the modified layer 25 is generated around. As a result, as in 4B shown is a crack 27 that differs from the modified layer 25 towards the top surface 11a and the back surface 11b extends, trained and the workpiece 11 thus with the modified layer 25 divided as a division starting point.

Falls das Werkstück 11 ein Siliziumwafer ist, wird zum Beispiel ein CW-Laserstrahloszillator als der zweite Laserstrahloszillator verwendet und ein Laserstrahl L2 mit einer Wellenlänge von 1080 bis 1100 nm bei einer Ausgangsleistung von 100 bis 120 W oszilliert. Der Laserstrahl L2 wird so ausgebildet, dass ein Aufbringfleckdurchmesser von annähernd 0,8 mm an der Rückseitenoberfläche 11b des Werkstücks 11 erhalten wird. Dies ermöglicht eine vorteilhafte Teilung des Werkstücks 11. Falls das Werkstück 11 ein 4H-SiC-Wafer mit n-Leitfähigkeit ist, wird ein CW-Laserstrahloszillator als der zweite Laserstrahloszillator verwendet und ein Laserstrahl L2 mit einer Wellenlänge von 1080 bis 1100 nm bei einer Ausgangsleistung von 130 W oszilliert. Der Laserstrahl L2 wird so ausgebildet, dass ein Aufbringfleckdurchmesser von annähernd 1 mm an der Rückseitenoberfläche 11b des Werkstücks 11 erhalten wird. Dies ermöglicht eine vorteilhafte Teilung des Werkstücks 11.If the workpiece 11 is a silicon wafer, for example, a CW laser beam oscillator is used as the second laser beam oscillator, and a laser beam L2 having a wavelength of 1080 to 1100 nm is oscillated at an output power of 100 to 120W. The laser beam L2 is formed so that an application spot diameter of approximately 0.8 mm at the back surface 11b of the workpiece 11 is obtained. This allows an advantageous division of the workpiece 11 , If the workpiece 11 is a 4H-SiC wafer with n conductivity, a CW laser beam oscillator is used as the second laser beam oscillator, and a laser beam L2 having a wavelength of 1080 to 1100 nm is oscillated at an output power of 130W. The laser beam L2 is formed so that an application spot diameter of approximately 1 mm at the back surface 11b of the workpiece 11 is obtained. This allows an advantageous division of the workpiece 11 ,

Hierbei wird, wenn ein Laserstrahl L2 mit einer Wellenlänge, bei der der Absorptionsgrad in dem Werkstück 11 zu hoch ist, verwendet wird, das Werkstück 11 nur an der Seite der Rückseitenoberfläche 11b erwärmt, so dass es unmöglich ist, den Bereich um die modifizierte Schicht 25 herum geeignet zu erwärmen. Unter Berücksichtigung dessen wird bei dieser Ausführungsform ein Laserstrahl L2 mit einer Wellenlänge nahe zu der Absorptionskante des Werkstücks 11 verwendet. Dies gewährleistet, dass der Werkstücksbereich um die modifizierte Schicht 25 herum in seiner Gesamtheit geeignet erwärmt wird, wodurch eine vorteilhafte Teilung des Werkstücks 11 ermöglicht wird. Daher bezeichnet bei dieser Ausführungsform die Wellenlänge nahe zu der Absorptionskante des Werkstücks 11 eine Wellenlänge, die gewährleistet, dass der Laserstrahl teilweise in dem Werkstück 11 absorbiert (teilweise durch das Werkstück 11 transmittiert) wird und dass der Bereich um die modifizierte Schicht 25 herum in seiner Gesamtheit geeignet erwärmt werden kann.Here, when a laser beam L2 having a wavelength at which the absorption degree in the workpiece 11 is too high, the workpiece is used 11 only on the side of the back surface 11b heated so that it is impossible to cover the area around the modified layer 25 around suitable to warm. In consideration of this, in this embodiment, a laser beam L2 having a wavelength close to the absorption edge of the workpiece 11 used. This ensures that the workpiece area around the modified layer 25 around in its entirety is suitably heated, thereby providing an advantageous division of the workpiece 11 is possible. Therefore, in this embodiment, the wavelength is close to the absorption edge of the workpiece 11 a wavelength that ensures that the laser beam is partially in the workpiece 11 absorbed (partially by the workpiece 11 is transmitted) and that the area around the modified layer 25 around in its entirety can be heated appropriately.

Zum Beispiel absorbiert ein Siliziumwafer Licht mit einer Wellenlänge von weniger als 1100 nm (Absorptionskante: 1100 nm (≈ 1,13 eV)). Deshalb wird, falls ein Siliziumwafer als das Werkstück 11 verwendet wird, vorzugsweise ein Laserstrahl L2 mit einer Wellenlänge von annähernd 1000 bis 1100 nm verwendet. Zusätzlich absorbiert ein 4H-SiC-Wafer mit n-Leitfähigkeit Licht mit einer Wellenlänge, die größer als 1080 nm ist (Absorptionskante: 1080 nm (≈ 1,15 eV)). Deshalb wird, falls ein 4H-SiC-Wafer mit n-Leitfähigkeit als das Werkstück 11 verwendet wird, vorzugsweise ein Laserstrahl L2 mit einer Wellenlänge von annähernd 1080 bis 1200 nm verwendet.For example, a silicon wafer absorbs light having a wavelength of less than 1100 nm (absorption edge: 1100 nm (≈ 1.13 eV)). Therefore, if a silicon wafer is used as the workpiece 11 is used, preferably a laser beam L2 having a wavelength of approximately 1000 to 1100 nm used. In addition, an n-type conductivity 4H-SiC wafer absorbs light having a wavelength greater than 1080 nm (absorption edge: 1080 nm (≈1.15 eV)). Therefore, if a 4H-SiC n-type conductivity wafer becomes the workpiece 11 is used, preferably a laser beam L2 having a wavelength of approximately 1080 to 1200 nm used.

Indes kann das Werkstück 11 mehrere Absorptionskanten aufweisen. Zum Beispiel weist der 4H-SiC-Wafer mit n-Leitfähigkeit Absorptionskanten bei 480 nm (≈ 2,55 eV), 440 nm (≈ 2,9 eV) und 360 nm (≈ 3,35 eV) zusätzlich zu der oben genannten Absorptionskante auf und absorbiert dieser Licht mit einer Wellenlänge von 440 bis 480 nm und Licht mit einer Wellenlänge, die gleich groß wie oder kleiner als 360 nm ist. Falls ein Werkstück 11 mit mehreren Absorptionskanten in dieser Weise verwendet wird, kann eine beliebige der Absorptionskanten als Referenz zum Bestimmen der Wellenlänge des Laserstrahls L2 verwendet werden. Zum Beispiel können für den 4H-SiC-Wafer mit n-Leitfähigkeit auch ein Laserstrahl L2 mit einer Wellenlänge von annähernd 440 bis 480 nm und ein Laserstrahl L2 mit einer Wellenlänge von annähernd 340 bis 360 nm verwendet werden.However, the workpiece can 11 have multiple absorption edges. For example, the n-type 4H SiC wafer has absorption edges at 480 nm (≈ 2.55 eV), 440 nm (≈ 2.9 eV), and 360 nm (≈ 3.35 eV) in addition to the above-mentioned absorption edge This light absorbs and absorbs at a wavelength of 440 to 480 nm and light having a wavelength that is equal to or less than 360 nm. If a workpiece 11 With multiple absorption edges in this manner, any one of the absorption edges may be used as a reference for determining the wavelength of the laser beam L2. For example, for the n-type 4H-SiC wafer, a laser beam L2 having a wavelength of approximately 440 to 480 nm and a laser beam L2 having a wavelength of approximately 340 to 360 nm may also be used.

Nachdem das Aufbringen des Laserstrahls L2 entlang der modifizierten Schicht 25 des Teilungsobjekts durchgeführt wurde, wird die Abstrahlung des Laserstrahls L2 gestoppt und werden der Haltetisch 4 und der zweite Laserstrahlbearbeitungskopf 10 in einer zweiten Richtung senkrecht zu der modifizierten Schicht 25 in relative Bewegung (Einteilungszuführung) gebracht. Als Folge dessen wird der zweite Laserstrahlbearbeitungskopf 10 zu einer daneben liegenden modifizierten Schicht 25 ausgerichtet. Nach dieser Ausrichtung wird der Laserstrahl L2 entlang der daneben liegenden modifizierten Schicht 25 aufgebracht. Dieser Vorgang wird wiederholt, um den Laserstrahl L2 entlang aller modifizierten Schichten 25, die sich in der ersten Richtung erstrecken, aufzubringen, wonach der Haltetisch 4 um 90 Grad um die vertikale Achse gedreht wird und der Laserstrahl L2 entlang jeder der modifizierten Schichten 25, die sich in der zweiten Richtung senkrecht zu der ersten Richtung erstrecken, aufgebracht wird. Wenn der Laserstrahl L2 entlang aller modifizierter Schichten 25 aufgebracht und das Werkstück 11 dadurch geteilt wurde, ist der Teilungsschritt abgeschlossen.After the application of the laser beam L2 along the modified layer 25 of the division object, the radiation of the laser beam L2 is stopped and becomes the holding table 4 and the second laser beam machining head 10 in a second direction perpendicular to the modified layer 25 in relative motion (Einteilungszuführung) brought. As a result, the second laser beam machining head becomes 10 to an adjacent modified layer 25 aligned. After this alignment, the laser beam L2 becomes along the adjacent modified layer 25 applied. This process is repeated to the Laser beam L2 along all modified layers 25 , which extend in the first direction, apply, after which the holding table 4 rotated 90 degrees about the vertical axis and the laser beam L2 along each of the modified layers 25 being applied in the second direction perpendicular to the first direction is applied. When the laser beam L2 along all the modified layers 25 applied and the workpiece 11 divided, the division step is completed.

Wie oben beschrieben wurde, wird bei dem Verfahren zum Bearbeiten eines Werkstücks gemäß dieser Ausführungsform der Modifikationsschichts-Ausbildungsschritt zum Aufbringen des Laserstrahls L1, der in hohem Maße transmittiert werden kann, durchgeführt, um die modifizierten Schichten 25 innerhalb des Werkstücks 11 auszubilden, gefolgt von dem Teilungsschritt zum Aufbringen des Laserstrahls L2, der zu einem gewissen Grad absorbiert werden kann. Dies gewährleistet, dass durch die durch das Aufbringen des absorbierbaren Laserstrahls L2 erzeugte Wärme eine Spannung um jede modifizierte Schicht 25 herum ausgeübt wird, wodurch das Werkstück 11 geeignet geteilt werden kann. Zusätzlich reicht es bei dem Verfahren zum Bearbeiten des Werkstücks gemäß dieser Ausführungsform aus, dass das Aufbringen der Laserstrahlen L1 und L2 in dem Modifikationsschichts-Ausbildungsschritt und dem Teilungsschritt durchgeführt wird, und kann deshalb eine ausreichend hohe Produktivität aufrechterhalten werden. Daher ist es gemäß der vorliegenden Erfindung möglich, ein Verfahren zum Bearbeiten eines Werkstücks bereitzustellen, bei dem das Werkstück 11 geeignet geteilt werden kann, während eine hohe Produktivität aufrechterhalten wird.As described above, in the method for machining a workpiece according to this embodiment, the modification layer forming step for applying the laser beam L1 that can be highly transmitted is performed to the modified layers 25 within the workpiece 11 followed by the dividing step of applying the laser beam L2, which can be absorbed to some degree. This ensures that the heat generated by the application of the absorbable laser beam L2, a voltage around each modified layer 25 is exercised around, causing the workpiece 11 can be divided appropriately. In addition, in the method of processing the workpiece according to this embodiment, it is sufficient that the application of the laser beams L1 and L2 is performed in the modification layer forming step and the dividing step, and therefore sufficiently high productivity can be maintained. Therefore, according to the present invention, it is possible to provide a method for machining a workpiece, in which the workpiece 11 can be divided appropriately while maintaining high productivity.

Es ist zu beachten, dass die vorliegende Erfindung nicht auf die oben beschriebene Ausführungsform beschränkt ist und verschiedene Abwandlungen bei der Durchführung der Erfindung möglich sind. Zum Beispiel wird bei dem oben beschriebenen Teilungsschritt der Laserstrahl L2 entlang aller modifizierten Schichten 25, die sich in der ersten Richtung erstrecken, aufgebracht, wonach der Laserstrahl L2 entlang jeder der modifizierten Schichten 25, die sich in der zweiten Richtung erstrecken, aufgebracht wird. Dies schränkt jedoch das Verfahren zum Bearbeiten eines Werkstücks gemäß der vorliegenden Erfindung nicht ein. Zum Beispiel kann ein Aufbau verwendet werden, bei dem der Laserstrahl L2 entlang aller modifizierten Schichten 25, die sich in der zweiten Richtung erstrecken, aufgebracht wird, wonach der Laserstrahl L2 entlang jeder der modifizierten Schichten 25, die sich in der ersten Richtung erstrecken, aufgebracht wird.It should be noted that the present invention is not limited to the above-described embodiment and various modifications are possible in the practice of the invention. For example, in the division step described above, the laser beam L2 is propagated along all the modified layers 25 , which extend in the first direction, applied, after which the laser beam L2 along each of the modified layers 25 , which extend in the second direction, is applied. However, this does not limit the method of machining a workpiece according to the present invention. For example, a structure may be used in which the laser beam L2 is propagated along all the modified layers 25 is applied, which extends in the second direction, after which the laser beam L2 along each of the modified layers 25 , which extend in the first direction, is applied.

Zusätzlich, obwohl bei der oben beschriebenen Ausführungsform der Modifikationsschichts-Ausbildungsschritt und der Teilungsschritt unter Verwendung der Laserstrahlbearbeitungsvorrichtung 2 durchgeführt werden, die den ersten Laserstrahlbearbeitungskopf 8 und den zweiten Laserstrahlbearbeitungskopf 10 aufweist, schränkt dies die bei dem Verfahren zum Bearbeiten eines Werkstücks gemäß der vorliegenden Erfindung zu verwendende Bearbeitungsvorrichtung nicht ein. Zum Beispiel können der Modifikationsschichts-Ausbildungsschritt und der Teilungsschritt jeweils durch Verwendung zweier Laserstrahlbearbeitungsvorrichtungen, die jeweils den ersten Laserstrahlbearbeitungskopf 8 und den zweiten Laserstrahlbearbeitungskopf 10 aufweisen, durchgeführt werden.In addition, although in the above-described embodiment, the modification layer forming step and the dividing step using the laser beam processing apparatus 2 which are the first laser beam machining head 8th and the second laser beam machining head 10 This does not limit the machining apparatus to be used in the method for machining a workpiece according to the present invention. For example, the modification layer forming step and the dividing step may each be performed by using two laser beam processing apparatuses each having the first laser beam machining head 8th and the second laser beam machining head 10 have to be performed.

Außerdem, obwohl der Siliziumwafer und der SiC-Wafer (4H-SiC-Wafer) bei der obigen Ausführungsform als Beispiele des Werkstücks 11 genannt wurden, schränken diese das Werkstück 11 als das Bearbeitungsobjekt bei der vorliegenden Erfindung nicht ein. Ein GaN-Wafer, ein Saphirwafer und dergleichen können auch als das Werkstück 11 verwendet werden.In addition, although the silicon wafer and the SiC wafer (4H-SiC wafer) are examples of the workpiece in the above embodiment 11 are called, they limit the workpiece 11 as the processing object in the present invention. A GaN wafer, a sapphire wafer, and the like may also be used as the workpiece 11 be used.

Die vorliegende Erfindung ist nicht auf die Einzelheiten der oben beschriebenen bevorzugten Ausführungsform beschränkt. Der Umfang der Erfindung wird durch die angefügten Ansprüche definiert und alle Änderungen und Abwandlungen, die innerhalb der Äquivalenz des Umfangs der Ansprüche liegen, werden deshalb durch die Erfindung umfasst.The present invention is not limited to the details of the preferred embodiment described above. The scope of the invention is defined by the appended claims, and all changes and modifications which come within the equivalence of the scope of the claims are therefore intended to be embraced by the invention.

ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG QUOTES INCLUDE IN THE DESCRIPTION

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  • JP 2006-229021 [0002] JP 2006-229021 [0002]

Claims (1)

Verfahren zum Bearbeiten eines Werkstücks, das umfasst: einen Modifikationsschichts-Ausbildungsschritt zum Aufbringen eines Laserstrahls mit einer solchen Wellenlänge, dass dieser durch das Werkstück transmittiert werden kann, um dadurch eine modifizierte Schicht innerhalb des Werkstücks auszubilden; und einen Teilungsschritt nach der Durchführung des Modifikationsschichts-Ausbildungsschritts zum Aufbringen eines Laserstrahls mit einer Wellenlänge nahe zu einer Absorptionskante des Werkstücks und an einer Absorptionsseite der Absorptionskante entlang der modifizierten Schicht, um dadurch das Werkstück mit der modifizierten Schicht als einem Teilungsausgangspunkt zu teilen.A method of machining a workpiece, comprising: a modification layer forming step for applying a laser beam having a wavelength such that it can be transmitted through the workpiece to thereby form a modified layer within the workpiece; and a dividing step after performing the modification layer forming step for applying a laser beam having a wavelength near to an absorption edge of the workpiece and an absorption side of the absorption edge along the modified layer, thereby dividing the workpiece with the modified layer as a division starting point.
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