DE102019129335A1 - Elektrische Komponente und Verfahren zur Herstellung einer elektrischen Komponente - Google Patents

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Abstract

In mindestens einer Ausführungsform umfasst die elektrische Komponente einen ersten BAW-Resonator (1), einen zweiten BAW-Resonator (2), der elektrisch mit dem ersten BAW-Resonator verbunden ist, und ein Trägersubstrat (3) mit einer Oberseite (30), auf der die BAW-Resonatoren angeordnet sind. Der erste und der zweite BAW-Resonator umfassen jeweils eine untere Elektrode (11, 21) und eine obere Elektrode (12, 22). Die unteren Elektroden sind jeweils zwischen dem Trägersubstrat und der jeweiligen oberen Elektrode lokalisiert. Eine erste piezoelektrische Schicht (13) ist zwischen der oberen Elektrode und der unteren Elektrode des ersten BAW-Resonators angeordnet und ragt lateral aus dem ersten BAW-Resonator heraus. Der zweite BAW-Resonator ist auf der ersten piezoelektrischen Schicht in einem Bereich lateral neben dem ersten BAW-Resonator befestigt und umfasst eine zweite piezoelektrische Schicht (23) zwischen seiner oberen Elektrode und seiner unteren Elektrode.

Description

  • Es wird eine elektrische Komponente spezifiziert. Weiterhin wird ein Verfahren zur Herstellung einer elektrischen Komponente spezifiziert.
  • Ein Aspekt der Offenbarung ist auf die Aufgabe ausgerichtet, eine elektrische Komponente mit hoher Effizienz bereitzustellen. Eine weitere Aufgabe, die es zu lösen gilt, ist die Bereitstellung eines Verfahrens zur einfachen und kostengünstigen Herstellung einer solchen elektrischen Komponente.
  • Nach mindestens einer Ausführungsform umfasst eine elektrische Komponente einen ersten BAW-Resonator und einem zweiten BAW-Resonator (BAW = akustische Volumenwelle). Der zweite BAW-Resonator ist elektrisch mit dem ersten BAW-Resonator verbunden. Elektrisch verbundene BAW-Resonatoren sind Resonatoren, bei denen eine Elektrode des einen Resonators und eine Elektrode des anderen Resonators elektrisch miteinander verbunden sind. Der erste und der zweite BAW-Resonator können parallel oder antiparallel verbunden sein.
  • „Parallel verbunden“ bedeutet, dass die unteren Elektroden der zwei BAW-Resonatoren elektrisch miteinander verbunden sind und im Betrieb auf dem gleichen Potential liegen. Darüber hinaus sind die oberen Elektroden der zwei BAW-Resonatoren elektrisch miteinander verbunden und liegen im Betrieb auf dem gleichen Potential.
  • „Antiparallel verbunden“ bedeutet, dass die untere Elektrode des einen BAW-Resonator mit der oberen Elektrode des anderen BAW-Resonators elektrisch verbunden ist, so dass diese beiden Elektroden im Betrieb auf dem gleichen Potential liegen. Weiterhin ist die obere Elektrode des einen BAW-Resonators mit der unteren Elektrode des anderen BAW-Resonators elektrisch verbunden, so dass diese beiden Elektroden im Betrieb auf dem gleichen Potential liegen.
  • Nach mindestens einer Ausführungsform umfasst die elektrische Komponente ein Trägersubstrat mit einer Oberseite, auf der die BAW-Resonatoren angeordnet sind. Das Trägersubstrat trägt mechanisch die BAW-Resonatoren. Das Trägersubstrat ist mechanisch selbsttragend. Lateralen Oberflächen des Trägersubstrats, die quer zur Oberseite verlaufen, können Spuren eines chemischen oder physikalischen Materialabtrags, beispielsweise Sägeriefen, umfassen.
  • Nach mindestens einer Ausführungsform umfassen der erste und der zweite BAW-Resonator jeweils eine untere Elektrode und eine obere Elektrode. Die obere Elektrode und die untere Elektrode sind für eine zwischen ihnen anzulegende Wechselspannung, beispielsweise mit RF-Frequenz, beabsichtigt. Die oberen Elektroden und die unteren Elektroden sind jeweils mit einem weiteren elektrischen Element der elektrischen Komponente elektrisch verbunden, zum Beispiel mit einem weiteren Resonator oder mit einem Anschluss.
  • Im Betrieb der elektrischen Komponente wird eine Wechselspannung, beispielsweise mit RF-Frequenz, zwischen der oberen Elektrode und der unteren Elektrode der jeweiligen BAW-Resonatoren angelegt. Als Ergebnis wird zwischen der oberen Elektrode und der unteren Elektrode ein elektrisches Wechselfeld erzeugt. Zwischen der oberen Elektrode und der unteren Elektrode ist ein piezoelektrisches Material angeordnet, das durch dieses elektrische Wechselfeld mechanisch verformt wird. Als Konsequenz werden akustische Volumenwellen erzeugt und breiten sich in dem piezoelektrischen Material aus. Der Bereich zwischen der oberen Elektrode und der unteren Elektrode, der mit dem piezoelektrischen Material gefüllt ist, ist der aktive Bereich des BAW-Resonators.
  • Die Elektroden umfassen ein elektrisch leitfähiges Material. Die Elektroden können ein Metall umfassen. Beispielsweise können die Elektroden jeweils eines oder mehrere der folgenden Materialien umfassen: Al, Cu, Ti, Cr, Au, Pt, Ro oder Mo. Zur Veranschaulichung, können die Elektroden jeweils eine mittlere Dicke, die senkrecht zur Oberseite des Trägersubstrats gemessen wird, zwischen 50 nm und 300 nm einschließlich aufweisen.
  • Hier und im Folgenden sind die Begriffe „oben“ und „unten“ sowie „Oberseite“ und „Unterseite“ oder ähnliche Begriffe keinesfalls so zu verstehen, dass sie auf antiparallele und zur Gravitationsrichtung parallele Richtungen beschränkt sind. Vielmehr werden sie im Allgemeinen verwendet, beispielsweise um entgegengesetzte Bereiche oder Objekte oder Richtungen zu identifizieren.
  • Nach mindestens einer Ausführungsform sind die unteren Elektroden jeweils zwischen dem Trägersubstrat und ihrer jeweiligen oberen Elektrode lokalisiert. In einer Draufsicht auf die Oberseite des Trägersubstrats überlappen die obere Elektrode und die untere Elektrode jedes BAW-Resonators miteinander.
  • Nach mindestens einer Ausführungsform ist eine erste piezoelektrische Schicht zwischen der oberen Elektrode und der unteren Elektrode des ersten BAW-Resonators angeordnet. Die erste piezoelektrische Schicht erstreckt sich lateral über den ersten BAW-Resonator oder ragt aus diesem heraus.
  • Die erste piezoelektrische Schicht kann in einem Stück, d.h. integral ausgebildet sein. Beispielsweise stehen die obere Elektrode und die untere Elektrode des ersten BAW-Resonators in direktem mechanischen Kontakt mit der ersten piezoelektrischen Schicht. Insbesondere füllt die erste piezoelektrische Schicht den Zwischenraum zwischen der oberen Elektrode und der unteren Elektrode des ersten BAW-Resonators vollständig aus.
  • Die erste piezoelektrische Schicht umfasst zum Beispiel einen oder mehrere der folgenden Materialien: AlN oder ZnO oder AlScN. Beispielsweise beträgt eine mittlere Dicke der ersten piezoelektrischen Schicht, die als ihre Ausdehnung zwischen der oberen und der unteren Elektrode des ersten BAW-Resonators gemessen wird, höchstens 5 µm oder höchstens 1 µm oder höchstens 100 nm. Zusätzlich oder alternativ dazu beträgt die mittlere Dicke der ersten piezoelektrischen Schicht mindestens 5 nm oder mindestens 50 nm oder mindestens 75 nm.
  • Die erste piezoelektrische Schicht erstreckt sich lateral über den ersten BAW-Resonator oder ragt aus diesem heraus. Das bedeutet, dass die erste piezoelektrische Schicht nicht nur den Zwischenraum zwischen der oberen und der unteren Elektrode des ersten BAW-Resonators ausfüllt, sondern sich lateral aus diesem Zwischenraum erstreckt. Mit anderen Worten, die erste piezoelektrische Schicht erstreckt sich lateral über die obere Elektrode und/oder über die untere Elektrode des ersten BAW-Resonators heraus. „Lateral“ bedeutet hier und im Folgenden entlang einer lateralen Richtung, wobei laterale Richtungen, Richtungen parallel zu der Oberseite des Trägersubstrats sind. Zum Beispiel ragt die erste piezoelektrische Schicht lateral aus dem ersten BAW-Resonator und/oder aus der oberen Elektrode und/oder aus der unteren Elektrode um mindestens 10 µm oder mindestens 50 µm oder mindestens 100 µm heraus. In einer Draufsicht auf die Oberseite des Trägersubstrats ist also ein Teil der ersten piezoelektrischen Schicht neben der oberen Elektrode und der unteren Elektrode des ersten BAW-Resonators angeordnet und überlappt sich nicht mit der oberen und der unteren Elektrode. Die erste piezoelektrische Schicht kann zusammenhängend ausgebildet werden. In Draufsicht auf die Oberseite des Trägersubstrats kann die erste piezoelektrische Schicht die Oberseite zu mindestens 75 % oder mindestens 90 % oder vollständig bedecken.
  • Der Teil der ersten piezoelektrischen Schicht, der den Zwischenraum zwischen der oberen Elektrode und der unteren Elektrode ausfüllt, kann als Teil des ersten BAW-Resonators angesehen werden.
  • Die untere Elektrode des ersten BAW-Resonators kann direkt auf der Oberseite des Trägersubstrats platziert werden. So ist in dem Bereich des ersten BAW-Resonators die erste piezoelektrische Schicht durch die untere Elektrode von der Oberseite des Trägersubstrats beabstandet. Der Teil der ersten piezoelektrischen Schicht, der lateral aus dem ersten BAW-Resonator herausragt, kann direkt auf der Oberseite des Trägersubstrats liegen.
  • Nach mindestens einer Ausführungsform ist der zweite BAW-Resonator auf der ersten piezoelektrischen Schicht in einem Bereich lateral neben dem ersten BAW-Resonator befestigt. Der zweite BAW-Resonator umfasst eine zweite piezoelektrische Schicht zwischen der oberen Elektrode des zweiten BAW-Resonators und der unteren Elektrode des zweiten BAW-Resonators.
  • Mit anderen Worten, in einer Draufsicht auf die Oberseite des Trägersubstrats, ist der zweite BAW-Resonator neben dem ersten BAW-Resonator lokalisiert. Ein Teil der ersten piezoelektrischen Schicht, die lateral aus dem ersten BAW-Resonator herausragt, ist zwischen dem zweiten BAW-Resonator und dem Trägersubstrat angeordnet. Die untere Elektrode des zweiten BAW-Resonators kann direkt auf der ersten piezoelektrische Schicht platziert werden, und die erste piezoelektrische Schicht ist zwischen der unteren Elektrode des zweiten BAW-Resonators und dem Trägersubstrat angeordnet. Beispielsweise ist eine mittlere Dicke der ersten piezoelektrischen Schicht in dem Bereich des ersten BAW-Resonators und in dem Bereich zwischen dem Trägersubstrat und dem zweiten BAW-Resonator die gleiche.
  • Der Teil der ersten piezoelektrischen Schicht zwischen dem zweiten BAW-Resonator und dem Trägersubstrat ist nicht dafür beabsichtigt, einen aktiven Bereich eines Resonators zu bilden. Daher bildet dieser Teil während des beabsichtigten Betriebs der elektrischen Komponente nicht einen aktiven Bereich eines BAW-Resonators. Ein aktiver Bereich eines Resonators ist ein Bereich, in dem absichtlich akustische Wellen erzeugt werden und in dem sich diese Wellen ausbreiten. Folglich werden während dem beabsichtigten Betrieb der elektrischen Komponente keine akustischen Wellen absichtlich in diesem Teil der ersten piezoelektrischen Schicht erzeugt.
  • Die zweite piezoelektrische Schicht kann in einem Stück gebildet werden. Beispielsweise stehen die obere und die untere Elektrode des zweiten BAW-Resonators in direktem mechanischen Kontakt mit der zweiten piezoelektrischen Schicht. Die zweite piezoelektrische Schicht umfasst beispielsweise ein oder mehrere der folgenden Materialien: AlN oder ZnO oder AlScN. Beispielsweise beträgt eine mittlere Dicke der zweiten piezoelektrischen Schicht, die als ihre Ausdehnung zwischen der oberen und der unteren Elektrode des zweiten BAW-Resonators gemessen wird, höchstens 5 µm oder höchstens 1 µm oder höchstens 100 nm. Zusätzlich oder alternativ beträgt die mittlere Dicke der zweiten piezoelektrischen Schicht mindestens 5 nm oder mindestens 50 nm oder mindestens 75 nm. Die zweite piezoelektrische Schicht ist insbesondere nicht zusammenhängend an die erste piezoelektrische Schicht ausgebildet. Die zweite piezoelektrische Schicht überlappt beispielsweise in der Draufsicht auf die Oberseite des Trägersubstrats nicht mit dem ersten BAW-Resonator. Insbesondere überlappt die zweite piezoelektrische Schicht nicht mit der oberen Elektrode des ersten BAW-Resonators.
  • Die oberen Elektroden und/oder die unteren Elektroden der BAW-Resonatoren können lateral voneinander beabstandet sein, beispielsweise um mindestens 10 µm oder mindestens 50 µm oder mindestens 100 µm. Insbesondere befindet sich die obere Elektrode des zweiten BAW-Resonators weiter vom Trägersubstrat entfernt als die obere Elektrode des ersten BAW-Resonators.
  • Die elektrische Komponente kann mehrere erste und mehrere zweite BAW-Resonatoren umfassen, wobei jeder zweite BAW-Resonator mit einem ersten BAW-Resonator elektrisch verbunden ist. Die Merkmale, die hier für den einen ersten BAW-Resonator und den einen zweiten BAW-Resonator offenbart werden, werden auch für alle anderen ersten und zweiten BAW-Resonatoren jeweils offenbart. Insbesondere können die ersten piezoelektrischen Schichten aller ersten BAW-Resonatoren durch eine gemeinsame, zusammenhängende erste piezoelektrische Schicht gebildet werden. Alle zweiten BAW-Resonatoren können auf dieser gemeinsamen ersten piezoelektrischen Schicht befestigt werden.
  • In mindestens einer Ausführungsform umfasst die elektrische Komponente einen ersten BAW-Resonator, einen zweiten BAW-Resonator, der mit dem ersten BAW-Resonator elektrisch verbunden ist und ein Trägersubstrat mit einer Oberseite, auf der die BAW-Resonatoren angeordnet sind. Der erste und der zweite BAW-Resonator umfassen jeweils eine untere Elektrode und eine obere Elektrode. Die unteren Elektroden sind in jedem Fall zwischen dem Trägersubstrat und der jeweiligen oberen Elektrode lokalisiert. Eine erste piezoelektrische Schicht ist zwischen der oberen Elektrode und der unteren Elektrode des ersten BAW-Resonators angeordnet und erstreckt sich lateral von dem ersten BAW-Resonator. Der zweite BAW-Resonator ist auf der ersten piezoelektrischen Schicht in einem Bereich lateral neben dem ersten BAW-Resonator befestigt und umfasst eine zweite piezoelektrische Schicht zwischen der oberen Elektrode des zweiten BAW-Resonators und der unteren Elektrode des zweiten BAW-Resonators.
  • Die vorliegende Offenbarung basiert inter alia auf der Erkenntnis, dass für elektrische Filter, wie beispielsweise Leiter-Typ-Filter, mindestens zwei Resonatoren mit unterschiedlichen Resonanzfrequenzen verwendet werden. Bei BAW-Resonatoren kann die Resonanzfrequenz durch Anpassung des Stackups oder der Schichtdicken verändert werden. Üblicherweise werden Verstimmungsschichten hinzugefügt oder Schichten verdünnt, um die Resonanzfrequenz des jeweiligen BAW-Resonators zu verschieben. Um eine möglichst effektive Kopplung zu erzielen, ist es notwendig, ein optimales Verhältnis von Elektrodendicke zu piezoelektrischer Schichtdicke zu erreichen. Folglich ist es wünschenswert, unterschiedliche piezoelektrische Schichtdicken in verschiedenen BAW-Resonatoren zu haben, um unterschiedliche Resonanzfrequenzen zu erhalten.
  • Ein weiterer zu berücksichtigender Aspekt ist, dass für eine optimale Kopplung und damit für eine hohe Effizienz der BAW-Resonatoren die Wachstumsbedingungen für die piezoelektrischen Schichten und die Elektroden optimal sein sollten. Entfernen von piezoelektrischem Material in dem Bereich eines Resonators ist nachteilig, da das Ätzen die Wachstumsbedingungen in diesem Bereich verschlechtert. Tatsächlich beeinflusst Entfernung eines gewachsenen piezoelektrischen Materials die Qualität der Schnittstelle zu der oberen Elektrode. Die vollständige Entfernung des piezoelektrischen Materials plus der unteren Elektrode, um die Herstellung des gesamten Resonators wieder zu starten, ist sehr kostspielig.
  • Wie unten erläutert wird, kann die hier spezifizierte elektrische Komponente ohne Verschlechterung der Wachstumsbedingungen hergestellt werden. Somit haben die BAW-Resonatoren der elektrischen Komponente eine gute Kopplung und damit eine hohe Effizienz. Da der zweite BAW-Resonator eine zweite piezoelektrische Schicht umfasst, die sich von der ersten piezoelektrischen Schicht des ersten BAW-Resonators unterscheidet, können beide BAW-Resonatoren mit unterschiedlichen Resonanzfrequenzen gewählt werden.
  • Nach mindestens einer Ausführungsform weisen die erste piezoelektrische Schicht und die zweite piezoelektrische Schicht unterschiedliche Dicken auf. Insbesondere betrifft dies die mittleren Dicken der piezoelektrischen Schichten in den aktiven Bereichen der Resonatoren. Beispielsweise unterscheidet sich die Dicke der ersten piezoelektrischen Schicht von der Dicke der zweiten piezoelektrischen Schicht um mindestens 2% oder mindestens 5% oder mindestens 10%. Wie bereits erwähnt, sind unterschiedliche Dicken für die piezoelektrischen Schichten von Vorteil, da sie es erlauben, unterschiedliche Resonanzfrequenzen für die verschiedenen BAW-Resonatoren aufzuweisen.
  • Nach mindestens einer Ausführungsform umfasst die elektrische Komponente eine Blindelektrode, die zwischen dem zweiten BAW-Resonator und dem Trägersubstrat lokalisiert ist. Die Blindelektrode kann einen oder mehrere der Materialien umfassen, die in Verbindung mit den Elektroden der BAW-Resonatoren offenbart werden. Darüber hinaus kann die Blindelektrode eine Dicke aufweisen, die in Verbindung mit den Elektroden der BAW-Resonatoren spezifiziert ist. Beispielsweise weist die Blindelektrode die gleiche mittlere Dicke und die gleiche Materialzusammensetzung wie die untere Elektrode des ersten BAW-Resonators auf. „Gleich“ bedeutet hier und im Folgenden innerhalb der Fertigungstoleranz gleich.
  • Die Blindelektrode ist zwischen dem zweiten BAW-Resonator und dem Trägersubstrat lokalisiert. In diesem Bereich kann die Blindelektrode zwischen der ersten piezoelektrischen Schicht und dem Trägersubstrat lokalisiert sein und kann mit beiden in direktem mechanischen Kontakt stehen. In einer Draufsicht auf die Oberseite des Trägersubstrats überlappt die Blindelektrode beispielsweise teilweise oder vollständig mit der oberen und/oder unteren Elektrode des zweiten BAW-Resonators. Die Blindelektrode kann von der unteren Elektrode des ersten BAW-Resonators getrennt werden. Insbesondere kann die Blindelektrode von den Elektroden des ersten und zweiten BAW-Resonators elektrisch isoliert sein.
  • Nach mindestens einer Ausführungsform liegen die untere Elektrode des ersten BAW-Resonators und die Blindelektrode lateral nebeneinander in einer gemeinsamen Ebene. Insbesondere erstreckt sich die gemeinsame Ebene parallel zu der Oberseite des Trägersubstrats. Die untere Elektrode des ersten BAW-Resonators und die Blindelektrode erstrecken sich in jedem Fall entlang der gemeinsamen Ebene. Mit anderen Worten, die untere Elektrode des ersten BAW-Resonators und die Blindelektrode weisen innerhalb der Fertigungstoleranz eine gemeinsame Haupterweiterungsebene auf. In einer Draufsicht auf die Oberseite von Substrat liegen die untere Elektrode des ersten BAW-Resonators und die Blindelektrode nebeneinander und überlappen sich nicht.
  • Nach mindestens einer Ausführungsform ist die Blindelektrode nicht mit einem anderen Element elektrisch verbunden oder ist nicht dazu beabsichtigt, für den Betrieb der elektrischen Komponente elektrisch verbunden zu werden. So ist die Blindelektrode während des beabsichtigten Betriebs der elektrischen Komponente nicht elektrisch verbunden, beispielsweise nicht einmal mit Masse. Die Blindelektrode ist eine sogenannte potentialfreie Elektrode. Beispielsweise ist die Blindelektrode von allen anderen Elementen, insbesondere von allen anderen Elektroden, der elektrischen Komponente elektrisch isoliert.
  • Nach mindestens einer Ausführungsform ist die Blindelektrode vollständig von der ersten piezoelektrischen Schicht und dem Trägersubstrat umschlossen. Somit ist kein Teil der Blindelektrode freiliegend und frei zugänglich. Insbesondere ist die Blindelektrode von außen elektrisch nicht kontaktierbar, d.h. es gibt keine freiliegende und frei zugängliche elektrische Verbindung zu der Blindelektrode.
  • Die Blindelektrode zusammen mit dem Teil der ersten piezoelektrischen Schicht, der zwischen der Blindelektrode und der unteren Elektrode des zweiten BAW-Resonators angeordnet ist, bildet vorteilhaft einen Spiegel, insbesondere einen Bragg-Spiegel, für die im zweiten BAW-Resonator erzeugten akustischen Wellen. Die erste piezoelektrische Schicht und die Blindelektrode weisen unterschiedliche akustische Impedanzen, die auch mechanische Impedanzen genannt werden, für die akustischen Wellen auf, die in dem zweiten BAW-Resonator erzeugt werden.
  • Nach mindestens einer Ausführungsform steht die erste piezoelektrische Schicht in direktem Kontakt mit dem Trägersubstrat, im Bereich zwischen der unteren Elektrode des zweiten BAW-Resonators und dem Trägersubstrat. Beispielsweise steht der hervorstehende Teil der ersten piezoelektrischen Schicht überall in dem Bereich zwischen der unteren Elektrode des zweiten BAW-Resonators und dem Trägersubstrat in direktem Kontakt mit dem Trägersubstrat.
  • Nach mindestens einer Ausführungsform liegen die obere Elektrode des ersten BAW-Resonators und die untere Elektrode des zweiten BAW-Resonators nebeneinander in einer gemeinsamen Ebene. Auch diese gemeinsame Ebene kann sich parallel zur Oberseite des Trägersubstrats erstrecken. Die obere Elektrode des ersten BAW-Resonators und die untere Elektrode des zweiten BAW-Resonators erstrecken sich jeweils entlang der gemeinsamen Ebene. Die gemeinsame Ebene ist eine Haupterweiterungsebene von Beiden, der oberen Elektrode des ersten BAW-Resonators und der unteren Elektrode des zweiten BAW-Resonators. In einer Draufsicht auf die Oberseite des Trägersubstrats liegen die obere Elektrode des ersten BAW-Resonators und die untere Elektrode des zweiten BAW-Resonators nebeneinander und überlappen sich nicht.
  • Beispielsweise weisen die obere Elektrode des ersten BAW-Resonators und die untere Elektrode des zweiten BAW-Resonators die gleiche mittlere Dicke und die gleiche Materialzusammensetzung auf.
  • Nach mindestens einer Ausführungsform ist oder umfasst die elektrische Komponente einen RF-Filter, wobei der erste und der zweite BAW-Resonator Teil des RF-Filters sind. Beispielsweise ist der RF-Filter ein Bandpassfilter, obwohl auch andere Filtertypen möglich sind. Eine Resonanzfrequenz des ersten und des zweiten BAW-Resonators kann jeweils mindestens 0,5 GHz oder mindestens 1 GHz oder mindestens 5 GHz oder mindestens 6 GHz oder mindestens 8 GHz betragen. Die elektrische Komponente kann ein Multiplexer sein, der mehrere RF-Filter umfasst. Die elektrische Komponente ist beispielsweise in Kommunikationsvorrichtungen, wie Mobiltelefonen, verwendbar.
  • Nach mindestens einer Ausführungsform ist der erste BAW-Resonator ein Serienresonator und der zweite BAW-Resonator ein Nebenschlussresonator oder umgekehrt. Ein Nebenschlussresonator wird auch als Parallelresonator bezeichnet. Der Serienresonator kann mit einem Eingabe- oder Ausgabeanschluss des RF-Filters verbunden werden. Der Nebenschlussresonator ist beispielsweise elektrisch mit einem Masseanschluss verbunden. Der RF-Filter kann eine Leiter-Typ-Topologie aufweisen. Nach mindestens einer Ausführungsform umfasst das Trägersubstrat Schichten unterschiedlicher akustischer Impedanzen, die in einer Richtung senkrecht zur Oberseite übereinander gestapelt sind. Dieser Schichtstapel ist beispielsweise unter den BAW-Resonatoren angeordnet. In diesem Fall können die BAW-Resonatoren so genannte SMRs (Solidly Mounted Resonators) sein.
  • Die Schichten unterschiedlicher akustischer Impedanzen bilden einen Spiegel, insbesondere einen Bragg-Spiegel, für die in den BAW-Resonatoren erzeugten und sich ausbreitenden akustischen Wellen. Beispielsweise werden höhere akustische Impedanzschichten aus einem Metall, wie beispielsweise W, und niedrigere akustische Impedanzschichten aus einem dielektrischen Material, wie beispielsweise SiO2, gebildet. Die Schichten höherer und niedrigerer akustischer Impedanzen können abwechselnd gestapelt werden. Eine der dielektrischen Schichten kann die Oberseite des Trägersubstrats bilden. Die Metallschichten können zwischen den dielektrischen Schichten eingebettet sein und sind beispielsweise in dem Bereich zwischen den BAW-Resonatoren unterbrochen, um eine zusätzliche Kopplung zwischen den BAW-Resonatoren zu vermeiden. Eine oder mehrere Metallschichten können eindeutig jedem der BAW-Resonatoren zugeordnet werden. Dies zeigt, dass sich in einer Draufsicht auf die Oberseite des Trägersubstrats die Metallschichten nur mit dem zugeordneten BAW-Resonator überlappen.
  • Das Trägersubstrat kann ferner ein Basissubstrat umfassen, auf dem die Schichten mit unterschiedlichen akustischen Impedanzen gestapelt sind. Die Schichten mit unterschiedlichen akustischen Impedanzen sind zwischen dem Basissubstrat und den BAW-Resonatoren angeordnet. Das Basissubstrat ist beispielsweise das mechanisch stabilisierende Element der elektrischen Komponente. Beispielsweise wird das Basissubstrat aus einem Halbleitermaterial, beispielsweise aus kristallinem Silizium oder aus Saphir gebildet.
  • Alternativ oder zusätzlich zu den Schichten mit unterschiedlichen Impedanzen kann der Träger im Bereich unterhalb der BAW-Resonatoren eine Aussparung oder einen Hohlraum umfassen. In diesem Fall kann es sich bei den BAW-Resonatoren um so genannte FBARs (Film Bulk Acoustic Resonators) handeln.
  • Nach mindestens einer Ausführungsform weist der erste und der zweite BAW-Resonator unterschiedliche Resonanzfrequenzen auf. Beispielsweise unterscheiden sich die Resonanzfrequenzen der beiden BAW-Resonatoren um mindestens 5 MHz oder mindestens 10 MHz oder mindestens 30 MHz.
  • Nach mindestens einer Ausführungsform ist die elektrische Komponente ein Chip. Ein Chip ist hier und im Folgenden als ein separat betreibbares und elektrisch kontaktierbares Element zu verstehen. Ein Chip wird insbesondere dadurch gebildet, dass er aus einem Waferverbund vereinzelt wird. Beispielsweise umfasst der Chip ein zusammenhängendes Trägersubstrat. Laterale Flächen des Trägersubstrats können Spuren eines Materialabtrags umfassen, der durch Vereinzeln des Chips aus dem Waferverbund resultiert. Eine laterale Ausdehnung des Chips ist beispielsweise höchstens 1% oder höchstens 5% oder höchstens 10% grösser als die laterale Ausdehnung des Trägersubstrats. Alle elektrisch funktionellen Bereiche des Chips können vom Trägersubstrat getragen werden.
  • Als nächstes wird das Verfahren zur Herstellung einer elektrischen Komponente spezifiziert. Insbesondere eignet sich das Verfahren für die Herstellung einer elektrischen Komponente, wie hier spezifiziert. Damit werden alle Merkmale, die in Verbindung mit der elektrischen Komponente offenbart werden, auch für das Verfahren offenbart und umgekehrt.
  • Bei mindestens einer Ausführungsform des Verfahrens wird in einem Schritt A) ein Trägersubstrat bereitgestellt. In einem Schritt B) wird eine erste Elektrodenschicht auf einer Oberseite des Trägersubstrats abgeschieden. Danach wird in einem Schritt C) eine erste piezoelektrische Schicht auf der ersten Elektrodenschicht abgeschieden. Danach, in einem Schritt D), wird eine zweite Elektrodenschicht auf der ersten piezoelektrischen Schicht abgeschieden. Danach, in einem Schritt E), wird eine zweite piezoelektrische Schicht auf der zweiten Elektrodenschicht abgeschieden. Danach, in einem Schritt F), wird eine dritte Elektrodenschicht auf der zweiten piezoelektrischen Schicht abgeschieden. Danach, in einem Schritt G), wird die zweite piezoelektrische Schicht in dem Bereich eines ersten BAW-Resonators entfernt. Mindestens ein Teil der dritten Elektrodenschicht und der zweiten piezoelektrischen Schicht wird in einem Bereich eines zweiten BAW-Resonators gehalten.
  • Zumindest einige der verschiedenen Schichten, insbesondere die piezoelektrischen Schichten, können so abgeschieden werden, dass sie die zuvor abgeschiedenen Schichten vollständig bedecken. Beispielsweise werden die genannten Schichten zuerst als zusammenhängende Schichten ohne Unterbrechungen abgeschieden. Danach können die Schichten, insbesondere die Metallschichten, strukturiert werden. Beispielsweise werden die genannten Schichten direkt aufeinander abgeschieden.
  • Entfernen der zweiten piezoelektrischen Schicht in dem Bereich des ersten BAW-Resonators kann beispielsweise durch Ätzen erfolgen. Eine Maske, beispielsweise eine Photolithographiemaske, kann verwendet werden, um die zweite piezoelektrische Schicht in dem Bereich des ersten BAW-Resonators zu entfernen und um die zweite piezoelektrische Schicht in dem Bereich des zweiten BAW-Resonators zu behalten und nicht anzugreifen. In Schritt F) kann die dritte Elektrodenschicht auch in den Bereich des ersten BAW-Resonators abgeschieden werden. In diesem Fall kann die dritte Elektrodenschicht im Bereich des ersten BAW-Resonators vor oder zusammen mit der zweiten piezoelektrischen Schicht in Schritt G) entfernt werden. Die erste piezoelektrische Schicht wird in dem Bereich des ersten BAW-Resonators nicht entfernt.
  • Die Merkmale, die im Zusammenhang mit den Elektroden der BAW-Resonatoren, insbesondere bezüglich der Materialien und der Dicken, offenbart werden, sind auch für die Elektrodenschichten offenbart.
  • Nach mindestens einer Ausführungsform wird eine untere Elektrode des ersten BAW-Resonators aus der ersten Elektrodenschicht gebildet. Beispielsweise wird ein Ätzprozess nach Schritt B) und vor Schritt C) angewandt, um die untere Elektrode des ersten BAW-Resonators aus der ersten Elektrodenschicht zu bilden. Alternativ wird ein Lift-off-Prozess zwischen Schritt B) und C) angewendet, um die untere Elektrode des ersten BAW-Resonators zu bilden. In dem Schritt des Bildens der unteren Elektrode des ersten BAW-Resonators kann die erste Elektrodenschicht in allen verbleibenden Bereichen der Oberseite des Trägersubstrats, die nicht für einen ersten BAW-Resonator beabsichtigt sind, entfernt werden, so dass nur die untere(n) Elektrode(n) des ersten BAW-Resonators beziehungsweise der ersten BAW-Resonatoren übrig bleibt (bleiben).
  • Nach mindestens einer Ausführungsform wird eine Blindelektrode aus der ersten Elektrodenschicht in dem Bereich des zweiten BAW-Resonators gebildet. Die Blindelektrode kann in einem gemeinsamen Schritt zusammen mit der unteren Elektrode des ersten BAW-Resonators gebildet werden. Für die Bildung der Blindelektrode können die gleichen Verfahren, wie für die Bildung der unteren Elektrode offenbart, verwendet werden. Bei Bildung der unteren Elektrode des ersten BAW-Resonators und der Blindelektrode wird die erste Metallschicht in dem Bereich zwischen diesen beiden Elektroden unterbrochen.
  • Nach mindestens einer Ausführungsform werden eine obere Elektrode des ersten BAW-Resonators und eine untere Elektrode des zweiten BAW-Resonators aus der zweiten Elektrodenschicht gebildet. Diese Elektroden können wiederum durch Ätzen oder durch Lift-off gebildet werden. In dem Bereich zwischen diesen Elektroden ist die zweite Elektrodenschicht unterbrochen. Bilden der oberen Elektrode des ersten BAW-Resonators und der unteren Elektrode des zweiten BAW-Resonators kann in einem Schritt erfolgen. Zum Beispiel wird dieser Schritt nach Schritt D) und vor Schritt E) ausgeführt.
  • Nach mindestens einer Ausführungsform wird eine obere Elektrode des zweiten BAW-Resonators aus der dritten Elektrodenschicht ausgebildet. Dies kann wiederum durch Ätzen oder durch Lift-off erfolgen. Bilden der oberen Elektrode des zweiten BAW-Resonators kann nach Schritt F) und vor oder gleichzeitig mit Schritt G) erfolgen.
  • Nach mindestens einer Ausführungsform werden die Elektrodenschichten und/oder die piezoelektrischen Schichten durch Sputtern oder Aufdampfen abgeschieden. Für verschiedene Schichten können unterschiedliche Abscheidungsmethoden verwendet werden. Die piezoelektrischen Schichten können durch Sputtern abgeschieden werden.
  • Das beschriebene Verfahren ist im Hinblick auf die Qualität der resultierenden BAW-Resonatoren vorteilhaft. Insbesondere werden die einzelnen BAW-Resonatoren nicht in dem Bereich gewachsen/gebildet, in dem zuvor ein Ätzprozess angewandt wurde. Daher sind die Wachstumsbedingungen für beide BAW-Resonatoren sehr gut, was im Hinblick auf die Effizienz der resultierenden BAW-Resonatoren von Vorteil ist.
  • Weitere bevorzugte Ausführungsformen und Entwicklungen der elektrischen Komponente und des Verfahrens zur Herstellung einer elektrischen Komponente werden im Folgenden im Zusammenhang mit den Figuren beschrieben. Gleiche oder ähnliche Elemente sowie Elemente gleicher Funktion werden in den Figuren mit den gleichen Bezugszeichen bezeichnet. Die Figuren und die Proportionen der in den Figuren dargestellten Elemente sind nicht als maßstabsgetreu anzusehen. Vielmehr können einzelne Elemente, insbesondere Schichten, zur besseren Darstellung und/oder zum besseren Verständnis maßstabsgetreu überhöht dargestellt werden.
  • In den Figuren:
    • 1 und 11 zeigen beispielhafte Ausführungsformen der elektrischen Komponente in Querschnittsansichten,
    • 2 bis 10 zeigen verschiedene Positionen in einer beispielhaften Ausführungsform des Verfahrens zur Herstellung einer elektrischen Komponente.
  • 1 zeigt eine erste beispielhafte Ausführungsform einer elektrischen Komponente in einer Querschnittsansicht. Die elektrische Komponente umfasst ein Trägersubstrat 3 mit einem Basissubstrat 33. Das Basissubstrat 33 ist beispielsweise aus kristallinem Si gebildet. Oberhalb des Basissubstrats 33 sind die Schichten 31, 32 mit unterschiedlichen akustischen Impedanzen übereinander gestapelt. Der Schichtstapel umfasst Schichten mit höherer akustischer Impedanz 31 und Schichten mit niedrigerer akustischer Impedanz 32, die abwechselnd übereinander gestapelt sind. Die Schichten 31 sind beispielsweise aus W, die Schichten 32 sind beispielsweise aus SiO2 gebildet. Der Schichtstapel endet mit einer Schicht 32, die eine Oberseite 30 des Trägersubstrats 3 bildet.
  • Auf der Oberseite 30 des Trägersubstrats 3 sind zwei BAW-Resonatoren 1, 2 lateral nebeneinander angeordnet. Der erste BAW-Resonator 1 umfasst eine untere Elektrode 11 und eine obere Elektrode 12, wobei die untere Elektrode 11 zwischen der oberen Elektrode 12 und dem Trägersubstrat 3 angeordnet ist. Zwischen der oberen Elektrode 12 und der unteren Elektrode 11 ist eine erste piezoelektrische Schicht 13 angeordnet. Die erste piezoelektrische Schicht 13 besteht beispielsweise aus AlN. Die Elektroden 11, 12 umfassen beispielsweise Al. Der Bereich zwischen den Elektroden 11, 12 ist mit der ersten piezoelektrischen Schicht 13 gefüllt und bildet einen aktiven Bereich des ersten BAW-Resonators 1, in dem im Betrieb akustische Volumenwellen erzeugt werden und sich ausbreiten.
  • Die erste piezoelektrische Schicht 13 füllt nicht nur den Bereich zwischen den Elektroden 11, 12, sondern erstreckt sich lateral aus diesem Bereich heraus, so dass sie lateral über den ersten BAW-Resonator 1 hinausragt. Der zweite BAW-Resonator 2 ist auf einem lateral herausragenden Teil der ersten piezoelektrischen Schicht 13 befestigt. Der zweite BAW-Resonator 2 umfasst eine obere Elektrode 22 und eine untere Elektrode 21 sowie eine zweite piezoelektrische Schicht 23, die zwischen den Elektroden 21, 22 lokalisiert ist. Auch hier bildet der Bereich zwischen den Elektroden 21, 22, der mit der zweiten piezoelektrischen Schicht 23 gefüllt ist, einen aktiven Bereich des zweiten BAW-Resonators 2 für die Erzeugung und Ausbreitung von akustischen Volumenwellen. Die zweite piezoelektrische Schicht 23 kann wiederum AlN sein, wobei die Elektroden 21, 22 wiederum Al umfassen können.
  • In 1 ist die Dicke der zweiten piezoelektrischen Schicht 23 größer als die Dicke der ersten piezoelektrischen Schicht 13. Insbesondere die zwei BAW-Resonatoren 1, 2 weisen unterschiedliche Resonanzfrequenzen auf. In einem Aspekt ist die Dicke der ersten piezoelektrischen Schicht 13 über ihre gesamte laterale Ausdehnung konstant. In anderen Ausführungsformen kann die Dicke jedoch gleich sein.
  • Zwischen der ersten piezoelektrischen Schicht 13 und dem Trägersubstrat 3 ist im Bereich des zweiten BAW-Resonators 2 eine Blindelektrode 24 lokalisiert. Die Blindelektrode 24 ist nicht für eine elektrische Verbindung während des Betriebs der elektrischen Komponente (potentialfreie Elektrode) beabsichtigt. Beispielsweise ist die Blindelektrode 24 vollständig von der ersten piezoelektrischen Schicht 13 und dem Trägersubstrat 3 umschlossen, und es besteht keine Möglichkeit für eine externe elektrische Verbindung der Blindelektrode 24. Die Blindelektrode 24 kann im Wesentlichen identisch mit der unteren Elektrode 11 in Bezug auf ihre Dicke und Materialzusammensetzung sein.
  • Die Schichtstapel von Schichten 31, 32 unterschiedlicher akustischer Impedanzen, die unter dem ersten und zweiten BAW-Resonator 1, 2 angeordnet sind, bilden jeweils einen Bragg-Spiegel für die akustischen Wellen, die in den BAW-Resonatoren 1, 2 erzeugt werden. Die erste piezoelektrische Schicht 13 und die Blindelektrode 24, die sich in dem Bereich unterhalb des zweiten BAW-Resonators 2 erstrecken, tragen zusätzlich zu dem Bragg-Spiegel für den zweiten BAW-Resonator 2 bei. Insbesondere weisen die Blindelektrode 24 und das erste piezoelektrische Material 13 unterschiedliche akustische Impedanzen auf.
  • 2 zeigt eine erste Position in einem Verfahren zur Herstellung einer elektrischen Komponente. In dieser Position wird ein Trägersubstrat 3 bereitgestellt, das mit dem Trägersubstrat 3 von 1 identisch ist. Die Oberseite 30 des Trägersubstrats 3 ist freigelegt.
  • 3 zeigt eine zweite Position in dem Verfahren, bei dem eine erste Elektrodenschicht 101 direkt auf der Oberseite 30 abgeschieden wird. Die erste Elektrodenschicht 101 kann durch Sputtern oder Aufdampfen aufgebracht werden.
  • 4 zeigt eine dritte Position in dem Verfahren, bei dem die erste Elektrodenschicht 101 in eine untere Elektrode 11 eines ersten BAW-Resonators und eine Blindelektrode 24 eines zweiten BAW-Resonators strukturiert wird. Strukturieren kann beispielsweise mit Hilfe einer fotolithografischen Maske und eines Ätzprozesses erfolgen. Die Elektroden 11, 24 sind voneinander getrennt und elektrisch isoliert. Die Elektroden 11, 24 liegen in und erstrecken sich entlang einer gemeinsamen Ebene.
  • 5 zeigt eine vierte Position in dem Verfahren, bei dem eine erste piezoelektrische Schicht 13 auf die erste Elektrodenschicht 101 beziehungsweise auf die Elektroden 11, 24 abgeschieden wird. Die erste piezoelektrische Schicht 13 kann durch Sputtern oder Aufdampfen aufgebracht werden. Die erste piezoelektrische Schicht 13 wird als zusammenhängende Schicht abgeschieden, die die Elektroden 11, 24 vollständig bedeckt. Eine Dicke der ersten piezoelektrischen Schicht 13 ist entlang ihrer lateralen Ausdehnung konstant.
  • 6 zeigt eine fünfte Position in dem Verfahren, bei dem eine zweite Metallschicht 102 auf die erste piezoelektrische Schicht 13 abgeschieden wird. Auch hier kann die zweite Metallschicht 102 durch Sputtern oder Aufdampfen abgeschieden werden. Beispielsweise wird die zweite Metallschicht 102 so abgeschieden, dass sie in einer Draufsicht die Elektroden 11, 24 vollständig bedeckt.
  • 7 zeigt eine sechste Position in dem Verfahren, bei dem die zweite Metallschicht 102 in eine obere Elektrode 12 des ersten BAW-Resonators und eine untere Elektrode 21 des zweiten BAW-Resonators strukturiert wird. Strukturieren erfolgt beispielsweise mit Hilfe einer Maske und eines Ätzprozesses. Die Elektroden 12, 21 können voneinander getrennt und elektrisch isoliert sein. In einer Draufsicht auf die Oberseite 30 des Trägersubstrats 3 überlappt die Elektrode 12 mit der Elektrode 11 und die Elektrode 21 mit der Blindelektrode 24. Die Elektroden 12 und 21 liegen in einer gemeinsamen Ebene und erstrecken sich entlang dieser.
  • 8 zeigt eine siebte Position in dem Verfahren, bei dem eine zweite piezoelektrische Schicht 23 auf die zweite Metallschicht 102 beziehungsweise auf die Elektroden 12, 21 abgeschieden wird. Die zweite piezoelektrische Schicht 23 wird als zusammenhängende Schicht abgeschieden, die die Elektroden 12, 21 vollständig bedeckt. Die zweite piezoelektrische Schicht 23 wird mit einer konstanten Dicke über ihrer gesamte laterale Ausdehnung abgeschieden. Die zweite piezoelektrische Schicht 23 wird beispielsweise durch Sputtern oder Aufdampfen aufgebracht.
  • 9 zeigt eine achte Position des Verfahrens, bei dem eine dritte metallische Schicht 103 auf die zweite piezoelektrische Schicht 23 abgeschieden wird. Auch hier kann die dritte metallische Schicht 103 durch Sputtern oder Aufdampfen abgeschieden werden.
  • 10 zeigt eine neunte Position des Verfahrens, bei dem die dritte Metallschicht 103 so strukturiert wird, dass eine obere Elektrode 22 des zweiten BAW-Resonators 2 gebildet wird. Strukturieren erfolgt beispielsweise durch Ätzen mit Hilfe einer Maske. In dem Bereich des ersten BAW-Resonators 1 wird die dritte Metallschicht 103 entfernt. Zusätzlich wird die zweite piezoelektrische Schicht 23 in dem Bereich des ersten BAW-Resonators 1 entfernt. Auch die zweite piezoelektrische Schicht 23 kann durch Ätzen unter Verwendung einer Maske entfernt werden. Nach Entfernen der zweiten piezoelektrischen Schicht 23 wird die obere Elektrode 12 des ersten BAW-Resonators 1 freigelegt. 10 zeigt gleichzeitig eine finalisierte elektrische Komponente. Insbesondere ist die finalisierte elektrische Komponente von 10 identisch mit der elektrischen Komponente von 1.
  • 11 zeigt eine weitere beispielhafte Ausführungsform der elektrischen Komponente in einer Querschnittsansicht. Das Design ist nahezu identisch mit dem der elektrischen Komponente von 1. Der einzige Unterschied besteht darin, dass keine Blindelektrode in dem Bereich unterhalb des zweiten BAW-Resonators 2 vorhanden ist. Eine solche elektrische Komponente kann mit dem zuvor beschriebenen Verfahren hergestellt werden. In dem Strukturierungsschritt der ersten Metallschicht 101 wird die erste Metallschicht 101 in dem Bereich des zweiten BAW-Resonators vollständig entfernt.
  • Die hier beschriebene Erfindung wird durch die Beschreibung in Verbindung mit den beispielhaften Ausführungsformen nicht eingeschränkt. Vielmehr umfasst die Erfindung jedes neue Merkmal sowie jede Kombination von Merkmalen, insbesondere auch jede Kombination von Merkmalen in den Patentansprüchen, auch wenn dieses Merkmal oder diese Kombination als solche in den Patentansprüchen oder beispielhaften Ausführungsformen nicht ausdrücklich genannt ist.
  • Bezugszeichenliste
    • 1
    erster BAW-Resonator
    2
    zweiter BAW-Resonator
    3
    Trägersubstrat
    11
    untere Elektrode des ersten BAW-Resonators
    12
    obere Elektrode des ersten BAW-Resonators
    13
    erste piezoelektrische Schicht
    21
    untere Elektrode des zweiten BAW-Resonators
    22
    obere Elektrode des zweiten BAW-Resonators
    23
    zweite piezoelektrische Schicht
    24
    Blindelektrode
    30
    Oberseite des Trägersubstrats
    31
    Schicht
    32
    Schicht
    33
    Basissubstrat
    101
    erste Elektrodenschicht
    102
    zweite Elektrodenschicht
    103
    dritte Elektrodenschicht

Claims (19)

  1. Elektrische Komponente umfassend - einen ersten BAW-Resonator (1), - einem zweiten BAW-Resonator (2), der elektrisch mit dem ersten BAW-Resonator (1) verbunden ist, und - ein Trägersubstrat (3) mit einer Oberseite (30), auf der die BAW-Resonatoren (1, 2) angeordnet sind, wobei - der erste und der zweite BAW-Resonator (1, 2) jeweils eine untere Elektrode (11, 21) und eine obere Elektrode (12, 22) umfasst, - die unteren Elektroden (11, 21) jeweils zwischen dem Trägersubstrat (3) und der jeweiligen oberen Elektrode (12, 22) lokalisiert sind, - eine erste piezoelektrische Schicht (13) zwischen der oberen Elektrode (12) und der unteren Elektrode (11) des ersten BAW-Resonators (1) angeordnet ist und sich lateral von dem ersten BAW-Resonator (1) erstreckt, - der zweite BAW-Resonator (2) auf der ersten piezoelektrischen Schicht (13) in einem Bereich lateral neben dem ersten BAW-Resonator (1) befestigt ist und eine zweite piezoelektrische Schicht (23) zwischen der oberen Elektrode (22) des zweiten BAW-Resonators (2) und der unteren Elektrode (21) des zweiten BAW-Resonators (2) umfasst.
  2. Elektrische Komponente nach Anspruch 1, wobei die erste piezoelektrische Schicht (13) und die zweite piezoelektrische Schicht (23) unterschiedliche Dicken aufweisen.
  3. Elektrische Komponente nach Anspruch 1 oder 2, wobei eine Blindelektrode (24) zwischen dem zweiten BAW-Resonator (2) und dem Trägersubstrat (3) lokalisiert ist.
  4. Elektrische Komponente nach Anspruch 3, wobei die untere Elektrode (11) des ersten BAW-Resonators (1) und die Blindelektrode (24) lateral nebeneinander in einer gemeinsamen Ebene liegen.
  5. Elektrische Komponente nach Anspruch 3 oder 4, wobei die Blindelektrode (24) nicht elektrisch mit einem anderen Element für den Betrieb der elektrischen Komponente verbunden ist.
  6. Elektrische Komponente nach einem der Ansprüche 3 bis 5, wobei die Blindelektrode (24) vollständig von der ersten piezoelektrischen Schicht (13) und dem Trägersubstrat (3) umschlossen ist.
  7. Elektrische Komponente nach Anspruch 1 oder 2, wobei in einem Bereich zwischen der unteren Elektrode (21) des zweiten BAW-Resonators (2) und dem Trägersubstrat (3) die erste piezoelektrische Schicht (13) in direktem Kontakt mit dem Trägersubstrat (3) steht.
  8. Elektrische Komponente nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei die obere Elektrode (12) des ersten BAW-Resonators (1) und die untere Elektrode (21) des zweiten BAW-Resonators (2) nebeneinander in einer gemeinsamen Ebene liegen.
  9. Elektrische Komponente nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei - die elektrische Komponente ein RF-Filter ist oder einen RF-Filter umfasst, - der erste BAW-Resonator (1) ein Serienresonator und der zweite BAW-Resonator (2) ein Nebenschlussresonator oder umgekehrt ist.
  10. Elektrische Komponente nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei das Trägersubstrat (3) Schichten (31, 32) mit unterschiedlichen akustischen Impedanzen umfasst, die entlang einer Richtung senkrecht zur Oberseite (30) übereinander gestapelt sind.
  11. Elektrische Komponente nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei der erste und der zweite BAW-Resonator (1, 2) unterschiedliche Resonanzfrequenzen aufweisen.
  12. Elektrische Komponente nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei die elektrische Komponente ein Chip ist.
  13. Elektrische Komponente nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei die erste piezoelektrische Schicht (13) sich lateral über die obere Elektrode (12) und die untere Elektrode (11) des ersten BAW-Resonators (1) hinaus erstreckt.
  14. Verfahren zur Herstellung einer elektrischen Komponente, umfassend A) Bereitstellen eines Trägersubstrats (3), B) Abscheiden einer ersten Elektrodenschicht (101) auf einer Oberseite (30) des Trägersubstrats (3), C) danach Abscheiden einer ersten piezoelektrischen Schicht (13) auf der ersten Elektrodenschicht (101), D) danach Abscheiden einer zweiten Elektrodenschicht (102) auf der ersten piezoelektrischen Schicht (13), E) danach Abscheiden einer zweiten piezoelektrischen Schicht (23) auf der zweiten Elektrodenschicht (102), F) danach Abscheiden einer dritten Elektrodenschicht (103) auf der zweiten piezoelektrischen Schicht (23), G) danach Entfernen der zweiten piezoelektrischen Schicht (23) in einem Bereich eines ersten BAW-Resonators (1) und Halten mindestens eines Teils der dritten Elektrodenschicht (103) und der zweiten piezoelektrischen Schicht (23) in einem Bereich eines zweiten BAW-Resonators (2).
  15. Verfahren nach Anspruch 14, wobei eine untere Elektrode (11) des ersten BAW-Resonators (1) aus der ersten Elektrodenschicht (101) gebildet wird.
  16. Verfahren nach Anspruch 14 oder 15, wobei eine Blindelektrode (24) aus der ersten Elektrodenschicht (101) in dem Bereich des zweiten BAW-Resonators (2) gebildet wird.
  17. Verfahren nach einem der Ansprüche 14 bis 16, wobei eine obere Elektrode (12) des ersten BAW-Resonators (1) und eine untere Elektrode (21) des zweiten BAW-Resonators (2) aus der zweiten Elektrodenschicht (102) gebildet werden.
  18. Verfahren nach einem der Ansprüche 14 bis 17, wobei eine obere Elektrode (22) des zweiten BAW-Resonators (2) aus der dritten Elektrodenschicht (103) gebildet wird.
  19. Verfahren nach einem der Ansprüche 14 bis 18, wobei die Elektrodenschichten (101, 102, 103) und/oder die piezoelektrischen Schichten (13, 23) durch Sputtern oder Aufdampfen abgeschieden werden.
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